JP2003202554A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JP2003202554A JP2003202554A JP2002002514A JP2002002514A JP2003202554A JP 2003202554 A JP2003202554 A JP 2003202554A JP 2002002514 A JP2002002514 A JP 2002002514A JP 2002002514 A JP2002002514 A JP 2002002514A JP 2003202554 A JP2003202554 A JP 2003202554A
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- electrodes
- electrode
- electric field
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コントラストの低下を防止する。
【解決手段】 第1電極3a,3bに電圧を印加する
と、液晶分子のダイレクタ(長軸)が電場方向Zに揃う
ため、光を透過させる。第2電極4a,4b及び第3電
極5a,5bに電圧を印加すると、液晶分子のダイレク
タは第2電極近傍では電場方向Yに配向され、第3電極
近傍では電場方向Xに配向される。これにより、同一画
素内において2種類のダイレクタ方向が混在することと
なり、散乱効率が高くなる。したがって、透明状態と散
乱状態とのコントラストが高くなり、良好な表示を行う
ことができる。
と、液晶分子のダイレクタ(長軸)が電場方向Zに揃う
ため、光を透過させる。第2電極4a,4b及び第3電
極5a,5bに電圧を印加すると、液晶分子のダイレク
タは第2電極近傍では電場方向Yに配向され、第3電極
近傍では電場方向Xに配向される。これにより、同一画
素内において2種類のダイレクタ方向が混在することと
なり、散乱効率が高くなる。したがって、透明状態と散
乱状態とのコントラストが高くなり、良好な表示を行う
ことができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子分散型液晶
を用いた液晶素子に関する。
を用いた液晶素子に関する。
【0002】
【従来の技術】高分子分散型液晶を用いた液晶素子は、
ほとんどのものが偏光板を有していないが、偏光板を有
しているものもある。以下、この点について説明する。
ほとんどのものが偏光板を有していないが、偏光板を有
しているものもある。以下、この点について説明する。
【0003】従来の液晶パネル(液晶素子)では、光の
偏光方向を揃えるための偏光板を必要とするため、入射
光の半分以上は偏光板を通過する際に吸収されてしま
い、画像輝度が低下するという問題がある。
偏光方向を揃えるための偏光板を必要とするため、入射
光の半分以上は偏光板を通過する際に吸収されてしま
い、画像輝度が低下するという問題がある。
【0004】これに対し、液晶と高分子材料とからなる
高分子分散型液晶(PolymerDispersed
Liquid Crystal)を用いた光散乱型液
晶パネルは、偏光板を不要とするため、画像輝度の低下
が少ないという特徴を有しており、その開発が盛んに行
われている。
高分子分散型液晶(PolymerDispersed
Liquid Crystal)を用いた光散乱型液
晶パネルは、偏光板を不要とするため、画像輝度の低下
が少ないという特徴を有しており、その開発が盛んに行
われている。
【0005】ところで、高分子分散型液晶は、液晶と高
分子材料との分散状態によって、2つのタイプに大別さ
れる。1つは、液晶の小滴が高分子材料に分散し液晶が
不連続であるタイプ(PDLC、Polymer Di
spersed Liquid Crystal)、1
つは、液晶中に高分子材料がネットワークを形成し、液
晶が連続しているタイプ(PNLC Polymer
Network Liquid Crystal)であ
る。
分子材料との分散状態によって、2つのタイプに大別さ
れる。1つは、液晶の小滴が高分子材料に分散し液晶が
不連続であるタイプ(PDLC、Polymer Di
spersed Liquid Crystal)、1
つは、液晶中に高分子材料がネットワークを形成し、液
晶が連続しているタイプ(PNLC Polymer
Network Liquid Crystal)であ
る。
【0006】PDLC、PNLCのいずれも、紫外線硬
化型樹脂と液晶を均一に混合溶解し、紫外線を照射する
ことにより、短時間に、容易に、作製することができ
る。
化型樹脂と液晶を均一に混合溶解し、紫外線を照射する
ことにより、短時間に、容易に、作製することができ
る。
【0007】紫外線硬化型樹脂を使って、PDLCを作
成する方法は特開平2−203319号公報に、PNL
Cを作成する方法は特開平2−207220号公報に、
開示されている。
成する方法は特開平2−203319号公報に、PNL
Cを作成する方法は特開平2−207220号公報に、
開示されている。
【0008】ところで、PDLCタイプの高分子分散型
液晶を用いた液晶パネルとしては、特開平8−6258
6号公報に開示されたものがある。この液晶パネルは、
図4に符号P3で示すように、所定間隙を開けた状態に
配置された一対の基板1a,1bを備えており、これら
の基板1a,1bの間隙には高分子分散型液晶2が配置
されている。そして、一方の基板1aには面状の電極3
aが形成されており、他方の基板1bにはストライプ状
の電極4a,4bが形成されている。
液晶を用いた液晶パネルとしては、特開平8−6258
6号公報に開示されたものがある。この液晶パネルは、
図4に符号P3で示すように、所定間隙を開けた状態に
配置された一対の基板1a,1bを備えており、これら
の基板1a,1bの間隙には高分子分散型液晶2が配置
されている。そして、一方の基板1aには面状の電極3
aが形成されており、他方の基板1bにはストライプ状
の電極4a,4bが形成されている。
【0009】この液晶パネルは、電極4a及び4bが同
電位とされた状態でこれらの電極4a,4bと電極3a
との間に電圧が印加された場合(すなわち、基板に垂直
な方向Zに電場が形成された場合)に不透明状態(散乱
状態)を現出し、電極4a,4b間に電圧が印加された
場合(すなわち、基板に平行な方向Xに電場が形成され
た場合)に透明状態を現出するようになっている。
電位とされた状態でこれらの電極4a,4bと電極3a
との間に電圧が印加された場合(すなわち、基板に垂直
な方向Zに電場が形成された場合)に不透明状態(散乱
状態)を現出し、電極4a,4b間に電圧が印加された
場合(すなわち、基板に平行な方向Xに電場が形成され
た場合)に透明状態を現出するようになっている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した液晶
パネルは、電場印加時の光学状態が電場除去後に消去さ
れる、いわゆるメモリ性のない液晶を使用しているた
め、画像表示中は常に電圧を印加していなければなら
ず、その分、消費電力が増加してしまうという問題があ
った。このため、バッテリにて駆動しなければならない
ような携帯用電子機器(例えば、携帯電話やPDAやペ
ーパーライクディスプレイ)の表示装置としては適して
いなかった。
パネルは、電場印加時の光学状態が電場除去後に消去さ
れる、いわゆるメモリ性のない液晶を使用しているた
め、画像表示中は常に電圧を印加していなければなら
ず、その分、消費電力が増加してしまうという問題があ
った。このため、バッテリにて駆動しなければならない
ような携帯用電子機器(例えば、携帯電話やPDAやペ
ーパーライクディスプレイ)の表示装置としては適して
いなかった。
【0011】また、従来の液晶パネルは偏光板を必要と
していたため、光の利用効率が低下し、画像輝度が不十
分であった。画像輝度を高めるにはバックライトを付加
すれば良いが、消費電力が増加してしまうという問題が
あるので好ましくない。
していたため、光の利用効率が低下し、画像輝度が不十
分であった。画像輝度を高めるにはバックライトを付加
すれば良いが、消費電力が増加してしまうという問題が
あるので好ましくない。
【0012】さらに、光散乱は高分子構造と液晶との界
面で生ずるが、この場合、界面での液晶の配向方向に大
きく依存する。例えば、図4の液晶パネルにおいて液晶
の配向方向がX方向である場合、該X方向では屈折率ミ
スマッチによる散乱を生ずるものの、Y方向では屈折率
ミスマッチをあまり生じず散乱にほとんど寄与しない。
このため、光の散乱効率が悪く、透過状態と散乱状態と
のコントラストが低くなるという問題があった。
面で生ずるが、この場合、界面での液晶の配向方向に大
きく依存する。例えば、図4の液晶パネルにおいて液晶
の配向方向がX方向である場合、該X方向では屈折率ミ
スマッチによる散乱を生ずるものの、Y方向では屈折率
ミスマッチをあまり生じず散乱にほとんど寄与しない。
このため、光の散乱効率が悪く、透過状態と散乱状態と
のコントラストが低くなるという問題があった。
【0013】そこで、本発明は、消費電力の増加やコン
トラストの低下を防止する液晶素子を提供することを目
的とするものである。
トラストの低下を防止する液晶素子を提供することを目
的とするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は上記事情を考慮
してなされたものであり、所定間隙を開けた状態に配置
された複数枚の基板と、これらの基板の間隙に配置され
た高分子分散型液晶と、を備えた液晶素子において、電
圧が印加された場合に前記高分子分散型液晶に電場を形
成する少なくとも一対の第1電極と、電圧が印加された
場合に前記高分子分散型液晶に電場を形成する少なくと
も一対の第2電極と、電圧が印加された場合に前記高分
子分散型液晶に電場を形成する少なくとも一対の第3電
極と、を備え、前記第1電極による電場の方向が、前記
基板の法線方向とほぼ等しく、前記第2電極による電場
の方向が、前記基板にほぼ沿った方向であり、前記第3
電極による電場の方向が、前記基板にほぼ沿った方向で
あって、前記第2電極による電場の方向とは異なる方向
である、ことを特徴とする。
してなされたものであり、所定間隙を開けた状態に配置
された複数枚の基板と、これらの基板の間隙に配置され
た高分子分散型液晶と、を備えた液晶素子において、電
圧が印加された場合に前記高分子分散型液晶に電場を形
成する少なくとも一対の第1電極と、電圧が印加された
場合に前記高分子分散型液晶に電場を形成する少なくと
も一対の第2電極と、電圧が印加された場合に前記高分
子分散型液晶に電場を形成する少なくとも一対の第3電
極と、を備え、前記第1電極による電場の方向が、前記
基板の法線方向とほぼ等しく、前記第2電極による電場
の方向が、前記基板にほぼ沿った方向であり、前記第3
電極による電場の方向が、前記基板にほぼ沿った方向で
あって、前記第2電極による電場の方向とは異なる方向
である、ことを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図1乃至図3を参照して、
本発明の実施の形態について説明する。
本発明の実施の形態について説明する。
【0016】本発明に係る液晶素子は、図1に符号P1
で示すように、所定間隙を開けた状態に配置された複数
枚の基板1a、1bと、これらの基板1a、1bの間隙
に配置された高分子分散型液晶2と、を備えている。
で示すように、所定間隙を開けた状態に配置された複数
枚の基板1a、1bと、これらの基板1a、1bの間隙
に配置された高分子分散型液晶2と、を備えている。
【0017】そして、該液晶素子P1は、3種類の電極
(第1電極3a,3b、第2電極4a,4b、第3電極
5a,5b)をそれぞれ少なくとも一対ずつ備えてい
る。
(第1電極3a,3b、第2電極4a,4b、第3電極
5a,5b)をそれぞれ少なくとも一対ずつ備えてい
る。
【0018】これらの電極3a,3b,4a,4b,5
a,5bは、いずれも、電圧が印加された場合に前記高
分子分散型液晶2に電場を形成するが、第1電極3a,
3bが形成する電場の方向を“第1方向Z”とし、第2
電極4a,4bが形成する電場の方向を“第2方向Y”
とし、第3電極5a,5bが形成する電場の方向を“第
3方向X”とした場合、これらの方向は以下の関係にあ
ることが好ましい。すなわち、・ 前記第1方向Z(第
1電極3a,3bによる電場の方向)は、前記基板1
a,1bの法線方向(正確には、基板の電極形成面の法
線方向)にほぼ等しく、・ 前記第2方向Y(第2電極
4a,4bによる電場の方向)が、前記基板1a又は1
bに沿った方向であり、・ 前記第3方向X(第3電極
5a,5bによる電場の方向)が、前記基板1a又は1
bに沿った方向であって、前記第2方向Yとは異なる方
向である、ようにすると良い。
a,5bは、いずれも、電圧が印加された場合に前記高
分子分散型液晶2に電場を形成するが、第1電極3a,
3bが形成する電場の方向を“第1方向Z”とし、第2
電極4a,4bが形成する電場の方向を“第2方向Y”
とし、第3電極5a,5bが形成する電場の方向を“第
3方向X”とした場合、これらの方向は以下の関係にあ
ることが好ましい。すなわち、・ 前記第1方向Z(第
1電極3a,3bによる電場の方向)は、前記基板1
a,1bの法線方向(正確には、基板の電極形成面の法
線方向)にほぼ等しく、・ 前記第2方向Y(第2電極
4a,4bによる電場の方向)が、前記基板1a又は1
bに沿った方向であり、・ 前記第3方向X(第3電極
5a,5bによる電場の方向)が、前記基板1a又は1
bに沿った方向であって、前記第2方向Yとは異なる方
向である、ようにすると良い。
【0019】なお、上述のように第1方向Zを基板1
a,1bの法線方向にほぼ等しくするには(すなわち、
第1電極3a,3bによって基板1a,1bの法線方向
の電場を形成するには)、第1電極3a,3bは図1に
示すように液晶2を挟み込むように配置すると良い。か
かる場合、第2電極4a,4bは、前記高分子分散型液
晶2に近接すると共に基板1aまたは1bに沿うように
(第2方向Yに所定間隙を開けた状態で対峙するよう
に)配置し、該基板1a,1bに沿った電場を形成する
ようにすると良い。また、前記第3電極5a,5bも同
様で、前記高分子分散型液晶2に近接すると共に基板1
aまたは1bに沿うように(第3方向Xに所定間隙を開
けた状態で対峙するように)配置し、該基板1a,1b
に沿った電場を形成するようにすると良い。
a,1bの法線方向にほぼ等しくするには(すなわち、
第1電極3a,3bによって基板1a,1bの法線方向
の電場を形成するには)、第1電極3a,3bは図1に
示すように液晶2を挟み込むように配置すると良い。か
かる場合、第2電極4a,4bは、前記高分子分散型液
晶2に近接すると共に基板1aまたは1bに沿うように
(第2方向Yに所定間隙を開けた状態で対峙するよう
に)配置し、該基板1a,1bに沿った電場を形成する
ようにすると良い。また、前記第3電極5a,5bも同
様で、前記高分子分散型液晶2に近接すると共に基板1
aまたは1bに沿うように(第3方向Xに所定間隙を開
けた状態で対峙するように)配置し、該基板1a,1b
に沿った電場を形成するようにすると良い。
【0020】なお、第2方向Yと第3方向Xとがほぼ直
交するようにすると良い。
交するようにすると良い。
【0021】この場合、第2電極4a,4bは、図1及
び図2(a) に示すようにストライプ状にすると良く、一
対だけでなく複数対(すなわち、電極4aと電極4bと
が交互になるように)配置すると良い。また、第3電極
5a,5bも同様に、図1及び図2(b) に示すようにス
トライプ状にすると良く、一対だけでなく複数対(すな
わち、電極5aと電極5bとが交互になるように)配置
すると良い。
び図2(a) に示すようにストライプ状にすると良く、一
対だけでなく複数対(すなわち、電極4aと電極4bと
が交互になるように)配置すると良い。また、第3電極
5a,5bも同様に、図1及び図2(b) に示すようにス
トライプ状にすると良く、一対だけでなく複数対(すな
わち、電極5aと電極5bとが交互になるように)配置
すると良い。
【0022】ところで、第1電極3a,3bには、IT
O(インジウム・ティン・オキサイド)等の透明導電材
を用いると良く、第2電極4a,4bや第3電極5a,
5bには、ITO(インジウム・ティン・オキサイド)
等の透明導電材や、Al、Pt、Au、Ti等の金属及
び合金(不透明導電材)を用いれば良い。これらの電極
は、蒸着法やフォトリソ法やメッキ法や印刷法等により
形成すると良い。
O(インジウム・ティン・オキサイド)等の透明導電材
を用いると良く、第2電極4a,4bや第3電極5a,
5bには、ITO(インジウム・ティン・オキサイド)
等の透明導電材や、Al、Pt、Au、Ti等の金属及
び合金(不透明導電材)を用いれば良い。これらの電極
は、蒸着法やフォトリソ法やメッキ法や印刷法等により
形成すると良い。
【0023】なお、第2電極4a,4b及び第3電極5
a,5bは、画素の部分に配置しても、画素以外の部分
(すなわち、画素と画素との境界部分)に配置しても良
い。ここで、第2電極4a,4b及び第3電極5a,5
bは、画素の部分に配置する場合には光の透過を遮らな
いように透明導電材にて形成する必要があるものの、画
素以外の部分に配置する場合(画素部分に配置されてい
たとしてもその面積が極小の場合)には透明導電材のみ
ならず不透明導電材にて形成しても良い。透明導電材・
不透明導電材のいずれを用いるかは、画素内に占める面
積のみならず、電極間距離、パターン形状、要求される
パターン線幅の製造方法等に応じて決定すれば良い。
a,5bは、画素の部分に配置しても、画素以外の部分
(すなわち、画素と画素との境界部分)に配置しても良
い。ここで、第2電極4a,4b及び第3電極5a,5
bは、画素の部分に配置する場合には光の透過を遮らな
いように透明導電材にて形成する必要があるものの、画
素以外の部分に配置する場合(画素部分に配置されてい
たとしてもその面積が極小の場合)には透明導電材のみ
ならず不透明導電材にて形成しても良い。透明導電材・
不透明導電材のいずれを用いるかは、画素内に占める面
積のみならず、電極間距離、パターン形状、要求される
パターン線幅の製造方法等に応じて決定すれば良い。
【0024】また、図2(a) 及び(b) に示すように、第
2電極4aどうし、第2電極4bどうし、第3電極5a
どうし、或いは第3電極5bどうしは、それぞれ同電位
となるように結線しておくと良い(符号A参照)。これ
らの結線部分Aは、透明導電材にて形成しても不透明導
