JP2003183859A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JP2003183859A JP2003183859A JP2001381502A JP2001381502A JP2003183859A JP 2003183859 A JP2003183859 A JP 2003183859A JP 2001381502 A JP2001381502 A JP 2001381502A JP 2001381502 A JP2001381502 A JP 2001381502A JP 2003183859 A JP2003183859 A JP 2003183859A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング生成物の装置内壁やパターン側壁
への付着を低減できるエッチング方法を提供する。 【解決手段】 本発明のエッチング方法は、反応性ガス
と希ガスとを交互にパルスで反応室１内に導入し、希ガ
スを反応室１内に導入するときにのみステージ４に高周
波電力を印加することを特徴とするものである。
への付着を低減できるエッチング方法を提供する。 【解決手段】 本発明のエッチング方法は、反応性ガス
と希ガスとを交互にパルスで反応室１内に導入し、希ガ
スを反応室１内に導入するときにのみステージ４に高周
波電力を印加することを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング方法に
関し、より具体的には、磁性薄膜のエッチング方法に関
するものである。
関し、より具体的には、磁性薄膜のエッチング方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＭＲＡＭ（Magnetic Random
Access Memory）、ＨＤＤ（Hard DiskDrive）、薄膜磁
気ヘッドなどにおいては、磁性薄膜の微細加工が行なわ
れていた。この磁性薄膜の微細加工には通常エッチング
が用いられる。以下、従来の磁性薄膜のエッチング方法
について説明する。
Access Memory）、ＨＤＤ（Hard DiskDrive）、薄膜磁
気ヘッドなどにおいては、磁性薄膜の微細加工が行なわ
れていた。この磁性薄膜の微細加工には通常エッチング
が用いられる。以下、従来の磁性薄膜のエッチング方法
について説明する。
【０００３】図５は、一般的な誘導結合プラズマエッチ
ング装置の構成を概略的に示す断面図である。図５を参
照して、誘導結合プラズマエッチング装置は、反応室１
と、誘導結合コイル２と、第１および第２のガス供給部
３ａ、３ｂと、ステージ４と、高周波電源６、７と、石
英板８とを主に備えている。
ング装置の構成を概略的に示す断面図である。図５を参
照して、誘導結合プラズマエッチング装置は、反応室１
と、誘導結合コイル２と、第１および第２のガス供給部
３ａ、３ｂと、ステージ４と、高周波電源６、７と、石
英板８とを主に備えている。
【０００４】反応室１内には、ステージ４が保持されて
いる。このステージ４は、磁性薄膜を成膜されたウェハ
１０を載置保持するものである。ステージ４の上方に
は、石英板８が反応室１の壁面に嵌め込まれており、そ
の石英板８上には、誘導結合プラズマ源となる渦巻状の
誘導結合コイル２が配置されている。この誘導結合コイ
ル２には高周波電源６が電気的に接続されており、ステ
ージ４には高周波電源７が電気的に接続されている。
いる。このステージ４は、磁性薄膜を成膜されたウェハ
１０を載置保持するものである。ステージ４の上方に
は、石英板８が反応室１の壁面に嵌め込まれており、そ
の石英板８上には、誘導結合プラズマ源となる渦巻状の
誘導結合コイル２が配置されている。この誘導結合コイ
ル２には高周波電源６が電気的に接続されており、ステ
ージ４には高周波電源７が電気的に接続されている。
【０００５】反応室１の側壁には、反応性ガスを供給す
るための第１のガス供給部３ａと、希ガスを供給するた
めの第２のガス供給部３ｂとが設けられている。また反
応室１内を排気するために反応室１には排気口５が設け
られており、この排気口５には真空ポンプ（図示せず）
が接続されている。
るための第１のガス供給部３ａと、希ガスを供給するた
めの第２のガス供給部３ｂとが設けられている。また反
応室１内を排気するために反応室１には排気口５が設け
られており、この排気口５には真空ポンプ（図示せず）
が接続されている。
【０００６】この装置を用いたエッチング動作について
は、まず磁性薄膜が成膜されたウェハ１０がステージ４
上に載置保持される。この後、反応室１内が真空ポンプ
で真空に排気される。この反応室１内に、第１のガス供
給部３ａからは反応性ガスとして塩素（Ｃｌ2）ガスが
供給され、第２のガス供給部３ｂからは希ガスが供給さ
れる。この状態で誘導結合コイル２に高周波電源６から
高周波電力が印加され、それにより反応室１内にプラズ
マが生成される。この後、ステージ４に高周波電源７か
ら高周波電力が印加されると、ウェハ１０上に高周波バ
イアスが形成され、ウェハ１０の磁性薄膜に反応性イオ
ンエッチングが施される。
は、まず磁性薄膜が成膜されたウェハ１０がステージ４
上に載置保持される。この後、反応室１内が真空ポンプ
で真空に排気される。この反応室１内に、第１のガス供
給部３ａからは反応性ガスとして塩素（Ｃｌ2）ガスが
供給され、第２のガス供給部３ｂからは希ガスが供給さ
れる。この状態で誘導結合コイル２に高周波電源６から
高周波電力が印加され、それにより反応室１内にプラズ
マが生成される。この後、ステージ４に高周波電源７か
ら高周波電力が印加されると、ウェハ１０上に高周波バ
イアスが形成され、ウェハ１０の磁性薄膜に反応性イオ
ンエッチングが施される。
【０００７】なお上記従来のエッチング方法において
は、反応性ガスおよび希ガスの供給と誘導結合プラズマ
源の動作は定常的に行なわれている。
は、反応性ガスおよび希ガスの供給と誘導結合プラズマ
源の動作は定常的に行なわれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】一般的な磁性薄膜の微
細加工に反応性イオンエッチングを用いようとした場
合、現状では、反応生成物が高い蒸気圧を示す適当な反
応性ガスがないことが大きな問題となっている。たとえ
ば塩素ガスと鉄（Ｆｅ）との化合物ＦｅＣｌ3の蒸気圧
は、シリコン（Ｓｉ）をエッチングした場合の化合物Ｓ
ｉＣｌ4の蒸気圧と比べると、室温では６〜７桁も小さ
い。蒸気圧は温度に依存するため、ウェハ温度を上げる
