JP2003168774A - 半導体装置のリード電極切断装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置構成をより簡素化し、半導体装置のリー
ド電極長精度をより高め、リード電極切断作業において
半導体装置の脱落等のトラブルが発生しない半導体装置
のリード電極切断装置及び方法を提供する。 【解決手段】 本装置は、ＩＣ等の半導体装置１１のリ
ード電極切断を行うものであり、ダイ１５とパンチ１３
を備え、半導体装置１１のリード電極１２を所定長さに
切断する切断金型１０と、リード電極１２を切断すべき
半導体装置１１を切断金型１０に搬入させる搬入機構
と、リード電極１２を切断した半導体装置１１を切断金
型１０から搬出させる搬出機構を有する。半導体装置保
持手段を備えた１つの搬送機構が搬入機構と搬送機構を
兼ね備えるとともに、該搬送機構の半導体装置保持手段
に半導体装置を保持したまま、リード電極を所定の長さ
に切断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のリー
ド電極切断装置及び方法に関し、詳しくは、多数個の樹
脂モールドされた半導体装置を整列配置したリードフレ
ームから分離された個別の半導体装置のリード電極を、
所定のリード電極長に揃えて切断する半導体装置のリー
ド電極切断装置及び方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ミニモールドトランジスタ、ＩＣ等の導
体装置は、リードフレームを用いて数多くの半導体装置
が一括して製造される。そしてリードフレームから個々
の半導体装置が分離され、そのリード電極が所定のリー
ド電極長に切断され、その後各種処理（電気特性試験、
捺印、外観検査工程など）を経て、テープにマウントし
て梱包される。

【０００３】半導体装置のリード電極の切断は、一般
に、リードフレームから分離された半導体装置を真空吸
着ノズル等の保持手段を有する搬入機構を用い、パンチ
とダイからなるリード電極切断機構（切断金型）に搬入
した後、開放し、別の固定部材（ストリップ）により半
導体装置を固定して行っていた。

【０００４】しかし、上記のような切断の仕方では、半
導体装置の搬入機構の他に、別の固定部材が必要とな
り、リード電極切断装置が複雑になり、コストの増加を
招き、運転の信頼性が低下するという問題があった。ま
た、搬送機構の保持手段が半導体装置を開放した後、別
の固定部材が半導体装置を固定する際に半導体装置が位
置ずれを起こし、位置決め精度が低下するという問題が
あった。また、半導体装置がリード電極切断前、切断後
に保持手段ないし固定部材から開放されるため、リード
電極切断装置から脱落し、次工程に搬送されないトラブ
ルが発生するという問題もあった。さらに、最近では、
リード電極長を短くする要求（例えば０．１ｍｍ以下程
度まで）が多くなっているが、従来装置ではこのような
場合、リード電極長精度を出すのが困難であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、こ
のような従来技術の問題点を解消し、装置構成をより簡
素化し、半導体装置のリード電極長精度をより高め、リ
ード電極切断作業において半導体装置の脱落等のトラブ
ルが発生しない半導体装置のリード電極切断装置及び方
法を提供することをその課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】かかる技術的課題は、本
発明によれば、下記の技術的手段の採用により解決され
る。 （１）ダイとパンチを備え、半導体装置のリード電極を
所定長さに切断する切断金型と、リード電極を切断すべ
き半導体装置を該切断金型に搬入させる搬入機構と、リ
ード電極を切断した半導体装置を該切断金型から搬出さ
せる搬出機構を有する、半導体装置のリード電極切断装
置において、該搬入機構と該搬出機構が半導体装置保持
手段を備えた１つの搬送機構からなり、該半導体装置保
持手段に半導体装置を保持したまま、リード電極を所定
の長さに切断することを特徴とする半導体装置のリード
電極切断装置。 （２）リード電極切断時に、該半導体装置保持手段と該
パンチとにより半導体装置を保持するように構成されて
いることを特徴とする前記（１）に記載の半導体装置の
リード電極切断装置。 （３）ダイとパンチを備えた切断金型を用い、半導体装
置のリード電極を所定長さに切断する、半導体装置のリ
ード電極切断方法において、切断すべき半導体装置を該
切断金型に搬入する搬入機構と、切断した半導体装置を
該切断金型から搬出する搬出機構が、半導体装置保持手
段を備えた１つの搬送機構により兼用され、該半導体装
置保持手段に半導体装置を保持したまま、リード電極を
所定の長さに切断することを特徴とする半導体装置のリ
ード電極切断方法。 （４）該半導体装置保持手段と該パンチとにより半導体
装置を保持したまま、リード電極を所定の長さに切断す
ることを特徴とする前記（３）に記載の半導体装置のリ
ード電極切断方法。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を好ま
しい実施例に基づいて詳述する。この実施例は、例え
ば、多数個の樹脂モールドされた半導体装置を整列配置
したリードフレームから、個別に半導体装置を切り出し
た後、所定のリード電極長に揃えて切断する第１工程、
個別に分離、切断された半導体装置について電気特性試
験、捺印、外観検査工程などの各種処理を行う第２工
程、及び処理が終了した半導体装置をテープにマウント
して梱包する第３工程からなる半導体装置ハンドリング
システムのようなシステムにおいて、上記第１工程で適
用されるものである。本発明で、半導体装置とは、ミニ
モールドトランジスタ、ＩＣなどの、リード電極を有
し、リードフレームを用いて一括して製造される各種半
導体部品を意味する。下記の実施例ではＩＣの場合を例
に説明する。

