JP2003187428A - 磁気記録媒体の製造方法及びその磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法及びその磁気記録媒体Info
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- JP2003187428A JP2003187428A JP2001380404A JP2001380404A JP2003187428A JP 2003187428 A JP2003187428 A JP 2003187428A JP 2001380404 A JP2001380404 A JP 2001380404A JP 2001380404 A JP2001380404 A JP 2001380404A JP 2003187428 A JP2003187428 A JP 2003187428A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い保磁力が得られ、低いノイズを有する磁
気記録媒体の製造方法及びその磁気記録媒体を提供する
こと。 【解決手段】 磁気記録媒体は、非磁性基体１の上に、
非磁性下地層２とグラニュラー磁性層３及び保護膜４が
順に形成され、その上に液体潤滑材層５が形成されてい
る。磁性層３は、強磁性を有する結晶粒とそれを取り巻
く非磁性粒界からなり、かつその非磁性粒界が、金属の
酸化物又は窒化物からなる、いわゆるグラニュラー磁性
層である。磁性層３を成膜する際に用いる原料Ａｒガス
の分圧に対して、０．５％以上１．５％以下のＨ２Ｏま
たはＯ２を添加し、更に成膜時雰囲気の圧力を５ｍＴｏ
ｒｒ以上３０ｍＴｏｒｒ以下とすることが好適である。
気記録媒体の製造方法及びその磁気記録媒体を提供する
こと。 【解決手段】 磁気記録媒体は、非磁性基体１の上に、
非磁性下地層２とグラニュラー磁性層３及び保護膜４が
順に形成され、その上に液体潤滑材層５が形成されてい
る。磁性層３は、強磁性を有する結晶粒とそれを取り巻
く非磁性粒界からなり、かつその非磁性粒界が、金属の
酸化物又は窒化物からなる、いわゆるグラニュラー磁性
層である。磁性層３を成膜する際に用いる原料Ａｒガス
の分圧に対して、０．５％以上１．５％以下のＨ２Ｏま
たはＯ２を添加し、更に成膜時雰囲気の圧力を５ｍＴｏ
ｒｒ以上３０ｍＴｏｒｒ以下とすることが好適である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造方法及びその磁気記録媒体に関し、より詳細には、ハ
ードディスクドライブなどで用いられる磁気記録媒体の
製造方法及びその磁気記録媒体に関する。
造方法及びその磁気記録媒体に関し、より詳細には、ハ
ードディスクドライブなどで用いられる磁気記録媒体の
製造方法及びその磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスクドライブなどで用
いられる磁気記録媒体の記録密度に対する要求が、増加
の一途をたどっている。高記録密度化への厳しい要求を
達成するためには、磁性薄膜の高保磁力化と低ノイズ化
が極めて重要となっている。従来、様々な磁性層の組成
と構造、および非磁性下地層の材料などが提案されてい
る。
いられる磁気記録媒体の記録密度に対する要求が、増加
の一途をたどっている。高記録密度化への厳しい要求を
達成するためには、磁性薄膜の高保磁力化と低ノイズ化
が極めて重要となっている。従来、様々な磁性層の組成
と構造、および非磁性下地層の材料などが提案されてい
る。
【０００３】特に、グラニュラー磁性層と呼ばれる、磁
性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物などの非磁性非金属物
質で囲んだ構造を有する磁性層が知られている。グラニ
ュラー磁性膜は、非磁性非金属物質の粒界相が磁性粒子
を物理的に分離するため、磁性粒子間の磁気的な相互作
用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁
壁の形成を抑制するので、低ノイズ特性が得られると考
えられている。
性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物などの非磁性非金属物
質で囲んだ構造を有する磁性層が知られている。グラニ
ュラー磁性膜は、非磁性非金属物質の粒界相が磁性粒子
を物理的に分離するため、磁性粒子間の磁気的な相互作
用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁
壁の形成を抑制するので、低ノイズ特性が得られると考
えられている。
【０００４】従来用いられてきたＣｏＣｒ系金属磁性膜
では、高温で成膜することにより、ＣｒがＣｏ系磁性粒
