JP2003174379A - 送受信装置 - Google Patents
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Abstract
路部及び受信回路部がバランス回路であっても小型化を
図ることができる送受信装置を提供する。 【解決手段】 バランス型受信回路部4とバランス型送
信回路部5との接続ノードと、アンテナ1と、の間に、
パッケージフレーム(端子71、72)とそのパッケー
ジフレーム(端子71、72)に接続されるボンディン
グワイヤ(図示せず)によるインダクタ要素と、パッケ
ージフレーム(端子71、72)及び前記ボンディング
ワイヤの配置並びにバランス型受信回路部4とバランス
型送信回路部5との接続ノード−前記ボンディングワイ
ヤ間の回路パターンによるキャパシタ要素と、を少なく
とも構成要素として具備するバルンを形成する送受信装
置。
Description
るものである。特に、送受信信号を処理する送信回路部
及び受信回路部がバランス回路である送受信装置に関す
るものである。
回路とする構成がよく用いられる。このような構成とす
ることにより、送受信信号に重畳した内部ディジタルノ
イズ等を差動で打ち消し、送受信動作の精度向上を図る
ことができる。
高周波信号送受信装置の代表的な構成を図3に示す。従
来の高周波信号送受信装置は、ディジタル変調された高
周波信号を送受信するアンテナ1と、アンテナ1の送受
信信号を所定周波数帯域に制限するバンドパスフィルタ
2と、アンテナ1を送受信系各々で共有するためのスイ
ッチ回路3と、スイッチ回路3に接続された受信回路部
4及び送信回路部5と、両回路部4、5での周波数変換
処理に必要なローカル信号を生成する局部発振器6を備
えている。
振器6は半導体集積回路装置9内の同一半導体チップ
(図示せず)に搭載されている。また、半導体集積回路
装置9は、パッケージ外部に一部が突出したパッケージ
フレーム(端子91〜94)を備えている。パッケージ
フレーム(端子91〜94)はパッケージ内部におい
て、ボンディングワイヤ(図示せず)を介して受信回路
部4又は送信回路部5に接続されている。端子91及び
92は受信回路部4を外付け部品(スイッチ回路3)に
接続するための端子であり、端子93及び94は送信回
路部5を外付け部品(スイッチ回路3)に接続するため
の端子である。
路部5のいずれか一方を選択し、その選択された回路と
バンドパスフィルタ2とを接続状態にする。
号を増幅するローノイズアンプ41と、ローノイズアン
プ41の出力信号と局部発振器6のローカル信号を混合
して中間周波数信号を生成するとともに、該中間周波数
信号からイメージ信号を除去するイメージリジェクショ
ンミキサ42と、イメージリジェクションミキサ42の
出力信号を所定周波数帯域に制限するバンドパスフィル
タ43と、バンドパスフィルタ43の出力信号を増幅す
るリミッタアンプ44と、リミッタアンプ44の出力信
号に復調処理を施す復調器45と、復調器45の出力信
号を波形整形して内部回路(図示せず)に送出するスラ
イサ46を備えている。
ず)から入力されたI信号、バーI信号、Q信号、及び
バーQ信号に基づいて局部発振器6のローカル信号を直
交変調するI/Q直交変調器51と、I/Q直交変調器
51の出力信号を増幅してスイッチ回路3に送出する可
変利得パワーアンプ52を備えている。
に、アンテナ1及びバンドパスフィルタ2はアンバラン
ス回路であり、受信回路部4及び送信回路部5はバラン
ス回路である。アンバランス回路とバランス回路との間
には、変換回路(以下、バルンをいう)を設ける必要が
ある。このため、図3に示す従来の高周波信号送受信装
置では、スイッチ回路3にバルンとしての機能も付加し
ている。
クタを備えなければならないので、バルンを半導体集積
回路装置に内蔵することは困難である。このため、バル
ンの機能を有するスイッチ回路3は、半導体集積回路装
置9に内蔵されずに外付け部品となっている。従来の送
受信装置では、送受信回路部をバランス回路とした場
合、このようにバルンを外付け部品にしていたため、小
型化を図ることができなかった。
信装置では、受信回路部4を外付け部品に接続するため
の端子と、送信回路部5を外付け部品に接続するための
端子と、が共有されていない構成であるので、半導体集
積回路装置9に設けられる端子数が多くなり、小型化を
図ることができなかった。
がアンバランス回路であり、送信回路部及び受信回路部
がバランス回路であっても小型化を図ることができる送
受信装置を提供することを目的とする。
に、本発明に係る送受信装置においては、受信信号を差
動入力するバランス型受信回路及び送信信号を差動出力
するバランス型送信回路を同一の半導体チップに搭載す
る半導体集積回路装置と、アンバランス回路であるアン
テナと、を備え、前記バランス型受信回路と前記バラン
ス型送信回路との接続ノードを前記半導体チップ内に設
けて共通の端子に接続する構成とする。
ヤを介して接続される前記半導体集積回路装置のパッケ
ージフレーム及び前記ボンディングワイヤによるインダ
