JP2003188193A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method for manufacturing semiconductor device

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JP2003188193A
JP2003188193A JP2001380857A JP2001380857A JP2003188193A JP 2003188193 A JP2003188193 A JP 2003188193A JP 2001380857 A JP2001380857 A JP 2001380857A JP 2001380857 A JP2001380857 A JP 2001380857A JP 2003188193 A JP2003188193 A JP 2003188193A
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Japan
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semiconductor chip
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semiconductor
pattern data
image data
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Japanese (ja)
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Hideharu Kobashi
英晴 小橋
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the number of times of registering reference pattern data (template pattern) used to position a die bonded semiconductor chip. <P>SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of housing the semiconductor chips divided into individual pieces and a pattern state of its periphery as image data D1 in a die bonder, processing the image data D1 by cutting off a desired region of the image data D2 or masking a region except a desired region, thereby forming a reference pattern data D2, and aligning the chip intended to be picked up by using the data D2. As a result, even when the pattern shape of the surface of the chip is slightly different according to the component to be processed, the previous process is conducted to form the reference pattern data, and its surface state can be confirmed at each component, and hence a work of re-registering the reference pattern data can be omitted. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関するもので、特に、ウエハをスクライブするこ
とにより得られたダイ(半導体チップ)をリードフレー
ム等の上部に搭載する際の位置決めに適用して有効な技
術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, it is applied to positioning when a die (semiconductor chip) obtained by scribing a wafer is mounted on an upper portion of a lead frame or the like. It is related to effective technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】MISFET(Metal Insulator Semico
nductor Field Effect Transistor)等の半導体素子や
配線が形成された半導体基板(ウエハ)は、略矩形上の
ダイ(半導体チップ)に個片化され、例えば、リードフ
レーム上に固定される。その後は、例えば、半導体チッ
プ表面に露出しているボンディングパッドとリードフレ
ームとをワイヤーで接続し、このワイヤーや半導体チッ
プ等を樹脂で封止する。
2. Description of the Related Art MISFET (Metal Insulator Semico)
A semiconductor substrate (wafer) on which semiconductor elements such as nductor field effect transistors) and wiring are formed is diced into substantially rectangular dies (semiconductor chips), and is fixed onto, for example, a lead frame. After that, for example, the bonding pad exposed on the surface of the semiconductor chip and the lead frame are connected with a wire, and the wire, the semiconductor chip, and the like are sealed with resin.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】前述の個片化されたダ
イ(半導体チップ)を、リードフレーム等の上部に固定
させる工程をダイボンディングといい、この工程に用い
られる装置をダイボンダーという。
The step of fixing the above-mentioned individualized die (semiconductor chip) to the upper portion of a lead frame or the like is called die bonding, and the device used in this step is called a die bonder.

【0004】このダイボンダーには、追って詳細に説明
するように、ダイを吸着して搬送する吸着機構を有する
ものがある。即ち、ウエハ状態から個片化されたダイ
は、ウエハ裏面の粘着シート上に保持されており、この
粘着シートの上部から、吸着機構によってダイを吸着
し、粘着シートから剥離し、ダイを所望の位置、例え
ば、リードフレーム上に搬送し、固定する。
Some of the die bonders have an adsorption mechanism for adsorbing and conveying the die, as will be described later in detail. That is, the die separated from the wafer state is held on the adhesive sheet on the back surface of the wafer, and the die is adsorbed by the adsorption mechanism from the upper part of the adhesive sheet and peeled from the adhesive sheet to obtain the desired die. It is transported to a position, for example, a lead frame and fixed.

【0005】この際、ダイの所望の位置を吸着し、搬送
するために、ダイの位置決めを行う必要がある。
At this time, it is necessary to position the die in order to suck and convey the desired position of the die.

【0006】例えば、この位置決めには、ダイ表面のパ
ターンをテンプレートパターンとして、あらかじめダイ
ボンダー内に登録しておき、このテンプレートパターン
と処理対象のダイ表面のパターンを比較することにより
位置決めをおこなうことができる。
For example, for this positioning, the pattern of the die surface is registered as a template pattern in the die bonder in advance, and the positioning can be performed by comparing the template pattern with the pattern of the die surface to be processed. .

【0007】しかしながら、かかる位置決め方法では、
製品によってダイ表面のパターンの位置や形状が異なる
場合には、その都度テンプレートパターンを登録し直す
必要があった。
However, in such a positioning method,
When the position or shape of the pattern on the die surface differs depending on the product, it was necessary to re-register the template pattern each time.

【0008】本発明の目的は、テンプレートパターンの
登録回数を低減させることにある。また、この登録回数
を低減させることにより、装置の稼働率を向上させ、製
品の製造に必要な時間の短縮を図ることを目的とする。
An object of the present invention is to reduce the number of template pattern registrations. It is also an object of the present invention to reduce the number of registrations to improve the operating rate of the device and shorten the time required for manufacturing a product.

【0009】また、本発明の他の目的は、ダイの位置決
め精度を向上させることにある。
Another object of the present invention is to improve the positioning accuracy of the die.

【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.

【0012】本発明の半導体装置の製造方法は、(a)
個片化された半導体チップを複数準備する工程と、
(b)前記複数の半導体チップの内のいずれか1つの表
面を画像データとして取り込み、前記画像データの所望
の領域以外の領域をマスキングすることによって、基準
パターンデータを作成する工程と、(c)前記複数の半
導体チップの表面と前記基準パターンデータとを位置あ
わせする工程と、を有する。
The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises (a)
A step of preparing a plurality of individualized semiconductor chips,
(B) a step of creating reference pattern data by taking in any one surface of the plurality of semiconductor chips as image data and masking an area other than a desired area of the image data; Aligning the surfaces of the plurality of semiconductor chips with the reference pattern data.

