JP2003193290A - Copper foil with resistance layer and production method therefor - Google Patents

Copper foil with resistance layer and production method therefor

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JP2003193290A JP2001401408A JP2001401408A JP2003193290A JP 2003193290 A JP2003193290 A JP 2003193290A JP 2001401408 A JP2001401408 A JP 2001401408A JP 2001401408 A JP2001401408 A JP 2001401408A JP 2003193290 A JP2003193290 A JP 2003193290A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide copper foil provided with a resistance layer which has a high sheet resistance value, and is hardly dissolved simultaneously with copper, and to provide a production method therefor. <P>SOLUTION: The copper foil A with a resistance layer is used so as to be laminated with an insulating base material, and both sides have a surface roughness of 0.5 to 2.5 μm by a 10 point mean roughness (Rz) prescribed by JIS B 0601. A resistance layer 2 consisting of an electrically conductive material having an electrical resistivity of 0.05 to 2 μΩ m is formed on at least either surface 1a of substrate copper foil 1 to a thickness, suitably, of 5 to 300 mg/m<SP>2</SP>. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は抵抗層付き銅箔とそ
の製造方法に関し、更に詳しくは、絶縁基材にラミネー
トすることにより高抵抗でファインな抵抗回路が内蔵さ
れたプリント回路基板を製造する際に用いて好適な抵抗
層付き銅箔と、それを製造する方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a copper foil with a resistance layer and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a printed circuit board having a high resistance and a fine resistance circuit built therein by laminating it on an insulating base material. The present invention relates to a copper foil with a resistance layer that is suitable for use in this case and a method for producing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】携帯電話に代表されるように、各種の機
能を備えた電気・電子機器の軽薄短小化が急速に進んで
いる。その発展は、各種半導体部品の微小製造技術，半
導体部品を搭載するプリント回路基板の多層化技術、更
にはプリント回路基板への搭載部品の高密度実装技術な
どで裏付けられている。2. Description of the Related Art As represented by a mobile phone, electric / electronic devices having various functions have been rapidly reduced in size and weight. The development is supported by a technique for microfabrication of various semiconductor components, a technique for multilayering a printed circuit board on which semiconductor components are mounted, and a technique for mounting components mounted on the printed circuit board at high density.

【０００３】そして、最近の消費者動向として、更なる
軽薄短小化への要求が強まっている。しかしながら、搭
載部品の微小化には限界があり、従来の表面実装技術を
前提にすると、それら部品の高密度実装化も限界に近づ
きつつある。このようなことから、プリント回路基板の
表面のうち、可成りの面積を占める搭載部品の面積を小
さくするために、搭載部品の実装点数を低減化すること
が求められている。As a recent consumer trend, there is an increasing demand for further reduction in size, weight, and size. However, there is a limit to miniaturization of mounted components, and given the conventional surface mounting technology, high density mounting of those components is approaching the limit. For this reason, in order to reduce the area of the mounted components that occupy a considerable area on the surface of the printed circuit board, it is required to reduce the number of mounted components.

【０００４】このような要求に応える試みの１つとし
て、大きな実装面積を占める部品（例えば、インダク
タ，キャパシタ，抵抗器など）をプリント回路基板の内
層側に内蔵して、実質的な高密度実装とコスト低減、お
よび性能向上を実現するための努力がなされている。こ
の部品内蔵化の技術に関しては、例えば多層構造のセラ
ミック回路基板において、その内層に厚膜ペーストなど
の導電性ペーストを焼き付けることにより抵抗回路のパ
ターンを形成したものが知られている。As one of the attempts to meet such demands, components occupying a large mounting area (for example, inductors, capacitors, resistors, etc.) are built in the inner layer side of the printed circuit board to realize substantially high density mounting. Efforts have been made to reduce costs and improve performance. As a technique for embedding this component, for example, in a ceramic circuit board having a multilayer structure, a pattern of a resistance circuit is formed by baking a conductive paste such as a thick film paste on the inner layer thereof.

【０００５】しかしながら、このセラミック回路基板の
場合、抵抗回路のパターンをトリミングして抵抗回路の
抵抗値を所定値に調整することができず、また内蔵され
ている抵抗回路の抵抗値の精度が低く、更には高価格で
もある。そのため、従来から汎用されている樹脂基材を
用いて製造されるプリント回路基板に対比すると、用途
は限定され、また、将来予想されるシステムＬＳＩなど
の能動部品の内蔵化は不可能である。However, in the case of this ceramic circuit board, the resistance value of the resistance circuit cannot be adjusted to a predetermined value by trimming the pattern of the resistance circuit, and the accuracy of the resistance value of the built-in resistance circuit is low. It is also expensive. Therefore, compared with a printed circuit board manufactured using a resin base material that has been widely used in the past, its use is limited, and it is impossible to incorporate an active component such as a system LSI expected in the future.

【０００６】一方、導体回路形成用の銅箔の片面または
両面に、抵抗回路を形成するための材料層（抵抗層とい
う）を形成して成る抵抗層付き銅箔を樹脂基材にラミネ
ートして製造する抵抗回路内蔵型のプリント回路基板が
知られている。このプリント回路基板は、概ね、次のよ
うにして製造される。まず、上記した銅箔の抵抗層側の
面と絶縁樹脂から成る基材とをラミネートして銅張り積
層板にする。ついで、所定のエッチャントで１次エッチ
ングを行って、銅箔と抵抗層が一体化した状態になって
いる所定の回路パターンを形成し、ついで、この回路パ
ターンの表面側に位置する導体回路（銅箔）に対して２
次エッチングを行って当該銅箔の必要箇所のみを選択的
にエッチング除去し、その箇所の抵抗層は残置させる。
その後、全体の上に更に絶縁基材を積層し、抵抗層を内
蔵する。On the other hand, a copper foil with a resistance layer formed by forming a material layer (referred to as a resistance layer) for forming a resistance circuit on one or both sides of a copper foil for forming a conductor circuit is laminated on a resin base material. A printed circuit board with a built-in resistance circuit is known. This printed circuit board is generally manufactured as follows. First, the surface of the copper foil on the resistance layer side and the base material made of an insulating resin are laminated to form a copper-clad laminate. Then, primary etching is performed with a predetermined etchant to form a predetermined circuit pattern in which the copper foil and the resistance layer are integrated, and then the conductor circuit (copper circuit) located on the surface side of this circuit pattern is formed. 2 for foil)
The next etching is performed to selectively remove only the necessary portion of the copper foil by etching, and the resistance layer at that portion is left.
After that, an insulating base material is further laminated on the entire surface to incorporate a resistance layer.

【０００７】このようなプリント回路基板の例として
は、Ohmega Technologies, Inc.からOmega-plyの商品名
で抵抗層付き銅張り積層板が市販されている。しかしな
がら、この抵抗層付き銅張り積層板は、シート抵抗値の
最高値が２５０Ω／sq程度と低く、また価格も従来の銅
張り積層板の１０倍以上であるため、可成り特殊な用途
に限定使用されるにとどまっている。[0007] As an example of such a printed circuit board, a copper clad laminate with a resistance layer is commercially available from Ohmega Technologies, Inc. under the trade name of Omega-ply. However, this copper-clad laminate with a resistance layer has a low maximum sheet resistance value of about 250Ω / sq, and the price is 10 times or more that of the conventional copper-clad laminate, so it is limited to special applications. Only used.

【０００８】また、特公昭５５−４２５１０号公報に
は、Ｓｎ−Ｎｉ合金で抵抗回路パターンを配線した抵抗
層内蔵のプリント回路基板が開示され、特開昭５８−２
２０４９１号公報には、Ｓｎ−Ｎｉ−Ｓの３元合金で抵
抗回路パターンを形成したプリント回路基板が開示され
ている。しかしながら、これらのプリント回路基板は、
いずれも、抵抗層のＳｎ成分が導体回路であるＣｕ成分
と室温下においても反応してＳｎ−Ｃｕ化合物を生成す
るので、時間経過とともに、または高温環境下にある
と、上記反応生成物の成長が進んで抵抗回路の抵抗値が
変化するという問題が生ずる。Further, Japanese Patent Publication No. 55-42510 discloses a printed circuit board having a resistor layer in which a resistor circuit pattern is made of an Sn-Ni alloy, and is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 58-2.
Japanese Patent No. 20491 discloses a printed circuit board in which a resistance circuit pattern is formed of a Sn-Ni-S ternary alloy. However, these printed circuit boards
In both cases, the Sn component of the resistance layer reacts with the Cu component of the conductor circuit even at room temperature to form a Sn-Cu compound, so that the reaction product grows with the passage of time or in a high temperature environment. Occurs and the resistance value of the resistance circuit changes, which causes a problem.

【０００９】また、後者のプリント回路基板の場合に
は、Ｃｕ成分がＳ成分で腐食されることもあるので、抵
抗回路の経時的な抵抗値の変化という問題だけではな
く、導体回路それ自体も変質するという問題が発生す
る。なお、抵抗層の構成材料としては、例えば特許第３
０２２９６９号に、金属ＣｒにＣ成分とＯ成分を含む材
料が記載されている。この抵抗層は、導電性材料と絶縁
材料の積層箔であって、厚み０.１〜０.４μｍで、その
シート抵抗値は１５〜１０００Ω／sqである。Further, in the latter printed circuit board, since the Cu component may be corroded by the S component, not only the problem that the resistance value of the resistance circuit changes with time, but also the conductor circuit itself. The problem of deterioration occurs. As a constituent material of the resistance layer, for example, Patent Document 3
No. 022969 describes a material containing a C component and an O component in metallic Cr. The resistance layer is a laminated foil of a conductive material and an insulating material, has a thickness of 0.1 to 0.4 μm, and has a sheet resistance value of 15 to 1000 Ω / sq.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】ところで、現在汎用さ
れているプリント回路基板に実装されている抵抗器の抵
抗値は、概ね、１０Ω／sq〜５００kΩ／sqの範囲内に
ある。しかしながら、前記した抵抗回路内蔵型の従来の
プリント回路基板の場合、その抵抗層のシート抵抗値は
高々１kΩ／sq程度であり、上記した１０Ω／sq〜５０
０kΩ／sqの範囲に比べれば低い水準にある。By the way, the resistance value of a resistor mounted on a currently widely used printed circuit board is generally within the range of 10 Ω / sq to 500 kΩ / sq. However, in the case of the conventional printed circuit board with a built-in resistance circuit, the sheet resistance value of the resistance layer is about 1 kΩ / sq at most, and the above-mentioned 10 Ω / sq to 50 Ω / sq.
It is at a lower level than the range of 0 kΩ / sq.

【００１１】したがって、このような抵抗回路内蔵型の
プリント回路基板において、その抵抗回路の抵抗値を現
行の水準にまで高めようとすると、抵抗回路パターンの
全長を長くしなければならない。しかしながら、そのよ
うな対策の場合、内蔵されている抵抗回路パターンの面
積を大きくすることが必要となり、その結果、他の実装
部品の搭載面積は小さくなり、その高密度実装が阻害さ
れてしまう。Therefore, in such a printed circuit board with a built-in resistance circuit, if the resistance value of the resistance circuit is to be increased to the current level, the total length of the resistance circuit pattern must be lengthened. However, in the case of such measures, it is necessary to increase the area of the built-in resistance circuit pattern, and as a result, the mounting area of other mounting components becomes small, which hinders high-density mounting.

【００１２】また、特許第３０２２９６９号に記載され
ている抵抗層は、そのシート抵抗値が１kΩ／sq程度で
あり、確かに、前記した他の先行技術の場合に比べれば
高い水準にある。しかしながら、その構成材料は金属Ｃ
ｒ系であって、いわば汎用材料とはいえないという問題
がある。例えば高価格である。また、前記した１次エッ
チング時に使用するエッチャントは抵抗層の金属Ｃｒ系
材料もエッチング除去できるものでなければならないの
で、特殊なものとなり、またエッチング条件も厳しくな
るという問題が生ずる。しかも、そのような過酷なエッ
チング条件に、既に形成されている導体回路（Ｃｕ）も
晒されるので、結局、形成された導体回路の信頼性は低
下し、同時に抵抗回路の抵抗値精度も低下することがあ
る。The resistance layer described in Japanese Patent No. 3022969 has a sheet resistance value of about 1 kΩ / sq, which is certainly higher than those of the other prior arts mentioned above. However, its constituent material is metal C
There is a problem that it is an r-based material and cannot be called a general-purpose material. For example, it is expensive. Further, since the etchant used in the above-mentioned primary etching must be capable of etching and removing the metal Cr-based material of the resistance layer, it becomes a special one and the etching condition becomes severe. Moreover, since the conductor circuit (Cu) already formed is also exposed to such harsh etching conditions, the reliability of the formed conductor circuit eventually decreases, and at the same time, the resistance value accuracy of the resistance circuit also decreases. Sometimes.

