JP2003213430A - 製膜装置の基板加熱装置 - Google Patents
製膜装置の基板加熱装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱変形により密着性の低下を解消して膜質及
び膜厚分布を均一化することができる薄膜形成装置を提
供する。 【解決手段】 保持板９によって基板２が保持された状
態では、各発熱部１３ａは基板２の表面から押されて密
着手段１４を圧縮している。基板２の中央部が外側に熱
変形すると、密着手段１４によって発熱部１３ａが押さ
れて、基板２の熱変形に応じて接触面１３ｃが基板２と
密着する。発熱部１３ａ毎に設置された温度検出手段に
よって加熱温度が測定されると、温度制御器がこの測定
結果に基づいて各ヒータに流れる電流値を調整して、発
熱部１３ａ毎に加熱温度が制御される。その結果、基板
２の温度分布のばらつきが所定の範囲内に制御されて、
基板２の温度分布が略均一に調整される。
び膜厚分布を均一化することができる薄膜形成装置を提
供する。 【解決手段】 保持板９によって基板２が保持された状
態では、各発熱部１３ａは基板２の表面から押されて密
着手段１４を圧縮している。基板２の中央部が外側に熱
変形すると、密着手段１４によって発熱部１３ａが押さ
れて、基板２の熱変形に応じて接触面１３ｃが基板２と
密着する。発熱部１３ａ毎に設置された温度検出手段に
よって加熱温度が測定されると、温度制御器がこの測定
結果に基づいて各ヒータに流れる電流値を調整して、発
熱部１３ａ毎に加熱温度が制御される。その結果、基板
２の温度分布のばらつきが所定の範囲内に制御されて、
基板２の温度分布が略均一に調整される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板上に薄膜を
形成するためにこの基板を加熱する製膜装置の基板加熱
装置に関する。
形成するためにこの基板を加熱する製膜装置の基板加熱
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来の製膜装置の構成図であ
る。従来の製膜装置１０１は、図８に示すように、基板
１０２を収容するチャンバ（製膜室）１０３と、このチ
ャンバ１０３内にシランを主成分とする反応ガスを供給
する供給管１０４と、チャンバ１０３内からの排気ガス
が流れる排気管１０５と、チャンバ１０３内を真空排気
する真空ポンプ１０６と、基板１０２を加熱する基板加
熱装置１０７と、この基板加熱装置１０７の加熱温度を
制御する温度制御器１０８と、基板１０２を保持する保
持板１０９と、平行格子状の金属線グリッドからなる多
端子給電方式のラダー電極１１０ａ及びこのラダー電極
１１０ａの周囲を絶縁する絶縁スペーサ１１０ｂを備え
る製膜ユニット１１０と、ラダー電極１１０ａに給電す
る高周波電源１１１と、この高周波電源１１１の給電動
作を制御する整合器１１２などから構成されている。こ
のような従来の薄膜形成装置１０１は、チャンバ１０３
内を真空排気して反応ガスを供給するとともに、高周波
電源１１１からラダー電極１１０ａに給電させて、基板
１０２とラダー電極１１０ａとの間にプラズマを生成し
基板１０２に薄膜を形成する。
る。従来の製膜装置１０１は、図８に示すように、基板
１０２を収容するチャンバ（製膜室）１０３と、このチ
ャンバ１０３内にシランを主成分とする反応ガスを供給
する供給管１０４と、チャンバ１０３内からの排気ガス
が流れる排気管１０５と、チャンバ１０３内を真空排気
する真空ポンプ１０６と、基板１０２を加熱する基板加
熱装置１０７と、この基板加熱装置１０７の加熱温度を
制御する温度制御器１０８と、基板１０２を保持する保
持板１０９と、平行格子状の金属線グリッドからなる多
端子給電方式のラダー電極１１０ａ及びこのラダー電極
１１０ａの周囲を絶縁する絶縁スペーサ１１０ｂを備え
る製膜ユニット１１０と、ラダー電極１１０ａに給電す
る高周波電源１１１と、この高周波電源１１１の給電動
作を制御する整合器１１２などから構成されている。こ
のような従来の薄膜形成装置１０１は、チャンバ１０３
内を真空排気して反応ガスを供給するとともに、高周波
電源１１１からラダー電極１１０ａに給電させて、基板
１０２とラダー電極１１０ａとの間にプラズマを生成し