【0013】本発明の半導体装置の製造方法は、(a)
個片化され、その表面に複数のパターンを有する半導体
チップを、複数個、装置内に設置する工程と、(b)前
記複数の半導体チップの内のいずれか1つの表面を画像
データとして取り込み、前記複数のパターンのうち所望
のパターン以外をマスキングすることによって、基準パ
ターンデータを作成し、前記装置内に登録する工程と、
(c)前記複数の半導体チップの表面を認識し、前記基
準パターンデータと比較することによって位置あわせを
行い、前記半導体チップを処理する工程と、を有する。
この装置とは、例えば、ダイボンダーであり、また、処
理とは、例えば、半導体チップをピックアップすること
である。
The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises (a)
A step of installing a plurality of semiconductor chips each of which has a plurality of patterns on its surface into an apparatus, and (b) capturing any one surface of the plurality of semiconductor chips as image data, A step of creating reference pattern data by masking a pattern other than a desired pattern among the plurality of patterns and registering it in the device,
(C) recognizing the surfaces of the plurality of semiconductor chips, performing alignment by comparing with the reference pattern data, and processing the semiconductor chips.
The device is, for example, a die bonder, and the process is, for example, picking up a semiconductor chip.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof will be omitted.

【0015】まず、本実施の形態である半導体装置の製
造方法で用いられるダイボンダー(ダイボンディング装
置)について説明する。図1に、ダイボンダーの部分上
面図を示す。
First, a die bonder (die bonding apparatus) used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this embodiment will be described. FIG. 1 shows a partial top view of the die bonder.

【0016】まず、図1に示すように、左手前側にカセ
ットリフタ2が設けられている。このカセットリフタ2
内には、半導体ウエハWが格納される。この半導体ウエ
ハWは、ウエハリング(フレーム)Rに貼り付けられた
テープ上に接着されており、既に、矩形状の半導体チッ
プCHにダイシング(個片化)されている。
First, as shown in FIG. 1, a cassette lifter 2 is provided on the front left side. This cassette lifter 2
A semiconductor wafer W is stored inside. The semiconductor wafer W is adhered on a tape attached to a wafer ring (frame) R, and is already diced (individualized) into rectangular semiconductor chips CH.

【0017】カセットリフタ2の右側には、ウエハ修正
シュート3が設けられ、その奥には、リング搬送部5が
設けられている。このウエハ修正シュート3およびリン
グ搬送部5を介して半導体ウエハWが、ウエハホルダ7
まで搬送される。
A wafer correction chute 3 is provided on the right side of the cassette lifter 2, and a ring transfer section 5 is provided behind it. The semiconductor wafer W is transferred to the wafer holder 7 via the wafer correction chute 3 and the ring transfer unit 5.
Be transported to.

【0018】また、ウエハ修正シュート3の右側には、
操作制御部6が設けられている。この操作制御部6にお
いて、ダイボンダーの制御を行う。
On the right side of the wafer correction chute 3,
An operation control unit 6 is provided. The operation controller 6 controls the die bonder.

【0019】また、リング搬送部5の後方には、前述し
たウエハホルダ7が位置し、このウエハホルダ7は、リ
ング搬送部5によって搬送された半導体ウエハWを搭載
し、固定する。
The above-mentioned wafer holder 7 is located behind the ring transfer unit 5, and the wafer holder 7 mounts and fixes the semiconductor wafer W transferred by the ring transfer unit 5.

【0020】また、カセットリフタ2の奥には、ローダ
8が設けられている。このローダ8は、半導体チップC
Hが装着されるリードフレームFなどが格納されてい
る。
A loader 8 is provided inside the cassette lifter 2. This loader 8 is a semiconductor chip C
A lead frame F to which H is attached is stored.

【0021】ローダ8の後方には、左側から右側にかけ
て、フレームフィーダ9が設けられている。フレームフ
ィーダ9によって、リードフレームFが搬送される。フ
レームフィーダ9の上方には、プリフォームヘッド10
が設けられている。このプリフォームヘッド10は、フ
レームフィーダ9によって搬送されたリードフレームF
の所定の位置に半導体チップCHを接合する銀ペースト
などの接着材を塗布する。
A frame feeder 9 is provided behind the loader 8 from the left side to the right side. The lead frame F is conveyed by the frame feeder 9. Above the frame feeder 9, the preform head 10
Is provided. The preform head 10 has a lead frame F conveyed by the frame feeder 9.
An adhesive material such as a silver paste for joining the semiconductor chip CH is applied to a predetermined position of.

【0022】また、半導体チップCHがピックアップさ
れる位置(ピックアップ位置PP)およびリードフレー
ム上にボンディングされる位置(ボンディング位置Bo
P)の上部には、ボンディングヘッド11が設けられて
いる。後述するように、ボンディングヘッド11内の吸
着機構(ピックアップ機構)11aにより、半導体ウエ
ハW上の半導体チップCHをピックアップし、リードフ
レームFの上部まで搬送した後、リードフレームF上に
半導体チップCHを固着する。
Further, a position where the semiconductor chip CH is picked up (pickup position PP) and a position where the semiconductor chip CH is bonded on the lead frame (bonding position Bo).
A bonding head 11 is provided above P). As will be described later, after the semiconductor chip CH on the semiconductor wafer W is picked up by the suction mechanism (pickup mechanism) 11a in the bonding head 11 and transferred to the upper portion of the lead frame F, the semiconductor chip CH is placed on the lead frame F. Stick to it.

【0023】また、半導体ウエハWのピックアップ位置
PP上には、チップ認識用カメラ12が設けられてい
る。このチップ認識用カメラ12によって、チップの表
面状態が認識され、ダイボンダー1の奥のモニタ15
に、その様子が映し出される。
On the pickup position PP of the semiconductor wafer W, a chip recognition camera 12 is provided. The surface state of the chip is recognized by the chip recognition camera 12, and the monitor 15 at the back of the die bonder 1 is recognized.
The situation is displayed in.