【００１３】また、従来からある抵抗層付き銅箔に用い
られている銅箔（基体銅箔）は、そのほとんどが電解銅
箔である。この電解銅箔は、一般に、表面がＴｉやステ
ンレス鋼から成る回転ドラムの当該表面にＣｕを連続的
に電着させて銅箔を成膜したのち、その銅箔を連続的に
剥離して製造されている。製造された銅箔は、通常、回
転ドラム側の表面が平滑で光沢面になっていてシャイニ
ー面（Ｓ面）と呼ばれ、電解めっき液側の表面が粗面に
なっていてマット面（Ｍ面）と呼ばれている。Most of the copper foils (base copper foils) conventionally used for copper foils with a resistance layer are electrolytic copper foils. This electrolytic copper foil is generally produced by continuously electrodepositing Cu on the surface of a rotating drum made of Ti or stainless steel to form a copper foil film, and then continuously peeling the copper foil. Has been done. The produced copper foil is usually called a shiny surface (S surface) because the surface on the rotating drum side is smooth and glossy, and the matte surface (M Surface).

【００１４】そして、抵抗層付き銅箔の製造に際して
は、従来、上記した粗面（Ｍ面）に抵抗層が形成されて
いるのが通例である。ラミネート後に樹脂絶縁基材との
接合強度を確保するためである。しかしながら、最近の
プリント回路基板において強く要求されている配線のフ
ァインパターン化という問題との関係では、上記した抵
抗層付き銅箔を用いると、１次エッチングや２次エッチ
ング時にファインな導体回路や抵抗回路を形成すること
が困難であるという問題が生じている。When manufacturing a copper foil with a resistance layer, it has been customary in the past to form a resistance layer on the rough surface (M surface). This is to ensure the bonding strength with the resin insulating substrate after lamination. However, in relation to the problem of fine patterning of wiring, which has been strongly demanded in recent printed circuit boards, the use of the above-mentioned copper foil with a resistance layer makes it possible to obtain fine conductor circuits and resistors during primary etching and secondary etching. There is a problem that it is difficult to form a circuit.

【００１５】本発明は、従来の抵抗回路内蔵型のプリン
ト回路基板における上記した問題を解決することができ
る抵抗層付き銅箔とその製造方法の提供を目的とする。
具体的には、抵抗層が現行のチップ抵抗器の抵抗値と近
似した大きさの抵抗値を有し、しかも、１次エッチング
時や２次エッチング時には、現行のエッチャントを用い
ることにより、銅箔と抵抗層の同時溶解，銅箔のみの選
択的なエッチングのいずれもが可能である材料で構成さ
れており、更には、ファインな導体回路と抵抗回路を形
成することができる抵抗層付き銅箔の提供を目的とす
る。An object of the present invention is to provide a copper foil with a resistance layer and a method for manufacturing the same, which can solve the above-mentioned problems in a conventional printed circuit board having a built-in resistance circuit.
Specifically, the resistance layer has a resistance value similar to the resistance value of the current chip resistor, and, at the time of the primary etching and the secondary etching, by using the current etchant, the copper foil can be formed. And a resistance layer are simultaneously melted, and the copper foil is made of a material that can selectively etch only the copper foil. Furthermore, a copper foil with a resistance layer that can form a fine conductor circuit and a resistance circuit. For the purpose of providing.

【００１６】[0016]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、絶縁基材とラミネートして
使用される抵抗層付き銅箔であって、両面がＪＩＳ Ｂ
０６０１で規定する１０点平均粗さ（Rz）で０.５〜
２.５μｍの光沢面になっている基体銅箔の少なくとも
一方の表面に、電気抵抗率が０.０５〜２μΩ・ｍであ
る導電性物質から成る抵抗層が形成されていることを特
徴とする抵抗層付き銅箔が提供される。In order to achieve the above-mentioned object, in the present invention, a copper foil with a resistance layer, which is used by laminating it with an insulating base material, has both sides according to JIS B
10-point average roughness (Rz) specified by 0601 is 0.5 to 0.5
A resistive layer made of a conductive substance having an electric resistivity of 0.05 to 2 μΩ · m is formed on at least one surface of a base copper foil having a glossy surface of 2.5 μm. A copper foil with a resistance layer is provided.

【００１７】また、本発明においては、基体銅箔の表面
に導電性物質から成る前記抵抗層を電析で形成する際
に、電解めっき液として、前記導電性物質のイオンを含
み、かつ、塩素イオン濃度が１０ppm以下、Ｃｕイオン
濃度が２０ppm以下である水溶液を用いることを特徴と
する抵抗層付き銅箔の製造方法が提供される。Further, in the present invention, when the resistance layer made of a conductive substance is formed on the surface of the base copper foil by electrodeposition, the electrolytic plating solution contains ions of the conductive substance and contains chlorine. Provided is a method for producing a copper foil with a resistance layer, which comprises using an aqueous solution having an ion concentration of 10 ppm or less and a Cu ion concentration of 20 ppm or less.

【００１８】[0018]

【発明の実施の形態】図１は本発明の抵抗層付き銅箔の
基本例Ａを示す。この銅箔Ａは、基体銅箔１の片面１ａ
に後述する抵抗層２が形成されている。また、抵抗層２
は両面に形成されていてもよい。ここで、基体銅箔１と
しては、圧延銅箔や後述する電解銅箔のいずれであって
もよいが、その両面１ａ，１ｂは、ＪＩＳ Ｂ ０６０
１で規定する１０点平均粗さ（Rz）で０.５〜２.５μｍ
の光沢面になっているものが使用される。1 shows a basic example A of a copper foil with a resistance layer according to the present invention. This copper foil A is one side 1a of the base copper foil 1.
A resistance layer 2 to be described later is formed therein. In addition, the resistance layer 2
May be formed on both sides. Here, the base copper foil 1 may be either a rolled copper foil or an electro-deposited copper foil described later, and both surfaces 1a and 1b thereof are JIS B 060.
10-point average roughness (Rz) specified by 1 is 0.5 to 2.5 μm
The one with a glossy surface is used.

【００１９】なお、圧延銅箔は、一般に、銅の鋳塊に熱
間圧延，冷間圧延を行って製造されており、その両面は
光沢面であるが、電解銅箔の場合は、Ｓ面とＭ面を有
し、片面のみが光沢面になっている。しかしながら、通
常の圧延銅箔の表面には、圧延ロール表面の微細な疵や
オイルピットなどによる圧延痕が発生することがあり、
しかもその圧延痕は上記Rz値より大きい粗さであるた
め、圧延銅箔を使用する場合、前記圧延痕が発生してい
ないものを使用すべきである。The rolled copper foil is generally manufactured by hot-rolling and cold-rolling a copper ingot, and both sides thereof have glossy surfaces. And M surface, and only one surface is glossy. However, on the surface of a normal rolled copper foil, rolling marks due to fine scratches or oil pits on the surface of the rolling roll may occur,
Moreover, since the rolling marks have a roughness larger than the Rz value, when a rolled copper foil is used, one that does not have the rolling marks should be used.

【００２０】一方、Ｓ面とＭ面を有する電解銅箔の場
合、電解めっき液にメルカプト基を有する化合物を添加
してカソード電解を行うと、Ｓ面よりもＭ面の方が平滑
であって、かつ、優れた機械的特性と耐熱性を有する電
解銅箔を製造することができる。なお、上記したメルカ
プト基を有する化合物に加えて、更に、塩素イオンと、
デンプンやセルロース誘導体に代表される高分子多糖
類、または低分子量の膠を電解めっき液に添加すると、
一層優れた両面光沢の電解銅箔を得ることができる。On the other hand, in the case of an electrolytic copper foil having an S surface and an M surface, when a compound having a mercapto group is added to an electrolytic plating solution and cathodic electrolysis is performed, the M surface is smoother than the S surface. In addition, it is possible to produce an electrolytic copper foil having excellent mechanical properties and heat resistance. In addition to the above-mentioned compound having a mercapto group, further, a chlorine ion,
When high-molecular polysaccharides typified by starch or cellulose derivatives or low-molecular-weight glue are added to the electroplating solution,
It is possible to obtain an electrolytic copper foil having a more excellent double-sided gloss.

【００２１】上記したセルロース誘導体としては、例え
ばカルボキシメチルセルロースナトリウムやカルボキシ
メチルヒドロキシエチルセルロースエーテルのような水
溶性セルロースエーテルをあげることができる。また低
分子量の膠としては、例えば、ＰＢＦ（商品名、ニッピ
ゼラチン社製）やＰＣＲＡ（商品名、Peter Cooper社
製）のように、膠やゼラチンを酵素や酸またはアルカリ
で分解して例えば分子量を１万以下とし、ゼリー強度を
小さくしたものをあげることができる。Examples of the above-mentioned cellulose derivative include water-soluble cellulose ethers such as sodium carboxymethyl cellulose and carboxymethyl hydroxyethyl cellulose ether. As the low-molecular weight glue, for example, PBF (trade name, manufactured by Nippi Gelatin Co., Ltd.) or PCRA (trade name, manufactured by Peter Cooper Co., Ltd.) is used to decompose the glue or gelatin with an enzyme, an acid or an alkali, for example Of less than 10,000 and the jelly strength is reduced.

【００２２】また、メルカプト基を有する化合物として
は、例えば３−メルカプト１−プロパンスルホン酸塩，
ＨＳ(ＣＨ2)3ＳＯ3Ｎａなどをあげることができる。し
たがって、電解銅箔を使用する場合は、上記した方法で
製造した電解銅箔を、続いて、スキンパス程度の軽い圧
下率かまたはスキンパス以上の圧下率で圧延することに
より、両面を超平滑にして使用することが好ましい。Examples of the compound having a mercapto group include 3-mercapto 1-propanesulfonate,
HS (CH 2) such as 3 SO 3 Na and the like. Therefore, when using the electrolytic copper foil, the electrolytic copper foil produced by the method described above, followed by rolling at a light reduction rate of skin pass or a reduction rate of skin pass or more, to make both sides ultra smooth. Preference is given to using.

【００２３】銅箔Ａは、上記抵抗層２側の表面を例えば
ガラスエポキシ樹脂から成る絶縁基材（図示しない）と
ラミネートして使用される。したがって、ラミネート後
に得られた積層板においては、最外層が基体銅箔から成
り、抵抗層は絶縁基材と接合した状態で内蔵されること
になる。ここで、基体銅箔１の表面１ａ（１ｂ）のRz値
を０.５〜２.５μｍと規定した理由は以下のとおりであ
る。The copper foil A is used by laminating the surface on the resistance layer 2 side with an insulating base material (not shown) made of, for example, glass epoxy resin. Therefore, in the laminated plate obtained after lamination, the outermost layer is made of the base copper foil, and the resistance layer is incorporated in a state of being bonded to the insulating base material. Here, the reason why the Rz value of the surface 1a (1b) of the base copper foil 1 is specified to be 0.5 to 2.5 μm is as follows.

【００２４】Rz値が上記した値になっていると、その表
面は平滑である。そのため、後述する抵抗層を均一にか
つ薄く形成することができる。その結果、絶縁基材との
ラミネート後における１次エッチング時や２次エッチン
グ時に、ファインな回路パターンの形成が可能であると
ともに、Ｃｕの選択的なエッチング除去が可能で、形成
された抵抗回路の抵抗値が非常に高くなるからである。When the Rz value is the above value, the surface is smooth. Therefore, the resistance layer described later can be formed uniformly and thinly. As a result, a fine circuit pattern can be formed at the time of the primary etching or the secondary etching after laminating with the insulating base material, and Cu can be selectively removed by etching. This is because the resistance value becomes very high.

【００２５】次に抵抗層２について説明する。この抵抗
層２は、電気抵抗率が０.０５〜２μΩ・ｍである導電
性物質で構成される。具体的には、上記導電性物質を基
体銅箔１の表面に電析で形成して抵抗層とすることが好
適である。なお、上記した電気抵抗率は温度２９８Ｋ近
辺における値である。Next, the resistance layer 2 will be described. The resistance layer 2 is made of a conductive material having an electric resistivity of 0.05 to 2 μΩ · m. Specifically, it is preferable that the conductive material is formed on the surface of the base copper foil 1 by electrodeposition to form a resistance layer. The above-mentioned electrical resistivity is a value near a temperature of 298K.

【００２６】抵抗層２は、最終的には内蔵された抵抗回
路のパターンに転化するとはいえ、広い範囲の導電性を
備えていることが必要であり、また、高抵抗の抵抗回路
になるためには、薄く、しかも厚みのばらつきがない均
一な層として形成されることが必要である。このような
ことを勘案すると、抵抗層の形成方法としては、銅箔へ
の均一皮膜形成に最も好適である電析を適用することが
好ましい。Although the resistance layer 2 will eventually be converted into the pattern of the built-in resistance circuit, it is necessary that it has a wide range of conductivity, and since it becomes a high resistance resistance circuit. It is necessary to form a thin, uniform layer having no variation in thickness. Taking this into consideration, it is preferable to apply electrodeposition, which is most suitable for forming a uniform film on the copper foil, as a method for forming the resistance layer.