基板１０２に薄膜を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図９は、従来の製膜装
置において基板が熱変形した状態を示す概略図である。
図９に示すように、従来の製膜装置１０１では、例え
ば、５０ｃｍ角級から１ｍ角級の大面積の基板１０２に
製膜しようとすると、基板１０２又は基板加熱装置１０
７が熱変形して、基板１０２と基板加熱装置１０７との
間に隙間Δｔが発生していた。このような隙間Δｔが発
生すると、基板１０２と基板加熱装置１０７との間の密
着性が低下して基板温度や電界強度が低下し、温度分布
の不均一によって膜質の均一性が損なわれたり、電界強
度の不均一によって膜厚分布の均一性が損なわれるとい
う問題があった。
置において基板が熱変形した状態を示す概略図である。
図９に示すように、従来の製膜装置１０１では、例え
ば、５０ｃｍ角級から１ｍ角級の大面積の基板１０２に
製膜しようとすると、基板１０２又は基板加熱装置１０
７が熱変形して、基板１０２と基板加熱装置１０７との
間に隙間Δｔが発生していた。このような隙間Δｔが発
生すると、基板１０２と基板加熱装置１０７との間の密
着性が低下して基板温度や電界強度が低下し、温度分布
の不均一によって膜質の均一性が損なわれたり、電界強
度の不均一によって膜厚分布の均一性が損なわれるとい
う問題があった。
【０００４】基板１０２は、保持板１０９などによって
周辺部を４箇所で固定された状態で基板加熱装置１０７
上に保持されている。しかし、基板１０２の中央部が基
板加熱装置１０７と反対側に熱変形すると、基板１０２
の中央部周辺は基板加熱装置１０７と密着しなくなり、
熱伝導が低下して基板温度も低下する。その結果、温度
に支配される欠陥密度、結晶性、光透過率、膜付着の強
度などの膜質が不均一になり質の低下を招くという問題
があった。また、基板１０２と基板加熱装置１０７とが
密着していないと、基板１０２の電位が定まらず電界強
度が低下する。その結果、プラズマ密度が低下して製膜
速度が低下し、膜厚が不均一になるという問題があっ
た。
周辺部を４箇所で固定された状態で基板加熱装置１０７
上に保持されている。しかし、基板１０２の中央部が基
板加熱装置１０７と反対側に熱変形すると、基板１０２
の中央部周辺は基板加熱装置１０７と密着しなくなり、
熱伝導が低下して基板温度も低下する。その結果、温度
に支配される欠陥密度、結晶性、光透過率、膜付着の強
度などの膜質が不均一になり質の低下を招くという問題
があった。また、基板１０２と基板加熱装置１０７とが
密着していないと、基板１０２の電位が定まらず電界強
度が低下する。その結果、プラズマ密度が低下して製膜
速度が低下し、膜厚が不均一になるという問題があっ
た。
【０００５】この発明の課題は、熱変形により密着性の
低下を解消して膜質及び膜厚分布を略均一化することが
できる薄膜形成装置を提供することである。
低下を解消して膜質及び膜厚分布を略均一化することが
できる薄膜形成装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る製膜装置
の基板加熱装置は、基板上に薄膜を形成するためにこの
基板を加熱する製膜装置の基板加熱装置であって、前記
基板を加熱する加熱手段と、前記基板と前記加熱手段と
の間に熱変形によって隙間が発生したときに、この基板
とこの加熱手段とを密着させる密着手段とを備えること
を特徴とする。
の基板加熱装置は、基板上に薄膜を形成するためにこの
基板を加熱する製膜装置の基板加熱装置であって、前記
基板を加熱する加熱手段と、前記基板と前記加熱手段と
の間に熱変形によって隙間が発生したときに、この基板
とこの加熱手段とを密着させる密着手段とを備えること
を特徴とする。
【０００７】この発明によれば、温度変化により基板や
加熱手段が熱変形しても、基板と加熱手段とを密着手段
が密着させるので、基板の温度分布が略均一になるとと
もに、プラズマ密度も略均一になるため、膜質及び膜厚
が略均一な薄膜を基板に形成することができる。
加熱手段が熱変形しても、基板と加熱手段とを密着手段
が密着させるので、基板の温度分布が略均一になるとと
もに、プラズマ密度も略均一になるため、膜質及び膜厚
が略均一な薄膜を基板に形成することができる。
