JP2003208823A - 高周波同軸ケーブル - Google Patents
高周波同軸ケーブルInfo
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- JP2003208823A JP2003208823A JP2002003676A JP2002003676A JP2003208823A JP 2003208823 A JP2003208823 A JP 2003208823A JP 2002003676 A JP2002003676 A JP 2002003676A JP 2002003676 A JP2002003676 A JP 2002003676A JP 2003208823 A JP2003208823 A JP 2003208823A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波同軸ケーブルの誘電体層の誘電損失を低
減し、ギガヘルツバンドの高周波帯域での信号減衰量を
低減する。 【解決手段】内部導体１と誘電体層２と外部導体３を有
し、誘電体層２が発泡樹脂からな留同軸ケーブルにおい
て、この発泡樹脂内に存在する発泡核剤に純度９９．５
％以上の高純度シリカ粉末を用いる。また、誘電体層２
がポリエチレンからなるものにおいて、このポリエチレ
ン中に含まれるフェノール系酸化防止剤の含有量を０．
０５ｗｔ％以下、好ましくは０．０３ｗｔ％以下とす
る。さらに、このフェノール系酸化防止剤には、その極
性基の含有率が０．１以下であるものが好ましい。
減し、ギガヘルツバンドの高周波帯域での信号減衰量を
低減する。 【解決手段】内部導体１と誘電体層２と外部導体３を有
し、誘電体層２が発泡樹脂からな留同軸ケーブルにおい
て、この発泡樹脂内に存在する発泡核剤に純度９９．５
％以上の高純度シリカ粉末を用いる。また、誘電体層２
がポリエチレンからなるものにおいて、このポリエチレ
ン中に含まれるフェノール系酸化防止剤の含有量を０．
０５ｗｔ％以下、好ましくは０．０３ｗｔ％以下とす
る。さらに、このフェノール系酸化防止剤には、その極
性基の含有率が０．１以下であるものが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ギガヘルツバン
ドの高周波帯域の電磁波伝送に好適な高周波同軸ケーブ
ルに関し、その誘電体層の誘電損失を低減し、高周波帯
域での信号減衰量を低減したものである。
ドの高周波帯域の電磁波伝送に好適な高周波同軸ケーブ
ルに関し、その誘電体層の誘電損失を低減し、高周波帯
域での信号減衰量を低減したものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波同軸ケーブルには、図１に示すよ
うに、銅撚線、銅単線などからなる内部導体１の上に誘
電体層２が設けられ、この誘電体層２の上に銅線編組な
どの外部導体３が設けられ、この外部導体３の上にポリ
エチレン、可塑化ポリ塩化ビニルなどからなるシース４
が被覆されたものがある。上記誘電体層２には、比誘電
率、誘電損失が小さい高密度ポリエチレン、ポリテトラ
フルオロエチレンなどの無極性樹脂や、比誘電率、誘電
損失がさらに小さい発泡ポリエチレンなどが使用されて
いる。
うに、銅撚線、銅単線などからなる内部導体１の上に誘
電体層２が設けられ、この誘電体層２の上に銅線編組な
どの外部導体３が設けられ、この外部導体３の上にポリ
エチレン、可塑化ポリ塩化ビニルなどからなるシース４
が被覆されたものがある。上記誘電体層２には、比誘電
率、誘電損失が小さい高密度ポリエチレン、ポリテトラ
フルオロエチレンなどの無極性樹脂や、比誘電率、誘電
損失がさらに小さい発泡ポリエチレンなどが使用されて
いる。
【０００３】そして、誘電体層２が発泡ポリエチレンか
らなるものでは、誘電体層２の押出被覆の際に、溶融ポ
リエチレン中にアルゴン、窒素、フロンなどの発泡ガス
を高圧で注入し、ポリエチレン中でこれを発泡させて、
発泡率７０〜８０％の発泡ポリエチレンとすることで製
造されている。この時、発泡のきっかけを与えるため、
発泡核剤が予めポリエチレンに添加されている。
らなるものでは、誘電体層２の押出被覆の際に、溶融ポ
リエチレン中にアルゴン、窒素、フロンなどの発泡ガス
を高圧で注入し、ポリエチレン中でこれを発泡させて、
発泡率７０〜８０％の発泡ポリエチレンとすることで製
造されている。この時、発泡のきっかけを与えるため、
発泡核剤が予めポリエチレンに添加されている。
【０００４】この発泡核剤には、従来タルク、炭酸カル
シウムなどの無機粉末や化学発泡剤であるアゾジカルボ
ンアミド（ＡＤＣＡ）、４，４´−オキシビスベンゼン