電材にて形成しても良いが、不透明導電材にて形成した
場合には、なるべく画素を通らない位置(画素と画素と
の境界部分)に配置すると良い。
2電極4aどうし、第2電極4bどうし、第3電極5a
どうし、或いは第3電極5bどうしは、それぞれ同電位
となるように結線しておくと良い(符号A参照)。これ
らの結線部分Aは、透明導電材にて形成しても不透明導
電材にて形成しても良いが、不透明導電材にて形成した
場合には、なるべく画素を通らない位置(画素と画素と
の境界部分)に配置すると良い。
【0025】なお、図1に示す液晶素子P1では、基板
の数を2枚(符号1a,1b参照)にすると共に、液晶
層を1層(符号2参照)として、第2電極4a,4bは
一方の基板1aの側に配置し、第3電極5a,5bは他
方の基板1bの側に配置している。しかし、この構成に
限るものではなく、図3に示すように、3枚の基板1
a,1b,1cを所定間隙を開けた状態に配置し、基板
1a,1cの間隙及び基板1b,1cの間隙にそれぞれ
液晶2a,2bを配置し(つまり、2層の液晶層を形成
し)、第2電極4a,4bは一方の液晶2aに近接する
ように基板1aまたは1cに沿うように配置し、第3電
極5a,5bは他方の液晶2bに近接するように基板1
cまたは1bに沿うように配置すると良い。また、第1
電極(基板法線方向の電場を形成するための電極)は、
符号3a,3b,3c,3dに示すように、各液晶2
a,2bを挟み込むように各基板1a,1b,1cに配
置すると良い。なお、図3では、真中の基板1cには2
つの第1電極3c、3dが形成されているが、1つの第
1電極で兼用しても良い。
の数を2枚(符号1a,1b参照)にすると共に、液晶
層を1層(符号2参照)として、第2電極4a,4bは
一方の基板1aの側に配置し、第3電極5a,5bは他
方の基板1bの側に配置している。しかし、この構成に
限るものではなく、図3に示すように、3枚の基板1
a,1b,1cを所定間隙を開けた状態に配置し、基板
1a,1cの間隙及び基板1b,1cの間隙にそれぞれ
液晶2a,2bを配置し(つまり、2層の液晶層を形成
し)、第2電極4a,4bは一方の液晶2aに近接する
ように基板1aまたは1cに沿うように配置し、第3電
極5a,5bは他方の液晶2bに近接するように基板1
cまたは1bに沿うように配置すると良い。また、第1
電極(基板法線方向の電場を形成するための電極)は、
符号3a,3b,3c,3dに示すように、各液晶2
a,2bを挟み込むように各基板1a,1b,1cに配
置すると良い。なお、図3では、真中の基板1cには2
つの第1電極3c、3dが形成されているが、1つの第
1電極で兼用しても良い。
【0026】一方、高分子分散型液晶2は、高分子材料
と、該高分子材料に分散された液晶と、によって構成さ
れており、該液晶がメモリ性を有するように構成されて
いる。なお、本実施の形態における高分子分散型液晶2
は、PNLCタイプ・PDLCタイプのいずれでも良い
が、省電力の点からはPNLCタイプが好ましい。高分
子前駆体に混合する液晶の混合重量比としては、高分子
前駆体に対して液晶を1倍以上用いることが好ましい。
特に好ましくは、2倍〜4倍である。
と、該高分子材料に分散された液晶と、によって構成さ
れており、該液晶がメモリ性を有するように構成されて
いる。なお、本実施の形態における高分子分散型液晶2
は、PNLCタイプ・PDLCタイプのいずれでも良い
が、省電力の点からはPNLCタイプが好ましい。高分
子前駆体に混合する液晶の混合重量比としては、高分子
前駆体に対して液晶を1倍以上用いることが好ましい。
特に好ましくは、2倍〜4倍である。
【0027】液晶としては、正又は負の誘電異方性を有
し、第1電極3a,3b及び第2電極4a,4b及び第
3電極5a,5bに電圧を選択的に印加した場合に透明
状態及び散乱状態が切り替わると共に電圧オフ後もその
状態を維持する性質(すなわち、メモリ性)を有するも
のを用いると良い。第1電極3a,3bに電圧を印加し
た場合に透明状態となり、第2電極4a,4b及び及び
第3電極5a,5bに電圧を印加した場合に不透明状態
となるようにするには、正の誘電異方性を有するネマチ
ック液晶、カイラルネマチック液晶、コレステリック液
晶、スメクチック液晶等を用いれば良く、特にネマチッ
ク液晶やカイラルネマチック液晶が適している。また、
二周波駆動液晶(周波数により誘電異方性の正負が変化
する液晶)を誘電異方性が正の周波数領域で用いても良
い。これとは逆に、第1電極3a、3bに電圧を印加し
た場合に不透明状態となり、第2電極4a,4b及び及
び第3電極5a,5bに電圧を印加した場合に透明状態
となるようにするには、負の誘電異方性を有するネマチ
ック液晶やカイラルネマチック液晶等を用いれば良く、
二周波駆動液晶を誘電異方性が負の周波数領域で用いて
も良い。
し、第1電極3a,3b及び第2電極4a,4b及び第
3電極5a,5bに電圧を選択的に印加した場合に透明
状態及び散乱状態が切り替わると共に電圧オフ後もその
状態を維持する性質(すなわち、メモリ性)を有するも
のを用いると良い。第1電極3a,3bに電圧を印加し
た場合に透明状態となり、第2電極4a,4b及び及び
第3電極5a,5bに電圧を印加した場合に不透明状態
となるようにするには、正の誘電異方性を有するネマチ
ック液晶、カイラルネマチック液晶、コレステリック液
晶、スメクチック液晶等を用いれば良く、特にネマチッ
ク液晶やカイラルネマチック液晶が適している。また、
二周波駆動液晶(周波数により誘電異方性の正負が変化
する液晶)を誘電異方性が正の周波数領域で用いても良
い。これとは逆に、第1電極3a、3bに電圧を印加し
た場合に不透明状態となり、第2電極4a,4b及び及
び第3電極5a,5bに電圧を印加した場合に透明状態
となるようにするには、負の誘電異方性を有するネマチ
ック液晶やカイラルネマチック液晶等を用いれば良く、
二周波駆動液晶を誘電異方性が負の周波数領域で用いて
も良い。
【0028】高分子材料としては、光照射や加熱、電圧
印加等により重合反応を生じる材料であれば、単官能性
モノマー、多官能性モノマーが広く種類を問わず用いる
ことができる。本発明では、単官能性モノマーと多官能
性モノマーとを適宜選択混合し、上述のメモリ性の良好
なものが、好ましく用いられる。
印加等により重合反応を生じる材料であれば、単官能性
モノマー、多官能性モノマーが広く種類を問わず用いる
ことができる。本発明では、単官能性モノマーと多官能
性モノマーとを適宜選択混合し、上述のメモリ性の良好
なものが、好ましく用いられる。
【0029】単官能性モノマーとしては、下記式
(1)、(2)で示されるヒドロキシル(メタ)アクリ
レートが好ましく用いられる。
(1)、(2)で示されるヒドロキシル(メタ)アクリ
レートが好ましく用いられる。
【0030】(1)
【化1】
【0031】(2)
【化2】
【0032】上記式中、Rは少なくとも1個以上の水酸
基を有する炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基を示す。
基を有する炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基を示す。
【0033】中でも、2−ヒドロキシエチルメタアクリ
レート、2−エチルヘキシルメタアクリレート、2−エ
チルヘキシル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエ
チルアクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリ
レート、ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等のヒ
ドロキシアルキル(メタ)アクリレートが好ましく用い
られる。この他にも、フェノキシエチル(メタ)アクリ
レート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート
等もまた好ましく用いられる。
レート、2−エチルヘキシルメタアクリレート、2−エ
チルヘキシル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエ
チルアクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリ
レート、ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等のヒ
ドロキシアルキル(メタ)アクリレートが好ましく用い
られる。この他にも、フェノキシエチル(メタ)アクリ
レート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート
等もまた好ましく用いられる。
【0034】また、多官能性モノマーとしては、官能基
が2であるアルキルジオールジ(メタ)〔下記式
(3)、(4)〕及びアルキルジオールグリシジルエー
テルジ(メタ)アクリレート〔下記式(5)、(6)〕
が好ましく用いられる。
が2であるアルキルジオールジ(メタ)〔下記式
(3)、(4)〕及びアルキルジオールグリシジルエー
テルジ(メタ)アクリレート〔下記式(5)、(6)〕
が好ましく用いられる。
【0035】(3)
【化3】
【0036】(4)
【化4】
【0037】(5)
【化5】
【0038】(6)
【化6】
【0039】上記式中、Rは少なくとも1個以上の水酸
