JP2003170597A - インクジェットヘッドおよびインクジェットプリンタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】熱伝導率の低い安価な基板上に発熱ヒータを設
けたサーマル方式のインクジェットヘッドにおいて、発
熱ヒータの周辺の温度上昇を抑え、長時間インク液滴を
吐出させる。 【解決手段】インクジェットヘッドの基板１０２は、熱
伝導率が１５（Ｗ／ｍ／Ｋ）以下であり、この基板１０
２上に、厚さが１０μｍ以上の伝熱層１０４、その上層
に熱絶縁層１０６を設け、その上層に発熱ヒータ１１８
を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、インク液滴を発熱
ヒータを用いてインク吐出ノズルから記録媒体に吐出す
るサーマル方式のインクジェットヘッドおよびこれを用
いたインクジェットプリンタに関する。

【０００２】

【従来の技術】サーマル方式のインクジェットプリンタ
のインクジェットヘッドは、例えば、ヘッド基板に対し
て略垂直方向にインク液滴を吐出するトップシュータ方
式の場合、ヘッド基板であるシリコン基板などの半導体
基板上に形成された薄膜抵抗体と、この薄膜抵抗体の略
垂直上方に設けられたインク吐出ノズルと、このインク
吐出ノズルに連通する、半導体基板上の隔壁層によって
形成されたインク流路とを有し、インク流路内のインク
の一部を急速に沸騰させ気泡を発生させることによっ
て、インク吐出ノズルから基板に対して略垂直方向にイ
ンク液滴を吐出させる。

【０００３】このようなインクジェットヘッドは、高解
像度で高画質の画像を記録紙にプリントできるように、
インク吐出ノズルの径を小さくし、さらに、インク吐出
ノズルを高密度化することが望まれている。一方、高解
像度で高画質のプリントを短時間に出力できるように、
インク吐出ノズルが大規模に配列した長尺ヘッド、例え
ば、Ａ４サイズの記録紙の幅方向一杯にインク吐出ノズ
ルが配列されたラインヘッドの開発が望まれている。

【０００４】ここで、インクジェットヘッドは、発熱ヒ
ータをインク吐出ノズルに一対一に対応させて基板上に
形成するため、インクジェットヘッドの製造容易の点か
ら基板としてシリコン基板を用いるのが一般的である。
しかし、シリコン基板によって作られるインクジェット
ヘッドは、６インチ等の所定の大きさのシリコンウエハ
から切り出して製造されるため、長尺ヘッドを製造する
には、サイズの大きい高価なシリコンウエハを用いなけ
ればならない。さらに、この長尺ヘッドの長さもシリコ
ンウエハのサイズによって制限されるため、上述のよう
なラインヘッドを１つの基板で１チップ化し、しかも安
価に製造することはできない。

【０００５】一方、このような高価でサイズの制限され
るシリコン基板に対して、コストも比較的安く、大きさ
も制限されないガラス基板を用いてインクジェットヘッ
ドを製造することも考えられる。例えば、特許文献１で
は、ソーダ石灰ガラス基板の上層にアルミニウムや銅や
金等の熱伝導率の高い、厚さが１〜２μｍの金属のヒー
トシンク層、その上層に絶縁層、その上層に抵抗層およ
び導電層からなる発熱ヒータ、その上に、保護層を形成
した構造のインクジェットヘッドが開示されている。こ
こで、金属のヒートシンク層は、発熱ヒータの下にある
ので、発熱ヒータから発生する熱エネルギーを素早く放
散させて熱を開放する機能を有するとされている。

【０００６】しかし、このようなヘッド構造を、インク
吐出ノズルの高密度化、例えば、インク吐出ノズルの密
度を６００ｎｐｉ（ノズル／インチ）以上とするのに伴
って発熱ヒータを高密度に集積し、しかも１０ｋＨｚ以
上に相当するインク吐出周期でインク液滴を吐出する
と、発熱ヒータで発熱した熱の放熱が追いつかず、発熱
ヒータの周辺の温度が上昇して、インク液滴の連続吐出
が不能となる場合が多く見られた。金属のヒートシンク
層の熱伝導率は極めて高いため、これ以上熱伝導率の高
い材料を用いることはできない。

【０００７】

【特許文献１】特開２００１−１９１５２９号公報

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、上
記問題点を解決するために、熱伝導率の低い安価な基板
上に設けられた発熱ヒータを用いてインク液滴を吐出さ
せるインクジェットヘッドにおいて、インクジェットヘ
ッドの高密度化の場合においても、発熱ヒータの周辺の
温度上昇を抑え、長時間インク液滴を吐出させることの
できるインクジェットヘッドおよびこれを用いたインク
ジェットプリンタを提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、インク液滴をインク吐出ノズルから記録
媒体に吐出するインクジェットヘッドであって、熱伝導
率が１５（Ｗ／ｍ／Ｋ）以下の基板上に、１０μｍ以上
の厚さの伝熱層およびこの伝熱層と隣接する上層に熱絶
縁層が設けられるとともに、この熱絶縁層の隣接する上
層に、インクの一部を沸騰させて気泡を発生させ、この
気泡の膨張により、インク液滴をインク吐出ノズルから
吐出させる薄膜抵抗体とこの薄膜抵抗体に通電するため
の薄膜導体電極とを有する発熱ヒータが設けられたこと
を特徴とするインクジェットヘッドを提供する。

【００１０】ここで、前記伝熱層は、Ｃｕ、Ａｌおよび
Ｓｉの中から選択された金属で形成されるのが好まし
い。また、前記伝熱層は、前記発熱ヒータの形成された
基板の表面からこの表面と反対の基板の裏面まで、基板
の端部を回り込むように繋がって形成され、この基板の
裏面に、前記発熱ヒータから前記伝熱層によって伝えら
れた熱を放熱する放熱部が設けられるのが好ましい。あ
るいは、前記基板は、前記発熱ヒータの形成された表面
と反対の裏面に、放熱部が設けられ、前記基板の表面と
裏面とを貫通し、前記表面の前記伝熱層と前記裏面の放
熱部とを繋ぐ伝熱部材が設けられるのも同様に好まし
い。