スルホニルヒドラジド（ＯＢＳＨ）などが用いられ、ポ
リエチレン１００重量部に対して０．１〜３重量部程度
添加されている。
シウムなどの無機粉末や化学発泡剤であるアゾジカルボ
ンアミド（ＡＤＣＡ）、４，４´−オキシビスベンゼン
スルホニルヒドラジド（ＯＢＳＨ）などが用いられ、ポ
リエチレン１００重量部に対して０．１〜３重量部程度
添加されている。
【０００５】また、誘電体層２がポリエチレン、発泡ポ
リエチレンからなる場合には、その熱老化特性維持のた
めに、フェノール系酸化防止剤がポリエチレン１００重
量部に対して０．１〜０．２重量部添加されている。
リエチレンからなる場合には、その熱老化特性維持のた
めに、フェノール系酸化防止剤がポリエチレン１００重
量部に対して０．１〜０．２重量部添加されている。
【０００６】ところで、高周波同軸ケーブルの信号減衰
量は、導体減衰量と誘電体漏れ減衰量との和で表され
る。導体減衰量は、下記式（１）で、誘電体漏れ減衰量
は下記式（２）で、それぞれ表される。式（１）から、
導体減衰量は、同軸ケーブルの形状および周波数に依存
し、式（２）から、誘電体漏れ減衰量は、誘電体層の比
誘電率、誘電損失および周波数に比例する。
量は、導体減衰量と誘電体漏れ減衰量との和で表され
る。導体減衰量は、下記式（１）で、誘電体漏れ減衰量
は下記式（２）で、それぞれ表される。式（１）から、
導体減衰量は、同軸ケーブルの形状および周波数に依存
し、式（２）から、誘電体漏れ減衰量は、誘電体層の比
誘電率、誘電損失および周波数に比例する。
【０００７】
【数１】
【０００８】したがって、使用周波数が高くなり、太径
の同軸ケーブルを使用すると、信号減衰量全体に占める
誘電体漏れ減衰量の割合が大きくなることがわかる。そ
して、ギガヘルツバンドの高周波帯域においては、太径
の同軸ケーブルを使用する際には、誘電体層２の誘電損
失を低減することが同軸ケーブルの信号減衰量を低減す
る上で重要になってくる。
の同軸ケーブルを使用すると、信号減衰量全体に占める
誘電体漏れ減衰量の割合が大きくなることがわかる。そ
して、ギガヘルツバンドの高周波帯域においては、太径
の同軸ケーブルを使用する際には、誘電体層２の誘電損
失を低減することが同軸ケーブルの信号減衰量を低減す
る上で重要になってくる。
【０００９】しかるに、従来の高周波同軸ケーブルで
は、その誘電体層２に上述のように発泡核剤やフェノー
ル系酸化防止剤が存在しており、これら添加剤には、水
酸基、カルボニル基などの極性成分が含まれており、こ
の極性成分に起因する誘電損失によって、高周波帯域で
の誘電体漏れ減衰量が大きくなり、結果的に信号減衰量
が大きくなる問題があった。
は、その誘電体層２に上述のように発泡核剤やフェノー
ル系酸化防止剤が存在しており、これら添加剤には、水
酸基、カルボニル基などの極性成分が含まれており、こ
の極性成分に起因する誘電損失によって、高周波帯域で
の誘電体漏れ減衰量が大きくなり、結果的に信号減衰量
が大きくなる問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】よって、本発明におけ
る課題は、高周波同軸ケーブルの誘電体層の誘電損失を
低減し、ギガヘルツバンドの高周波帯域での信号減衰量
を低減することにある。
る課題は、高周波同軸ケーブルの誘電体層の誘電損失を
低減し、ギガヘルツバンドの高周波帯域での信号減衰量
を低減することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項１にかかる発明は、内部導体と誘電体層と外
部導体を有し、誘電体層が発泡樹脂からなり、この発泡
樹脂内に存在する発泡核剤が高純度シリカ粉末であるこ
とを特徴とする高周波同軸ケーブルである。
め、請求項１にかかる発明は、内部導体と誘電体層と外
部導体を有し、誘電体層が発泡樹脂からなり、この発泡
樹脂内に存在する発泡核剤が高純度シリカ粉末であるこ
とを特徴とする高周波同軸ケーブルである。
【００１２】請求項２にかかる発明は、高純度シリカ粉
末の純度が９９．５％以上であることを特徴とする請求
項１記載の高周波同軸ケーブルである。請求項３にかか
る発明は、発泡樹脂中にはフェノール系酸化防止剤が含
まれ、その含有量が０．０５ｗｔ％以下であることを特
徴とする請求項１記載の高周波同軸ケーブルである。
末の純度が９９．５％以上であることを特徴とする請求
項１記載の高周波同軸ケーブルである。請求項３にかか
る発明は、発泡樹脂中にはフェノール系酸化防止剤が含
まれ、その含有量が０．０５ｗｔ％以下であることを特
徴とする請求項１記載の高周波同軸ケーブルである。
【００１３】請求項４にかかる発明は、内部導体と誘電
体層と外部導体を有し、誘電体層がポリエチレンからな