【０００８】また、この発明に係る製膜装置の基板加熱
装置は、前記加熱手段の加熱温度を検出する温度検出手
段と、前記温度検出手段の検出結果に基づいて、前記加
熱手段の加熱温度を制御する温度制御手段とを備えるこ
とが好ましい。このような構成を採用することによっ
て、基板や加熱手段の熱変形に対応した温度制御が可能
になり、温度分布が詳細に調整されて膜質を略均一に形
成することができる。
装置は、前記加熱手段の加熱温度を検出する温度検出手
段と、前記温度検出手段の検出結果に基づいて、前記加
熱手段の加熱温度を制御する温度制御手段とを備えるこ
とが好ましい。このような構成を採用することによっ
て、基板や加熱手段の熱変形に対応した温度制御が可能
になり、温度分布が詳細に調整されて膜質を略均一に形
成することができる。
【０００９】ここで、前記加熱手段は、前記基板側と接
触する接触面を有する発熱部を備え、前記密着手段は、
前記発熱部を前記基板に付勢する付勢部を備えることが
好ましい。このように基板に対して発熱部が移動可能な
構成を採用することによって、製膜前後で数百°Ｃの温
度差が基板や発熱部に生じた場合でも、発熱部が基板に
押し付けられて基板と発熱部との密着性を保持すること
ができる。
触する接触面を有する発熱部を備え、前記密着手段は、
前記発熱部を前記基板に付勢する付勢部を備えることが
好ましい。このように基板に対して発熱部が移動可能な
構成を採用することによって、製膜前後で数百°Ｃの温
度差が基板や発熱部に生じた場合でも、発熱部が基板に
押し付けられて基板と発熱部との密着性を保持すること
ができる。
【００１０】また、前記発熱部側の接触面は、前記基板
側の接触面と略一致した形状であることが好ましい。こ
のような形状に形成することによって、基板や加熱手段
の熱変形パターンを予測可能な場合には、発熱部の接触
面形状を基板の変化パターン形状に合致させて、基板と
の密着性をさらに高めることができる。
側の接触面と略一致した形状であることが好ましい。こ
のような形状に形成することによって、基板や加熱手段
の熱変形パターンを予測可能な場合には、発熱部の接触
面形状を基板の変化パターン形状に合致させて、基板と
の密着性をさらに高めることができる。
【００１１】さらに、前記加熱手段は、一次元又は二次
元に複数配置されていることが好ましい。このような配
置にすることによって、複雑な熱変形パターンに対応す
ることができるため、密着性を向上させることができ
る。
元に複数配置されていることが好ましい。このような配
置にすることによって、複雑な熱変形パターンに対応す
ることができるため、密着性を向上させることができ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）以下、図面を参
照して、この発明の第１実施形態について詳しく説明す
る。図１は、この発明の第１実施形態に係る基板加熱装
置を搭載する製膜装置の構成図である。図２は、この発
明の第１実施形態に係る基板加熱装置の外観図である。
図３は、この発明の第１実施形態に係る基板加熱装置の
断面図である。図４は、図３のIV部分を拡大して示す断
面図である。なお、図８及び図９に示す部材と同一の部
材については、対応する番号を付して、詳細な説明を省
略する。
照して、この発明の第１実施形態について詳しく説明す
る。図１は、この発明の第１実施形態に係る基板加熱装
置を搭載する製膜装置の構成図である。図２は、この発
明の第１実施形態に係る基板加熱装置の外観図である。
図３は、この発明の第１実施形態に係る基板加熱装置の
断面図である。図４は、図３のIV部分を拡大して示す断
面図である。なお、図８及び図９に示す部材と同一の部
材については、対応する番号を付して、詳細な説明を省
略する。
【００１３】製膜装置１は、アモルファスシリコン薄
膜、微結晶シリコン薄膜、導電性薄膜などを基板上に形
成するプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）
製膜装置、スパッタ製膜装置、イオンプレーティング製
膜装置、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）製膜装
置などである。製膜装置１は、薄膜トランジスタや太陽
電池などの製造に使用される。製膜装置１は、図１に示