ことで化合物ＦｅＣｌ3の揮発性を高めることができる
が、磁性材料の耐熱性は４００℃以下であるためこの効
果は期待できない。
細加工に反応性イオンエッチングを用いようとした場
合、現状では、反応生成物が高い蒸気圧を示す適当な反
応性ガスがないことが大きな問題となっている。たとえ
ば塩素ガスと鉄（Ｆｅ）との化合物ＦｅＣｌ3の蒸気圧
は、シリコン（Ｓｉ）をエッチングした場合の化合物Ｓ
ｉＣｌ4の蒸気圧と比べると、室温では６〜７桁も小さ
い。蒸気圧は温度に依存するため、ウェハ温度を上げる
ことで化合物ＦｅＣｌ3の揮発性を高めることができる
が、磁性材料の耐熱性は４００℃以下であるためこの効
果は期待できない。
【０００９】このため、磁性薄膜の微細加工には、物理
的エッチング作用の強いイオンミリングが多く使われて
いる。しかし、エッチング生成物の揮発性が低いことに
より、反応室１の内壁への膜付着や磁性薄膜の側壁への
膜付着が多くなるという問題が生じる。以下、そのこと
について説明する。
的エッチング作用の強いイオンミリングが多く使われて
いる。しかし、エッチング生成物の揮発性が低いことに
より、反応室１の内壁への膜付着や磁性薄膜の側壁への
膜付着が多くなるという問題が生じる。以下、そのこと
について説明する。
【００１０】エッチングされた磁性薄膜は反応室１中に
離脱・拡散し、一部は排気口５から排気され、残りは反
応室１の内壁に付着する。またエッチング中にはＣｌ2
プラズマと反応室１の内壁との相互作用によりエッチン
グ生成物が反応室１の内壁に再付着する。上記反応室１
の内壁に付着する付着物は、エッチング処理を続けると
その量が次第に多くなり、やがて壁から剥がれてウェハ
１０上に異物となって付着する。
離脱・拡散し、一部は排気口５から排気され、残りは反
応室１の内壁に付着する。またエッチング中にはＣｌ2
プラズマと反応室１の内壁との相互作用によりエッチン
グ生成物が反応室１の内壁に再付着する。上記反応室１
の内壁に付着する付着物は、エッチング処理を続けると
その量が次第に多くなり、やがて壁から剥がれてウェハ
１０上に異物となって付着する。
【００１１】また上記方法でウェハ１０上の磁性薄膜を
エッチングすると、そのエッチングによってエッチング
生成物（磁性材料と塩素との化合物の粒子）がウェハ１
０から離脱する。離脱した粒子の一部はパターン側壁
（エッチングマスクと磁性薄膜との側壁）に付着し、残
りは排気口５から排気される。ここでパターン側壁に付
着する粒子は、ウェハ１０の表面から離脱して直接付着
するものと、気相中のガス粒子と一旦衝突して散乱によ
り付着するものがある。
エッチングすると、そのエッチングによってエッチング
生成物（磁性材料と塩素との化合物の粒子）がウェハ１
０から離脱する。離脱した粒子の一部はパターン側壁
（エッチングマスクと磁性薄膜との側壁）に付着し、残
りは排気口５から排気される。ここでパターン側壁に付
着する粒子は、ウェハ１０の表面から離脱して直接付着
するものと、気相中のガス粒子と一旦衝突して散乱によ
り付着するものがある。
【００１２】この衝突による散乱には前方散乱と後方散
乱があり、前方散乱の場合には粒子の進路が若干変化す
る程度であるため、その粒子は気相中に拡散する。一
方、後方散乱の場合には粒子の進路は衝突により大きく
変わりウェハ１０側へ跳ね返るため、パターン側壁やウ
ェハ１０の表面に再付着する。パターン側壁に付着物が
付着すると、この付着物がマスクどおりのエッチングを
阻害するため高精度の加工ができなくなる。
乱があり、前方散乱の場合には粒子の進路が若干変化す
る程度であるため、その粒子は気相中に拡散する。一
方、後方散乱の場合には粒子の進路は衝突により大きく
変わりウェハ１０側へ跳ね返るため、パターン側壁やウ
ェハ１０の表面に再付着する。パターン側壁に付着物が
付着すると、この付着物がマスクどおりのエッチングを
阻害するため高精度の加工ができなくなる。
【００１３】また、このエッチング方法をＭＲＡＭに適
用した場合、エッチング生成物のパターン側壁への付着
によりアルミナトンネル絶縁膜のショートが生じ、正常
な動作を行なうことができないという問題が生じる。ま
た、微細化に対しても膜付着によるデバイスの寸法精度
を確保できないという問題が生じる。
用した場合、エッチング生成物のパターン側壁への付着
によりアルミナトンネル絶縁膜のショートが生じ、正常
な動作を行なうことができないという問題が生じる。ま
た、微細化に対しても膜付着によるデバイスの寸法精度
を確保できないという問題が生じる。
【００１４】それゆえ本発明の目的は、エッチング生成
物の装置内壁やパターン側壁への付着を低減できるエッ
チング方法を提供することである。
物の装置内壁やパターン側壁への付着を低減できるエッ
チング方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のエッチング方法
は、反応室内のステージ上に搭載した被エッチング物に
プラズマを用いてエッチングを施すエッチング方法であ
って、反応性ガスと希ガスとを交互にパルスで反応室内
に供給し、希ガスを反応室内に供給するときにのみステ
ージに高周波電力を印加することを特徴とするものであ
る。
は、反応室内のステージ上に搭載した被エッチング物に
プラズマを用いてエッチングを施すエッチング方法であ
って、反応性ガスと希ガスとを交互にパルスで反応室内
に供給し、希ガスを反応室内に供給するときにのみステ
ージに高周波電力を印加することを特徴とするものであ
る。
【００１６】本発明のエッチング方法によれば、反応性
ガスと希ガスとを交互にパルスにより反応室内に供給す
るため、まず反応性ガスを反応室内に供給することによ
り被エッチング物表面に反応性ガスの活性種を付着させ
ることができる。この後、希ガスを反応室内に供給して
プラズマを発生させるとともに、ステージに高周波電力
を印加することで、プラズマ中のイオンを被エッチング
物の方向へ入射させることができる。これにより、予め
被エッチング物の表面に付着していた活性種と入射して
きたイオンとの作用により反応性イオンエッチングが生
じ、被エッチング物をエッチングすることができる。
ガスと希ガスとを交互にパルスにより反応室内に供給す
るため、まず反応性ガスを反応室内に供給することによ
り被エッチング物表面に反応性ガスの活性種を付着させ
ることができる。この後、希ガスを反応室内に供給して
プラズマを発生させるとともに、ステージに高周波電力
を印加することで、プラズマ中のイオンを被エッチング
物の方向へ入射させることができる。これにより、予め
被エッチング物の表面に付着していた活性種と入射して