り、このポリエチレン中にはフェノール系酸化防止剤が
含まれ、その含有量が０．０５ｗｔ％以下であることを
特徴とする高周波同軸ケーブル。
体層と外部導体を有し、誘電体層がポリエチレンからな
り、このポリエチレン中にはフェノール系酸化防止剤が
含まれ、その含有量が０．０５ｗｔ％以下であることを
特徴とする高周波同軸ケーブル。
【００１４】請求項５にかかる発明は、フェノール系酸
化防止剤の極性基の含有率が０．１以下であることを特
徴とする請求項４記載の高周波同軸ケーブルである。請
求項６にかかる発明は、ポリエチレンが発泡ポリエチレ
ンであることを特徴とする請求項４記載の高周波同軸ケ
ーブルである。
化防止剤の極性基の含有率が０．１以下であることを特
徴とする請求項４記載の高周波同軸ケーブルである。請
求項６にかかる発明は、ポリエチレンが発泡ポリエチレ
ンであることを特徴とする請求項４記載の高周波同軸ケ
ーブルである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、実施形態に基づいて本発明
を詳しく説明する。本発明者は、上述のように、高周波
同軸ケーブルにおける誘電体層の高周波帯域での誘電損
失は、誘電体層中に存在する微量の水酸基、カルボニル
基、アミド基、スルホニル基などの極性成分の存在量に
左右されることを知見した。
を詳しく説明する。本発明者は、上述のように、高周波
同軸ケーブルにおける誘電体層の高周波帯域での誘電損
失は、誘電体層中に存在する微量の水酸基、カルボニル
基、アミド基、スルホニル基などの極性成分の存在量に
左右されることを知見した。
【００１６】この知見に基づいて、本発明では誘電体層
中に持ち込まれる極性成分を極力排除するようにした。
すなわち、誘電体層となる樹脂材料中に添加される添加
物質として極性成分が含まれないものを選択する、ある
いは添加物質の添加量を可及的に減量するようにした。
中に持ち込まれる極性成分を極力排除するようにした。
すなわち、誘電体層となる樹脂材料中に添加される添加
物質として極性成分が含まれないものを選択する、ある
いは添加物質の添加量を可及的に減量するようにした。
【００１７】具体的には、（１）発泡核剤として極性成
分をできるだけ随伴しない高純度シリカ粉末を用いるこ
と、（２）誘電体層中のフェノール系酸化防止剤含有量
を０．０５ｗｔ％以下、好ましくは０．０３ｗｔ％以下
とすることである。
分をできるだけ随伴しない高純度シリカ粉末を用いるこ
と、（２）誘電体層中のフェノール系酸化防止剤含有量
を０．０５ｗｔ％以下、好ましくは０．０３ｗｔ％以下
とすることである。
【００１８】まず、発泡ポリエチレンからなる誘電体層
を得る際に、発泡核剤として高純度シリカ粉末を用いる
ものについて説明する。ここで用いられる高純度シリカ
粉末としては、その純度が９９．５％以上、好ましくは
９９，８％以上のものであって、その粒子径が１〜２０
μｍ程度の粉末が用いられる。
を得る際に、発泡核剤として高純度シリカ粉末を用いる
ものについて説明する。ここで用いられる高純度シリカ
粉末としては、その純度が９９．５％以上、好ましくは
９９，８％以上のものであって、その粒子径が１〜２０
μｍ程度の粉末が用いられる。
【００１９】このような高純度シリカ粉末の具体的なも
のとしては、龍森社から販売されている高純度溶融石英
ガラスフィラー「ＦＵＳＬＥＸ」、高純度結晶性石英フ
ィラー「ＣＲＹＳＴＡＬＩＴＥ」などがある。この高純
度シリカ粉末の添加量は、未発泡状態のポリエチレン１
００重量部に対して０．１〜３重量部とされ、０．１重
量部未満では発泡核剤として機能せず、３重量部を超え
てもその効果の増加が認められなくなる。
のとしては、龍森社から販売されている高純度溶融石英
ガラスフィラー「ＦＵＳＬＥＸ」、高純度結晶性石英フ
ィラー「ＣＲＹＳＴＡＬＩＴＥ」などがある。この高純
度シリカ粉末の添加量は、未発泡状態のポリエチレン１
００重量部に対して０．１〜３重量部とされ、０．１重
量部未満では発泡核剤として機能せず、３重量部を超え
てもその効果の増加が認められなくなる。
【００２０】発泡ポリエチレンとなるポリエチレンとし
ては、分子の枝分かれが少なく、結晶性が高く、無極性
が高い高密度ポリエチレンが好適に用いられる。発泡ポ
リエチレンを得るための発泡用ガスとしては、通常のア
ルゴン、窒素、フロンなどのガスが用いられる。
ては、分子の枝分かれが少なく、結晶性が高く、無極性
が高い高密度ポリエチレンが好適に用いられる。発泡ポ
リエチレンを得るための発泡用ガスとしては、通常のア
ルゴン、窒素、フロンなどのガスが用いられる。
【００２１】このような発泡ポリエチレンからなる誘電
体層の形成は、高密度ポリエチレンなどのポリエチレン