クタ要素と、前記半導体チップに形成される前記接続ノ
ードと前記ボンディングワイヤとの間の回路パターンに
よるキャパシタ要素と、を少なくとも構成要素として具
備するバルンを前記接続ノードと前記アンテナとの間に
形成する構成としてもよい。
にする観点から、前記バランス型受信回路内に設けら
れ、前記バルンから受信信号を差動入力するローノイズ
アンプをカスコードアンプにすることが望ましい。
にする観点から、前記バランス型送信回路に設けられ、
前記バルンに送信信号を差動出力するパワーアンプをイ
ンダクタ及びダイオードを給電素子とするアンプにする
ことが望ましい。
を参照して説明する。本発明に係る高周波信号送受信装
置の一実施形態の構成を図1に示す。なお、図3と同一
の部分には同一の符号を付し、説明を省略する。
振器6は半導体集積回路装置7内の同一半導体チップ
(図示せず)に搭載されている。また、半導体集積回路
装置7は、パッケージ外部に一部が突出したパッケージ
フレーム(端子71、72)を備えている。パッケージ
フレーム(端子71、72)はパッケージ内部におい
て、ボンディングワイヤ(図示せず)を介して受信回路
部4及び送信回路部5に接続される。端子71及び72
は、受信回路部4及び送信回路部5を外付け部品(本実
施形態ではバンドパスフィルタ2及び容量C1)に接続
するための端子である。
3に示す従来の高周波信号送受信装置と異なる主要な点
は、半導体集積回路装置7内部に受信回路部4と送信回
路部5との接続ノードが設けられていること及びスイッ
チ回路を介することなく受信回路部4と送信回路部5と
がバンドパスフィルタ2に接続されることである。
ルタ2及び容量C1の出力信号を増幅する。また、可変
利得パワーアンプ52は、I/Q直交変調器51の出力
信号を増幅してバンドパスフィルタ2及び容量C1に送
出する。
置は、パッケージフレーム(端子71、72)、パッケ
ージフレーム(端子71、72)と送受信回路部4、5
が搭載されている半導体チップとを接続するボンディン
グワイヤ(図示せず)、送受信回路部4、5の接続ノー
ドとボンディングワイヤとの間の回路パターンによるパ
ターン容量、及び送受信回路部4、5の接続ノードとボ
ンディングワイヤとの間に設けられる容量によってバル
ンを形成している。
て、ボンディングワイヤのインダクタンス値は略2.2
nHであり、パッケージフレームのインダクタンス値は
略1nHである。なお、ボンディングワイヤのインダク
タンス値について製造バラツキによる誤差はほとんどな
い。
構成並びにローノイズアンプ41及び可変利得パワーア
ンプ52の構成を図2に示す。なお、図1と同一の部分
には同一の符号を付し説明を省略する。
バルン8は、容量C1〜C5及びインダクタL1〜L5
を備えている。容量C2及びC3は、パッケージフレー
ム(端子71、72)のパッケージ外部部分の配置によ
るキャパシタ要素である。容量C4は、ローノイズアン
プ41と可変利得パワーアンプ52との接続ノードと、
ボンディングワイヤと、の間の回路パターンによるキャ
パシタ要素である。容量C5は、ローノイズアンプ41
と可変利得パワーアンプ52との接続ノードと、ボンデ
ィングワイヤと、の間の回路内に設けられた容量であ
る。
(端子71、72)のパッケージ外部部分によるインダ
クタ要素である。インダクタL2及びL3は、パッケー
ジフレーム(端子71、72)のパッケージ内部部分に
よるインダクタ要素である。インダクタL4及びL5
は、パッケージフレーム(端子71〜72)とローノイ
ズアンプ41及び可変利得パワーアンプ52とを接続す
るボンディングワイヤによるインダクタ要素である。
ダクタL1との接続ノードに接続される。そして、バン
ドパスフィルタ2は、容量C2、インダクタL2、及び
インダクタL4を介して、ローノイズアンプ41内の容
量C6と可変利得パワーアンプ52内の容量C8との接
続ノードに接続される。また、バンドパスフィルタ2
は、インダクタL1、容量C3、インダクタL3、及び
インダクタL5を介してローノイズアンプ41内の容量
C7と可変利得パワーアンプ52内の容量C9との接続
ノードに接続される。
が容量C1を介して接地される。また、インダクタL2
とインダクタL4との接続ノードが、容量C4を介して
インダクタL3とインダクタL5との接続ノードに接続
される。さらに、インダクタL4とローノイズアンプ4
1及び可変利得パワーアンプ52との接続ノードが、容
量C5を介してインダクタL5とローノイズアンプ41
及び可変利得パワーアンプ52との接続ノードに接続さ
れる。
1及びバンドパスフィルタ2)とバランス回路(ローノ
イズアンプ41及び可変パワーアンプ52)との変換回
路として機能し、ローノイズアンプ41の入力インピー
ダンス及び可変利得パワーアンプ52の出力インピーダ
ンスを調整する。
て説明する。ローノイズアンプ41はバランス型カスコ
ードアンプである。インダクタL4と容量C5との接続
ノードが容量C6を介してNPN型トランジスタQ1の
ベースに接続され、インダクタL5と容量C5との接続
