JP2003208824A - 高周波同軸ケーブル - Google Patents
高周波同軸ケーブルInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波同軸ケーブルの絶縁層の誘電損失を低減
し、ギガヘルツバンドの高周波帯域での信号減衰量を低
減する。 【解決手段】内部導体１と絶縁層２と外部導体３を有す
る高周波同軸ケーブルにおいて、絶縁層２を内層２１と
外層２２とから構成し、内層２１をフェノール系老化防
止剤含有量が０．０１ｗｔ％以下の、外層２２をフェノ
ール系老化防止剤含有量が０．１〜０．２ｗｔ％の高密
度ポリエチレンから構成する。内層２１の厚さを外層２
２の厚さの５〜１０倍とすることが好ましく、フェノー
ル系老化防止剤に、その極性基含有率が１０％以下のも
のを使用することが好ましい。
し、ギガヘルツバンドの高周波帯域での信号減衰量を低
減する。 【解決手段】内部導体１と絶縁層２と外部導体３を有す
る高周波同軸ケーブルにおいて、絶縁層２を内層２１と
外層２２とから構成し、内層２１をフェノール系老化防
止剤含有量が０．０１ｗｔ％以下の、外層２２をフェノ
ール系老化防止剤含有量が０．１〜０．２ｗｔ％の高密
度ポリエチレンから構成する。内層２１の厚さを外層２
２の厚さの５〜１０倍とすることが好ましく、フェノー
ル系老化防止剤に、その極性基含有率が１０％以下のも
のを使用することが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ギガヘルツバン
ドの高周波帯域の電磁波伝送に好適な高周波同軸ケーブ
ルに関し、その絶縁層の誘電損失を低減し、高周波帯域
での信号減衰量を低減し、かつ絶縁層が良好な熱老化特
性を有するようにしたものである。
ドの高周波帯域の電磁波伝送に好適な高周波同軸ケーブ
ルに関し、その絶縁層の誘電損失を低減し、高周波帯域
での信号減衰量を低減し、かつ絶縁層が良好な熱老化特
性を有するようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波同軸ケーブルには、図２に示すよ
うに、銅撚線、銅単線などからなる内部導体１の上に絶
縁層２が設けられ、この絶縁層２の上に銅線編組などの
外部導体３が設けられ、この外部導体３の上にポリエチ
レン、可塑化ポリ塩化ビニルなどからなるシース４が被
覆されたものがある。上記絶縁層２には、比誘電率、誘
電損失が小さい高密度ポリエチレン、ポリテトラフルオ
ロエチレンなどの無極性樹脂や、比誘電率、誘電損失が
さらに小さい発泡高密度ポリエチレンなどが使用されて
いる。
うに、銅撚線、銅単線などからなる内部導体１の上に絶
縁層２が設けられ、この絶縁層２の上に銅線編組などの
外部導体３が設けられ、この外部導体３の上にポリエチ
レン、可塑化ポリ塩化ビニルなどからなるシース４が被
覆されたものがある。上記絶縁層２には、比誘電率、誘
電損失が小さい高密度ポリエチレン、ポリテトラフルオ
ロエチレンなどの無極性樹脂や、比誘電率、誘電損失が
さらに小さい発泡高密度ポリエチレンなどが使用されて
いる。
【０００３】また、絶縁層２が高密度ポリエチレン、発
泡高密度ポリエチレンからなる場合には、その熱老化特
性維持のために、フェノール系老化防止剤がポリエチレ
ン１００重量部に対して０．１〜０．２重量部添加され
ている。
泡高密度ポリエチレンからなる場合には、その熱老化特
性維持のために、フェノール系老化防止剤がポリエチレ
ン１００重量部に対して０．１〜０．２重量部添加され
ている。
【０００４】ところで、高周波同軸ケーブルの信号減衰
量は、導体減衰量と誘電体漏れ減衰量との和で表され
る。導体減衰量は、下記式（１）で、誘電体漏れ減衰量
は下記式（２）で、それぞれ表される。式（１）から、
導体減衰量は、同軸ケーブルの形状および周波数に依存
し、式（２）から、誘電体漏れ減衰量は、誘電体層の比
誘電率、誘電損失および周波数に比例する。
