JP2003196939A - ディスク記憶装置及び同装置におけるランプロード制御方法 - Google Patents

ディスク記憶装置及び同装置におけるランプロード制御方法

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JP2003196939A JP2001392672A JP2001392672A JP2003196939A JP 2003196939 A JP2003196939 A JP 2003196939A JP 2001392672 A JP2001392672 A JP 2001392672A JP 2001392672 A JP2001392672 A JP 2001392672A JP 2003196939 A JP2003196939 A JP 2003196939A
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Tatsuharu Kusumoto
辰春 楠本
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/54—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks

Abstract

(57)【要約】 【課題】ヘッドがランプ途中で停止することを防止し、
且つオープンループ制御に頼らない安定した速度フィー
ドバック制御を実現する。 【解決手段】ＣＰＵ２５は、ディスク記憶装置の非動作
状態の解除時に、ランプ１６上にパーキングしているヘ
ッド１２をディスク１１上にロードさせるランプロード
制御を、速度フィードバック制御により実行する。ＣＰ
Ｕ２５は、この速度フィードバック制御で用いられる制
御値の初期値として、ＦＲＯＭ２５１に予め保存されて
いる初期値、即ち速度フィードバック制御の第１回目の
サンプル時点までの所定時間の間にヘッド１２をランプ
１６上のパーキング位置から動かすのに必要なＶＣＭ１
５に供給すべき電流の量に対応する値を適用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ランプにパーキン
グされているヘッドをディスク媒体上にロードするのに
好適なディスク記憶装置及び同装置におけるヘッドロー
ド制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ヘッドにより少なくともデータの読み出
しが行われるディスク記憶装置として磁気ディスク装置
が知られている。ヘッドは、当該ヘッドをディスク媒体
の半径方向に移動するアクチュエータにより支持されて
いる。更に具体的に述べるならば、ヘッドはアクチュエ
ータのアームから延出したサスペンションにより支持さ
れている。
【０００３】最近の磁気ディスク装置の多くはランプロ
ード方式を適用している。ランプロード方式を適用する
磁気ディスク装置では、当該装置が非動作（アイドル）
状態に移行する際には、ヘッドをディスクの外周側に設
けられたランプ（ランプ機構）にリトラクト（アンロー
ド）して当該ランプ上に形成された凹部に停止させる制
御が行われる。この凹部は、パーキング位置（領域）と
呼ばれる。なお実際には、ヘッドのアンロードによりラ
ンプのパーキング位置に停止するのは、ヘッドではなく
て、当該ヘッドを支持するサスペンションの先端に形成
されたタブである。しかし、ここでは煩雑さを避けるた
めに、ヘッドがランプのパーキング位置に停止（パーキ
ング）しているものとする。
【０００４】ランプロード方式の磁気ディスク装置に
は、ヘッドのアンロード時に、ヘッドがランプのパーキ
ング位置を超えてランプ外に飛び出すのを防止するため
に、アクチュエータの動作を規制する例えばマグネット
を用いたラッチ（マグネットラッチ）が設けられてい
る。また、この磁気ディスク装置では、当該装置の非動
作状態が解除される際には、ヘッドをランプ上のパーキ
ング位置からディスク媒体上に移動（ロード）する制御
（ランプロード制御）が行われる。ここで、装置の非動
作状態とは、ディスク媒体の回転停止状態の他に、ディ
スク媒体は回転していても一定期間以上ホストからのア
クセス要求がない状態なども含むものとする。なお、一
定期間以上ホストからのアクセス要求がない場合には、
省電力化のために磁気ディスク装置内の一部の回路への
電力供給が停止されるのが一般的である。
【０００５】上記したように、ランプロード方式では、
装置の非動作状態において、ヘッドはディスク媒体から
外れた位置に停止（パーキング）している。このため、
ランプロード方式を適用する磁気ディスク装置では、装
置の非動作状態において外部から装置に振動が加わって
もヘッドがディスク媒体に衝突する恐れはなく、ヘッド
またはディスク媒体が損傷するのを防止できる。また、
ディスク媒体の回転停止状態において、ヘッドがディス
ク媒体に吸着する恐れもない。したがって、ランプロー
ド方式は、ディスクの表面性を良くしてヘッドの浮上量
を下げ記録密度を向上させるのにも有効である。
【０００６】ところが、ランプロード方式では、ヘッド
のロード／アンロード時には、ヘッドがディスク媒体か
ら外れるため、当該ディスク媒体に記録されているサー
ボ情報をヘッドにより読み取ることができない。この場
合、サーボ情報に含まれている位置情報に基づくヘッド
位置の検出ができず、したがってヘッド速度も検出でき
ないため、ヘッドのロード／アンロード時の速度制御が
できない。
【０００７】そこで現在の磁気ディスク装置では、特開
２００１−１５５４５５号公報にも記載されているよう
に、ヘッドをディスク媒体の半径方向に移動可能に支持
するアクチュエータのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）の
逆起電圧からヘッド速度を検出することで、ヘッドのロ
ード／アンロードの速度制御を実現するようにしてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、ラン
プロード方式を適用する、磁気ディスク装置に代表され
るディスク記憶装置では、ボイスコイルモータ（ＶＣ
Ｍ）の逆起電圧からヘッド速度を検出することで、ヘッ
ドのロード／アンロード時の速度制御（速度フィードバ
ック制御）を実現している。
【０００９】通常、ランプ上のパーキング位置に停止し
ているヘッドをディスク媒体上にロードする場合、まず