【００１１】また、前記熱絶縁層は、熱伝導率が０．１
〜１０（Ｗ／ｍ／Ｋ）であるのが好ましく、前記熱絶縁
層は、Ｓｉ酸化物、Ｓｉ窒化物あるいはＳｉ炭化物、あ
るいはポリイミド樹脂材料からなるのが好ましい。前記
薄膜抵抗体は、Ｔａ金属を組成物として含むのが好まし
く、その際、前記薄膜抵抗体は、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ３元合
金を抵抗材料として用いるのが好ましい。また、前記発
熱ヒータは、厚さが１μｍ以下の保護層が前記薄膜抵抗
体の上層に形成されるのが好ましい。

【００１２】前記インク吐出ノズルは、前記インク吐出
ノズルの入り口端が基板上に形成された前記薄膜抵抗体
と対向するように配置され、このインク吐出ノズルから
インク液滴が基板に対して略垂直方向に吐出する、いわ
ゆる、トップシュータ方式であるのが好ましい。その
際、前記発熱ヒータのヒータ面から前記インク吐出ノズ
ルの吐出端までの距離は４０μｍ以下であり、前記イン
ク吐出ノズルの入り口端の形状は、前記発熱ヒータのヒ
ータ面に投影した場合、前記発熱ヒータのヒータ面の形
状に内包されるのが好ましい。また、上述のインクジェ
ットヘッドは、前記発熱ヒータの駆動を制御する制御回
路が、前記基板上に形成された多結晶シリコン層によっ
て形成されたインクジェットヘッドであるのが好まし
い。

【００１３】また、本発明は、インク液滴をインク吐出
ノズルから記録媒体に吐出するインクジェットヘッドで
あって、熱伝導率が１５（Ｗ／ｍ／Ｋ）以下の基板上に
伝熱層およびこの伝熱層と隣接する上層に熱絶縁層が設
けられるとともに、この熱絶縁層の隣接する上層に、イ
ンクの一部を沸騰させて気泡を発生させ、この気泡の膨
張により、インク液滴をインク吐出ノズルから吐出させ
る薄膜抵抗体とこの薄膜抵抗体に通電するための薄膜導
体電極とを有する発熱ヒータが設けられ、前記伝熱層
が、インクの吐出のために供給されるインクに対して放
熱する放熱部と接続されたことを特徴とするインクジェ
ットヘッドを提供する。

【００１４】ここで、前記伝熱層の上層に、前記発熱ヒ
ータが複数個並列して設けられ、前記伝熱層は、この複
数の発熱ヒータからの熱をまとめて前記放熱部に向けて
伝熱する配線パターンを成しているのが好ましい。前記
放熱部は、前記発熱ヒータの形成された表面と反対の裏
面に設けられ、前記基板の表面と裏面とを貫通し、前記
表面の前記伝熱層と前記裏面の放熱部とを接続するため
の伝熱部材が前記基板に設けられるのが好ましい。この
場合、前記基板には、インクの吐出のために前記基板の
裏面から表面に向けてインクを供給するための貫通孔が
設けられ、前記伝熱部材は、前記貫通孔に沿って設けら
れるのが好ましい。

【００１５】また、本発明は、前記インクジェットヘッ
ドを用いたことを特徴とするインクジェットプリンタを
提供する。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明のインクジェットヘッドお
よびインクジェットプリンタについて、添付の図面に示
す好適実施例を用いて以下に詳細に説明する。図１
（ａ）および（ｂ）は、本発明のインクジェットヘッド
を搭載するインクジェットプリンタの一例であるプリン
タ１０を示している。図１（ａ）はプリンタ１０の概略
の構成図であり、図１（ｂ）は、概略斜視図である。

【００１７】プリンタ１０は、インクジェットヘッド５
２が、記録紙等の記録媒体Ｐの少なくとも１辺の長さを
超えてインクを吐出する複数のインク吐出用ノズルが一
方向に大規模かつ高密度に配列されたラインヘッドで構
成されたインクジェットプリンタである。プリンタ１０
は、記録部１２、供給部１４、プレヒート部１６および
排出部１８を有して構成される。

【００１８】供給部１４は、搬送ローラ対２０および２
２と、ガイド２４および２６とを有し、記録媒体Ｐは、
供給部１４によって横方向から上方に搬送されプレヒー
ト部１６に供給される。

【００１９】プレヒート部１６は、３本のローラおよび
エンドレスベルトからなるコンベア２８と、コンベア２
８の外方からエンドレスベルトに押圧される圧着ローラ
３０と、コンベア２８の内方から圧着ローラ３０に押圧
される加熱装置３２と、プレヒート部１６内を排気する
排気ファン３４とを有する。このようなプレヒート部１
６は、インクジェットによる記録に先立ち記録媒体Ｐを
加熱することで、記録媒体Ｐに吐出されたインクの乾燥
を促進し、高速記録を実現するためのもので、供給部１
４から搬送された記録媒体Ｐは、コンベア２８と圧着ロ
ーラ３０とによって挟持搬送されつつ、加熱装置３２に
よって記録面側から加熱され、記録部１２に搬送され
る。

【００２０】記録部１２は、記録ヘッド部５０と記録媒
体搬送部５８とを有して構成され、記録ヘッド部５０
は、Ｓｉ基板からなるヘッドチップを有するインクジェ
ットヘッド５２と、記録制御部５４と、インクタンク５
６とを有し、インクジェットヘッド５２は、記録制御部
５４に接続される。

【００２１】インクジェットヘッド５２は、プリンタ１
０の画像記録の対象とする最大幅サイズの記録媒体Ｐの
少なくとも１辺を超える長さにわたって、インク液滴を
吐出するインク吐出用ノズルが複数配列された大規模な
ラインヘッドで、インク吐出用ノズルは、図１（ａ）中
の紙面において垂直方向に配列される。従って、記録ヘ
ッド部５０は、駆動ローラ６２および搬送ローラ６０
ａ、６０ｂに巻回されたベルト６４を有する記録媒体搬
送部５８によって搬送される記録媒体Ｐ上に、図１
（ａ）の紙面に垂直方向に走査することなく、記録幅全
体に渡って、一度に記録される。記録された記録媒体Ｐ
は、ローラ対７２、７４を有する排出部１８より排出さ
れる。なお、プリンタ１０のインクジェットヘッド５２
は、インク吐出用ノズルの密度が、６００ｎｐｉ（ノズ
ル／インチ）以上であり、好ましくは９００ｎｐｉ以
上、さらに好ましくは１６００ｎｐｉ（ノズル／イン
チ）以上である。このような高密度化されたインクジェ
ットヘッドにおいて、後述する本発明の効果がより効果
的に発揮される。また、インクジェットヘッド５２は、
ラインヘッドに限られず、記録媒体Ｐの搬送方向と直交
する方向にインクジェットヘッド１０が走査するシリア
ルタイプのインクジェットヘッドであってもよい。