から偏析することで粒界に析出し、磁性粒子間の磁気的
相互作用を低減している。グラニュラー磁性膜の場合
は、この粒界相として非磁性非金属物質を用いるため、
Ｃｒと比較して偏析しやすく、比較的容易に磁性粒の孤
立化が促進できるという利点がある。
では、高温で成膜することにより、ＣｒがＣｏ系磁性粒
から偏析することで粒界に析出し、磁性粒子間の磁気的
相互作用を低減している。グラニュラー磁性膜の場合
は、この粒界相として非磁性非金属物質を用いるため、
Ｃｒと比較して偏析しやすく、比較的容易に磁性粒の孤
立化が促進できるという利点がある。
【０００５】特に、ＣｏＣｒ系金属磁性膜の場合は、成
膜時の基板温度を２００℃以上に上昇させることがＣｒ
の十分な偏析に必要不可欠であるのに対し、グラニュラ
ー磁性膜の場合は、加熱なしの成膜においても、非磁性
非金属物質の偏析が生じるという利点もある。
膜時の基板温度を２００℃以上に上昇させることがＣｒ
の十分な偏析に必要不可欠であるのに対し、グラニュラ
ー磁性膜の場合は、加熱なしの成膜においても、非磁性
非金属物質の偏析が生じるという利点もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、グラニ
ュラー磁性層を有する磁気記録媒体は、所望の磁気特
性、特に保磁力Ｈｃを実現するために、比較的多量のＰ
ｔをＣｏ合金に添加する必要が生じる。具体的には、３
２００Ｏｅ程度のＨｃを実現しようとした場合、１６ａ
ｔ％もの高価なＰｔを必要とするという問題があった。
ＣｏＣｒ系金属磁性膜により同程度のＨｃを実現する為
には、１２ａｔ％程度のＰｔ添加に留まる。
ュラー磁性層を有する磁気記録媒体は、所望の磁気特
性、特に保磁力Ｈｃを実現するために、比較的多量のＰ
ｔをＣｏ合金に添加する必要が生じる。具体的には、３
２００Ｏｅ程度のＨｃを実現しようとした場合、１６ａ
ｔ％もの高価なＰｔを必要とするという問題があった。
ＣｏＣｒ系金属磁性膜により同程度のＨｃを実現する為
には、１２ａｔ％程度のＰｔ添加に留まる。
【０００７】近年の高記録密度化に対し、３２００Ｏｅ
以上の高いＨｃが要求されていることから、高価なＰｔ
をさらに添加しなければならない。このことは、製造コ
ストの増加に伴い、低価格化に逆行するという問題もあ
った。
以上の高いＨｃが要求されていることから、高価なＰｔ
をさらに添加しなければならない。このことは、製造コ
ストの増加に伴い、低価格化に逆行するという問題もあ
った。
【０００８】さらに、媒体ノイズの低減化も要求されて
おり、グラニュラー磁性膜の制御も必要となっている。
おり、グラニュラー磁性膜の制御も必要となっている。
【０００９】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、高い保磁力が得ら
れ、低いノイズを有する磁気記録媒体の製造方法及びそ
の磁気記録媒体を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、高い保磁力が得ら
れ、低いノイズを有する磁気記録媒体の製造方法及びそ
の磁気記録媒体を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、ポリカ
ーボネートあるいはポリオレフィン等の樹脂からなる非
磁性基体上に、少なくとも非磁性下地層と、Ｃｏを含有
して強磁性を有する結晶粒と、該結晶粒を取り巻く非磁
性粒界からなるグラニュラー磁性層と、保護膜及び液体
潤滑剤層が順次積層されてなる磁気記録媒体の製造方法
において、前記グラニュラー磁性層のスパッタリング成
膜時のＡｒ雰囲気に、Ｈ２ＯまたはＯ２を添加すること
を特徴とする。
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、ポリカ
ーボネートあるいはポリオレフィン等の樹脂からなる非
磁性基体上に、少なくとも非磁性下地層と、Ｃｏを含有
して強磁性を有する結晶粒と、該結晶粒を取り巻く非磁
性粒界からなるグラニュラー磁性層と、保護膜及び液体
潤滑剤層が順次積層されてなる磁気記録媒体の製造方法
において、前記グラニュラー磁性層のスパッタリング成
膜時のＡｒ雰囲気に、Ｈ２ＯまたはＯ２を添加すること
を特徴とする。
【００１１】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記グラニュラー磁性層のスパ
ッタリング成膜を行なう際のＨ２ＯまたはＯ２の添加量
を、Ａｒ分圧に対し０．５％以上１．５％以下とするこ
とを特徴とする。
に記載の発明において、前記グラニュラー磁性層のスパ
ッタリング成膜を行なう際のＨ２ＯまたはＯ２の添加量
を、Ａｒ分圧に対し０．５％以上１．５％以下とするこ
とを特徴とする。