アクチュエータのボイスコイルモータに一定の電流（Ｖ
ＣＭ電流）を一定時間だけ供給するオープンループ制御
が行われる。このボイスコイルモータへの電流供給は、
アクチュエータをラッチ（マグネットラッチ）のラッチ
力等に抗して駆動することで、ヘッドをランプのパーキ
ング位置から脱出させるために行われる。ボイスコイル
モータに一定時間供給されるＶＣＭ電流の量は、ボイス
コイルモータの速度、つまりヘッド速度が、目標速度の
一定割合（例えば５０％）まで到達する値に予め設定さ
れている。また、上記一定時間は、当該一定時間を経過
してヘッド速度が目標速度の一定割合に到達した際に、
ヘッドがランプ上のパーキング位置から当該ランプ上の
他の所定位置まで移動する時間に設定されている。そし
て、上記一定時間経過後に、オープンループ制御から、
ボイスコイルモータの逆起電圧を利用した速度フィード
バック制御に移行する。
【００１０】速度フィードバック制御の開始時のヘッド
速度は、当該速度フィードバック制御に先行して行われ
る制御がオープンループ制御であるために、一定しな
い。このため従来は、速度フィードバック制御を初期値
（初期制御値）０から開始している。
【００１１】速度フィードバック制御を初期値０から開
始すると、オープンループ制御によりランプのパーキン
グ位置から脱出したヘッドは失速して、ランプの傾斜面
で一旦停止する。したがって、速度フィードバック制御
によるヘッドのロード動作は、当該ヘッドが停止した位
置から再開されることになる。
【００１２】このように、ヘッドロード時に、ヘッドを
ランプの傾斜面で停止させると、ヘッドのロード動作の
再開時には、パーキング位置からのヘッドのロード動作
に比較して、ランプとヘッドとの間の静止摩擦（摺動抵
抗）の影響が大きくなる。そのために従来のディスク記
憶装置では、ヘッドをランプから脱出させるのが困難と
なる。また、従来のディスク記憶装置では、オープンル
ープ制御によりヘッドをランプのパーキング位置から脱
出させているため、当該オープンループ制御から速度フ
ィードバック制御への移行時のヘッド速度、つまり速度
フィードバック制御開始時の初期ヘッド速度にばらつき
が生じ、これにより速度フィードバック制御期間におけ
るヘッド速度にもばらつきが生じる。
【００１３】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
でその目的は、ヘッドがランプ途中で停止することを防
止し、且つオープンループ制御に頼らない安定した速度
フィードバック制御が実現できるディスク記憶装置及び
同装置におけるランプロード制御方法を提供することに
ある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの観点によ
れば、ディスク媒体に記録された情報がヘッドにより読
み出されるディスク記憶装置が提供される。このディス
ク記憶装置は、アクチュエータと、ランプと、逆起電圧
検出手段と、速度フィードバック制御手段と、初期値設
定手段とを備えている。アクチュエータは、上記ヘッド
をディスク媒体の半径方向に移動可能に支持している。
このアクチュエータは、当該アクチュエータの駆動源と
なるボイスコイルモータを含んでいる。ランプはディス
ク媒体の外周側に配置されており、ディスク記憶装置の
非動作状態において上記ヘッドをパーキングしておくの
に用いられる。逆起電圧検出手段は、ボイスコイルモー
タの逆起電圧を検出する。この逆起電圧は、ボイスコイ
ルモータにより駆動されるアクチュエータの速度、即ち
当該アクチュエータに支持されているヘッドの速度に対
応する。速度フィードバック制御手段は、ディスク記憶
装置の非動作状態の解除時に、速度フィードバック制御
により、上記ヘッドをランプからディスク媒体上にロー
ドさせるためのランプロード制御を実行する。このラン
プロード制御では、上記ヘッドをディスク媒体上にロー
ドさせるために、ボイスコイルモータに電流を供給して
アクチュエータを駆動させる。速度フィードバック手段
は、上記逆起電圧検出手段により検出される逆起電圧か
ら求められるヘッドの実際の速度（ヘッド速度）の目標
速度からのずれをもとに、当該ヘッド速度を目標速度に
到達させるための速度フィードバック制御を行う。初期
値設定手段は、この速度フィードバック制御手段に対
し、速度フィードバック制御に用いられる制御値の初期
値（初期制御値）として、当該速度フィードバック制御
の第１回目のサンプル時点までの所定時間の間にヘッド
をランプ上のパーキング位置から移動させるのに必要な
ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）に供給すべき電流（ＶＣ
Ｍ電流）の量に対応する値を与える。
【００１５】このように本発明の１つの観点において
は、ディスク記憶装置の非動作状態の解除時に実行が開
始されるランプロード制御を、その開始時点から速度フ
ィードバック制御により行うと共に、その速度フィード
バック制御の開始時に用いられる当該速度フィードバッ
ク制御の制御値の初期値（初期制御値）として、速度フ
ィードバック制御の第１回目のサンプル時点までの所定
時間の間にヘッドをランプ上のパーキング位置から動か
す（脱出させる）のに必要なＶＣＭ電流値に対応する値
を適用している。
【００１６】したがって、本発明の１つの観点によれ
ば、ヘッドロード制御の開始時から常に速度フィードバ
ック制御が行われ、しかも速度フィードバック制御の第
１回目のサンプル時点では、必ずゼロより大きいヘッド
速度が得られるため、つまりヘッドがランプのパーキン
グ位置から移動（脱出）するため、ヘッド速度制御性能
を向上させ、ヘッド速度のばらつきを低減させることが
可能となる。また、ランプの途中でヘッドが停止するこ
ともない。
【００１７】ここで、速度フィードバック制御の開始時
に用いられる制御値の初期値（初期制御値）は、ディス
ク記憶装置毎に異なる可能性がある。そこで、この初期
値を磁気ディスク装置の製造段階で測定して、当該ディ
スク記憶装置に設けられた記憶手段に保存することで、
当該ディスク記憶装置に最適な初期値を当該ディスク記
憶装置での速度フィードバック制御の開始時に利用する
ことが可能となる。これにより、ディスク記憶装置の違
いによる速度制御のばらつきを低減することができる。
【００１８】また、上記初期値は、ディスク記憶装置の
経時変化により変わる可能性がある。そこで、この初期
