JP2003219635A5

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Publication number: JP2003219635A5
Application number: JP2002011495A
Authority: JP
Filing date: 2002-01-21
Publication date: 2005-08-04

Claims

交流電源を受ける整流回路に接続されたコイルに流れる電流をスイッチングすることにより、前記整流回路から出力される電圧を変換して出力する電源装置に使用され、前記コイルに流れる電流をオン、オフするスイッチング素子の制御パルスを出力する電源制御用半導体集積回路であって、
過電流検出用の抵抗により変換された電圧と基準となる電圧とを比較して前記過電流検出用の抵抗により変換された電圧が前記基準となる電圧を越えた時に過電流が流れたと判定し前記スイッチング素子へ供給される制御パルスを停止させる信号を出力するコンパレータと、前記コンパレータの判定のためのしきい値が前記整流回路から出力される電圧に応じて変化されるように変換を行なう変換手段とを備えていることを特徴とする電源制御用半導体集積回路。
前記交流電源が第１の電圧系か該第１の電圧系よりも高い第２の電圧系かを判別する電圧判別回路を備え、
前記変換手段は、前記電圧判別回路からの信号に基づいて前記コンパレータのしきい値を第１しきい値または該第１しきい値よりも高い第２しきい値に切り替えるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電源制御用半導体集積回路。
前記交流電源が第１の電圧系か該第１の電圧系よりも高い第２の電圧系かを判別する電圧判別回路を備え、
前記変換手段は、前記電圧判別回路からの信号に基づいて前記過電流検出用の抵抗により変換された電圧を、前記コンパレータのしきい値が相対的に変化するように変換することを特徴とする請求項１に記載の電源制御用半導体集積回路。
前記整流回路で整流された電圧に比例した電圧が印加される第１外部端子を備え、
前記変換手段は、該第１外部端子に入力されている電圧に反比例するように前記コンパレータのしきい値を連続的に変化させることを特徴とする請求項１に記載の電源制御用半導体集積回路。
前記整流回路から出力される電圧に比例した電圧が印加される第１外部端子を備え、
前記変換手段は、前記過電流検出用の抵抗により変換された電圧を、前記第１外部端子に入力されている電圧に応じて前記コンパレータのしきい値が相対的に変化するように連続的に変換させるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電源制御用半導体集積回路。
前記変換手段は、前記第１外部端子に入力されている電圧を電流に変換する電圧−電流変換回路と、該電圧−電流変換回路の出力電流に反比例した電流を出力する除算回路と、該除算回路の出力電流を電圧に変換する電流−電圧変換回路とにより構成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の電源制御用半導体集積回路。
前記整流回路から出力される電流に比例した電流が入力される第２外部端子と、前記電源装置の出力である出力変換電圧のフィードバック電圧が入力される第３外部端子と、該第３外部端子の入力電圧に応じた電圧を出力する差動アンプと、前記第２外部端子の入力電流と前記差動アンプの出力電圧とに応じた電流を出力する掛け算回路と、前記掛け算回路の出力電流を出力する第４外部端子とを備え、前記パルス制御回路は前記掛け算回路の出力電流に応じて前記スイッチング素子のへ供給される制御パルスのパルス幅を制御するように構成された請求項１乃至６のいずれかに記載の電源制御用半導体集積回路であって、前記コンパレータは前記第４外部端子の電圧を一方の入力とするように構成されていることを特徴とする電源制御用半導体集積回路。
前記整流回路と、該整流回路に接続された前記コイルと、該コイルに流れる電流をオン、オフする前記スイッチング素子と、該スイッチング素子を制御する請求項１〜７のいずれかに記載の電源制御用半導体集積回路とを含み、前記整流回路で整流された電圧を前記コイルで昇圧して出力するように構成されていることを特徴とする電源装置。
前記第４外部端子は前記整流回路に接続され、前記第４外部端子と接地電位との間に前記過電流検出用抵抗が外付け素子として接続されていることを特徴とする請求項８に記載の電源装置。
整流された電圧を、コイルと該コイルに結合されたスイッチ素子のスイッチング動作により変換し、コンデンサに充電する電源装置に使われるＰＦＣ制御用半導体集積回路であって、
上記コイルに供給される電流と上記整流された電圧との積が、所定の値以上になった際、上記スイッチ素子のスイッチング動作を禁止する手段を有することを特徴とするＰＦＣ制御用半導体集積回路。
整流された電圧を、コイルと該コイルに結合されたスイッチ素子のスイッチング動作により変換し、コンデンサに充電する電源装置に使われるＰＦＣ制御用半導体集積回路であって、
上記整流された電圧の値を検出する検出回路と、
上記コイルに供給される電流に従った電圧を、上記検出回路の検出出力により変化するしきい値と比較し、該電圧がしきい値以上の際に、上記スイッチ素子のスイッチング動作を禁止する手段を有することを特徴とするＰＦＣ制御用半導体集積回路。
上記手段における比較において、検出出力による上記しきい値の変化は、比較されるべき基準値の変化であることを特徴とする請求項１１に記載のＰＦＣ制御用半導体集積回路。
上記手段における比較において、検出出力による上記しきい値の変化は、上記コイルに供給される電流に従った電圧の変化であることを特徴とする請求項１１に記載のＰＦＣ制御用半導体集積回路。
電圧を、コイルと該コイルに結合されたスイッチ素子のスイッチング動作により変換する電圧変換回路に使われる半導体集積回路であって、
上記電圧の値を検出する検出回路と、
上記コイルに供給される電流に従った電圧を、上記検出回路の検出出力により変化するしきい値と比較し、該電圧がしきい値以上の際に、上記スイッチ素子のスイッチング動作を禁止する手段を有することを特徴とする半導体集積回路。
上記手段における比較において、検出出力によるしきい値の変化は、比較されるべき基準値の変化であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体集積回路。
上記手段における比較において、検出出力によるしきい値の変化は、上記コイルに供給される電流に従った電圧の変化であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体集積回路。
電圧を、コイルと該コイルに結合されたスイッチ素子のスイッチング動作により変換する電圧変換回路に使われる半導体集積回路であって、
上記コイルに供給される電流と上記電圧との積が、所定の値以上になった際、上記スイッチ素子のスイッチング動作を禁止する手段を有することを特徴とする半導体集積回路。