きたイオンとの作用により反応性イオンエッチングが生
じ、被エッチング物をエッチングすることができる。
【００１７】反応性ガスと希ガスとの双方が交互にパル
スで反応室内に供給されるため、反応室の内壁が反応性
ガスのプラズマに晒されている時間は、反応性ガスが反
応室内に供給されている時間だけとなり、従来例より少
なくすることができる。このため、反応性ガスのプラズ
マと反応室の内壁との相互作用が従来例に比べて減少す
る。その結果、反応室の内壁へのエッチング生成物の付
着が少なくなり、異物の発生が低減する。
スで反応室内に供給されるため、反応室の内壁が反応性
ガスのプラズマに晒されている時間は、反応性ガスが反
応室内に供給されている時間だけとなり、従来例より少
なくすることができる。このため、反応性ガスのプラズ
マと反応室の内壁との相互作用が従来例に比べて減少す
る。その結果、反応室の内壁へのエッチング生成物の付
着が少なくなり、異物の発生が低減する。
【００１８】また、希ガスを反応室内に供給していると
きにのみステージに高周波電力が印加されて被エッチン
グ物のエッチングが行なわれる。このとき、反応室内に
は反応性ガスは存在せず希ガスのみが存在しているた
め、エッチングによって被エッチング物の表面から離脱
したエッチング生成物は反応室内の希ガス粒子と衝突す
ることになる。一般に衝突による散乱は衝突される粒子
の質量が小さいほど、衝突した粒子は前方散乱となる。
したがって、希ガスとして質量の小さいヘリウム、ネオ
ンなどを用いると、被エッチング物表面から離脱したエ
ッチング生成物と希ガスとの衝突において前方散乱が支
配的となるため、エッチング生成物は気相中に拡散し、
パターン側壁への再付着が少なくなる。よって、マスク
どおりのエッチングが進行し、高精度な加工を実現する
ことができる。
きにのみステージに高周波電力が印加されて被エッチン
グ物のエッチングが行なわれる。このとき、反応室内に
は反応性ガスは存在せず希ガスのみが存在しているた
め、エッチングによって被エッチング物の表面から離脱
したエッチング生成物は反応室内の希ガス粒子と衝突す
ることになる。一般に衝突による散乱は衝突される粒子
の質量が小さいほど、衝突した粒子は前方散乱となる。
したがって、希ガスとして質量の小さいヘリウム、ネオ
ンなどを用いると、被エッチング物表面から離脱したエ
ッチング生成物と希ガスとの衝突において前方散乱が支
配的となるため、エッチング生成物は気相中に拡散し、
パターン側壁への再付着が少なくなる。よって、マスク
どおりのエッチングが進行し、高精度な加工を実現する
ことができる。
【００１９】上記のエッチング方法において好ましく
は、反応室内への希ガスの供給開始と同時にステージへ
の高周波電力の印加を開始し、反応室内への希ガスの供
給終了と同時にステージへの高周波電力の印加が終了さ
れる。
は、反応室内への希ガスの供給開始と同時にステージへ
の高周波電力の印加を開始し、反応室内への希ガスの供
給終了と同時にステージへの高周波電力の印加が終了さ
れる。
【００２０】これにより、希ガスの供給開始とともにプ
ラズマを発生させてエッチングを行なうことが可能とな
り、また希ガスの供給終了と同時に高周波電力の印加を
終了するため高周波電力を効果的に省略することが可能
となる。
ラズマを発生させてエッチングを行なうことが可能とな
り、また希ガスの供給終了と同時に高周波電力の印加を
終了するため高周波電力を効果的に省略することが可能
となる。
【００２１】上記のエッチング方法において好ましく
は、誘導結合コイルに高周波電力を印加することで生成
したプラズマを用いてエッチングを施すエッチング方法
であって、誘導結合コイルに印加される高周波電力は、
希ガスを反応室内に供給しているときと、反応性ガスを
反応室内に供給しているときとで異なる。
は、誘導結合コイルに高周波電力を印加することで生成
したプラズマを用いてエッチングを施すエッチング方法
であって、誘導結合コイルに印加される高周波電力は、
希ガスを反応室内に供給しているときと、反応性ガスを
反応室内に供給しているときとで異なる。
【００２２】このように誘導結合コイルに印加される高
周波電力を条件に合わせて変化させることにより、安定
なプラズマの生成が可能となる、またはエッチング速度
を向上させることが可能となる。
周波電力を条件に合わせて変化させることにより、安定
なプラズマの生成が可能となる、またはエッチング速度
を向上させることが可能となる。
【００２３】上記のエッチング方法において好ましく
は、誘導結合コイルに印加される高周波電力は、希ガス
を反応室内に供給しているときよりも、反応性ガスを反
応室内に供給しているときのほうが高い。
は、誘導結合コイルに印加される高周波電力は、希ガス
を反応室内に供給しているときよりも、反応性ガスを反
応室内に供給しているときのほうが高い。
【００２４】一般に、反応性ガスは希ガスに比べて放電
が不安定になりやすいが、反応性ガスを供給したタイミ
ングで誘導結合コイルに印加される高周波電力を高くす
ることにより、安定なプラズマの生成が可能となる。
が不安定になりやすいが、反応性ガスを供給したタイミ
ングで誘導結合コイルに印加される高周波電力を高くす
ることにより、安定なプラズマの生成が可能となる。
【００２５】上記のエッチング方法において好ましく
は、反応室内への反応性ガスの供給開始と同時に誘導結
合コイルに印加される高周波電力を高くし、反応室内へ
の反応性ガスの供給終了と同時に誘導結合コイルに印加
される高周波電力を低くする。
は、反応室内への反応性ガスの供給開始と同時に誘導結
合コイルに印加される高周波電力を高くし、反応室内へ
の反応性ガスの供給終了と同時に誘導結合コイルに印加
される高周波電力を低くする。
【００２６】これにより、反応性ガスの供給開始直後か
ら安定なプラズマの生成が可能になるとともに、反応性
ガスの供給終了まで反応性ガスの安定なプラズマを維持
することができる。
ら安定なプラズマの生成が可能になるとともに、反応性
ガスの供給終了まで反応性ガスの安定なプラズマを維持
することができる。
【００２７】上記のエッチング方法において好ましく
は、誘導結合コイルに印加される高周波電力は、反応性
ガスを反応室内に供給しているときよりも、希ガスを反
応室内に供給しているときのほうが高い。
は、誘導結合コイルに印加される高周波電力は、反応性
ガスを反応室内に供給しているときよりも、希ガスを反
応室内に供給しているときのほうが高い。
【００２８】これにより高密度の希ガスプラズマが生成
され、その結果、反応性イオンエッチングに必要な希ガ