値を、ディスク記憶装置が立ち上げられる都度、例えば
当該ディスク記憶装置の初期化処理の中で測定して、記
憶手段に保存することで、当該ディスク記憶装置の現在
の状態に最適な初期値を速度フィードバック制御の開始
時に利用することが可能となる。これにより、ディスク
記憶装置の利用頻度または利用期間の違いによる速度制
御のばらつきを低減することができる。
【００１９】る。
【００２０】また、上記初期値は、ディスク記憶装置の
温度により異なる。そこで、速度フィードバック制御の
開始時にディスク記憶装置の温度を測定し、上記初期値
を測定された温度に応じて補正することで、当該ディス
ク記憶装置の現在の温度環境に最適な初期値を速度フィ
ードバック制御の開始時に利用することが可能となる。
これにより、ディスク記憶装置の温度環境の違いによる
速度制御のばらつきを低減することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を磁気ディスク装置
に適用した実施の形態につき図面を参照して説明する。
【００２２】図１は本発明の一実施形態に係る磁気ディ
スク装置（ＨＤＤ）の構成を示すブロック図である。図
１において、ディスク（磁気ディスク媒体）１１は上側
と下側の２つのディスク面を有している。ディスク１１
の２つのディスク面の少なくとも一方のディスク面、例
えば両方のディスク面は、データが磁気記録される記録
面をなしている。本実施形態では、ディスク１１の各記
録面に対応してそれぞれヘッド（磁気ヘッド）１２が配
置されているものとする。ヘッド１２は、ディスク媒体
１１へのデータ書き込み（データ記録）及びディスク媒
体１１からのデータ読み出し（データ再生）に用いられ
る。なお、図１の構成では、単一枚のディスク１１を備
えたＨＤＤを想定しているが、ディスク１１が複数枚積
層配置されたＨＤＤであっても構わない。
【００２３】ディスク１１の各記録面には、複数のサー
ボ領域１１０がディスク１１の内周から外周に放射状
に、且つディスク１１の円周方向に等間隔で離散的に配
置されている。各サーボ領域１１０には、ヘッド１２の
シーク・位置決め制御に必要な位置情報を含むサーボデ
ータが記録されている。各サーボ領域１１０の間は、ユ
ーザデータ領域となっており、当該データ領域にはデー
タセクタが複数個配置されている。また、ディスク１１
の各記録面には、同心円状の多数のトラック１１１が形
成されている。
【００２４】ディスク１１はスピンドルモータ（以下、
ＳＰＭと称する）１３により高速に回転する。ヘッド１
２はヘッド移動機構としてのアクチュエータ（キャリッ
ジ）１４に取り付けられている。更に具体的に述べるな
らば、ヘッド１２はアクチュエータ１４のアーム１４０
から延出したサスペンション１４１に取り付けられてい
る。ヘッド１２は、アクチュエータ１４の回動に従って
ディスク１１の半径方向に移動する。これにより、ヘッ
ド１２は、目標トラック上にシーク・位置決めされるよ
うになっている。アクチュエータ１４は、当該アクチュ
エータ１４の駆動源となるボイスコイルモータ（以下、
ＶＣＭと称する）１５を有しており、当該ＶＣＭ１５に
より駆動される。
【００２５】ディスク１１の外周側には、ＨＤＤが非動
作状態に移行する際に、ヘッド１２をリトラクトさせて
おくためのランプ１６が配置されている。ここでランプ
１６上には、ヘッド１２ではなくて、当該ヘッド１２を
支持するアクチュエータ１４の先端部に形成されたタブ
１４４（図２参照）が位置するが、煩雑な表現を避ける
ため、ヘッド１２がランプ１６にリトラクト（アンロー
ド、パーキング）されると表現する。ＨＤＤの非動作状
態とは、従来技術の欄で述べたように、ディスク１１の
回転が停止している状態の他に、ディスク１１は回転し
ていても一定期間以上ホストからのアクセス要求がない
状態なども含むものとする。
【００２６】ランプ１６は、図２に示すように、ディス
ク１１の外周に近接する位置で、且つアクチュエータ１
４のアーム１４０から延出したサスペンション１４１の
先端部に形成されたタブ１４４の移動経路上の所定位置
に設けられている。ランプ１６には、タブ１４４が停止
するパーキング位置１６１が設けられている。このパー
キング位置１６１は凹部の底面をなしており、この凹部
によりヘッド１２がランプ１６に保持されるようになっ
ている。またランプ１６のディスク１１側端部には、ヘ
ッド１２のアンロード時に、当該ヘッド１２をディスク
１１上から当該ランプ１６に滑らかに移動可能とする第
１の傾斜面１６２が形成されている。また、ランプ１６
には、ヘッド１２のロード時に、当該ヘッド１２をパー
キング位置１６１からディスク１１側に滑らかに移動可
能とする第２の傾斜面１６３が形成されている。
【００２７】再び図１を参照すると、アクチュエータ１
４のほぼ中央部の内孔には、下端がＨＤＤの筐体の基台
に固定された枢軸１４２が嵌合され、アクチュエータ１
４は、枢軸１４２の回りで回動自在に支持されている。
アクチュエータ１４の支持フレーム１４３はＶ字形状を
しており、サスペンション１４１とは反対の方向へ延出
している。支持フレーム１４３には、ＶＣＭ１５の一部
を構成するコイル（ＶＣＭコイル）が固定されている。
【００２８】図１のＨＤＤでは、ヘッド１２をランプ１
６のパーキング位置１６１にリトラクトした際に、当該
ヘッド１２がパーキング位置１６１を超えてランプ１６
外に飛び出さないようにアクチュエータ１４の動作を規
制するラッチ機構、例えばマグネットラッチ１７ａが設
けられている。このラッチ１７ａは、ヘッド１２がパー
キング位置１６１を超えてランプ１６外に飛び出そうと
した際に、アクチュエータ１４のＶ字形状支持フレーム
１４３のうち、ディスク１１に近い側の先端部が当該ラ
ッチ１７ａにその磁力によりラッチされる位置に配置さ
れている。また図１のＨＤＤでは、ヘッド１２がディス
ク１１の内周から飛び出してＳＰＭ１３に衝突するのを
防止するために、つまりヘッド１２がディスク１１の内
周から飛び出さないようにアクチュエータ１４の動作を
規制するラッチ機構、例えばマグネットラッチ１７ｂも
設けられている。このラッチ１７ｂは、ヘッド１２がデ
ィスク１１の内周を超えてＳＰＭ１３側に飛び出そうと
した際に、アクチュエータ１４のＶ字形状支持フレーム
１４３のうち、ディスク１１から遠い側の先端部が当該
ラッチ１７ｂにその磁力によりラッチされる位置に配置
されている。なお、ラッチ１７ａ，１７ｂはマグネット