【００２２】このようなプリンタ１０のインクジェット
ヘッド５２の１つのインク吐出ノズルに対応したヘッド
構造１００が図２に示されている。図２において、ヘッ
ド構造１００は、インク吐出の配列方向（紙面に対して
垂直方向）に高密度に設けられている。なお、図２で示
す断面方向の厚さは、理解しやすいように誇張されてい
る。後述する、図３や図４や図５も同様である。図２に
示すヘッド構造１００は、基板１０２と、この基板１０
２に隣接する上層としての伝熱層１０４と、この伝熱層
１０４に隣接する上層としての熱絶縁層１０６と、この
熱絶縁層１０６に隣接する上層としての抵抗層１０８
と、この抵抗層１０８に隣接する上層としての電極層１
１０（１１０ａ，１１０ｂ）と、隔壁層１１２と、この
隔壁層１１２に隣接する上層としてのプレート層１１６
とを有して形成される。

【００２３】ここで、電極層１１０の一部は除去されて
下層の抵抗層１０８が表れており、この表面に表れた抵
抗層１０８の部分を薄膜抵抗体１２０とし、図中左右に
分かれた電極層１１０ａ、１１０ｂを導体電極１２２と
する発熱ヒータ１１８が形成されている。すなわち、発
熱ヒータ１１８は、薄膜抵抗体１２０と薄膜導体電極１
２２とを有する。一方、基板１０２の垂直方向の薄膜抵
抗体１２０と対向する位置にプレート層１１６に穿孔さ
れたインク吐出ノズル１２４が配置される。すなわち、
インク吐出ノズル１２４は、ノズルの入り口端が基板１
０２上に形成された薄膜抵抗体１２０と対向するように
配置される。また、隔壁層１１２は、インク吐出ノズル
１２４毎に隔壁で隔てられたインク流路１１４を形成
し、このインク流路１１４は、インクタンク５６からイ
ンクを供給し、インク吐出ノズル１２４内にまでインク
を満たす。ここで、薄膜抵抗体１２０は、薄膜導体電極
１２２からの電流によって発熱することで、インクを急
速に加熱してインクの一部を沸騰させて気泡を発生さ
せ、この気泡の膨張により、インク吐出ノズル１２４か
らインク液滴を基板１０２に対して略垂直方向（８０度
〜１００度方向）に吐出させる。

【００２４】ここで、薄膜抵抗体１２０（抵抗層１０
８）は、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金からなり、インクと接
触する表層には、薄膜抵抗体１２０自らの表面が酸化し
た、図示されない自己酸化被膜が予め形成され、発熱ヒ
ータ１１８のヒータ面を形成する。薄膜抵抗体１２０の
厚さが、例えば０．１μｍの場合、自己酸化被膜は、薄
膜抵抗体１２０の厚さの１０分の１以下の０．０１μｍ
以下となっている。このようなＴａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金
の自己酸化被膜は、電気絶縁性があるとともに耐キャビ
テーション性にも優れ、しかも、その厚さが０．０１μ
ｍ以下と薄い。従って、薄膜抵抗体１２０で発生した熱
により、１０⁸ （Ｋ／秒）（Ｋ：ケルビン）以上の加熱
速度でインクを加熱することができ、パルス信号に対す
る気泡の発生の応答性を上げ、しかも、印加電力も小さ
くて済み、薄膜抵抗体１２０の発熱エネルギーも少なく
て済む。なお、薄膜抵抗体１２０の加熱速度は１０
⁸ （Ｋ／秒）〜５×１０⁸ （Ｋ／秒）であることが、イ
ンク液滴を安定して吐出させる点で好ましい。

【００２５】なお、本発明においては、薄膜抵抗体１２
０（抵抗層１０８）として、ＴａにＳｉ（ケイ素）やＡ
ｌ（アルミニウム）やＮ（窒素）やＯ（酸素）の成分を
含んだ合金を抵抗材料として用いてもよく、少なくと
も、Ｔａ金属を組成物として含む。この場合、図３に示
すように、薄膜抵抗体１２０の上層に酸化ケイ素や窒化
ケイ素や炭化ケイ素やＴａ金属を保護層１２３として設
けてもよい。図３に示す保護層１２３は１層であるが、
２層以上であってもよく、少なくとも、保護層の合計の
厚さは、パルス信号の印加に対する気泡の発生の応答性
および発熱エネルギーの省力化の点から、１μｍ以下で
あるのが好ましい。

【００２６】隔壁層１１２は、感光性ポリイミド樹脂材
によって形成される。この隔壁層１１２の厚さは１５μ
ｍ以下であるのが好ましい。プレート層１１６は、隔壁
層１１２の上層に接着等によって貼り付けられたポリイ
ミドプレートであり、反応性ドライエッチング等によっ
て、インク吐出ノズル１２４が略垂直方向（８０度〜１
００度方向）にあけられ、インク吐出ノズル１２４の入
り口端が基板１０２上に形成された薄膜抵抗体１２０の
位置に対向するように配置され、インク吐出ノズル１２
４からインク液滴が略垂直方向に吐出する。このような
プレート層１１６の厚さは２５μｍ以下であるのが好ま
しく、隔壁層１１２およびプレート層１１６の合計の厚
さが４０μｍ以下であるのが好ましい。

【００２７】隔壁層１１２およびプレート層１１６の合
計の厚さを４０μｍ以下とすることで、インク吐出ノズ
ルの実効的な長さ、すなわち、発熱ヒータ１１８のイン
クと接触するヒータ面の最上面からインク吐出ノズル１
２４の吐出端までの距離を４０μｍ以下とすることがで
き、気泡の発生によってインク液滴を吐出させる際の気
泡の最大成長高さが４０μｍ以下となる。従って、気泡
の発生によってインク液滴を吐出させる際、この気泡に
よってインクをインク液滴として吐出すべきインクと残
留するインクとに分断し、吐出すべきインクをインク液
滴として吐出させることができ、しかも、インクのスプ
ラッシュを発生させない。

