JP2003194877A - 検査プローブ及びこれを用いた検査治具 - Google Patents
検査プローブ及びこれを用いた検査治具Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体パッケージ等のリード端子の狭ピッチ、
多ピン化に対応した検査精度に優れた検査プローブ及び
これを用いた検査治具を提供することを目的とする。 【解決手段】支持基材１１ａと絶縁膜１２ａとばね状リ
ード１３ａとばね状リード１３ａの先端に形成された電
極１４とからなる検査電極１０と、かぎ型２１と支点２
２とラッチアーム２３とからなるラッチ機構２０と、支
持基材１１ａ上に形成された支持枠３１と支持枠３１の
側面に形成された対向電極３２とラッチアーム２１の側
面に形成された可動電極３３とからなる検査電極制御機
構３０とから構成された検査プローブ５０を作製し、検
査プローブ５０をマトリクスアレイ状に配置して検査治
具を得る。
多ピン化に対応した検査精度に優れた検査プローブ及び
これを用いた検査治具を提供することを目的とする。 【解決手段】支持基材１１ａと絶縁膜１２ａとばね状リ
ード１３ａとばね状リード１３ａの先端に形成された電
極１４とからなる検査電極１０と、かぎ型２１と支点２
２とラッチアーム２３とからなるラッチ機構２０と、支
持基材１１ａ上に形成された支持枠３１と支持枠３１の
側面に形成された対向電極３２とラッチアーム２１の側
面に形成された可動電極３３とからなる検査電極制御機
構３０とから構成された検査プローブ５０を作製し、検
査プローブ５０をマトリクスアレイ状に配置して検査治
具を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体パッケージ等
の検査に用いられる導通検査治具に係わり、特に複数の
任意の測定点をアクティブ、あるいはノンアクティブ状
態にできる検査プローブ及びこれを用いた検査治具に関
する。
の検査に用いられる導通検査治具に係わり、特に複数の
任意の測定点をアクティブ、あるいはノンアクティブ状
態にできる検査プローブ及びこれを用いた検査治具に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体パッケージの検査にお
いては、ソケット方式のコンタクト装置が広く用いられ
ている。図７は、ソケット方式の検査治具に用られる半
導体パッケージ８０、検査治具７０及び保持移動機構９
０の一例を示す。上記半導体パッケージの検査は、検査
治具７０と半導体パッケージ８０を保持、移動する保持
移動機構９０とからなり、検査治具７０は支持基板７１
にばね状接触電極７２とガイド機構７３を固定したもの
で、保持移動機構９０に保持された半導体パッケージ８
０は半導体パッケージ８０のモールド樹脂８２の外形加
工されたテーパー部８２ａを利用して、検査治具７０の
ガイド機構７３に沿って移動して位置決めされ、半導体
パッケージ８０のリード端子８１が検査治具７０のばね
状接触電極７２に接触した状態で停止し、導通検査が行
われる。
いては、ソケット方式のコンタクト装置が広く用いられ
ている。図７は、ソケット方式の検査治具に用られる半
導体パッケージ８０、検査治具７０及び保持移動機構９
０の一例を示す。上記半導体パッケージの検査は、検査
治具７０と半導体パッケージ８０を保持、移動する保持
移動機構９０とからなり、検査治具７０は支持基板７１
にばね状接触電極７２とガイド機構７３を固定したもの
で、保持移動機構９０に保持された半導体パッケージ８
０は半導体パッケージ８０のモールド樹脂８２の外形加
工されたテーパー部８２ａを利用して、検査治具７０の
ガイド機構７３に沿って移動して位置決めされ、半導体
パッケージ８０のリード端子８１が検査治具７０のばね
状接触電極７２に接触した状態で停止し、導通検査が行
われる。
【０００３】図８に、半導体パッケージ８０のリード端
子８１が検査治具７０のばね状接触電極７２に接触した
状態で検査が行われている状態を示す。リード端子８１