ラッチ、つまり磁力を用いたラッチ機構である必要はな
く、機械的なラッチ機構であっても構わない。また、支
持フレーム１４３の形状がＶ字形状である必要はない。
【００２９】ＳＰＭ１３及びＶＣＭ１５は、ドライバＩ
Ｃ１８からそれぞれ供給される駆動電流（ＳＰＭ電流及
びＶＣＭ電流）により駆動される。ドライバＩＣ１８
は、ＳＰＭドライバ１８１と、ＶＣＭドライバ１８２
と、逆起電圧検出器１８３とを含んでいる。ＳＰＭドラ
イバ１８１は、ＣＰＵ２５から指定された量のＳＰＭ電
流をＳＰＭ１３に対して供給する。ＶＣＭドライバ１８
２はＣＰＵ２５から指定された量のＶＣＭ電流をＶＣＭ
１５に対して供給する。逆起電圧検出器１８３はＶＣＭ
１５の逆起電圧を検出する。
【００３０】ヘッド１２はヘッドＩＣ（ヘッドアンプ回
路）２０と接続されている。ヘッドＩＣ２０はヘッド１
２により読み出されたリード信号を増幅するリードアン
プ、及びライトデータをライト電流に変換するライトア
ンプを有する。
【００３１】ヘッドＩＣ２０は、Ｒ／Ｗチャネル（リー
ド／ライトＩＣ）２１と接続されている。Ｒ／Ｗチャネ
ル２１は、ヘッドＩＣ２０により増幅されたリード信号
に対するＡ／Ｄ（アナログ／ディジタル）変換処理、ラ
イトデータの符号化処理及びリードデータの復号化処
理、Ａ／Ｄ変換処理で２値化されたリード信号からゲー
トアレイ２２により生成されるタイミング信号（ゲート
信号）に従ってサーボデータを抽出するサーボデータ検
出処理等の各種の信号処理を実行する。
【００３２】Ｒ／Ｗチャネル２１はゲートアレイ２２及
びＨＤＣ（ディスクコントローラ）２３と接続されてい
る。ゲートアレイ２２は、Ｒ／Ｗチャネル２１により検
出されたサーボデータから位置情報を抽出して、ＣＰＵ
２５から読み込み可能なように保持する。またゲートア
レイ２２は、ＨＤＤにおけるデータの読み出し／書き込
み、Ｒ／Ｗチャネル２１でのサーボデータの検出等に必
要な各種のタイミング信号を生成する。ゲートアレイ２
２は、制御用のレジスタ群（図示せず）を有している。
この制御用レジスタ群はＣＰＵ２５のメモリ領域の一部
に割り当てられており、ＣＰＵ２５がこの領域に対して
読み出し及び書き込みを行うことでゲートアレイ２２及
びＨＤＣ２３を制御する。
【００３３】ＨＤＣ２３は、ＨＤＤを利用するホスト
（ホストシステム）及びＣＰＵ２５と接続されている。
ホストはパーソナルコンピュータ等のデジタル機器であ
る。ＨＤＣ２３は、ホストとの間のコマンド（ライトコ
マンド、リードコマンド等）及びデータの通信と、Ｒ／
Ｗチャネル２１を介して行われるディスク１１との間の
データ転送の制御等を司る。
【００３４】ＣＰＵ２５は、当該ＣＰＵ２５により実行
される制御プログラムが予め格納された不揮発性メモ
リ、例えば書き換えが可能な不揮発性メモリであるＦＲ
ＯＭ（Flash Read Only Memory）２５１と、当該ＣＰＵ
２５のワーク領域等を提供するＲＡＭ（Random Access
Memory）２５２と、Ａ／Ｄ変換器（ＡＤＣ）２５３とを
内蔵している。Ａ／Ｄ変換器２５３の入力には、ＨＤＤ
の温度を検知する温度センサ２６が接続されている。
【００３５】ＣＰＵ２５はＨＤＤの主コントローラであ
り、ゲートアレイ２２により抽出された位置情報に基づ
いてヘッド１２を目標トラック内に位置決めする位置決
め制御を行う。ＣＰＵ２５はまた、ＨＤＤが非動作（ア
イドル）状態から通常の動作状態に移行する際に、ラン
プ１６にパーキングされているヘッド１２をディスク１
１上にロードする制御（ランプロード制御）と、ＨＤＤ
が動作状態から非動作状態に移行する際に、ディスク１
１上のヘッド１２をランプ１６にアンロードする制御と
を行う。本実施形態におけるランプロード制御には、ド
ライバＩＣ１８内の逆起電圧検出器１８３により検出さ
れた逆起電圧から算出されるヘッド速度に基づく速度フ
ィードバック制御が用いられる。この速度フィードバッ
ク制御で用いられる制御値の初期値（初期制御値）Ｒ
integ(0)は、図３に示すように、ＦＲＯＭ２５１の領域
２５１ａに予め格納されている。
【００３６】次に、図１のＨＤＤにおける動作につい
て、ランプ１６のパーキング位置１６１にパーキングし
ているヘッド１２をディスク１１上にロードさせるラン
プロード制御を例に説明する。
【００３７】まず、ランプロード制御の概要について説
明する。ＣＰＵ２５は、ランプ１６のパーキング位置１
６１にパーキングしているヘッド１２をディスク１１上
に移動させる場合、そのための制御量を計算する。ＣＰ
Ｕ２５は、計算した制御量をドライバＩＣ１８内のＶＣ
Ｍドライバ１８２に設定して、その制御量で決まるＶＣ
Ｍ電流をＶＣＭドライバ１８２からＶＣＭ１５に供給さ
せることで、当該ＶＣＭ１５を動作させる。すると、ア
クチュエータ１４が駆動されて、アクチュエータ１４に
支持されているヘッド１２がディスク１１の半径方向に
移動される。
【００３８】ドライバＩＣ１８内の逆起電圧検出器１８
３は、ＶＣＭドライバ１８２からＶＣＭ１５へのＶＣＭ
電流の供給により当該ＶＣＭ１５が動作したときに当該
ＶＣＭ１５に発生する逆起電圧を検出して、その検出電
圧値をディジタル値に変換してＣＰＵ２５に送出する。
この電圧値、即ちＶＣＭ１５の逆起電圧値は、特開２０
０１−１５５４５５号公報にも記載されているように、
ヘッド１２の移動速度（ヘッド速度）に対応している。
そこでＣＰＵ２５は、逆起電圧検出器１８３により検出
されたＶＣＭ１５の逆起電圧をもとに、当該ＶＣＭ１５
を含むアクチュエータ１４の移動速度、即ちアクチュエ
ータ１４により支持されているヘッド１２の移動速度
（ヘッド速度）を検出（算出）する。そしてＣＰＵ２５
は、検出されたヘッド速度をもとに、ヘッド１２の速度
が目標速度に達するようにＶＣＭ１５の制御量を計算す
る。
【００３９】このように、図１のＨＤＤには、ヘッド１
２の速度を目標速度に到達させるための速度フィードバ
ック制御系が存在する。
【００４０】次に、この速度フィードバック制御系を利
用したランプロード制御の詳細について、図４のランプ
ロード制御の処理手順を示すフローチャートを参照して
説明する。
【００４１】ＣＰＵ２５は、ランプロード制御の開始時
にまず、サンプル時点を表す変数ｋを初期値０に設定す
る（ステップＳ１）。次にＣＰＵ２５は、速度フィード
バック制御での制御値Ｒinteg(k)の初期値（初期制御
値）Ｒinteg(0)を、ＶＣＭ１５に供給するＶＣＭ電流を