ノードが容量C7を介してNPN型トランジスタQ2の
ベースに接続される。なお、トランジスタQ1及びQ2
のベースには所定のバイアス電圧VB2が印加される。
スタQ1にカスコード接続されるNPN型トランジスタ
Q3及び抵抗R1を介して、定電圧VCCが供給される端
子に接続される。トランジスタQ2のコレクタは、トラ
ンジスタQ2にカスコード接続されるNPN型トランジ
スタQ4及び抵抗R2を介して、定電圧VCCが供給され
る端子に接続される。なお、トランジスタQ3及びQ4
のベースには所定のバイアス電圧VB1が印加される。
ピーダンス素子Z1を介して接地され、トランジスタQ
2のエミッタはインピーダンス素子Z2を介して接地さ
れる。さらに、トランジスタQ3と抵抗R1との接続ノ
ード及びトランジスタQ4と抵抗R2との接続ノード
が、イメージリジェクションミキサ42(図1参照)に
接続される。
信時に受信回路部4(図1参照)への給電を停止し、受
信回路部4を不動作状態にする。ローノイズアンプ41
をカスコードアンプにしているので、送信時にアンテナ
1からトランジスタQ1のベース−コレクタ間容量を介
して抵抗R1がみえる(影響する)ことはない。これに
より、送信時に受信回路部4を不動作にしてアンテナ1
からみた可変利得パワーアンプ52の出力インピーダン
スの実部を50Ωにすることが容易になる。したがっ
て、入力インピーダンスの実部が50Ωであるアンテナ
1とのインピーダンス整合(実部のみ)が容易になる。
説明する。可変利得パワーアンプ52はダイオードとイ
ンダクタを給電素子として備える構成のバランス型アン
プである。I/Q直交変調器51(図1参照)がNPN
型トランジスタQ5及びQ6のベースに接続される。な
お、トランジスタQ5のベースは容量C10を介して交
流電圧源P1に接続され、トランジスタQ6のベースは
容量C11を介して交流電圧源P2に接続される。
D1のカソードに接続され、トランジスタQ6のコレク
タはダイオードD2のカソードに接続される。ダイオー
ドD1のアノードは、インダクタL6を介して制御電圧
Vctrが供給される端子に接続される。ダイオードD2
のアノードは、インダクタL7を介して制御電圧Vct r
が供給される端子に接続される。
5との接続ノードが容量C8を介してインダクタL4と
容量C5との接続ノードに接続され、ダイオードD2と
トランジスタQ6との接続ノードが容量C9を介してイ
ンダクタL5と容量C5との接続ノードに接続される。
信時に送信回路部5への給電を停止し、送信回路部5を
不動作状態にする。本実施形態では、可変利得パワーア
ンプ52をダイオードとインダクタを給電素子として備
える構成のバランス型アンプにしているので、受信時に
アンテナ1から可変利得パワーアンプ52をみると抵抗
成分がみえないことになる。これにより、受信時に送信
回路部5を不動作にしてアンテナ1からみたローノイズ
アンプ41の入力インピーダンスの実部を50Ωにする
ことが容易になる。したがって、出力インピーダンスの
実部が50Ωであるアンテナ1とのインピーダンス整合
(実部のみ)が容易になる。
ランス回路とした構成とすることにより、送受信信号に
重畳した内部ディジタルノイズ等を差動で打ち消すこと
ができる。これにより、送受信動作の精度向上を図るこ
とが可能となる。
ルンを形成する各部分のサイズを大きくする必要があ
り、送受信装置の小型化が困難になる。したがって、本
発明に係る高周波送受信信号装置が送受信する高周波信
号はGHz帯以上であることが望ましい。尚、以上の説
明ではインダクタL4及びL5をボンディングワイヤの
インダクタ要素としてのみ説明したが、バンプやその他
の接続法によるインダクタ要素でも、適切なインダクタ
値を得られるように配線することで同様なバルンを形成
することができる。
は、例えば携帯電話機やパソコン、AV機器等のBlu
etooth応用装置に適用することができる。
るバランス型受信回路及び送信信号を差動出力するバラ
ンス型送信回路を同一の半導体チップに搭載する半導体
集積回路装置と、アンバランス回路であるアンテナと、
を備え、前記バランス型受信回路と前記バランス型送信
回路との接続ノードを前記半導体チップ内に設けて共通
の端子に接続するので、半導体集積回路装置の端子数を
少なくすることができる。これにより、送受信装置の小
型化を図ることができる。
ボンディングワイヤを介して接続される前記半導体集積
回路装置のパッケージフレーム及び前記ボンディングワ
イヤによるインダクタ要素と、前記半導体チップに形成
される前記接続ノードと前記ボンディングワイヤとの間
の回路パターンによるキャパシタ要素と、を少なくとも
構成要素として具備するバルンを前記接続ノードと前記
アンテナとの間に形成するので、外付け部品のバルンを
設ける必要がなくなる。これにより、送受信装置の小型
化を図ることができる。また、前記バランス型受信回路
と前記バランス型送信回路との接続ノードを前記半導体
チップ内に設けるので、前記半導体集積回路装置の端子
数を少なくすることができる。これにより、送受信装置