【0024】なお、フレームフィーダ9の右側端部に
は、マガジンラック13が設けられており、このマガジ
ンラック13の前方には、アンローダ14が設けられて
いる。半導体チップCHがボンディングされたリードフ
レームFは、マガジンラック13に収納された後、アン
ローダ14に格納される。
A magazine rack 13 is provided at the right end of the frame feeder 9, and an unloader 14 is provided in front of the magazine rack 13. The lead frame F to which the semiconductor chip CH is bonded is stored in the magazine rack 13 and then stored in the unloader 14.

【0025】次に、このようなダイボンダーを用いて半
導体チップCHをリードフレームF上にボンディングす
る方法ついて説明する。図2は、ダイボンダー1の主要
部の説明図である。この図2は、ボンディング方法の流
れを説明するために特に必要な機構を概略的に示したも
のである。
Next, a method of bonding the semiconductor chip CH onto the lead frame F using such a die bonder will be described. FIG. 2 is an explanatory diagram of a main part of the die bonder 1. FIG. 2 schematically shows a mechanism particularly necessary for explaining the flow of the bonding method.

【0026】まず、図2に示すように、カセットリフタ
2に格納されている半導体ウエハWは、図1において説
明したウエハ修正シュート3やリング搬送部5を介して
所望の位置(ピックアップ位置)まで搬送される。
First, as shown in FIG. 2, the semiconductor wafer W stored in the cassette lifter 2 reaches a desired position (pickup position) via the wafer correction chute 3 and the ring transfer unit 5 described in FIG. Be transported.

【0027】この半導体ウエハWは、前述したように、
ウエハリング(フレーム)Rに貼り付けられたテープT
上に、個片化された状態で接着されている。即ち、半導
体ウエハWは、その裏面にテープが接着された状態で、
個片化され、この際、例えば、半導体ウエハWは矩形状
に切断されるが、テープは切断されないようダイシング
し、個々の半導体チップCHがばらばらにならないよう
工夫されている(図3参照)。
This semiconductor wafer W is, as described above,
Tape T attached to wafer ring (frame) R
It is adhered to the top in the state of being singulated. That is, the semiconductor wafer W has the tape adhered to its back surface,
The semiconductor wafer W is diced into individual pieces. At this time, for example, the semiconductor wafer W is cut into a rectangular shape, but the tape is diced so as not to be cut so that the individual semiconductor chips CH are not separated (see FIG. 3).

【0028】所望の位置まで搬送された半導体ウエハW
上に、ボンディングヘッド11を構成する吸着機構(ピ
ックアップ機構)11aを移動させ、さらに、この吸着
機構11aを降下させ、半導体チップCHを吸着するこ
とにより、半導体チップCHをその裏面のテープTから
剥離させ、その後、吸着機構11aを上昇させる。この
一連の動作をピックアップ動作という。
Semiconductor wafer W carried to a desired position
The semiconductor chip CH is peeled from the tape T on the back surface of the semiconductor chip CH by moving the suction mechanism (pickup mechanism) 11a constituting the bonding head 11 and lowering the suction mechanism 11a to suction the semiconductor chip CH. After that, the suction mechanism 11a is raised. This series of operations is called a pickup operation.

【0029】さらに、半導体チップCHを保持した状態
で、リードフレームF上まで搬送し、降下させることに
よりリードフレームF上に半導体チップCHを固着(ボ
ンディング)する。このリードフレーム上には、銀ペー
ストなどの接着材Boが既に塗布されている。この半導
体チップCHのピックアップおよび固着の様子を図3に
示す。
Further, while holding the semiconductor chip CH, the semiconductor chip CH is fixed (bonded) on the lead frame F by being conveyed to the lead frame F and lowered. An adhesive material Bo such as silver paste is already applied on the lead frame. FIG. 3 shows how the semiconductor chip CH is picked up and fixed.

【0030】図3に示すように、吸着機構11aは、そ
の内部に中空部を有し、かかる中空部を介して減圧(V
AC)することにより半導体チップCHを吸着し、保持
する。
As shown in FIG. 3, the adsorption mechanism 11a has a hollow portion inside, and a decompression (V
AC) to adsorb and hold the semiconductor chip CH.

【0031】この吸着機構11aは、半導体チップCH
を吸着し、また、半導体チップCHを所望の位置まで搬
送し、例えば、リードフレームF上に固定するため上下
方向(Z方向)に移動可能であり、また、XY方向(ウ
エハWの延在方向)にも移動可能である。なお、半導体
ウエハWも、XY方向(ウエハWの延在方向)にも移動
可能である。
The suction mechanism 11a is a semiconductor chip CH.
Can be moved in the vertical direction (Z direction) to fix the semiconductor chip CH to a desired position and to be fixed on the lead frame F. In addition, the semiconductor chip CH can be moved in the XY direction (the extending direction of the wafer W). ) Is also available. The semiconductor wafer W can also be moved in the XY directions (the extending direction of the wafer W).

【0032】このピックアップの際、半導体チップCH
の所望の位置、例えば、その中央部を正確に吸着するた
めに、半導体チップCHの表面に形成されたパターン
を、あらかじめダイボンダー1内に登録された基準パタ
ーンデータと比較し、位置合わせを行う。以下、この位
置合わせの方法について説明する。
At the time of this pickup, the semiconductor chip CH
In order to accurately adsorb the desired position, for example, the central portion thereof, the pattern formed on the surface of the semiconductor chip CH is compared with the reference pattern data registered in the die bonder 1 in advance to perform the alignment. The method of this alignment will be described below.