表す制御量Ｒcont(k)の初期値（初期制御量）Ｒcont(0)
として、ＶＣＭドライバ１８２に設定する（ステップＳ
２）。ここで、初期制御値Ｒinteg(0)はＦＲＯＭ２５１
の領域２５１ａに予め保存されている。
【００４２】ＶＣＭドライバ１８２は、ＣＰＵ２５によ
り初期制御量Ｒcont(0)が設定されると、その初期制御
量Ｒcont(0)で決まるＶＣＭ電流をＶＣＭ１５に供給す
ることでＶＣＭ１５を動作させる。ここで初期制御量Ｒ
cont(0)に対応（一致）する初期制御値Ｒinteg(0)は、
ＶＣＭ１５によりアクチュエータ１４をラッチ１７ａの
ラッチ力及びヘッド１２とランプ１６のパーキング位置
１６１との間の静止摩擦等に抗して駆動させて、１サン
プル時間Ｔ後の次のサンプル時点ｋ＝１までに、ヘッド
１２をランプ１６のパーキング位置１６１から脱出（移
動）させるのに十分なＶＣＭ電流値となる値である。
【００４３】次にＣＰＵ２５は、図示せぬタイマにより
１サンプル時間Ｔをカウントして、サンプル時点ｋを１
つ進める（ステップＳ３，Ｓ４，Ｓ５）。そしてＣＰＵ
２５は、サンプル時点ｋ（ここでは１回目のサンプル時
点を表すｋ＝１）において逆起電圧検出器１８３により
検出されたＶＣＭ１５の逆起電圧の値（ディジタル変換
値）を取り込み、その逆起電圧値からサンプル時点ｋに
おけるヘッド１２の速度（ヘッド速度）Ｖh(k)を検出
（算出）する（ステップＳ６）。
【００４４】次にＣＰＵ２５は、次式 Ｖdiff(k)＝Ｖh(k)−Ｖtarget （１） に従って、現在のサンプル時点ｋにおけるヘッド速度Ｖ
h(k)の目標速度Ｖtargetからのずれ、つまり速度差（差
分速度）Ｖdiff(k)を算出する（ステップＳ７）。
【００４５】次にＣＰＵ２５は、次式 Ｒinteg(k)＝（Ｖdiff(k)／Ｇ）＋Ｒinteg(k-1) （２） に従って、ステップＳ７で求めた差分速度Ｖdiff(k)を
速度フィードバック制御系のゲイン（フィードバックゲ
イン）Ｇで除した値Ｖdiff(k)／Ｇに、前回のサンプル
時点ｋ−１での制御値Ｒinteg(k-1)を加算することで、
今回のサンプル時点ｋにおける新たな制御値（積分値）
Ｒinteg(k)を算出する積分値計算を行う（ステップＳ
８）。
【００４６】次にＣＰＵ２５は、次式 Ｒcont(k)＝Ｒinteg(k)＋Ｖdiff(k) （３） に従って、ステップＳ８で求めた制御値Ｒinteg(k)にス
テップＳ７で求めた差分速度Ｖdiff(k)を加算すること
で、今回のサンプル時点ｋにおける新たな制御量Ｒcont
(k)を算出し、その算出した制御量Ｒcont(k)をＶＣＭド
ライバ１８２に設定する（ステップＳ９）。ここで、ヘ
ッド１２によりサーボデータが読み取られていないなら
ば、つまりＲ／Ｗチャネル２１によりサーボデータが検
出されておらず、したがって当該サーボデータがゲート
アレイ２２に保持されていないならば（ステップＳ１
０）、ＣＰＵ２５はヘッド１２がディスク１１上に到達
していないものと判断する。この場合、ＣＰＵ２５はス
テップＳ４に戻りランプ制御のための速度フィードバッ
ク制御を続ける。これに対し、ヘッド１２によりサーボ
データが読み取られるようになったならば、ＣＰＵ２５
は、ヘッド１２がランプ１６のパーキング位置１６１か
ら脱出してディスク１１上に到達したものと判断し、即
ちヘッド１２がランプ１６からディスク１１上にロード
されたものと判断し、ランプ制御処理を終了する。以降
は、ヘッド１２をディスク１１上の所定のトラック（シ
リンダ）に移動させるファーストシーク制御が行われ
る。
【００４７】以上に述べた本実施形態における速度フィ
ードバック制御系を利用したランプロード制御の特徴
を、図５及び図６を参照して従来のランプ制御と比較し
ながら説明する。なお、図５は本実施形態のランプロー
ド制御におけるＶＣＭ電流とヘッド速度との関係を示す
タイミングチャート、図６は従来技術におけるそれを示
すタイミングチャートである。
【００４８】まず、従来は、図６に示すように、ランプ
ロード制御の開始時点ｔ１１から、予め定められた一定
時間Ｔ１経過後の時点ｔ１２までは、ヘッド１２の状態
に無関係に予め定められた一定のＶＣＭ電流をＶＣＭ１
５に供給するオープンループ制御が行われる。そして、
ｔ１２から、ＶＣＭ１５の逆起電圧をもとに検出される
ヘッド速度Ｖh(k)に従う速度フィードバック制御に移行
する。ここで、速度フィードバック制御の開始時（ｋ＝
１）の制御量Ｒcont(1)は、上記式（２）及び式（３）
から明らかなように、次式 Ｒcont(1) ＝Ｒinteg(1)＋Ｖdiff(1) ＝（Ｖdiff(1)／Ｇ）＋Ｒinteg(0)＋Ｖdiff(1) （４） で表される。
【００４９】さて従来は、ランプロード制御開始時ｔ１
１から速度フィードバック制御の開始時ｔ１２までの時
間Ｔ１の期間、アクチュエータ１４はフィードバック制
御されないため、ヘッド速度にばらつきが生じる。この
ため従来は、速度フィードバック制御の開始時ｔ１２に
おける制御値Ｒinteg(0)には、０が用いられている。こ
の場合、第１回目（ｋ＝１）の制御量Ｒcont(1)は、上
記式（４）から、次式Ｒcont(1)＝（Ｖdiff(1)／Ｇ）＋
Ｖdiff(1) （５）のようになり、非常に小さ
な値となる。つまり、オープンループ制御から速度フィ
ードバック制御への切り替えのために、その速度フィー
ドバック制御の開始時点の制御値Ｒinteg(0)を０にする
と、ＶＣＭ電流の初期電流値はゼロ近傍となる。このた
め、図６に示すように、目標速度に達するのに必要なＶ
ＣＭ電流となるまでに時間がかかる。
【００５０】さて図６に示す従来例では、オープンルー
プ制御の終了時点ｔ１２から目標速度に到達するｔ１４
の時点まで速度フィードバック制御によってヘッド速度
を上げる。速度フィードバック制御では、初期制御値Ｒ
integ(0)＝０（ｔ１２の時点）から積分制御が開始され
る。そのため、速度フィードバック制御開始直後（ｔ１
２とｔ１３との間）には、先のオープンループ制御で得
たヘッド速度がＶＣＭ電流不足からゼロ近くなって、ヘ
ッド１２が失速する。その後再び速度フィードバック制
御によって十分なＶＣＭ電流を得てヘッド速度が増加す
ることになる。
【００５１】これに対して本実施形態では、上記したよ
うにランプ制御の最初から速度フィードバック制御を適
用すると共に、その速度フィードバック制御の第１回目