基を有する炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基を示す。
またnは1〜30を示す。
基を有する炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基を示す。
またnは1〜30を示す。
【0040】中でも、アルキルジオールジグリシジルエ
ーテルジ(メタ)アクリレートとして、ヘキサンジオー
ルジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、アル
キルジオールジ(メタ)アクリレートとして1、6−ヘ
キサンジオールジアクリレートが特に好ましい。
ーテルジ(メタ)アクリレートとして、ヘキサンジオー
ルジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、アル
キルジオールジ(メタ)アクリレートとして1、6−ヘ
キサンジオールジアクリレートが特に好ましい。
【0041】上記以外にも、アルキルジオールジ(メ
タ)アクリレートとして、エチレングリコールジグリシ
ジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ブタンジオール
ジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート等、アル
キルジオールジ(メタ)アクリレートとしてエチレング
リコールジ(メタ)アクリレート、ブタンジオールジ
(メタ)アクリレート等が挙げられるが、これらのアル
キル基の炭素数、水酸基の個数及び水酸基の結合位置は
特に限定されない。これら以外にも、ビスフェノールA
エチレンオキサイド(以下、EO)変性ジ(メタ)アク
リレート、イソシアヌル酸EO変性ジ(メタ)アクリレ
ート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、ペンタエリスリトールジアクリレートモノステアレ
ート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステル
ネオペンチルグリコールジアクリレート〔日本化薬社製
「HX220」、「HX620」〕、トリシクロデカン
ジメタノールジアクリレート〔日本化薬社製「R68
4」〕等を挙げることができる。
タ)アクリレートとして、エチレングリコールジグリシ
ジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ブタンジオール
ジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート等、アル
キルジオールジ(メタ)アクリレートとしてエチレング
リコールジ(メタ)アクリレート、ブタンジオールジ
(メタ)アクリレート等が挙げられるが、これらのアル
キル基の炭素数、水酸基の個数及び水酸基の結合位置は
特に限定されない。これら以外にも、ビスフェノールA
エチレンオキサイド(以下、EO)変性ジ(メタ)アク
リレート、イソシアヌル酸EO変性ジ(メタ)アクリレ
ート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、ペンタエリスリトールジアクリレートモノステアレ
ート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステル
ネオペンチルグリコールジアクリレート〔日本化薬社製
「HX220」、「HX620」〕、トリシクロデカン
ジメタノールジアクリレート〔日本化薬社製「R68
4」〕等を挙げることができる。
【0042】ところで、光照射によって重合反応を起こ
す場合には、光重合開始剤を上記高分子前駆体に添加し
て用いれば良い。そのような光重合開始剤としては、例
えば、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
(例:チバ・ガイギー社製「イルガキュア184」)、
ベンジルジメチルケタール(例:同社製「イルガキュア
651」)、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フ
ェニル〕−2−モルホリノプロパノン−1−オン(例:
同社製「イルガキュア907」)、2−ヒドロキシ−2
−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン(例:チバ
・ガイギー社製「ダロキュア1173」)、1−(4−
イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチル
プロパン−1−オン(例:同社製「ダロキュア111
6」)、2、4−ジメチルチオキサントン(例:日本化
薬社製「カヤキュアDETX」)とp−ジメチルアミノ
安息香酸エチル(例:同社製「カヤキュア−EPA」)
との混合物、イソプロピルチオキサントン(例:ワード
ブレキンソップ社製「カンタキュアITX」)とp−ジ
メチルアミノ安息香酸エチルとの混合物、アシルフォス
フィンオキシド(例:BASF社製「ルシリンTP
O」)等を挙げることができる。該光重合開始剤の使用
割合は、高分子前駆体と液晶との混合物の総重量に対し
て0.01〜5重量%の範囲にあることが好ましい。
す場合には、光重合開始剤を上記高分子前駆体に添加し
て用いれば良い。そのような光重合開始剤としては、例
えば、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
(例:チバ・ガイギー社製「イルガキュア184」)、
ベンジルジメチルケタール(例:同社製「イルガキュア
651」)、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フ
ェニル〕−2−モルホリノプロパノン−1−オン(例:
同社製「イルガキュア907」)、2−ヒドロキシ−2
−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン(例:チバ
・ガイギー社製「ダロキュア1173」)、1−(4−
イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチル
プロパン−1−オン(例:同社製「ダロキュア111
6」)、2、4−ジメチルチオキサントン(例:日本化
薬社製「カヤキュアDETX」)とp−ジメチルアミノ
安息香酸エチル(例:同社製「カヤキュア−EPA」)
との混合物、イソプロピルチオキサントン(例:ワード
ブレキンソップ社製「カンタキュアITX」)とp−ジ
メチルアミノ安息香酸エチルとの混合物、アシルフォス
フィンオキシド(例:BASF社製「ルシリンTP
O」)等を挙げることができる。該光重合開始剤の使用
割合は、高分子前駆体と液晶との混合物の総重量に対し
て0.01〜5重量%の範囲にあることが好ましい。
【0043】一方、基板1a,1bには、ガラス、石英
等の硬質材料の他、ポリエチレンテレフタレート(PE
T)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリイミド
(PI)、ポリカーボネート(PC)等の可撓性を有す
る材質を用いることができる。
等の硬質材料の他、ポリエチレンテレフタレート(PE
T)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリイミド
(PI)、ポリカーボネート(PC)等の可撓性を有す
る材質を用いることができる。
【0044】また、本実施の形態に係る液晶素子P1〜
P2は透過型であっても反射型であっても良いが、透過
型にする場合には、基板1a,1bや電極3a,3b等
を全て透明な材料で形成する必要があり、反射型にする
場合には、一方の基板1a(又は1b)や該基板1a
(又は1b)の側に形成する電極を透明な材料で形成
し、他方の基板1b(又は1a)の側には反射機能を付
与すれば良い。反射機能付与の方法としては、 他方の基板1b(又は1a)の側に反射板を設ける
方法や、 いずれかの部品(例えば基板や電極等)に反射板を
兼用させる方法、 を挙げることができる。この場合、反射板よりも手前側
(高分子分散型液晶2の側)に配置される部品(反射板
の配置位置によって異なるものの、電極や基板)は透明
な材料で形成する必要がある。
P2は透過型であっても反射型であっても良いが、透過
型にする場合には、基板1a,1bや電極3a,3b等
を全て透明な材料で形成する必要があり、反射型にする
場合には、一方の基板1a(又は1b)や該基板1a
(又は1b)の側に形成する電極を透明な材料で形成
し、他方の基板1b(又は1a)の側には反射機能を付
与すれば良い。反射機能付与の方法としては、 他方の基板1b(又は1a)の側に反射板を設ける
方法や、 いずれかの部品(例えば基板や電極等)に反射板を
兼用させる方法、 を挙げることができる。この場合、反射板よりも手前側
(高分子分散型液晶2の側)に配置される部品(反射板
の配置位置によって異なるものの、電極や基板)は透明
な材料で形成する必要がある。
【0045】また、上述した電極3a,3b,3c,3
d,4a,4b,5a,5bを覆うように絶縁層6を形
成すると良い。第2電極4a,4bは、上述したよう
に、基板1a,1bに沿った方向Yに電場を形成する
が、これらの電極4a,4bに沿うように(第1電極3
