JP2003213410A5 - - Google Patents
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JP (1) | JP2003213410A (ro) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100700831B1 (ko) * | 2005-11-16 | 2007-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법 |
JP4792060B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2011-10-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | マグネトロンスパッタリング装置及び薄膜の製造法 |
TWI643969B (zh) | 2013-12-27 | 2018-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 氧化物半導體的製造方法 |
US10504705B2 (en) * | 2017-09-15 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition chamber with static magnet assembly and methods of sputtering |
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