JP2003167129A

JP2003167129A - 光遅延回路およびその製造方法

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Publication number: JP2003167129A
Application number: JP2001365171A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Sakuma; 健佐久間; Shibun Ishikawa; 紫文石川; Tomoko Yomo; 朋子四方; Takeshi Fukuda; 武司福田; Hideyuki Hosoya; 英行細谷
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2001-11-29
Filing date: 2001-11-29
Publication date: 2003-06-13
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Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の課題は、従来に比して小型化するこ
とができ、かつ、精度良く大量量産することが可能な光
遅延回路およびその製造方法を提供する。【解決手段】光導波路を用いた光遅延回路において、
前記光導波路のコア２が一方向に周回している周回部４
と、入力部５ａおよび出力部５ｂを有し、かつ前記コア
２は互いに交差しないように三次元的に深さが変化して
いるものとする。このような光遅延回路を製造するため
には、光導波路基板１の所定の部位にパルス幅が１ｐｓ
以下のフェムト秒レーザ光を照射し、該集光点における
屈折率を変化させることにより光導波路を形成する方法
を用いることができる。また、前記フェムト秒レーザ光
の照射を複数回行うことにより、光遅延回路の遅延時間
の精度が一層向上させられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】光通信分野において光バッフ
ァメモリとして利用されている光遅延回路に関し、特
に、従来に比して小型化が可能であって、遅延時間の精
度が極めて高く、容易に量産できる光遅延回路に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、パケット交換機やルータ、ＡＴＭ
交換機などの光通信伝送機器において、複数の光信号を
同時に受け取った場合、光バッファメモリを用いて一方
の光信号の伝送を所定の時間遅延させ、光信号の順序を
整えて送り出すことが一般的に行われている。このよう
な光バッファメモリは、光ファイバや反射鏡などを用い
て該光信号を長距離伝幡させ、所望の遅延時間を得てい
るものである。光バッファメモリには、一般に光ファイ
バが用いられており、これを特に光遅延線という。

【０００３】例えば、光信号の伝送単位である１セルが
４２４ビットに相当し、伝送速度が１５６Ｍｂｐｓの場
合、１セルの光信号を伝送するのに要する時間は２．７
２μｓである。従って、光ファイバ中の光速を２．０５
×１０⁸ｍ／ｓとすると、光信号を１セル分遅延させる
のに必要な光遅延線の光ファイバ長は５５８ｍである。
この場合、例えば１〜４セルに相当する光バッファメモ
リが必要なときは、それぞれ５５８ｍ、１１１５ｍ、１
６７３ｍ、２２３０ｍの光遅延線を並列に接続してアレ
イとし、光スイッチを用いて光信号のそれぞれのセルに
対して適切な光遅延線を選択し、所望の遅延時間を得る
ようにすればよい。

【０００４】同様に、伝送速度が６２２Ｍｂｐｓの場
合、１セル分の遅延時間は６８２ｎｓであってこの遅延
時間に相当する光ファイバ長は１４０ｍである。伝送速
度が２．５Ｇｂｐｓの場合、１セル分の遅延時間は１７
０ｎｓ、これに相当する光ファイバ長は３５ｍであり、
１０Ｇｂｐｓの場合、１セル分の遅延時間は４２．４ｎ
ｓ、これに相当する光ファイバ長は８．７ｍとなる。実
際の光信号の伝送においては、光信号の信頼性を向上す
るため、冗長符号化やガードタイム等を利用し、それに
対応する分、前記遅延時間および光ファイバ長を長くと
ることが多い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、光通信技術
の進展により、光信号の伝送速度が大幅に向上するにつ
れ、光遅延線に必要な光ファイバ長が短くなってきてい
る。例えば、伝送速度が４０Ｇｂｐｓの場合、１セル分
の遅延時間は１０．６ｎｓであって、この遅延時間に相
当する光ファイバ長は２．１７ｍである。また、伝送速
度が１６０Ｇｂｐｓの場合、１セル分の遅延時間は２．
６５ｎｓ、これに相当する光ファイバ長は５４．３ｃｍ
である。