に高純度シリカ粉末を添加し、押出機で溶融混練し、押
出機に上記発泡用ガスを高圧で注入して内部導体上に発
泡押出被覆する方法によって行われる。
体層の形成は、高密度ポリエチレンなどのポリエチレン
に高純度シリカ粉末を添加し、押出機で溶融混練し、押
出機に上記発泡用ガスを高圧で注入して内部導体上に発
泡押出被覆する方法によって行われる。
【００２２】次に、誘電体層をなすポリエチレン中に存
在するフェノール系酸化防止剤の含有量を低減するもの
について説明する。上述のように、誘電体層がポリエチ
レンまたは発泡ポリエチレンからなる場合には、その熱
老化特性の維持のために、ポリエチレンまたは発泡ポリ
エチレンにフェノール系酸化防止剤が含有されている。
在するフェノール系酸化防止剤の含有量を低減するもの
について説明する。上述のように、誘電体層がポリエチ
レンまたは発泡ポリエチレンからなる場合には、その熱
老化特性の維持のために、ポリエチレンまたは発泡ポリ
エチレンにフェノール系酸化防止剤が含有されている。
【００２３】このフェノール系酸化防止剤は、いずれも
分子内に水酸基、カルボニル基、アミド基、スルホニル
基などの極性基を多く有しており、結果的に多くの極性
成分が誘電体層中に持ち込まれることになる。このた
め、本発明では、誘電体層をなすポリエチレンまたは発
泡ポリエチレン中のフェノール系酸化防止剤の含有量を
０．０５ｗｔ％以下、好ましくは０．０３ｗｔ％以下と
する。すなわち、ポリエチレンに添加するフェノール系
酸化防止剤をポリエチレン１００重量部に対して０．０
５重量部以下、好ましくは０．０３重量部以下添加す
る。
分子内に水酸基、カルボニル基、アミド基、スルホニル
基などの極性基を多く有しており、結果的に多くの極性
成分が誘電体層中に持ち込まれることになる。このた
め、本発明では、誘電体層をなすポリエチレンまたは発
泡ポリエチレン中のフェノール系酸化防止剤の含有量を
０．０５ｗｔ％以下、好ましくは０．０３ｗｔ％以下と
する。すなわち、ポリエチレンに添加するフェノール系
酸化防止剤をポリエチレン１００重量部に対して０．０
５重量部以下、好ましくは０．０３重量部以下添加す
る。
【００２４】従来、高周波同軸ケーブルの誘電体層をな
すポリエチレンの熱老化特性維持のために添加されるフ
ェノール系酸化防止剤量は、ポリエチレン１００重量部
に対して０．１〜０．２重量部とされていた。しかし、
高周波同軸ケーブルの通常の使用環境であれば、この添
加量は過剰であり、大幅に減量できることが本発明者の
検討により明らかになった。
すポリエチレンの熱老化特性維持のために添加されるフ
ェノール系酸化防止剤量は、ポリエチレン１００重量部
に対して０．１〜０．２重量部とされていた。しかし、
高周波同軸ケーブルの通常の使用環境であれば、この添
加量は過剰であり、大幅に減量できることが本発明者の
検討により明らかになった。
【００２５】本発明者の検討によれば、通常の使用環
境、例えば７５℃以下であれば、その含有量を０．０５
ｗｔ％程度としても、２０年程度の熱老化特性が得られ
ることが判明した。さらに、使用環境が温和であれば、
まったくフェノール系酸化防止剤を添加しなくとも、か
なりの熱老化特性が得られることも明らかになった。
境、例えば７５℃以下であれば、その含有量を０．０５
ｗｔ％程度としても、２０年程度の熱老化特性が得られ
ることが判明した。さらに、使用環境が温和であれば、
まったくフェノール系酸化防止剤を添加しなくとも、か
なりの熱老化特性が得られることも明らかになった。
【００２６】さらに、ここで用いられるフェノール系酸
化防止剤として、分子内の極性基の含有率Ｐ（極性基部
分の分子量／全分子量）が０．１以下のものが誘電損失
がさらに低下して望ましい。この含有率Ｐが０．１以下
のフェノール系酸化防止剤の具体例としては、 （１）４，４´−チオビス−（６−ｔ−ブチル−３−メ
チルフェノール）（Ｐ＝０．０９５ 「ノクラック３０
０」大内新興、「アンテージＲＣ」川口化学など） （２）１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）
ベンゼン（Ｐ＝０．０６６ 「イルガノックス１３３
０」チバ・スペシャリティ・ケミカルズ、「アデカスタ
ブＡＯ−２０」旭電化など）
化防止剤として、分子内の極性基の含有率Ｐ（極性基部
分の分子量／全分子量）が０．１以下のものが誘電損失
がさらに低下して望ましい。この含有率Ｐが０．１以下
のフェノール系酸化防止剤の具体例としては、 （１）４，４´−チオビス−（６−ｔ−ブチル−３−メ
チルフェノール）（Ｐ＝０．０９５ 「ノクラック３０
０」大内新興、「アンテージＲＣ」川口化学など） （２）１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）