【００２８】さらに、インク吐出ノズル１２４の入り口
端（発熱ヒータ１１８側の端）の形状は、この入り口端
の形状を発熱ヒータ１１８のヒータ面に投影した場合、
発熱ヒータのヒータ面の形状である薄膜抵抗体１２０の
形状に内包されるのが好ましい。すなわち、インク吐出
ノズル１２４の入り口端が一定の径の円形状を成し、薄
膜抵抗体１２０が正方形形状を成す場合、この円形状
は、薄膜抵抗体１２０の正方形形状に内包される。例え
ば、インク吐出ノズル１２４の入り口端が直径１５μｍ
の円形状であり、薄膜抵抗体１２０は、この円形状を内
包する２０μｍ×２０μｍの正方形形状である。このよ
うに、インク吐出ノズル１２４の入り口端の形状と、発
熱ヒータのヒータ面の形状との関係を設定することで、
気泡の発生によってインク液滴を吐出させる際、気泡の
膨張によってインクをインク液滴として吐出すべきイン
クと残留するインクとに確実に分断して、吐出すべきイ
ンクをインク液滴として吐出させることができる。

【００２９】このような発熱ヒータ１１８やインク吐出
ノズル１２４は、基板１０２上に形成される。基板１０
２は、熱伝導率が１５（Ｗ／ｍ／Ｋ）以下の材料からな
る。熱伝導率が略１５０（Ｗ／ｍ／Ｋ）のシリコン（Ｓ
ｉ）は本発明における基板材料から除かれる。熱伝導率
が１５（Ｗ／ｍ／Ｋ）以下の基板材料としては、例え
ば、アモルファス材料、より具体的には、石英ガラスや
無アルカリガラス等のセラミック材料が挙げられ、ま
た、ポリイミドやアラミド等の耐熱性高分子樹脂材料も
挙げられる。また、合金であっても、熱伝導率が１５
（Ｗ／ｍ／Ｋ）以下のものであればよい。例えば、熱伝
導率が１１〜１４（Ｗ／ｍ／Ｋ）であるインコロイ８０
０、インコネル６００、インコネル７５０、ハステロイ
Ｃ、ニモニック９０等のＮｉ系、Ｔｉ系合金材料も含ま
れる。（インコロイおよびインコネルはインコ社の商標
である。）

【００３０】基板１０２の厚さは、アモルファス材料や
合金材料では１００μｍ以上、高分子樹脂材料では１０
μｍ以上であることが、基板１０２面上に発熱ヒータ１
１８やインク吐出ノズル１２４を形成し加工する操作性
の点から好ましい。

【００３１】伝熱層１０４は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉ等の金
属材料や、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｍｇ、ダイヤモンドライク
カーボン単体やこれらの合金の材料から選択され、厚さ
が１０μｍ以上である。伝熱層１０４は、公知のＰＶＤ
法やＣＶＤ法によって形成される。あるいは、金属箔の
ラミネートによって形成され、基板１０２と伝熱層１０
４の間に、高分子接着層が形成されてもよい。さらに、
基板１０２がガラス板の場合、バルク状のシリコンを陽
極接合により接合し、接合されたバルク状のシリコンを
所望の厚さまで研磨して伝熱層１０４を形成してもよ
い。なお、伝熱層１０４の熱伝導率は、１００（Ｗ／ｍ
／Ｋ）以上であるのが好ましい。

【００３２】このような伝熱層１０４は、発熱ヒータ１
１８の形成された基板の表面からこの表面と反対の基板
の裏面まで、基板１０２の端部を回り込むように繋がっ
て形成される。ここで、裏面にはペルチェ素子からなる
放熱部１２６が形成されている。発熱ヒータ１１８位置
直下の伝熱層１０４と放熱部１２６までの距離は、例え
ば２ｍｍ以下、好ましくは、１ｍｍ以下である。一方、
基板１０２の裏面には、発熱ヒータ１１８から伝熱層１
０４によって伝えられた熱を、電流を流すことによって
熱を能動的に吸収するペルチェ素子が設けられ放熱部１
２６を形成する。なお、放熱部１２６は、ペルチェ素子
の替わりに、熱を受動的に放熱する放熱フィンを用いて
外気に放熱してもよいし、また、インク流路１１４に供
給されるインクとの熱交換により熱をインクに放熱して
もよい。なお、基板１０２は、発熱ヒータ１１８の形成
された表面と反対の裏面に放熱部１２６が設けられ、基
板１０２の表面と裏面とを貫通し、表面の伝熱層１０４
と裏面の放熱部１２６とを繋ぐ伝熱部材が設けられた構
成であってもよい。さらに、放熱部１２６は、基板１０
２の表面に設けられてもよい。このような伝熱層１０４
を介した熱の放熱については後述する。

【００３３】なお、伝熱層１０４の厚さを１０μｍ以上
とするのは、図４に示すように、発熱ヒータ１１８から
発生した熱はインクの気泡の発生に消費される一方、残
りの熱Ｑは発熱ヒータ１１８から熱絶縁層１０６を介し
て基板１０２側方向に流れるが、この基板１０２側方向
に流れた熱Ｑを、放熱部１２６に向かって傾く温度勾配
に沿って効率よくかつ積極的に伝熱させるためである。

【００３４】従来のインクジェットヘッド、すなわち、
シリコン基板の上に絶縁層、その上に発熱抵抗体の形成
されたヘッド構造では、シリコン基板の厚さ方向に熱が
効率よく流れて放熱されるため、シリコン基板や発熱ヒ
ータが過度に蓄熱することがなく、長時間インク液滴を
吐出させることができるが、これはシリコン基板の表面
から裏面に向けて熱が伝熱する際の熱抵抗Ｒが比較的低
いからである。