が検査治具７０のばね状接触電極７２に接触、加圧され
た状態で、ばね状接触電極７２はたわみにより沈み、適
度の加圧状態で確実に接触され、半導体パッケージ８０
の特性試験が行われる。
子８１が検査治具７０のばね状接触電極７２に接触した
状態で検査が行われている状態を示す。リード端子８１
が検査治具７０のばね状接触電極７２に接触、加圧され
た状態で、ばね状接触電極７２はたわみにより沈み、適
度の加圧状態で確実に接触され、半導体パッケージ８０
の特性試験が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
検査方法では、リード端子８１の多ピン化に伴ってリー
ドピッチが小さくなるとばね状接触電極７２の加工及び
取り付け限界を超えてしまい、従来の加工技術では実現
できなくなってしまうという問題を有する。また、マト
リクスアレイ状にリード端子が配置されている半導体パ
ッケージの検査のような場合、狭ピッチ化、多ピン化が
進み数百から数千ピンになった場合上記の検査治具構成
では構造、加工、組み立ての面で複雑かつ困難になると
いう問題を有する。
検査方法では、リード端子８１の多ピン化に伴ってリー
ドピッチが小さくなるとばね状接触電極７２の加工及び
取り付け限界を超えてしまい、従来の加工技術では実現
できなくなってしまうという問題を有する。また、マト
リクスアレイ状にリード端子が配置されている半導体パ
ッケージの検査のような場合、狭ピッチ化、多ピン化が
進み数百から数千ピンになった場合上記の検査治具構成
では構造、加工、組み立ての面で複雑かつ困難になると
いう問題を有する。
【０００５】そこで、確実な電気的接触が図れ、しかも
狭ピッチ化に対応できる検査プローブ及びこれを用いた
検査治具が望まれていた。本発明は上記問題点に鑑み考
案されたもので、半導体パッケージ等のリード端子の狭
ピッチ、多ピン化に対応した検査精度に優れた検査プロ
ーブ及びこれを用いた検査治具を提供することを目的と
する。
狭ピッチ化に対応できる検査プローブ及びこれを用いた
検査治具が望まれていた。本発明は上記問題点に鑑み考
案されたもので、半導体パッケージ等のリード端子の狭
ピッチ、多ピン化に対応した検査精度に優れた検査プロ
ーブ及びこれを用いた検査治具を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記問題
を解決するため、請求項１においては、支持基材１１ａ
と絶縁膜１２ａとばね状リード１３ａとばね状リード１
３ａの先端に形成された電極１４とからなる検査電極１
０と、かぎ型２１と支点２２とラッチアーム２３とから
なるラッチ機構２０と、支持基材１１ａ上に形成された
支持枠３１と支持枠３１の側面に形成された対向電極３
２とラッチアーム２１の側面に形成された可動電極３３
とからなる検査電極制御機構３０とから構成されている
ことを特徴とする検査プローブとしたものである。
を解決するため、請求項１においては、支持基材１１ａ
と絶縁膜１２ａとばね状リード１３ａとばね状リード１
３ａの先端に形成された電極１４とからなる検査電極１
０と、かぎ型２１と支点２２とラッチアーム２３とから
なるラッチ機構２０と、支持基材１１ａ上に形成された
支持枠３１と支持枠３１の側面に形成された対向電極３
２とラッチアーム２１の側面に形成された可動電極３３
とからなる検査電極制御機構３０とから構成されている
ことを特徴とする検査プローブとしたものである。
【０００７】また、請求項２においては、前記検査電極
制御機構３０は、前記可動電極３３と前記対向電極３２
に電圧を印加することにより前記ラッチ機構２０の支点
２２を介して前記ばね状リード１３ａの先端に形成され
た前記電極１４をアクティブ、あるいはノンアクティブ
状態にできることを特徴とする請求項１記載の検査プロ
ーブとしたものである。
制御機構３０は、前記可動電極３３と前記対向電極３２
に電圧を印加することにより前記ラッチ機構２０の支点
２２を介して前記ばね状リード１３ａの先端に形成され