ベンゼン（Ｐ＝０．０６６ 「イルガノックス１３３
０」チバ・スペシャリティ・ケミカルズ、「アデカスタ
ブＡＯ−２０」旭電化など）
【００２７】（３）４，４´−ブチリデンビス−（３−
メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（Ｐ＝０．０８９
「ノクラックＮＳ−３０」大内新興 「アデカスタブ
ＡＯ−４０」旭電化など） （４）ビス［２−メチル−４−｛３−ｎ−アルキル（Ｃ
12またはＣ14）チオプロピオニルオキシ｝５−ｔ−ブチ
ルフェニル］スルフィド（Ｐ＝０．０９８ 「アデカス
タブＡＯ−２３」旭電化） （５）２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール
（Ｐ＝０．０７７ 「ノクラック２００」大内新興
「アンテージＢＨＴ」川口化学など）などがある。
メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（Ｐ＝０．０８９
「ノクラックＮＳ−３０」大内新興 「アデカスタブ
ＡＯ−４０」旭電化など） （４）ビス［２−メチル−４−｛３−ｎ−アルキル（Ｃ
12またはＣ14）チオプロピオニルオキシ｝５−ｔ−ブチ
ルフェニル］スルフィド（Ｐ＝０．０９８ 「アデカス
タブＡＯ−２３」旭電化） （５）２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール
（Ｐ＝０．０７７ 「ノクラック２００」大内新興
「アンテージＢＨＴ」川口化学など）などがある。
【００２８】勿論、フェノール系酸化防止剤としては、
先に挙げられたもの限定されることはなく、極性基の含
有率Ｐが０．１以上のものを使用することができ、例え
ばテトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシ−フェニル）プロピオネート］メタン
（Ｐ＝０．２０７）「イルガノックス１０１０」チバ・
スペシャリティ・ケミカルズ、「アデカスタブＡＯ−６
０」旭電化などがあげられる。
先に挙げられたもの限定されることはなく、極性基の含
有率Ｐが０．１以上のものを使用することができ、例え
ばテトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシ−フェニル）プロピオネート］メタン
（Ｐ＝０．２０７）「イルガノックス１０１０」チバ・
スペシャリティ・ケミカルズ、「アデカスタブＡＯ−６
０」旭電化などがあげられる。
【００２９】このような高周波同軸ケーブルにあって
は、発泡核剤に高純度シリカ粉末を用いたものでは、シ
リカ自体が無極性であり、高純度シリカ粉末に随伴され
る極性成分が少ないものとなって、誘電体層に含まれる
極性成分が少なくなり、この極性成分に起因する高周波
帯域での誘電体層の誘電損失が低減する。
は、発泡核剤に高純度シリカ粉末を用いたものでは、シ
リカ自体が無極性であり、高純度シリカ粉末に随伴され
る極性成分が少ないものとなって、誘電体層に含まれる
極性成分が少なくなり、この極性成分に起因する高周波
帯域での誘電体層の誘電損失が低減する。
【００３０】また、誘電体層中のフェノール系酸化防止
剤の含有量を０．０５ｗｔ％以下としたものでも、誘電
体層中に存在する極性成分が少なくなり、やはり高周波
帯域での誘電体層の誘電損失が低減する。このため、こ
の高周波同軸ケーブルでは、ギガヘルツバンドの高周波
帯域においての信号減衰量が極めて低いものとなり、こ
の高周波同軸ケーブルは、例えば携帯電話基地局のアン
テナ−トランシーバ間の伝送用、無線ラン、モバイル機
器などの用途に好適なものとなる。
剤の含有量を０．０５ｗｔ％以下としたものでも、誘電
体層中に存在する極性成分が少なくなり、やはり高周波
帯域での誘電体層の誘電損失が低減する。このため、こ
の高周波同軸ケーブルでは、ギガヘルツバンドの高周波
帯域においての信号減衰量が極めて低いものとなり、こ
の高周波同軸ケーブルは、例えば携帯電話基地局のアン
テナ−トランシーバ間の伝送用、無線ラン、モバイル機
器などの用途に好適なものとなる。
【００３１】以下、具体例を示す。
（例１）高密度ポリエチレン（密度０．９５ｇ／ｃｍ
３、メルトフローレイト５ｇ／分）１００重量部に、種
々の発泡核剤を０．２重量部、種々のフェノール系酸化
防止剤を添加量を変化させて添加し、発泡用ガスとして
窒素を用いた発泡押出被覆によって、発泡率７８％の発
泡ポリエチレンからなる誘電体層を有する同軸ケーブル
を製造した。
３、メルトフローレイト５ｇ／分）１００重量部に、種
々の発泡核剤を０．２重量部、種々のフェノール系酸化