すように、チャンバ３、供給管４、排気管５、真空ポン
プ６と、基板加熱装置７、温度制御器８、保持板９、ラ
ダー電極１０ａ及び絶縁スペーサ１０ｂを備える製膜ユ
ニット１０、高周波電源１１及び整合器１２などから構
成されている。
膜、微結晶シリコン薄膜、導電性薄膜などを基板上に形
成するプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）
製膜装置、スパッタ製膜装置、イオンプレーティング製
膜装置、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）製膜装
置などである。製膜装置１は、薄膜トランジスタや太陽
電池などの製造に使用される。製膜装置１は、図１に示
すように、チャンバ３、供給管４、排気管５、真空ポン
プ６と、基板加熱装置７、温度制御器８、保持板９、ラ
ダー電極１０ａ及び絶縁スペーサ１０ｂを備える製膜ユ
ニット１０、高周波電源１１及び整合器１２などから構
成されている。
【００１４】基板加熱装置７は、基板２を所定の目標温
度に加熱する装置である。基板加熱装置７は、図２及び
図３に示すように、加熱手段１３、密着手段１４、温度
検出手段１５及び筐体１６などから構成されている。加
熱手段１３は、基板２を加熱する装置である。加熱手段
１３は、図３に示すように、一次元に複数配置されてお
り、縦方向又は横方向にＮ個並べられている。加熱手段
１３は、図２及び図４に示すように、ステンレス鋼（SU
S316）などで形成された板状の発熱部１３ａと、この発
熱部１３ａ内に収容され、２００〜３００°Ｃ程度で発
熱するニクロム線などのヒータ（発熱体）１３ｂなどか
ら構成されている。発熱部１３ａの先端部には、基板２
と接触する平坦な接触面１３ｃが形成されている。
度に加熱する装置である。基板加熱装置７は、図２及び
図３に示すように、加熱手段１３、密着手段１４、温度
検出手段１５及び筐体１６などから構成されている。加
熱手段１３は、基板２を加熱する装置である。加熱手段
１３は、図３に示すように、一次元に複数配置されてお
り、縦方向又は横方向にＮ個並べられている。加熱手段
１３は、図２及び図４に示すように、ステンレス鋼（SU
S316）などで形成された板状の発熱部１３ａと、この発
熱部１３ａ内に収容され、２００〜３００°Ｃ程度で発
熱するニクロム線などのヒータ（発熱体）１３ｂなどか
ら構成されている。発熱部１３ａの先端部には、基板２
と接触する平坦な接触面１３ｃが形成されている。
【００１５】密着手段１４は、基板２と加熱手段１３と
の間に熱変形によって隙間が発生したときに、この基板
２とこの加熱手段１３とを密着させる装置である。密着
手段１４は、図２に示すように、加熱手段１３毎に設置
されており、加熱手段１３と同じくＮ個配置されてい
る。密着手段１４は、図２及び図４に示すように、発熱
部１３ａを基板２に付勢するスプリング、板ばねなどの
付勢部である。密着手段１４は、発熱部１３ａの後端面
と筐体１６との間に挟み込まれており、熱変形した基板
２に接触面１３ｃが接触するように、この密着手段１４
が筐体１６を押す力の反作用によってこの発熱部１３ａ
を基板２に押し付けて密着させる。
の間に熱変形によって隙間が発生したときに、この基板
２とこの加熱手段１３とを密着させる装置である。密着
手段１４は、図２に示すように、加熱手段１３毎に設置
されており、加熱手段１３と同じくＮ個配置されてい
る。密着手段１４は、図２及び図４に示すように、発熱
部１３ａを基板２に付勢するスプリング、板ばねなどの
付勢部である。密着手段１４は、発熱部１３ａの後端面
と筐体１６との間に挟み込まれており、熱変形した基板
２に接触面１３ｃが接触するように、この密着手段１４
が筐体１６を押す力の反作用によってこの発熱部１３ａ
を基板２に押し付けて密着させる。
【００１６】温度検出手段１５は、加熱手段１３の加熱
温度を測定する装置である。温度検出手段１５は、図４
に示すように、発熱部１３ａの加熱温度を測定する熱電
対などの測温体であり、発熱部１３ａ内に収納されてい
る。温度検出手段１５は、検出結果として検出電流を温
度制御器８に出力し、温度制御器８はこの検出電流に基
づいてヒータ１３ｂの加熱温度をフィードバック制御す