量は、導体減衰量と誘電体漏れ減衰量との和で表され
る。導体減衰量は、下記式（１）で、誘電体漏れ減衰量
は下記式（２）で、それぞれ表される。式（１）から、
導体減衰量は、同軸ケーブルの形状および周波数に依存
し、式（２）から、誘電体漏れ減衰量は、誘電体層の比
誘電率、誘電損失および周波数に比例する。
【０００５】
【数１】
【０００６】したがって、使用周波数が高くなり、太径
の同軸ケーブルを使用すると、信号減衰量全体に占める
誘電体漏れ減衰量の割合が大きくなることがわかる。そ
して、ギガヘルツバンドの高周波帯域においては、太径
の同軸ケーブルを使用する際に、誘電体層２の誘電損失
を低減することが同軸ケーブルの信号減衰量を低減する
上で重要になってくる。
の同軸ケーブルを使用すると、信号減衰量全体に占める
誘電体漏れ減衰量の割合が大きくなることがわかる。そ
して、ギガヘルツバンドの高周波帯域においては、太径
の同軸ケーブルを使用する際に、誘電体層２の誘電損失
を低減することが同軸ケーブルの信号減衰量を低減する
上で重要になってくる。
【０００７】しかるに、従来の高周波同軸ケーブルで
は、その絶縁層２に上述のようにフェノール系老化防止
剤が含有されており、このフェノール系老化防止剤に
は、水酸基、カルボニル基などの極性基が含まれてお
り、この極性基に起因する誘電損失によって、高周波帯
域での誘電体漏れ減衰量が大きくなり、結果的に信号減
衰量が大きくなる問題があった。
は、その絶縁層２に上述のようにフェノール系老化防止
剤が含有されており、このフェノール系老化防止剤に
は、水酸基、カルボニル基などの極性基が含まれてお
り、この極性基に起因する誘電損失によって、高周波帯
域での誘電体漏れ減衰量が大きくなり、結果的に信号減
衰量が大きくなる問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】よって、本発明におけ
る課題は、高周波同軸ケーブルの絶縁層の誘電損失を低
減し、ギガヘルツバンドの高周波帯域での信号減衰量を
低減することにある。
る課題は、高周波同軸ケーブルの絶縁層の誘電損失を低
減し、ギガヘルツバンドの高周波帯域での信号減衰量を
低減することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項１にかかる発明は、内部導体と絶縁層と外部
導体を有し、絶縁層が内層と外層を有し、内層がフェノ
ール系老化防止剤を０．０１ｗｔ％以下含有するポリエ
チレンからなり、外層がフェノール系老化防止剤を０．
１〜０．２ｗｔ％含有するポリエチレンからなることを
特徴とする高周波同軸ケーブルである。
め、請求項１にかかる発明は、内部導体と絶縁層と外部
導体を有し、絶縁層が内層と外層を有し、内層がフェノ
ール系老化防止剤を０．０１ｗｔ％以下含有するポリエ
チレンからなり、外層がフェノール系老化防止剤を０．
１〜０．２ｗｔ％含有するポリエチレンからなることを
特徴とする高周波同軸ケーブルである。
【００１０】請求項２にかかる発明は、内層と外層との
厚さの比が５〜１０であることを特徴とする請求項１記
載の高周波同軸ケーブルである。請求項３にかかる発明
は、老化防止剤の極性基含有率が１０％以下であること
を特徴とする請求項１記載の高周波同軸ケーブルであ
る。
厚さの比が５〜１０であることを特徴とする請求項１記
載の高周波同軸ケーブルである。請求項３にかかる発明
は、老化防止剤の極性基含有率が１０％以下であること
を特徴とする請求項１記載の高周波同軸ケーブルであ
る。
【００１１】請求項４にかかる発明は、内層と外層との
いずれか一方もしくは両方が発泡ポリエチレンからなる
ことを特徴とする請求項１、２または３記載の高周波同
軸ケーブルである。
いずれか一方もしくは両方が発泡ポリエチレンからなる
ことを特徴とする請求項１、２または３記載の高周波同