【0033】本実施の形態においては、図4に示すウエ
ハ認識カメラで撮影されたカメラ画像のうち、半導体チ
ップCHおよびその周辺のパターン状態を画像データD
1として装置内に格納する。次いで、この画像データD
1のうち、半導体チップCH1個分に対応する画像デー
タ(D2)を切り出し、基準パターンデータ(テンプレ
ート)として、あらかじめ装置内に格納しておく。特徴
的なパターンや処理対象の複数の製品について共通する
パターンを選択し、それ以外のパターンをマスクするこ
とにより基準パターンデータを作成してもよい。
In this embodiment, of the camera images taken by the wafer recognition camera shown in FIG. 4, the pattern state of the semiconductor chip CH and its periphery is represented by image data D.
It is stored in the device as 1. Next, this image data D
The image data (D2) corresponding to one semiconductor chip CH out of 1 is cut out and stored in the device in advance as reference pattern data (template). The reference pattern data may be created by selecting a characteristic pattern or a pattern common to a plurality of products to be processed and masking other patterns.

【0034】従って、本実施の形態で使用されるダイボ
ンダーには、画像データD1を格納する場所を有し、さ
らに、画像データD1を加工した基準パターンデータD
2(テンプレート)を格納する場所を有する。
Therefore, the die bonder used in this embodiment has a place for storing the image data D1, and further the reference pattern data D processed from the image data D1.
It has a place to store 2 (template).

【0035】そして、ピックアップの際には、ピックア
ップ位置PPの上部にあるウエハ認識カメラで撮影され
たピックアップ対象の半導体チップCHの表面の画像
と、前記基準パターンデータとを比較することにより位
置合わせを行う。その後、前述したようなピックアップ
動作を行う。
Then, at the time of pickup, the image of the surface of the semiconductor chip CH to be picked up taken by the wafer recognition camera above the pickup position PP is compared with the reference pattern data to perform the alignment. To do. Then, the pickup operation as described above is performed.

【0036】このように本実施の形態においては、例え
ば、半導体チップCHおよびその周辺のパターン状態を
画像データとして装置内に格納し、この画像データを加
工して基準パターンデータを作成したので、基準パター
ンデータの再登録作業を簡素化することができる。ま
た、誤認識を防止することができ、ピックアップ動作を
的確に行うことができる。
As described above, in this embodiment, for example, the pattern state of the semiconductor chip CH and its periphery is stored in the apparatus as image data, and the image data is processed to form the reference pattern data. The re-registration work of pattern data can be simplified. Further, erroneous recognition can be prevented and the pickup operation can be performed accurately.

【0037】例えば、図5(a)および(b)に示すよ
うに、製品によって半導体チップCH表面のパターンが
異なる場合がある。この場合、半導体チップCHの右上
にあるパターンPaは、特徴的なパターン形状となって
おり、図5(a)と(b)とで、このパターンPaの形
状が異なっている。このパターンPaを基準パターンデ
ータとしたのでは、製品毎に、その登録を行わなければ
ならない。この登録の際には、パターンが正確に形成さ
れた製品(良品)を抽出する等、その作業には時間を要
する。
For example, as shown in FIGS. 5A and 5B, the pattern on the surface of the semiconductor chip CH may differ depending on the product. In this case, the pattern Pa on the upper right of the semiconductor chip CH has a characteristic pattern shape, and the shapes of the pattern Pa are different between FIGS. 5A and 5B. If this pattern Pa is used as the reference pattern data, it must be registered for each product. At the time of this registration, it takes time for the work such as extracting a product (good product) in which the pattern is accurately formed.

【0038】また、図5(a)および(b)に示すパタ
ーンを有する製品の製造においては、特徴のあるパター
ンPaの近傍のパターン、例えば、矩形状のボンディン
グパッドBP等も含めた、チップの一角の画像データ
に、パターンの異なる部分上にあらかじめマスクMをか
けたデータを基準パターンデータD21(図5(c))
とする方法も考えられる。この場合は、これらの2種の
製品について、1つの基準パターンデータの登録で済む
が、例えば、3種目の製品が図6に示すように、特徴と
なるあるパターンPaが異なる位置に表れる製品につい
ては、この基準パターンデータD21(図5(c))を
用いることができず、基準パターンデータを再登録しな
ければならない。
Further, in the manufacture of the product having the patterns shown in FIGS. 5A and 5B, the pattern in the vicinity of the characteristic pattern Pa, for example, the rectangular bonding pad BP, etc. of the chip is also included. The reference pattern data D21 (FIG. 5 (c)) is data obtained by applying mask M to the image data of one corner on different parts of the pattern in advance.
It is also possible to use In this case, it is sufficient to register one reference pattern data for these two types of products, but for example, for the product of the third type, as shown in FIG. 6, a certain characteristic pattern Pa appears at different positions. Cannot use this reference pattern data D21 (FIG. 5C), and must re-register the reference pattern data.

【0039】これに対して、本実施の形態によれば、あ
らかじめ広い領域の画像データを装置内に格納してある
ので、この画像データを、製品によって適宜加工するだ
けで、基準パターンデータを作成することができ、前述
した再登録に比べ、作業効率を向上させることができ
る。その結果、製品製造期間を短縮することができる。
On the other hand, according to the present embodiment, since the image data of a wide area is stored in the apparatus in advance, the reference pattern data is created only by appropriately processing the image data according to the product. Therefore, the work efficiency can be improved as compared with the re-registration described above. As a result, the product manufacturing period can be shortened.

【0040】また、画像データを製品によって適宜加工
するだけで、基準パターンデータを作成することができ
るので、基準パターンデータと処理対象の製品のパター
ンとの一致度を向上させることができる。また、誤認識
を防止することができ、装置の稼動率を向上させること
ができる。
Further, since the reference pattern data can be created simply by appropriately processing the image data according to the product, the degree of coincidence between the reference pattern data and the pattern of the product to be processed can be improved. In addition, it is possible to prevent erroneous recognition and improve the operating rate of the device.

