JP2003163546A - 電流電圧変換回路及び焦電型赤外線検出装置 - Google Patents
電流電圧変換回路及び焦電型赤外線検出装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 焦電素子からの検出電流を安定して電流電圧
変換する。 【解決手段】 反転入力端子に焦電素子１が接続された
演算増幅器ＯＰと、演算増幅器ＯＰの出力端子と反転入
力端子との間に帰還用のコンデンサＣｆ及び抵抗回路素
子Ｚ１が並列接続された電流電圧変換回路２が構成され
る。演算増幅器ＯＰの出力端子には、コンデンサＣ１及
び第２の抵抗回路素子Ｚ２からなるハイパスフィルタ２
２が接続される。
変換する。 【解決手段】 反転入力端子に焦電素子１が接続された
演算増幅器ＯＰと、演算増幅器ＯＰの出力端子と反転入
力端子との間に帰還用のコンデンサＣｆ及び抵抗回路素
子Ｚ１が並列接続された電流電圧変換回路２が構成され
る。演算増幅器ＯＰの出力端子には、コンデンサＣ１及
び第２の抵抗回路素子Ｚ２からなるハイパスフィルタ２
２が接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流電圧変換回路
及び焦電型赤外線検出装置に関する。
及び焦電型赤外線検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の焦電型赤外線検出装置の
回路構成を示すもので、電流電圧変換回路と直流帰還回
路とから構成されている。電流電圧変換回路は、演算増
幅器ＯＰ１を備え、非反転入力端子は接地され、反転入
力端子は集電素子に接続され、出力端子は検出信号の信
号出力端Ｐｏｕｔとなっている。また、演算増幅器ＯＰ
１の入出力間、すなわち反転入力端子と出力端子との間
には、帰還用のコンデンサＣｆが介設されている。演算
増幅器ＯＰ１の出力端子と反転入力端子との間には、入
力抵抗Ｒｉを介して直流帰還回路３０が接続されてお
り、信号出力端Ｐｏｕｔから出力される電圧信号の動作
点を安定させている。
回路構成を示すもので、電流電圧変換回路と直流帰還回
路とから構成されている。電流電圧変換回路は、演算増
幅器ＯＰ１を備え、非反転入力端子は接地され、反転入
力端子は集電素子に接続され、出力端子は検出信号の信
号出力端Ｐｏｕｔとなっている。また、演算増幅器ＯＰ
１の入出力間、すなわち反転入力端子と出力端子との間
には、帰還用のコンデンサＣｆが介設されている。演算
増幅器ＯＰ１の出力端子と反転入力端子との間には、入
力抵抗Ｒｉを介して直流帰還回路３０が接続されてお
り、信号出力端Ｐｏｕｔから出力される電圧信号の動作
点を安定させている。
【０００３】直流帰還回路３０は、ハイパスフィルタと
して機能するもので、演算増幅器ＯＰ２と、演算増幅器
ＯＰ２の出力端子及び反転入力端子の間に介設されたコ
ンデンサＣ１０と、一端が演算増幅器ＯＰ２の反転入力
端子に接続され、他端が接地された抵抗Ｒ１０とから構
成されている。焦電素子１は、信号入力端Ｐｉｎと接地
間に接続されている。
して機能するもので、演算増幅器ＯＰ２と、演算増幅器
ＯＰ２の出力端子及び反転入力端子の間に介設されたコ
ンデンサＣ１０と、一端が演算増幅器ＯＰ２の反転入力
端子に接続され、他端が接地された抵抗Ｒ１０とから構
成されている。焦電素子１は、信号入力端Ｐｉｎと接地
間に接続されている。
【０００４】このように構成された焦電型赤外線検出装
置は、焦電素子１に赤外線が入射し、焦電素子１の温度
が上昇すると、温度上昇分に応じて自発分極が発生し、
焦電素子１に分極電荷が発生する。この分極電荷によっ
て、信号入力端Ｐｉｎを介して演算増幅器１の反転入力
端子に電流信号が入力される。電流信号は、演算増幅器
ＯＰ１及び帰還用のコンデンサＣｆにより電流電圧変換