の小型化を図ることができる。
信回路内に設けられ、前記バルンから受信信号を差動入
力するローノイズアンプをカスコードアンプとするの
で、送信時に前記アンテナから前記ローノイズアンプ内
の抵抗成分がみえなくなる。これにより、送信時に前記
バランス型受信回路を不動作にして前記アンテナからみ
た前記バランス型送信回路に設けられるパワーアンプの
出力インピーダンスの実部を50Ωにすることが容易に
なる。したがって、入力インピーダンスの実部が50Ω
である前記アンテナとのインピーダンス整合(実部の
み)が容易になる。
信回路に設けられ、前記バルンに送信信号を差動出力す
るパワーアンプをインダクタ及びダイオードを給電素子
とするアンプとするので、受信時に前記アンテナから前
記パワーアンプをみると抵抗成分がないことになる。こ
れにより、受信時に前記バランス型送信回路を不動作に
して前記アンテナからみた前記バランス型に設けられる
ローノイズアンプの入力インピーダンスの実部を50Ω
にすることが容易になる。したがって、出力インピーダ
ンスの実部が50Ωである前記アンテナとのインピーダ
ンス整合(実部のみ)が容易になる。
実施形態の構成を示す図である。
ローノイズアンプ、及び可変利得パワーアンプの構成を
示す図である。
す図である。
Claims (4)
- 【請求項1】受信信号を差動入力するバランス型受信回
路及び送信信号を差動出力するバランス型送信回路を同
一の半導体チップに搭載する半導体集積回路装置と、ア
ンバランス回路であるアンテナと、を備え、 前記バランス型受信回路と前記バランス型送信回路との
接続ノードを前記半導体チップ内に設けて共通の端子に
接続したことを特徴とする送受信装置。 - 【請求項2】前記接続ノードにボンディングワイヤを介
して接続される前記半導体集積回路装置のパッケージフ
レーム及び前記ボンディングワイヤによるインダクタ要
素と、前記半導体チップに形成される前記接続ノードと
前記ボンディングワイヤとの間の回路パターンによるキ
ャパシタ要素と、を少なくとも構成要素として具備する
バルンを前記接続ノードと前記アンテナとの間に形成す
る請求項1に記載の送受信装置。 - 【請求項3】前記バランス型受信回路内に設けられ、前
記バルンから受信信号を差動入力するローノイズアンプ
が、カスコードアンプである請求項2に記載の送受信装
置。 - 【請求項4】前記バランス型送信回路に設けられ、前記
バルンに送信信号を差動出力するパワーアンプが、イン
ダクタ及びダイオードを給電素子とするアンプである請
求項2又は請求項3に記載の送受信装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001371434A JP3813083B2 (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 送受信装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001371434A JP3813083B2 (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 送受信装置 |
Publications (2)
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Family
ID=19180476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001371434A Expired - Fee Related JP3813083B2 (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 送受信装置 |
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|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007312221A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Sony Corp | 半導体結合装置、半導体素子及び高周波モジュール |
| JP2009026017A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Kyocera Mita Corp | データ送受信装置及び画像形成装置 |
| JP2010521085A (ja) * | 2007-02-28 | 2010-06-17 | レアード テクノロジーズ アーベー | アンテナ装置と、前記アンテナ装置を含む携帯型無線通信装置 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6919858B2 (en) * | 2003-10-10 | 2005-07-19 | Broadcom, Corp. | RF antenna coupling structure |