【0041】特に、半導体ウエハW上の半導体チップC
Hは、例えば、ダイシングされる前にプローブテストが
行われ、その良否が判断される。この際、不良の半導体
チップには、図7に示すように、半導体チップCHの表
面に不良マークFMが付けられる。
In particular, the semiconductor chip C on the semiconductor wafer W
For H, for example, a probe test is performed before dicing, and the quality is judged. At this time, as shown in FIG. 7, the defective semiconductor chip is provided with a defective mark FM on the surface of the semiconductor chip CH.

【0042】このような不良マークFMは、同一製品で
あっても、処理単位(ロット)毎にその付着位置が異な
っていることが多い。例えば、図8に示すように、不良
マークFMが半導体チップCHの比較的下部に形成され
ているもの(図8(b))や、やや中央よりに形成され
ているの(図8(a))がある。
Such defective marks FM often have different attachment positions for each processing unit (lot) even if they are the same product. For example, as shown in FIG. 8, the defective mark FM is formed on a comparatively lower portion of the semiconductor chip CH (FIG. 8B), or is formed slightly in the center (FIG. 8A). ).

【0043】このような場合であっても、例えば、図8
(a)に示す位置に不良マークFMが形成されているロ
ットについては、図4に示した画像データD1を加工
し、領域Maをマスクしたものを基準パターンデータと
し、次いで、図8(b)に示す位置に不良マークが形成
されているロットについては、領域Mbをマスクしたも
のを基準パターンデータとして、位置合わせすることが
できる。
Even in such a case, for example, as shown in FIG.
For the lot in which the defective mark FM is formed at the position shown in (a), the image data D1 shown in FIG. 4 is processed and the area Ma is masked to be the reference pattern data, and then the FIG. With respect to the lot in which the defective mark is formed at the position indicated by, it is possible to perform the alignment by using the masked area Mb as the reference pattern data.

【0044】なお、不良チップは、不良のリードフレー
ム上に固着し、処理の一連性を確保する場合等に位置合
わせが必要となる。また、不良チップであるか否かは、
半導体チップの内部をスキャンして不良マークの有無を
検査することにより判定されるが、このスキャンの前に
は、位置合わせが必要である。
The defective chip is fixed on the defective lead frame, and alignment is required when securing the continuity of processing. Also, whether or not the chip is defective
This is determined by scanning the inside of the semiconductor chip and inspecting for the presence or absence of defective marks, but alignment is necessary before this scanning.

【0045】このように、本実施によれば、あらかじめ
格納してある半導体チップの表面の画像を、マスクをす
る箇所を適宜変更する等加工するだけで各ロットにあっ
た基準パターンデータを作成することができる。
As described above, according to the present embodiment, the image of the surface of the semiconductor chip stored in advance is processed by, for example, appropriately changing the masking place, and the reference pattern data suitable for each lot is created. be able to.

【0046】その結果、基準パターンデータの登録回数
を低減させることができ、装置の稼働率を向上させるこ
とができる。また、製品の製造に必要な時間の短縮を図
ることができる。さらに、半導体チップの位置決め精度
を向上させることができる。
As a result, the number of times the reference pattern data is registered can be reduced and the operating rate of the device can be improved. In addition, it is possible to reduce the time required to manufacture the product. Furthermore, the positioning accuracy of the semiconductor chip can be improved.

【0047】次に、リードフレームF上に固着された半
導体チップCH(図3参照)のその後の処理工程につい
て説明する。
Next, the subsequent processing steps of the semiconductor chip CH (see FIG. 3) fixed on the lead frame F will be described.

【0048】図9に示すように、リードフレームFに固
着された半導体チップCHを準備し、表面に露出してい
る電極部(ボンディングパッド部)と、リードフレーム
Fのリード部とを金線等の導電性ワイヤ27を用いて接
続する。このように半導体チップCH上の電極部とパッ
ケージの外部引き出し用端子の間をワイヤで接続するこ
とをワイヤボンディングといい、この接続に用いられる
装置をワイヤボンダーという。
As shown in FIG. 9, the semiconductor chip CH fixed to the lead frame F is prepared, and the electrode portion (bonding pad portion) exposed on the surface and the lead portion of the lead frame F are gold wire or the like. Connection using the conductive wire 27. The connection between the electrode portion on the semiconductor chip CH and the external lead-out terminal of the package by a wire is called wire bonding, and the device used for this connection is called a wire bonder.

【0049】このワイヤボンディング時にも、リードフ
レームと半導体チップとを正確に固着するために、半導
体チップの位置合わせを行う必要がある。この場合に
も、前述した基準パターンデータを用いれば、前述の効
果を得ることができる。
Also during this wire bonding, it is necessary to align the semiconductor chips in order to accurately fix the lead frame and the semiconductor chips. Also in this case, the above-mentioned effect can be obtained by using the above-mentioned reference pattern data.

【0050】次いで、図10に示すように、モールド金
型(28a、28b)によりリードフレームFを挟持す
る。このモールド金型は、上金型28aおよび下金型2
8bからなり、この下金型28bに設けられた樹脂導入
孔(樹脂導入部)29から溶融樹脂30を注入し、モー
ルド金型の窪み(キャビティ)内に、溶融樹脂を充填す
る。次いで、溶融樹脂を硬化させることにより、半導体
チップCHの周辺部を封止樹脂30aで覆う。
Next, as shown in FIG. 10, the lead frame F is sandwiched by the molding dies (28a, 28b). This mold includes an upper mold 28a and a lower mold 2.
8b, and the molten resin 30 is injected from a resin introduction hole (resin introduction portion) 29 provided in the lower mold 28b to fill the recess (cavity) of the molding mold with the molten resin. Next, the peripheral portion of the semiconductor chip CH is covered with the sealing resin 30a by curing the molten resin.

【0051】次いで、封止樹脂30aから突出したリー
ド部(外部リード)を、所望の形状、例えば、ガルウィ
ング形状に整形する(図11)。
Next, the lead portion (external lead) protruding from the sealing resin 30a is shaped into a desired shape, for example, a gull wing shape (FIG. 11).