【００３５】一般に、熱抵抗Ｒは、伝熱する材料の熱伝
導率をλ、熱流束の断面積をＳ、伝熱する長さをＬとす
ると、熱抵抗Ｒは下記式（１）で表される。 Ｒ ＝ （１／λ）・（Ｌ／Ｓ） （１） ここで、シリコン基板の上に絶縁層、その上に発熱ヒー
タを形成する発熱抵抗体が形成された従来のインクジェ
ットヘッドの場合、上述したように、熱は発熱ヒータか
ら絶縁層を通りシリコン基板側に流れ、続いて、その厚
さ方向および幅方向に効率良く流れると考えることがで
きる。そこで、本発明者は、シリコン基板の熱伝導率λ
が高く、シリコン基板の厚さが厚いので、シリコン基板
内の幅方向の流れの熱抵抗Ｒが、発熱ヒータからシリコ
ン基板側への熱の流れの熱抵抗Ｒより小さいと考えら
れ、第１次近似的には、熱は発熱ヒータから絶縁層を通
り直下のシリコン基板側に流れるもの（律速）と近似で
きるということを知見した。従って、この従来のインク
ジェットヘッドの場合、上記式（１）の熱流速の断面積
Ｓは、発熱ヒータの面積（発熱抵抗体の電極層に覆われ
ていない露出部分）で近似でき、伝熱長さＬは、シリコ
ン基板の厚さで近似でき、例えば６００ｎｐｉ（ノズル
／インチ）の線密度の従来のインクジェットヘッドの場
合、熱流速の断面積Ｓは、概ね、２０〜４０μｍ² 、伝
熱長さＬは、概ね、６００〜６５０μｍと近似できると
いうことを、本発明者は知見した。なお、シリコン基板
内の幅方向の流れでは、熱流速の断面積Ｓは、発熱ヒー
タの幅方向に沿ったシリコン基板の断面積（ヒータサイ
ズとシリコン基板の厚みとの積）で、伝熱長さＬは、概
略、シリコン基板内の幅方向の長さの半分で近似できる
ということも、本発明者は知見した。このような従来の
インクジェットヘッドは、本発明に用いられる基板１０
２に比べて熱伝導率λが高いシリコン基板が用いられて
いるため、熱抵抗Ｒが比較的低く、シリコン基板内を熱
が幅方向に効率よく流れて放熱されるため、シリコン基
板や発熱ヒータの周辺が過度に熱せられることがなく、
長時間インク液滴を吐出させることができると考えるこ
とができる。しかし、上述した特開２００１−１９１５
２９号公報の、ソーダ石灰ガラス基板の上層に厚さが１
〜２μｍのアルミニウムや銅や金等の熱伝導率の高い金
属のヒートシンク層、その上層に絶縁層、その上層に発
熱ヒータを有するインクジェットヘッドでは、熱抵抗Ｒ
が高い。この理由について、本発明者は、このインクジ
ェットヘッドの場合、ガラス基板の熱伝導率λが低く、
ガラス基板への放熱が期待できないため、熱は発熱ヒー
タから絶縁層を通りヒートシンク層を流れることになる
が、ヒートシンク層の厚さが薄いため、発熱ヒータから
ヒートシンク層への熱の流れの熱抵抗Ｒより、ヒートシ
ンク層内の幅方向の流れ（律速）の熱抵抗Ｒが問題とな
り、その結果、ヒートシンク層の厚みの薄さによる熱抵
抗Ｒの高さが問題となるからであるということを知見し
た。

【００３６】その結果、本発明者は、上述したような伝
熱層１０４の熱の流れる方向を積極的に利用すること
で、すなわち、伝熱層１０４の熱の流れる方向を伝熱層
の面方向（図中水平方向）にすることで、発熱ヒータの
幅方向に沿った伝熱層１０４の断面積Ｓ（発熱ヒータ１
１８の幅方向のサイズと伝熱層１０４の厚みとの積）を
大きくすることができることに着目し、伝熱層１０４の
厚さを１０μｍ以上とすることが必要であることを見い
だしたのである。

【００３７】一方、熱絶縁層１０６は、熱伝導率が０．
１〜１０（Ｗ／ｍ／Ｋ）の範囲の絶縁材料からなり、厚
さが０．５〜１０μｍである。より好ましくは、厚さが
１〜２μｍであるのがよい。例えば、熱伝導率が１．４
（Ｗ／ｍ／Ｋ）で、厚さが１μｍの酸化ケイ素（ＳｉＯ
₂ ）が例示される。その他に、Ｓｉ窒化物（Ｓｉ
₃ Ｎ₄ ）あるいはＳｉ炭化物（ＳｉＣ）、あるいポリイ
ミド樹脂材料が用いられてもよい。熱絶縁層１０６は、
発熱ヒータ１１８で発生した熱を効率よくインクの加熱
に用いて気泡を発生させるように、伝熱層１０４側への
伝熱をある程度防ぐとともに、電気的絶縁を行うために
用いられる。

【００３８】また、インクジェットヘッド５２は、発熱
ヒータ１１８を選択し駆動する制御回路１２８が設けら
れる。制御回路１２８は、図５に示すように、発熱ヒー
タ１１８が形成された同一の基板１０２上に形成され
る。すなわち、熱絶縁層１０６の上層に多結晶シリコン
層１３０，１３４が形成され、これらの多結晶シリコン
層１３０，１３４によってＦＥＴが形成されることによ
て制御回路１２８が形成される。

【００３９】ＦＥＴの形成は、多結晶シリコン層１３
０，１３４が公知のＣＶＤ法を用いて熱絶縁層１０６の
上に厚さ０．０２〜０．５μｍで形成され、その後、ボ
ロン（Ｂ）やリン（Ｐ）原子の公知の熱拡散や公知のイ
オン注入によってｐ型あるいはｎ型のドーピング処理が
施され、ＦＥＴのドレインおよびソースが形成される。
そして、公知のマスキング、エッチング処理によって所
定のパターンに加工される。さらに、この多結晶シリコ
ン層１３０の上層にＳｉＯ₂ 等の酸化層１３２を介し
て、別の多結晶シリコン層１３４が上述と同様の方法で
形成されドーピング処理され、ＦＥＴのゲートが形成さ
れる。このようなＦＥＴのドレインは、ゲートに印加さ
れるパルス信号に応じて電極層１１０ａにドレイン電流
を流し、薄膜抵抗体１２０を発熱させる。このような多
結晶シリコン層１３０，１３４は、形成温度が比較的低
い（略５００〜６００℃）低温多結晶シリコンによって
形成されるのが好ましい。ヘッド構造１００は以上のよ
うに構成される。

【００４０】このようなヘッド構造１００は、制御回路
１２８の駆動によって薄膜導体電極１２２から薄膜抵抗
体１２０に電流が流れて発熱し、１０⁸ （Ｋ／秒）以上
の加熱速度でインクを加熱して気泡を発生させ、この気
泡の膨張力によってインク液滴をインク吐出ノズル１２
４から吐出させる。薄膜抵抗体１２０で発生した熱は、
インクの沸騰のために供給される一方、残りの熱は、基
板１０２方向に伝導し、熱絶縁層１０６を介して伝熱層
１０４に至る。伝熱層１０４は、伝熱層１０４から伝熱
された熱を放熱する放熱部１２６に接続されるので、発
熱ヒータ１１８から放熱部１２６に至る伝熱層１０４に
は、温度勾配が形成される。従って、熱絶縁層１０６か
ら基板１０２に対して垂直方向に伝熱された熱流は、図
４に示すように、基板１０２の基板水平方向に向きを変
え、伝熱層１０４の温度勾配に沿って放熱部１２６に向
かって熱が流れる。