【００２７】その場合、電気抵抗率が０.０５μΩ・ｍ
より小さい導電性物質で抵抗層２を形成すると、高いシ
ート抵抗値の抵抗層を形成するためには、当該抵抗層の
厚みを非常に薄くすることが必要になる。しかし、その
ような薄い抵抗層では、２次エッチング（銅の選択的エ
ッチング）時に基体銅箔と共に溶解されやすくなり、結
局、厚みが均一な層形成が困難になる。また、電気抵抗
率が２μΩ・ｍより大きい導電性物質の抵抗層を電析で
形成することは極めて困難である。In that case, the electrical resistivity is 0.05 μΩ · m.
When the resistance layer 2 is formed of a smaller conductive material, it is necessary to make the resistance layer extremely thin in order to form a resistance layer having a high sheet resistance value. However, such a thin resistance layer is likely to be dissolved together with the base copper foil during the secondary etching (selective etching of copper), and eventually it becomes difficult to form a layer having a uniform thickness. Further, it is extremely difficult to form a resistance layer of a conductive substance having an electric resistivity of more than 2 μΩ · m by electrodeposition.

【００２８】このようなことから、抵抗層の形成に際し
ては、電気抵抗率が０.０５〜２μΩ・ｍである導電性
物質が使用される。なお、ここでいうシート抵抗値と
は、これら銅箔Ａ，Ｂの抵抗層側を絶縁基材とラミネー
トしたのち、表面の基体銅箔のみを選択的にエッチング
除去し、残存する抵抗層について測定される抵抗値のこ
とである。Therefore, when forming the resistance layer, a conductive substance having an electric resistivity of 0.05 to 2 μΩ · m is used. The sheet resistance value referred to here means that after the resistance layer side of these copper foils A and B is laminated with an insulating base material, only the base copper foil on the surface is selectively removed by etching, and the remaining resistance layer is measured. It is the resistance value.

【００２９】抵抗層は、用いる導電性物質の種類に応じ
て、次の２つのタイプのものになる。第１のタイプの抵
抗層は、９８質量％以上の単一成分を主成分として含
み、残部は不可避的不純物または１質量％未満のＣｕ成
分を含むものである。第２のタイプの抵抗層は、９５質
量％以上の主成分と３質量％以下の副成分を含み、残部
は不可避的不純物または１質量％未満のＣｕ成分を含む
ものである。The resistance layer is of the following two types, depending on the type of conductive material used. The first type resistance layer contains 98 mass% or more of a single component as a main component, and the balance contains inevitable impurities or less than 1 mass% of Cu component. The second type resistance layer contains 95% by mass or more of the main component and 3% by mass or less of the accessory component, and the balance contains inevitable impurities or less than 1% by mass of the Cu component.

【００３０】第１のタイプの抵抗層における単一成分と
しては、例えば、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｐｄ，Ｂｉのいずれかを
あげることができる。また、Ｎｉ−Ｐｄ，Ｎｉ−Ｃｏの
ような共析相や、Ｐｔ単体も使用することができる。ま
た第２のタイプの抵抗層の場合、主成分としては上記し
た金属のいずれかを、副成分としては主成分の種類に応
じて例えばＰ，Ｂ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｗのいずれかをあげる
ことができる。As the single component in the first type resistance layer, for example, any one of Ni, Co, Pd and Bi can be cited. Further, a eutectoid phase such as Ni-Pd or Ni-Co, or Pt simple substance can also be used. In the case of the second type resistance layer, one of the above-mentioned metals is used as the main component, and any one of P, B, Pd, Bi and W is used as the sub-component depending on the type of the main component. You can

【００３１】すなわち、第２のタイプの抵抗層の場合、
主成分と副成分を組み合わせた導電性物質としては、例
えば、前者を主成分、後者を副成分としたとき、Ｎｉ−
Ｐ，Ｎｉ−Ｂ，Ｃｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｂ，Ｎｉ−Ｂｉ，Ｎｉ
−Ｗ，Ｎｉ−Ｐｄなどをあげることができる。第１のタ
イプの抵抗層，第２のタイプの抵抗層は、上記した導電
性物質を主体として構成されているが、更には、不可避
的不純物または１質量％未満のＣｕ成分が含まれていて
もよい。That is, in the case of the second type resistance layer,
As the conductive material in which the main component and the subcomponent are combined, for example, when the former is the main component and the latter is the subcomponent, Ni-
P, Ni-B, Co-P, Co-B, Ni-Bi, Ni
-W, Ni-Pd, etc. can be mentioned. The first type resistance layer and the second type resistance layer are mainly composed of the above-mentioned conductive material, but further contain inevitable impurities or a Cu component of less than 1% by mass. Good.

【００３２】これらのうち、Ｃｕ成分の含有量が規制さ
れる理由は以下のとおりである。まず、銅箔Ａは、抵抗
層側の面を絶縁基材にラミネートとしたのち１次エッチ
ングを行って、一旦、基体銅箔と抵抗層２が積層された
状態で所定パターンの回路を形成する。ついで、２次エ
ッチングを行って、抵抗回路を形成したい部分の基体銅
箔部分を選択的にエッチング除去して所望するパターン
の抵抗回路が形成される。Among these, the reason why the content of the Cu component is regulated is as follows. First, the surface of the copper foil A on the resistance layer side is laminated on an insulating base material, and then primary etching is performed to once form a circuit having a predetermined pattern with the base copper foil and the resistance layer 2 being laminated. . Then, secondary etching is performed to selectively remove the base copper foil portion where the resistance circuit is to be formed by etching to form a resistance circuit having a desired pattern.

【００３３】その場合、抵抗層にＣｕ成分が含有されて
いると、上記したエッチングの過程で抵抗層のＣｕ成分
が溶解除去されることになる。その結果、抵抗層の均一
性は劣化し、そのシート抵抗値のばらつきが大きくな
る。また、オーバーエッチングも起こりやすくなり、シ
ート抵抗値が設計値よりも大きくなるという事態が発生
する。更には、Ｃｕ成分を含有したままの状態で抵抗回
路がプリント回路基板に内蔵されていると、時間経過と
ともに、Ｃｕ成分の酸化や腐食などにより抵抗回路の抵
抗値が変動し、プリント回路基板の長期信頼性は低下す
る。In this case, if the resistance layer contains a Cu component, the Cu component of the resistance layer is dissolved and removed in the above-described etching process. As a result, the uniformity of the resistance layer deteriorates, and the variation in the sheet resistance value increases. Also, over-etching is likely to occur, and the sheet resistance value becomes larger than the design value. Furthermore, if the resistance circuit is contained in the printed circuit board while containing the Cu component, the resistance value of the resistance circuit fluctuates with the passage of time due to oxidation or corrosion of the Cu component, and Long-term reliability is reduced.

【００３４】このような事態の発生を防止するために、
銅箔Ａの抵抗層においては、Ｃｕ成分を含有しないこと
を最適とするが、含有されている場合であってもその含
有量は１質量％以下に規制される。なお、銅箔Ａの場
合、１次エッチング時には、回路パターン形成に従来か
ら使用されている塩化第二銅や塩化第二鉄の水溶液をエ
ッチャントとして用いることができる。これらのエッチ
ャントは、基体銅箔と抵抗層を所定の回路パターンで同
時に形成することができる。In order to prevent such a situation from occurring,
In the resistance layer of the copper foil A, it is optimal not to contain the Cu component, but even when it is contained, the content is regulated to 1% by mass or less. In the case of the copper foil A, an aqueous solution of cupric chloride or ferric chloride, which has been conventionally used for forming a circuit pattern, can be used as an etchant during the primary etching. These etchants can simultaneously form a base copper foil and a resistance layer with a predetermined circuit pattern.

【００３５】基体銅箔のみを選択的にエッチング除去す
る２次エッチングにおいては、アルカリアンモニア系，
過酸化水素−硫酸系などの一般的なエッチャントを用い
ることができる。これらの抵抗層の厚みは５〜３００mg
／ｍ2に設定されることが好ましい。この厚みが５mg／
ｍ2より薄い場合は、前記した２次エッチング時におけ
る銅箔の選択的なエッチング除去が円滑に進まず、抵抗
層も部分的にエッチング除去されてしまうので、形成さ
れた抵抗回路の抵抗値のばらつきが大きくなるからであ
る。とくに第２のタイプの抵抗層の場合はその傾向が強
く発現する。In the secondary etching in which only the base copper foil is selectively removed by etching, an alkali ammonia system,
A general etchant such as a hydrogen peroxide-sulfuric acid system can be used. The thickness of these resistive layers is 5-300 mg
It is preferably set to / m 2 . This thickness is 5 mg /
If the thickness is less than m 2, the selective etching removal of the copper foil during the above-described secondary etching does not proceed smoothly, and the resistance layer is also partially removed by etching. This is because the variation becomes large. Especially in the case of the second type resistance layer, this tendency is strongly exhibited.

【００３６】また、厚みが３００mg／ｍ2より厚くなる
と、そのシート抵抗値は５０Ω／sqを大きく下回るよう
になり、高抵抗の抵抗回路の形成という本発明の目的に
そぐわなくなるからである。なお、第１のタイプの抵抗
層の場合、その厚みを薄くしていくと急激にシート抵抗
値が高くなっていく。すなわち、抵抗層が薄くなると、
形成された抵抗層の厚みによってシート抵抗値は大きく
変動する。そのため、抵抗値が所定の設計値となるよう
に抵抗層の厚みを制御することが困難になる。Further, when the thickness is more than 300 mg / m 2 , the sheet resistance value becomes much lower than 50 Ω / sq, which is not suitable for the purpose of the present invention to form a high resistance circuit. In the case of the first type resistance layer, the sheet resistance value rapidly increases as the thickness thereof is reduced. That is, as the resistance layer becomes thinner,
The sheet resistance value greatly varies depending on the thickness of the formed resistance layer. Therefore, it becomes difficult to control the thickness of the resistance layer so that the resistance value becomes a predetermined design value.

【００３７】その点では、第２のタイプの抵抗層は、副
成分の配合量を調節することにより、高抵抗領域におい
て、その抵抗値を設計値にコントロールしやすいという
利点を備えている。例えば、Ｎｉ，Ｃｏを主成分とした
場合、副成分としてＰ，Ｂ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｗなどの配合
量を調節して抵抗値の制御が可能であり、Ｐｄを主成分
とした場合には、Ｎｉ，Ｐ，Ｂ，Ｗを副成分とし、所定
の抵抗値となるようにそれらの配合量を調節すればよ
く、Ｂを主成分とした場合には、Ｐ，Ｗを副成分として
それらの配合量を調節すればよい。In this respect, the resistance layer of the second type has an advantage that the resistance value can be easily controlled to the design value in the high resistance region by adjusting the blending amount of the subcomponents. For example, when Ni and Co are the main components, the resistance value can be controlled by adjusting the compounding amounts of P, B, Pd, Bi, W, etc. as sub-components. , Ni, P, B and W as sub-components, and their blending amounts may be adjusted so as to obtain a predetermined resistance value. When B is the main component, P and W are sub-components. The blending amount may be adjusted.

【００３８】これらの副成分は、いずれも、主成分の場
合と同様に、Ｃｕ成分に比べてマイグレーションを起こ
しづらく、低温域ではＣｕ成分と化合物を生成しにく
く、また主成分との間では化学結合性が良好であるた
め、微量転化により、単一成分の量で抵抗値を制御しよ
うとする第１のタイプの抵抗層の場合に比べて、副成分
の配合量をわずかに変化させるだけで各種値の抵抗値を
発現させることができる。換言すれば、１０kΩ／sq以
上の高いシート抵抗値の領域を想定した場合であって
も、副成分の配合量を微量変化させるだけで、その高抵
抗領域内でシート抵抗値の制御が可能となる。Similar to the main component, each of these subcomponents is less likely to cause migration than the Cu component, is less likely to form a compound with the Cu component in the low temperature range, and is chemically bound to the main component. Since the binding property is good, it is necessary to slightly change the compounding amount of the subcomponents as compared with the case of the first type resistance layer in which the resistance value is controlled by the amount of the single component due to the small amount conversion. It is possible to develop various resistance values. In other words, even when a high sheet resistance value region of 10 kΩ / sq or more is assumed, it is possible to control the sheet resistance value within the high resistance region by only slightly changing the compounding amount of the accessory component. Become.

【００３９】しかしながら、他方では、多量の副成分を
配合すると、前記した銅箔の選択的エッチングを行う２
次エッチング時において、抵抗層は用いたエッチャント
に溶解しやすくなり、その結果、形成された抵抗回路の
抵抗値は設計値から外れやすくなる。そのため、第２の
タイプの抵抗層においては、主成分は９５質量％以上と
し、この副成分の配合量は３質量％以下に設定される。On the other hand, however, when a large amount of subcomponents are mixed, the above-mentioned selective etching of the copper foil is performed.
At the time of the next etching, the resistance layer is easily dissolved in the used etchant, and as a result, the resistance value of the formed resistance circuit is likely to deviate from the designed value. Therefore, in the second type resistance layer, the main component is set to 95% by mass or more, and the content of the subcomponent is set to 3% by mass or less.