た前記電極１４をアクティブ、あるいはノンアクティブ
状態にできることを特徴とする請求項１記載の検査プロ
ーブとしたものである。
【０００８】さらにまた、請求項３においては、請求項
１または請求項２記載の検査プローブ５０をマトリック
ス状に配置して検査治具１００を形成し、前記検査電極
制御機構３０により複数の任意の前記検査プローブ５０
をアクティブ、あるいはノンアクティブ状態の選択接触
にできることを特徴とする検査治具としたものである。
１または請求項２記載の検査プローブ５０をマトリック
ス状に配置して検査治具１００を形成し、前記検査電極
制御機構３０により複数の任意の前記検査プローブ５０
をアクティブ、あるいはノンアクティブ状態の選択接触
にできることを特徴とする検査治具としたものである。
【０００９】本発明の検査プローブ及びこれを用いた検
査治具は、マトリックス状に配置された検査プローブを
任意の位置で、任意の数だけアクティブ、あるいはノン
アクティブ状態の選択接触ができ、且つ狭ピッチ、多ピ
ン化に対応した半導体パッケージの導通検査だけでなく
伝送特性などの電気特性検査が可能となる。
査治具は、マトリックス状に配置された検査プローブを
任意の位置で、任意の数だけアクティブ、あるいはノン
アクティブ状態の選択接触ができ、且つ狭ピッチ、多ピ
ン化に対応した半導体パッケージの導通検査だけでなく
伝送特性などの電気特性検査が可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１に、検査プローブ５０をマト
リックス状に配置した検査治具１００の一実施例を示す
模式平面図を、図２に、図１の検査プローブ５０をＡ−
Ａ’面で切断した模式構成断面図をそれぞれ示す。請求
項１に係わる本発明の検査プローブ５０は、図２に示す
ように、検査電極１０とラッチ機構２０と検査電極制御
機構３０とから構成されている。検査電極１０は支持基
材１１ａの片面に絶縁膜１２ａを介して片持ち梁からな
るバネ状リード１３ａと、バネ状リード１３ａの先端に
電極１４が設けられ、バネ状リード１３ａは電極１４か
ら電気信号を引き出す信号配線の役目と検査電極１０を
被検査体に所定の圧力で押しつける役目を有する。
リックス状に配置した検査治具１００の一実施例を示す
模式平面図を、図２に、図１の検査プローブ５０をＡ−
Ａ’面で切断した模式構成断面図をそれぞれ示す。請求
項１に係わる本発明の検査プローブ５０は、図２に示す
ように、検査電極１０とラッチ機構２０と検査電極制御
機構３０とから構成されている。検査電極１０は支持基
材１１ａの片面に絶縁膜１２ａを介して片持ち梁からな
るバネ状リード１３ａと、バネ状リード１３ａの先端に
電極１４が設けられ、バネ状リード１３ａは電極１４か
ら電気信号を引き出す信号配線の役目と検査電極１０を
被検査体に所定の圧力で押しつける役目を有する。
【００１１】バネ状リード１３ａは、板状のもの、棒状
のものなど各種のものが考えられるが、ラッチをかける
ため板状が好ましい。また、その材質については、導電
性があることと、ある程度の剛性があることが条件とな
る。適当な弾性を有する構造材で導電性があれば各種の
材料が使用可能であるが、微細構造物の加工に適してい
ること、信号配線の形成及び制御のし易さを考慮した材
料が好ましい。支持基材１１ａは微細加工性に優れた材
質が好ましく、例えば、シリコン基板を加工したものが
利用できる。絶縁膜１３ａは支持基材１１ａとバネ状リ
ード１３ａの電気的絶縁を行うもので、絶縁性の高い樹
脂フィルムの積層体もしくは酸化膜、チッ化膜等が利用
できる。電極１４は、被検査体に接触して電気的導通を
行うもので、電気的導通性に優れ、電解めっき適性があ
り、ある程度の強度、硬度を有する銅、ニッケル等が適
している。銅の場合は導電性に優れ、電解めっき性に優
れた材料であるが強度、耐久性の点で劣るので、表面を
ニッケル皮膜を形成した構造にすると良い。先端形状は
耐久性の面だけなら鈍な形状が好ましいが、これは用途
により適宜選択すればよい。
のものなど各種のものが考えられるが、ラッチをかける
