JP2003188075A

JP2003188075A - 電子ビーム描画装置

Info

Publication number: JP2003188075A
Application number: JP2001385910A
Authority: JP
Inventors: Hajime Shimada; 肇島田
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2001-12-19
Filing date: 2001-12-19
Publication date: 2003-07-04
Anticipated expiration: 2021-12-19
Also published as: JP3569254B2

Abstract

(57)【要約】【課題】試料ステージの温度変動による位置精度や線幅
精度の低下を防ぐ。【解決手段】電子ビーム描画装置の試料ステージ１０６
の温度変動と試料１０５の位置ずれ量との関係をデータ
として求めておき、補正量演算器１１０の記憶手段に記
憶しておく。パターン描画時に、試料ステージの温度変
動をもとに、予め記憶しておいたデータから試料の位置
ずれ量を求め、偏向制御系１１５またはレーザ測定系１
０９、電子レンズ制御系１１７で位置ずれ量の補正を行
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パターン位置誤差
の少ない高精度な電子ビーム描画装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子ビーム描画装置は、試料であるガラ
スマスクやシリコンウェハなどを、所定の位置に移動可
能な試料ステージ上に乗せて描画を行っている。このと
き、試料やステージの温度が変動すると熱膨張による伸
縮が起こり、描画パターンの位置ずれの原因となる。

【０００３】描画パターンの複雑化、大面積化に伴い、
試料ステージの描画時の総移動距離が長くなり、摩擦熱
による温度変化量が増加している。この問題に対して、
たとえば特開昭５６−１５０４１号公報では、試料の温
度を非接触で測定し、ステージの移動量や電子ビームの
照射位置の補正を行っている。

【０００４】また、試料ステージを一定の温度に制御す
る冷却装置を設ける場合もあるが、その応答性は悪く、
また試料ステージ全体を均一温度に保つのが困難であ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】近年のデバイスの微細
化に伴い高精度な位置精度の描画が必要とされ、試料や
試料ステージの温度変化に伴う部材の伸縮による位置誤
差の減少及び補正が課題となっている。しかし、試料を
ガラスマスクプレートに限定すれば、試料ステージの材
質である金属に比べて熱伝導率と熱膨張係数が小さいた
め、試料の温度変化量は少ない。また、温度変化による
ガラスマスクプレート自身の伸縮による位置誤差は無視
し得るほど少ない。従って、温度上昇に起因する位置誤
差は、主に試料ステージの伸縮に伴うものである。

【０００６】試料ステージの伸縮は、試料ステージ上の
測長用ミラーと試料位置との間の距離変動を引き起こ
す。電子ビームの制御は、試料ステージ位置からパター
ン描画位置を算出しているため、パターン描画中の上記
距離の変動は、パターン位置誤差の原因となる。

【０００７】電子ビーム描画装置の試料ステージは、真
空内で使用されることや試料の上下動を一定の許容範囲
内に納めるため、可動部分を摺動させる方式が用いられ
ている。摺動部分は摩擦係数とごみの発生の点から、面
積が小さくかつ熱伝導率の小さい物質に限られる。その
ため、摺動方式で長時間のステージの移動を行うと摺動
部分から発生した熱が逃げにくく、また、放射による熱
伝導も少ないため、試料ステージの温度はステージの移
動量に応じて上昇する。その場合の試料ステージの温度
分布は、熱源である摺動部位付近の温度が高く、試料付
近では低いといった不均一な温度分布となっている。

【０００８】また、試料ステージに複数の材質を用いて
いる場合が多いため、材質の熱膨張係数などから、その
変形量を単純モデル化して補正を行うことは困難であ
る。

【０００９】本発明の目的は、上記した従来技術の問題
点に鑑み、試料ステージの温度変化による試料の位置誤
差を補正して高精度に描画を行う方法および装置を提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、電子銃と電子ビームを収束する電子レンズと、電
子ビームを偏向する偏向器と、試料を機械的に移動可能
な試料ステージと、前記試料ステージを駆動する機構
と、前記試料ステージの温度を少なくとも１点以上測定
する機構と、その試料ステージの位置を測定する機構
と、試料ステージ上に測定用ミラーとを具備する電子ビ
ーム描画装置において、前記試料ステージの温度と、測
定用ミラーと試料間の距離変動量を記録する手段を備え
たことを特徴とする。