【００４０】抵抗層の厚みは１０〜５０mg／ｍ2である
ことが更に好ましい。抵抗層の厚みも均一に維持され、
そのシート抵抗値は０.５kΩ／sq〜５００kΩ／sqと高
い値を示すようになるからである。また、このときに
は、シート抵抗値が、その平均値に対し±５％以内にあ
って、安定化する。抵抗層の厚みが薄いときには、第１
のタイプの抵抗層の方が第２のタイプの抵抗層よりも高
いシート抵抗値を示す傾向が認められる。逆に抵抗層の
厚みを厚くすると、第２のタイプの抵抗層の方が第１の
タイプの抵抗層よりも高いシート抵抗値を示すようにな
る。The thickness of the resistance layer is more preferably 10 to 50 mg / m 2 . The thickness of the resistance layer is also kept uniform,
This is because the sheet resistance value is as high as 0.5 kΩ / sq to 500 kΩ / sq. Further, at this time, the sheet resistance value is within ± 5% of the average value and is stabilized. When the resistance layer is thin, the first
It is recognized that the resistance layer of this type has a higher sheet resistance value than the resistance layer of the second type. On the contrary, when the thickness of the resistance layer is increased, the resistance layer of the second type exhibits a higher sheet resistance value than the resistance layer of the first type.

【００４１】銅箔Ａの製造に際しては、前記したよう
に、基体銅箔１に対して電析で抵抗層２を形成すること
が好ましい。均一な薄膜形成が可能であり、またその厚
み制御が容易であるからである。その場合、用いる電解
めっき液としては、前記した所望の導電性物質のイオン
を含み、かつ、Ｃｕイオンの濃度が２０ppm以下で、塩
素イオンの濃度が１０ppm以下に調整された水溶液であ
ることが好ましい。In producing the copper foil A, it is preferable to form the resistance layer 2 on the base copper foil 1 by electrodeposition, as described above. This is because a uniform thin film can be formed and its thickness can be easily controlled. In that case, the electrolytic plating solution used is preferably an aqueous solution containing the ions of the desired conductive substance described above, and having a Cu ion concentration of 20 ppm or less and a chlorine ion concentration of 10 ppm or less. .

【００４２】Ｃｕイオン濃度が２０ppmより高い状態で
電析を行うと、形成される抵抗層におけるＣｕ成分の含
有量は１質量％より多くなって、前記した不都合が発生
するようになるからである。基体銅箔１の表面に継続的
に電析を行っていると、基体銅箔から電解めっき液にＣ
ｕ成分が溶解し、電解めっき液中にＣｕイオンが蓄積さ
れてくるので、本発明においては、例えば弱電解処理を
継続的に実施して電解めっき液中のＣｕイオンを強制的
に除去し、その濃度を上記した値に維持する。This is because if the electrodeposition is carried out in the state where the Cu ion concentration is higher than 20 ppm, the content of the Cu component in the resistance layer formed will be higher than 1% by mass, and the above-mentioned inconvenience will occur. . When electrodeposition is continuously performed on the surface of the base copper foil 1, the base copper foil is changed to C by electroplating solution.
Since the u component is dissolved and Cu ions are accumulated in the electrolytic plating solution, in the present invention, for example, weak electrolytic treatment is continuously performed to forcibly remove Cu ions in the electrolytic plating solution, The concentration is maintained at the value mentioned above.

【００４３】また、電解めっき液中に塩素イオンが含有
されていると、電析終了後に抵抗層付き銅箔を水洗・乾
燥しても、塩素は完全に除去されずに残存し、製造した
プリント回路基板の抵抗回路や導体回路の塩素腐食が起
こるようになるので、本発明においては、電解めっき液
中の塩素イオン濃度を１０ppm以下に規制する。銅箔Ａ
の実使用に際しては、保管過程における基体銅箔の防錆
のために、また絶縁基材とのラミネートを行うこととの
関係で、耐熱性，耐酸化性，耐薬品性，接合強度の向上
などの機能を付与するために、その両面に表面処理が施
されていることを好適とする。When the electrolytic plating solution contains chlorine ions, chlorine is not completely removed and remains even if the copper foil with a resistance layer is washed and dried after the completion of electrodeposition. Since chlorine corrosion occurs in the resistance circuit and the conductor circuit of the circuit board, the chlorine ion concentration in the electrolytic plating solution is regulated to 10 ppm or less in the present invention. Copper foil A
In actual use, in order to prevent rusting of the base copper foil in the storage process, and in relation to laminating with the insulating base material, improve heat resistance, oxidation resistance, chemical resistance, bonding strength, etc. In order to impart the above function, it is preferable that both surfaces thereof are subjected to surface treatment.

【００４４】具体的には、図２で示したように、銅箔Ａ
の両面に表面処理層３が形成されている銅箔Ａ1にして
実使用に供することが好ましい。このような表面処理と
しては、Ｚｎ，Ｚｎ合金，Ｃｕ−Ｚｎ合金，Ｎｉ，Ｎｉ
合金、Ｓｎ，Ｓｎ合金，Ｃｏ，Ｃｏ合金，Ｓｂなどのめ
っき処理，クロメート処理，シランカップリング処理な
どをあげることができる。これらのうち、Ｚｎめっき処
理，クロメート処理，シランカップリング処理はとくに
有効である。Specifically, as shown in FIG. 2, the copper foil A
The copper foil A 1 having the surface-treated layer 3 formed on both surfaces thereof is preferably used for actual use. As such surface treatment, Zn, Zn alloy, Cu-Zn alloy, Ni, Ni
Examples include alloys, Sn, Sn alloys, Co, Co alloys, Sb, and other plating treatments, chromate treatments, silane coupling treatments, and the like. Of these, Zn plating treatment, chromate treatment, and silane coupling treatment are particularly effective.

【００４５】なお、以上説明した銅箔Ａを外層材として
用いる場合には、図３で示したように、銅箔Ａの抵抗層
２側に、Ｂステージまたは半硬化状態にある絶縁樹脂層
４や、エポキシ系，アクリル系，ポリイミド系の接着剤
層４を形成した抵抗層付き銅箔Ａ2にしてもよい。ま
た、銅箔Ａを内層材として使用することを考慮すると、
基体銅箔１としては、その伸び率が４％以上であるもの
を採用することが好ましい。フォイルクラックの発生防
止や層間接続の信頼性向上に資するからである。When the copper foil A described above is used as the outer layer material, as shown in FIG. 3, on the resistance layer 2 side of the copper foil A, the insulating resin layer 4 in the B stage or in the semi-cured state is formed. Alternatively, a copper foil A 2 with a resistance layer on which an epoxy, acrylic, or polyimide adhesive layer 4 is formed may be used. Further, considering that the copper foil A is used as the inner layer material,
As the base copper foil 1, it is preferable to adopt one having an elongation rate of 4% or more. This is because it contributes to preventing the occurrence of foil cracks and improving the reliability of interlayer connection.

【００４６】次に、基体銅箔１について説明する。本発
明では、電解銅箔や圧延銅箔を使用することができる
が、それらに対しては次のような表面修飾を施したもの
であってもよい。まず、図４で示したように、両面のRz
値が０.５〜２.５μｍの光沢面になっている上記した基
体銅箔１Ａ0の片面１ａに例えばＣｕの微細粒子を析出
させる粗面化処理を行って粗化層５を形成した基体銅箔
１Ａを使用することができる。また、図５で示したよう
に基体銅箔１Ａ0の両面に粗化層５が形成されている基
体銅箔１Ｂであってもよい。Next, the base copper foil 1 will be described. In the present invention, an electrolytic copper foil or a rolled copper foil can be used, but they may be subjected to the following surface modification. First, as shown in FIG. 4, Rz on both sides
A substrate on which a roughening layer 5 has been formed by subjecting one surface 1a of the above-mentioned substrate copper foil 1A 0 having a gloss value of 0.5 to 2.5 μm to a roughening treatment for precipitating fine particles of Cu, for example. Copper foil 1A can be used. Further, as shown in FIG. 5, the base copper foil 1B may have the roughening layer 5 formed on both surfaces of the base copper foil 1A 0 .

【００４７】これらの銅箔１Ａ，１Ｂのうち、銅箔１Ａ
は外層材用として用いられ、銅箔１Ｂは内層材用として
用いられる。いずれにおいても、これらの銅箔１Ａ，１
Ｂは、絶縁基材とラミネートしたときに、当該絶縁基材
との接合強度を高めることができる。これらの銅箔１
Ａ，１Ｂにおいては、粗化層５が形成される銅箔１Ａ0
の表面はRz値が０.５〜２.５μｍの光沢面になっている
ので、そこには微細な粗化粒子（例えばＣｕ微細粒子）
を非常に均一に析出させることができる。したがって、
絶縁基材とラミネートしたときに、その接合面における
絶縁基材との実質的な接合面積は極めて大きくなり、そ
の結果、接合強度は増大し、かつ安定化する。そのた
め、耐環境性や耐熱剥離性は格段に向上し、製造される
プリント回路基板は回路パターンと絶縁基材との接合信
頼性の高いものになる。Of these copper foils 1A and 1B, the copper foil 1A
Is used for the outer layer material, and the copper foil 1B is used for the inner layer material. In any case, these copper foils 1A, 1
B can enhance the bonding strength with the insulating base material when laminated with the insulating base material. These copper foil 1
In A and 1B, the copper foil 1A 0 on which the roughened layer 5 is formed
Since the surface of is a glossy surface with an Rz value of 0.5 to 2.5 μm, there are fine roughened particles (eg Cu fine particles) there.
Can be deposited very uniformly. Therefore,
When laminated with an insulating base material, the substantial bonding area of the bonding surface with the insulating base material becomes extremely large, and as a result, the bonding strength is increased and stabilized. Therefore, the environmental resistance and the heat-resistant peeling property are remarkably improved, and the manufactured printed circuit board has high reliability in joining the circuit pattern and the insulating base material.

【００４８】また、これらの銅箔１Ａ，１Ｂを用いる
と、絶縁基材とのラミネート後において、回路のパター
ニング時に、用いるレジストマスクの密着性は向上し、
解像度は高くなり、その結果、エッチング時にファイン
な回路パターンの形成が可能となる。その場合、粗化層
５が形成される銅箔１Ａ0のRz値が２.５μｍより大きく
なると、それにつれて、上記した効果は減退していく。
そのようなことからも、本発明においては、銅箔１Ａ0
のRz値は２.５μｍ以下に規制される。Further, when these copper foils 1A and 1B are used, the adhesiveness of the resist mask used at the time of patterning the circuit after being laminated with the insulating base material is improved,
The resolution is high, and as a result, it is possible to form a fine circuit pattern during etching. In that case, when the Rz value of the copper foil 1A 0 on which the roughening layer 5 is formed becomes larger than 2.5 μm, the above-mentioned effects diminish accordingly.
From such a fact, in the present invention, the copper foil 1A 0
Rz value is regulated to 2.5 μm or less.

【００４９】粗化層５のRz値は１〜４μｍにすることが
好ましい。Rz値が１μｍより小さいときは、２次エッチ
ング時におけるＣｕの選択エッチング性は良好で、安定
した抵抗層の形成が可能で、可成り高抵抗の抵抗回路を
形成することができるが、その反面、例えばエポキシ系
の絶縁基材とのラミネート時に高い接合強度が得られな
いという問題がある。The Rz value of the roughening layer 5 is preferably 1 to 4 μm. When the Rz value is less than 1 μm, the selective etching property of Cu at the time of the secondary etching is good, a stable resistance layer can be formed, and a resistance circuit having a considerably high resistance can be formed. However, there is a problem in that, for example, a high bonding strength cannot be obtained when laminating with an epoxy-based insulating base material.

【００５０】またRz値が４μｍより大きくなると、絶縁
基材との接合強度は増大するとはいえ、ファインな回路
パターンの形成が極めて困難となり、本発明の目的を実
現することが困難になる。したがって、この銅箔１Ａ，
１Ｂは、製造目的のプリント回路基板への要求特性，絶
縁基材との接合強度，形成する回路パターンのファイン
化の程度などとの関係で使用時の選択を図ればよい。When the Rz value is larger than 4 μm, the bonding strength with the insulating base material increases, but it becomes extremely difficult to form a fine circuit pattern, and it becomes difficult to realize the object of the present invention. Therefore, this copper foil 1A,
1B may be selected at the time of use depending on the required characteristics of the printed circuit board for manufacturing, the bonding strength with the insulating base material, the degree of fineness of the circuit pattern to be formed, and the like.

【００５１】ところで、基体銅箔１の厚みは、製造した
抵抗層付き銅箔の用途や求められる必要特性、また内層
材として用いるのか、外層材として用いるのかなどの使
用態様に応じて適切に決められる。例えば内層材として
用いる場合には、基体銅箔１の厚みは１８μｍ以上であ
ることが好ましく、ファインな回路パターンが要求され
る外層材として用いる場合には、９μｍまたは１２μｍ
であることが好ましい。By the way, the thickness of the base copper foil 1 is appropriately determined in accordance with the use of the manufactured copper foil with a resistance layer, the required properties required, and the use mode such as whether it is used as an inner layer material or an outer layer material. To be For example, when used as an inner layer material, the thickness of the base copper foil 1 is preferably 18 μm or more, and when used as an outer layer material that requires a fine circuit pattern, it is 9 μm or 12 μm.
Is preferred.