る。筐体１６は、加熱手段１３、密着手段１４及び温度
検出手段１５を収容するケーシング（収容部）であり、
図３に示すように保持板９を固定するフランジ部１６ａ
を備えている。
温度を測定する装置である。温度検出手段１５は、図４
に示すように、発熱部１３ａの加熱温度を測定する熱電
対などの測温体であり、発熱部１３ａ内に収納されてい
る。温度検出手段１５は、検出結果として検出電流を温
度制御器８に出力し、温度制御器８はこの検出電流に基
づいてヒータ１３ｂの加熱温度をフィードバック制御す
る。筐体１６は、加熱手段１３、密着手段１４及び温度
検出手段１５を収容するケーシング（収容部）であり、
図３に示すように保持板９を固定するフランジ部１６ａ
を備えている。
【００１７】次に、この発明の第１実施形態に係る基板
加熱装置の動作を説明する。保持板９によって基板２が
保持された状態では、各発熱部１３ａは基板２の表面か
ら押されて密着手段１４を圧縮している。図３に示すよ
うに、基板２が加熱されて基板２の中央部が外側に熱変
形すると、密着手段１４によって発熱部１３ａが押され
ているため、基板２の熱変形に応じて接触面１３ｃが基
板２と密着する。発熱部１３ａ毎に設置された温度検出
手段１５によって加熱温度が測定されると、温度制御器
８がこの測定結果に基づいて各ヒータ１３ｂに流れる電
流値を調整して、発熱部１３ａ毎に加熱温度が制御され
る。その結果、基板２の温度分布のばらつきが所定の範
囲内に制御されて、基板２の温度分布が略均一に調整さ
れる。なお、基板２の中央部が内側に熱変形した場合に
は、中央部付近の発熱部１３ａが密着手段１４を圧縮し
た状態で基板２と密着する。
加熱装置の動作を説明する。保持板９によって基板２が
保持された状態では、各発熱部１３ａは基板２の表面か
ら押されて密着手段１４を圧縮している。図３に示すよ
うに、基板２が加熱されて基板２の中央部が外側に熱変
形すると、密着手段１４によって発熱部１３ａが押され
ているため、基板２の熱変形に応じて接触面１３ｃが基
板２と密着する。発熱部１３ａ毎に設置された温度検出
手段１５によって加熱温度が測定されると、温度制御器
８がこの測定結果に基づいて各ヒータ１３ｂに流れる電
流値を調整して、発熱部１３ａ毎に加熱温度が制御され
る。その結果、基板２の温度分布のばらつきが所定の範
囲内に制御されて、基板２の温度分布が略均一に調整さ
れる。なお、基板２の中央部が内側に熱変形した場合に
は、中央部付近の発熱部１３ａが密着手段１４を圧縮し
た状態で基板２と密着する。
【００１８】（第２実施形態）図５は、この発明の第２
実施形態に係る基板加熱装置の外観図である。図６は、
この発明の第２実施形態に係る基板加熱装置の一部を拡
大して示す拡大図である。なお、図１〜図４に示す部材
と同一の部材については、同一の番号を付して詳細な説
明を省略する。この基板加熱装置１７では、図５及び図
６に示すように発熱部１３ａ側の接触面１３ｄが基板２
側の接触面と略一致した形状（例えば円弧状）に形成さ
れており、接触面１３ｄの略全面が基板２と面接触す
る。
実施形態に係る基板加熱装置の外観図である。図６は、
この発明の第２実施形態に係る基板加熱装置の一部を拡
大して示す拡大図である。なお、図１〜図４に示す部材
と同一の部材については、同一の番号を付して詳細な説
明を省略する。この基板加熱装置１７では、図５及び図
６に示すように発熱部１３ａ側の接触面１３ｄが基板２
側の接触面と略一致した形状（例えば円弧状）に形成さ
れており、接触面１３ｄの略全面が基板２と面接触す
る。
【００１９】（第３実施形態）図７は、この発明の第３
実施形態に係る基板加熱装置の外観図である。この基板
加熱装置１８では、図７に示すように加熱手段１３が二
次元に複数配置されており、縦方向にＮ個及び横方向に
Ｍ個並べられている。加熱手段１３は、四角柱状（ブロ
ック状）に形成されており接触面１３ｅが基板２と密着
する。
実施形態に係る基板加熱装置の外観図である。この基板
加熱装置１８では、図７に示すように加熱手段１３が二
次元に複数配置されており、縦方向にＮ個及び横方向に
Ｍ個並べられている。加熱手段１３は、四角柱状（ブロ
ック状）に形成されており接触面１３ｅが基板２と密着
する。
【００２０】（他の実施形態）この発明は、以上説明し
た実施形態に限定するものではなく、種々の変形又は変