のサンプル時点（ｋ＝１）で、０以外のヘッド速度が得
られるように、初期制御値Ｒ integ(0)に、ヘッド１２を
ランプ１６のパーキング位置１６１から脱出させるに必
要な値を用いている。このような初期制御値Ｒinteg(0)
を用いると、速度フィードバック制御が初期電流値≒０
から開始されるのを防止できる。
【００５２】ランプ制御の最初から速度フィードバック
制御を適用する本実施形態では、図５に示すように、ラ
ンプ制御の開始時点ｔ１から速度フィードバック制御に
よって目標速度に到達する時点ｔ２までヘッド速度を上
げる。本実施形態では、速度フィードバック制御の初期
制御値Ｒinteg(0)として、ヘッド１２をランプ１６のパ
ーキング位置１６１から脱出させるに必要な値を与えて
から、速度フィードバック制御を開始している。そのた
め、ヘッド１２をパーキング位置１６１から脱出させる
のに必要なＶＣＭ電流を得ることができ。しかも、ラン
プロード制御では、常に速度フィードバック制御が行わ
れるため、ヘッド速度のばらつきが小さくなる。また、
図５に示すように、ランプロード制御の途中でヘッド速
度がゼロ近くなることなく、つまりヘッド１２の失速を
招くことなく、当該ヘッド１２の加速を続けることがで
きる（ｔ１とｔ２との間）。
【００５３】さて、ラッチ（マグネットラッチ）１７ａ
のラッチ力等は、ＨＤＤ毎に異なる可能性がある。この
場合、ヘッド１２がランプ１６のパーキング位置１６１
にパーキングしている際に、ラッチ１７ａによりラッチ
されているアクチュエータ１４を、当該ラッチ１７ａの
ラッチ力等に抗して駆動させ、ヘッド１２をランプ１６
のパーキング位置１６１から脱出させるのに必要なＶＣ
Ｍ電流の値（以下、脱出電流値と称する）は、ＨＤＤに
よって異なる。そこで本実施形態では、ＨＤＤの製造段
階でＨＤＤにおける例えば標準温度（２５℃）での脱出
電流値を求めて速度フィードバック制御の初期制御値
（初期積分値）を決定し、ＦＲＯＭ２５１の領域２５１
ａに保存しておくようにしている。
【００５４】以下、本実施形態における初期制御値決定
処理について、図７のフローチャートを参照して説明す
る。まずＣＰＵ２５は、ヘッド１２がランプ１６のパー
キング位置１６１にパーキングしている状態で、ＶＣＭ
電流の値を示す変数Ｉを初期値Ｉ0に設定する（ステッ
プＳ１１）。この値Ｉ0は、そのＩ0で示されるＶＣＭ電
流をＶＣＭドライバ１８２からＶＣＭ１５に供給した場
合に、１サンプル時間Ｔを経過するまでに、ヘッド１２
をランプ１６のパーキング位置１６１から脱出（移動）
させるのに十分とされている設計上のＶＣＭ電流値であ
る。
【００５５】次にＣＰＵ２５は、現在のＩの値（ここで
はＩ＝Ｉ0）に対応する制御量Ｒcon t(0)（＝Ｒ
integ(0)）をドライバＩＣ１８内のＶＣＭドライバ１８
２に設定し、当該ＶＣＭドライバ１８２からＶＣＭ１５
に電流値ＩのＶＣＭ電流を供給させることで、ヘッド１
２をランプ１６のパーキング位置１６１から脱出させる
試みをする（ステップＳ１２）。
【００５６】次にＣＰＵ２５は、速度フィードバック制
御の１サンプル時間Ｔが経過するのを待って（ステップ
Ｓ１３，Ｓ１４）、前記ステップＳ６と同様にしてヘッ
ド速度Ｖhを検出する（ステップＳ１５）。
【００５７】次にＣＰＵ２５は、検出されたヘッド速度
Ｖhが、予め定められた基準の速度Ｖth（但し、Ｖth≧
０）より大きいか否かを判定する（ステップＳ１６）。
もし、ＶhがＶthより大きくないならば、ＣＰＵ２５は
Ｉの値を現在値より予め定められた値（増分）ΔＩだけ
増やして（ステップＳ１７）、そのΔＩ増加後のＩの値
をもとに、ステップＳ１２以降の処理を再度実行する。
これに対し、ＶhがＶthより大きいならば、ＣＰＵ２５
は、現在のＩの値が、対応するＨＤＤにおける脱出電流
値であると判断し、その現在のＩの値に対応する制御値
（積分値）を初期制御値（初期積分値）Ｒinteg(0)とし
てＦＲＯＭ２５１の領域２５１ａに保存する。
【００５８】ところで、ＨＤＤを長期に亘って使用して
いると、ランプ１６のパーキング位置１６１の表面が荒
れてきて、当該パーキング位置１６１での静止摩擦力
（摺動抵抗）は大きくなる傾向にある。また、ＨＤＤを
長期間使用しないと、つまりアクチュエータ１４が長期
間ラッチ１７ａにラッチされていると、アクチュエータ
１４をラッチ１７ａとのラッチ状態から解除するのに必
要な力が増加する傾向にある。この場合、上記脱出電流
値も増加する。このような状態では、製造段階で求めた
脱出電流値に対応する初期制御値（初期積分値）Ｒ
integ(0)を、速度フィードバック制御の開始時に用いた
としても、ヘッド１２をランプ１６から速やかに脱出さ
せることは困難である。そこで、脱出電流値の経時変化
を考慮して、例えばＨＤＤの立ち上げ時に行われる当該
ＨＤＤの初期化処理毎に、図７のフローチャートに従う
初期制御値決定処理を実行して、常に最新の初期制御値
Ｒinteg(0)を求めるようにするとよい。この場合、初期
制御値Ｒinteg(0)は、必ずしもＦＲＯＭ２５１に保存す
る必要はなく、ＲＡＭ２５２に保存してもよい。
【００５９】［変形例］以上に述べた実施形態では、脱
出電流値がＨＤＤの温度によって殆ど変化しないことを
前提としている。ところが、ラッチ１７ａのラッチ力、
ＶＣＭ１５のコイルの抵抗等は温度依存性があり、した
がって脱出電流値も温度依存性がある。そこで、ランプ
ロード制御のための速度フィードバック制御の開始時に
使用する初期制御値Ｒinteg(0)を、その際のＨＤＤの温
度に応じて補正（決定）するようにした本実施形態の変
形例について図８及び図９を参照して説明する。なお、
図８は、ＦＲＯＭ２５１に保存される温度−初期制御値
テーブルのデータ構造例を示す図、図９はランプロード
制御の処理手順を示すフローチャートである。
【００６０】まず、本実施形態の変形例では、図８に示
すように、ＦＲＯＭ２５１の領域２５１ｂに予め温度−
初期制御値テーブルが保存されている。このテーブルに
は、予め定められた温度ＴＥＭＰ１，ＴＥＭＰ２，ＴＥ
ＭＰ３…毎に、その温度での初期制御値Ｒinteg(0)が登
録されている。この温度ＴＥＭＰ１，ＴＥＭＰ２，ＴＥ
ＭＰ３…毎の初期制御値Ｒinteg(0)は、温度環境を変え
ながら、その温度ＴＥＭＰ１，ＴＥＭＰ２，ＴＥＭＰ３
…毎に、図７のフローチャートに従う初期制御値決定処
理を実行することにより簡単に求められる。