【００５２】高度なファインパターンの導体（抵抗）回
路が要求される外層材用の抵抗層付き銅箔や、プリント
回路基板の製造過程で例えばレーザ穴あけ加工が施され
る抵抗層付き銅箔の場合、次のような基体銅箔を使用す
ることができる。その１つは、図６で示したように、キ
ャリア銅箔６を用いた銅箔１Ｃである。この銅箔１Ｃ
は、比較的厚いキャリア銅箔６の片面６ａに剥離層７を
介して厚みが３μｍまたは５μｍの銅箔層８が回路形成
用のＣｕ導体層として形成され、更にこの銅箔層８の表
面に前記した粗化層５が形成されているものである。In the case of a copper foil with a resistance layer for an outer layer material that requires a conductor (resistance) circuit with a high degree of fine pattern, or a copper foil with a resistance layer that is laser-drilled in the manufacturing process of a printed circuit board, for example. The following base copper foil can be used. One of them is a copper foil 1C using a carrier copper foil 6, as shown in FIG. This copper foil 1C
Is a copper foil layer 8 having a thickness of 3 μm or 5 μm formed on one surface 6a of a relatively thick carrier copper foil 6 via a release layer 7 as a Cu conductor layer for forming a circuit, and further on the surface of the copper foil layer 8. The roughened layer 5 described above is formed.

【００５３】この銅箔１Ｃの場合、上記した銅箔層８が
図１または図４で示した基体銅箔１（１Ａ0）として機
能し、プリント回路基板の製造後にあっては、導体回路
に転化する銅層であり、この銅箔層８の表面に本発明の
抵抗層２が形成されることになる。なお、この回路形成
用のＣｕ導体層（銅箔層）は、前記したメルカプト基を
有する化合物を含む電解めっき液で形成すると、エッチ
ング時にファインな導体回路を形成することができて好
適である。In the case of this copper foil 1C, the above-mentioned copper foil layer 8 functions as the base copper foil 1 (1A 0 ) shown in FIG. 1 or 4, and after the printed circuit board is manufactured, it becomes a conductor circuit. It is a copper layer to be converted, and the resistance layer 2 of the present invention is formed on the surface of the copper foil layer 8. When the Cu conductor layer (copper foil layer) for forming the circuit is formed by the electrolytic plating solution containing the compound having a mercapto group, a fine conductor circuit can be formed during etching, which is preferable.

【００５４】この銅箔１Ｃを用いて製造した抵抗層付き
銅箔は、絶縁基材とラミネートされたのち、キャリア銅
箔６が剥離または溶解除去される。そして、絶縁基材側
に残置する薄い銅箔層８（およびその下に位置する抵抗
層）に対して、エッチングやレーザ加工が施される。図
７は、図６で示した銅箔１Ｃにおいて、剥離層７と銅箔
層８の間に耐熱剥離層９を介装した銅箔１Ｄを示す。こ
の銅箔１Ｄは、銅箔１Ｃと同じ機能を発揮するととも
に、耐熱性が向上していて、例えば温度が３００℃前後
になってもキャリアピールは低温時に比べて大きく上昇
しないので、キャリア銅箔６の剥離性が良好である。The copper foil with a resistance layer produced by using this copper foil 1C is laminated with an insulating base material, and then the carrier copper foil 6 is peeled off or dissolved and removed. Then, the thin copper foil layer 8 (and the resistance layer located thereunder) left on the insulating base material side is subjected to etching or laser processing. FIG. 7 shows a copper foil 1D shown in FIG. 6 in which a heat-resistant peeling layer 9 is interposed between the peeling layer 7 and the copper foil layer 8. This copper foil 1D has the same function as that of the copper foil 1C and has improved heat resistance. For example, even when the temperature is around 300 ° C., the carrier peel does not significantly increase as compared with the low temperature. The peelability of No. 6 is good.

【００５５】また、銅箔１Ｄにおいて、耐熱剥離層９を
レーザ吸収層に置換すれば、その銅箔は、レーザ穴あけ
加工が容易となり、直接、銅箔層８に穴あけ加工が実現
可能な基体銅箔になる。なお、直接にレーザ穴あけ加工
が可能である銅箔としては、図８で示したように、図４
で示した銅箔１Ａの他方の表面にレーザ吸収層９が形成
されている銅箔１Ｅであってもよい。Further, in the copper foil 1D, if the heat-resistant peeling layer 9 is replaced with a laser absorption layer, the copper foil can be easily laser-drilled, and the base copper which can be directly drilled in the copper foil layer 8 can be realized. Become foil. As the copper foil which can be directly laser-drilled, as shown in FIG.
The copper foil 1E having the laser absorption layer 9 formed on the other surface of the copper foil 1A shown in FIG.

【００５６】[0056]

【実施例】実施例１〜４２，比較例１〜７ （１）抵抗層付き銅箔の製造 以下の基体銅箔を用意した。 １）ＷＳ７０：商品名、古河サーキットフォイル（株）
製，１８０℃で５分間保持後の伸び率が１５％の両面光
沢電解銅箔。厚み７０μｍ。EXAMPLES Examples 1 to 42, Comparative Examples 1 to 7 (1) Production of Copper Foil with Resistive Layer The following base copper foils were prepared. 1) WS70: Product name, Furukawa Circuit Foil Co., Ltd.
Made, double-sided glossy electrolytic copper foil with an elongation of 15% after holding at 180 ° C for 5 minutes. Thickness 70 μm.

【００５７】２）ＷＳ１８：商品名、古河サーキットフ
ォイル（株）製，１８０℃で５分間保持後の伸び率が１
５％の両面光沢電解銅箔。厚み１８μｍ。 ３）ＷＳ１２：商品名、古河サーキットフォイル（株）
製，１８０℃で５分間保持後の伸び率が１５％の両面光
沢電解銅箔。厚み１２μｍ。 ４）圧延１８：日本製箔（株）製の圧延銅箔。古河電気
工業（株）製のタフピッチ銅板を６段ロールと１２段ロ
ールで圧延して製造。１８０℃で５分間保持後の伸び率
が１５％。厚み１８μｍ。2) WS18: trade name, manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd., and has an elongation of 1 after holding at 180 ° C. for 5 minutes.
5% double-sided bright electrolytic copper foil. Thickness 18 μm. 3) WS12: Trade name, Furukawa Circuit Foil Co., Ltd.
Made, double-sided glossy electrolytic copper foil with an elongation of 15% after holding at 180 ° C for 5 minutes. Thickness 12 μm. 4) Rolled 18: Rolled copper foil manufactured by Nippon Foil Co., Ltd. Manufactured by rolling a tough pitch copper plate manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd. with 6-rolls and 12-rolls. Elongation after holding for 5 minutes at 180 ° C is 15%. Thickness 18 μm.

【００５８】５）ＷＳＲ１８：商品名、古河サーキット
フォイル（株）製。上記ＷＳ１８をスキンパス程度の圧
下率で圧延。１８０℃で５分間保持後の伸び率１２％。
厚み１８μｍ。 ６）ＤＳＴＦ−ＷＳ１８：商品名、古河サーキットフォ
イル（株）製の光沢面粗化銅箔。厚み１８μｍ。5) WSR18: trade name, manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. The WS18 is rolled at a reduction rate of skin pass. Elongation of 12% after holding at 180 ° C for 5 minutes.
Thickness 18 μm. 6) DSTF-WS18: Trade name, glossy surface roughened copper foil manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. Thickness 18 μm.

【００５９】７）ＦＬＤ−ＷＳ１８：商品名、古河サー
キットフォイル（株）製の両面粗化銅箔。厚み１８μ
ｍ。 ８）Ｆ−ＤＰＷＭ５／３５：商品名、古河サーキットフ
ォイル（株）製のキャリア付き銅箔。厚み３５μｍ。銅
箔層の厚み５μｍ。 ９）Ｆ−ＤＰＷＳ５／３５：商品名、古河サーキットフ
ォイル（株）製のキャリア付き銅箔。厚み３５μｍ。銅
箔層の厚み５μｍ。7) FLD-WS18: Trade name, double-sided roughened copper foil manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. Thickness 18μ
m. 8) F-DPWM5 / 35: Trade name, copper foil with carrier manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. Thickness 35 μm. The thickness of the copper foil layer is 5 μm. 9) F-DPWS5 / 35: Trade name, copper foil with carrier manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. Thickness 35 μm. The thickness of the copper foil layer is 5 μm.

【００６０】10）Ｆ−ＣＰＷＭ５／３５：商品名、古河
サーキットフォイル（株）製の高耐熱剥離性とダイレク
トレーザ加工性を備えたキャリア付き銅箔。厚み３５μ
ｍ。銅箔層の厚み５μｍ。 11）Ｆ２Ｂ−ＷＳ１２：商品名、古河サーキットフォイ
ル（株）製のレーザ加工性を備えた銅箔。厚み１２μ
ｍ。10) F-CPWM5 / 35: Trade name, Furukawa Circuit Foil Co., Ltd., a copper foil with a carrier having high heat-resistant peelability and direct laser processability. Thickness 35μ
m. The thickness of the copper foil layer is 5 μm. 11) F2B-WS12: Trade name, Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. laser-processable copper foil. Thickness 12μ
m.

【００６１】12）ＭＰ１２：商品名、古河サーキットフ
ォイル（株）製の電解銅箔。１８０℃で５分間保持後の
伸び率１０％。厚み１２μｍ。 13）ＭＰ１８：商品名、古河サーキットフォイル（株）
製の電解銅箔。１８０℃で５分間保持後の伸び率１０
％。厚み１８μｍ。 これらの基体銅箔において、抵抗層を形成しようとする
表面の粗さを測定し、その結果を表１，２に示した。12) MP12: Trade name, electrolytic copper foil manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. 10% elongation after holding at 180 ° C for 5 minutes. Thickness 12 μm. 13) MP18: Trade name, Furukawa Circuit Foil Co., Ltd.
Made electrolytic copper foil. Elongation after holding at 180 ° C for 5 minutes 10
%. Thickness 18 μm. In these base copper foils, the roughness of the surface on which the resistance layer is to be formed was measured, and the results are shown in Tables 1 and 2.

【００６２】ついで、これら基体銅箔の上記表面に粗面
化処理を行って粗化層を形成した。なお、粗面化処理は
以下のとおりである。まず、主に、Ｃｕ：３０ｇ／d
m3，Ｈ2ＳＯ4：１５０ｇ／dm3から成る電解液中におい
て、電流密度：２８０Ｃ／dm2でカソード電解を行い、
ついで、主に、Ｃｕ：７０ｇ／dm3，Ｈ2ＳＯ4：１００
ｇ／dm3から成る電解液中において、電流密度：２８０
Ｃ／dm2のカソード電解を行った。Next, the surface of the base copper foil was roughened to form a roughened layer. The roughening treatment is as follows. First, mainly Cu: 30 g / d
Cathodic electrolysis was performed at a current density of 280 C / dm 2 in an electrolytic solution composed of m 3 , H 2 SO 4 : 150 g / dm 3 .
Then, mainly Cu: 70 g / dm 3 , H 2 SO 4 : 100
Current density: 280 in g / dm 3 electrolyte
C / dm 2 cathode electrolysis was performed.

【００６３】そして、粗化層の表面粗さを測定した。以
上の結果を一括して表１と表２に示した。Then, the surface roughness of the roughened layer was measured. The above results are collectively shown in Tables 1 and 2.

【００６４】[0064]

【表１】 [Table 1]

【００６５】[0065]

【表２】 [Table 2]

【００６６】次に、これら試料において、抵抗層を形成
すべき方の表面に、下記の条件で各種の導電性物質を電
析した。 Ｎｉ：ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ １６０ｇ／dm3，Ｈ3ＢＯ3
３０ｇ／dm3，液温４０℃，電流密度０.５Ａ／dm2。Next, in these samples, various conductive substances were electrodeposited on the surface on which the resistance layer was to be formed under the following conditions. Ni: NiSO 4 · 6H 2 O 160g / dm 3, H 3 BO 3
30 g / dm 3 , liquid temperature 40 ° C., current density 0.5 A / dm 2 .

【００６７】Ｃｏ：ＣｏＳＯ4・６Ｈ2Ｏ ５０ｇ／d
m3、Ｈ3ＢＯ3 ３０ｇ／dm3，液温４０℃，電流密度０.
５Ａ／dm2。 Ｎｉ−Ｃｏ：Ｎｉ(ＮＨ2ＳＯ3)2・４Ｈ2Ｏ １６０ｇ／
dm3（主成分とする場合）、または５０ｇ／dm3（副成分
とする場合），Ｃｏ(ＮＨ2ＳＯ3)・４Ｈ2Ｏ１０ｇ／dm3
（副成分とする場合）、または１００ｇ／dm3（主成分
とする場合），Ｈ3ＢＯ3 ３０ｇ／dm3，液温４０℃，
電流密度０.５Ａ／dm2。Co: CoSO 4 .6H 2 O 50 g / d
m 3 , H 3 BO 3 30 g / dm 3 , liquid temperature 40 ° C., current density 0.
5 A / dm 2 . Ni-Co: Ni (NH 2 SO 3) 2 · 4H 2 O 160g /
dm 3 (when it is the main component), or 50 g / dm 3 (when it is the secondary component), Co (NH 2 SO 3 ) .4H 2 O 10 g / dm 3
(When used as an accessory component), or 100 g / dm 3 (when used as a main component), H 3 BO 3 30 g / dm 3 , liquid temperature 40 ° C.,
Current density 0.5 A / dm 2 .