更が可能であり、これらもこの発明の範囲内である。例
えば、基板２の周辺部は保持部９によって保持され熱変
形の影響が少ないため、基板２の中央部付近の加熱手段
１３のみに密着手段１４を設置してもよい。また、接触
面１３ｃ，１３ｄと基板２との間に導電部を形成した
り、これらの間に接触圧を検出する圧電素子などを設置
して、発熱部１３ａと基板２とが接触しているか否かを
検出してもよい。この場合には、接触状態に応じてヒー
タ１３ｂに流れる電流を制御して、基板２の温度分布を
調整したり、送りねじ機構部などによって発熱部１３ａ
を駆動して発熱部１３ａを基板２に自動又は手動で接触
させることができる。さらに、接触面１３ｃ，１３ｅを
接触面１３ｄのように円弧状に形成してもよい。
た実施形態に限定するものではなく、種々の変形又は変
更が可能であり、これらもこの発明の範囲内である。例
えば、基板２の周辺部は保持部９によって保持され熱変
形の影響が少ないため、基板２の中央部付近の加熱手段
１３のみに密着手段１４を設置してもよい。また、接触
面１３ｃ，１３ｄと基板２との間に導電部を形成した
り、これらの間に接触圧を検出する圧電素子などを設置
して、発熱部１３ａと基板２とが接触しているか否かを
検出してもよい。この場合には、接触状態に応じてヒー
タ１３ｂに流れる電流を制御して、基板２の温度分布を
調整したり、送りねじ機構部などによって発熱部１３ａ
を駆動して発熱部１３ａを基板２に自動又は手動で接触
させることができる。さらに、接触面１３ｃ，１３ｅを
接触面１３ｄのように円弧状に形成してもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明による
と、熱変形により密着性の低下を解消して膜質及び膜厚
分布を均一化することができる。
と、熱変形により密着性の低下を解消して膜質及び膜厚
分布を均一化することができる。
【図１】 この発明の第１実施形態に係る基板加熱装置
を搭載する製膜装置の構成図である。
を搭載する製膜装置の構成図である。
【図２】 この発明の第１実施形態に係る基板加熱装置
の外観図である。
の外観図である。
【図３】 この発明の第１実施形態に係る基板加熱装置
の断面図である。
の断面図である。
【図４】 図３のIV部分を拡大して示す断面図である。
【図５】 この発明の第２実施形態に係る基板加熱装置
の外観図である。
の外観図である。
【図６】 この発明の第２実施形態に係る基板加熱装置
の一部を拡大して示す拡大図である。
の一部を拡大して示す拡大図である。
【図７】 この発明の第３実施形態に係る基板加熱装置
の外観図である。
の外観図である。
【図８】 従来の製膜装置の構成図である。
【図９】 従来の製膜装置において基板が熱変形した状
態を示す概略図である。
態を示す概略図である。
１ 製膜装置
２ 基板
７，１７，１８ 基板加熱装置
１３ 加熱手段
１３ａ 発熱部
１３ｂ ヒータ
１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ 接触面
１４ 密着手段
１５ 温度検出手段
１６ 筐体
Δｔ 隙間
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K029 AA24 DA08 EA08
4K030 CA12 JA10 KA24 KA39 KA41
5F045 AA08 DP02 EK08 EK22 EK23
EM03
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に薄膜を形成するためにこの基板
を加熱する製膜装置の基板加熱装置であって、 前記基板を加熱する加熱手段と、 前記基板と前記加熱手段との間に熱変形によって隙間が
発生したときに、この基板とこの加熱手段とを密着させ
る密着手段と、 を備える製膜装置の基板加熱装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の製膜装置の基板加熱装
置において、 前記加熱手段の加熱温度を検出する温度検出手段と、 前記温度検出手段の検出結果に基づいて、前記加熱手段
の加熱温度を制御する温度制御手段と、 を備える製膜装置の基板加熱装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の製膜装置