【０００８】図２は本実施例のリード電極切断装置の加
工対象となる半導体装置が搭載されたリードフレーム２
１を示し、図示のごとくリードフレーム２１上には多数
の半導体装置２２が整列配置して搭載されている。２３
は樹脂モールド、２４はＩＣチップ、２５はリードフレ
ーム２１に形成された位置決め孔である。

【０００９】図３に半導体装置分離機構の一例を模式的
に示す。この半導体装置分離機構では、短冊状のリード
フレーム２１から、個別に半導体装置２２を所定のリー
ド電極長より長いリード電極長（次節に示すリード電極
切断機構におけるリード電極切断を確実に行える長さ）
で切断、分離する。このときの電極長は、リード電極切
断機構において精度の高い加工が容易な程度の長さとす
る。図３において、２６、２７はそれぞれリードフレー
ム２１から個別に半導体装置２２を切断、分離するため
のパンチ、ダイであり、２８はリードフレーム２１の位
置決めピンである。パンチ２６、ダイ２７の寸法は、リ
ード電極長を所定のリード電極長より長く切断、分離す
るよう設定されている。

【００１０】次に、本発明の実施例に係る半導体装置の
リード電極切断機構の一例を図１に模式的に示す。この
リード電極切断装置は、上記半導体装置分離機構により
個別に切断、分離された半導体装置のリード電極（所定
電極長より長い）を所定リード電極長に切断するもので
ある。図中１０はリード電極切断機構（切断金型）、１
１は半導体装置（ＩＣ）、１２は半導体装置１１のリー
ド電極、１３はパンチ、１４は搬送機構兼固定治具、１
５はダイ、１６はガイドである。

【００１１】本実施例のリード電極切断装置におけるリ
ード電極切断機構（切断金型）１０は、基本的に、パン
チ１３、ダイ１５及びガイド１６から構成されている。
パンチ１３は図示しない上下動機構により上下方向に移
動可能になっている。搬送機構兼固定治具１４は図示し
ない駆動機構により上下方向／水平方向に移動可能にな
っている。搬送機構兼固定治具１４は前工程で半導体分
離機構により個別に切断、分離された半導体装置１１
（２２）をリード電極切断機構１０内に搬入し、パンチ
１３の直上にて保持する役割を行うとともに、リード電
極切断時に半導体装置１１をパンチ１３との間に固定
し、さらにリード電極切断後の半導体装置１１を搬出す
る役割を行う。このため搬送機構兼固定治具１４は半導
体装置１１を真空吸着や機械的保持により保持する保持
手段を備えている（本例では真空吸着ノズルを使用）。
また、ダイ１５は処理対象となる半導体装置１１に対し
て、図示しないスライド機構により水平面内にて前後
（図中、左右）にスライド可能になっている。ダイ１５
は半導体装置１１の位置合わせの際には、ガイド１６と
ともに前進し、所定のリード電極切断位置に到達し、リ
ード電極切断後は後退するようになっている。ガイド１
６は半導体装置１１の樹脂モールド位置を基準に半導体
装置１１の水平方向における位置合わせを行う役割を行
うもので、ダイ１５の上側に設けられ、ダイ１５と同
様、図示しないスライド機構により水平面内にて前後
（図中、左右）にスライド可能になっている。ガイド１
６は位置合わせの際には、前進して半導体装置１１の位
置合わせを行い、位置合わせ終了後は、ダイ１５による
リード電極切断の邪魔にならない位置まで退避し、リー
ド電極切断後はさらに後退するようになっている。パン
チ１３と搬送機構兼固定治具１４は、リード電極切断時
に半導体装置１１を挟んで固定し、その状態で半導体装
置１１を上昇させ、パンチ１３とダイ１５によりリード
電極１２を所定長さに切断するようになっている。