スのプラズマからのイオンの密度が増大し、エッチング
速度が向上する。
され、その結果、反応性イオンエッチングに必要な希ガ
スのプラズマからのイオンの密度が増大し、エッチング
速度が向上する。
【００２９】上記のエッチング方法において好ましく
は、反応室内への希ガスの供給開始と同時に誘導結合コ
イルに印加される高周波電力を高くし、反応室内への希
ガスの供給終了と同時に誘導結合コイルに印加される高
周波電力を低くする。
は、反応室内への希ガスの供給開始と同時に誘導結合コ
イルに印加される高周波電力を高くし、反応室内への希
ガスの供給終了と同時に誘導結合コイルに印加される高
周波電力を低くする。
【００３０】これにより、希ガスの供給開始直後からエ
ッチング速度を向上させることができるとともに、希ガ
スの供給終了まで高速のエッチングを維持することがで
きる。
ッチング速度を向上させることができるとともに、希ガ
スの供給終了まで高速のエッチングを維持することがで
きる。
【００３１】上記のエッチング方法において好ましく
は、希ガスはヘリウムおよびネオンの少なくとも１種を
含んでいる。
は、希ガスはヘリウムおよびネオンの少なくとも１種を
含んでいる。
【００３２】このように希ガスとして質量の小さいヘリ
ウムおよびネオンの少なくとも１種を選ぶことにより、
エッチング生成物と希ガスとの衝突において前方散乱が
支配的となるためエッチング生成物は気相中に拡散し、
パターン側壁へ再付着することが少なくなる。よって、
マスクどおりのエッチングが進行し、高精度な加工を実
現することができる。
ウムおよびネオンの少なくとも１種を選ぶことにより、
エッチング生成物と希ガスとの衝突において前方散乱が
支配的となるためエッチング生成物は気相中に拡散し、
パターン側壁へ再付着することが少なくなる。よって、
マスクどおりのエッチングが進行し、高精度な加工を実
現することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。
て図に基づいて説明する。
【００３４】図１は、本発明の一実施の形態におけるエ
ッチング方法でのガス供給と高周波電力印加のタイミン
グを示す図である。図５に示す誘導結合プラズマエッチ
ング装置を用いて、図１のタイミングでガス供給および
高周波電力印加を行なう場合のエッチング方法について
説明する。
ッチング方法でのガス供給と高周波電力印加のタイミン
グを示す図である。図５に示す誘導結合プラズマエッチ
ング装置を用いて、図１のタイミングでガス供給および
高周波電力印加を行なう場合のエッチング方法について
説明する。
【００３５】図１および図５を参照して、まず磁性薄膜
（被エッチング物）が成膜されたウェハ１０がステージ
４上に載置保持される。この後、反応室１内が図示しな
い真空ポンプにより真空に排気される。この反応室１内
に、第１のガス供給部３ａから反応性ガスとしてたとえ
ば塩素（Ｃｌ2）ガスが供給される。この状態で誘導結
合コイル２に高周波電源６から高周波電力が印加される
と、反応室１内で反応性ガスのプラズマが生成される。
生成されたプラズマから活性種がウェハ１０の表面に付
着する。
（被エッチング物）が成膜されたウェハ１０がステージ
４上に載置保持される。この後、反応室１内が図示しな
い真空ポンプにより真空に排気される。この反応室１内
に、第１のガス供給部３ａから反応性ガスとしてたとえ
ば塩素（Ｃｌ2）ガスが供給される。この状態で誘導結
合コイル２に高周波電源６から高周波電力が印加される
と、反応室１内で反応性ガスのプラズマが生成される。
生成されたプラズマから活性種がウェハ１０の表面に付
着する。
【００３６】ここで反応性ガスはパルスバルブによりパ
ルスで供給される。そのパルスの時間幅（つまり反応性
ガスが反応室１内に供給される時間）は、活性種がウェ
ハ１０表面に吸着する時間程度で、かつ誘導結合プラズ
マの生成に必要な圧力が得られる値に設定される。活性
種がウェハ１０の表面に吸着する時間は、概ね１ｍｓｅ
ｃ〜数十ｍｓｅｃ程度である。また誘導結合プラズマの
生成に必要な圧力が得られるパルス幅は、ガス供給量と
反応室１の容積および真空排気系の能力とにより決定さ
れる。
ルスで供給される。そのパルスの時間幅（つまり反応性
ガスが反応室１内に供給される時間）は、活性種がウェ
ハ１０表面に吸着する時間程度で、かつ誘導結合プラズ
マの生成に必要な圧力が得られる値に設定される。活性
種がウェハ１０の表面に吸着する時間は、概ね１ｍｓｅ
ｃ〜数十ｍｓｅｃ程度である。また誘導結合プラズマの
生成に必要な圧力が得られるパルス幅は、ガス供給量と
反応室１の容積および真空排気系の能力とにより決定さ
れる。
【００３７】なお、ここまでの状態では、活性種である
塩素ラジカルがウェハ１０の表面に吸着するだけで、化
学的な反応が起こるだけであるため磁性薄膜のエッチン
グはほとんど行なわれない。
塩素ラジカルがウェハ１０の表面に吸着するだけで、化
学的な反応が起こるだけであるため磁性薄膜のエッチン
グはほとんど行なわれない。
【００３８】次に、反応室１内の反応性ガスが排気口５
から排気される。この後、反応室１内に、第２のガス供
給部３ｂからたとえばヘリウム（Ｈｅ）ガスまたはネオ
ン（Ｎｅ）ガスなどの希ガスが供給される。誘導結合コ
イル２には高周波電源６から高周波電力が印加され続け
ているため、反応室１内に希ガスのプラズマが生成され
る。
から排気される。この後、反応室１内に、第２のガス供
給部３ｂからたとえばヘリウム（Ｈｅ）ガスまたはネオ
ン（Ｎｅ）ガスなどの希ガスが供給される。誘導結合コ
イル２には高周波電源６から高周波電力が印加され続け
ているため、反応室１内に希ガスのプラズマが生成され
る。
【００３９】ここで希ガスはパルスバルブによりパルス
で供給され、そのパルスの時間幅（つまり希ガスが反応
室１内に供給される時間）は、反応性イオンエッチング
が終了する時間で、かつ誘導結合プラズマの生成に必要
な圧力が得られる値に設定される。好ましくは、そのパ
ルスの時間幅は、数μｓｅｃ〜数十ｍｓｅｃに設定され
る。
で供給され、そのパルスの時間幅（つまり希ガスが反応
室１内に供給される時間）は、反応性イオンエッチング
が終了する時間で、かつ誘導結合プラズマの生成に必要
な圧力が得られる値に設定される。好ましくは、そのパ
ルスの時間幅は、数μｓｅｃ〜数十ｍｓｅｃに設定され
る。
【００４０】この状態でステージ４に高周波電源７から
高周波電力を印加すると、ウェハ１０上に高周波バイア
スが形成され、希ガスのプラズマ中の希ガスイオンがウ
ェハ１０表面に入射する。これにより、ウェハ１０表面
に入射した希ガスイオンと、上述の反応性ガス供給時に