【0052】なお、本実施の形態においては、リードフ
レームF上に半導体チップCHを固着(ダイボンディン
グ)したが、図12(a)に示すように、その裏面にハ
ンダボールHBが形成された実装基板JK上に、半導体
チップCHを固着してもよい。このような工程に用いら
れるダイボンダーにおいても、半導体チップCHのピッ
クアップ時に本実施の形態で説明した基準パターンデー
タを用いて位置合わせを行うことができる。
In this embodiment, the semiconductor chip CH is fixed (die bonded) on the lead frame F. However, as shown in FIG. 12A, the solder ball HB is formed on the back surface of the semiconductor chip CH. The semiconductor chip CH may be fixed on the substrate JK. Even in the die bonder used in such a process, the alignment can be performed using the reference pattern data described in the present embodiment when the semiconductor chip CH is picked up.

【0053】なお、実装基板JKに固着された半導体チ
ップCHは、図12(b)に示すように、その表面の電
極部と実装基板表面に形成された電極とをワイヤ27で
接続し、その周囲が封止樹脂30aで覆われる。このよ
うな半導体チップCHとほぼ同じ又はわずかに大きい寸
法のパッケージは、CSP(chip size package)と呼
ばれる。
In the semiconductor chip CH fixed to the mounting board JK, as shown in FIG. 12B, the electrode portion on the surface and the electrode formed on the surface of the mounting board are connected by wires 27, and The periphery is covered with the sealing resin 30a. A package having a size substantially the same as or slightly larger than the semiconductor chip CH is called a CSP (chip size package).

【0054】また、図12(a)、(b)に示したCS
Pは、半導体チップCHの裏面(素子形成面と反対の
面)を、実装基板JKに固着する、いわゆるフェイスア
ップ実装であるが、図13に示すように、半導体チップ
の素子形成面を実装基板に固着する、いわゆるフェイス
ダウン実装の場合にも本実施の形態を適用することがで
きる。
In addition, the CS shown in FIGS.
P is so-called face-up mounting in which the back surface of the semiconductor chip CH (the surface opposite to the element formation surface) is fixed to the mounting board JK. As shown in FIG. 13, the element formation surface of the semiconductor chip is mounted on the mounting board. The present embodiment can also be applied to the case of so-called face-down mounting, which is fixed to the.

【0055】この場合、図13(a)に示すように、半
導体チップCHの素子形成面上には、バンプ電極Bが形
成されており、その裏面をピックアップし、実装基板J
Kに固着する。このピックアップ時に本実施の形態で説
明した基準パターンを用いて位置合わせを行うことがで
きる。
In this case, as shown in FIG. 13A, the bump electrode B is formed on the element formation surface of the semiconductor chip CH, and the back surface of the bump electrode B is picked up and mounted on the mounting board J.
Stick to K. Positioning can be performed at the time of this pickup using the reference pattern described in the present embodiment.

【0056】即ち、この場合は、例えば、半導体チップ
CHの裏面に形成された種々のマークや、コーナー部の
形状をもとに位置合わせを行うことが可能であるが、こ
の場合も、半導体チップCHの裏面全体の画像データを
あらかじめ装置内に格納しておき、適宜マスクをかける
等してこの画像データを加工することにより基準パター
ンデータを作成し、これと処理対象の半導体チップCH
の裏面の画像とを比較することにより位置合わせを行
う。
That is, in this case, for example, the alignment can be performed based on various marks formed on the back surface of the semiconductor chip CH and the shapes of the corners, but in this case also, the semiconductor chip is aligned. The image data of the entire back surface of the CH is stored in the device in advance, and the reference pattern data is created by processing the image data by appropriately masking it and the semiconductor chip CH to be processed.
Alignment is performed by comparing with the image on the back side of.

【0057】位置合わせ後、ピックアップを行い、実装
基板表面に形成された電極(図示せず)上に、半導体チ
ップCHのバンプ電極Bが位置するよう固着する。その
後、図13(b)に示すように、半導体チップCHの周
囲を封止樹脂30aで覆う。
After positioning, picking up is performed and the bump electrodes B of the semiconductor chip CH are fixed so as to be positioned on electrodes (not shown) formed on the surface of the mounting substrate. After that, as shown in FIG. 13B, the periphery of the semiconductor chip CH is covered with the sealing resin 30a.

【0058】また、図14に示したいわゆるLOC(le
ad on chip)構造の製品にも本実施の形態を適用するこ
とができる。このLOC構造とは、図14(c)に示す
ように、半導体チップCH上にリードフレームFを配置
し、ワイヤボンディングにより半導体チップCH表面
(素子形成面)とリードフレームFとを接続した構造で
ある。
The so-called LOC (le
The present embodiment can be applied to a product having an ad on chip structure. As shown in FIG. 14C, this LOC structure is a structure in which a lead frame F is arranged on a semiconductor chip CH and the surface of the semiconductor chip CH (element formation surface) and the lead frame F are connected by wire bonding. is there.