【００６１】さて、本実施形態の変形例では、ＣＰＵ２
５はランプロード制御の開始時に、温度センサ２６によ
り測定されたＨＤＤの温度ＴＥＭＰをＡ／Ｄ変換器２５
３を介して読み込む（ステップＳ２１）。
【００６２】次にＣＰＵ２５は、ＦＲＯＭ２５１の領域
２５１ｂに保存されている温度−初期制御値テーブルを
用いて、ステップＳ２１で読み込んだ現在の温度ＴＥＭ
Ｐでの初期制御値Ｒinteg(0)を算出する（ステップＳ２
２）。このステップＳ２２での計算には、例えば以下に
述べるように線形補間が用いられる。今、現在温度ＴＥ
ＭＰが、温度−初期制御値テーブルに登録されている各
温度のうち、温度ＴＥＭＰ１と温度ＴＥＭＰ２との間に
入っているものとする。つまり、ＴＥＭＰ１＜ＴＥＭＰ
＜ＴＥＭＰ２＜ＴＥＭＰ３であるものとする。この場
合、ＣＰＵ２５は、ＴＥＭＰ１〜ＴＥＭＰ２の範囲での
初期制御値の温度特性は線形であるとして、温度ＴＥＭ
Ｐ１での初期制御値と温度ＴＥＭＰ２での初期制御値を
用いて線形補間することで、現在温度ＴＥＭＰでの最適
な初期制御値Ｒinteg(0)を求める。
【００６３】ＣＰＵ２５は、ステップＳ２２で現在温度
ＴＥＭＰでの最適な初期制御値Ｒin teg(0)を求めると、
図４のステップＳ１以降の処理を実行する。
【００６４】なお、脱出電流値の経時変化を考慮して、
例えばＨＤＤの初期化処理で、温度−初期制御値テーブ
ルを更新することも可能である。この温度−初期制御値
テーブルの更新には、以下に述べるように上述の線形補
間が利用できる。まず、ＨＤＤの初期化処理で図７のフ
ローチャートに従う初期制御値決定処理を実行すること
により、その際のＨＤＤの温度（現在温度）ＴＥＭＰで
の初期制御値を求める。次に、この現在温度ＴＥＭＰで
の初期制御値と、上述の線形補間で求められる初期制御
値との差分を求める。そして、この差分を、温度−初期
制御値テーブルに登録されている各ＴＥＭＰ１，ＴＥＭ
Ｐ２，ＴＥＭＰ３…毎の初期制御値に加算することで、
当該テーブルを更新する。この更新後のテーブルは、現
在のＨＤＤの状態に適合した最新のものとなる。
【００６５】図１の構成では、温度センサ２６はＣＰＵ
２５に接続されている。しかし、温度センサ２６がゲー
トアレイ２２に接続され、当該温度センサ２６の温度検
知結果がゲートアレイ２２を介してＣＰＵ２５に読み込
まれる構成であっても構わない。
【００６６】以上、本発明をＨＤＤに適用した実施形態
及びその変形例について説明した。しかし本発明は、少
なくともデータの読み出しに用いられるヘッドがパーキ
ングされるランプを備えたディスク記憶装置であれば、
光磁気ディスク装置など、ＨＤＤ以外のディスク記憶装
置にも同様に適用できる。
【００６７】なお、本発明は、上記実施形態またはその
変形例に限定されるものではなく、実施段階ではその要
旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能であ
る。更に、上記実施形態またはその変形例には種々の段
階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件に
おける適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得
る。例えば、実施形態またはその変形例に示される全構
成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解
決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明
の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、
この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得
る。
【００６８】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、デ
ィスク記憶装置の非動作状態の解除時に実行が開始され
るランプロード制御を、その開始時点から速度フィード
バック制御により行うと共に、その速度フィードバック
制御に用いられる制御値の初期値として、速度フィード
バック制御の第１回目のサンプル時点までの所定時間の
間にヘッドをランプ上のパーキング位置から動かすのに
必要なボイスコイルモータ電流値に対応する値を適用す
る構成としたので、速度フィードバック制御の第１回目
のサンプル時点でヘッドをランプのパーキング位置から
脱出させることができ、しかも常に速度フィードバック
制御が行われるため、ヘッド速度のばらつきを低減させ
ると共にヘッドがランプ途中で停止するのを防止し、オ
ープンループ制御に頼らない安定した速度フィードバッ
ク制御が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置の
構成を示すブロック図。
【図２】図１中のランプ１６の構造とアクチュエータ１
４との関係を説明するための図。
【図３】図１中のＦＲＯＭ２５１に速度フィードバック
制御で用いられる初期制御値Ｒ integ(0)が保存されてい
る状態を示す図。
【図４】同実施形態におけるランプロード制御の処理手
順を示すフローチャート。
【図５】同実施形態のランプロード制御におけるＶＣＭ
電流とヘッド速度との関係を示すタイミングチャート。
【図６】従来のランプロード制御におけるＶＣＭ電流と
ヘッド速度との関係を示すタイミングチャート。
【図７】同実施形態における初期制御値決定処理の手順
を示すフローチャート。
【図８】同実施形態の変形例において、ＦＲＯＭ２５１
に保存されている温度−初期制御値テーブルのデータ構
造例を示す図。
【図９】同実施形態の変形例におけるランプロード制御
の処理手順を示すフローチャート。
【符号の説明】
１１…ディスク（ディスク媒体） １２…ヘッド １４…アクチュエータ １５…ＶＣＭ（ボイスコイルモータ） １６…ランプ １７ａ…ラッチ（マグネットラッチ） １８…ドライバＩＣ ２５…ＣＰＵ（速度フィードバック制御手段、初期値設
定手段、初期値測定手段） ２６…温度センサ １６１…パーキング位置 １８２…ＶＣＭドライバ １８３…逆起電圧検出器 ２５１…ＦＲＯＭ（記憶手段） ２５１ａ，２５１ｂ…領域 ２５２…ＲＡＭ（記憶手段）

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ディスク媒体に記録された情報がヘッド