され、電圧信号として信号出力端Ｐｏｕｔに出力され
る。ところで、信号出力端Ｐｏｕｔから出力される電圧
信号の動作点は、演算増幅器ＯＰ１に混入されるノイズ
及び演算増幅器ＯＰ１のオフセット成分により、変動す
る可能性がある。そこで、ハイパスフィルタとしての機
能を有する直流帰還回路３０を設け、演算増幅器ＯＰ１
から出力される電圧信号の低周波成分をカットすること
により、信号出力端Ｐｏｕｔから出力される電圧信号の
動作点の変動を抑制し、安定した電流電圧変換を行って
いる。
置は、焦電素子１に赤外線が入射し、焦電素子１の温度
が上昇すると、温度上昇分に応じて自発分極が発生し、
焦電素子１に分極電荷が発生する。この分極電荷によっ
て、信号入力端Ｐｉｎを介して演算増幅器１の反転入力
端子に電流信号が入力される。電流信号は、演算増幅器
ＯＰ１及び帰還用のコンデンサＣｆにより電流電圧変換
され、電圧信号として信号出力端Ｐｏｕｔに出力され
る。ところで、信号出力端Ｐｏｕｔから出力される電圧
信号の動作点は、演算増幅器ＯＰ１に混入されるノイズ
及び演算増幅器ＯＰ１のオフセット成分により、変動す
る可能性がある。そこで、ハイパスフィルタとしての機
能を有する直流帰還回路３０を設け、演算増幅器ＯＰ１
から出力される電圧信号の低周波成分をカットすること
により、信号出力端Ｐｏｕｔから出力される電圧信号の
動作点の変動を抑制し、安定した電流電圧変換を行って
いる。
【０００５】ここで、図７に示す焦電型赤外線検出装置
のインピーダンス特性Ｚ(ｓ)は数１で示される。
のインピーダンス特性Ｚ(ｓ)は数１で示される。
【０００６】
【数１】
【０００７】数１で示されるインピーダンス特性Ｚ(ｓ)
のグラフは、特開平１０−２８１８６６号公報に示すよ
うに、２次のバンドパスフィルタを構成する。したがっ
て、図７に示す焦電型赤外線検出装置は、２次のバンド
パスフィルタとしての機能を有している。
のグラフは、特開平１０−２８１８６６号公報に示すよ
うに、２次のバンドパスフィルタを構成する。したがっ
て、図７に示す焦電型赤外線検出装置は、２次のバンド
パスフィルタとしての機能を有している。
【０００８】ここで、２次のバンドパスフィルタの伝達
関数の標準形は、一般的に、数２により表わされる。
関数の標準形は、一般的に、数２により表わされる。
【０００９】
【数２】
【００１０】上記数１及び数２より、中心周波数ω０付
近の伝送特性を示すクオリティファクタＱは、数３で表
わされる。
近の伝送特性を示すクオリティファクタＱは、数３で表
わされる。
【００１１】
【数３】
【００１２】インピーダンス特性Ｚ(ｓ)は、クオリティ
ファクタＱの値が増加するにつれて、中心周波数ω０付
近で急峻となる傾向を有している。
ファクタＱの値が増加するにつれて、中心周波数ω０付
近で急峻となる傾向を有している。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、焦電型赤外
線検出装置は、人体や生体の検出のためには、０．１〜
１Ｈｚ付近の低周波信号を検出する必要があるが、その
ためには、高抵抗の抵抗体を使用しなければならない。
すなわち、図７に示す焦電型赤外線検出装置において、
入力抵抗Ｒｉ及び抵抗Ｒ１０として高抵抗のものを使用
しなければならない。
線検出装置は、人体や生体の検出のためには、０．１〜
１Ｈｚ付近の低周波信号を検出する必要があるが、その
ためには、高抵抗の抵抗体を使用しなければならない。
すなわち、図７に示す焦電型赤外線検出装置において、
入力抵抗Ｒｉ及び抵抗Ｒ１０として高抵抗のものを使用
しなければならない。
【００１４】このように高抵抗の抵抗体は、一般的に、
温度特性の影響により、わずかな温度変化に対してもそ