軸ケーブルである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、実施形態に基づいて本発明
を詳しく説明する。本発明者は、上述のように、高周波
同軸ケーブルにおける絶縁層の高周波帯域での誘電損失
は、絶縁層中に存在する微量の水酸基、カルボニル基な
どの極性基の存在量に左右されることを知見した。
を詳しく説明する。本発明者は、上述のように、高周波
同軸ケーブルにおける絶縁層の高周波帯域での誘電損失
は、絶縁層中に存在する微量の水酸基、カルボニル基な
どの極性基の存在量に左右されることを知見した。
【００１３】この知見に基づいて、本発明では絶縁層を
内層と外層との複層構造とし、内部導体側の内層にはフ
ェノール系老化防止剤を極力添加しないようにし、外部
導体側の外層には熱老化特性維持のための最低量のフェ
ノール系老化防止剤を添加するようにした。
内層と外層との複層構造とし、内部導体側の内層にはフ
ェノール系老化防止剤を極力添加しないようにし、外部
導体側の外層には熱老化特性維持のための最低量のフェ
ノール系老化防止剤を添加するようにした。
【００１４】図１は、本発明の高周波同軸ケーブルの一
例を示すもので、図２に示した従来のものと同一構成部
分には同一符号を付してその説明を省略する。この例の
高周波同軸ケーブルでは、絶縁層２が内層２１と外層２
２との２層構造となっている。
例を示すもので、図２に示した従来のものと同一構成部
分には同一符号を付してその説明を省略する。この例の
高周波同軸ケーブルでは、絶縁層２が内層２１と外層２
２との２層構造となっている。
【００１５】上記内層２１は、密度が０．９５〜０．９
８ｇ／ｃｍ3の高密度ポリエチレンからなるもので、こ
の高密度ポリエチレンには、フェノール系老化防止剤が
０．０１ｗｔ％以下、好ましくは０．００５ｗｔ％以下
含有されており、場合によってはまったく含有されてい
ないこともある。この含有量が０．１ｗｔ％を越えると
内層２１の誘電損失が増大し、絶縁層２全体としての誘
電損失が増加する。
８ｇ／ｃｍ3の高密度ポリエチレンからなるもので、こ
の高密度ポリエチレンには、フェノール系老化防止剤が
０．０１ｗｔ％以下、好ましくは０．００５ｗｔ％以下
含有されており、場合によってはまったく含有されてい
ないこともある。この含有量が０．１ｗｔ％を越えると
内層２１の誘電損失が増大し、絶縁層２全体としての誘
電損失が増加する。
【００１６】ここでのフェノール系老化防止剤には、市
販の種々のタイプのフェノール系老化防止剤の１種また
は２種以上の混合したものを用いることができるが、な
かでもフェノール系老化防止剤中の極性基含有率が１０
％以下のものを選択して用いることが、誘電損失がさら
に低下して好ましい。ここでの極性基含有率とは、フェ
ノール系老化防止剤中の極性基の分子量と全分子量の百
分比で表される値であり、１０％以下であることが誘電
損失の低減に効果がある。
販の種々のタイプのフェノール系老化防止剤の１種また
は２種以上の混合したものを用いることができるが、な
かでもフェノール系老化防止剤中の極性基含有率が１０
％以下のものを選択して用いることが、誘電損失がさら
に低下して好ましい。ここでの極性基含有率とは、フェ
ノール系老化防止剤中の極性基の分子量と全分子量の百
分比で表される値であり、１０％以下であることが誘電
損失の低減に効果がある。
【００１７】このような極性基含有率Ｐが１０％以下の
フェノール系老化防止剤の具体的なものとしては、以下
のものがその一例として挙げられる。 （１）４，４´−チオビス−（６−ｔ−ブチル−３−メ
チルフェノール）（Ｐ＝９．５％ 「ノクラック３０
０」大内新興、「アンテージＲＣ」川口化学など） （２）１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）
ベンゼン（Ｐ＝６．６％ 「イルガノックス１３３０」
チバ・スペシャリティ・ケミカルズ、「アデカスタブＡ