の基板加熱装置において、 前記加熱手段は、前記基板側と接触する接触面を有する
発熱部を備え、 前記密着手段は、前記発熱部を前記基板に付勢する付勢
部を備えること、 を特徴とする製膜装置の基板加熱装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の製膜装置の基板加熱装
置において、 前記発熱部側の接触面は、前記基板側の接触面と略一致
した形状であること、 を特徴とする製膜装置の基板加熱装置。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４までのいずれか１
項に記載の製膜装置の基板加熱装置において、 前記加熱手段は、一次元又は二次元に複数配置されてい
ること、 を特徴とする製膜装置の基板加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002010407A JP2003213430A (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 製膜装置の基板加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002010407A JP2003213430A (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 製膜装置の基板加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003213430A true JP2003213430A (ja) | 2003-07-30 |
Family
ID=27648156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002010407A Withdrawn JP2003213430A (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 製膜装置の基板加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003213430A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008516462A (ja) * | 2004-10-13 | 2008-05-15 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体処理の均一性を改善するための熱伝達システム |
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| WO2015194675A1 (ja) * | 2014-06-18 | 2015-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、加熱方法、温度調整機構及び半導体製造装置 |
| KR101800915B1 (ko) | 2013-06-21 | 2017-11-23 | 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치 |
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| US11075127B2 (en) | 2016-08-09 | 2021-07-27 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
-
2002
- 2002-01-18 JP JP2002010407A patent/JP2003213430A/ja not_active Withdrawn
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| KR102266890B1 (ko) * | 2018-08-29 | 2021-06-21 | 에이피시스템 주식회사 | 정전척, 이를 포함하는 합착 설비 및 합착 방법 |
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