| US20080207256A1 (en) * | 2007-02-22 | 2008-08-28 | Texas Instruments Incorporated | Concurrent impedance matching of a wireless transceiver |
| US8515368B2 (en) * | 2007-11-29 | 2013-08-20 | Broadcom Corporation | Gain control using a dynamically configurable transformer |
| US8099062B1 (en) * | 2008-04-24 | 2012-01-17 | Qualcomm Atheros, Inc. | CMOS transceiver analog front end having a combined power amplifier and low noise amplifier |
| US9614575B2 (en) * | 2009-01-30 | 2017-04-04 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Direct coupled radio frequency (RF) transceiver front end |
| US8229367B2 (en) * | 2009-04-14 | 2012-07-24 | Qualcomm, Incorporated | Low noise amplifier with combined input matching, balun, and transmit/receive switch |
| GB2485561B (en) * | 2010-11-18 | 2017-06-14 | Qualcomm Technologies Int Ltd | Transmit/Receive switch |
| US11769949B2 (en) | 2016-08-29 | 2023-09-26 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus with partitioned radio frequency antenna and matching network and associated methods |
| US11749893B2 (en) | 2016-08-29 | 2023-09-05 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus for antenna impedance-matching and associated methods |
| US11764473B2 (en) | 2016-08-29 | 2023-09-19 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus with partitioned radio frequency antenna and matching network and associated methods |
| US11894622B2 (en) | 2016-08-29 | 2024-02-06 | Silicon Laboratories Inc. | Antenna structure with double-slotted loop and associated methods |
| US11764749B2 (en) | 2016-08-29 | 2023-09-19 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus with partitioned radio frequency antenna and matching network and associated methods |
| US11894826B2 (en) * | 2017-12-18 | 2024-02-06 | Silicon Laboratories Inc. | Radio-frequency apparatus with multi-band balun and associated methods |
| US11894621B2 (en) * | 2017-12-18 | 2024-02-06 | Silicon Laboratories Inc. | Radio-frequency apparatus with multi-band balun with improved performance and associated methods |
| US11916514B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-02-27 | Silicon Laboratories Inc. | Radio-frequency apparatus with multi-band wideband balun and associated methods |