【００１１】および／または、前記試料ステージの温度
と、前記電子銃と試料間の距離変動量を記録する手段を
備えたことを特徴とする。

【００１２】本発明の作用を説明する。予め試料ステー
ジ上の複数点の温度変化量から、実験や有限要素解析な
どのシミュレーションによって作成された、試料ステー
ジの温度上昇に伴う熱膨張による、試料ステージ上のレ
ーザ測長用ミラーの鏡面と試料との距離の変化量を求
め、この値に基づいた補正データを電子線描画装置内の
記憶装置に記録しておく。また、同時に試料ステージの
熱膨張に伴う鉛直方向の変化量に応じた補正データを記
録しておく。そして、パターン描画時には、試料ステー
ジに取り付けた複数の温度センサにより、試料ステージ
の各点の温度を測定し、記憶されている補正データか
ら、その温度値に対応する補正データを求め、そのデー
タを電子ビーム偏向制御系又は、ステージ位置測定系も
しくはその両方に反映させることによって、試料ステー
ジの温度変化による試料の位置誤差を打ち消し、位置精
度の高い描画を行う。

【００１３】また、鉛直方向の補正データを電子レンズ
制御系に反映させることにより、試料の描画面鉛直方向
の変動によるフォーカスずれを補正し、位置精度と線幅
精度の高い描画を行う。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。図１は、本発明の一実施例を示す電子ビ
ーム描画装置の概略図である。電子銃１０１から放射さ
れた電子ビーム１０２は、電子レンズ１０３で収束さ
れ、偏向器１０４で偏向されて、試料１０５上にパター
ンを描画する。電子ビーム１０２の収束量、つまり試料
１０５の描画点でのフォーカスの調整は、制御計算機１
０８から出力される電子ビーム収束制御量をレンズ制御
用ＤＡ変換器１１７（以下、ＤＡＣと略す）によりアナ
ログ信号へ変換し、レンズ制御用アンプ１１８により増
幅された電流を電子レンズ１０２に与え、発生する磁場
により制御される。

【００１５】また、電子ビーム１０２の偏向量は、制御
計算機１０８から出力される制御量を偏向制御用ＤＡＣ
１１５（以下、ＤＡＣと略す）によりアナログ信号へ変
換し、偏向制御用アンプ１１６により増幅された電圧を
偏向器１０４に印加することで静電偏向により制御され
る。

【００１６】偏向器１０４の偏向領域外へのパターンの
描画では、制御計算機１０８から試料ステージ１０６の
移動制御量をステージ制御系１１２へ与え、モータと駆
動ロッド等で構成されるステージ駆動系１１１によっ
て、試料１０５のパターン描画位置が偏向領域内に収ま
るように、試料ステージ１０６を移動させて描画を行
う。

【００１７】このとき、試料ステージ１０６上に設置し
ている測定用ミラー１１３と干渉計１１４の距離Ｍをレ
ーザ干渉測定器１０９によって計測し、その計測値を制
御計算機１０８に入力する。そして、制御計算機１０８
の中で計測データと、予め測定してある既知の測定用ミ
ラー１１３と試料１０５との距離Ｌを加算して、試料１
０５の位置を求め、これを偏向器１０４の制御量とステ
ージ制御系１１２にフィードバックし、電子ビーム１０
２の偏向制御と試料ステージ１０６の位置制御を行う。