ため板状が好ましい。また、その材質については、導電
性があることと、ある程度の剛性があることが条件とな
る。適当な弾性を有する構造材で導電性があれば各種の
材料が使用可能であるが、微細構造物の加工に適してい
ること、信号配線の形成及び制御のし易さを考慮した材
料が好ましい。支持基材１１ａは微細加工性に優れた材
質が好ましく、例えば、シリコン基板を加工したものが
利用できる。絶縁膜１３ａは支持基材１１ａとバネ状リ
ード１３ａの電気的絶縁を行うもので、絶縁性の高い樹
脂フィルムの積層体もしくは酸化膜、チッ化膜等が利用
できる。電極１４は、被検査体に接触して電気的導通を
行うもので、電気的導通性に優れ、電解めっき適性があ
り、ある程度の強度、硬度を有する銅、ニッケル等が適
している。銅の場合は導電性に優れ、電解めっき性に優
れた材料であるが強度、耐久性の点で劣るので、表面を
ニッケル皮膜を形成した構造にすると良い。先端形状は
耐久性の面だけなら鈍な形状が好ましいが、これは用途
により適宜選択すればよい。
【００１２】ラッチ機構２０は、かぎ型２１、支点２２
及びラッチアーム２３を有し、ラッチアーム２３の側面
にラッチアーム２３と電気的に絶縁され、且つ表面に絶
縁性の膜を有する可動電極３３が形成されており、検査
電極制御機構３０と連動して検査電極１０のアクティ
ブ、あるいはノンアクティブ状態を制御している。ここ
で、アクティブ状態とは検査電極１０が検査できる状態
になっていることを言い、ノンアクティブ状態とは検査
電極１０が検査できる状態になっていないことを言う。
及びラッチアーム２３を有し、ラッチアーム２３の側面
にラッチアーム２３と電気的に絶縁され、且つ表面に絶
縁性の膜を有する可動電極３３が形成されており、検査
電極制御機構３０と連動して検査電極１０のアクティ
ブ、あるいはノンアクティブ状態を制御している。ここ
で、アクティブ状態とは検査電極１０が検査できる状態
になっていることを言い、ノンアクティブ状態とは検査
電極１０が検査できる状態になっていないことを言う。
【００１３】検査電極制御機構３０は支持基材１１ａ上
に形成された支持枠３１と支持枠３１の側面に支持枠３
１と電気的に絶縁され、且つ表面に絶縁性の膜を有する
対向電極３２とラッチアーム２１の側面に形成された可
動電極３３とからなり、対向電極３２と可動電極３３と
に直流電圧を印加してかぎ型２１の位置を制御してい
る。対向電極３２にプラス、可動電極３３にマイナスを
印加すると対向電極３２と可動電極３３は引き合ってか
ぎ型２１のラッチが持ち上げられる。対向電極３２にプ
ラス、可動電極３３にプラスの直流電圧を印加すると対
向電極３２と可動電極３３は反発しあって初期の状態に
戻り、対向電極３２と可動電極３３の電圧を印加しなく
ても、自重でラッチをかける側に傾いた状態を維持す
る。これは、支点２２で支えられているかぎ型２１の部
分だけ重心に偏りを生じるためである。
に形成された支持枠３１と支持枠３１の側面に支持枠３
１と電気的に絶縁され、且つ表面に絶縁性の膜を有する
対向電極３２とラッチアーム２１の側面に形成された可
動電極３３とからなり、対向電極３２と可動電極３３と
に直流電圧を印加してかぎ型２１の位置を制御してい
る。対向電極３２にプラス、可動電極３３にマイナスを
印加すると対向電極３２と可動電極３３は引き合ってか
ぎ型２１のラッチが持ち上げられる。対向電極３２にプ
ラス、可動電極３３にプラスの直流電圧を印加すると対
向電極３２と可動電極３３は反発しあって初期の状態に
戻り、対向電極３２と可動電極３３の電圧を印加しなく
ても、自重でラッチをかける側に傾いた状態を維持す
る。これは、支点２２で支えられているかぎ型２１の部
分だけ重心に偏りを生じるためである。
【００１４】検査治具１００の選択接触の動作機構を図
２〜図５を用いて説明する。まず、図２に示すようなラ
ッチ機構２０及び検査電極制御機構３０が非動作状態の
検査プローブ５０をアクティブ状態の初期状態とする。
次に、検査治具１００の所定箇所の検査プローブ５０を
