JP2003175906A - 半導体ウエハの包装方法および包装体 - Google Patents
半導体ウエハの包装方法および包装体Info
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Abstract
の酸化の進行を防止する簡易且つ取り扱い易い包装法を
提供する。 【解決手段】 半導体ウエハを収容したウエハ容器と脱
酸素・脱水剤をガスバリア性の袋に入れて該袋の開口を
密封し,ウエハ容器内および袋内の酸素および水分が該
脱酸素・脱水剤に吸収されるに十分な時間この密封状態
を保持したあと,該袋内にウエハ容器が存在する帯域と
脱酸素・脱水剤が存在する帯域とに該密封状態を保持し
たまま封鎖仕切りで隔離し,該封鎖仕切りをそのまま袋
に残した状態で脱酸素・脱水剤が存在する帯域を開口ま
たは切断して脱酸素・脱水剤を袋から除去する半導体ウ
エハの包装方法。
Description
中の品質低下を防止する包装方法および包装体に関す
る。
品質劣化を起こさないように,非酸化性雰囲気に維持さ
れた容器内にウエハを収容することが一般的に行われて
いる。例えば,ウエハの製造工程を終了したウエハ製品
は,まずウエハが落ち着きよく収まる収容空間をもった
剛性の樹脂製ウエハ容器(ウエハトレイとも呼ばれる)
に収納され,ついで,この容器全体をガスバリア性の高
い柔軟な包装袋の中に非酸化性状態で入れて保管,輸送
することが行われている。剛性のウエハ容器はポリプロ
ピレン製のものが通常であり,これを包み込むガスバリ
ア性の包装袋としては,PVS,PTS,アルミラミネ
ート製等のものが知られている。
性の包装袋に非酸化性状態を保持した状態で密封するに
は,ウエハを収容したウエハ容器を該袋の中に入れ,ガ
ス置換式の包装機を用いて袋内の大気を脱気するか,あ
るいは乾燥窒素等の不活性ガスで置換したうえ,袋の開
口を加熱溶着などで密封する方法が採用されている。
バー方式がある。ノズル方式は,真空排気とガス導入を
行うノズルを袋内に個別に挿入して,各袋内ごとに脱気
・ガス置換して密封するものであり,チャンバー方式は
袋を真空チャンバーに入れ,チャンバー内の空間全体を
脱気・ガス置換することによって袋内も脱気・ガス置換
し,その状態で密封するものである。
を収納したウエハ容器を非酸化性状態の包装袋に封入す
る場合に,包装機を使用した従来の方法では,ノズル方
式またはチャンバー方式を問わず袋内の脱気→ガス充填
→密封までを短時間で実施しているが,ウエハを収容し
ている剛性の容器とその蓋との隙間が僅かであるため,
短時間のガス置換動作の間に蓋の閉められたウエハ容器
の内部まで十分に脱気,置換することは難しい。したが
って,ウエハ容器内部の酸素,水分等の濃度が十分に下
げられず,保管,輸送中にウエハ表面の酸化が進行する
危険があった。
を収容したウエハ容器に加えて,脱酸素・脱水剤などの
薬剤を同封することも提案されている。しかし,このよ
うな薬剤をウエハ容器と同じ袋内に同封しておくと輸送
中の振動等によって薬剤からの粉塵の発生や,薬剤自身
からの発生ガス(特に輸送中に昇温したさいなど)によ
って逆にウエハが汚染される危険もある。
課題としてなされたもので,半導体ウエハの保管,輸送
中でのウエハ表面の酸化を防止する簡易且つ取り扱い易
い包装手段を提供しようとするものである。
課題を解決するための包装方法として,半導体ウエハを
収容したウエハ容器と脱酸素・脱水剤をガスバリア性の
袋に入れて該袋の開口を密封し,ウエハ容器内および袋
内の酸素および水分が該脱酸素・脱水剤に吸収されるに
十分な時間この密封状態を保持したあと,該袋内にウエ
ハ容器が存在する帯域と脱酸素・脱水剤が存在する帯域
とに該密封状態を保持したまま封鎖仕切りで隔離する半
導体ウエハの包装方法,さらには,前記方法において両
帯域を該封鎖仕切りで隔離したあと,該封鎖仕切りをそ
のまま袋に残した状態で脱酸素・脱水剤が存在する帯域
を開口または切断して脱酸素・脱水剤を袋から除去する
半導体ウエハの包装方法を提供する。
包装袋の中に,半導体ウエハを収容したウエハ容器と脱