【０００６】このように光ファイバ長が短くなったとし
ても、光ファイバの曲げ半径を限度以上に小さくすると
過大な曲げ損失が発生するので、光遅延線の小型化は困
難である。また、融着またはコネクタにて接続するとき
発生する光ファイバ長の誤差が相対的に大きくなるの
で、大量生産時に精度の高い光遅延線を再現性よく製造
することが極めて困難になる。従って、光通信の一層の
高速化のためには、光ファイバを用いた光遅延線は不適
切であると考えられている。

【０００７】このため、前記光バッファメモリとして、
光ファイバを用いた光遅延線に代えて、光導波路を用い
た光遅延回路が提案されている。光導波路を用いること
によって、小型の光遅延回路が容易に製造でき、しか
も、高い精度を再現性よく得られる利点がある。この種
の光遅延回路に使用可能であって、１ｍ以上の導波路長
を有する光導波路の特性に関しては、例えば、Y. Hibin
oらによる報告（Electronics Letters,Vol. 29, No.21,
14th Oct. 1993 "Propagation loss characteristics
of longsilica-based optical waveguides on 5 inch S
i wafers"）がある。

【０００８】図７に、特公平８−２３６１１号公報によ
り提案されている光導波路を用いた光遅延回路の一例を
示す。図７において、符号１０１は光導波路基板であ
る。そして光導波路基板１０１の内部には、コア１０２
が形成されている。そしてこのコア１０２は、一端から
一方向に周回している入力側コア１０２ａと、前記入力
側コア１０２ａの逆方向に周回している出力側コア１０
２ｂとからなっている。さらに、前記入力側コア１０２
ａと前記出力側コア１０２ｂとは、Ｓ字形に結合するこ
とによって、互いに交差しないようになっている。

【０００９】ここで、入力側コア１０２ａと出力側コア
１０２ｂとは、一本のコア１０２として同一の工程で形
成されるが、説明をわかりやすくするために、名称を変
えるとともに、図７において、入力側コア１０２ａには
実線を用いて、また、出力側コア１０２ｂには破線を用
いて、区別して表示している。そして、前記コア１０２
の両端は入出力用光ファイバ１１２に接続されており、
この入出力用光ファイバ１１２は、Ｖ溝基板、フェルー
ル、キャピラリ等の固定部材１１３によって、光導波路
基板１０１の側面に固定されている。

【００１０】この光導波路基板１０１は、図８にその部
分構造を示すように、一般に、シリコンウエハまたは石
英ガラスウエハ等のウエハ１１０の上に形成された下部
クラッド１０３ａと、この下部クラッド１０３ａの上に
形成されたコア１０２と、このコア１０２の上に形成さ
れた上部クラッド１０３ｂとから構成されている。一般
に、コア１０２を所定の形状に形成するためには、下部
クラッド１０３ａの上にコア１０２となる材料を全面堆
積し、次いで、フォトリソグラフィーや反応性イオンエ
ッチングなどの手法を用いてパターニングする方法、ま
たは、下部クラッド１０３ａの材料の組成をイオン交換
法などにより部分的に変化させてコア１０２とする方法
が用いられている。これらの方法によれば、前記コア１
０２は下部クラッド１０３ａの上に平面的に形成される
ことになる。前記コア１０２が交差を有すると、この交
差において大きな損失が発生するので、図７に示すよう
に、前記コア１０２の交差が避けられているのである。

【００１１】また、一般に、前記コア１０２の周回部で
は、曲げ半径ｒが小さいと光がコア１０２の外部に放射
されて漏洩するため、曲げ損失が発生する。従って、該
周回部の曲げ半径ｒは、所定の値以上にする必要があ
る。図７に示す光遅延回路においては、その中央部に半
径ｒの円を２個含む必要があり、光遅延回路の寸法が大
きくなる。図９に示すように、コア１０２を渦巻き状に
形成して、その中央部は半径ｒの円を１個のみ含む形状
とすれば、回路寸法を小さくできるが、従来の図８に示
すような平面型光導波路では、コア１０２が交差するの
で、損失が増大する問題がある。