Ｏ−２０」旭電化など）
フェノール系老化防止剤の具体的なものとしては、以下
のものがその一例として挙げられる。 （１）４，４´−チオビス−（６−ｔ−ブチル−３−メ
チルフェノール）（Ｐ＝９．５％ 「ノクラック３０
０」大内新興、「アンテージＲＣ」川口化学など） （２）１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）
ベンゼン（Ｐ＝６．６％ 「イルガノックス１３３０」
チバ・スペシャリティ・ケミカルズ、「アデカスタブＡ
Ｏ−２０」旭電化など）
【００１８】（３）４，４´−ブチリデンビス−（３−
メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（Ｐ＝８．９％
「ノクラックＮＳ−３０」大内新興 「アデカスタブＡ
Ｏ−４０」旭電化など） （４）ビス［２−メチル−４−｛３−ｎ−アルキル（Ｃ
12またはＣ14）チオプロピオニルオキシ｝５−ｔ−ブチ
ルフェニル］スルフィド（Ｐ＝９．８％ 「アデカスタ
ブＡＯ−２３」旭電化） （５）２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール
（Ｐ＝７．７％ 「ノクラック２００」大内新興 「ア
ンテージＢＨＴ」川口化学など）などがある。
メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（Ｐ＝８．９％
「ノクラックＮＳ−３０」大内新興 「アデカスタブＡ
Ｏ−４０」旭電化など） （４）ビス［２−メチル−４−｛３−ｎ−アルキル（Ｃ
12またはＣ14）チオプロピオニルオキシ｝５−ｔ−ブチ
ルフェニル］スルフィド（Ｐ＝９．８％ 「アデカスタ
ブＡＯ−２３」旭電化） （５）２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール
（Ｐ＝７．７％ 「ノクラック２００」大内新興 「ア
ンテージＢＨＴ」川口化学など）などがある。
【００１９】勿論、フェノール系老化防止剤としては、
上に挙げられたもの限定されることはなく、極性基の含
有率Ｐが１０％以上のものを使用することができ、例え
ばテトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシ−フェニル）プロピオネート］メタン
（Ｐ＝２０．７％）「イルガノックス１０１０」チバ・
スペシャリティ・ケミカルズ、「アデカスタブＡＯ−６
０」旭電化などがあげられる。
上に挙げられたもの限定されることはなく、極性基の含
有率Ｐが１０％以上のものを使用することができ、例え
ばテトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシ−フェニル）プロピオネート］メタン
（Ｐ＝２０．７％）「イルガノックス１０１０」チバ・
スペシャリティ・ケミカルズ、「アデカスタブＡＯ−６
０」旭電化などがあげられる。
【００２０】外層２２は、やはり高密度ポリエチレンか
らなるものであり、この高密度ポリエチレンには、フェ
ノール系老化防止剤が０．１〜０．２ｗｔ％含有されて
いる。この含有量が０．１ｗｔ％未満では熱老化特性の
維持が困難となり、０．２ｗｔ％を越えると、誘電損失
が増加する。外層２２は、ケーブルの外部からの熱の侵
入による絶縁層２の熱劣化を防止する機能が優先される
ため、内層２１に比べて多量のフェノール系老化防止剤
が含有されている。この含有量は、従来の高密度ポリエ
チレンからなる絶縁層に含まれる量と同レベルである。
らなるものであり、この高密度ポリエチレンには、フェ
ノール系老化防止剤が０．１〜０．２ｗｔ％含有されて
いる。この含有量が０．１ｗｔ％未満では熱老化特性の
維持が困難となり、０．２ｗｔ％を越えると、誘電損失
が増加する。外層２２は、ケーブルの外部からの熱の侵
入による絶縁層２の熱劣化を防止する機能が優先される
ため、内層２１に比べて多量のフェノール系老化防止剤