酸素・脱水剤とが密閉状態で封入され,且つこの1個の
包装袋内でウエハ容器の存在する帯域と脱酸素・脱水剤
の存在する帯域とが密封状態を保持したまま封鎖仕切り
で互いに隔離されている半導体ウエハの包装体を提供す
る。
解決するために,ガスバリア性の高い包装袋にウエハ収
納容器と脱酸素・脱水剤を一緒に入れて密封し,ウエハ
容器と脱酸素・脱水剤とを互いに隔離したうえ,脱酸素
・脱水剤を取り外すという手段を採用する。
(A)は,ガスバリア性の高い軟質材料からなる包装袋
1内に,半導体ウエハを収納したウエハ容器2と脱酸素
・脱水剤3を入れ,袋の開口端を加熱溶着層4によって
封入した状態を平面的に示したものである。袋1は二枚
のシートの重ね合わせて構成された厚みの薄いものであ
り,加熱溶着される開口端以外の3辺は熱封止されてい
るか,または折り畳み部からなる。図1(A)の状態で
は加熱溶着層4によってウエハ容器2と脱酸素・脱水剤
3が袋1内に密封されているので,この状態を常温で所
定時間保持することによって,袋1の内部空間およびウ
エハ容器2内の酸化性ガス例えば酸素および水分は脱酸
素・脱水剤に吸収除去される。
温で所定時間保持したあと,ウエハ容器2が存在する帯
域(イ)と脱酸素・脱水剤3が存在する帯域(ロ)とに
密封状態を保持したまま封鎖仕切り5で隔離した状態を
示している。すなわち,前記(A)の状態において,ウ
エハ容器2と脱酸素・脱水剤3の袋内の位置を互いに距
離をもって離した状態で,袋1をイとロの二つの帯域に
二分するように,袋1の外側から熱シールで封鎖仕切り
5を形成する。これによって,ウエハ容器2が存在する
帯域(イ)と脱酸素・脱水剤3が存在する帯域(ロ)は
互い分離した独立の密閉空間となる。したがって,この
状態で保管・輸送しても,ウエハ容器2は脱酸素・脱水
剤3からの粉塵発生やガス発生の影響を受けて汚染され
ることはない。そして帯域(イ)内は,図1(A)の状
態で所定の時間保持された間に酸素や水分等の酸化性ガ
スが除去されており,その状態が図(B)の状態でも維
持されるから,ウエハ容器2内のウエハは非酸化性雰囲
気下に置かれることになり,酸化が防止される。
酸素・脱水剤3を除去した態様を示している。図示の例
では,ウエハ容器2が存在する帯域(イ)の側に熱シー
ルされた封鎖仕切り5を残し,帯域(ロ)の側の袋1に
封鎖仕切り5に沿った切り口6が生ずるように袋1を切
断したものであり,この切断により封鎖仕切り5によっ
て封鎖された密閉帯域(イ)内にウエハ容器2が存在し
た状態の小さな袋になる。(C)の状態では,帯域
(ロ)の切除時も切除後も封鎖仕切り5の存在によって
外部から酸化性ガスが入り込むことはない。このため,
図1(C)の状態でも(A)や(B)と同じ非酸化性雰
囲気に維持されることになり,ウエハの酸化が防止され
る。加えて,酸化性ガス除去に使用した脱酸素・脱水剤
はすでに除去されているので,保管・輸送にさいして
は,図1(B)の状態よりも取り扱いが一層容易とな
る。
性の袋体1としては,ガスバリア性が高く,酸素や水分
等を透過し難いものであればその材料は問わないが,好
ましいものとしては,PVS,PTS,アルミラミネー
ト製のものが挙げられる。このうちでもガス透過度,透
湿度が最も小さいアルミラミネート袋が望ましい。
ゼットタイプ,背貼りタイプ等が挙げられるが,シール
の安定性や耐ピンホール性から三方シールタイプが望ま
しい。実際には,ガスバリア性の樹脂製の四辺形のシー
トを2枚合わせして3辺を接合するか,その二倍の大き
さをもつシートを折り曲げて重ね合わせたうえ2辺を接
合して,図1のように,加熱溶着層4を後に形成する辺
だけを開口した状態の四辺形の薄い袋1を製作するのが
よい。その大きさは,入れるウエハ容器の大きさや数量
と金属脱酸素・脱水剤の大きさに合わせればよく,特に
限定されない。
イが市販されており,特に制限なく使用することがで
き,代表的なものとしてはポリプロピレン製のウエハト
レイが汎用化されている。
酸素・水分を吸収除去できる機能を有するもので,酸素
・水分に加えて,硫化水素,亜硫酸ガス,塩化水素,ア