aと第2電極4a,4bとの間に)絶縁層6を配置した
場合には、第1電極3aと電極4a,4bとの間の絶縁
が達成されるのみならず、第2電極4a,4bの電場が
第1電極3a,3bの影響を受けて歪んだりすることを
防止できる。同様に、第3電極5a,5bは、上述した
ように、基板1a,1bに沿った方向Xに電場を形成す
るが、これらの電極5a,5bに沿うように(第1電極
3bと第3電極5a,5bとの間に)絶縁層6を配置し
た場合には、第1電極3bと電極5a,5bとの間の絶
縁が達成されるのみならず、第3電極5a,5bの電場
が第1電極3a,3bの影響を受けて歪んだりすること
を防止できる。これにより、良好に、透明状態・不透明
状態(散乱状態)を書き換えることができる。例えば、
液晶素子P1の片側基板1aの電極4a,4b上に絶縁
層を被膜配置したもの、液晶素子P1の両基板1a,1
bの電極4a,4b,5a,5b上に絶縁層を配置した
もの、液晶素子P2の一方の液晶層に係る電極3cある
いは電極3d上に絶縁層を配置したもの、液晶素子P2
の両方の液晶層に係る電極3c、3d上に絶縁層を配置
したもの、を示している。水平な電場を形成する電極群
(第2電極4a,4bや第3電極5a,5b)に絶縁層
6を対向配置することで、水平な電場を形成する際に、
対向する電極3a,3bによって引き起こされる電場の
歪み(例えば、図1においては、電極5a,5b及び電
極3bに起因する電極4a,4bの電場の歪みや、電極
4a,4b及び電極3aに起因する電極5a,5bの電
場の歪み)を防止することができる。
d,4a,4b,5a,5bを覆うように絶縁層6を形
成すると良い。第2電極4a,4bは、上述したよう
に、基板1a,1bに沿った方向Yに電場を形成する
が、これらの電極4a,4bに沿うように(第1電極3
aと第2電極4a,4bとの間に)絶縁層6を配置した
場合には、第1電極3aと電極4a,4bとの間の絶縁
が達成されるのみならず、第2電極4a,4bの電場が
第1電極3a,3bの影響を受けて歪んだりすることを
防止できる。同様に、第3電極5a,5bは、上述した
ように、基板1a,1bに沿った方向Xに電場を形成す
るが、これらの電極5a,5bに沿うように(第1電極
3bと第3電極5a,5bとの間に)絶縁層6を配置し
た場合には、第1電極3bと電極5a,5bとの間の絶
縁が達成されるのみならず、第3電極5a,5bの電場
が第1電極3a,3bの影響を受けて歪んだりすること
を防止できる。これにより、良好に、透明状態・不透明
状態(散乱状態)を書き換えることができる。例えば、
液晶素子P1の片側基板1aの電極4a,4b上に絶縁
層を被膜配置したもの、液晶素子P1の両基板1a,1
bの電極4a,4b,5a,5b上に絶縁層を配置した
もの、液晶素子P2の一方の液晶層に係る電極3cある
いは電極3d上に絶縁層を配置したもの、液晶素子P2
の両方の液晶層に係る電極3c、3d上に絶縁層を配置
したもの、を示している。水平な電場を形成する電極群
(第2電極4a,4bや第3電極5a,5b)に絶縁層
6を対向配置することで、水平な電場を形成する際に、
対向する電極3a,3bによって引き起こされる電場の
歪み(例えば、図1においては、電極5a,5b及び電
極3bに起因する電極4a,4bの電場の歪みや、電極
4a,4b及び電極3aに起因する電極5a,5bの電
場の歪み)を防止することができる。
【0046】このような絶縁層6は、アクリル系樹脂、
酸化シリコン等の低誘電率材料や、熱硬化樹脂や光硬化
樹脂にて形成するとよい。絶縁層6は、スピン塗布法、
ディップ法、印刷法、スパッタ法、蒸着法等の方法で形
成することができる。絶縁層材料の誘電率や膜厚は、使
用する液晶層を考慮した上で最適となるように決定すれ
ば良い。
酸化シリコン等の低誘電率材料や、熱硬化樹脂や光硬化
樹脂にて形成するとよい。絶縁層6は、スピン塗布法、
ディップ法、印刷法、スパッタ法、蒸着法等の方法で形
成することができる。絶縁層材料の誘電率や膜厚は、使
用する液晶層を考慮した上で最適となるように決定すれ
ば良い。
【0047】ところで、本発明に係る液晶素子には一軸
配向処理を施すと良い。図1に示す構造の液晶素子P1
の場合、基板は所定間隙を開けた状態に2枚配置され、
前記第2電極4a,4bが一方の基板1aの側に配置さ
れ、前記第3電極5a,5bが他方の基板1bの側に配
置されているが、一軸配向処理は、第2電極4a,4b
が形成された面、及び第3電極5a,5bが形成された
面の少なくともいずれか一方に施せば良い。
配向処理を施すと良い。図1に示す構造の液晶素子P1
の場合、基板は所定間隙を開けた状態に2枚配置され、
前記第2電極4a,4bが一方の基板1aの側に配置さ
れ、前記第3電極5a,5bが他方の基板1bの側に配
置されているが、一軸配向処理は、第2電極4a,4b
が形成された面、及び第3電極5a,5bが形成された
面の少なくともいずれか一方に施せば良い。
【0048】なお、第2電極4a,4b及び第3電極5
a,5bをストライプ状に形成する場合、一軸配向処理
方向は電極の長手方向(第2電極4a,4bの場合には
X方向、第3電極5a,5bの場合にはY方向)に一致
させると良い。高分子分散型液晶を形成する過程で、予
め基板に施した一軸配向処理により高分子構造に屈折率
異方性が生じる場合がある。このため、第2電極及び第
3電極に電圧印加して形成された散乱状態での液晶の配
向状態とポリマ構造との屈折率のミスマッチが増大し、
散乱能が向上する。例えば、図1の液晶素子P1の基板
1a上をY方向、あるいは基板1b上をX方向、あるい
は基板1a上をY方向且つ基板1b上をX方向、に一軸
配向処理を行なうと良い。また、図3に示す構造の液晶
素子P2の場合であれば、液晶層2aを挟持する基板面
を一方或いは両方Y方向、あるいは液晶層2bを挟持す
る基板面を一方或いは両方X方向、に一軸配向処理を行
なうと良い。あるいは液晶層2a、2b両方に係る処理
を施すと良い。
a,5bをストライプ状に形成する場合、一軸配向処理
方向は電極の長手方向(第2電極4a,4bの場合には
X方向、第3電極5a,5bの場合にはY方向)に一致
させると良い。高分子分散型液晶を形成する過程で、予
め基板に施した一軸配向処理により高分子構造に屈折率
異方性が生じる場合がある。このため、第2電極及び第
3電極に電圧印加して形成された散乱状態での液晶の配
向状態とポリマ構造との屈折率のミスマッチが増大し、
散乱能が向上する。例えば、図1の液晶素子P1の基板
1a上をY方向、あるいは基板1b上をX方向、あるい
は基板1a上をY方向且つ基板1b上をX方向、に一軸
配向処理を行なうと良い。また、図3に示す構造の液晶
素子P2の場合であれば、液晶層2aを挟持する基板面
を一方或いは両方Y方向、あるいは液晶層2bを挟持す
る基板面を一方或いは両方X方向、に一軸配向処理を行
なうと良い。あるいは液晶層2a、2b両方に係る処理
を施すと良い。
【0049】かかる一軸配向処理は、前述した絶縁層6
上に施すことも好ましい。また、一軸配向処理は、ラビ
ング法、光照射法等で行うことができる。
上に施すことも好ましい。また、一軸配向処理は、ラビ
ング法、光照射法等で行うことができる。
【0050】また、基板間隙にはスペーサ−(不図示)
を配置しても良い。
を配置しても良い。
【0051】次に、液晶素子の製造方法について説明す
る。
る。
【0052】液晶素子の製造に際しては、所定間隙を開
けた状態に複数枚の基板1a,1bを配置し、第1電極
3a,3b、第2電極4a,4b及び第3電極5a,5
bを上述のような位置関係となるように配置する。
けた状態に複数枚の基板1a,1bを配置し、第1電極
3a,3b、第2電極4a,4b及び第3電極5a,5
bを上述のような位置関係となるように配置する。
【0053】さらに、必要に応じて絶縁層6を上述のよ
うに配置する。
うに配置する。
【0054】絶縁層6を配置しない場合は、電極3a、
3bを配置したのち、必要に応じて基板1aかつ/また
は1b上に一軸配向処理を施す。あるいは絶縁層6を配
置する場合は、必要に応じて該絶縁層6上にラビング等
の一軸配向処理を施す。
3bを配置したのち、必要に応じて基板1aかつ/また
は1b上に一軸配向処理を施す。あるいは絶縁層6を配
置する場合は、必要に応じて該絶縁層6上にラビング等
の一軸配向処理を施す。
【0055】そして、基板間隙には高分子分散型液晶2
を配置する。その配置方法としては、 基板1a,1bを貼り合わせた後に、高分子前駆体と
液晶との混合物を基板間隙に毛細管現象を利用して注入
する方法、 貼り合せる前の一方の基板1a(又は1b)上に高分
子分散型液晶2をスピン塗布し、その後、基板1a,1
bを貼り合せる方法、 一方の基板1a(又は1b)上に該混合物を配置した
のち他方の基板1b(又は1a)をラミネート法により
貼り合わせる方法、 等を挙げることができる。
を配置する。その配置方法としては、 基板1a,1bを貼り合わせた後に、高分子前駆体と
液晶との混合物を基板間隙に毛細管現象を利用して注入
する方法、 貼り合せる前の一方の基板1a(又は1b)上に高分
子分散型液晶2をスピン塗布し、その後、基板1a,1
bを貼り合せる方法、 一方の基板1a(又は1b)上に該混合物を配置した
のち他方の基板1b(又は1a)をラミネート法により
貼り合わせる方法、 等を挙げることができる。
【0056】また、図3に示す構造の液晶素子を作製す