【００１８】また、試料描画面高さ測定器１１９によ
り、試料１０５へのパターンの描画前に、試料の描画面
の高さＫを測定しておく。実際にパターン描画をすると
きには、測定したデータに基づき制御計算機１０８にお
いて電子レンズ１０３の電子ビーム収束制御量を決定す
る。

【００１９】試料ステージの各部位の温度は、複数の温
度センサ１０７によって測定される。予め、予備実験や
有限要素解析などのシミュレーションにより、試料ステ
ージ１０６の温度変化による熱膨張量を算出し、温度セ
ンサ１０７を取り付けた位置の温度と、その温度による
熱膨張量を打ち消すような補正量を補正量演算器１１０
に記録しておく。試料１０５に、パターンを描画する場
合には、補正量演算器１１０により、温度センサ１０７
で測定した試料ステージ１０６の温度に対応する補正量
を算出し、この補正量を制御計算機１０８で、各制御量
に加算して、試料ステージ１０６の熱膨張による位置誤
差、またはフォーカスずれを補正する。

【００２０】図２は、図１の装置による試料の描画処理
の流れを示すフローチャートである。ステップ２０１
で、制御計算機１０８により描画が開始される。ステッ
プ２０２ではレーザ干渉測定器により、試料ステージ１
０６上の測定用ミラー１１３と干渉計１１４の距離Ｍを
計測し、制御計算機１０８で距離Ｍと測定ミラー１１３
と試料１０５の距離Ｌを加算し、試料１０５の位置を求
める。次に、求めた位置情報をもとに、ステップ２０３
で電子ビーム１０２の偏向制御量を、ステップ２０４で
電子ビーム１０２の収束制御量を、ステップ２０５で試
料ステージ１０６の移動制御量をそれぞれ制御計算機１
０８で求める。

【００２１】その後、ステップ２０６で試料ステージ１
０６上に取り付けられている温度センサ１０７により、
試料ステージ１０６の各部の温度を測定し、その測定し
たデータを補正量演算器１１０へ入力する。ステップ２
０７では、入力された温度データに対応するビーム偏向
補正量を補正量演算器１１０で算出し、制御計算機１０
８へ入力する。ステップ２０８では、制御計算機１０８
がステップ２０３で求めたビーム偏向制御量と入力され
たビーム偏向補正量を加算する。

【００２２】その後、制御計算機１０８から、ステップ
２０９でステップ２０８で加算されたビーム偏向制御量
を偏向制御用ＤＡＣへ出力し、ステップ２１０で電子ビ
ーム収束制御量をレンズ制御用ＤＡＣへ出力し、ステッ
プ２１１で試料ステージ１０６の移動制御量をステージ
制御系１１２へ出力し、偏向器１０４、電子レンズ１０
３、試料ステージ１０６の少なくとも一つを駆動する。

【００２３】その後、ステップ２１２で電子ビーム１０
２を試料１０５へ照射し、試料１０５上にパターンを描
画する。そして、ステップ２１３で試料１０５全体の描
画が終了したかを制御計算機１０８で確認し、未終了で
あれば再びステップ２０２へ戻り、上記ステップ２０２
〜２１２の処理を繰り返す。終了していれば、試料の描
画終了となる。

【００２４】図３は、別の補正方法による描画処理の流
れを示すフローチャートである。図示のように、ステッ
プ２０２でレーザ干渉測定器１０９によって測定された
試料ステージ１０６の位置のデータを求め、次にステッ
プ２０６で温度データを測定し、ステップ３０１におい
て測定した温度に対応する試料ステージ位置補正データ
を補正量演算器１１０で求める。その後、ステップ３０
２で試料ステージ位置データと試料ステージ位置補正デ
ータを制御計算機１０８内で加算し、その位置情報を元
に、ステップ２０３からステップ２０５において各制御
量を算出し、ステップ２０９からステップ２１１で図２
と同様の各制御を実行している。