ンモニア等のウエハに有害に作用するガス成分を吸収除
去できる機能を有するものであることもできる。代表的
な脱酸素・脱水剤3として,市販の脱酸素剤,乾燥剤ま
たは金属酸化防止剤等を単独または併用して使用するこ
とができる。脱酸素剤は酸素を化学反応によって取り除
くものであり,市販品としては例えば食品用の商品名
「エージレス」がある。乾燥剤は物理吸着によって水分
を取り除くものであり,例えば商品名シリカゲルがあ
る。金属酸化防止剤は,金属を酸化・腐食させる酸素,
水分および酸化性ガスを同時に除去するものであり,市
販品としては三菱ガス化学製の商品名「RP剤」があ
る。RP剤は主に有機系の酸素吸収剤と無機系の水分吸
収剤からなり,いずれも化学反応によって酸素および水
分を吸収除去する機能を有している。
酸素と共に水分を同時に除去する必要がある。脱酸素剤
は鉄の酸化反応を利用して酸素を吸収するため水分の存
在が必要である。乾燥剤は脱水作用が主で酸素は吸収で
きないし,水分の吸収は物理吸着であるため温度が上昇
すると吸収した水分を再放出してしまうので,これ単独
で脱酸素・脱水剤とするのは好ましくはない。一方,金
属酸化防止剤は系内の酸素と水分等の酸化性物質を同時
に吸収・除去する機能を有し且つ不可逆的な化学反応に
よって酸化性ガスを吸収するため,一旦吸収したガスを
再放出することもない。したがって,ウエハ表面の酸化
を防止する上では,脱酸素・脱水剤3として金属酸化防
止が最も望ましい。
ては袋1と内容物の容積から袋内の空気量を計算し,こ
れに応じて必要な脱酸素・脱水剤のサイズと個数を決定
すればよい。
エハ容器2と脱酸素・脱水剤3を袋1内に入れたあと,
その開口端を加熱溶着して加熱溶着層4を形成するが,
場合によっては,この加熱溶着に代えてクリップ圧着方
式やチャック方式その他の方式で開口端を封鎖すること
も可能である。しかし,加熱溶着方式が最も簡便で且つ
確実である。袋1内にウエハ容器2と脱酸素・脱水剤3
を密封したまま,所定の時間常温で保持しておくと,袋
内の酸化性ガスは脱酸素・脱水剤3に吸収され,実質的
に非酸化性状態になる。通常は,24時間で非酸化性状
態になるように,脱酸素・脱水剤の種類と量を調整して
おくと作業性がよい。脱酸素・脱水剤として前述の商品
名RP剤を適量使用すると,24時間で袋内の酸素濃度
を0.02%以下,水分は1%RH以下にすることが可
能である。
る工程,このウエハを収納したウエハ容器2と脱酸素・
脱水剤3を袋1内に入れる工程,および加熱溶着層4を
形成する工程を,非酸化性雰囲気内例えば窒素雰囲気中
で実施することもでき,この場合には,ウエハが空気に
触れる機会がないので,一層,ウエハ表面の酸化による
劣化が防止できる。
るが,脱酸素・脱水剤からの発生ガスや振動による発塵
等によってウエハ表面が汚染される恐れがある。そこで
包装袋内の酸素,水分等を除去するための保管時間は例
えば72時間までとし,その後は,図1(B)のよう
に,袋1内でウエハ容器2と脱酸素・脱水剤3を適当に
離し,両者の間で袋1を加熱溶着して封鎖仕切り5を形
成し,両者を隔離した後,脱酸素・脱水剤3が入った部
分を切除し,図1(C)のようにウエハ容器2だけが密
封された状態とする。切断方法は封鎖仕切り5や包装の
密閉性を阻害する方法でなければ特に制限はなく,刃物
のによる切断方法で十分である。
水分等の濃度が十分に下がった状態でその雰囲気が維持
されるため,ウエハ表面の酸化の進行が防げられると共
に脱酸素・脱水剤がもはや同封されていないため,長期
間の保管や輸送を行っても脱酸素・脱水剤からの発塵や
発生ガスによってウエハが汚染されることがない。
を次亜塩素酸系の研磨液とポリウレタン系のポリッシュ
パッドを用いて鏡面状態にポリッシュした後,アンモニ
アと過酸化水素からなるエッチング液を用いたスピンエ
ッチングを実施して,表面の汚染層および酸化膜を除去
した。エッチング終了から2時間以内に該ウエハを市販
のウエハトレイ(ポリプロピレン製のウエハ容器)に収
容し,ガスバリア性の極めて高いアルミラミネート袋
(三方シールタイプ,130mm×200mm)に入