【００４１】ここで、伝熱層１０４は、伝熱層１０４の
温度勾配に沿って流れる熱の熱抵抗Ｒが低下するよう
に、所定の厚さ以上であることを必要とする。すなわ
ち、発熱ヒータ１１８の周辺の温度の上昇を抑制するに
は、上記式（１）における断面積Ｓを所定値以上にして
熱抵抗Ｒを小さくし、伝熱を迅速に行うことが重要であ
る。ここで、熱は伝熱層１０４の温度勾配に沿って流れ
るので、断面積Ｓは発熱ヒータ１１８の薄膜抵抗体１２
０のサイズと伝熱層１０４の厚さによって規定される。
そして、伝熱層１０４の厚さは、インクの吐出周波数を
１０ｋＨｚ以上、より好ましくは２０ｋＨｚ以上とする
ためには、後述する実施例によって、１０μｍ以上であ
ることが必要である。

【００４２】図６は、図２に示す放熱部１２６で放熱す
る形態と異なるインクジェットヘッドの形態の一例を示
し、基板上に形成される発熱抵抗体、この発熱抵抗体に
電圧を付与する電極層、この電極層に付与する電圧を制
御する制御部および伝熱層の配置を説明する図である。
図６に示す基板、発熱抵抗体、電極層、制御部および伝
熱層は、図２および図５に示す基板１０２、発熱抵抗体
１２０、電極層１１０ａ，１１０ｂ、制御部１２８およ
び伝熱層１０４と同様の構成を成し、同様の機能を有す
るため同一の符号で記して説明は省略する。

【００４３】基板１０２には、複数の発熱抵抗体１２０
が、図中左右方向に一列で等間隔で配列されており、各
発熱抵抗体１２０の上方（図６における紙面上方）に、
図示されないインク吐出ノズル１２４が各発熱抵抗体１
２０に対応して配置されている。電極層１１０ｂは各発
熱抵抗体１２０の共通電極として配線されており、電極
層１１０ａは制御回路１２８と接続され、各発熱抵抗体
１２０が個別に発熱するように配線されている。各発熱
抵抗体１２０の下層には、図示されない熱絶縁層が、さ
らにこの下層には伝熱層１０４が設けられている。な
お、伝熱層１０４は、所定の数の発熱抵抗体１２０毎に
発熱抵抗体１２０の共通した下層として形成され、各伝
熱層１０４毎に制御部１２８の上方を横断して、各伝熱
層１０４毎に設けられた放熱部１２６に導かれている。
なお、伝熱層１０４の横断部分には、図示されない熱絶
縁層が制御部１２８と伝熱層１０４の中間に形成され、
伝熱層１０４の熱が制御部１２８に伝熱しないように構
成されている。放熱部１２６は、基板１０２の端に設け
られ、外気に熱が放熱するように構成されている。

【００４４】このような構成により、発熱抵抗体１２０
から図示されない熱絶縁層を介して基板１０２に対して
垂直方向に伝熱された熱流は、基板１０２の基板水平方
向に向きを変え、伝熱層１０４の温度勾配に沿って、制
御部１２８を横断して放熱部１２６に向かって熱が流れ
る。この場合においても、効率よく熱を流すため、伝熱
層１０４の厚さを１０μｍ以上とする。伝熱層１０４
は、基板１０２に設けられたすべての発熱抵抗体１２０
に共通した層ではなく、複数の発熱抵抗体１２０毎に形
成され、複数の発熱抵抗体１２０からの熱をまとめ、１
本の配線のように制御部１２８を横断して各放熱部１２
６に接続した配線パターン状の層となっている。これに
より、一方向に延在した長尺状の基板１０２によってヘ
ッドが構成されている場合、基板１０２の長辺側に放熱
部１２６を設け、この放熱部１２６に向けて配線パター
ン状の伝熱層１０４を引き出すことで、配線距離を短く
することができ、効率よく伝熱を行わせることができ
る。特に、伝熱層１０４を発熱抵抗体１２０に共通した
層として制御部１２８を横断させる場合に比べて、制御
部１２８の動作への熱による悪影響を低減し、伝熱層１
０４自身の剥がれや基板１０２の反りを低減することが
できる。伝熱層１０４は、複数の発熱抵抗体１２０毎に
配線パターン状に形成されたものであるが、各発熱抵抗
体個別に配線パターン状の伝熱層が形成されてもよい。

【００４５】図７（ａ）および（ｂ）は、図２および図
６に示す放熱部１２６で放熱する形態と異なるインクジ
ェットヘッドの形態の一例を示し、基板上に形成される
発熱抵抗体、この発熱抵抗体に電圧を付与する電極層、
この電極層に付与する電圧を制御する制御部および伝熱
層の配置を説明する図である。図７における基板、発熱
抵抗体、電極層、制御部および伝熱層は、図２および図
６に示す基板１０２、発熱抵抗体１２０、電極層１１０
ａ，１１０ｂ、制御部１２８および伝熱層１０４と同様
の構成を成し、同様の機能を有するため同一の符号で記
して説明を省略する。

【００４６】図７（ａ）および（ｂ）に示すように、基
板１０２には、吐出したインクの容量分を円滑に供給す
るように共通インク溝１３６が発熱抵抗体１２０の配列
に沿って形成されており、この共通インク溝１３６の溝
底面には、基板１０２を貫通する貫通孔１３８が間欠的
に形成されている。なお、共通インク溝１３６の両側
に、発熱抵抗体１２０、電極層１１０ａ、１１０ｂ、制
御部１２８および伝熱層１０４が、同一の構成で対称に
形成されている。貫通孔１３８は、発熱抵抗体１２０に
形成された基板面の側（表側）と反対側（裏側）の面に
設けられたインク供給管１４０とを連通する構成となっ
ている。このインク供給管１４０は、図示されないイン
クタンクに接続されている。したがって、貫通孔１３８
および共通インク溝１３６では、インクタンクからイン
クが供給され、吐出したインクの容量分がインク流路に
向かって供給される。