【００２５】図４は、更に別の補正方法による描画処理
を示すフローチャートである。図２のステップのうち、
変更箇所はステップ２０７，２０８である。

【００２６】ステップ２０７を変更したステップ４０１
では、補正量演算器１１０により、温度センサ情報を元
にその温度に対応するステージ制御量補正データを求
め、ステップ２０８を変更したステップ４０２におい
て、試料ステージ移動制御量に加算している。この実施
例では、試料ステージ１０６の移動制御量を補正するこ
とによって、試料ステージ１０６の熱膨張による試料１
０５の位置誤差を低減することができる。

【００２７】図５は、更に別の補正方法による描画処理
を示すフローチャートである。試料ステージ１０６の熱
膨張量が電子ビーム１０２の偏向可能領域より大きい場
合の例である。図示のように、ステップ２０６後のステ
ップ５０１で、ビーム偏向補正データとステージ制御量
補正データを取得し、ステップ２０８でビーム変更制御
量へ加算し、またステップ４０２で試料ステージ移動制
御量へ加算して、制御を行う。

【００２８】一般に偏向器１０４による電子ビーム１０
２の偏向可能量は小さい。また、試料ステージ１０６の
移動可能最小距離は、電子ビーム１０２の偏向可能量に
比較して大きいため、上記のようにビーム変更制御量と
試料ステージ移動制御量の補正を組み合わせた方法は、
微小な補正量から大きな量の補正に幅広く対応すること
が可能となる。

【００２９】図６は、描画面鉛直方向の補正方法の実施
フローを示している。試料ステージ１０６の熱膨張によ
る試料１０５のパターン描画面の鉛直方向、つまり電子
銃への方向の位置変動は、電子ビームのフォーカスずれ
の要因となり、線幅精度の悪化を招く。これを回避する
ためにステップ６０１において、補正量演算器１１０に
温度センサ１０７によって測定した試料ステージ１０６
の温度データを入力し、補正量演算器１１０から温度デ
ータに対応する電子レンズ制御補正データを求め、ステ
ップ６０２において、求めた補正データを制御計算機１
０８内で電子ビーム収束制御量に加算して、以下ステッ
プ２０９からステップ２１４の処理を行う。

【００３０】この補正方法を行うことで、電子ビーム収
束制御量を補正して、フォーカスずれを防ぐことが出来
る。

【００３１】図７は、図２と図６の実施例を組み合わせ
ることにより、偏向制御量と収束制御量の両方に補正デ
ータを加算して、位置精度及び線幅精度を向上させるも
のである。

【００３２】図８は、図２と図３と図６の実施例を組み
合わせることで、偏向制御量と収束制御量および試料ス
テージ１０６の制御量に補正を加え、大きな補正量にも
対応させている。

【００３３】次に、試料ステージ１０６の熱膨張によっ
て発生する位置誤差について説明する。描画面積が大き
く、描画時間も長いガラスマスクの描画では、通常金属
製であるステージ材料に比べて、試料の熱伝導率と熱膨
張率の両方共に小さい。ガラスマスクの温度変化は小さ
く、また、温度変化による位置誤差も少ない。従って、
試料ステージの温度変化による位置誤差の主たる原因は
ステージを構成する金属の伸縮である。ステージの温度
変化量をｄＴ、ステージ材質の熱膨張率をα、ステージ
位置測定点から試料固定点までの距離をＬとすると、補
正量ｄＬは式（１）によって算出される。

【００３４】ｄＬ＝αＬｄＴ（１）図９は、試料ステージの構造を示したものである。パタ
ーンの描画を行うと、試料ステージ９Ａの摺動部分から
の摩擦熱で、試料ステージ９Ａの温度が上昇する。この
温度上昇は描画するパターンの種類や、密度、試料ステ
ージの材質に依存して変化するが、時間的な変化は緩や
かで、パターンの１ショット中の時間においては試料ス
テージの各温度の変動がないとみなせる。