磁性薄膜表面に吸着した活性種との作用により反応性イ
オンエッチングが生じ、磁性薄膜がエッチングされる。
高周波電力を印加すると、ウェハ１０上に高周波バイア
スが形成され、希ガスのプラズマ中の希ガスイオンがウ
ェハ１０表面に入射する。これにより、ウェハ１０表面
に入射した希ガスイオンと、上述の反応性ガス供給時に
磁性薄膜表面に吸着した活性種との作用により反応性イ
オンエッチングが生じ、磁性薄膜がエッチングされる。
【００４１】ここで、ステージ４への高周波電力の印加
はパルス動作とし、希ガスの供給タイミングに同期させ
る。つまり、反応室１内への希ガスの供給開始と同時に
ステージ４への高周波電力の印加を開始し、反応室１内
への希ガスの供給終了と同時にステージ４への高周波電
力の印加が終了される。これにより、高周波電源７によ
りステージ４に高周波電力が印加されている期間のみ反
応性イオンエッチングが行なわれることになる。
はパルス動作とし、希ガスの供給タイミングに同期させ
る。つまり、反応室１内への希ガスの供給開始と同時に
ステージ４への高周波電力の印加を開始し、反応室１内
への希ガスの供給終了と同時にステージ４への高周波電
力の印加が終了される。これにより、高周波電源７によ
りステージ４に高周波電力が印加されている期間のみ反
応性イオンエッチングが行なわれることになる。
【００４２】本実施の形態のエッチング方法によれば、
図１に示すように反応性ガスと希ガスとの双方が交互に
パルスで反応室１内に供給されるため、反応室１の内壁
が反応性ガスのプラズマに晒されている時間は、反応性
ガスが反応室１内に供給されている時間だけとなり、従
来例より少なくすることができる。このため、反応性ガ
スのプラズマと反応室１の内壁との相互作用が従来例に
比べて減少する。その結果、反応室１の内壁へのエッチ
ング生成物の付着が少なくなり、異物の発生が低減す
る。
図１に示すように反応性ガスと希ガスとの双方が交互に
パルスで反応室１内に供給されるため、反応室１の内壁
が反応性ガスのプラズマに晒されている時間は、反応性
ガスが反応室１内に供給されている時間だけとなり、従
来例より少なくすることができる。このため、反応性ガ
スのプラズマと反応室１の内壁との相互作用が従来例に
比べて減少する。その結果、反応室１の内壁へのエッチ
ング生成物の付着が少なくなり、異物の発生が低減す
る。
【００４３】また、希ガスを反応室１内に供給している
ときにのみステージ４に高周波電力が印加されて磁性薄
膜のエッチングが行なわれる。このとき、反応室１内に
は反応性ガスは存在せず希ガスのみが存在しているた
め、エッチングによってウェハ１０の表面から離脱した
エッチング生成物は反応室１内の希ガス粒子と衝突する
ことになる。一般に衝突による散乱は衝突される粒子の
質量が小さいほど、衝突した粒子は前方散乱となる。し
たがって、希ガスとして質量の小さいＨｅ、Ｎｅなどを
用いると、ウェハ表面から離脱したエッチング生成物と
希ガスとの衝突において前方散乱が支配的となるため、
エッチング生成物は気相中に拡散し、パターン側壁への
再付着が少なくなる。よって、マスクどおりのエッチン
グが進行し、高精度な加工を実現することができる。
ときにのみステージ４に高周波電力が印加されて磁性薄
膜のエッチングが行なわれる。このとき、反応室１内に
は反応性ガスは存在せず希ガスのみが存在しているた
め、エッチングによってウェハ１０の表面から離脱した
エッチング生成物は反応室１内の希ガス粒子と衝突する
ことになる。一般に衝突による散乱は衝突される粒子の
質量が小さいほど、衝突した粒子は前方散乱となる。し
たがって、希ガスとして質量の小さいＨｅ、Ｎｅなどを
用いると、ウェハ表面から離脱したエッチング生成物と
希ガスとの衝突において前方散乱が支配的となるため、
エッチング生成物は気相中に拡散し、パターン側壁への
再付着が少なくなる。よって、マスクどおりのエッチン
グが進行し、高精度な加工を実現することができる。
【００４４】なお上述したエッチング方法では、図１に
示すように誘導結合コイル２には動作中一定値の高周波
電力が印加されているが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、誘導結合コイル２に印加される高周波電力
は状況に応じて変化させてもよい。
示すように誘導結合コイル２には動作中一定値の高周波
電力が印加されているが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、誘導結合コイル２に印加される高周波電力
は状況に応じて変化させてもよい。
【００４５】図２および図３は、誘導結合コイルに印加
される高周波電力が変動する場合のガス供給と高周波電
力印加とのタイミングを示す図である。図２を参照し
て、誘導結合コイル２に印加される高周波電力は、反応
性ガスの供給に同期させて増大されてもよい。この場
合、反応室１内への反応性ガスの供給開始と同時に誘導
結合コイル２に印加される高周波電力は増大され、反応
室１内への反応性ガスの供給終了と同時に誘導結合コイ
ル２に印加される高周波電力を低減される。
される高周波電力が変動する場合のガス供給と高周波電
力印加とのタイミングを示す図である。図２を参照し
て、誘導結合コイル２に印加される高周波電力は、反応
性ガスの供給に同期させて増大されてもよい。この場
合、反応室１内への反応性ガスの供給開始と同時に誘導
結合コイル２に印加される高周波電力は増大され、反応
室１内への反応性ガスの供給終了と同時に誘導結合コイ
ル２に印加される高周波電力を低減される。
【００４６】一般に、反応性ガスは希ガスに比べて放電
が不安定になりやすいが、反応性ガスを供給したタイミ
ングで高周波電源６の高周波電力を増大させると反応性
ガスの安定なプラズマの生成が可能となる。またこれに
より、反応性ガスを反応室１内に供給を開始した直後か
ら安定なプラズマを生成できるとともに、反応性ガスの
供給終了まで反応性ガスの安定なプラズマを維持するこ
とが可能となる。
が不安定になりやすいが、反応性ガスを供給したタイミ
ングで高周波電源６の高周波電力を増大させると反応性
ガスの安定なプラズマの生成が可能となる。またこれに
より、反応性ガスを反応室１内に供給を開始した直後か
ら安定なプラズマを生成できるとともに、反応性ガスの
供給終了まで反応性ガスの安定なプラズマを維持するこ
とが可能となる。
【００４７】また図３を参照して、誘導結合コイル２に
印加される高周波電力は、希ガスの供給に同期させて増
大されてもよい。この場合、反応室１内への希ガスの供
給開始と同時に誘導結合コイル２に印加される高周波電