| US11750167B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-09-05 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus for radio-frequency matching networks and associated methods |
| US10778270B1 (en) * | 2019-11-06 | 2020-09-15 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | High dynamic range receiver integrated into a chip package |
| US11862872B2 (en) | 2021-09-30 | 2024-01-02 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus for antenna optimization and associated methods |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124146U (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-21 | 日本電気株式会社 | 空中線切換回路 |
| US4803447A (en) * | 1988-02-29 | 1989-02-07 | Motorola, Inc. | Three terminal remotely controlled SPDT antenna switch |
| DE19537022C2 (de) * | 1995-10-05 | 2003-05-15 | Daimler Chrysler Ag | Sende-/Empfangs-Schalter |
| US5789995A (en) * | 1996-09-20 | 1998-08-04 | Motorola, Inc. | Low loss electronic radio frequency switch |
| JP3310203B2 (ja) * | 1997-07-25 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 高周波スイッチ装置 |
| SE511749C2 (sv) * | 1998-04-07 | 1999-11-15 | Ericsson Telefon Ab L M | Antennomkopplare |
| JP3473490B2 (ja) * | 1998-06-02 | 2003-12-02 | 株式会社村田製作所 | アンテナ共用器及び通信機装置 |
| JP3675210B2 (ja) * | 1999-01-27 | 2005-07-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチ |
| JP4207328B2 (ja) * | 1999-09-14 | 2009-01-14 | ソニー株式会社 | アンテナ切り換え回路及びそれを用いた通信装置 |
| US6721544B1 (en) * | 2000-11-09 | 2004-04-13 | Intel Corporation | Duplexer structure for coupling a transmitter and a receiver to a common antenna |
| KR100666762B1 (ko) * | 2001-02-27 | 2007-01-09 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 고주파회로 기판 및 그것을 이용한 고주파용 안테나스위치 모듈 |
-
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-
2002
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007312221A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Sony Corp | 半導体結合装置、半導体素子及び高周波モジュール |
| JP2010521085A (ja) * | 2007-02-28 | 2010-06-17 | レアード テクノロジーズ アーベー | アンテナ装置と、前記アンテナ装置を含む携帯型無線通信装置 |
| JP2009026017A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Kyocera Mita Corp | データ送受信装置及び画像形成装置 |
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