【００４７】伝熱層１０４は、発熱抵抗体１２０の下層
の位置から共通インク溝１３６および貫通孔１３８に向
けて配線パターン状に引き出されている。一方、貫通孔
１３８には、伝熱層１０４からの伝熱を裏面側に設けら
れた放熱部１２６に伝熱するための伝熱部材１４２が貫
通孔１３８に沿って設けられ、伝熱層１０４と放熱部１
２６とを繋ぐように設けられている。放熱部１２６は、
インク管供給管１４０内のインクと直接、あるいは、図
示されない保護層を介して放熱するように、放熱フィン
等を用いてインクへの放熱面が大きく設けられて構成さ
れ、インクタンクから供給されるインクに向けて放熱さ
れる。また、貫通孔１３８に設けられた伝熱部材１４２
から、貫通孔１３８を通り共通インク溝１３６に向かっ
て流れるインクに向けて放熱してもよい。

【００４８】このような構成においても、発熱抵抗体１
２０から図示されない熱絶縁層を介して基板１０２に対
して垂直方向に伝熱された熱流は、基板１０２の基板水
平方向に向きを変え、伝熱層１０４の温度勾配に沿っ
て、貫通孔１３８に設けられた伝熱部材１４２を介して
放熱部１２６に向かって熱が流れる。この場合、効率よ
く熱を流すため、伝熱層１０４の厚さを１０μｍ以上と
するのが好ましい。なお、放熱部１２６は、インク供給
管１４０内のインクに向けて放熱するが、本発明におい
ては、少なくとも、インクが吐出前に温められて、イン
クの吐出に効果的に作用する限りは、インクに向けて放
熱する放熱部１２６の位置は特に制限されない。

【００４９】（実施例）図２に示すヘッド構造１００を
作製し、伝熱層１０４の厚さを種々変化させながら、イ
ンク液滴の連続吐出時間を調べた。基板１０２は、無ア
ルカリガラスとした。薄膜抵抗体１２０は、Ｔａ−Ｓｉ
−Ｏ３元合金を抵抗材料として用い、ヒータ面は２０×
２０μｍの正方形形状、厚さを０．１μｍとし、インク
と接触する表層に略０．０１μｍの自己酸化被膜を形成
させた。インク吐出ノズル１２４の断面形状は、直径が
１５μｍの円形状とした。熱絶縁層１０６は、厚さが１
μｍのＳｉＯ₂ を絶縁材料として用い、伝熱層１０４は
基板１０２に銅箔をラミネートして形成した。なお、放
熱部１２６は、上述したペルチェ素子を用いて熱を吸収
させた。

【００５０】インク液滴の吐出は、薄膜抵抗体１２０の
パルス通電時間を３μ秒として、１０ｋＨｚのインク吐
出周波数で連続吐出させ連続吐出時間を調べた。なお、
連続吐出の観測時間は、２０分とし、連続吐出が見られ
なくなるまでのインク液滴の連続吐出時間を計測した。
なお、伝熱層１０４の厚さを、それぞれ、２０μｍ、１
０μｍ、５μｍ、２μｍとし、インク吐出ノズルの密度
が６００ｎｐｉ相当のヘッド構造１００を作製し、さら
に、伝熱層１０４および熱絶縁層１０６のない、インク
吐出ノズルの密度が６００ｎｐｉ相当のヘッド構造も作
製して、インク液滴の連続吐出時間を調べた。

【００５１】

【表１】

【００５２】上記表より、伝熱層１０４の厚さは、１０
μｍ以上の場合いずれも観測中に良好に吐出した。これ
より、伝熱層１０４の厚さは１０μｍ以上であることが
必要である。

【００５３】このように、熱伝導率が１５（Ｗ／ｍ／
Ｋ）以下の基板を用いたインクジェットヘッドでは、基
板と発熱ヒータとの中間に１０μｍ以上の厚さの伝熱層
を設けることで、インク液滴の吐出を良好に行うことが
できる。特に、インク液滴の吐出のために発熱エネルギ
ーの省力化を促進するには、インクと接触する薄膜抵抗
体の表層に、電気絶縁性があるとともに耐キャビテーシ
ョン性にも優れた自己酸化被膜が形成されるＴａ−Ｓｉ
−Ｏ三元合金を、薄膜抵抗体１２０の抵抗材料として用
いることが好ましい。上記例は、基板１０２に対してイ
ンク液滴を略垂直方向に吐出させるトップシュータ方式
であるが、本発明のインクジェットヘッドは、基板に対
してインク液滴を略水平方向に吐出させるサイドシュー
タ方式であってもよい。

【００５４】以上、本発明のインクジェットヘッドおよ
びインクジェットプリンタについて詳細に説明したが、
本発明は上記実施例に限定はされず、本発明の要旨を逸
脱しない範囲において、各種の改良および変更を行って
もよいのはもちろんである。

【００５５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
熱伝導率が１５（Ｗ／ｍ／Ｋ）以下の基板を用いたイン
クジェットヘッドにおいて、１０μｍ以上の厚さの伝熱
層を基板と発熱ヒータとの中間に設けることにより、ま
たは、伝熱層をインクに放熱する放熱部に接続すること
により、インク液滴の連続吐出の場合も、発熱ヒータの
周辺の温度上昇を抑制することができ、プリント印刷時
の印刷速度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 （ａ）は本発明のインクジェットプリンタの
一例の概略の構成を説明する図であり、（ｂ）はその斜
視図である。

【図２】 本発明のインクジェットヘッドの一例の概略
の断面を示す断面図である。

【図３】 本発明のインクジェットヘッドの他の例の要
部の断面を示す断面図である。

【図４】 図２に示すインクジェットヘッドにおける熱
の流れを説明する図である。

【図５】 本発明のインクジェットヘッドの一例の別の
構成部分の概略の断面を示す断面図である。

【図６】 本発明のインクジェットヘッドの他の例にお
ける各層の配置を説明する図である。

【図７】 （ａ）は本発明のインクジェットヘッドの他
の例における各層の配置を説明する図であり、（ｂ）は
（ａ）に示す貫通孔近傍の断面図である。

【符号の説明】

１０ プリンタ １２ 記録部 １４ 供給部 １６ プレヒート部 １８ 排出部 ５０ 記録ヘッド部 ５２ インクジェットヘッド ５４ 記録制御部 ５６ インクタンク ５８ 記録媒体搬送部 １００ ヘッド構造 １０２ 基板 １０４ 伝熱層 １０６ 熱絶縁層 １０８ 抵抗層 １１０，１１０ａ，１１０ｂ 電極層 １１２ 隔壁層 １１４ インク流路 １１６ ノズルプレート １１８ 発熱ヒータ １２０ 薄膜抵抗体 １２２ 薄膜導体電極 １２４ インク吐出ノズル １２６ 放熱部 １２８ 制御回路 １３０，１３４ 多結晶シリコン層 １３２ 酸化層 １３６ インク共通溝 １３８ 貫通孔 １４０ インク供給孔