【００１２】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
又は２に記載の発明において、前記グラニュラー磁性層
のスパッタリング成膜時雰囲気の圧力が、５ｍＴｏｒｒ
以上３０ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする。
又は２に記載の発明において、前記グラニュラー磁性層
のスパッタリング成膜時雰囲気の圧力が、５ｍＴｏｒｒ
以上３０ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする。
【００１３】また、請求項４に記載の発明は、請求項
１，２又は３に記載の発明において、前記非磁性基体を
事前に加熱せずに成膜プロセスを行なうことを特徴とす
る。
１，２又は３に記載の発明において、前記非磁性基体を
事前に加熱せずに成膜プロセスを行なうことを特徴とす
る。
【００１４】また、請求項５に記載の発明は、請求項
１，２，３又は４に記載の磁気記録媒体の製造方法によ
って製造された磁気記録媒体である。
１，２，３又は４に記載の磁気記録媒体の製造方法によ
って製造された磁気記録媒体である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。高い保磁力を有し、低ノイ
ズ化及び低コスト化を実現するグラニュラー磁性膜は、
グラニュラー磁性膜の成膜に要する原料Ａｒガスに極微
量の不純物ガスを添加することにより作製することがで
きる。例えば、グラニュラー成膜に用いるＡｒガスの分
圧に対し、０．５％以上１．５％以下のＨ２ＯまたはＯ
２を添加することにより、グラニュラー磁性膜の酸化物
や窒化物などの非磁性非金属物質の分解が抑えられる効
果がある。
施の形態について説明する。高い保磁力を有し、低ノイ
ズ化及び低コスト化を実現するグラニュラー磁性膜は、
グラニュラー磁性膜の成膜に要する原料Ａｒガスに極微
量の不純物ガスを添加することにより作製することがで
きる。例えば、グラニュラー成膜に用いるＡｒガスの分
圧に対し、０．５％以上１．５％以下のＨ２ＯまたはＯ
２を添加することにより、グラニュラー磁性膜の酸化物
や窒化物などの非磁性非金属物質の分解が抑えられる効
果がある。
【００１６】このような効果により強磁性結晶粒内から
の非磁性金属物質の偏析が促進され容易に高い保磁力を
得ることができる。また、磁性粒子間の磁気的な相互作
用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁
壁の形成を抑制するので、低ノイズ特性が得られる。
の非磁性金属物質の偏析が促進され容易に高い保磁力を
得ることができる。また、磁性粒子間の磁気的な相互作
用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁
壁の形成を抑制するので、低ノイズ特性が得られる。
【００１７】図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形
態を説明するための断面図である。磁気記録媒体は、非
磁性基体１の上に、非磁性下地層２とグラニュラー磁性
層３及び保護膜４が順に形成された構造を有しており、
さらに、その上に液体潤滑材層５が形成されている。な
お、非磁性下地層あるいはグラニュラー磁性層の結晶配
向やその他の構造制御を目的として、非磁性基体と非磁
性下地層の間に非磁性のシード層を設けたり、非磁性下
地層とグラニュラー磁性層の間に非磁性の中間層を設け
たりしても、本発明の効果は発揮され、更に優れた特性
を得ることも可能となる。
態を説明するための断面図である。磁気記録媒体は、非
磁性基体１の上に、非磁性下地層２とグラニュラー磁性
層３及び保護膜４が順に形成された構造を有しており、
さらに、その上に液体潤滑材層５が形成されている。な
お、非磁性下地層あるいはグラニュラー磁性層の結晶配
向やその他の構造制御を目的として、非磁性基体と非磁
性下地層の間に非磁性のシード層を設けたり、非磁性下
地層とグラニュラー磁性層の間に非磁性の中間層を設け
たりしても、本発明の効果は発揮され、更に優れた特性
を得ることも可能となる。
【００１８】非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒
体用に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強
化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができるほか、
基板加熱を必要としないことから、ポリカーボネート、
ポリオレフィンやその他の樹脂を射出成形することで作
製した安価な基板をも用いることができる。