る場合には、例えば基板1a、1b、1cを予め前述の
スペーサ−ビーズと接着剤によって貼り合わせたものに
の方法で高分子分散型液晶2を配置する、あるいは基
板1b上にビーズを混合した液晶混合物を配置したのち
基板1cをの方法で張り合わせ、さらに基板1c上に
ビーズを混合した液晶混合物を配置したのち基板1aを
の方法で張り合わせる、といった方法等を挙げること
ができる。
る場合には、例えば基板1a、1b、1cを予め前述の
スペーサ−ビーズと接着剤によって貼り合わせたものに
の方法で高分子分散型液晶2を配置する、あるいは基
板1b上にビーズを混合した液晶混合物を配置したのち
基板1cをの方法で張り合わせ、さらに基板1c上に
ビーズを混合した液晶混合物を配置したのち基板1aを
の方法で張り合わせる、といった方法等を挙げること
ができる。
【0057】ところで、上述した高分子分散型液晶2
は、液晶を分散させた状態の高分子前駆体を重合反応に
よって硬化させて形成するが、重合反応を生じさせる方
法としては、紫外線等の光照射や、加熱や、電圧印加
や、放射線照射等を挙げることができる。
は、液晶を分散させた状態の高分子前駆体を重合反応に
よって硬化させて形成するが、重合反応を生じさせる方
法としては、紫外線等の光照射や、加熱や、電圧印加
や、放射線照射等を挙げることができる。
【0058】次に、上述した液晶素子の駆動方法につい
て説明する。
て説明する。
【0059】いま、液晶の短軸方向の屈折率と高分子の
屈折率がマッチングするように設定されている場合につ
いて考える。
屈折率がマッチングするように設定されている場合につ
いて考える。
【0060】高分子分散型液晶2に、誘電異方性が正の
液晶を用いた場合、第1電極3a,3bに電圧を印加す
ると液晶分子のダイレクタ(長軸)が電場方向Z(基板
の法線方向)に一致するため、高分子と液晶短軸方向と
の屈折率がマッチングして光を透過させる状態となる。
その後、第1電極3a,3bから電圧を除去しても任意
時間その状態を保持するため透明状態が維持される。
液晶を用いた場合、第1電極3a,3bに電圧を印加す
ると液晶分子のダイレクタ(長軸)が電場方向Z(基板
の法線方向)に一致するため、高分子と液晶短軸方向と
の屈折率がマッチングして光を透過させる状態となる。
その後、第1電極3a,3bから電圧を除去しても任意
時間その状態を保持するため透明状態が維持される。
【0061】一方、第2電極4a,4bに電圧を印加す
ると、該電極4a,4bの近傍では液晶ダイレクタが基
板にほぼ沿った方向Yに配向され、第3電極5a,5b
に電圧を印加すると、該電極5a,5bの近傍では液晶
ダイレクタが基板にほぼ沿った方向Xに配向される。光
が入射されると、Y方向の偏光成分に対しては、第2電
極4a,4b近傍において高分子と液晶長軸方向との屈
折率ミスマッチによる散乱を生じる。一方、X方向の偏
光成分は、電極4a,4b近傍においては液晶短軸方向
の屈折率を感じるため、高分子との屈折率ミスマッチに
よる散乱は生じずに透過した後、電極5a,5b近傍に
おいて、高分子と液晶長軸方向との屈折率ミスマッチに
よる散乱を生じる。このように、本発明によれば、入射
光の全偏光成分に対して、透過状態・散乱状態の切り替
えを、高い効率で行うことができ、高コントラストの表
示品位が実現できる。つまり、本発明では、第2電極4
a,4bの形成する電場方向と、第3電極5a,5bの
形成する電場方向は異なるため、同一画素内で第2電極
で形成される液晶分子のダイレクタ方向と第3電極で形
成される液晶分子のダイレクタ方向とが混在し、いずれ
かの電極対一対で形成されるよりも白濁度の増した散乱
状態を形成することができる。
ると、該電極4a,4bの近傍では液晶ダイレクタが基
板にほぼ沿った方向Yに配向され、第3電極5a,5b
に電圧を印加すると、該電極5a,5bの近傍では液晶
ダイレクタが基板にほぼ沿った方向Xに配向される。光
が入射されると、Y方向の偏光成分に対しては、第2電
極4a,4b近傍において高分子と液晶長軸方向との屈
折率ミスマッチによる散乱を生じる。一方、X方向の偏
光成分は、電極4a,4b近傍においては液晶短軸方向
の屈折率を感じるため、高分子との屈折率ミスマッチに
よる散乱は生じずに透過した後、電極5a,5b近傍に
おいて、高分子と液晶長軸方向との屈折率ミスマッチに
よる散乱を生じる。このように、本発明によれば、入射
光の全偏光成分に対して、透過状態・散乱状態の切り替
えを、高い効率で行うことができ、高コントラストの表
示品位が実現できる。つまり、本発明では、第2電極4
a,4bの形成する電場方向と、第3電極5a,5bの
形成する電場方向は異なるため、同一画素内で第2電極
で形成される液晶分子のダイレクタ方向と第3電極で形
成される液晶分子のダイレクタ方向とが混在し、いずれ
かの電極対一対で形成されるよりも白濁度の増した散乱
状態を形成することができる。
【0062】本発明では、第2電極4a,4bと第3電
極5a,5bに同時に、あるいは順次に電圧を印加し、
その後電圧を除去しても任意時間その状態を保持するた
め散乱状態が維持される。
極5a,5bに同時に、あるいは順次に電圧を印加し、
その後電圧を除去しても任意時間その状態を保持するた
め散乱状態が維持される。
【0063】以上のメカニズムから、本発明は、第2電
極4a,4bと第3電極5a,5bとが直交する図1及
び図3に示したような構成の場合に最も効果的である
が、直交していなくても第2電極と第3電極が異なる面
内方向に液晶分子を配向させることができれば、従来、
一方向の偏光成分のみを散乱したのに対して、散乱効率
を向上させることができる。
極4a,4bと第3電極5a,5bとが直交する図1及
び図3に示したような構成の場合に最も効果的である
が、直交していなくても第2電極と第3電極が異なる面
内方向に液晶分子を配向させることができれば、従来、
一方向の偏光成分のみを散乱したのに対して、散乱効率
を向上させることができる。
【0064】ところで、紫外線硬化樹脂を使ったPNL
CやPDLCの場合、一般的に散乱強度を強化するため
には厚みを増すと効果的であるが、反面、駆動電圧が高
くなってしまうという問題がある。本発明の方式(すな
わち、基板に平行な電界を印加する、いわゆるインプレ
ーンタイプで複数の配向方向を形成する方式)にすれ
ば、少なくとも透明書き込みでの駆動電圧を高くするこ
となく高コントラストを実現することができる。
CやPDLCの場合、一般的に散乱強度を強化するため
には厚みを増すと効果的であるが、反面、駆動電圧が高
くなってしまうという問題がある。本発明の方式(すな
わち、基板に平行な電界を印加する、いわゆるインプレ
ーンタイプで複数の配向方向を形成する方式)にすれ
ば、少なくとも透明書き込みでの駆動電圧を高くするこ
となく高コントラストを実現することができる。
【0065】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。
る。
【0066】本実施の形態によれば、第1電極3a、3
b、第2電極4a,4b及び第3電極5a,5bに電圧
を選択的に印加した場合に透明状態及び散乱状態(不透
明状態)が切り替わることを利用して画像を表示するこ
とができる。
b、第2電極4a,4b及び第3電極5a,5bに電圧
を選択的に印加した場合に透明状態及び散乱状態(不透
明状態)が切り替わることを利用して画像を表示するこ
とができる。
【0067】また、本発明の形態によれば、透明状態及
び散乱状態(不透明状態)のいずれの状態でもメモリす
るために、常に電圧印加をしておく必要はなく、その
分、消費電力を低減できる。そのため、任意の表示内容
を携帯することが容易に行なえる。
び散乱状態(不透明状態)のいずれの状態でもメモリす
るために、常に電圧印加をしておく必要はなく、その
分、消費電力を低減できる。そのため、任意の表示内容
を携帯することが容易に行なえる。
【0068】さらに、高分子分散型液晶で横電界を印加
することで視野角の改善を行なう場合(特開平8−62
586号公報)に比べて、偏光板やバックライトを用い
る必要がないため、低消費電力で且つ稼動型で且つ長時
間駆動が行なえる。同時に、光の利用効率、散乱効率の
高い、明るく高コントラストの高品位の表示が行える。
することで視野角の改善を行なう場合(特開平8−62
586号公報)に比べて、偏光板やバックライトを用い
る必要がないため、低消費電力で且つ稼動型で且つ長時
間駆動が行なえる。同時に、光の利用効率、散乱効率の
高い、明るく高コントラストの高品位の表示が行える。
【0069】また、さらに絶縁層6を設けた場合には表
示品位の優れた書き換えが行なえる。
示品位の優れた書き換えが行なえる。
【0070】また、さらに一軸配向処理を施した場合に
は表示品位の優れた書き換えが行なえる。
は表示品位の優れた書き換えが行なえる。
【0071】
【実施例】以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【0072】(実施例1)本実施例では、
・ 単官能モノマーとしての2−ヒドロキシメチルメタ
クリレート(HEMA)と、 ・ 二官能性モノマーとしての日本化薬「KAYARA
D R−167」(1、6−ヘキサンジオールジグリシ
ジルエーテルジアクリレート、以下、R−167と記
す。) とを3:7の重合比で混合して、高分子前駆体(高分子
材料)を作成した。