【0059】この場合も、図14(a)に示すように、
半導体チップCHの素子形成面をリードフレームに接着
するため、その裏面をピックアップし、リードフレーム
Fに接着する。このピックアップ時に本実施の形態で説
明した基準パターンデータを用いて位置合わせを行うこ
とができる。即ち、半導体チップCHの裏面全体の画像
データをあらかじめ装置内に格納しておき、適宜マスク
をかける等してこの画像データを加工することにより基
準パターンデータを作成し、これと処理対象の半導体チ
ップCHの裏面の画像とを比較することにより位置合わ
せを行う。その後、図14(b)に示すように、半導体
チップCHの表面の電極部とリードフレームFのリード
部をワイヤ27で接続する。次いで、図14(c)に示
すように、半導体チップCHの周囲を封止樹脂30aで
覆い、封止樹脂30aから突出したリード部を所望の形
状に整形する。
Also in this case, as shown in FIG.
In order to bond the element formation surface of the semiconductor chip CH to the lead frame, the back surface is picked up and bonded to the lead frame F. At the time of this pickup, the reference pattern data described in the present embodiment can be used for alignment. That is, the image data of the entire back surface of the semiconductor chip CH is stored in the device in advance, the reference pattern data is created by processing the image data by appropriately masking, and this and the semiconductor chip to be processed. Positioning is performed by comparing the image on the back surface of the CH. After that, as shown in FIG. 14B, the electrode portion on the surface of the semiconductor chip CH and the lead portion of the lead frame F are connected by the wire 27. Next, as shown in FIG. 14C, the periphery of the semiconductor chip CH is covered with the sealing resin 30a, and the lead portion protruding from the sealing resin 30a is shaped into a desired shape.

【0060】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0061】特に、本実施の形態においては、ダイボン
ダーの位置合わせを主に説明したが、かかる装置に限定
されず、例えば、チップマウンターやワイヤボンダ等、
半導体チップ表面(素子形成面であるか否かを問わな
い)に形成されたマークやパターンを基準に、位置合わ
せを行う機能を有する装置を用いる場合に広く適用可能
である。
Particularly, in the present embodiment, the alignment of the die bonder has been mainly described, but the invention is not limited to such an apparatus, and for example, a chip mounter, a wire bonder, or the like can be used.
It is widely applicable when using a device having a function of performing alignment based on a mark or pattern formed on the surface of a semiconductor chip (whether or not it is an element formation surface).

【0062】また、本実施の形態においては、半導体チ
ップCH1個分に対応するデータを基準パターンデータ
としたが、半導体チップCHの1個分に対応する大きさ
でなく、その一部分、例えば、半導体チップCHの1/
4角の面積に対応する部分を基準パターンデータとして
もよい。
Further, in the present embodiment, the data corresponding to one semiconductor chip CH is used as the reference pattern data, but it is not the size corresponding to one semiconductor chip CH but a part thereof, for example, the semiconductor. 1 / chip CH
The part corresponding to the area of the four corners may be the reference pattern data.

【0063】[0063]

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in this application will be briefly described as follows.
It is as follows.

【0064】個片化された半導体チップおよびその周辺
のパターン状態を画像データとしてダイボンダー内に格
納し、この画像データの所望の領域を切り取るもしくは
所望の領域以外の領域をマスクする等、画像データを加
工することによって、基準パターンデータを作成し、こ
の基準パターンデータを用いて処理しようとしている半
導体チップの位置あわせを行ったので、製品によって半
導体チップの表面のパターン形状が僅かに異なるような
場合であっても、前記加工を行うことにより基準パター
ンデータを作成することができ、製品毎にその表面状態
を確認し、基準パターンデータを登録し直す作業を省く
ことができる。
The individual semiconductor chips and the pattern state around the semiconductor chips are stored as image data in a die bonder, and a desired region of this image data is cut out or masked in a region other than the desired region. By processing, the reference pattern data was created and the position of the semiconductor chip to be processed was aligned using this reference pattern data.Therefore, when the pattern shape of the surface of the semiconductor chip differs slightly depending on the product. Even if there is, the reference pattern data can be created by performing the above-mentioned processing, and the work of confirming the surface state of each product and re-registering the reference pattern data can be omitted.

【0065】即ち、基準パターンデータ(テンプレート
パターン)の登録回数を低減させることができ、また、
この登録回数を低減させることにより、装置の稼働率を
向上させることができる。その結果、製品の製造に必要
な時間の短縮を図ることができる。
That is, the number of times the reference pattern data (template pattern) is registered can be reduced, and
By reducing the number of registrations, the operating rate of the device can be improved. As a result, the time required to manufacture the product can be shortened.

【0066】また、半導体チップの位置決め精度を向上
させることができる。
Further, the positioning accuracy of the semiconductor chip can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の本実施の形態に用いられるダイボンダ
ーを示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a die bonder used in this embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態であるボンディング方法の
流れを説明するためにダイボンダーの機構を概略的に示
した斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view schematically showing the mechanism of the die bonder for explaining the flow of the bonding method according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態の半導体チップのピックア
ップおよび固着の様子を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing how a semiconductor chip according to an embodiment of the present invention is picked up and fixed.

【図4】半導体チップおよびその周辺のパターン状態を
示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a pattern state of a semiconductor chip and its periphery.

【図5】本発明の実施の形態の効果を説明するための半
導体チップのパターンを示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a pattern of a semiconductor chip for explaining the effect of the embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施の形態の効果を説明するための半
導体チップのパターンを示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a pattern of a semiconductor chip for explaining the effect of the embodiment of the present invention.

【図7】半導体ウエハの半導体チップの表面に不良マー
クが付けられた状態を示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing a state where a defect mark is attached to the surface of a semiconductor chip of a semiconductor wafer.

【図8】(a)および(b)は、不良マークが付けられ
た半導体チップの表面状態を示す図である。
8A and 8B are diagrams showing the surface state of a semiconductor chip having a defective mark.

【図9】本発明の実施の形態である半導体装置の製造方
法を示す装置の要部断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view of an essential part of a device showing a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図10】本発明の実施の形態である半導体装置の製造
方法を示す装置の要部断面図である。
FIG. 10 is a main-portion cross-sectional view of the device showing the manufacturing method of the semiconductor device which is the embodiment of the present invention;

【図11】本発明の実施の形態である半導体装置の製造
方法を示す装置の要部断面図である。
FIG. 11 is a main-portion cross-sectional view of the device showing the manufacturing method of the semiconductor device which is the embodiment of the present invention;

【図12】(a)および(b)は、本発明の実施の形態
が用いられる他の半導体装置の例およびその製造方法を
示す装置の要部断面図である。
12A and 12B are cross-sectional views of a main part of an apparatus showing an example of another semiconductor device in which the embodiment of the present invention is used and a manufacturing method thereof.