【００６８】Ｎｉ−Ｐ：ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ １７５ｇ
／dm3，Ｈ3ＰＯ3 １０ｇ／dm3，Ｈ 3ＰＯ3 １ｇ／d
m3，液温２５℃，電流密度０.５Ａ／dm2。 Ｎｉ−Ｂ：ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ １７５ｇ／dm3，（Ｃ
Ｈ3)3Ｎ・ＢＨ3 １０ｇ／dm3，液温５５℃，電流密度
０.５Ａ／dm2。 Ｃｏ−Ｐ：ＣｏＳＯ4・６Ｈ2Ｏ ５０ｇ／dm3，Ｈ3ＰＯ
4 １０ｇ／dm3，Ｈ3ＰＯ3 １ｇ／dm3，液温２５℃，
電流密度０.５Ａ／dm2。Ni-P: NiSOFour・ 6H2O 175g
/ Dm3, H3PO3  10 g / dm3, H 3PO3  1 g / d
m3, Liquid temperature 25 ℃, current density 0.5A / dm2. Ni-B: NiSOFour・ 6H2O 175g / dm3, (C
H3)3N ・ BH3  10 g / dm3, Liquid temperature 55 ℃, current density
0.5 A / dm2. Co-P: CoSOFour・ 6H2O 50g / dm3, H3PO
Four  10 g / dm3, H3PO3  1 g / dm3, Liquid temperature 25 ℃,
Current density 0.5A / dm2.

【００６９】Ｃｏ−Ｂ：ＣｏＳＯ4・６Ｈ2Ｏ ５０ｇ／
dm3，（ＣＨ3)3Ｎ・ＢＨ3 １０ｇ／dm3，液温５５℃，
電流密度０.５Ａ／dm2。 Ｎｉ−Ｂｉ：ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ １７５ｇ／dm3，Ｂ
ｉ2(ＳＯ4)3 ４０ｇ／dm3，液温３３℃，電流密度０.
５Ａ／dm2。 Ｎｉ−Ｗ：ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ ６０ｇ／dm3，Ｎａ2Ｗ
Ｏ4・２Ｈ2Ｏ ２５ｇ／dm3，液温３０℃，電流密度０.
５Ａ／dm2。Co-B: CoSO 4 .6H 2 O 50 g /
dm 3 , (CH 3 ) 3 N.BH 3 10 g / dm 3 , liquid temperature 55 ° C.,
Current density 0.5 A / dm 2 . Ni-Bi: NiSO 4 · 6H 2 O 175g / dm 3, B
i 2 (SO 4 ) 3 40 g / dm 3 , liquid temperature 33 ° C., current density 0.
5 A / dm 2 . Ni-W: NiSO 4 · 6H 2 O 60g / dm 3, Na 2 W
O 4 · 2H 2 O 25g / dm 3, a liquid temperature 30 ° C., a current density 0.
5 A / dm 2 .

【００７０】Ｎｉ−Ｐｄ：パラブライト−ＴＮ２０（日
本高純度化学社製），液温４０℃，電流密度０.５Ａ／d
m2。 Ｐｄ：パラブライト−ＳＳＴ−Ｌ（日本高純度化学社
製），液温５５℃，電流密度０.５Ａ／dm2。 Ｐｄ−Ｎｉ：ＰｄＮｉ４６６（デグサジャパン社製），
液温４５°，電流密度０.５Ａ／dm2。Ni-Pd: Parabright-TN20 (manufactured by Nippon Kojundo Chemical Co., Ltd.), liquid temperature 40 ° C., current density 0.5 A / d
m 2 . Pd: Parabright-SST-L (manufactured by Nippon Kojundo Chemical Co., Ltd.), liquid temperature 55 ° C., current density 0.5 A / dm 2 . Pd-Ni: PdNi466 (manufactured by Degussa Japan),
Liquid temperature 45 °, current density 0.5 A / dm 2 .

【００７１】Ｂｉ：ＰＦ−Ｂ・ＡＳＩＤ・０５Ｍ（石原
薬品社製），液温４０℃，電流密度０.５Ａ／dm2。 Ｐｔ：プラタネックスIIIＬＳ（日本エレクトロプレー
ティング・エンジニヤーズ社製），液温６５℃，電流密
度０.５Ａ／dm2。 なお、Ｃｕ成分の含有量を多くする場合には、用いた電
解液に硫酸銅を添加することによって実施した。Bi: PF-B / ASID / 05M (manufactured by Ishihara Yakuhin), liquid temperature 40 ° C., current density 0.5 A / dm 2 . Pt: Platanex IIILS (manufactured by Japan Electroplating Engineers), liquid temperature 65 ° C., current density 0.5 A / dm 2 . When the content of the Cu component was increased, copper sulfate was added to the used electrolytic solution.

【００７２】形成された抵抗層の元素分析は、５重量％
塩酸と２０重量％硝酸の混合水溶液で抵抗層を溶解し、
その水溶液に対し、原子吸光分析（日立製作所社製の機
種Ｚ−６１００を使用）またはＩＣＰ分析（堀場製作所
社製の機種ＪＹ２３８−ＵＬＴＲＡＣＥを使用）で定量
した。また、Ｃｕ成分の定量は、ＥＰＭＡによる定量分
析結果をＺＡＦ補正して求めた。The elemental analysis of the formed resistance layer was 5% by weight.
Dissolve the resistance layer with a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and 20 wt% nitric acid,
The aqueous solution was quantified by atomic absorption analysis (using a model Z-6100 manufactured by Hitachi Ltd.) or ICP analysis (using a model JY238-ULTRACE manufactured by Horiba Ltd.). Further, the quantification of the Cu component was obtained by ZAF correction of the quantitative analysis result by EPMA.

【００７３】なお、抵抗層の電気抵抗率は、金属データ
ブック改訂３版（日本金属学会編、１９９３年、丸善
（株））から試算した。その結果を表３，４に示した。
更に、抵抗層の表面に対し、下記の表面処理の一部また
は全部を順次行った。 処理１：Ｚｎ １０ｇ／dm3，pH１２の電解液を用い
て、室温下で１Ｃ／dm2のカソード電解処理。The electrical resistivity of the resistance layer was calculated from the Revised Third Edition of the Metal Data Book (edited by The Japan Institute of Metals, 1993, Maruzen Co., Ltd.). The results are shown in Tables 3 and 4.
Furthermore, a part or all of the following surface treatments were sequentially performed on the surface of the resistance layer. Treatment 1: Cathodic electrolysis treatment of 1 C / dm 2 at room temperature using an electrolytic solution of Zn 10 g / dm 3 and pH 12.

【００７４】処理２：ＣｒＯ3 ７０ｇ／dm3，pH１２の
クロム酸液を用い、１Ｃ／dm2でカソード電解するクロ
メート処理。 処理３：サイラエース（チッソ社製のエポキシ系シラン
カップリング剤）の１ｇ／dm3水溶液に浸漬するシラン
カップリング処理。 以上の結果を一括して表３，４に示した。Treatment 2: Chromate treatment using 70 g / dm 3 CrO 3 , pH 12 chromic acid solution, and cathodic electrolysis at 1 C / dm 2 . Treatment 3: Silane ace (epoxy silane coupling agent manufactured by Chisso Co.) is immersed in a 1 g / dm 3 aqueous solution of silane coupling treatment. The above results are collectively shown in Tables 3 and 4.

【００７５】[0075]

【表３】 [Table 3]

【００７６】[0076]

【表４】 [Table 4]

【００７７】（２）特性の評価 各抵抗層付き銅箔を、常法に従ってＦＲ基材４（ガラス
繊維強化エポキシ樹脂基板）に熱圧プレスしてラミネー
トした。キャリア付き銅箔の場合は、その後、キャリア
銅箔を剥離した。(2) Evaluation of characteristics Each copper foil with a resistance layer was hot-pressed and laminated on the FR base material 4 (glass fiber reinforced epoxy resin substrate) by a conventional method. In the case of a copper foil with a carrier, the carrier copper foil was then peeled off.

【００７８】ついで、表面の基体銅箔にドライフィルム
レジストでマスクを形成し、１次エッチングを行って銅
箔と抵抗層の両者をエッチング除去して回路パターンを
形成した。エッチャントとしては、塩化第二銅水溶液を
用いた。なおこのとき、別に幅１０mmのパターンを作成
し、引張試験機（テンシロンジャパン社製）でピール強
度を測定した。Then, a mask was formed on the base copper foil on the surface with a dry film resist and primary etching was performed to remove both the copper foil and the resistance layer by etching to form a circuit pattern. A cupric chloride aqueous solution was used as the etchant. At this time, a pattern having a width of 10 mm was separately prepared, and the peel strength was measured with a tensile tester (manufactured by Tensilon Japan).

【００７９】キャリア付き銅箔を用いた場合は、表出し
たキャリア銅箔の上に、Ｃｕ：７０ｇ／dm3、Ｈ2Ｓ
Ｏ4：１００ｇ／dm3から成る電解めっき液を用いて厚み
が１８μｍ程度になるまでＣｕを電析したのちピール強
度を測定した。また、基体銅箔の上に、線幅５０μｍ，
線間距離５０μｍの回路パターンを形成するためにレジ
ストをパターニングしたのち、１次エッチングを行って
回路パターンを形成してその評価を行った。When a copper foil with a carrier is used, Cu: 70 g / dm 3 , H 2 S is formed on the exposed carrier copper foil.
Cu was electrodeposited to a thickness of about 18 μm using an electrolytic plating solution containing O 4 : 100 g / dm 3 and then the peel strength was measured. In addition, on the base copper foil, a line width of 50 μm,
After patterning the resist to form a circuit pattern having a line distance of 50 μm, primary etching was performed to form a circuit pattern, and the evaluation was performed.

【００８０】形成された導体（抵抗）回路のトップとボ
トムを観察し、トップ幅とボトム幅の差が１０μｍ以下
のものを○，２０μｍ以下のものを△，差が２０μｍを
超えるものや、エッチング残や回路の溶断があるものを
×とした。ついで、再度マスクを形成したのち、次のよ
うな２次エッチングを行った。すなわち、正方形形状の
シート状抵抗パターンを残し、かつその抵抗パターンの
両側にＣｕの電極部を残した状態にマスクを形成したの
ち、エープロセス（メルテックス社製のエッチャント）
を用いて、表層部の基体銅箔のみを選択的にエッチング
除去した。By observing the top and bottom of the formed conductor (resistive) circuit, the difference between the top width and the bottom width of 10 μm or less is ◯, the difference of 20 μm or less is Δ, the difference is more than 20 μm, or the etching is performed. The one with the residue or the melted circuit was marked as x. Then, after forming a mask again, the following secondary etching was performed. That is, a mask is formed in a state where a square sheet resistance pattern is left and Cu electrodes are left on both sides of the resistance pattern, and then the A process (etchant manufactured by Meltex)
Using, the substrate copper foil of the surface layer portion was selectively removed by etching.

【００８１】その後、ディジタルマルチメータ（松下電
器産業社製）を用いて抵抗測定した。測定点はｎ＝５と
し、その平均値をもって抵抗層のシート抵抗値とした。
また、測定抵抗の最大値と平均値の差を求め、その値の
平均値に対する百分率を算出してばらつきとした。以上
の結果を一括して表５，６に示した。Then, the resistance was measured using a digital multimeter (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.). The number of measurement points was n = 5, and the average value was used as the sheet resistance value of the resistance layer.
Further, the difference between the maximum value and the average value of the measured resistance was obtained, and the percentage of the value with respect to the average value was calculated as the variation. The above results are collectively shown in Tables 5 and 6.

【００８２】[0082]

【表５】 [Table 5]

【００８３】[0083]

【表６】 [Table 6]

【００８４】実施例４３〜６６ 表面粗さ（Ｒｚ）が１.６μｍであり、厚みが１８μｍ
であるＷＳ１８（古河サーキットフォイル（株）製）を
用意し、その片面に粗面化処理を行って粗化層を形成
し、図４で示した基体銅箔１Ａを製造した。粗化層側の
表面粗さ（Ｒｚ）は２.５μｍであった。Examples 43 to 66 The surface roughness (Rz) is 1.6 μm and the thickness is 18 μm.
WS18 (manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd.) was prepared, and one surface of the WS18 was roughened to form a roughened layer, and the base copper foil 1A shown in FIG. 4 was manufactured. The surface roughness (Rz) on the roughened layer side was 2.5 μm.