防止剤を添加量を変化させて添加し、発泡用ガスとして
窒素を用いた発泡押出被覆によって、発泡率７８％の発
泡ポリエチレンからなる誘電体層を有する同軸ケーブル
を製造した。
【００３２】内部導体には、径４．８ｍｍの銅単線を用
い、誘電体層の外形は１２．５ｍｍとした。また、外部
導体には、銅／ＰＥＴラミネートテープ縦添えの外部に
銅編組線を用いた。この同軸ケーブルについて、５ＧＨ
ｚでの信号減衰量を測定し、誘電体層の熱老化特性を測
定した。
い、誘電体層の外形は１２．５ｍｍとした。また、外部
導体には、銅／ＰＥＴラミネートテープ縦添えの外部に
銅編組線を用いた。この同軸ケーブルについて、５ＧＨ
ｚでの信号減衰量を測定し、誘電体層の熱老化特性を測
定した。
【００３３】熱老化特性は、ＪＩＳ Ｃ３５０１ 高周
波同軸ケーブルに基づき、温度９０℃で９６時間放置後
の引張強度の残率が８０％以上で、伸びの残率が６５％
以上であるものを○とした。また、実用的な熱老化特性
試験として、１３０℃で９６時間加熱（この加熱条件
は、ポリエチレンの熱老化アレニウス特性により７５℃
で２０年に相当する）した後の引張強度の残率が８０％
以上で、伸びの残率が８０％以上であるものを○とし、
そうでないものを×とした。結果を表１に示す。
波同軸ケーブルに基づき、温度９０℃で９６時間放置後
の引張強度の残率が８０％以上で、伸びの残率が６５％
以上であるものを○とした。また、実用的な熱老化特性
試験として、１３０℃で９６時間加熱（この加熱条件
は、ポリエチレンの熱老化アレニウス特性により７５℃
で２０年に相当する）した後の引張強度の残率が８０％
以上で、伸びの残率が８０％以上であるものを○とし、
そうでないものを×とした。結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１において、「ＡＤＣＡ」は、アゾジカ
ルボンアミドである。「シリカ粉末Ａ」は、純度９９．
２％のものである。「シリカ粉末Ｂ」は、純度９９．８
％以上のもので、龍森社から販売されている高純度溶融
石英ガラスフィラー「ＦＵＳＬＥＸ」である。「シリカ
粉末Ｃ」は、純度９９．８％以上のもので、龍森社から
販売されている高純度結晶性石英フィラー「ＣＲＹＳＴ
ＡＬＩＴＥ」である。
ルボンアミドである。「シリカ粉末Ａ」は、純度９９．
２％のものである。「シリカ粉末Ｂ」は、純度９９．８
％以上のもので、龍森社から販売されている高純度溶融
石英ガラスフィラー「ＦＵＳＬＥＸ」である。「シリカ
粉末Ｃ」は、純度９９．８％以上のもので、龍森社から
販売されている高純度結晶性石英フィラー「ＣＲＹＳＴ
ＡＬＩＴＥ」である。
【００３６】「酸化防止剤Ａ」は、テトラキス［メチレ
ン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−フ
ェニル）プロピオネート］メタン 「イルガノックス１
０１０」チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製であ
る。「酸化防止剤Ｂ」は、４，４´−チオビス−（６−
ｔ−ブチル−３−メチルフェノール） 「ノクラック３
００」大内新興社製である。
ン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−フ
ェニル）プロピオネート］メタン 「イルガノックス１
０１０」チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製であ
る。「酸化防止剤Ｂ」は、４，４´−チオビス−（６−
ｔ−ブチル−３−メチルフェノール） 「ノクラック３
００」大内新興社製である。
【００３７】（例２）例１において、発泡核剤としてア
ゾジカルボンアミドＡＤＣＡを０．２重量部配合し、フ
ェノール系酸化防止剤の種類と添加量を変化させて添加
した以外は、同様にして同軸ケーブルを製造した。この
同軸ケーブルについて、例１と同様にして、５ＧＨｚで
の信号減衰量を測定し、誘電体層の熱老化特性を測定し
た。結果を表２に示す。
ゾジカルボンアミドＡＤＣＡを０．２重量部配合し、フ
ェノール系酸化防止剤の種類と添加量を変化させて添加
した以外は、同様にして同軸ケーブルを製造した。この
同軸ケーブルについて、例１と同様にして、５ＧＨｚで
の信号減衰量を測定し、誘電体層の熱老化特性を測定し
た。結果を表２に示す。
【００３８】
【表２】
【００３９】表２において、「酸化防止剤Ｃ」は、４，
４´−チオビス−（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェノ
ール）（Ｐ＝０．０９５）「ノクラック３００」大内新
興社製である。、「酸化防止剤Ｄ」は、１，３，５−ト
リメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン（Ｐ＝０．０６
６）「イルガノックス１３３０」チバ・スペシャリティ
・ケミカルズ社製である。「酸化防止剤Ｅ」は、テトラ
キス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−フェニル）プロピオネート］メタンＰ＝０．
２０７）「イルガノックス１０１０」チバ・スペシャリ
ティ・ケミカルズ社製である。
４´−チオビス−（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェノ
ール）（Ｐ＝０．０９５）「ノクラック３００」大内新
興社製である。、「酸化防止剤Ｄ」は、１，３，５−ト
リメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン（Ｐ＝０．０６
６）「イルガノックス１３３０」チバ・スペシャリティ
・ケミカルズ社製である。「酸化防止剤Ｅ」は、テトラ
キス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−フェニル）プロピオネート］メタンＰ＝０．
２０７）「イルガノックス１０１０」チバ・スペシャリ
ティ・ケミカルズ社製である。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高周波同
軸ケーブルにあっては、その誘電体層中に存在する極性
成分が少なく、これに起因する誘電損失が低いものとな
り、ギガヘルツバンドの高周波帯域における信号減衰量
が小さいものとなる。このため、この高周波同軸ケーブ
ルは、携帯電話基地局のアンテナ−トランシーバ間の伝
送用、無線ラン、モバイル機器などの用途に好適なもの
となる。
軸ケーブルにあっては、その誘電体層中に存在する極性
成分が少なく、これに起因する誘電損失が低いものとな
り、ギガヘルツバンドの高周波帯域における信号減衰量
が小さいものとなる。このため、この高周波同軸ケーブ
ルは、携帯電話基地局のアンテナ−トランシーバ間の伝
送用、無線ラン、モバイル機器などの用途に好適なもの
となる。
【図１】本発明にかかる同軸ケーブルの例を示す概略斜
視図である。
視図である。
１・・・内部導体、２・・・誘電体層、３・・・外部導
体
体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 新元 孝
東京都江東区木場一丁目５番１号 株式会
社フジクラ内
(72)発明者 江口 正信
千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ
クラ佐倉事業所内
(72)発明者 塩原 悟
東京都江東区木場一丁目５番１号 株式会
社フジクラ内
Ｆターム(参考） 5G319 FA03 FB01 FC15
5J014 BA02
Claims (6)
- 【請求項１】内部導体と誘電体層と外部導体を有し、誘
電体層が発泡樹脂からなり、この発泡樹脂内に存在する
発泡核剤が高純度シリカ粉末であることを特徴とする高
周波同軸ケーブル。 - 【請求項２】高純度シリカ粉末の純度が９９．５％以上
であることを特徴とする請求項１記載の高周波同軸ケー
ブル。 - 【請求項３】発泡樹脂中にはフェノール系酸化防止剤が
含まれ、その含有量が０．０５ｗｔ％以下であることを
特徴とする請求項１記載の高周波同軸ケーブル。 - 【請求項４】内部導体と誘電体層と外部導体を有し、誘
電体層がポリエチレンからなり、このポリエチレン中に
はフェノール系酸化防止剤が含まれ、その含有量が０．
０５ｗｔ％以下であることを特徴とする高周波同軸ケー
ブル。 - 【請求項５】フェノール系酸化防止剤の極性基の含有率
が０．１以下であることを特徴とする請求項４記載の高
周波同軸ケーブル。 - 【請求項６】ポリエチレンが発泡ポリエチレンであるこ
とを特徴とする請求項４記載の高周波同軸ケーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002003676A JP2003208823A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | 高周波同軸ケーブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002003676A JP2003208823A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | 高周波同軸ケーブル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003208823A