【図13】(a)および(b)は、本発明の実施の形態
が用いられる他の半導体装置の例およびその製造方法を
示す装置の要部断面図である。
13A and 13B are cross-sectional views of a main part of the device showing an example of another semiconductor device in which the embodiment of the present invention is used and a manufacturing method thereof.

【図14】(a)〜(c)は、本発明の実施の形態が用
いられる他の半導体装置の例およびその製造方法を示す
装置の要部断面図である。
14A to 14C are main-portion cross-sectional views of an example of another semiconductor device in which the embodiment of the present invention is used and a manufacturing method thereof.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ダイボンダー 2 カセットリフタ 3 ウエハ修正シュート 5 リング搬送部 6 操作制御部 7 ウエハホルダ 8 ローダ 9 フレームフィーダ 10 プリフォームヘッド 11 ボンディングヘッド 11a 吸着機構(ピックアップ機構) 12 チップ認識用カメラ 13 マガジンラック 14 アンローダ 15 モニタ 27 ワイヤ 28a モールド金型(上金型) 28b モールド金型(下金型) 30 溶融樹脂 30a 封止樹脂 B バンプ電極 Bo 接着材 BoP ボンディング位置 BP ボンディングパッド CH 半導体チップ D1 画像データ D2 基準パターンデータ D21 基準パターンデータ F リードフレーム FM 不良マーク HB ハンダボール JK 実装基板 M マスク Ma、Mb マスク領域 PP ピックアップ位置 Pa パターン T テープ W 半導体ウエハ 1 die bonder 2 cassette lifters 3 Wafer correction chute 5 ring conveyor 6 Operation control unit 7 Wafer holder 8 loader 9 frame feeder 10 preform head 11 Bonding head 11a Adsorption mechanism (pickup mechanism) 12 chip recognition camera 13 magazine rack 14 Unloader 15 monitors 27 wires 28a Mold die (upper die) 28b Mold die (lower die) 30 molten resin 30a sealing resin B bump electrode Bo adhesive BoP bonding position BP bonding pad CH semiconductor chip D1 image data D2 standard pattern data D21 standard pattern data F lead frame FM defective mark HB solder ball JK mounting board M mask Ma, Mb mask area PP pickup position Pa pattern T tape W semiconductor wafer

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Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)個片化された半導体チップを複数
準備する工程と、 (b)前記複数の半導体チップの内のいずれか1つの表
面を画像データとして取り込み、前記画像データの所望
の領域以外の領域をマスキングすることによって、基準
パターンデータを作成する工程と、 (c)前記複数の半導体チップの表面と前記基準パター
ンデータとを位置あわせする工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
1. A step of: (a) preparing a plurality of individual semiconductor chips; and (b) taking in one of the surfaces of the plurality of semiconductor chips as image data to obtain a desired image data. A semiconductor having a step of creating reference pattern data by masking an area other than the area, and (c) aligning the surfaces of the plurality of semiconductor chips with the reference pattern data. Device manufacturing method.
【請求項2】 (a)個片化され、その表面に複数のパ
ターンを有する半導体チップを、複数個、装置内に設置
する工程と、 (b)前記複数の半導体チップの内のいずれか1つの表
面を画像データとして取り込み、前記複数のパターンの
うち所望のパターン以外をマスキングすることによっ
て、基準パターンデータを作成し、前記装置内に登録す
る工程と、 (c)前記複数の半導体チップの表面を認識し、前記基
準パターンデータと比較することによって位置あわせを
行い、前記半導体チップを処理する工程と、を有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. A step of: (a) installing a plurality of semiconductor chips, each of which is divided into individual pieces and having a plurality of patterns on a surface thereof, in an apparatus; and (b) any one of the plurality of semiconductor chips. Taking in one surface as image data and masking other than the desired pattern among the plurality of patterns to create reference pattern data, and registering the reference pattern data in the device; (c) surfaces of the plurality of semiconductor chips And aligning by comparing with the reference pattern data to process the semiconductor chip, the method for manufacturing a semiconductor device.
【請求項3】 (a)個片化され、その表面に複数のパ
ターンを有する半導体チップが複数固定されたシート
を、ダイボンダー内に設置する工程と、 (b)前記複数の半導体チップの内のいずれか1つの表
面を画像データとして取り込み、前記複数のパターンの
うち所望のパターン以外をマスキングすることによっ
て、基準パターンデータを作成し、前記ダイボンダー内
に登録する工程と、 (c)前記シート上の半導体チップの表面を認識し、前
記基準パターンデータと比較することによって位置あわ
せを行い、前記半導体チップをピックアップする工程
と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. A step of: (a) installing a sheet, which is divided into individual pieces, on the surface of which a plurality of semiconductor chips having a plurality of patterns are fixed, in a die bonder; and (b) among the plurality of semiconductor chips. Capturing any one surface as image data, masking other than the desired pattern of the plurality of patterns to create reference pattern data, and registering the reference pattern data in the die bonder; (c) on the sheet Recognizing the surface of the semiconductor chip, performing alignment by comparing with the reference pattern data, and picking up the semiconductor chip.
【請求項4】 前記半導体装置の製造方法は、前記
(c)工程の後に、 (d)ピックアップされた前記半導体チップを実装基板
上に固着する工程と、を有することを特徴とする請求項
3記載の半導体装置の製造方法。
4. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3, further comprising: (d) fixing the picked-up semiconductor chip onto a mounting substrate after the step (c). A method for manufacturing a semiconductor device as described above.
【請求項5】 前記基準パターンデータとして用いる領
域は、前記画像データとして取り込んだ領域より小さい
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載
の半導体装置の製造方法。
5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the area used as the reference pattern data is smaller than the area captured as the image data.
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Cited By (3)

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