力は増大され、反応室１内への希ガスの供給終了と同時
に誘導結合コイル２に印加される高周波電力を低減され
る。
印加される高周波電力は、希ガスの供給に同期させて増
大されてもよい。この場合、反応室１内への希ガスの供
給開始と同時に誘導結合コイル２に印加される高周波電
力は増大され、反応室１内への希ガスの供給終了と同時
に誘導結合コイル２に印加される高周波電力を低減され
る。
【００４８】この場合、高密度の希ガスプラズマが生成
され、その結果反応性イオンエッチングに必要な希ガス
のプラズマからのイオンの密度が増大し、エッチング速
度が向上する。この場合、プラズマ密度が上昇すること
により反応室１の内壁への付着物増加が懸念されるが、
希ガスのプラズマであるため、反応性が低く、生成物が
付着することは少ない。パルス的にステージ４に高周波
バイアスを印加しているので、定常的な場合（従来例）
に比べてエッチング速度が低下するが、この方法を用い
ることによりエッチング速度を改善することができる。
また、希ガスを反応室１内に供給した直後から速い速度
でエッチングを行なうことが可能になるとともに、希ガ
スの供給終了まで高速でのエッチングが可能となる。
され、その結果反応性イオンエッチングに必要な希ガス
のプラズマからのイオンの密度が増大し、エッチング速
度が向上する。この場合、プラズマ密度が上昇すること
により反応室１の内壁への付着物増加が懸念されるが、
希ガスのプラズマであるため、反応性が低く、生成物が
付着することは少ない。パルス的にステージ４に高周波
バイアスを印加しているので、定常的な場合（従来例）
に比べてエッチング速度が低下するが、この方法を用い
ることによりエッチング速度を改善することができる。
また、希ガスを反応室１内に供給した直後から速い速度
でエッチングを行なうことが可能になるとともに、希ガ
スの供給終了まで高速でのエッチングが可能となる。
【００４９】なお、上記の実施の形態においては、エッ
チング装置として誘導結合プラズマエッチング装置を用
いた場合について説明したが、本発明のエッチング方法
はこの装置を用いた場合に限られず、一般的な平行平板
型プラズマエッチング装置や図４に示すような電子サイ
クロトロン共鳴（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonan
ce）プラズマエッチング装置により行なわれてもよい。
チング装置として誘導結合プラズマエッチング装置を用
いた場合について説明したが、本発明のエッチング方法
はこの装置を用いた場合に限られず、一般的な平行平板
型プラズマエッチング装置や図４に示すような電子サイ
クロトロン共鳴（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonan
ce）プラズマエッチング装置により行なわれてもよい。
【００５０】図４を参照して、このＥＣＲプラズマエッ
チング装置は、図５の装置の誘導結合プラズマ源の代わ
りに、マイクロ波発生源（図示せず）から発せられたマ
イクロ波を反応室１内に導くための導波管１１と、この
導波管１１を反応室１と区切るためのマイクロ波導入窓
１２と、反応室１外周を取囲む磁場コイル１３とを有し
ている。そして、磁場コイル１３への通電によって生じ
た磁場と導波管１１によって導かれたマイクロ波とを反
応室１内のガスに与えることによりプラズマが生成され
る。
チング装置は、図５の装置の誘導結合プラズマ源の代わ
りに、マイクロ波発生源（図示せず）から発せられたマ
イクロ波を反応室１内に導くための導波管１１と、この
導波管１１を反応室１と区切るためのマイクロ波導入窓
１２と、反応室１外周を取囲む磁場コイル１３とを有し
ている。そして、磁場コイル１３への通電によって生じ
た磁場と導波管１１によって導かれたマイクロ波とを反
応室１内のガスに与えることによりプラズマが生成され
る。
【００５１】なお、これ以外の構成については図５に示
す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同
一の符号を付しその説明を省略する。
す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同
一の符号を付しその説明を省略する。
【００５２】このようなＥＣＲプラズマエッチング装置
や平行平板型プラズマエッチング装置を用いて、図１、
図２または図３に示すガス供給と高周波電力印加とのタ
イミングでエッチングを行なうことにより、上記と同様
の効果を得ることができる。
や平行平板型プラズマエッチング装置を用いて、図１、
図２または図３に示すガス供給と高周波電力印加とのタ
イミングでエッチングを行なうことにより、上記と同様
の効果を得ることができる。
【００５３】なお本発明のエッチング方法は、ＭＲＡ
Ｍ、ＨＤＤ、薄膜磁気ヘッドなどの磁性薄膜を有するも
のに適用可能である。
Ｍ、ＨＤＤ、薄膜磁気ヘッドなどの磁性薄膜を有するも
のに適用可能である。
【００５４】また本発明においてエッチングされる対象
物は磁性薄膜に限定されるものでもない。
物は磁性薄膜に限定されるものでもない。
【００５５】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【００５６】
【発明の効果】本発明のエッチング方法によれば、反応
性ガスと希ガスとを交互にパルスにより反応室内に供給
するため、まず反応性ガスを反応室内に供給することに
より被エッチング物表面に反応性ガスの活性種を付着さ
せることができる。この後、希ガスを反応室内に供給し
てプラズマを発生させるとともに、ステージに高周波電
力を印加することで、プラズマ中のイオンを被エッチン
グ物の方向へ入射させることができる。これにより、予
め被エッチング物の表面に付着していた活性種と入射し
てきたイオンとの作用により反応性イオンエッチングが
生じ、被エッチング物をエッチングすることができる。
性ガスと希ガスとを交互にパルスにより反応室内に供給
するため、まず反応性ガスを反応室内に供給することに
より被エッチング物表面に反応性ガスの活性種を付着さ
せることができる。この後、希ガスを反応室内に供給し
てプラズマを発生させるとともに、ステージに高周波電
力を印加することで、プラズマ中のイオンを被エッチン
グ物の方向へ入射させることができる。これにより、予
め被エッチング物の表面に付着していた活性種と入射し
てきたイオンとの作用により反応性イオンエッチングが
生じ、被エッチング物をエッチングすることができる。
【００５７】反応性ガスと希ガスとの双方が交互にパル