true JP2003208823A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=27643213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002003676A Withdrawn JP2003208823A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | 高周波同軸ケーブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003208823A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011048974A1 (ja) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | 株式会社フジクラ | 発泡電線及びこれを有する伝送ケーブル |
| JP2011258565A (ja) * | 2007-09-05 | 2011-12-22 | Fujikura Ltd | 高周波数帯域用の電気絶縁材料及びそれを用いた通信ケーブル |
| WO2013108329A1 (ja) * | 2012-01-19 | 2013-07-25 | 昭和電線ケーブルシステム株式会社 | 難燃性電線・ケーブル |
| CN104575718A (zh) * | 2013-10-13 | 2015-04-29 | 宁夏海洋线缆有限公司 | 一种二氧化硅电缆 |
| CN111525253A (zh) * | 2019-02-01 | 2020-08-11 | 信思优有限公司 | 用于毫米波段的低损耗且柔性的弯曲或正交式传输线集成多端口天线 |
| JP2021533212A (ja) * | 2018-06-15 | 2021-12-02 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | トシル基を含有する化学発泡剤 |
-
2002
- 2002-01-10 JP JP2002003676A patent/JP2003208823A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011258565A (ja) * | 2007-09-05 | 2011-12-22 | Fujikura Ltd | 高周波数帯域用の電気絶縁材料及びそれを用いた通信ケーブル |
| WO2011048974A1 (ja) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | 株式会社フジクラ | 発泡電線及びこれを有する伝送ケーブル |
| JPWO2011048974A1 (ja) * | 2009-10-23 | 2013-03-07 | 株式会社フジクラ | 発泡電線及びこれを有する伝送ケーブル |
| WO2013108329A1 (ja) * | 2012-01-19 | 2013-07-25 | 昭和電線ケーブルシステム株式会社 | 難燃性電線・ケーブル |
| JP2013149472A (ja) * | 2012-01-19 | 2013-08-01 | Swcc Showa Cable Systems Co Ltd | 難燃性電線・ケーブル |
| CN104575718A (zh) * | 2013-10-13 | 2015-04-29 | 宁夏海洋线缆有限公司 | 一种二氧化硅电缆 |
| JP2021533212A (ja) * | 2018-06-15 | 2021-12-02 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | トシル基を含有する化学発泡剤 |
| JP7187584B2 (ja) | 2018-06-15 | 2022-12-12 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | トシル基を含有する化学発泡剤 |
| CN111525253A (zh) * | 2019-02-01 | 2020-08-11 | 信思优有限公司 | 用于毫米波段的低损耗且柔性的弯曲或正交式传输线集成多端口天线 |
| CN111525253B (zh) * | 2019-02-01 | 2022-12-27 | 信思优有限责任公司 | 用于毫米波段的低损耗且柔性的弯曲或正交式传输线集成多端口天线 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050405 |