ノンアクティブ状態にするために、電極１４とばね状リ
ードの先端を押し込んでラッチ機構２０のかぎ型２１の
部分にばね状リード１３の先端を引っかけて、検査電極
１４をノンアクティブ状態にする（図３参照）。ここ
で、検査プローブ５０をノンアクティブ状態にする必要
がなければこの動作は必要なくなる。
２〜図５を用いて説明する。まず、図２に示すようなラ
ッチ機構２０及び検査電極制御機構３０が非動作状態の
検査プローブ５０をアクティブ状態の初期状態とする。
次に、検査治具１００の所定箇所の検査プローブ５０を
ノンアクティブ状態にするために、電極１４とばね状リ
ードの先端を押し込んでラッチ機構２０のかぎ型２１の
部分にばね状リード１３の先端を引っかけて、検査電極
１４をノンアクティブ状態にする（図３参照）。ここ
で、検査プローブ５０をノンアクティブ状態にする必要
がなければこの動作は必要なくなる。
【００１５】次に、検査治具１００の検査プローブ５０
を被検査体に押しあて、アクティブ状態の検査プローブ
５０の導通及び電気特性検査を行う。次に、ノンアクテ
ィブ状態の検査プローブ５０をノンアクティブ状態にす
るため、検査電極制御機構３０の対向電極３２にプラ
ス、可動電極３３にプラス（それぞれマイナスでも良
い）の直流電圧を印加し、バネ状リード１３の先端をラ
ッチ機構２０のかぎ型２１からラッチを解除する（図４
参照）。次に、検査電極制御機構３０の対向電極３２及
び可動電極３３の電圧を解除して、検査プローブ５０を
アクティブ状態の初期状態にする（図５参照）。
を被検査体に押しあて、アクティブ状態の検査プローブ
５０の導通及び電気特性検査を行う。次に、ノンアクテ
ィブ状態の検査プローブ５０をノンアクティブ状態にす
るため、検査電極制御機構３０の対向電極３２にプラ
ス、可動電極３３にプラス（それぞれマイナスでも良
い）の直流電圧を印加し、バネ状リード１３の先端をラ
ッチ機構２０のかぎ型２１からラッチを解除する（図４
参照）。次に、検査電極制御機構３０の対向電極３２及
び可動電極３３の電圧を解除して、検査プローブ５０を
アクティブ状態の初期状態にする（図５参照）。
【００１６】以下、検査プローブ及び検査治具の作製方
法について述べる。図６（ａ）〜（ｃ）に、検査プロー
ブ及び検査治具の作製方法の一例を示す。まず、所定サ
イズの５００μｍ厚のシリコン板１１にＳｉＯ2からな
る絶縁膜１２及び２０μｍ厚のシリコン板１３を設けた
シリコン貼り合わせ基板を用意する（図６（ａ）参
照）。
法について述べる。図６（ａ）〜（ｃ）に、検査プロー
ブ及び検査治具の作製方法の一例を示す。まず、所定サ
イズの５００μｍ厚のシリコン板１１にＳｉＯ2からな
る絶縁膜１２及び２０μｍ厚のシリコン板１３を設けた
シリコン貼り合わせ基板を用意する（図６（ａ）参
照）。
【００１７】次に、フォトエッチングプロセスにより開
口部１５を有する支持基材１１ａ、支持基材１１ｂ、絶
縁膜１２ａ、幅１００μｍ、ピッチ１５０μｍのバネ状
リード１３ａ及び支持枠３１を形成し、バネ状リード１
３ａの先端部に電解めっきプロセスににて円錐状の銅電
極を形成し、表面にニッケル皮膜を形成した電極１４を
有する検査電極１０を作製する。さらに、支持枠３１の
側面にＳｉＯ2をスパッタして絶縁膜を形成し、さら
に、絶縁膜上に金を蒸着して金の導体層を形成し、パタ
ーニング処理し、さらにＳｉＯ2をスパッタして絶縁膜
を形成して対向電極３２を形成する（図６（ｂ）参
照）。
口部１５を有する支持基材１１ａ、支持基材１１ｂ、絶
縁膜１２ａ、幅１００μｍ、ピッチ１５０μｍのバネ状
リード１３ａ及び支持枠３１を形成し、バネ状リード１
３ａの先端部に電解めっきプロセスににて円錐状の銅電
極を形成し、表面にニッケル皮膜を形成した電極１４を
有する検査電極１０を作製する。さらに、支持枠３１の
側面にＳｉＯ2をスパッタして絶縁膜を形成し、さら
に、絶縁膜上に金を蒸着して金の導体層を形成し、パタ
ーニング処理し、さらにＳｉＯ2をスパッタして絶縁膜
を形成して対向電極３２を形成する（図６（ｂ）参