の値が大きく変動し、これら回路素子の値がばらついて
変動すると、クオリティファクタＱの値が変化し、イン
ピーダンス特性Ｚ(ｓ)が変化してしまうため、安定した
電流電圧変換が困難となる。
温度特性の影響により、わずかな温度変化に対してもそ
の値が大きく変動し、これら回路素子の値がばらついて
変動すると、クオリティファクタＱの値が変化し、イン
ピーダンス特性Ｚ(ｓ)が変化してしまうため、安定した
電流電圧変換が困難となる。
【００１５】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、焦電素子からの検出電流に対して、安
定した電流電圧変換を可能とする電流電圧変換回路及び
この回路を用いた焦電型赤外線検出装置を提供すること
を目的とする。
れたものであり、焦電素子からの検出電流に対して、安
定した電流電圧変換を可能とする電流電圧変換回路及び
この回路を用いた焦電型赤外線検出装置を提供すること
を目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１記載の発明は、焦電素子に接続される演算増
幅器と、前記演算増幅器の入出力間に接続されたコンデ
ンサと、前記コンデンサと並列接続された高抵抗を有す
る第１の抵抗回路素子とを備えると共に、前記演算増幅
器の出力側にハイパスフィルタが接続されてなる電流電
圧変換回路である。
に請求項１記載の発明は、焦電素子に接続される演算増
幅器と、前記演算増幅器の入出力間に接続されたコンデ
ンサと、前記コンデンサと並列接続された高抵抗を有す
る第１の抵抗回路素子とを備えると共に、前記演算増幅
器の出力側にハイパスフィルタが接続されてなる電流電
圧変換回路である。
【００１７】この発明によれば、帰還用コンデンサ及び
第１の抵抗回路素子が並列接続され演算増幅器とハイパ
スフィルタとを直列接続して構成しているため、各回路
素子の値が温度特性により変動しても、インピーダンス
特性のピーク付近の傾きが急峻とはならず、安定した電
流電圧変換が可能となる。
第１の抵抗回路素子が並列接続され演算増幅器とハイパ
スフィルタとを直列接続して構成しているため、各回路
素子の値が温度特性により変動しても、インピーダンス
特性のピーク付近の傾きが急峻とはならず、安定した電
流電圧変換が可能となる。
【００１８】また、演算増幅器の出力端子に、ハイパス
フィルタを直列接続しているため、演算増幅器から出力
される電圧信号の動作点の変動分がカットされ、安定し
た電流電圧変換が可能となる。
フィルタを直列接続しているため、演算増幅器から出力
される電圧信号の動作点の変動分がカットされ、安定し
た電流電圧変換が可能となる。
【００１９】更に、帰還用のコンデンサ及び高抵抗を有
する第１の抵抗回路素子を並列接続したため、電流信号
の高周波成分は、帰還用のコンデンサのインピーダンス
成分により電圧信号に変換され、電流信号の低周波成分
は、第１の抵抗回路素子のインピーダンス成分により電
圧信号に変換される。演算増幅器に帰還用のコンデンサ
のみ接続した場合、電流信号は、コンデンサのインピー
ダンス成分により電圧信号に変換されるが、コンデンサ
のインピーダンス成分は低周波になるほど増大するた
め、電流信号に低周波のノイズが混入すると、この低周
波のノイズ成分が大きな電圧信号として出力され、安定
した電流電圧変換を行うことができない可能性がある。
そこで、帰還用のコンデンサに第１の抵抗回路素子を並
列接続し、低周波成分は、第１の抵抗回路素子のインピ
ーダンス成分により電流電圧変換させることにより、低
周波の電流信号が大きな電圧信号となって出力されるこ
とを防止し、安定した電流電圧変換を可能としている。
する第１の抵抗回路素子を並列接続したため、電流信号
の高周波成分は、帰還用のコンデンサのインピーダンス