【００３５】試料ステージ９Ａ上には、レーザ干渉測長
用ミラー９Ｂと９Ｃがあり、レーザ光によって位置を計
測する。試料９Ｄはカセット９Ｅに実装されて、試料ス
テージ９Ａ上に固定されている。カセット９Ｅでは、試
料９Ｄを試料固定部材９Ｆと９Ｇにこれらとは逆側のば
ね９Ｈにより押圧して、支持している。このため、試料
ステージ９Ａまたは、カセット９Ｅの温度変化により伸
縮が起こった場合にも、常に試料９Ｄに対して、試料固
定部材９Ｆ、９Ｇ側の２辺が基準位置となる。

【００３６】試料ステージ９Ａの位置は、測長用ミラー
９Ｂと９Ｃの鏡面で測定される。試料９Ｄとの位置関係
は、測長用ミラー９Ｂと９Ｃの鏡面と試料９Ｄとの距離
Ｌｘ、Ｌｙで規定されている。試料ステージ９Ａの温度
が上昇すれば、試料９Ｄは相対的に図示の矢印Ａの方向
に動き、ＬｘとＬｙが長くなる。逆に温度が下降すれば
矢印Ｂの方向に動いてＬｘとＬｙが短くなる。例えば、
試料ステージ９Ａの熱膨張係数αが１０×１０−６／
℃、Ｌｘ、Ｌｙが３０ｍｍであるとき、試料ステージの
温度が０．１℃上昇すると、Ｌｘ、Ｌｙの変化量は３０
ｎｍとなる。このように、温度が０.１℃上昇しただけ
でも、３０ｎｍの位置誤差を発生する。従って、この温
度変化による距離Ｌｘ、Ｌｙの変動を正確に知ることが
出来れば、試料９Ｄの位置誤差をなくすことが可能であ
る。

【００３７】また、図１０の試料ステージの側面図に示
すように、試料ステージ１０６の温度変動は試料１０５
の描画面水平方向の位置誤差だけでなく、描画面鉛直方
向の位置Ｌｚにも変動を発生させる。パターン描画時に
鉛直方向の位置変動が生じると、電子ビームのフォーカ
スずれが発生し、線幅精度の悪化を引き起こす。また、
同時に位置誤差を生じる。従って、試料ステージ１０６
の温度変動による試料１０５の描画面鉛直方向の位置変
動を求めておけば、線幅精度の悪化を低減することがで
きる。

【００３８】実際には、温度センサを設置する位置や測
定点数、更に試料ステージ９Ａの材質や構造等の複雑な
相関を含むため、試料ステージ９Ａと試料９Ｄ、カセッ
ト９Ｅを、Ｌｘ、Ｌｙの変化量を単純モデル化または関
数化することが困難である。

【００３９】さらに試料ステージ上の温度分布により、
熱膨張量が不均一となり、図１１に示すように測定用ミ
ラー９Ｂ、９Ｃの鏡面に対し試料９Ｄが回転してしまう
ことも考えられる。また、試料ステージ１０６の描画面
鉛直方向についてみれば、試料１０５が傾いた状態にな
ることも考えられる。

【００４０】そこで、事前に有限要素モデルを用いた熱
変形解析や感度解析、もしくは試料ステージの温度と変
形との関係を多点で計測する予備実験などにより、試料
ステージ９Ａの温度測定点の各温度状態における、試料
ステージ９Ａ上の測長用ミラー９Ｂと９Ｃの鏡面と試料
９Ｄの距離の変動量から補正量を求め、補正データとし
て補正量演算器１１０に記録しておく。

【００４１】補正量は図１１に示すような、Ｌｘａ，Ｌ
ｘｂ，Ｌｙａ，Ｌｙｂの変動量ｄＬｘａ，ｄＬｘｂ，ｄ
Ｌｙａ，ｄＬｙｂに基づいて作成すると、試料９Ａの回
転も補正できる。