照）。
【００１８】次に、開口部１５側の支持基材１１ｂ上
に、電解めっき、ウィスカー等の膜形成技術と反応性イ
オンエッチング、マイクロマシニング等の微細加工を併
用した加工あるいは一体成型、ＬＩＧＡ（Ｌｉｔｈｏｇ
ｒａｐｈｉｅ Ｇａｌｂａｎｏｆｏｒｍｕｎｇ Ａｂｆ
ｏｒｍｕｎｇ）プロセスによる型押し法などの方法でか
ぎ型２１、支点２２及びラッチアーム２３を有するラッ
チ機構２０を作製し、ラッチアーム２３の側面にＳｉＯ
2をスパッタして絶縁膜を形成し、さらに、絶縁膜上に
金を蒸着して金の導体層を形成し、パターニング処理
し、さらにＳｉＯ2をスパッタして絶縁膜を形成して可
動電極３３を形成し、検査電極１０、ラッチ機構２０及
び検査電極制御機構３０からなる検査プローブ５０が作
製され（図６（ｃ）参照）、多面付けプロセスで行って
いるので検査治具１００を得ることができる。
に、電解めっき、ウィスカー等の膜形成技術と反応性イ
オンエッチング、マイクロマシニング等の微細加工を併
用した加工あるいは一体成型、ＬＩＧＡ（Ｌｉｔｈｏｇ
ｒａｐｈｉｅ Ｇａｌｂａｎｏｆｏｒｍｕｎｇ Ａｂｆ
ｏｒｍｕｎｇ）プロセスによる型押し法などの方法でか
ぎ型２１、支点２２及びラッチアーム２３を有するラッ
チ機構２０を作製し、ラッチアーム２３の側面にＳｉＯ
2をスパッタして絶縁膜を形成し、さらに、絶縁膜上に
金を蒸着して金の導体層を形成し、パターニング処理
し、さらにＳｉＯ2をスパッタして絶縁膜を形成して可
動電極３３を形成し、検査電極１０、ラッチ機構２０及
び検査電極制御機構３０からなる検査プローブ５０が作
製され（図６（ｃ）参照）、多面付けプロセスで行って
いるので検査治具１００を得ることができる。
【００１９】上記検査治具１００を用いて、検査プロー
ブ５０のアクティブ、ノンアクティブ状態をセットした
選択接触により半導体パッケージの電気特性検査を行っ
た結果目的位置の検査対象上の端子電極について電気検
査を行うことができた。
ブ５０のアクティブ、ノンアクティブ状態をセットした
選択接触により半導体パッケージの電気特性検査を行っ
た結果目的位置の検査対象上の端子電極について電気検
査を行うことができた。
【００２０】
【発明の効果】上記したように本発明の検査治具を用い
ることにより、１００μ以下の端子電極を有する狭ピッ
チ多ピン化対応の半導体パッケージ等マトリックスアレ
イ状に配置されたリード端子の選択接触による電気特性
検査を容易に、確実に行うことができる。
ることにより、１００μ以下の端子電極を有する狭ピッ
チ多ピン化対応の半導体パッケージ等マトリックスアレ
イ状に配置されたリード端子の選択接触による電気特性
検査を容易に、確実に行うことができる。
【図１】本発明の検査プローブをマトリックス状に配置
した本発明の検査治具の一実施例を示す模式平面図であ
る。
した本発明の検査治具の一実施例を示す模式平面図であ
る。
【図２】図１の検査プローブをＡ−Ａ’線で切断した本
発明の検査プローブの一実施例を示す模式構成断面図で
ある。
発明の検査プローブの一実施例を示す模式構成断面図で
ある。
【図３】本発明の検査治具の選択接触の動作機構を示す
説明図である。
説明図である。
【図４】本発明の検査治具の選択接触の動作機構を示す
説明図である。
説明図である。
【図５】本発明の検査治具の選択接触の動作機構を示す
説明図である。
説明図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、検査プローブの作製方法の
一例を示す模式構成断面図である。
一例を示す模式構成断面図である。
【図７】従来の検査治具を用いて半導体パッケージを検
査している状態を示す説明図である。
査している状態を示す説明図である。
【図８】従来の検査治具を用いて半導体パッケージを検
査している状態を示す説明図である。
査している状態を示す説明図である。
１０……検査電極
１１、１３……シリコン基板
１１ａ、１１ｂ……支持基材
１２、１２ａ……絶縁膜
１３ａ……ばね状リード
１４……電極