【００１２】また、光遅延回路の一層の小型化を達成す
るためには、コア１０２とクラッド１０３との比屈折率
差を高めて、光の閉じ込めを強くし、これによって、前
記曲げ半径ｒを小さく取れるようにする方法が考えられ
る。しかしながら、コア１０２とクラッド１０３との比
屈折率差を高めると、該光導波路のモールドフィールド
径が小さくなり、前記入出力用光ファイバ１１２との接
続損失が大きくなる問題がある。

【００１３】従って、本発明の課題は、従来に比して小
型化することができ、かつ、精度良く大量量産すること
が可能な光遅延回路およびその製造方法を提供すること
である。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の光遅延回路は、
光導波路のコアが一方向に周回している周回部と、該周
回部の両端に接続されている入力部および出力部とを有
し、かつ前記コアは互いに交差することなく、三次元的
に深さが変化していることを特徴としており、これによ
って、前記課題を解決することができる。このような光
遅延回路は、ガラス材料の所定の部位にフェムト秒レー
ザ光を集光照射して、該照射部位の屈折率を変化させる
ことにより、該ガラス材料の内部に光導波路を形成する
ことにより製造することができる。さらに、このフェム
ト秒レーザ光の集光照射を複数回行うことにより、所定
の光路長を有する光導波路を容易に形成することがで
き、光遅延回路の精度が一層向上させられる。上述の光
遅延回路を用いることにより、小型で高精度の光部品モ
ジュールを製造することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、実施の形態に基づいて、本
発明を詳しく説明する。図１は、本発明の光遅延回路の
一例を示す平面図および側面図である。図１において、
符号１は光導波路基板である。この光導波路基板１の内
部には、コア２と、該コア２を取り囲むクラッド３とが
形成されている。そして、前記コア２は、一方向に周回
してなる周回部４と、この周回部４の両端に接続されて
いる入力部５ａおよび出力部５ｂとからなる。前記コア
２は、三次元的に深さが変化しており、互いに交差しな
いようになっている。また、前記周回部４においては、
コア２の互いに近接する部分が方向性結合器として作用
し、クロストークが発生することを抑制するため、一周
ごとに所定の間隔にて離隔されている。

【００１６】そして、前記コア２は、入力端６ａにおい
て入力用光ファイバ１２ａに、また、出力端６ｂにおい
て出力用光ファイバ１２ｂに接続されており、これによ
り、外部の伝送路と連結できるようになっている。入力
用光ファイバ１２ａは入力用光ファイバ固定部材１３ａ
によって、また、出力用光ファイバ１２ｂは出力用光フ
ァイバ固定部材１３ｂによって、それぞれ、光導波路基
板１の側面に固定されている。前記入力用光ファイバ固
定部材１３ａおよび出力用光ファイバ固定部材１３ｂと
しては、一般に、Ｖ溝基板、フェルール、キャピラリ等
が用いられている。

【００１７】このように、本実施の形態の光遅延回路
は、コア２の周回部４が一方向にのみ周回している。従
って、回路の中央部に半径ｒの円を１個のみ含むので、
従来に比して、光導波路基板１の寸法を小型にすること
ができる。上述のように、コア２に交差があると、損失
が発生する。このため、本実施の形態の光遅延回路は、
コア２の深さを三次元的に変化させ、互いに交差しない
ようにされる。