【００４２】そして、実際に試料９Ｄにパターンを描画
する際には、試料ステージ９Ａに取り付けた温度センサ
からの試料ステージ各点の温度情報を元に、補正量演算
器１１０で補正データを算出する。制御計算機１０８は
その補正データを用いて、温度変動による位置誤差を打
ち消すように偏向器１０４の制御や、レーザ干渉測長器
１０９の出力を補正する。また、試料ステージ１０６の
温度変動による描画面鉛直方向の位置変動ｄＬｚは、電
子ビームのフォーカス位置を補正データにより電子レン
ズ制御系１１７及び１０８へフィードバックして補正す
ることにより、線幅精度、位置誤差をなくすことが可能
になる。

【００４３】試料ステージの温度測定点は、実験もしく
は有限要素解析、感度解析などにより、試料９Ｄと測長
用ミラー９Ｂ、９Ｃの距離の変動との相関性が高い位置
を求め、温度センサを配置するとよい。例えば、図１２
に示すように、測長用ミラー９Ｂ、９Ｃと試料９Ｄとの
間に温度センサ１２Ａを配置してもよい。また、描画面
鉛直方向については、温度のばらつきが大きいため、図
１３に示すように試料ステージ１０６の摺動面から、試
料１０５までの間に複数点の温度センサ１３Ａを設ける
とよい。

【００４４】図１４に補正データの構成を示す。試料ス
テージに取り付けた温度センサの情報をキーとして、補
正データを記録している。キーとなる温度の分解能は、
補正の精度によるが、例えば０．０１℃程度、つまり前
述の例で考えると３ｎｍの分解能で位置誤差の補正が可
能であるように、分解能を設定すればよい。更に高精度
な補正を行うのであれば、温度の分解能を高分解能化す
ればよいが、記録する補正データ量が膨大になるため、
補正量演算器１１０の記録容量と必要な補正精度から、
適切な温度の分解能を設定すればよい。

【００４５】図１５に別の実施例を示す。ビーム位置補
正用マーク１４Ａを用いて、ビーム補正を行う場合に
は、マーク位置が測長用ミラー９Ｂと９Ｃの鏡面とは別
の位置にあることがある。このときには、図示のように
ＬｘとＬｙをとって補正データを作成し、上述のような
補正を行えばよい。

【００４６】この補正は、試料ステージ１０６の温度セ
ンサ１０７の温度変化量が、温度の分解能の最小単位を
超えたときに行えばよいが、より簡便には一定の時間間
隔、または試料ステージ１０６の移動ごとに行ってもよ
い。

【００４７】以上の実施例は、試料９Ｄとして、ガラス
マスクを想定しているが、別の実施例として、図１６に
示すように、シリコンウェハ１５Ａでもよい。ただし、
ウェハ直接描画では、チップ単位でビーム位置補正を行
うので、描画面積がガラスマスクに比べて小さく補正の
効果は少なくなる。

【００４８】

【発明の効果】本発明によれば、試料ステージの温度変
化に起因する試料ステージと試料の位置変動、及び試料
描画面鉛直方向の位置変動を補正することが出来るた
め、試料上の描画パターンの位置誤差及び線幅精度の悪
化を低減できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す電子ビーム描画装置の
概略図。