体用に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強
化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができるほか、
基板加熱を必要としないことから、ポリカーボネート、
ポリオレフィンやその他の樹脂を射出成形することで作
製した安価な基板をも用いることができる。
【００１９】非磁性下地層２としては、磁性層の結晶配
向性や粒径、粒界偏析構造等の微細構造を制御できるも
のであれば、どのような材料を使うことも出来る。例え
ば、従来の磁気記録媒体で使用されているようなＣｒま
たはＣｒを主体とする合金は好適に使用しうる他、グラ
ニュラー磁性層に対して大きな効果を有するＲｕ，Ｏ
ｓ，Ｒｅ等の金属またはそれらを主体とする合金も使用
できる。その膜厚は特に制限されるものではなく、グラ
ニュラー磁性層の構造制御効果と生産性やコストを考慮
して、必要十分な膜厚が要求される。
向性や粒径、粒界偏析構造等の微細構造を制御できるも
のであれば、どのような材料を使うことも出来る。例え
ば、従来の磁気記録媒体で使用されているようなＣｒま
たはＣｒを主体とする合金は好適に使用しうる他、グラ
ニュラー磁性層に対して大きな効果を有するＲｕ，Ｏ
ｓ，Ｒｅ等の金属またはそれらを主体とする合金も使用
できる。その膜厚は特に制限されるものではなく、グラ
ニュラー磁性層の構造制御効果と生産性やコストを考慮
して、必要十分な膜厚が要求される。
【００２０】保護膜４は、例えば、スパッタリング法や
ＣＶＤ法により成膜されたカーボンを主体とする薄膜が
用いられる。また、液体潤滑材層５は、例えば、パーフ
ルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。
ＣＶＤ法により成膜されたカーボンを主体とする薄膜が
用いられる。また、液体潤滑材層５は、例えば、パーフ
ルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。
【００２１】以下、磁性層３について説明する。磁性層
３は、強磁性を有する結晶粒とそれを取り巻く非磁性粒
界からなり、かつその非磁性粒界が、金属の酸化物又は
窒化物からなる、いわゆるグラニュラー磁性層である。
強磁性を有する結晶を構成する材料は特に制限されない
が、ＣｏＰｔ系合金が好適に用い得る。特に、ＣｏＰｔ
合金にＣｒ，Ｎｉ，Ｔａ等を添加することが、媒体ノイ
ズの低減のためには望ましい。
３は、強磁性を有する結晶粒とそれを取り巻く非磁性粒
界からなり、かつその非磁性粒界が、金属の酸化物又は
窒化物からなる、いわゆるグラニュラー磁性層である。
強磁性を有する結晶を構成する材料は特に制限されない
が、ＣｏＰｔ系合金が好適に用い得る。特に、ＣｏＰｔ
合金にＣｒ，Ｎｉ，Ｔａ等を添加することが、媒体ノイ
ズの低減のためには望ましい。
【００２２】一方、非磁性粒界を構成する材料として
は、窒化物を使用することもできるが、Ｃｒ，Ｃｏ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｒ等の元素の酸化物を
用いることが、安定なグラニュラー構造を形成するため
には特に望ましい。磁性層の膜厚は特に制限されるもの
ではなく、記録再生時に十分なヘッド再生出力を得るた
めの必要十分な膜厚が要求される。
は、窒化物を使用することもできるが、Ｃｒ，Ｃｏ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｒ等の元素の酸化物を
用いることが、安定なグラニュラー構造を形成するため
には特に望ましい。磁性層の膜厚は特に制限されるもの
ではなく、記録再生時に十分なヘッド再生出力を得るた
めの必要十分な膜厚が要求される。
【００２３】次に、磁気記録媒体の製造方法の一実施形
態について説明する。磁性層３を成膜する際に用いる原
料Ａｒガスの分圧に対して、０．５％以上１．５％以下
のＨ２ＯまたはＯ２を添加し、更に成膜時雰囲気の圧力
を５ｍＴｏｒｒ以上３０ｍＴｏｒｒ以下とすることが好
適である。
態について説明する。磁性層３を成膜する際に用いる原
料Ａｒガスの分圧に対して、０．５％以上１．５％以下
のＨ２ＯまたはＯ２を添加し、更に成膜時雰囲気の圧力
を５ｍＴｏｒｒ以上３０ｍＴｏｒｒ以下とすることが好
適である。
【００２４】本実施形態によれば、図１に示した磁気記
録媒体の製造にあたっては、従来の磁気記録媒体の製造
方法に含まれる基板加熱工程を省略しても、高い保磁力
と低い媒体ノイズを有する磁気記録媒体を製造すること
ができ、製造工程の簡略化にともなう製造コストの低減
もはかることができる。
録媒体の製造にあたっては、従来の磁気記録媒体の製造
方法に含まれる基板加熱工程を省略しても、高い保磁力
と低い媒体ノイズを有する磁気記録媒体を製造すること