１５……開口部
２０……ラッチ機構
２１……かぎ型
２２……支点
２３……ラッチアーム
３０……検査電極制御機構
３１……支持枠
３２……対向電極
３３……可動電極
５０……検査プローブ
７０、１００……検査治具
７１……支持基板
７２……ばね状接触電極
７３……ガイド機構
８０……半導体パッケージ
８１……リード端子
８２……モールド樹脂
８２ａ……テーパー部
９０……保持移動機構
Claims (3)
- 【請求項１】支持基材（１１ａ）と絶縁膜（１２ａ）と
ばね状リード（１３ａ）とばね状リード（１３ａ）の先
端に形成された電極（１４）とからなる検査電極（１
０）と、かぎ型（２１）と支点（２２）とラッチアーム
（２３）とからなるラッチ機構（２０）と、支持基材
（１１ａ）上に形成された支持枠（３１）と支持枠（３
１）の側面に形成された対向電極（３２）とラッチアー
ム（２３）の側面に形成された可動電極（３３）とから
なる検査電極制御機構（３０）とから構成されているこ
とを特徴とする検査プローブ。 - 【請求項２】前記検査電極制御機構（３０）は、前記可
動電極（３３）と前記対向電極（３２）に電圧を印加す
ることにより前記ラッチ機構（２０）の支点（２２）を
介して前記ばね状リード（１３ａ）の先端に形成された
前記電極（１４）をアクティブ、あるいはノンアクティ
ブ状態にできることを特徴とする請求項１記載の検査プ
ローブ。 - 【請求項３】請求項１または請求項２記載の検査プロー
ブ（５０）をマトリックス状に配置して検査治具（１０
０）を形成し、前記検査電極制御機構（３０）により複
数の任意の前記検査プローブ（５０）をアクティブ、あ
るいはノンアクティブ状態の選択接触にできることを特
徴とする検査治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001393989A JP4062919B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 検査プローブ及びこれを用いた検査治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001393989A JP4062919B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 検査プローブ及びこれを用いた検査治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003194877A true JP2003194877A (ja) | 2003-07-09 |
| JP4062919B2 JP4062919B2 (ja) | 2008-03-19 |
Family
ID=27600842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001393989A Expired - Fee Related JP4062919B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 検査プローブ及びこれを用いた検査治具 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4062919B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102707221A (zh) * | 2011-04-22 | 2012-10-03 | 苏州市科林源电子有限公司 | 一种充分利用探针使用寿命的pcb板测试治具 |
-
2001
- 2001-12-26 JP JP2001393989A patent/JP4062919B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4062919B2 (ja) | 2008-03-19 |
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