【００８５】ついで、この銅箔１Ａの表面に、表７，８
で示したように、Ｎｉ−３％Ｐ、およびＮｉ−１３％Ｐ
から成る各種導電性物質の抵抗層を形成し、更にその表
面に表７，８で示した表面処理を施して各種の抵抗層付
き銅箔を製造した。Then, on the surface of this copper foil 1A,
, Ni-3% P, and Ni-13% P,
A resistance layer made of various conductive materials was formed, and the surface treatment shown in Tables 7 and 8 was performed on the surface of the resistance layer to manufacture various types of copper foil with a resistance layer.

【００８６】[0086]

【表７】 [Table 7]

【００８７】[0087]

【表８】 [Table 8]

【００８８】これらの抵抗層付き銅箔とＦＲ４基材とを
ラミネートしたのち、実施例１〜４０と同じようにして
シート抵抗値，ピール強度，ファインパターンの形成性
などの特性を測定した。その結果を表９に示した。After laminating the copper foil with the resistance layer and the FR4 substrate, the characteristics such as sheet resistance, peel strength and fine pattern formability were measured in the same manner as in Examples 1-40. The results are shown in Table 9.

【００８９】[0089]

【表９】 [Table 9]

【００９０】また、４種類の導電性物質から成る抵抗層
のそれぞれにつき、抵抗層の厚みとシート抵抗値との関
係を図９に示した。表１〜９および図９から次のことが
明らかである。FIG. 9 shows the relationship between the resistance layer thickness and the sheet resistance value for each of the resistance layers made of four kinds of conductive materials. The following is clear from Tables 1 to 9 and FIG. 9.

【００９１】（１）Rz値が２.５μｍより大きい基体銅
箔を用いた比較例１，２，５の場合、粗面化処理をして
もしなくても、２次エッチング時におけるＣｕの選択的
なエッチング性が悪く、抵抗層も同時にエッチング除去
されて回路の溶断が発生している。そして当然のことと
してファインパターンは形成されていない。一方、Rz値
が２.５μｍより小さい基体銅箔を用いた実施例３７〜
４０の場合、その表面に粗面化処理を行ってRz値が２.
５μｍより大きい粗化層を形成しているにもかかわら
ず、シート抵抗値は高く、また良好なエッチング性を示
し、ファインパターンの形成が実現している。実施例３
６〜４２のように、樹脂付き銅箔など種々の銅箔を使用
する場合でも、上記と同様の結果が得られている。(1) In the case of Comparative Examples 1, 2 and 5 using the base copper foil having an Rz value of more than 2.5 μm, selection of Cu during the secondary etching with or without roughening treatment The etching property is poor, and the resistance layer is also removed by etching at the same time, causing the circuit to melt. And, as a matter of course, no fine pattern is formed. On the other hand, Examples 37-using a base copper foil having an Rz value of less than 2.5 μm.
In the case of 40, the surface is roughened and the Rz value is 2.
Despite the formation of the roughened layer having a thickness of more than 5 μm, the sheet resistance value is high and the good etching property is exhibited, and the formation of the fine pattern is realized. Example 3
Even when various copper foils such as resin-coated copper foils are used as in Nos. 6 to 42, the same results as above are obtained.

【００９２】（２）抵抗層の厚みが５mg／ｍ2より薄い
比較例４の場合も、２次エッチング時に基体銅箔と抵抗
層の同時溶解が起こっている。逆に、抵抗層の厚みが極
端に厚い比較例７の場合は、１次エッチング時に基体銅
箔と抵抗層の同時溶解を実現することができない。この
ような場合は、残存する抵抗層を更にエッチング除去す
る工程が必要となり、生産性の低下や、形成パターンの
信頼性を招く。(2) Also in the case of Comparative Example 4 in which the resistance layer has a thickness of less than 5 mg / m 2 , simultaneous dissolution of the base copper foil and the resistance layer occurs during the secondary etching. On the contrary, in Comparative Example 7 in which the resistance layer is extremely thick, simultaneous dissolution of the base copper foil and the resistance layer cannot be realized during the primary etching. In such a case, a step of further removing the remaining resistance layer by etching is required, resulting in a decrease in productivity and reliability of the formed pattern.

【００９３】（３）実施例７と実施例８，実施例１１と
実施例１２，実施例１３と実施例１４，実施例１５と実
施例１６，実施例１７と実施例１８の群におけるそれぞ
れの実施例を対比すると、前者はいずれも抵抗層が単一
成分で構成されているものであり、後者は抵抗層が主成
分と副成分で構成されているものである。そして、両者
はいずれも抵抗層の厚みは略同じであるが、互いのシー
ト抵抗値は異なっている。(3) Examples 7 and 8; Examples 11 and 12; Examples 13 and 14; Examples 15 and 16; Examples 17 and 18; Comparing the examples, in the former, the resistance layer is composed of a single component, and in the latter, the resistance layer is composed of a main component and a sub-component. The two have the same resistance layer thickness, but different sheet resistance values.

【００９４】その場合、抵抗層の厚みが略５０mg／ｍ2
である実施例７と実施例８の群では、後者の主成分と副
成分を含む抵抗層の方が高いシート抵抗値を示してい
る。逆に、抵抗層の厚みが略４０mg／ｍ2以下の群にお
いては、前者の単一成分から成る抵抗層の方が高いシー
ト抵抗値を示している。しかも、抵抗層の厚みが薄くな
るにつれて、シート抵抗値が高くなることは両者とも同
じであるが、単一成分から成る抵抗層の場合は上記した
傾向が顕著にあらわれている。In this case, the resistance layer has a thickness of about 50 mg / m 2.
In the groups of Example 7 and Example 8 which are, the latter resistance layer containing the main component and the sub-component shows a higher sheet resistance value. On the contrary, in the group in which the thickness of the resistance layer is about 40 mg / m 2 or less, the former resistance layer composed of a single component exhibits a higher sheet resistance value. Moreover, the sheet resistance value increases as the thickness of the resistance layer decreases, which is the same in both cases. However, in the case of a resistance layer composed of a single component, the above tendency is remarkably exhibited.

【００９５】また、実施例１８と、抵抗層の厚みが１０
mg／ｍ2より薄い実施例４〜６は、いずれも２次エッチ
ング時におけるＣｕの選択的なエッチング性が劣る傾向
にある。これは、副成分を含む抵抗層や、薄い抵抗層は
Ｃｕのエッチャントに溶解しやすいためであると考えら
れる。更に、抵抗層の厚みが５０mg／ｍ2近辺にある実
施例７〜１０の場合、基体銅箔のRz値が大きくなるにつ
れてシート抵抗値が高くなる傾向を示している。In Example 18, the resistance layer has a thickness of 10
In each of Examples 4 to 6 having a thickness of less than mg / m 2, the selective etching property of Cu during the secondary etching tends to be poor. It is considered that this is because the resistance layer containing subcomponents and the thin resistance layer are easily dissolved in the Cu etchant. Further, in the case of Examples 7 to 10 in which the thickness of the resistance layer is around 50 mg / m 2 , the sheet resistance value tends to increase as the Rz value of the base copper foil increases.

【００９６】（４）実施例２０は、２次エッチング時に
抵抗層の一部も溶解し、その結果、ファインパターンの
形成が困難で、しかもシート抵抗値のばらつきが非常に
大きくなっている。これは、抵抗層にＣｕ成分が１.２
質量％含有されているからであることがわかる。このよ
うなことから、抵抗層を構成する導電性物質におけるＣ
ｕ含有率は１質量％以下に規制することが好ましいこと
がわかる。(4) In Example 20, a part of the resistance layer was also dissolved during the secondary etching, and as a result, it was difficult to form a fine pattern and the variation in sheet resistance was very large. This is because Cu component is 1.2 in the resistance layer.
It can be seen that this is because the content is% by mass. Therefore, C in the conductive material forming the resistance layer is
It is understood that it is preferable to regulate the u content to 1% by mass or less.

【００９７】（５）抵抗層がＮｉ単体から成る実施例１
３と、更に副成分が含まれている抵抗層を有する実施例
１４，２１とを対比して明らかなように、抵抗層の厚み
を３０mg／ｍ2近辺に設定した場合、副成分の種類と含
有量によってシート抵抗値を変化させることができる。
また、実施例２７〜３５の場合のように主成分の種類を
変えても上記と同様の傾向が認められる。そして、実施
例３３，３４のように、抵抗層を構成する導電性物質の
電気抵抗率が１μΩ・ｍより高い場合であっても、抵抗
層の厚みを変えることにより、高いシート抵抗値が得ら
れている。(5) Example 1 in which the resistance layer is made of Ni alone
As is clear from comparison between Example 3 and Examples 14 and 21 having the resistance layer further containing a subcomponent, when the thickness of the resistance layer is set to around 30 mg / m 2 , the kind of the subcomponent and The sheet resistance value can be changed depending on the content.
Even when the types of the main components are changed as in the cases of Examples 27 to 35, the same tendency as above is observed. Then, as in Examples 33 and 34, even when the electric resistivity of the conductive material forming the resistance layer is higher than 1 μΩ · m, a high sheet resistance value can be obtained by changing the thickness of the resistance layer. Has been.

【００９８】（６）抵抗層がＮｉ単体から成る実施例４
３〜５０の群，抵抗層がＮｉ−３％Ｐから成る実施例５
１〜５８の群，抵抗層がＮｉ−１３％Ｐから成る実施例
５９〜６６の群のいずれにおいても、抵抗層の厚みが薄
くなるにつれてシート抵抗値は高くなっていく。とく
に、抵抗層がＮｉ単体から成る実施例４３〜５０の群の
場合、抵抗層の厚みが３０mg／ｍ2以下になると、その
シート抵抗値が極端に変化している。(6) Example 4 in which the resistance layer is made of Ni alone
Example 5 in which the resistance layer is made of Ni-3% P in a group of 3 to 50
In any of the groups 1 to 58 and the groups of Examples 59 to 66 in which the resistance layer is made of Ni-13% P, the sheet resistance value becomes higher as the resistance layer becomes thinner. In particular, in the case of the groups of Examples 43 to 50 in which the resistance layer was made of Ni alone, the sheet resistance value extremely changed when the thickness of the resistance layer was 30 mg / m 2 or less.

【００９９】これに反し、副成分であるＰ成分を含む他
の群においては、実施例４３〜５０の群に比べると、シ
ート抵抗値は低くなっているが、抵抗層が薄くなっても
シート抵抗値の変化量は少ない。この傾向はＰ成分が増
量するにつれて強くあらわれている。しかし、Ｐ成分が
多くなりすぎると、実施例５９〜６６の群で明らかなよ
うに、シート抵抗値は低くなり、高抵抗の抵抗層を形成
できなくなる。また、実施例６６から明らかなように、
これらの群の場合、抵抗層が薄くなると、２次エッチン
グ時にＣｕと同時溶解する傾向が認められる。On the contrary, in the other group containing the P component as the accessory component, the sheet resistance value was lower than that of the groups of Examples 43 to 50, but even if the resistance layer became thin, the sheet The amount of change in resistance is small. This tendency strongly appears as the amount of P component increases. However, if the P component is too much, as is apparent from the groups of Examples 59 to 66, the sheet resistance value becomes low, and it becomes impossible to form a high resistance layer. In addition, as is clear from Example 66,
In the case of these groups, when the resistance layer becomes thin, a tendency of simultaneous dissolution with Cu during the secondary etching is recognized.

【０１００】このように、設計目的のシート抵抗値の大
小によっては、主成分と副成分を含む導電性物質で抵抗
層を形成する方が、当該抵抗値の制御が可能であるとい
う利点がある。ただし、厳しいエッチング条件下ではＣ
ｕとの同時溶解を防ぐために、副成分の含有量は微量に
とどめるということが必要になる。そして、図９からも
明らかなようにシート抵抗値を１kΩ／sq以上の高抵抗
にするためには、Ｐ成分の量を、３質量％以下において
調節して高い抵抗値で制御することも可能である。As described above, depending on the size of the sheet resistance value for design purposes, it is advantageous to form the resistance layer with a conductive material containing a main component and a subcomponent because the resistance value can be controlled. . However, under severe etching conditions, C
In order to prevent simultaneous dissolution with u, it is necessary to keep the content of subcomponents to a very small amount. Further, as is clear from FIG. 9, in order to make the sheet resistance value as high as 1 kΩ / sq or more, the amount of the P component can be adjusted to 3% by mass or less and controlled with a high resistance value. Is.

【０１０１】（７）実施例１９，３６，４３，４７，５
１，６０，６４からも明らかなように、表面処理は、製
造した抵抗層付き銅箔に影響を与えていない。(7) Examples 19, 36, 43, 47, 5
As is clear from 1, 60 and 64, the surface treatment does not affect the manufactured copper foil with a resistance layer.