スで反応室内に供給されるため、反応室の内壁が反応性
ガスのプラズマに晒されている時間は、反応性ガスが反
応室内に供給されている時間だけとなり、従来例より少
なくすることができる。このため、反応性ガスのプラズ
マと反応室の内壁との相互作用が従来例に比べて減少す
る。その結果、反応室の内壁へのエッチング生成物の付
着が少なくなり、異物の発生が低減する。
スで反応室内に供給されるため、反応室の内壁が反応性
ガスのプラズマに晒されている時間は、反応性ガスが反
応室内に供給されている時間だけとなり、従来例より少
なくすることができる。このため、反応性ガスのプラズ
マと反応室の内壁との相互作用が従来例に比べて減少す
る。その結果、反応室の内壁へのエッチング生成物の付
着が少なくなり、異物の発生が低減する。
【００５８】また、希ガスを反応室内に供給していると
きにのみステージに高周波電力が印加されて被エッチン
グ物のエッチングが行なわれる。このとき、反応室内に
は反応性ガスは存在せず希ガスのみが存在しているた
め、エッチングによって被エッチング物の表面から離脱
したエッチング生成物は反応室内の希ガス粒子と衝突す
ることになる。一般に衝突による散乱は衝突される粒子
の質量が小さいほど、衝突した粒子は前方散乱となる。
したがって、希ガスとして質量の小さいヘリウム、ネオ
ンなどを用いると、被エッチング物表面から離脱したエ
ッチング生成物と希ガスとの衝突において前方散乱が支
配的となるため、エッチング生成物は気相中に拡散し、
パターン側壁への再付着が少なくなる。よって、マスク
どおりのエッチングが進行し、高精度な加工を実現する
ことができる。
きにのみステージに高周波電力が印加されて被エッチン
グ物のエッチングが行なわれる。このとき、反応室内に
は反応性ガスは存在せず希ガスのみが存在しているた
め、エッチングによって被エッチング物の表面から離脱
したエッチング生成物は反応室内の希ガス粒子と衝突す
ることになる。一般に衝突による散乱は衝突される粒子
の質量が小さいほど、衝突した粒子は前方散乱となる。
したがって、希ガスとして質量の小さいヘリウム、ネオ
ンなどを用いると、被エッチング物表面から離脱したエ
ッチング生成物と希ガスとの衝突において前方散乱が支
配的となるため、エッチング生成物は気相中に拡散し、
パターン側壁への再付着が少なくなる。よって、マスク
どおりのエッチングが進行し、高精度な加工を実現する
ことができる。
【００５９】上記のエッチング方法において好ましく
は、反応室内への希ガスの供給開始と同時にステージへ
の高周波電力の印加を開始し、反応室内への希ガスの供
給終了と同時にステージへの高周波電力の印加が終了さ
れる。これにより、希ガスの供給開始とともにプラズマ
を発生させてエッチングを行なうことが可能となり、ま
た希ガスの供給終了と同時に高周波電力の印加を終了す
るため高周波電力を効果的に省略することが可能とな
る。
は、反応室内への希ガスの供給開始と同時にステージへ
の高周波電力の印加を開始し、反応室内への希ガスの供
給終了と同時にステージへの高周波電力の印加が終了さ
れる。これにより、希ガスの供給開始とともにプラズマ
を発生させてエッチングを行なうことが可能となり、ま
た希ガスの供給終了と同時に高周波電力の印加を終了す
るため高周波電力を効果的に省略することが可能とな
る。
【００６０】上記のエッチング方法において好ましく
は、誘導結合コイルに高周波電力を印加することで生成
したプラズマを用いてエッチングを施すエッチング方法
であって、誘導結合コイルに印加される高周波電力は、
希ガスを反応室内に供給しているときと、反応性ガスを
反応室内に供給しているときとで異なる。このように誘
導結合コイルに印加される高周波電力を条件に合わせて
変化させることにより、安定なプラズマの生成が可能と
なる、またはエッチング速度を向上させることが可能と
なる。
は、誘導結合コイルに高周波電力を印加することで生成
したプラズマを用いてエッチングを施すエッチング方法
であって、誘導結合コイルに印加される高周波電力は、
希ガスを反応室内に供給しているときと、反応性ガスを
反応室内に供給しているときとで異なる。このように誘
導結合コイルに印加される高周波電力を条件に合わせて
変化させることにより、安定なプラズマの生成が可能と
なる、またはエッチング速度を向上させることが可能と
なる。
【００６１】上記のエッチング方法において好ましく
は、誘導結合コイルに印加される高周波電力は、希ガス
を反応室内に供給しているときよりも、反応性ガスを反
応室内に供給しているときのほうが高い。一般に、反応
性ガスは希ガスに比べて放電が不安定になりやすいが、
反応性ガスを供給したタイミングで誘導結合コイルに印
加される高周波電力を高くすることにより、安定なプラ
ズマの生成が可能となる。
は、誘導結合コイルに印加される高周波電力は、希ガス
を反応室内に供給しているときよりも、反応性ガスを反
応室内に供給しているときのほうが高い。一般に、反応
性ガスは希ガスに比べて放電が不安定になりやすいが、
反応性ガスを供給したタイミングで誘導結合コイルに印
加される高周波電力を高くすることにより、安定なプラ
ズマの生成が可能となる。
【００６２】上記のエッチング方法において好ましく
は、反応室内への反応性ガスの供給開始と同時に誘導結
合コイルに印加される高周波電力を高くし、反応室内へ
の反応性ガスの供給終了と同時に誘導結合コイルに印加
される高周波電力を低くする。これにより、反応性ガス
の供給開始直後から安定なプラズマの生成が可能になる
とともに、反応性ガスの供給終了まで反応性ガスのプラ
ズマを維持することができる。
は、反応室内への反応性ガスの供給開始と同時に誘導結
合コイルに印加される高周波電力を高くし、反応室内へ
の反応性ガスの供給終了と同時に誘導結合コイルに印加
される高周波電力を低くする。これにより、反応性ガス
の供給開始直後から安定なプラズマの生成が可能になる
とともに、反応性ガスの供給終了まで反応性ガスのプラ
ズマを維持することができる。
【００６３】上記のエッチング方法において好ましく
は、誘導結合コイルに印加される高周波電力は、反応性
ガスを反応室内に供給しているときよりも、希ガスを反
応室内に供給しているときのほうが高い。これにより高
密度の希ガスプラズマが生成され、その結果、反応性イ
オンエッチングに必要な希ガスのプラズマからのイオン
の密度が増大し、エッチング速度が向上する。
は、誘導結合コイルに印加される高周波電力は、反応性
ガスを反応室内に供給しているときよりも、希ガスを反
応室内に供給しているときのほうが高い。これにより高
密度の希ガスプラズマが生成され、その結果、反応性イ