クリレート(HEMA)と、 ・ 二官能性モノマーとしての日本化薬「KAYARA
D R−167」(1、6−ヘキサンジオールジグリシ
ジルエーテルジアクリレート、以下、R−167と記
す。) とを3:7の重合比で混合して、高分子前駆体(高分子
材料)を作成した。
【0073】次に、ネマチック液晶として正の誘電異方
性を有するメルク社製「BL009」(混合物)を上記
高分子前駆体に重量比7:3の割合で混合した。その混
合・攪拌は、110℃に加熱したホットプレート上で行
った。この混合物(高分子前駆体と液晶との混合物)に
は、混合物100重量部につき1重量部の割合で光重合
開始剤(チバガイギー社製「イルガキュア184」)を
加え、さらに混合・攪拌した。
性を有するメルク社製「BL009」(混合物)を上記
高分子前駆体に重量比7:3の割合で混合した。その混
合・攪拌は、110℃に加熱したホットプレート上で行
った。この混合物(高分子前駆体と液晶との混合物)に
は、混合物100重量部につき1重量部の割合で光重合
開始剤(チバガイギー社製「イルガキュア184」)を
加え、さらに混合・攪拌した。
【0074】本実施例では、図1に示す構造の液晶パネ
ル(液晶素子)P1を作製した。基板1a,1bには、
1mm厚のガラス基板を用い、第1電極3a,3bに
は、1000Å厚のITO電極を用いた。なお、この電
極の形成にはフォトリソ法を用いた。ITO電極3a,
3b(正確には、電極取り出し部分以外のITO電極3
a,3b)を覆うように、1000Å厚のSiO2をス
パッタ法で形成し、その表面には第2電極4a,4bや
第3電極5a,5bを形成した。これらの電極4a,4
bや5a,5bは、フォトリソ法を用いITOにて櫛歯
状に形成した。なお、これらの電極4a,4b、5a,
5bの形成に際しては、レジスト(東京応化社製「OE
BR1000」)をスピン塗布法で0.5μmの厚さに
塗布し、キャノン社製「PLA520」で露光した。櫛
歯電極の幅L3は3μm、櫛歯電極の間隔L2は10μ
mとした。
ル(液晶素子)P1を作製した。基板1a,1bには、
1mm厚のガラス基板を用い、第1電極3a,3bに
は、1000Å厚のITO電極を用いた。なお、この電
極の形成にはフォトリソ法を用いた。ITO電極3a,
3b(正確には、電極取り出し部分以外のITO電極3
a,3b)を覆うように、1000Å厚のSiO2をス
パッタ法で形成し、その表面には第2電極4a,4bや
第3電極5a,5bを形成した。これらの電極4a,4
bや5a,5bは、フォトリソ法を用いITOにて櫛歯
状に形成した。なお、これらの電極4a,4b、5a,
5bの形成に際しては、レジスト(東京応化社製「OE
BR1000」)をスピン塗布法で0.5μmの厚さに
塗布し、キャノン社製「PLA520」で露光した。櫛
歯電極の幅L3は3μm、櫛歯電極の間隔L2は10μ
mとした。
【0075】その後、基板上に粒径7μmのシリカビー
ズ(不図示)と接着粒子(不図示)を散布し、一対の基
板1a,1bを貼りあわせた。基板間隙L1は7μmで
あった。
ズ(不図示)と接着粒子(不図示)を散布し、一対の基
板1a,1bを貼りあわせた。基板間隙L1は7μmで
あった。
【0076】さらに、貼り合わせた基板を温調機上で1
10℃に保持し、上記液晶と高分子前駆体と重合開始剤
の混合物を封入し、紫外線を10mW/cm2の強度で
10分間照射した。引き続き30分間紫外線を照射せず
に静置し、その後室温まで徐冷した。当該工程により、
高分子前駆体が重合し、高分子分散型液晶2が形成され
た。この段階でパネルは可視光による散乱のため白濁し
ている。
10℃に保持し、上記液晶と高分子前駆体と重合開始剤
の混合物を封入し、紫外線を10mW/cm2の強度で
10分間照射した。引き続き30分間紫外線を照射せず
に静置し、その後室温まで徐冷した。当該工程により、
高分子前駆体が重合し、高分子分散型液晶2が形成され
た。この段階でパネルは可視光による散乱のため白濁し
ている。
【0077】このようにして作製した液晶パネルP1に
おいて、電極3a,3bの間に交流電圧(±80V、
2.5kHz)を印加したところ透明状態となり、その
透明状態は交流電圧を切った後も保持された。次に、電
極4a,4b間と電極5a,5b間に同時に交流電圧
(±80V、2.5kHz)を印加したところ不透明状
態(散乱状態)となり、その不透明状態は交流電圧を切
った後も保持された。
おいて、電極3a,3bの間に交流電圧(±80V、
2.5kHz)を印加したところ透明状態となり、その
透明状態は交流電圧を切った後も保持された。次に、電
極4a,4b間と電極5a,5b間に同時に交流電圧
(±80V、2.5kHz)を印加したところ不透明状
態(散乱状態)となり、その不透明状態は交流電圧を切
った後も保持された。
【0078】また、上述のような交流印加による透明状
態と不透明状態は繰り返し書き換えることができた。
態と不透明状態は繰り返し書き換えることができた。
【0079】(実施例2)本実施例では、単官能モノマ
ーとしての2−ヒドロキシメチルメタクリレート(HE
MA)と、ネマチック液晶としての正の誘電異方性を有
するメルク社製「BL001」(混合物)とを、重量比
1:1の割合で混合し、110℃に加熱したホットプレ
ート上でよく攪拌した。この混合物(単官能モノマーと
液晶との混合物)には、混合物100重量部につき1重
量部の割合で光重合開始剤(チバガイギー社製「イルガ
キュア184」)を加え、さらに混合・攪拌した。
ーとしての2−ヒドロキシメチルメタクリレート(HE
MA)と、ネマチック液晶としての正の誘電異方性を有
するメルク社製「BL001」(混合物)とを、重量比
1:1の割合で混合し、110℃に加熱したホットプレ
ート上でよく攪拌した。この混合物(単官能モノマーと
液晶との混合物)には、混合物100重量部につき1重
量部の割合で光重合開始剤(チバガイギー社製「イルガ
キュア184」)を加え、さらに混合・攪拌した。
【0080】本実施例では、図3に示す構造の液晶パネ
ル(液晶素子)P2を作製した。基板1a,1b,1c
には、1mm厚のガラス基板を用い、第1電極3a,3
b,3c,3dには、1000Å厚のITO電極を用い
た。なお、これらの電極の形成にはフォトリソ法を用い
た。ITO電極3a,3b(正確には、電極取り出し部
分以外のITO電極3a,3b)を覆うように、100
0Å厚のSiO2をスパッタ法で形成し、その表面には
第2電極4a,4bや第3電極5a,5bを形成した。
これらの電極4a,4bや5a,5bは、フォトリソ法
を用いITOにて櫛歯状に形成した。なお、これらの電
極4a,4b、5a,5bの形成に際しては、レジスト
(東京応化社製「OEBR1000」)をスピン塗布法
で0.5μmの厚さに塗布し、キャノン社製「PLA5
20」で露光した。櫛歯電極の幅L3は3μm、櫛歯電
極の間隔L2は10μmとした。
ル(液晶素子)P2を作製した。基板1a,1b,1c
には、1mm厚のガラス基板を用い、第1電極3a,3
b,3c,3dには、1000Å厚のITO電極を用い
た。なお、これらの電極の形成にはフォトリソ法を用い
た。ITO電極3a,3b(正確には、電極取り出し部
分以外のITO電極3a,3b)を覆うように、100
0Å厚のSiO2をスパッタ法で形成し、その表面には
第2電極4a,4bや第3電極5a,5bを形成した。
これらの電極4a,4bや5a,5bは、フォトリソ法
を用いITOにて櫛歯状に形成した。なお、これらの電
極4a,4b、5a,5bの形成に際しては、レジスト
(東京応化社製「OEBR1000」)をスピン塗布法
で0.5μmの厚さに塗布し、キャノン社製「PLA5
20」で露光した。櫛歯電極の幅L3は3μm、櫛歯電
極の間隔L2は10μmとした。
【0081】その後、基板上に粒径7μmのシリカビー
ズ(不図示)と接着粒子(不図示)を散布し、基板1
a,1b,1cを貼りあわせた。基板間隙L1は7μm
であった。
ズ(不図示)と接着粒子(不図示)を散布し、基板1
a,1b,1cを貼りあわせた。基板間隙L1は7μm
であった。
【0082】さらに、貼り合わせた基板を温調機上で1
10℃に保持し、上記液晶と高分子前駆体と重合開始剤
の混合物を基板1a、1c間及び基板1c、1b間に毛
細管注入し、紫外線を10mW/cm2の強度で10分
間照射した。引き続き30分間紫外線を照射せずに静置
し、その後室温まで徐冷した。当該工程により、高分子
前駆体が重合し、高分子分散型液晶2が形成された。こ
の段階でパネルは可視光による散乱のため白濁してい
る。
10℃に保持し、上記液晶と高分子前駆体と重合開始剤
の混合物を基板1a、1c間及び基板1c、1b間に毛
細管注入し、紫外線を10mW/cm2の強度で10分
間照射した。引き続き30分間紫外線を照射せずに静置
し、その後室温まで徐冷した。当該工程により、高分子
前駆体が重合し、高分子分散型液晶2が形成された。こ
の段階でパネルは可視光による散乱のため白濁してい
る。
【0083】このようにして作製した液晶パネルP2に
おいて、電極3a,3cの間、電極3d,3bの間に交
流電圧(±80V、2.5kHz)を印加したところ透
明状態となり、その透明状態は交流電圧を切った後も保
持された。次に、電極4a,4b間と電極5a,5b間
に同時に交流電圧(±80V、2.5kHz)を印加し
たところ不透明状態(散乱状態)となり、その不透明状
態は交流電圧を切った後も保持された。
おいて、電極3a,3cの間、電極3d,3bの間に交