れ,更に脱酸素・脱水剤として,三菱ガス化学社製の商
品名「RP−3A」の金属酸化防止剤を一袋入れた。そ
して,該袋の開口部を市販のシーラーを用いて加熱溶着
して密封し,このまま常温で24時間保管した。
製の酸素インジケータをウエハトレイ内に入れた以外
は,前記と同様に金属酸化防止剤と共に密封して24時
間保管した。そして24時間後のトレイ内部の酸素濃度
を調べたところ,0.1%以下であることを確認した。
内で密封二分するように袋を加熱溶着して封鎖仕切りを
形成して両者を個別に密封状態とした後,金属酸化防止
剤が入った部分を切除した。この後,ウエハトレイが密
封された部分を30日間常温で保管した後,包装袋を開
封してウエハを取り出し,ウエハ表面の酸化膜量とカー
ボン量をESCA法により分析した。その結果ウエハ表
面の酸化はほとんど進行しておらず,また有機物汚染も
見られなかった。
を次亜塩素酸系の研磨液とポリウレタン系のポリッシュ
パッドを用いて鏡面状態にポリッシュした後,アンモニ
アと過酸化水素からなるエッチング液を用いたスピンエ
ッチングを実施して,表面の汚染層および酸化膜を除去
した。エッチング終了から2時間以内に該ウエハを実施
例1と同じウエハトレイに収容し,実施例と同様のガス
バリア性の極めて高いアルミラミネート袋(三方シール
タイプ,130mm×150mm)に入れ,ノズル挿入
式のガス置換式包装機を用いて包装袋内を窒素ガス置換
した後,開口部を加熱溶着して密封した。
返した後,包装袋の開口部を加熱溶着し,密封した。ウ
エハの代わりに市販の酸素インジケータ(三菱ガス化学
社製)を入れ,密封から24時間後のトレイ内部の酸素
濃度を確認したところ≧0.5%であった。
後,包装袋を開封してウエハを取り出し,ウエハ表面の
酸化膜量とカーボン量をESCA法により分析したとこ
ろウエハ表面の酸化が進行していることが確認された。
半導体ウエハの保管,輸送中でのウエハ表面の酸化が防
止され,これによって,ウエハの製造歩留まりが向上
し,後工程での製品不良率も減少するという効果を奏す
る。また本発明による半導体ウエハの包装体では非酸化
性に維持するための手段が,真空脱気・ガス置換方式に
比べて非常に簡易でありながらその酸化性ガス除去効果
が大きく,しかもその包装体の取り扱いも容易化し,保
管運搬にかかるコストも削減できるという効果を奏す
る。
るための図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 半導体ウエハを収容したウエハ容器と脱
酸素・脱水剤をガスバリア性の袋に入れて該袋の開口を
密封し,ウエハ容器内および袋内の酸素および水分が該
脱酸素・脱水剤に吸収されるに十分な時間この密封状態
を保持したあと,該袋内にウエハ容器が存在する帯域と
脱酸素・脱水剤が存在する帯域とに該密封状態を保持し
たまま封鎖仕切りで隔離する半導体ウエハの包装方法。 - 【請求項2】 半導体ウエハを収容したウエハ容器と脱
酸素・脱水剤をガスバリア性の袋に入れて該袋の開口を
密封し,ウエハ容器内および袋内の酸素および水分が該
脱酸素・脱水剤に吸収されるに十分な時間この密封状態
を保持したあと,該袋内にウエハ容器が存在する帯域と
脱酸素・脱水剤が存在する帯域とに該密封状態を保持し
たまま封鎖仕切りで隔離し,該封鎖仕切りをそのまま袋
に残した状態で脱酸素・脱水剤が存在する帯域を開口ま
たは切断して脱酸素・脱水剤を袋から除去する半導体ウ
エハの包装方法。 - 【請求項3】 脱酸素・脱水剤は,酸素と水分を吸収除
去する機能を有する請求項1または2に記載の半導体ウ
エハの包装方法。 - 【請求項4】 ガスバリア性の袋は,アルミラミネート
袋である請求項1または2に記載の半導体ウエハの包装
方法。 - 【請求項5】 ガスバリア性の1個の包装袋の中に,半
導体ウエハを収容したウエハ容器と脱酸素・脱水剤とが
密閉状態で封入され,且つこの1個の包装袋内でウエハ
容器の存在する帯域と脱酸素・脱水剤の存在する帯域と
が密封状態を保持したまま封鎖仕切りで互いに隔離され
ている半導体ウエハの包装体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001378015A JP3992487B2 (ja) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 半導体ウエハの包装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2001378015A JP3992487B2 (ja) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 半導体ウエハの包装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003175906A true JP2003175906A (ja) | 2003-06-24 |
JP3992487B2 JP3992487B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=19185850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001378015A Expired - Fee Related JP3992487B2 (ja) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 半導体ウエハの包装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3992487B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227285A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | ウエハ及びその搬送システム |
DE102009009035A1 (de) | 2008-04-02 | 2009-10-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfahren zum Verpacken von Verbundhalbleiter-Substraten |
US8187949B2 (en) | 2007-03-14 | 2012-05-29 | Sanyo Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
2001
- 2001-12-12 JP JP2001378015A patent/JP3992487B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008227285A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | ウエハ及びその搬送システム |
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DE102009009035A1 (de) | 2008-04-02 | 2009-10-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfahren zum Verpacken von Verbundhalbleiter-Substraten |
US8381493B2 (en) | 2008-04-02 | 2013-02-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of packaging compound semiconductor substrates |
DE102009009035B4 (de) | 2008-04-02 | 2022-11-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfahren zum Verpacken von Verbundhalbleiter-Substraten |
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