オンエッチングに必要な希ガスのプラズマからのイオン
の密度が増大し、エッチング速度が向上する。
【００６４】上記のエッチング方法において好ましく
は、反応室内への希ガスの供給開始と同時に誘導結合コ
イルに印加される高周波電力を高くし、反応室内への希
ガスの供給終了と同時に誘導結合コイルに印加される高
周波電力を低くする。これにより、希ガスの供給開始直
後からエッチング速度を向上させることができるととも
に、希ガスの供給終了まで希ガスのプラズマを維持する
ことができる。
は、反応室内への希ガスの供給開始と同時に誘導結合コ
イルに印加される高周波電力を高くし、反応室内への希
ガスの供給終了と同時に誘導結合コイルに印加される高
周波電力を低くする。これにより、希ガスの供給開始直
後からエッチング速度を向上させることができるととも
に、希ガスの供給終了まで希ガスのプラズマを維持する
ことができる。
【００６５】上記のエッチング方法において好ましく
は、希ガスはヘリウムおよびネオンの少なくとも１種を
含んでいる。このように希ガスとして質量の小さいヘリ
ウムおよびネオンの少なくとも１種を選ぶことにより、
エッチング生成物と希ガスとの衝突において前方散乱が
支配的となるためエッチング生成物は気相中に拡散し、
パターン側壁へ再付着することが少なくなる。よって、
マスクどおりのエッチングが進行し、高精度な加工を実
現することができる。
は、希ガスはヘリウムおよびネオンの少なくとも１種を
含んでいる。このように希ガスとして質量の小さいヘリ
ウムおよびネオンの少なくとも１種を選ぶことにより、
エッチング生成物と希ガスとの衝突において前方散乱が
支配的となるためエッチング生成物は気相中に拡散し、
パターン側壁へ再付着することが少なくなる。よって、
マスクどおりのエッチングが進行し、高精度な加工を実
現することができる。
【図１】 本発明の一実施の形態におけるガス供給と高
周波電力印加とのタイミングを示す図である。
周波電力印加とのタイミングを示す図である。
【図２】 誘導結合コイルに印加される高周波電力を時
間的に変化させた場合のガス供給と高周波電力印加との
タイミングを示す図である。
間的に変化させた場合のガス供給と高周波電力印加との
タイミングを示す図である。
【図３】 誘導結合コイルに印加される高周波電力を時
間的に変化させた場合のガス供給と高周波電力印加との
タイミングの別の例を示す図である。
間的に変化させた場合のガス供給と高周波電力印加との
タイミングの別の例を示す図である。
【図４】 ＥＣＲプラズマエッチング装置の構成を概略
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図５】 一般的な誘導結合プラズマエッチング装置の
構成を概略的に示す断面図である。
構成を概略的に示す断面図である。
１ 反応室、２ 誘導結合コイル、３ａ 第１のガス供
給部、３ｂ 第２のガス供給部、４ ステージ、５ 排
気口、６，７ 高周波電源、１０ ウェハ、１１ 導波
管、１２ マイクロ波導入窓、１３ 磁場コイル。
給部、３ｂ 第２のガス供給部、４ ステージ、５ 排
気口、６，７ 高周波電源、１０ ウェハ、１１ 導波
管、１２ マイクロ波導入窓、１３ 磁場コイル。
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フロントページの続き
(72)発明者 新谷 賢治
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
Ｆターム(参考） 4K057 DA11 DA16 DB06 DD01 DE01
DE14 DG15 DM18 DN01
Claims (8)
- 【請求項１】 反応室内のステージ上に搭載した被エッ
チング物にプラズマを用いてエッチングを施すエッチン
グ方法であって、 反応性ガスと希ガスとを交互にパルスで前記反応室内に
供給し、前記希ガスを前記反応室内に供給するときにの
み前記ステージに高周波電力を印加することを特徴とす
る、エッチング方法。 - 【請求項２】 前記反応室内への前記希ガスの供給開始
と同時に前記ステージへの高周波電力の印加を開始し、
前記反応室内への前記希ガスの供給終了と同時に前記ス
テージへの高周波電力の印加を終了することを特徴とす
る、請求項１に記載のエッチング方法。 - 【請求項３】 誘導結合コイルに高周波電力を印加する
ことで生成したプラズマを用いてエッチングを施すエッ
チング方法であって、 前記誘導結合コイルに印加される高周波電力は、前記希
ガスを前記反応室内に供給しているときと、前記反応性
ガスを前記反応室内に供給しているときとで異なること
を特徴とする、請求項１または２に記載のエッチング方
法。 - 【請求項４】 前記誘導結合コイルに印加される高周波
電力は、前記希ガスを前記反応室内に供給しているとき
よりも、前記反応性ガスを前記反応室内に供給している
ときのほうが高いことを特徴とする、請求項３に記載の
エッチング方法。 - 【請求項５】 前記反応室内への前記反応性ガスの供給
開始と同時に前記誘導結合コイルに印加される高周波電
力を高くし、前記反応室内への前記反応性ガスの供給終
了と同時に前記誘導結合コイルに印加される高周波電力
を低くすることを特徴とする、請求項４に記載のエッチ
ング方法。 - 【請求項６】 前記誘導結合コイルに印加される高周波
電力は、前記反応性ガスを前記反応室内に供給している
ときよりも、前記希ガスを前記反応室内に供給している
ときのほうが高いことを特徴とする、請求項３に記載の
エッチング方法。 - 【請求項７】 前記反応室内への前記希ガスの供給開始
と同時に前記誘導結合コイルに印加される高周波電力を
高くし、前記反応室内への前記希ガスの供給終了と同時
に前記誘導結合コイルに印加される高周波電力を低くす
ることを特徴とする、請求項６に記載のエッチング方
法。 - 【請求項８】 前記希ガスはヘリウムおよびネオンの少
なくとも１種を含むことを特徴とする、請求項１〜７の
いずれかに記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001381502A JP3970600B2 (ja) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001381502A JP3970600B2 (ja) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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