ができ、製造工程の簡略化にともなう製造コストの低減
もはかることができる。
【００２５】[実施例１]非磁性基体として表面が平滑な
化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガ
ラス基板）を用い、これを精密洗浄後、スパッタ装置に
導入し、３０ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＲｕから
なる下地層３０ｎｍを形成した。さらに引き続いて、Ｓ
ｉＯ２を１０ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ１２Ｐｔ１２タ
ーゲットを用い、ＲＦスパッタ法によりグラニュラー磁
性層１５ｎｍを形成した。
化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガ
ラス基板）を用い、これを精密洗浄後、スパッタ装置に
導入し、３０ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＲｕから
なる下地層３０ｎｍを形成した。さらに引き続いて、Ｓ
ｉＯ２を１０ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ１２Ｐｔ１２タ
ーゲットを用い、ＲＦスパッタ法によりグラニュラー磁
性層１５ｎｍを形成した。
【００２６】この際、成膜ガスとしては、ＡｒとＨ２Ｏ
を気化させた混合ガスを用い、成膜雰囲気の圧力は、１
５ｍＴｏｒｒ一定としてその混合比率を変化させながら
成膜を行なうとともに、四重極質量分析計を用い各々の
分圧を定量化した。ターゲットへの投入電力は３．７Ｗ
／ｃｍ２で一定とした。
を気化させた混合ガスを用い、成膜雰囲気の圧力は、１
５ｍＴｏｒｒ一定としてその混合比率を変化させながら
成膜を行なうとともに、四重極質量分析計を用い各々の
分圧を定量化した。ターゲットへの投入電力は３．７Ｗ
／ｃｍ２で一定とした。
【００２７】ついで、カーボン保護層１０ｎｍを積層し
た後真空中から取り出し、その後、液体潤滑剤１．５ｎ
ｍを塗布して、図１に示した構造の磁気記録媒体を作製
した。なお、成膜に先立つ基板加熱は行なっていない。
た後真空中から取り出し、その後、液体潤滑剤１．５ｎ
ｍを塗布して、図１に示した構造の磁気記録媒体を作製
した。なお、成膜に先立つ基板加熱は行なっていない。
【００２８】図２は、成膜雰囲気におけるＨ２Ｏ分圧比
と保磁力との関係を示した図である。振動試料型磁気力
計（以下、ＶＳＭという）を用いて測定したものであ
る。図２に示したように、Ａｒに対するＨ２Ｏ分圧比
０．５〜１．５％にて良好な保磁力Ｈｃが得られ、Ｈ２
Ｏ分圧比１％付近で最大となることが分かる。このとき
試料は、残留磁束密度・膜厚積Ｂｒδ＝５０Ｇμｍに固
定した。
と保磁力との関係を示した図である。振動試料型磁気力
計（以下、ＶＳＭという）を用いて測定したものであ
る。図２に示したように、Ａｒに対するＨ２Ｏ分圧比
０．５〜１．５％にて良好な保磁力Ｈｃが得られ、Ｈ２
Ｏ分圧比１％付近で最大となることが分かる。このとき
試料は、残留磁束密度・膜厚積Ｂｒδ＝５０Ｇμｍに固
定した。
【００２９】図３は、成膜雰囲気におけるＨ２Ｏ分圧比
と信号雑音比（ＳＮＲ）との関係を示した図である。Ｇ
ＭＲ（Giant Magneto Resistance）ヘッドを用い、スピ
ンスタンドテスターを用いて測定したものであり、試料
として同等の再生出力が得られるものとした。図３に示
したように、Ａｒに対するＨ２Ｏ分圧比０．５〜１．５
％にて良好なＳＮＲが得られ、Ｈ２Ｏ分圧比１％付近で
最大となることが分かる。
と信号雑音比（ＳＮＲ）との関係を示した図である。Ｇ
ＭＲ（Giant Magneto Resistance）ヘッドを用い、スピ
ンスタンドテスターを用いて測定したものであり、試料
として同等の再生出力が得られるものとした。図３に示
したように、Ａｒに対するＨ２Ｏ分圧比０．５〜１．５
％にて良好なＳＮＲが得られ、Ｈ２Ｏ分圧比１％付近で
最大となることが分かる。
【００３０】[実施例２]非磁性基体として表面が平滑な
化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガ
ラス基板）を用い、これを精密洗浄後、スパッタ装置に
導入し、３０ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＲｕから
なる下地層３０ｎｍを形成した。さらに引き続いて、Ｓ
ｉＯ２を１０ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ１２Ｐｔ１２タ
ーゲットを用い、ＲＦスパッタ法によりグラニュラー磁
性層１５ｎｍを形成した。