【図２】本発明の一実施例を示す電子ビーム描画装置の
描画処理のフロー図。

【図３】本発明の別の実施例を示す描画処理のフロー
図。

【図４】本発明の更に別の実施例を示す描画処理のフロ
ー図。

【図５】本発明の更に別の実施例を示す描画処理のフロ
ー図。

【図６】本発明の更に別の実施例を示す描画処理のフロ
ー図。

【図７】本発明の更に別の実施例を示す描画処理のフロ
ー図。

【図８】本発明の更に別の実施例を示す描画処理のフロ
ー図。

【図９】試料ステージの構造を示す平面図。

【図１０】試料ステージの構造を示す側面図。

【図１１】試料ステージの変形による試料の位置変動を
示す試料ステージの平面図。

【図１２】温度センサ取り付け位置の例を示す試料ステ
ージの平面図。

【図１３】温度センサ取り付け位置の例を示す試料ステ
ージの側面図。

【図１４】一実施例による補正データの構成図。

【図１５】別の実施例における試料ステージの構造を示
す平面図。

【図１６】別の試料での実施例を示す試料ステージの構
造を示す平面図。

【符号の説明】

１０１…電子銃、１０２…電子ビーム、１０３…電子レ
ンズ、１０４…偏向系、１０５，９Ｄ…試料、１０６，
９Ａ…試料ステージ、１０７，１２Ａ，１３Ａ…温度セ
ンサ、１０８…制御計算機、１０９…レーザ干渉測長
器、１１０…補正量演算器、１１１…ステージ駆動機
構、１１２…ステージ制御系、１１３，９Ｂ，９Ｃ…測
長用ミラー、１１４…干渉計、１１５…偏向制御用デジ
タル／アナログ変換器（ＤＡＣ）、１１６…偏向制御用
アンプ、１１７…レンズ制御用デジタル／アナログ変換
器（ＤＡＣ）、１１８…レンズ制御用アンプ、１１９…
試料描画面高さ測定器、９Ｅ…カセット、９Ｆ，９Ｇ…
試料固定部材、９Ｈ…ばね、１４Ａ…ビーム位置補正用
マーク、１５Ａ…シリコンウェハ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１ＬＦターム(参考） 2H097 AA03 BA02 CA16 DA11 DB20 KA28 LA10 5C001 AA03 AA06 AA08 CC06 DD02 5C034 BB06 BB07 5F056 BA10 CC03 CC16 CD02 CD03 CD20 EA14 EA15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子銃と電子ビームを収束する電子レン
ズと、電子ビームを偏向する偏向器と、試料を機械的に
移動可能な試料ステージと、前記試料ステージを駆動す
る機構と、前記試料ステージの温度を少なくとも１点以
上測定する機構と、その試料ステージの位置を測定する
機構と、試料ステージ上に測定用ミラーとを具備する電
子ビーム描画装置において、前記試料ステージの温度と、測定用ミラーと試料間の距
離変動量を記録する記憶手段を備えたことを特徴とする
電子ビーム描画装置。
【請求項２】電子銃と電子ビームを収束する電子レン
ズと、電子ビームを偏向する偏向器と、試料を機械的に
移動可能な試料ステージと、前記試料ステージを駆動す
る機構と、前記試料ステージの温度を少なくとも１点以
上測定する機構とを具備する電子ビーム描画装置におい
て、前記試料ステージの温度と、前記電子銃と試料間の距離
変動量を記録する記憶手段を備えたことを特徴とする電
子ビーム描画装置。
【請求項３】請求項１において、前記試料は試料ステージに保持されており、前記試料ス
テージの温度と前記記憶手段が記憶している前記データ
に基づいて、偏向器により電子ビームの照射位置の補正
を行うことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項４】請求項１において、前記試料は試料ステージに保持されており、前記試料ス
テージの温度と前記記憶手段が記憶している前記データ
に基づいて、試料ステージ駆動機構により、前記試料ス
テージ位置の補正を行うことを特徴とする電子ビーム描
画装置。
【請求項５】請求項１において、前記試料は試料ステージに保持されており、前記試料ス
テージの温度と前記記憶手段が記憶している前記データ
に基づいて、前記試料ステージの位置を測定する機構の
出力の補正を行うことを特徴とする電子ビーム描画装
置。
【請求項６】請求項２において、前記試料は試料ステージに保持されており、前記試料ス
テージの温度と前記記憶手段が記憶している前記データ
に基づいて、前記試料位置の補正を電子レンズの制御に
より行うことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項７】請求項１において、請求項３と請求項４に記載の両方の補正を行うことを特
徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項８】請求項１と請求項２の両方を具備してい
ることを特徴とする電子ビーム描画装置。