が含有されている。この含有量は、従来の高密度ポリエ
チレンからなる絶縁層に含まれる量と同レベルである。
【００２１】外層２２に用いられるフェノール系老化防
止剤については、内層２１と同様に市販の各種のものが
用いられ、好ましくは先と同様に極性基含有率が１０％
以下のものを選択して用いることがよく、先に列記した
フェノール系老化防止剤が使用できる。
止剤については、内層２１と同様に市販の各種のものが
用いられ、好ましくは先と同様に極性基含有率が１０％
以下のものを選択して用いることがよく、先に列記した
フェノール系老化防止剤が使用できる。
【００２２】また、絶縁層２の内層２１と外層２２との
厚さの比が、内層２１の厚さＤ1／外層２２の厚さＤ2＝
５〜１０、好ましくは７〜８となつている。この厚さの
比が５未満では絶縁層２全体としての誘電損失が大きく
なり、１０を越えると熱老化特性が低下する。すなわ
ち、内層２１は、高周波同軸ケーブルに要求される低い
誘電損失を担う層であり、外層２２は高周波同軸ケーブ
ルに求められる熱老化特性の維持を担う層であるからで
ある。
厚さの比が、内層２１の厚さＤ1／外層２２の厚さＤ2＝
５〜１０、好ましくは７〜８となつている。この厚さの
比が５未満では絶縁層２全体としての誘電損失が大きく
なり、１０を越えると熱老化特性が低下する。すなわ
ち、内層２１は、高周波同軸ケーブルに要求される低い
誘電損失を担う層であり、外層２２は高周波同軸ケーブ
ルに求められる熱老化特性の維持を担う層であるからで
ある。
【００２３】さらに、内層２１または外層２２のいずれ
か一方もしくは両方が発泡率７０〜８０％の発泡高密度
ポリエチレンから構成されていても良い。従来の発泡ポ
リエチレンから構成された絶縁層を有する同軸ケーブル
にあっては、その絶縁層の形成は、高密度ポリエチレン
に予めタルク、炭酸カルシウムなどの無機粉末、アゾジ
カルボンアミドなどの化学発泡剤などの発泡のきっかけ
を与える発泡核剤を添加しておき、この混合物を押出機
により内部導体上に押出被覆する際に、押出機にアルゴ
ン、窒素、フロンなどの発泡用ガスを注入し、発泡核剤
による発泡のきっかけを得て、この発泡用ガスが膨張し
て高密度ポリエチレンが発泡することによって行われ
る。
か一方もしくは両方が発泡率７０〜８０％の発泡高密度
ポリエチレンから構成されていても良い。従来の発泡ポ
リエチレンから構成された絶縁層を有する同軸ケーブル
にあっては、その絶縁層の形成は、高密度ポリエチレン
に予めタルク、炭酸カルシウムなどの無機粉末、アゾジ
カルボンアミドなどの化学発泡剤などの発泡のきっかけ
を与える発泡核剤を添加しておき、この混合物を押出機
により内部導体上に押出被覆する際に、押出機にアルゴ
ン、窒素、フロンなどの発泡用ガスを注入し、発泡核剤
による発泡のきっかけを得て、この発泡用ガスが膨張し
て高密度ポリエチレンが発泡することによって行われ
る。
【００２４】ところが、この時使用される発泡核剤に
は、水酸基、カルボキシ基、スルホニル基などの極性基
が含まれており、これら極性基が発泡ポリエチレンから
なる絶縁層に持ち込まれ、この極性基により絶縁体の誘
電損失が大きくなることになる。このため、本発明にお
いては、発泡高密度ポリエチレンからなる内層２１また
は外層２２を形成する際の発泡核剤として、極性基を有
しない純度９９．５％以上の高純度シリカ粉末（例え
ば、龍森社製高純度溶融石英ガラスフィラー「ＦＵＳＬ
ＥＸ」、高純度結晶性石英フィラー「ＣＲＹＳＴＡＬＩ
ＴＥ」など）を用いることが望ましい。
は、水酸基、カルボキシ基、スルホニル基などの極性基
が含まれており、これら極性基が発泡ポリエチレンから
なる絶縁層に持ち込まれ、この極性基により絶縁体の誘
電損失が大きくなることになる。このため、本発明にお
いては、発泡高密度ポリエチレンからなる内層２１また
は外層２２を形成する際の発泡核剤として、極性基を有