流電圧(±80V、2.5kHz)を印加したところ透
明状態となり、その透明状態は交流電圧を切った後も保
持された。次に、電極4a,4b間と電極5a,5b間
に同時に交流電圧(±80V、2.5kHz)を印加し
たところ不透明状態(散乱状態)となり、その不透明状
態は交流電圧を切った後も保持された。
【0084】また、上述のような交流印加による透明状
態と不透明状態は繰り返し書き換えることができた。
態と不透明状態は繰り返し書き換えることができた。
【0085】(実施例3)実施例2の液晶パネルP2に
おいて、電極3a、3c及び電極3d、3bの間に交流
電圧(±80V、2.5kHz)を印加して透明状態に
したのち、電圧を切って透明保持状態とした。その後、
電極4a,4b間に交流電圧(±80V、2.5kH
z)を印加したところ不透明状態となり、その不透明状
態は交流電圧を切った後も保持された。さらに、電極5
a,5b間に交流電圧(±80V、2.5kHz)を印
加したところ、白濁さが増し、さらに不透明状態とな
り、その不透明状態は交流電圧を切った後も保持され
た。
おいて、電極3a、3c及び電極3d、3bの間に交流
電圧(±80V、2.5kHz)を印加して透明状態に
したのち、電圧を切って透明保持状態とした。その後、
電極4a,4b間に交流電圧(±80V、2.5kH
z)を印加したところ不透明状態となり、その不透明状
態は交流電圧を切った後も保持された。さらに、電極5
a,5b間に交流電圧(±80V、2.5kHz)を印
加したところ、白濁さが増し、さらに不透明状態とな
り、その不透明状態は交流電圧を切った後も保持され
た。
【0086】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
第1電極、第2電極及び第3電極に電圧を選択的に印加
した場合に透明状態及び散乱状態(不透明状態)が切り
替わることを利用して画像を表示することができる。
第1電極、第2電極及び第3電極に電圧を選択的に印加
した場合に透明状態及び散乱状態(不透明状態)が切り
替わることを利用して画像を表示することができる。
【0087】また、本発明によれば、透明状態及び散乱
状態(不透明状態)のいずれの状態でもメモリするため
に、常に電圧印加をしておく必要はなく、その分、消費
電力を低減できる。そのため、任意の表示内容を携帯す
ることが容易に行なえる。
状態(不透明状態)のいずれの状態でもメモリするため
に、常に電圧印加をしておく必要はなく、その分、消費
電力を低減できる。そのため、任意の表示内容を携帯す
ることが容易に行なえる。
【0088】さらに、高分子分散型液晶で横電界を印加
することで視野角の改善を行なう場合(特開平8−62
586号公報)に比べて、偏光板やバックライトを用い
る必要がないため、低消費電力で且つ稼動型で且つ長時
間駆動が行なえる。同時に、光の利用効率、散乱効率の
高い、明るく高コントラストの高品位の表示が行える。
することで視野角の改善を行なう場合(特開平8−62
586号公報)に比べて、偏光板やバックライトを用い
る必要がないため、低消費電力で且つ稼動型で且つ長時
間駆動が行なえる。同時に、光の利用効率、散乱効率の
高い、明るく高コントラストの高品位の表示が行える。
【0089】また、さらに絶縁層を設けた場合には表示
品位の優れた書き換えが行なえる。
品位の優れた書き換えが行なえる。
【0090】また、さらに一軸配向処理を施した場合に
は表示品位の優れた書き換えが行なえる。
は表示品位の優れた書き換えが行なえる。
【図1】本発明に係る液晶素子の構造の一例を示す斜視
図。
図。
【図2】(a) は第2電極の形状を示す平面図、(b) は第
3電極の形状を示す平面図。
3電極の形状を示す平面図。
【図3】本発明に係る液晶素子の構造の他の例を示す斜
視図。
視図。
【図4】液晶素子の従来構造の一例を示す斜視図。
1a,1b,1c ガラス基板(基板)
2,2a,2b 高分子分散型液晶
3a,3b,3c,3d 第1電極
4a,4b 第2電極
5a,5b 第3電極
6 絶縁層
P1,P2 液晶パネル(液晶素子)
X 第3方向(第3電極による
電場の方向) Y 第2方向(第2電極による
電場の方向) Z 第1方向(第1電極による
電場の方向)
電場の方向) Y 第2方向(第2電極による
電場の方向) Z 第1方向(第1電極による
電場の方向)
Claims (7)
- 【請求項1】 所定間隙を開けた状態に配置された複数
枚の基板と、これらの基板の間隙に配置された高分子分
散型液晶と、を備えた液晶素子において、 電圧が印加された場合に前記高分子分散型液晶に電場を
形成する少なくとも一対の第1電極と、 電圧が印加された場合に前記高分子分散型液晶に電場を
形成する少なくとも一対の第2電極と、電圧が印加され
た場合に前記高分子分散型液晶に電場を形成する少なく
とも一対の第3電極と、を備え、 前記第1電極による電場の方向が、前記基板の法線方向
とほぼ等しく、 前記第2電極による電場の方向が、前記基板にほぼ沿っ
た方向であり、 前記第3電極による電場の方向が、前記基板にほぼ沿っ
た方向であって、前記第2電極による電場の方向とは異
なる方向である、 ことを特徴とする液晶素子。 - 【請求項2】 前記第2電極は、前記高分子分散型液晶
に近接すると共に前記基板に沿うように配置され、か
つ、 前記第3電極は、前記高分子分散型液晶に近接すると共
に前記基板に沿うように配置された、 ことを特徴とする請求項1に記載の液晶素子。 - 【請求項3】 前記第3電極による電場の方向が、前記
基板にほぼ沿った方向であって、前記第2電極による電
場の方向とほぼ直交する方向である、 ことを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶素子。 - 【請求項4】 前記高分子分散型液晶は、高分子材料
と、該高分子材料に分散された液晶と、によって構成さ
れた、 ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載
の液晶素子。 - 【請求項5】 前記高分子材料に分散された液晶は、メ
モリ性を有する、 ことを特徴とする請求項4に記載の液晶素子。 - 【請求項6】 前記第2電極又は前記第3電極に沿うよ
うに絶縁層が配置された、 ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載
の液晶素子。 - 【請求項7】 前記基板が所定間隙を開けた状態に2枚
配置され、 前記第2電極が一方の基板の側に配置され、 前記第3電極が他方の基板の側に配置され、かつ、 一軸配向処理が、前記第2電極の形成された面、及び前
記第3電極の形成された面の少なくとも一方の面に施さ
れた、 ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載
の液晶素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002002514A JP2003202554A (ja) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002002514A JP2003202554A (ja) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | 液晶素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003202554A true JP2003202554A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27642350
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2002002514A Pending JP2003202554A (ja) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | 液晶素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003202554A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008117569A1 (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶パネルおよび液晶表示装置並びに液晶パネルの表示方法 |
JP2010277016A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Ricoh Co Ltd | 光学フィルタおよび画像撮影装置 |
JPWO2016092844A1 (ja) * | 2014-12-12 | 2017-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 重合体、組成物、光学フィルム、および液晶表示装置 |
-
2002
- 2002-01-09 JP JP2002002514A patent/JP2003202554A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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