【００１２】次に、上記構成のリード電極切断装置の動
作について述べる。先ず、図１（ａ）に示すように、真
空吸着ノズルからなる搬送機構兼固定治具１４により半
導体装置１１をリード電極切断機構（切断金型）１０内
に搬入し、パンチ１３の直上にて保持する（図１
（ｂ））。この状態で、ガイド１６を半導体装置１１側
に前進させ、半導体装置１１の樹脂モールド部の位置を
基準に半導体装置１１の水平方向での位置決めを行うと
ともに、ダイ１５を前進させ、所定のリード電極切断位
置に移動させる。半導体装置１１の水平方向の位置合わ
せが終了すると、パンチ１３を上昇させ搬送機構兼固定
治具１４との間に半導体装置１１を固定し、ガイド１６
をリード電極切断の邪魔にならない位置まで退避させる
（図１（ｃ）、（ｄ））。次にパンチ１３と搬送機構兼
固定治具１４で半導体装置１１を固定した状態で上昇さ
せ、パンチ１３とダイ１５によりリード電極１２を所定
長さに切断する（図１（ｅ））。リード電極切断後、ダ
イ１５とガイド１６を後退させて、搬送機構兼固定治具
１４を上昇させ、半導体装置１１を次の工程位置に搬出
する。

【００１３】以上本発明を実施例に基づいて説明してき
たが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
種々の変形、変更が可能である。例えば、パンチ、ダ
イ、ガイド、搬送装置兼固定治具の形状、配置は例示し
たものに限定されず、上下逆等とした配置でも構わな
い。また、ダイはガイドを兼用したものでも構わない。
この場合、ダイによる半導体装置の水平方向の位置合わ
せ後、ダイはリード切断位置に移動するような構成とな
る。さらに、上記実施例では、半導体装置の位置合わせ
を、リード電極切断機構にてリード電極を所定長さに切
り揃える際に、半導体装置にガイドを当てて挟み込んで
行ったが、これ以外にも、光学的な位置読み取りを用い
た位置決めや、画像処理による位置計測を用いた位置決
めを行うこともできる。

【００１４】

【発明の効果】本発明によれば、切断すべき半導体装置
を該切断金型に搬入する搬入機構と、切断した半導体装
置を該切断金型から搬出する搬出機構を、半導体装置保
持手段を備えた１つの搬送機構により兼用し、該半導体
装置保持手段に半導体装置を保持したまま、リード電極
を所定の長さに切断するようにしたので、装置構成が簡
素化し、装置の信頼性を高めることができる。同時にリ
ード電極の切断精度を高めるとともに、短い電極長の加
工にも十分対応することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従う実施例に係る半導体装置のリード
電極切断装置の構造を模式的に示す図及びリード電極切
断工程の説明図である。

【図２】多数の半導体装置が整列配置して搭載されたリ
ードフレームの説明図である。

【図３】半導体装置分離機構の説明図である。

【符号の説明】

１０ リード電極切断機構（切断金型） １１ 半導体装置（ＩＣ） １２ リード電極 １３ パンチ １４ 搬送手段兼固定手段（真空吸着ノズル） １５ ダイ １６ ガイド

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ダイとパンチを備え、半導体装置のリー
   ド電極を所定長さに切断する切断金型と、リード電極を
   切断すべき半導体装置を該切断金型に搬入させる搬入機
   構と、リード電極を切断した半導体装置を該切断金型か
   ら搬出させる搬出機構を有する、半導体装置のリード電
   極切断装置において、 該搬入機構と該搬出機構が半導体装置保持手段を備えた
   １つの搬送機構からなり、該半導体装置保持手段に半導
   体装置を保持したまま、リード電極を所定の長さに切断
   することを特徴とする半導体装置のリード電極切断装
   置。
2. 【請求項２】 リード電極切断時に、該半導体装置保持
   手段と該パンチとにより半導体装置を保持するように構
   成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体
   装置のリード電極切断装置。
3. 【請求項３】 ダイとパンチを備えた切断金型を用い、
   半導体装置のリード電極を所定長さに切断する、半導体
   装置のリード電極切断方法において、 切断すべき半導体装置を該切断金型に搬入する搬入機構
   と、切断した半導体装置を該切断金型から搬出する搬出
   機構が、半導体装置保持手段を備えた１つの搬送機構に
   より兼用され、該半導体装置保持手段に半導体装置を保
   持したまま、リード電極を所定の長さに切断することを
   特徴とする半導体装置のリード電極切断方法。
4. 【請求項４】 該半導体装置保持手段と該パンチとによ
   り半導体装置を保持したまま、リード電極を所定の長さ
   に切断することを特徴とする請求項３に記載の半導体装
   置のリード電極切断方法。