【００１８】コア２を互いに交差しないようにできる形
状としては、多くの種類が可能である。次に、図面を参
照しながら、典型的な形状について説明する。図２
（ａ）〜図２（ｄ）に示すコア２の形状は、周回部４に
おいてコア２の深さを変化させるものである。図２
（ａ）に示すコア２の形状は、コア２の深さが深くなる
につれ周回部４の半径を小さくするものである。図２
（ｂ）に示すコア２の形状は、コア２の深さが深くなる
につれ周回部４の半径を大きくするものである。図２
（ｃ）に示すコア２の形状は、コア２の深さによらず周
回部４の半径を一定にするものである。図２（ｄ）に示
すコア２の形状は、出力部５ｂに接続する直前の最後の
一周だけ、周回部４の深さを変化させるものである。

【００１９】また、出力部５ｂに接続する数周手前か
ら、周回部４の深さを変化させることにより、周回部４
におけるコア２の間隔を大きくすることができる。ある
いは、水平距離を短くして、配置面積を狭くすることが
できる。特に、図２（ｃ）に示すように、曲率半径ｒを
一定にすれば、周回部４の周回回数を多くしても、配置
面積が大きくならない利点がある。

【００２０】また、図３（ａ）〜図３（ｂ）に示すコア
２の形状は、入力部５ａまたは出力部５ｂにおいてコア
２の深さを変化させるものである。図３（ａ）に示すコ
ア２の形状は、周回部４と出力部５ｂとの接続点から、
徐々にコア２の傾きを増加させ、さらに出力部５ｂの中
間点からコア２の傾きを減少させて、出力端６ｂまでに
再び水平とするものである。図３（ｂ）に示すコア２の
形状は、入力部５ａと出力部５ｂの両方の深さを変化さ
せることにより、入力端６ａと出力端６ｂの深さを一致
させるものである。

【００２１】また、上述の説明において、入力部５ａと
出力部５ｂ、および、入力端６ａと出力端６ｂとは、互
いに立場を入れ替えることができる。例えば、図３
（ａ）には、出力部５ｂの深さを変化させたが、出力部
５ｂの代わりに、入力部５ａの深さを変化させてもよ
い。このほか、コア２の形状は、上述の例に限定され
ず、周回部４と入力部５ａとにおいてコア２の深さを変
える、周回部４と出力部５ｂとにおいてコア２の深さを
変える、周回部４と入力部５ａと出力部５ｂとのすべて
においてコア２の深さを変えるなど、光遅延回路の構成
に応じて、種々の改変が可能である。例えば、１枚の光
導波路基板１上に光遅延回路と、光スイッチなどの他の
素子とをモノリシックに集積させる場合、前記他の素子
との位置関係に応じて、適切な光遅延回路の形状を選択
することができる。

【００２２】図４は、１枚の光導波路基板１上に複数の
光遅延回路を設けてアレイ化したものの一例を示す概略
構成図である。図４（ａ）は、この光遅延回路アレイの
平面図である。この光遅延回路アレイは、０〜３セル分
の遅延時間をもつ４個の光遅延回路６０〜６３が形成さ
れた光遅延回路基板５０の一方の端面に、入力用１×４
光スイッチ５１が形成された入力用回路基板５２がプレ
ート間接続されており、また、光遅延回路基板５０の他
方の端面には、出力用４×１光カプラ５３が形成された
出力用回路基板５４がプレート間接続されており、これ
に、入力用光ファイバ１２ａと、出力用光ファイバ１２
ｂとが接続されてなるものである。

【００２３】この光遅延回路基板５０の構造について、
図４（ｂ）に示す模式的斜視図を用いて、さらに詳しく
説明する。前記４個の光遅延回路６０〜６３は、互いに
交差しないように、深さを変化させて形成されている。
図４（ｂ）においては、光遅延回路６０〜６３の深さの
違いを強調するため、それぞれの光遅延回路６０〜６３
の周回部６１ｃ〜６３ｃが位置する仮想平面を、それぞ
れ第１層８１、第２層８２、第３層８３として示し、深
さ方向の間隔を大きく拡張して描いている。従って、実
際には、各層の深さ方向の間隔は、図示した間隔に比し
てはるかに狭い。