    により読み出されるディスク記憶装置において、 ボイスコイルモータを駆動源とし、前記ヘッドを前記デ
    ィスク媒体の半径方向に移動可能に支持するアクチュエ
    ータと、 前記ディスク記憶装置の非動作状態において前記ヘッド
    がパーキングされる、前記ディスク媒体の外周側に配置
    されたランプと、 前記ボイスコイルモータに発生する逆起電圧を検出する
    逆起電圧検出手段と、 前記ディスク記憶装置の非動作状態の解除時に、前記ボ
    イスコイルモータに電流を供給することにより前記アク
    チュエータを駆動させて前記ヘッドを前記ランプから前
    記ディスク媒体上にロードさせるランプロード制御を、
    前記逆起電圧検出手段により検出される逆起電圧から求
    められる前記ヘッドの実際の速度の目標速度からのずれ
    に基づく速度フィードバック制御により実行する速度フ
    ィードバック制御手段と、 前記速度フィードバック制御手段に対し、前記速度フィ
    ードバック制御に用いられる制御値の初期値として、当
    該速度フィードバック制御の第１回目のサンプル時点ま
    での所定時間の間に前記ヘッドを前記ランプ上のパーキ
    ング位置から移動させるのに必要な前記ボイスコイルモ
    ータに供給すべき電流の量に対応する値を与える初期値
    設定手段とを具備することを特徴とするディスク記憶装
    置。
  2. 【請求項２】 前記初期値を前記ディスク記憶装置の製
    造段階で測定する初期値測定手段と、 前記初期値測定手段により測定された初期値が保存され
    る記憶手段とを更に具備し、 前記初期値設定手段は、前記記憶手段に保存されている
    前記初期値を前記速度フィードバック制御手段に与える
    ことを特徴とする請求項１記載のディスク記憶装置。
  3. 【請求項３】 前記ディスク装置が立ち上げられる毎に
    前記初期値を測定する初期値測定手段と、 前記初期値測定手段により測定された前記初期値が保存
    される記憶手段とを更に具備し、 前記初期値設定手段は、前記記憶手段に保存されている
    最新の前記初期値を前記速度フィードバック制御手段に
    与えることを特徴とする請求項１記載のディスク記憶装
    置。
  4. 【請求項４】 前記初期値測定手段は、前記ヘッドが前
    記ランプにバーキングしている状態で、前記ボイスコイ
    ルモータに電流を供給して、その電流供給開始時から前
    記所定時間が経過した際に前記逆起電圧検出手段により
    検出される逆起電圧から求められる前記ヘッドの速度が
    予め定められた基準の速度を超えたか否かを判定する動
    作を、前記ボイスコイルモータに供給する電流の量を変
    えながら、前記ヘッド速度が前記基準の速度を超えるま
    で繰り返すことで、前記初期値を測定する請求項２また
    は請求項３記載のディスク記憶装置。
  5. 【請求項５】 前記ディスク記憶装置の温度を検知する
    温度検知手段を更に具備し、 前記初期値設定手段は、前記速度フィードバック制御手
    段に与える初期値を前記温度検知手段により検知された
    温度に応じて補正することを特徴とする請求項２または
    請求項３記載のディスク記憶装置。
  6. 【請求項６】 ディスク媒体の外周側に配置されたラン
    プにパーキングされているヘッドを当該ランプから前記
    ディスク媒体上にロードさせるディスク記憶装置におけ
    るランプロード制御方法であって、 前記ヘッドを前記ディスク媒体の半径方向に移動可能に
    支持するアクチュエータの駆動源となるボイスコイルモ
    ータに電流を供給することにより前記アクチュエータを
    駆動させて前記ヘッドを前記ランプから前記ディスク媒
    体上にロードさせるランプロード制御を、前記ボイスコ
    イルモータの逆起電圧から求められる前記ヘッドの実際
    の速度の目標速度からのずれに基づく速度フィードバッ
    ク制御により実行するステップと、 前記速度フィードバック制御の開始時に、当該速度フィ
    ードバック制御の制御値の初期値として、当該速度フィ
    ードバック制御の第１回目のサンプル時点までの所定時
    間の間に前記ヘッドを前記ランプ上のパーキング位置か
    ら移動させるのに必要な前記ボイスコイルモータに供給
    すべき電流の量に対応する値を設定するステップとを具
    備することを特徴とするディスク記憶装置におけるラン
    プロード制御方法。
  7. 【請求項７】 前記初期値を前記ディスク記憶装置の製
    造段階で測定するステップと、 測定された前記初期値を記憶手段に保存するステップと
    を更に具備することを特徴とする請求項６記載のディス
    ク記憶装置におけるランプロード制御方法。
  8. 【請求項８】 前記ディスク装置が立ち上げられる毎に
    前記初期値を測定するステップと、 測定された前記初期値を記憶手段に保存するステップと
    を更に具備することを特徴とする請求項６記載のディス
    ク記憶装置におけるランプロード制御方法。
  9. 【請求項９】 前記測定ステップは、 前記ヘッドが前記ランプにバーキングしている状態で、
    前記ボイスコイルモータに電流を供給するステップと、 前記供給ステップによる電流供給開始時から前記所定時
    間が経過した際に前記ボイスコイルモータの逆起電圧を
    検出し、当該逆起電圧から前記ヘッドの速度を検出する
    ステップと、 検出されたヘッド速度が予め定められた基準の速度を超
    えたか否かを判定するステップと、 前記供給ステップと前記検出ステップと前記判定ステッ
    プとを、前記ボイスコイルモータに供給する電流の量を
    変えながら、前記検出されたヘッド速度が前記基準の速
    度を超えるまで繰り返させるステップと、 前記検出されたヘッド速度が前記基準の速度を超えた場
    合、その際に前記ボイスコイルモータに供給されている
    電流の量から前記初期値を決定するステップとを含むこ
    とを特徴とする請求項７または請求項８記載のディスク
    記憶装置におけるランプロード制御方法。
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