化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガ
ラス基板）を用い、これを精密洗浄後、スパッタ装置に
導入し、３０ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＲｕから
なる下地層３０ｎｍを形成した。さらに引き続いて、Ｓ
ｉＯ２を１０ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ１２Ｐｔ１２タ
ーゲットを用い、ＲＦスパッタ法によりグラニュラー磁
性層１５ｎｍを形成した。
【００３１】この際、成膜ガスとしてはＡｒとＯ２の混
合ガスを用い、成膜雰囲気の圧力は１５ｍＴｏｒｒ一定
としてその混合比率を変化させながら成膜を行なうとと
もに、四重極質量分析計を用い各々の分圧を定量化し
た。ターゲットへの投入電力は３．７Ｗ／ｃｍ２で一定
とした。ついでカーボン保護層１０ｎｍを積層した後真
空中から取り出し、その後、液体潤滑剤１．５ｎｍを塗
布して、図１に示した構造の磁気記録媒体を作製した。
なお、成膜に先立つ基板加熱は行なっていない。
合ガスを用い、成膜雰囲気の圧力は１５ｍＴｏｒｒ一定
としてその混合比率を変化させながら成膜を行なうとと
もに、四重極質量分析計を用い各々の分圧を定量化し
た。ターゲットへの投入電力は３．７Ｗ／ｃｍ２で一定
とした。ついでカーボン保護層１０ｎｍを積層した後真
空中から取り出し、その後、液体潤滑剤１．５ｎｍを塗
布して、図１に示した構造の磁気記録媒体を作製した。
なお、成膜に先立つ基板加熱は行なっていない。
【００３２】図４は、成膜雰囲気におけるＯ２分圧比と
保磁力との関係を示した図である。ＶＳＭを用いて測定
したものである。図４に示したように、Ａｒに対するＯ
２分圧比０．５〜１．５％にて良好な保磁力Ｈｃが得ら
れ、Ｏ２分圧比１％付近で最大となることが分かるとと
もに、実施例１にて用いたＨ２Ｏに対して増加量は約１
／２となり、Ｈｃに対する制御性に優れることが分か
る。このとき、試料は、残留磁束密度・膜厚積Ｂｒδ＝
５０Ｇμｍに固定した。
保磁力との関係を示した図である。ＶＳＭを用いて測定
したものである。図４に示したように、Ａｒに対するＯ
２分圧比０．５〜１．５％にて良好な保磁力Ｈｃが得ら
れ、Ｏ２分圧比１％付近で最大となることが分かるとと
もに、実施例１にて用いたＨ２Ｏに対して増加量は約１
／２となり、Ｈｃに対する制御性に優れることが分か
る。このとき、試料は、残留磁束密度・膜厚積Ｂｒδ＝
５０Ｇμｍに固定した。
【００３３】図５は、成膜雰囲気におけるＯ２分圧比と
ＳＮＲとの関係を示した図である。ＧＭＲヘッドを用い
スピンスタンドテスターを用いて測定したものであり、
試料として同等の再生出力が得られるものとした。図５
に示したように、Ａｒに対するＯ２分圧比０．５〜１．
５％にて良好なＳＮＲが得られることが分かる。
ＳＮＲとの関係を示した図である。ＧＭＲヘッドを用い
スピンスタンドテスターを用いて測定したものであり、
試料として同等の再生出力が得られるものとした。図５
に示したように、Ａｒに対するＯ２分圧比０．５〜１．
５％にて良好なＳＮＲが得られることが分かる。
【００３４】[実施例３]非磁性基体として表面が平滑な
化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガ
ラス基板）を用い、これを精密洗浄後、スパッタ装置に
導入し、３０ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＲｕから
なる下地層３０ｎｍを形成した。さらに引き続いて、Ｓ
ｉＯ２を１０ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ１２Ｐｔ１２タ
ーゲットを用い、ＲＦスパッタ法によりグラニュラー磁
性層１５ｎｍを形成した。
化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガ
ラス基板）を用い、これを精密洗浄後、スパッタ装置に
導入し、３０ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下でＲｕから
なる下地層３０ｎｍを形成した。さらに引き続いて、Ｓ
ｉＯ２を１０ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ１２Ｐｔ１２タ
ーゲットを用い、ＲＦスパッタ法によりグラニュラー磁
性層１５ｎｍを形成した。
【００３５】この際、成膜ガスとしてはＡｒとＨ２Ｏ及
びＡｒとＯ２を用い、各々分圧比を１％固定とし、成膜
雰囲気の圧力（ガス圧）を２．５ｍＴｏｒｒ〜５０ｍＴ
ｏｒｒまで変化させながら各々の混合ガスに対して成膜
を行なった。ターゲットへの投入電力は３．７Ｗ／ｃｍ
２で一定とした。