【０１０２】[0102]

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
抵抗層付き銅箔は、そのシート抵抗値が従来に比べて大
幅に高く、しかも広範囲の値となっていて、かつ２次エ
ッチング時においても導体回路になる基体銅箔と同時溶
解することが起こりづらく、更にはファインな回路パタ
ーンの形成が可能である。したがって、この抵抗層付き
銅箔と絶縁基材をラミネートすることにより、高抵抗で
ファインパターンの抵抗回路を内蔵するプリント回路基
板を製造することができる。As is apparent from the above description, the copper foil with a resistance layer of the present invention has a sheet resistance value which is much higher than that of the conventional one, and has a wide range of values, and the secondary etching. Even at times, it is difficult for the copper foil to be simultaneously melted with the base copper foil to be a conductor circuit, and it is possible to form a fine circuit pattern. Therefore, by laminating the copper foil with the resistance layer and the insulating base material, it is possible to manufacture a printed circuit board having a built-in resistance circuit of high resistance and fine pattern.

【０１０３】そして、抵抗層の形成に際しては、電気抵
抗率が０.０５〜２μΩ・ｍの電析可能な導電性物質の
１種または２種を設計目的のシート抵抗値との関係で用
い、しかも２種類を用いる場合には、その副成分の量を
調整することにより、抵抗値制御が可能となる。したが
って、この抵抗層付き銅箔を用いて製造したプリント回
路基板では、実装部品の面積の多くを占めるチップ抵抗
器などの使用を大幅に低減することができ、高密度実装
とその信頼性の向上を実現することができる。When forming the resistance layer, one or two kinds of electro-depositable conductive substances having an electric resistivity of 0.05 to 2 μΩ · m are used in relation to the sheet resistance value for design purposes. Moreover, when two types are used, the resistance value can be controlled by adjusting the amount of the subcomponent. Therefore, in a printed circuit board manufactured using this copper foil with a resistance layer, it is possible to significantly reduce the use of chip resistors, which occupy most of the area of mounted components, and to improve high-density mounting and its reliability. Can be realized.

【０１０４】しかも、この抵抗層付き銅箔は、従来から
使用されているプリント回路用銅箔の表面に抵抗層を形
成したものであるため、低コストであり、また高い生産
性の下で製造することができ、その工業的価値は極めて
大である。Moreover, since the copper foil with a resistance layer has a resistance layer formed on the surface of a conventionally used copper foil for a printed circuit, it is manufactured at low cost and with high productivity. Can be done, and its industrial value is extremely high.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の抵抗層付き銅箔の一例Ａを示す断面図
である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example A of a copper foil with a resistance layer of the present invention.

【図２】本発明の抵抗層付き銅箔の一例Ａ1を示す断面
図である。FIG. 2 is a sectional view showing an example A 1 of a copper foil with a resistance layer of the present invention.

【図３】本発明の抵抗層付き銅箔の一例Ａ2を示す断面
図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example A 2 of the copper foil with a resistance layer of the present invention.

【図４】本発明の抵抗層付き銅箔で用いる基体銅箔の一
例１Ａを示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example 1A of a base copper foil used in the copper foil with a resistance layer of the present invention.

【図５】本発明の抵抗層付き銅箔で用いる基体銅箔の一
例１Ｂを示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing an example 1B of a base copper foil used in the copper foil with a resistance layer of the present invention.

【図６】本発明の抵抗層付き銅箔で用いる基体銅箔の一
例１Ｃを示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example 1C of a base copper foil used in the copper foil with a resistance layer of the present invention.

【図７】本発明の抵抗層付き銅箔で用いる基体銅箔の一
例１Ｄを示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example 1D of a base copper foil used in the copper foil with a resistance layer of the present invention.

【図８】本発明の抵抗層付き銅箔で用いる基体銅箔の一
例１Ｅを示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example 1E of a base copper foil used in the copper foil with a resistance layer of the present invention.

【図９】抵抗層の厚みとシート抵抗値との関係を示すグ
ラフである。FIG. 9 is a graph showing the relationship between the resistance layer thickness and the sheet resistance value.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１，１Ａ0，８ 基体銅箔または回路形成用のＣｕ導体
層 １ａ 基体銅箔１の一方の表面 １ｂ 基体銅箔の他方の表面 ２ 抵抗層 ３ 表面処理層 ４ 絶縁樹脂層または接着剤層 ５ 粗化層 ６ キャリア銅箔 ７ 剥離層 ９ 耐熱剥離層またはレーザ吸収層1, 1A 0, 8 substrate foil or circuit other surface 2 resistive layer 3 surface treatment layer 4 the insulating resin layer on one surface 1b base copper foil Cu conductor layer 1a base copper foil 1 for forming or adhesive layer 5 Roughening layer 6 Carrier copper foil 7 Release layer 9 Heat-resistant release layer or laser absorption layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川田 健二 栃木県今市市荊沢601番地の２ 古河サー キットフォイル株式会社内 Ｆターム(参考） 4K024 AA01 AA03 AA12 AB01 BA09 BB11 BC02 DA02 DB03 DB04 GA16 4K044 AA06 AB02 BA01 BA02 BA06 BA08 BA10 BA15 BA21 BB03 BC02 BC05 BC11 CA16 CA18   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Kenji Kawada             2 Furukawa Sir, 601 Ojizawa, Imaichi City, Tochigi Prefecture             Kit Foil Co., Ltd. F-term (reference) 4K024 AA01 AA03 AA12 AB01 BA09                       BB11 BC02 DA02 DB03 DB04                       GA16                 4K044 AA06 AB02 BA01 BA02 BA06                       BA08 BA10 BA15 BA21 BB03                       BC02 BC05 BC11 CA16 CA18

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 絶縁基材とラミネートして使用される抵
抗層付き銅箔であって、両面がＪＩＳ Ｂ ０６０１で
規定する１０点平均粗さ（Rz）で０.５〜２.５μｍの光
沢面になっている基体銅箔の少なくとも一方の表面に、
電気抵抗率が０.０５〜２μΩ・ｍである導電性物質か
ら成る抵抗層が形成されていることを特徴とする抵抗層
付き銅箔。1. A copper foil with a resistance layer, which is used by laminating it with an insulating base material, and has a 10-point average roughness (Rz) of 0.5 to 2.5 μm on both sides defined by JIS B 0601. On at least one surface of the base copper foil which is a surface,
A copper foil with a resistance layer, wherein a resistance layer made of a conductive material having an electric resistivity of 0.05 to 2 μΩ · m is formed. 【請求項２】 前記抵抗層の厚みが５〜３００mg／ｍ2
である請求項１の抵抗層付き銅箔。2. The resistance layer has a thickness of 5 to 300 mg / m 2.
The copper foil with a resistance layer according to claim 1. 【請求項３】 前記基体銅箔における前記抵抗層が形成
される表面は、粗面化処理が施されていて、前記Rz値が
１〜４μｍになっている請求項１または２の抵抗層付き
銅箔。3. A resistance layer according to claim 1, wherein the surface of the base copper foil on which the resistance layer is formed is roughened so that the Rz value is 1 to 4 μm. Copper foil. 【請求項４】 前記導電性物質が、９８質量％以上の単
一成分を含み、残部は不可避的不純物または１質量％未
満のＣｕ成分を含んでいる請求項１〜３のいずれかの抵
抗層付き銅箔。4. The resistance layer according to claim 1, wherein the conductive material contains 98% by mass or more of a single component, and the balance contains inevitable impurities or less than 1% by mass of a Cu component. With copper foil. 【請求項５】 前記単一成分が、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｐｄまた
はＢｉのいずれか１種である請求項４の抵抗層付き銅
箔。5. The copper foil with a resistance layer according to claim 4, wherein the single component is any one of Ni, Co, Pd and Bi. 【請求項６】 前記導電性物質が、９５質量％以上の主
成分と３質量％以下の副成分を含み、残部は不可避的不
純物と１質量％未満のＣｕ成分を含んでいる請求項１〜
３のいずれかの抵抗層付き銅箔。6. The conductive material contains 95% by mass or more of a main component and 3% by mass or less of a secondary component, and the balance contains inevitable impurities and less than 1% by mass of a Cu component.
Copper foil with a resistance layer according to any one of 3 above. 【請求項７】 前記副成分が、Ｐ，Ｂ，Ｐｄ，Ｂｉまた
はＷのいずれか１種である請求項６の抵抗層付き銅箔。7. The copper foil with a resistance layer according to claim 6, wherein the sub ingredient is any one of P, B, Pd, Bi and W. 【請求項８】 前記抵抗層の厚みが１０〜５０mg／ｍ2
であり、絶縁基材にラミネートしたのちに前記基体銅箔
のみを選択的にエッチング除去して残存する前記抵抗層
のシート抵抗値が０.５kΩ／sq〜５００kΩ／sqである
請求項１〜７のいずれかの抵抗層付き銅箔。8. The thickness of the resistance layer is 10 to 50 mg / m 2.
The sheet resistance value of the resistive layer remaining after selective etching and removal of only the base copper foil after being laminated on an insulating substrate is 0.5 kΩ / sq to 500 kΩ / sq. Copper foil with one of the resistance layers. 【請求項９】 前記シート抵抗値のばらつきが、平均値
に対して±５％の範囲内にある請求項１〜８のいずれか
の抵抗層付き銅箔。9. The copper foil with a resistance layer according to claim 1, wherein the variation in the sheet resistance value is within ± 5% of the average value. 【請求項１０】 前記抵抗層が電析で形成される請求項
１〜９のいずれかの抵抗層付き銅箔。10. The copper foil with a resistance layer according to claim 1, wherein the resistance layer is formed by electrodeposition. 【請求項１１】 前記基体銅箔が圧延銅箔である請求項
１〜１０のいずれかの抵抗層付き銅箔。11. The copper foil with a resistance layer according to claim 1, wherein the base copper foil is a rolled copper foil. 【請求項１２】 前記基体銅箔はキャリア付き銅箔であ
り、前記キャリアの表面に回路形成用のＣｕ導体層，抵
抗層が順次形成されている請求項１〜１０のいずれかの
抵抗層付き銅箔。12. The base copper foil is a copper foil with a carrier, and a Cu conductor layer for forming a circuit and a resistance layer are sequentially formed on the surface of the carrier, with the resistance layer according to claim 1. Copper foil. 【請求項１３】 前記基体銅箔は、レーザ吸収層を備え
ている請求項１〜１２のいずれかの抵抗層付き銅箔。13. The copper foil with a resistance layer according to claim 1, wherein the base copper foil comprises a laser absorption layer. 【請求項１４】 前記基体銅箔はキャリア付き銅箔であ
り、回路形成用のＣｕ導体層の上に前記抵抗層が形成さ
れ、かつ、前記キャリアと前記Ｃｕ導体層の間には、剥
離層とレーザ吸収層が介装されている請求項１２または
１３の抵抗層付き銅箔。14. The base copper foil is a copper foil with a carrier, the resistance layer is formed on a Cu conductor layer for forming a circuit, and a peeling layer is provided between the carrier and the Cu conductor layer. The copper foil with a resistance layer according to claim 12, wherein a laser absorption layer is interposed. 【請求項１５】 前記基体銅箔、前記キャリア、または
前記Ｃｕ導体層が、少なくともメルカプト基を有する化
合物が添加された電解めっき液を用いたカソード電解で
形成されている請求項１〜１４のいずれかの抵抗層付き
銅箔。15. The substrate copper foil, the carrier, or the Cu conductor layer is formed by cathode electrolysis using an electrolytic plating solution to which at least a compound having a mercapto group is added. Copper foil with a resistance layer. 【請求項１６】 両面には、防錆または絶縁基材とのラ
ミネート用の表面処理層が形成されている請求項１〜１
５のいずれかの抵抗層付き銅箔。16. A surface treatment layer for rust prevention or laminating with an insulating base material is formed on both surfaces.
Copper foil with a resistance layer according to any one of 5. 【請求項１７】 前記表面処理層が、Ｚｎめっき層，ク
ロメート処理層，シランカップリング処理層の１種また
は２種以上の層である請求項１６の抵抗層付き銅箔。17. The copper foil with a resistance layer according to claim 16, wherein the surface treatment layer is one or more layers of a Zn plating layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer. 【請求項１８】 前記抵抗層の上には、更に、Ｂステー
ジもしくは半硬化状態の絶縁樹脂層、または接着剤層が
形成されている請求項１〜１７のいずれかの抵抗層付き
銅箔。18. The copper foil with a resistance layer according to claim 1, further comprising a B-stage or semi-cured insulating resin layer or an adhesive layer formed on the resistance layer. 【請求項１９】 基体銅箔の表面に導電性物質から成る
抵抗層を電析で形成する際に、電解めっき液として、前
記導電性物質のイオンを含み、かつ、塩素イオン濃度が
１０ppm以下、Ｃｕイオン濃度が２０ppm以下である水溶
液を用いることを特徴とする抵抗層付き銅箔の製造方
法。19. When forming a resistance layer made of a conductive substance on the surface of a base copper foil by electrodeposition, the electrolytic plating solution contains ions of the conductive substance and has a chlorine ion concentration of 10 ppm or less, A method for producing a copper foil with a resistance layer, which comprises using an aqueous solution having a Cu ion concentration of 20 ppm or less.
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