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】インク液滴をインク吐出ノズルから記録媒
   体に吐出するインクジェットヘッドであって、 熱伝導率が１５（Ｗ／ｍ／Ｋ）以下の基板上に１０μｍ
   以上の厚さの伝熱層およびこの伝熱層と隣接する上層に
   熱絶縁層が設けられるとともに、 この熱絶縁層の隣接する上層に、インクの一部を沸騰さ
   せて気泡を発生させ、この気泡の膨張により、インク液
   滴をインク吐出ノズルから吐出させる薄膜抵抗体とこの
   薄膜抵抗体に通電するための薄膜導体電極とを有する発
   熱ヒータが設けられたことを特徴とするインクジェット
   ヘッド。
2. 【請求項２】前記伝熱層は、Ｃｕ、ＡｌおよびＳｉの中
   から選択された金属で形成されたことを特徴とする請求
   項１に記載のインクジェットヘッド。
3. 【請求項３】前記伝熱層は、前記発熱ヒータの形成され
   た基板の表面からこの表面と反対側の、前記基板の裏面
   まで、この基板の端部を回り込むように繋がって形成さ
   れ、この基板の裏面に、前記発熱ヒータから前記伝熱層
   によって伝えられた熱を放熱する放熱部が設けられたこ
   とを特徴とする請求項１または２に記載のインクジェッ
   トヘッド。
4. 【請求項４】前記基板は、前記発熱ヒータの形成された
   表面と反対側の裏面に、放熱部が設けられ、 前記基板の表面と裏面とを貫通し、前記表面の前記伝熱
   層と前記裏面の放熱部とを繋ぐ伝熱部材が設けられたこ
   とを特徴とする請求項１または２に記載のインクジェッ
   トヘッド。
5. 【請求項５】前記熱絶縁層は、熱伝導率が０．１〜１０
   （Ｗ／ｍ／Ｋ）であることを特徴とする請求項１〜４の
   いずれかに記載のインクジェットヘッド。
6. 【請求項６】前記熱絶縁層は、Ｓｉ酸化物、Ｓｉ窒化物
   あるいはＳｉ炭化物、あるいはポリイミド樹脂材料から
   なることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の
   インクジェットヘッド。
7. 【請求項７】前記薄膜抵抗体は、Ｔａ金属を組成物とし
   て含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載
   のインクジェットヘッド。
8. 【請求項８】前記薄膜抵抗体は、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ三元合
   金を抵抗材料として用いたことを特徴とする請求項７に
   記載のインクジェットヘッド。
9. 【請求項９】前記発熱ヒータは、その厚さが１μｍ以下
   の保護層が前記薄膜抵抗体の上層に形成されたことを特
   徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のインクジェッ
   トヘッド。
10. 【請求項１０】前記インク吐出ノズルは、前記インク吐
    出ノズルの入り口端が基板上に形成された前記薄膜抵抗
    体と対向するように配置され、このインク吐出ノズルか
    らインク液滴が基板に対して略垂直方向に吐出すること
    を特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のインクジ
    ェットヘッド。
11. 【請求項１１】前記発熱ヒータのヒータ面から前記イン
    ク吐出ノズルの吐出端までの距離は４０μｍ以下であ
    り、 前記インク吐出ノズルの入り口端の形状は、前記発熱ヒ
    ータのヒータ面に投影した場合、前記発熱ヒータのヒー
    タ面の形状に内包されることを特徴とする請求項１０に
    記載のインクジェットヘッド。
12. 【請求項１２】請求項１〜１１のいずれかに記載のイン
    クジェットヘッドであって、 前記発熱ヒータの駆動を制御する制御回路が、前記基板
    上に形成された多結晶シリコン層によって形成されたこ
    とを特徴とするインクジェットヘッド。
13. 【請求項１３】インク液滴をインク吐出ノズルから記録
    媒体に吐出するインクジェットヘッドであって、 熱伝導率が１５（Ｗ／ｍ／Ｋ）以下の基板上に伝熱層お
    よびこの伝熱層と隣接する上層に熱絶縁層が設けられる
    とともに、 この熱絶縁層の隣接する上層に、インクの一部を沸騰さ
    せて気泡を発生させ、この気泡の膨張により、インク液
    滴をインク吐出ノズルから吐出させる薄膜抵抗体とこの
    薄膜抵抗体に通電するための薄膜導体電極とを有する発
    熱ヒータが設けられ、 前記伝熱層が、インクの吐出のために供給されるインク
    に対して放熱する放熱部と接続されたことを特徴とする
    インクジェットヘッド。
14. 【請求項１４】前記伝熱層の上層に、前記発熱ヒータが
    複数個並列して設けられ、 前記伝熱層は、この複数の発熱ヒータからの熱をまとめ
    て前記放熱部に向けて伝熱する配線パターンを成してい
    ることを特徴とする請求項１３に記載のインクジェット
    ヘッド。
15. 【請求項１５】前記放熱部は、前記発熱ヒータが形成さ
    れた表面と反対側の裏面に設けられ、前記基板の表面と
    裏面とを貫通し、前記表面の前記伝熱層と前記裏面の放
    熱部とを接続するための伝熱部材が前記基板に設けられ
    たことを特徴とする請求項１３または１４に記載のイン
    クジェットヘッド。
16. 【請求項１６】前記基板には、インクの吐出のために前
    記基板の裏面から表面に向けてインクを供給するための
    貫通孔が設けられ、 前記伝熱部材は、前記貫通孔に沿って設けられたことを
    特徴とする請求項１５に記載のインクジェットヘッド。
17. 【請求項１７】請求項１〜１６のいずれかに記載のイン
    クジェットヘッドを用いたことを特徴とするインクジェ
    ットプリンタ。