しない純度９９．５％以上の高純度シリカ粉末（例え
ば、龍森社製高純度溶融石英ガラスフィラー「ＦＵＳＬ
ＥＸ」、高純度結晶性石英フィラー「ＣＲＹＳＴＡＬＩ
ＴＥ」など）を用いることが望ましい。
【００２５】また、本発明では、図１に示した例のもの
に限られず、絶縁層２を３層以上とし、内層２１と外層
２２との間に１層以上の高密度ポリエチレンからなる中
間層を設けても良い。この場合の中間層をなす高密度ポ
リエチレンに含まれるフェノール系老化防止剤の含有量
は０．１〜０．２ｗｔ％とされる。
に限られず、絶縁層２を３層以上とし、内層２１と外層
２２との間に１層以上の高密度ポリエチレンからなる中
間層を設けても良い。この場合の中間層をなす高密度ポ
リエチレンに含まれるフェノール系老化防止剤の含有量
は０．１〜０．２ｗｔ％とされる。
【００２６】このような構造の高周波同軸ケーブルにあ
っては、その絶縁層２が内層２１と外層２２とからな
り、外層２２をなす高密度ポリエチレンがフェノール系
老化防止剤を０．１〜０．２ｗｔ％含有しているので、
外部からの熱による絶縁層２の熱劣化が外層２２によっ
て抑えられ、内層２１にまで熱劣化が進行することが防
止される。
っては、その絶縁層２が内層２１と外層２２とからな
り、外層２２をなす高密度ポリエチレンがフェノール系
老化防止剤を０．１〜０．２ｗｔ％含有しているので、
外部からの熱による絶縁層２の熱劣化が外層２２によっ
て抑えられ、内層２１にまで熱劣化が進行することが防
止される。
【００２７】また、内層２１に含まれるフェノール系老
化防止剤は極微量であるので、内層２１のフェノール系
老化防止剤添加による誘電損失の増加が抑えられること
になる。さらに、内層２１および外層２２に添加される
フェノール系老化防止剤として、極性基含有率が１０％
以下のものを使用すれば、絶縁層２全体としての誘電損
失の増大がより一層抑えられる。
化防止剤は極微量であるので、内層２１のフェノール系
老化防止剤添加による誘電損失の増加が抑えられること
になる。さらに、内層２１および外層２２に添加される
フェノール系老化防止剤として、極性基含有率が１０％
以下のものを使用すれば、絶縁層２全体としての誘電損
失の増大がより一層抑えられる。
【００２８】また、内層２１の厚さが外層２２の厚さの
５〜１０倍であるので、誘電損失の小さい内層２１が絶
縁層２全体の大部分を占めることになり、絶縁層２全体
の誘電損失が小さいものとなる。したがって、この高周
波同軸ケーブルは、ギガヘルツバンドの高周波帯域の信
号伝送においても、信号減衰量が小さく、しかも良好な
熱老化特性を具備するものとなる。よって、この高周波
同軸ケーブルは、例えば携帯電話基地局のアンテナ−ト
ランシーバ間の伝送用、無線ラン、モバイル機器などの
用途に好適なものとなる。
５〜１０倍であるので、誘電損失の小さい内層２１が絶
縁層２全体の大部分を占めることになり、絶縁層２全体
の誘電損失が小さいものとなる。したがって、この高周
波同軸ケーブルは、ギガヘルツバンドの高周波帯域の信
号伝送においても、信号減衰量が小さく、しかも良好な
熱老化特性を具備するものとなる。よって、この高周波
同軸ケーブルは、例えば携帯電話基地局のアンテナ−ト
ランシーバ間の伝送用、無線ラン、モバイル機器などの
用途に好適なものとなる。
【００２９】以下、具体例を示す。
（例１）高密度ポリエチレン（密度０．９５ｇ／ｃ
ｍ3、メルトフローレイト５ｇ／分）１００重量部に、
所定量の発泡核剤、フェノール系老化防止剤を添加量を
変化させて添加し、発泡用ガスとして窒素を用いた発泡
押出被覆によって、発泡率７８％の発泡ポリエチレンか
らなる内層と外層を有する２層の絶縁層を有する同軸ケ
ーブルを製造した。この時、内層と外層とのフェノール
系老化防止剤の添加量を変化させ、かつその厚さの比を
変えて二層同時発泡押出被覆を行った。フェノール系老
化防止剤には、１，３，５−トリメチル−２，４，６−
トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベン
ジル）ベンゼン（Ｐ＝６．６％「イルガノックス１３３
０」チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製を用いた。
ｍ3、メルトフローレイト５ｇ／分）１００重量部に、
所定量の発泡核剤、フェノール系老化防止剤を添加量を
変化させて添加し、発泡用ガスとして窒素を用いた発泡
押出被覆によって、発泡率７８％の発泡ポリエチレンか
らなる内層と外層を有する２層の絶縁層を有する同軸ケ
ーブルを製造した。この時、内層と外層とのフェノール
系老化防止剤の添加量を変化させ、かつその厚さの比を
変えて二層同時発泡押出被覆を行った。フェノール系老
化防止剤には、１，３，５−トリメチル−２，４，６−
トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベン
ジル）ベンゼン（Ｐ＝６．６％「イルガノックス１３３
０」チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製を用いた。
【００３０】内部導体には、径４．８ｍｍの銅単線を用
い、絶縁層の全体の外径は１２．５ｍｍとした。また、
外部導体には、銅／ＰＥＴラミネートテープ縦添えの外
部に銅編組線を用いた。この同軸ケーブルについて、５
ＧＨｚでの信号減衰量を測定し、誘電体層の熱老化特性
を測定した。信号減衰量が０．２４ｄＢ／ｍ以上のもの
は、実用性に問題が生じるので、×を付した。
い、絶縁層の全体の外径は１２．５ｍｍとした。また、
外部導体には、銅／ＰＥＴラミネートテープ縦添えの外
部に銅編組線を用いた。この同軸ケーブルについて、５
ＧＨｚでの信号減衰量を測定し、誘電体層の熱老化特性
を測定した。信号減衰量が０．２４ｄＢ／ｍ以上のもの
は、実用性に問題が生じるので、×を付した。
【００３１】熱老化特性は、ＪＩＳ Ｃ３５０１ 高周
波同軸ケーブルに基づき、温度９０℃で９６時間放置後
の引張強度の残率が８０％以上で、伸びの残率が６５％
以上であるものを○とした。また、実用的な熱老化特性
試験として、１３０℃で９６時間加熱（この加熱条件
は、ポリエチレンの熱老化アレニウス特性により７５℃
で２０年に相当する）した後の引張強度の残率が８０％
以上で、伸びの残率が８０％以上であるものを○とし、
そうでないものを×とした。なお、テスト番号１，２の
ものは、１層からなる絶縁層を有するものである。結果
を表１に示す。
波同軸ケーブルに基づき、温度９０℃で９６時間放置後
の引張強度の残率が８０％以上で、伸びの残率が６５％
以上であるものを○とした。また、実用的な熱老化特性
試験として、１３０℃で９６時間加熱（この加熱条件
は、ポリエチレンの熱老化アレニウス特性により７５℃
で２０年に相当する）した後の引張強度の残率が８０％
以上で、伸びの残率が８０％以上であるものを○とし、
そうでないものを×とした。なお、テスト番号１，２の
ものは、１層からなる絶縁層を有するものである。結果
を表１に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高周波同
軸ケーブルにあっては、その絶縁層の大部分を占める内
層には極少量のフェノール系老化防止剤が含まれ、外層
には通常量のフェノール系老化防止剤が含まれるので、
絶縁層全体として誘電損失が小さいものとなり、しかも
良好な熱老化特性を有するものとなり、ギガヘルツバン
ドの高周波帯域における信号減衰量が小さいものとな
る。このため、この高周波同軸ケーブルは、携帯電話基
地局のアンテナ−トランシーバ間の伝送用、無線ラン、
モバイル機器などの用途に好適なものとなる。
軸ケーブルにあっては、その絶縁層の大部分を占める内
層には極少量のフェノール系老化防止剤が含まれ、外層
には通常量のフェノール系老化防止剤が含まれるので、