びＡｒとＯ２を用い、各々分圧比を１％固定とし、成膜
雰囲気の圧力（ガス圧）を２．５ｍＴｏｒｒ〜５０ｍＴ
ｏｒｒまで変化させながら各々の混合ガスに対して成膜
を行なった。ターゲットへの投入電力は３．７Ｗ／ｃｍ
２で一定とした。
【００３６】ついで、カーボン保護層１０ｎｍを積層し
た後真空中から取り出し、その後液体潤滑剤１．５ｎｍ
を塗布して、図１に示した構造の磁気記録媒体を作製し
た。なお、成膜に先立つ基板加熱は行なっていない。
た後真空中から取り出し、その後液体潤滑剤１．５ｎｍ
を塗布して、図１に示した構造の磁気記録媒体を作製し
た。なお、成膜に先立つ基板加熱は行なっていない。
【００３７】図６は、Ａｒ＋Ｈ２Ｏ混合ガス及びＡｒ＋
Ｏ２混合ガスに対し、各々のガス圧と保磁力との関係を
示した図である。ＶＳＭを用いて測定したものである。
図６に示したように、Ａｒ＋Ｈ２Ｏ混合ガス及びＡｒ＋
Ｏ２混合ガスとともに、ガス圧５〜３０ｍＴｏｒｒにて
良好な保磁力Ｈｃが得られることが分かる。
Ｏ２混合ガスに対し、各々のガス圧と保磁力との関係を
示した図である。ＶＳＭを用いて測定したものである。
図６に示したように、Ａｒ＋Ｈ２Ｏ混合ガス及びＡｒ＋
Ｏ２混合ガスとともに、ガス圧５〜３０ｍＴｏｒｒにて
良好な保磁力Ｈｃが得られることが分かる。
【００３８】図７は、Ａｒ＋Ｈ２Ｏ混合ガス及びＡｒ＋
Ｏ２混合ガスに対し、各々のガス圧とＳＮＲとの関係を
示した図である。ＧＭＲヘッドを用いスピンスタンドテ
スターを用いて測定したものであり、試料として同等の
再生出力が得られるものとした。図７に示したように、
Ａｒ＋Ｈ２Ｏ混合ガス及びＡｒ＋Ｏ２混合ガスにとも
に、ガス圧５〜３０ｍＴｏｒｒにて良好なＳＮＲが得ら
れることが分かる。
Ｏ２混合ガスに対し、各々のガス圧とＳＮＲとの関係を
示した図である。ＧＭＲヘッドを用いスピンスタンドテ
スターを用いて測定したものであり、試料として同等の
再生出力が得られるものとした。図７に示したように、
Ａｒ＋Ｈ２Ｏ混合ガス及びＡｒ＋Ｏ２混合ガスにとも
に、ガス圧５〜３０ｍＴｏｒｒにて良好なＳＮＲが得ら
れることが分かる。
【００３９】本実施形態によれば、磁気記録媒体に要求
される仕様に応じて、より高いＨｃを要求される場合は
実施例１を用い、制御性を重視する場合は実施例２を用
いることによる使い分けにより、所望の特性を得ること
が出来る。
される仕様に応じて、より高いＨｃを要求される場合は
実施例１を用い、制御性を重視する場合は実施例２を用
いることによる使い分けにより、所望の特性を得ること
が出来る。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、グ
ラニュラー磁性膜の成膜に要する原料Ａｒガスに極微量
のＨ２ＯまたはＯ２を添加することにより、高い保磁力
Ｈｃを有する磁気記録媒体が得られ、高価なＰｔ添加量
を減らすことが可能となる。
ラニュラー磁性膜の成膜に要する原料Ａｒガスに極微量
のＨ２ＯまたはＯ２を添加することにより、高い保磁力
Ｈｃを有する磁気記録媒体が得られ、高価なＰｔ添加量
を減らすことが可能となる。
【００４１】また、成膜に先立つ基板加熱を行なう必要
がないので、製造工程の簡素化に伴う製造コストの低減
もはかることが可能となる。さらに、基板を加熱しない
ことから、安価なプラスチックを基板として用いること
も可能となる。
がないので、製造工程の簡素化に伴う製造コストの低減
もはかることが可能となる。さらに、基板を加熱しない
ことから、安価なプラスチックを基板として用いること
も可能となる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図２】成膜雰囲気におけるＨ２Ｏ分圧比と保磁力との
関係を示した図である。
関係を示した図である。
【図３】成膜雰囲気におけるＨ２Ｏ分圧比と信号雑音比
（ＳＮＲ）との関係を示した図である。
（ＳＮＲ）との関係を示した図である。
【図４】成膜雰囲気におけるＯ２分圧比と保磁力との関
係を示した図である。
係を示した図である。
【図５】成膜雰囲気におけるＯ２分圧比とＳＮＲとの関
係を示した図である。
係を示した図である。
【図６】Ａｒ＋Ｈ２Ｏ混合ガス及びＡｒ＋Ｏ２混合ガス
に対し、各々のガス圧と保磁力との関係を示した図であ
る。
に対し、各々のガス圧と保磁力との関係を示した図であ
る。
【図７】Ａｒ＋Ｈ２Ｏ混合ガス及びＡｒ＋Ｏ２混合ガス
に対し、各々のガス圧とＳＮＲとの関係を示した図であ
る。
に対し、各々のガス圧とＳＮＲとの関係を示した図であ
る。
１ 非磁性基体
２ 非磁性下地層
３ グラニュラー磁性層
４ 保護膜
５ 液体潤滑材層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 上住 洋之