【００２４】ここで、遅延時間が０セル分である光遅延
回路６０は、第１層８１上に深さを変化させずに形成さ
れている。遅延時間が１セル分である光遅延回路６１
は、入力部６１ａおよび周回部６１ｃの大部分が第１層
８１上に形成されており、周回部６１ｃの最終周におい
て、一旦第２層８２上に下降したのち、出力部６１ｂで
再び第１層８１に上昇する。遅延時間が２セル分である
光遅延回路６２は、入力部６２ａにおいて第２層８２に
下降し、第２層８２上に周回部６２ｃを形成し、さらに
出力部６２ｂで再び第１層８１に上昇する。遅延時間が
３セル分である光遅延回路６３は、入力部６３ａにおい
て第３層８３に下降し、第３層８３上に周回部６３ｃが
設けられ、さらに出力部６３ｂにおいて再び第１層８１
に上昇する。このように、深さを変化させて光遅延回路
を形成することにより、複数の光遅延回路を極めて狭い
面積に配置することが可能になる。

【００２５】本実施の形態における光遅延回路６０〜６
３、入力用１×４光スイッチ５１、および出力用４×１
光カプラ５３の形状および配置に、種々の改変が可能で
あることはいうまでもない。光遅延回路基板５０上に形
成する光遅延回路の個数も２個または３個、または５個
以上とすることもできる。他の実施の形態としては、例
えば、光遅延回路６０〜６３、入力用１×４光スイッチ
５１、出力用４×１光カプラ５３を、１枚の基板上にモ
ノリシック集積させることも可能である。このようにす
ることにより、光遅延回路の一層の小型化と高密度な集
積とが可能になる。

【００２６】上述のような光遅延回路を形成する方法と
しては、例えば、光誘起屈折率変化を利用した方法を用
いることができる。この光誘起屈折率変化とは、ガラス
材料等にフェムト秒レーザ光などを集光照射することに
より、該ガラス材料等の構造や組成に変化が起こり、そ
の屈折率が変化する現象である。光誘起屈折率変化を利
用した光導波路の形成方法としては、例えば、特開平９
−３１１２３７号公報などに記載がある。

【００２７】図５は、本実施の形態の光遅延回路の製造
方法に用いられる製造装置の一例を示す図である。この
製造装置は、少なくとも、フェムト秒レーザ光２０を発
振するためのレーザ発振装置２１と、該フェムト秒レー
ザ光２０を光導波路基板１に集光するための集光レンズ
２２と、光導波路基板１を三次元的に精密に移動させる
ための精密ステージ２３と、位置合わせのためのＣＣＤ
カメラなどの観測装置２５を有する。さらに、この製造
装置にはハーフミラー２４が設けられており、集光レン
ズ２２を、前記観測装置２５のための対物レンズとして
も使用することができるようになっている。

【００２８】このような製造装置によれば、観測装置２
５により集光点２６の位置をモニタしながら、フェムト
秒レーザ光２０を光導波路基板１に集光照射し、集光点
２６において光誘起屈折率変化を起こすことができる。
そして、精密ステージ２３を用いて光導波路基板１を移
動させ、集光点２６の位置を変位させることにより、屈
折率が周囲より高くなった部位を連続的に形成すること
ができる。このように屈折率が周囲より高くなった部位
は、図６に示すように、光導波路のコア２とし、そし
て、その他の部分をクラッド３とすることができるの
で、光導波路を三次元的に形成することができる。

【００２９】前記光導波路基板１に使用可能なガラス材
料としては、例えば、石英ガラス（ＳｉＯ₂）を板状に
加工し、光学研磨したものを用いることができる。また
は石英ガラスに代えて、ＳｉＯ₂にホウ素（Ｂ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）等をドープしたガラスを用いることも
できる。さらに、光誘起屈折率変化を利用できるもので
あれば、ＳｉＯ₂以外の酸化物ガラス、ハロゲン化物ガ
ラス、硫化物ガラス、カルコゲナイドガラスなどを用い
ることもできる。また、前記光導波路基板１として、シ
リコンウエハや石英ガラスウエハ等のウエハ上に上記ガ
ラス材料を成膜したものを用いることもできる。