絶縁層全体として誘電損失が小さいものとなり、しかも
良好な熱老化特性を有するものとなり、ギガヘルツバン
ドの高周波帯域における信号減衰量が小さいものとな
る。このため、この高周波同軸ケーブルは、携帯電話基
地局のアンテナ−トランシーバ間の伝送用、無線ラン、
モバイル機器などの用途に好適なものとなる。
【図１】本発明の高周波同軸ケーブルの例を示す概略斜
視図である。
視図である。
【図２】従来の高周波同軸ケーブルの例を示す概略斜視
図である。
図である。
１・・・内部導体、２・・・絶縁層、２１・・・内層、
２２・・・外層、３・・・外部導体
２２・・・外層、３・・・外部導体
Claims (4)
- 【請求項１】内部導体と絶縁層と外部導体を有し、絶縁
層が内層と外層を有し、内層がフェノール系老化防止剤
を０．０１ｗｔ％以下含有するポリエチレンからなり、
外層がフェノール系老化防止剤を０．１〜０．２ｗｔ％
含有するポリエチレンからなることを特徴とする高周波
同軸ケーブル。 - 【請求項２】内層と外層との厚さの比が５〜１０である
ことを特徴とする請求項１記載の高周波同軸ケーブル。 - 【請求項３】フェノール系老化防止剤は、その極性基含
有率が１０％以下であることを特徴とする請求項１また
は２記載の高周波同軸ケーブル。 - 【請求項４】内層と外層とのいずれか一方もしくは両方
が発泡ポリエチレンからなることを特徴とする請求項
１、２または３記載の高周波同軸ケーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002003678A JP2003208824A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | 高周波同軸ケーブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002003678A JP2003208824A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | 高周波同軸ケーブル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003208824A true JP2003208824A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=27643215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002003678A Withdrawn JP2003208824A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | 高周波同軸ケーブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003208824A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105720344A (zh) * | 2015-06-30 | 2016-06-29 | 深圳金信诺高新技术股份有限公司 | 低损耗半柔同轴射频电缆 |
-
2002
- 2002-01-10 JP JP2002003678A patent/JP2003208824A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105720344A (zh) * | 2015-06-30 | 2016-06-29 | 深圳金信诺高新技术股份有限公司 | 低损耗半柔同轴射频电缆 |
| CN105720344B (zh) * | 2015-06-30 | 2019-03-22 | 深圳金信诺高新技术股份有限公司 | 低损耗半柔同轴射频电缆 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050405 |