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
(72)発明者 及川 忠昭
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
(72)発明者 中村 雅
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB06 BB07 CB01
5D112 FA04 FB19 FB20
Claims (5)
- 【請求項１】 ポリカーボネートあるいはポリオレフィ
ン等の樹脂からなる非磁性基体上に、少なくとも非磁性
下地層と、Ｃｏを含有して強磁性を有する結晶粒と、該
結晶粒を取り巻く非磁性粒界からなるグラニュラー磁性
層と、保護膜及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる磁
気記録媒体の製造方法において、 前記グラニュラー磁性層のスパッタリング成膜時のＡｒ
雰囲気に、Ｈ２ＯまたはＯ２を添加することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記グラニュラー磁性層のスパッタリン
グ成膜を行なう際のＨ２ＯまたはＯ２の添加量を、Ａｒ
分圧に対し０．５％以上１．５％以下とすることを特徴
とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 前記グラニュラー磁性層のスパッタリン
グ成膜時雰囲気の圧力が、５ｍＴｏｒｒ以上３０ｍＴｏ
ｒｒ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載
の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 前記非磁性基体を事前に加熱せずに成膜
プロセスを行なうことを特徴とする請求項１，２又は３
に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１，２，３又は４に記載の磁気記
録媒体の製造方法によって製造された磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001380404A JP4061897B2 (ja) | 2001-12-13 | 2001-12-13 | 磁気記録媒体の製造方法及びその磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001380404A JP4061897B2 (ja) | 2001-12-13 | 2001-12-13 | 磁気記録媒体の製造方法及びその磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003187428A true JP2003187428A (ja) | 2003-07-04 |
| JP4061897B2 JP4061897B2 (ja) | 2008-03-19 |
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ID=27591474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001380404A Expired - Fee Related JP4061897B2 (ja) | 2001-12-13 | 2001-12-13 | 磁気記録媒体の製造方法及びその磁気記録媒体 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4061897B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010118115A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Showa Denko Kk | 磁性層の形成方法及び磁気記録媒体と磁気記録再生装置 |
-
2001
- 2001-12-13 JP JP2001380404A patent/JP4061897B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010118115A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Showa Denko Kk | 磁性層の形成方法及び磁気記録媒体と磁気記録再生装置 |
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|---|---|
| JP4061897B2 (ja) | 2008-03-19 |
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