【００３０】また、前記フェムト秒レーザ光２０は、パ
ルス幅が１ｐｓ以下であるレーザ光である。前記ガラス
材料に光誘起屈折率変化を引き起こすためにフェムト秒
レーザ光２０を用いる理由は、レーザ光のパルス幅が非
常に狭くなって時間圧縮されることにより、該レーザ光
のピークパワーが増大し、光誘起屈折率変化の作用を大
きくすることができるからである。また、例えば、８０
０ｎｍなど、近赤外領域の波長のフェムト秒レーザ光を
用いれば、石英ガラスなどの透明材料にほとんど吸収さ
れないので、集光点２６までほとんど減衰することなく
到達することができる。これにより、特開平９−３１１
２３７号公報に記載されているように、該ガラス材料に
１０⁵Ｗ／ｃｍ²以上のピークパワー強度を与えて光誘起
屈折率変化を起こすことができる。さらに、フェムト秒
レーザ光２０の繰り返し周波数を１０ｋＨｚ以上、さら
に好ましくは、１００ｋＨｚ以上とすることが好まし
い。この場合、繰返し周期が短いことから、所定の経路
を連続的に走査することにより、ガラス材料に連続的に
屈折率変化を付与し、滑らかに連続したコア２を形成す
ることができる。

【００３１】なお、集光前にガラス材料に吸収されない
フェムト秒レーザ光２０が、集光点２６において該ガラ
ス材料に光誘起屈折率変化をもたらすメカニズムの解明
は現在のところ不十分であり、詳細は不明であるが、原
理としては、多光子吸収による体積収縮や欠陥の生成な
どが寄与しているものと考えられる。

【００３２】コア２とクラッド３との比屈折率差は、一
定でもよいが、周回部４の比屈折率差を入力部５ａおよ
び出力部５ｂのそれより大きくするとさらに好ましい。
その理由は次のとおりである。周回部４の比屈折率差を
大きくすることにより、周回部４における光の閉じ込め
が強くなり、曲げ損失が小さくなる。また、入力部５ａ
および出力部５ｂの比屈折率差を入力用光ファイバ１２
ａおよび出力用光ファイバ１２ｂのそれと同程度にする
ことにより、接続部近傍での入力部５ａのモードフィー
ルド径と、入力用光ファイバ１２ａのモードフィールド
径との差、および、出力部５ｂのモードフィールド径
と、出力用光ファイバ１２ｂのモードフィールド径との
差が小さくなり、接続損失を小さくすることができる。
このようにコア２の比屈折率差を連続的に変化させるた
めには、フェムト秒レーザ光２０の強度や集光点２６の
移動速度などの照射条件を変化させることによって行う
ことができる。

【００３３】また、光導波路基板１へのフェムト秒レー
ザ光２０の集光照射を複数回行うこともできる。これに
より、例えば、１回の照射では光遅延回路の遅延時間が
設計より短かった場合でも、再びフェムト秒レーザ光２
０を照射して光導波路の一部区間において実効屈折率を
増加させ光路長（幾何学的な導波路長と屈折率との積）
を長くすることにより、該遅延時間を長くして調整する
ことができる。これにより、光遅延回路の遅延時間の精
度をさらに高め、該製造工程の歩留まりを向上させるこ
とができる。

【００３４】本発明の光遅延回路は上述の実施の形態の
みに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で種々の改変が可能である。例えば、従来の光遅
延線で行われているように、複数の光遅延回路を並列に
接続して光遅延回路アレイとすることができる。また、
以上説明した光遅延回路は小型であるので、該光遅延回
路を光スイッチ、光カプラ、光スプリッタなどと組み合
わせれば、光ＡＴＭスイッチなどの光モジュールを小型
化し、しかも高密度に実装することができる。

【００３５】次に、本発明を実施例と比較例との比較に
よって、さらに具体的に説明する。伝送速度１６０Ｇｂ
ｐｓで４２４ビットの信号を伝達するときに必要な光遅
延回路を石英ガラスの光導波路基板１から製造し、その
寸法について考察した。この光遅延回路では光導波路の
長さを５４．３ｃｍとし、また、周回部４におけるコア
２の間隔を８５μｍとした。また、コア２の曲げ半径ｒ
を８ｍｍとした。コア２を形成するためのフェムト秒レ
ーザ光２０としては、波長８００ｎｍ、パルス幅１７０
ｆｓ、繰り返し周波数２００ｋＨｚ、平均出力７８０ｍ
Ｗのものを用いた。

【００３６】図１に示す本発明の光遅延回路では、光導
波路のコア２の周回部４を１０周分必要とし、光遅延回
路の寸法は、１．８ｃｍ×１．８ｃｍとなった。それに
対して、図４に示す比較例の光遅延回路では、入力側コ
ア１０２ａに３周分、出力側コア１０２ｂに３周分必要
とし、光遅延回路の寸法は、１．７ｃｍ×３．３ｃｍと
なった。この例から明らかなように、本発明の光遅延回
路によれば、比較例のものに比して、寸法をおよそ半分
とすることができ、著しく小型化されたものとなる。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光路長の短い光遅延回路を、従来に比して小型化でき、
かつ、高い精度のものを容易に量産することができる。
小型化された光遅延回路を用いることにより、光モジュ
ールの高密度化が達成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光遅延回路の一例を示す平面図およ
び側面図である。

【図２】本発明の光遅延回路の他の実施の形態を説明
する平面図および側面図である。

【図３】本発明の光遅延回路の他の実施の形態を説明
する平面図および側面図である。

【図４】本発明の光遅延回路の他の実施の形態を説明
する（ａ）平面図、（ｂ）模式的斜視図である。

【図５】本発明の光遅延回路の製造方法の一例を説明
する斜視図である。

【図６】本発明の光遅延回路に用いられる光導波路の
部分構造の一例を示す斜視図である。

【図７】従来の光遅延回路の一例を示す概略平面図で
ある。

【図８】従来の光遅延回路に用いられる光導波路の部
分構造の一例を示す斜視図である。

【図９】従来の光遅延回路の他の例を示す概略平面図
である。

【符号の説明】

１…光導波路基板、２…コア、３…クラッド、４…周回
部、５ａ…入力部、５ｂ…出力部、２０…フェムト秒レ
ーザ光。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者四方朋子千葉県佐倉市六崎1440番地株式会社フジクラ佐倉事業所内 (72)発明者福田武司千葉県佐倉市六崎1440番地株式会社フジクラ佐倉事業所内 (72)発明者細谷英行千葉県佐倉市六崎1440番地株式会社フジクラ佐倉事業所内Ｆターム(参考） 2H038 AA22 AA23 BA38 2H047 KA03 KA12 KB08 MA05 PA22 QA04 TA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光導波路を用いた光遅延回路であって、
該光導波路のコアは一方向に周回している周回部と、該
周回部の両端に接続されている入力部および出力部とを
有し、かつ前記コアは互いに交差することなく、三次元
的に深さが変化していることを特徴とする光遅延回路。
【請求項２】ガラス材料の所定の部位にフェムト秒レ
ーザ光を集光照射して該照射部位の屈折率を変化させる
ことにより、該ガラス材料の内部に光導波路を形成し、
かつ該光導波路のコアは一方向に周回している周回部
と、該周回部の両端に接続されている入力部および出力
部とを有し、かつ前記コアは互いに交差することなく、
三次元的に深さが変化しているものであることを特徴と
する光遅延回路の製造方法。
【請求項３】フェムト秒レーザ光を複数回集光照射す
ることにより、所定の光路長を有する光導波路を形成す
ることを特徴とする請求項２に記載の光遅延回路の製造
方法。
【請求項４】請求項１に記載の光遅延回路を備えてい
ることを特徴とする光モジュール。