成分により電圧信号に変換され、電流信号の低周波成分
は、第１の抵抗回路素子のインピーダンス成分により電
圧信号に変換される。演算増幅器に帰還用のコンデンサ
のみ接続した場合、電流信号は、コンデンサのインピー
ダンス成分により電圧信号に変換されるが、コンデンサ
のインピーダンス成分は低周波になるほど増大するた
め、電流信号に低周波のノイズが混入すると、この低周
波のノイズ成分が大きな電圧信号として出力され、安定
した電流電圧変換を行うことができない可能性がある。
そこで、帰還用のコンデンサに第１の抵抗回路素子を並
列接続し、低周波成分は、第１の抵抗回路素子のインピ
ーダンス成分により電流電圧変換させることにより、低
周波の電流信号が大きな電圧信号となって出力されるこ
とを防止し、安定した電流電圧変換を可能としている。
【００２０】請求項２記載の発明は、請求項１記載の電
流電圧変換回路において、前記第１の抵抗回路素子はポ
リシリコンを抵抗材とするものであることを特徴とす
る。この発明によれば、製造工程において、ポリシリコ
ンに不純物のドープ処理を行わないようにして、容易に
高抵抗の抵抗材が得られる。また、ポリシリコンにより
構成したため、回路素子が小型となる。
流電圧変換回路において、前記第１の抵抗回路素子はポ
リシリコンを抵抗材とするものであることを特徴とす
る。この発明によれば、製造工程において、ポリシリコ
ンに不純物のドープ処理を行わないようにして、容易に
高抵抗の抵抗材が得られる。また、ポリシリコンにより
構成したため、回路素子が小型となる。
【００２１】請求項３記載の発明は、請求項１記載の電
流電圧変換回路において、前記第１の抵抗回路素子は互
いに逆向きに並列接続されたダイオードにより構成され
ていることを特徴とする。この発明によれば、通常動作
時においては、演算増幅器の入出力端子間の電位差が小
さいため、両ダイオードはオフ状態であり、第１の抵抗
回路素子の抵抗値は、ダイオードのオフ抵抗により決定
され、両ダイオードは高抵抗の抵抗材として機能する。
流電圧変換回路において、前記第１の抵抗回路素子は互
いに逆向きに並列接続されたダイオードにより構成され
ていることを特徴とする。この発明によれば、通常動作
時においては、演算増幅器の入出力端子間の電位差が小
さいため、両ダイオードはオフ状態であり、第１の抵抗
回路素子の抵抗値は、ダイオードのオフ抵抗により決定
され、両ダイオードは高抵抗の抵抗材として機能する。
【００２２】また、ノイズなどの影響により演算増幅器
から出力される電圧信号が飽和した場合、演算増幅器の
入出力端子間の電位差がダイオードのスレショルド電圧
を超え、両ダイオードのうちいずれか一方のダイオード
がオンとなり、第１の抵抗回路素子の抵抗値はオンされ
たダイオードの抵抗値により決定される。このダイオー
ドのオン抵抗は小さく、電流電圧変換回路の時定数を小
さくする。この結果、本電流電圧変換回路の帰還作用は
高まり、飽和した電圧信号は速やかに通常動作時の振幅
レベルの電圧信号に戻される。
から出力される電圧信号が飽和した場合、演算増幅器の
入出力端子間の電位差がダイオードのスレショルド電圧
を超え、両ダイオードのうちいずれか一方のダイオード
がオンとなり、第１の抵抗回路素子の抵抗値はオンされ
たダイオードの抵抗値により決定される。このダイオー
ドのオン抵抗は小さく、電流電圧変換回路の時定数を小
さくする。この結果、本電流電圧変換回路の帰還作用は
高まり、飽和した電圧信号は速やかに通常動作時の振幅
レベルの電圧信号に戻される。
【００２３】また、ダイオードを逆方向に並列接続する
という簡素な構成により、第１の抵抗回路素子を構成し
たため、回路の小型化及び低コスト化が可能となる。
という簡素な構成により、第１の抵抗回路素子を構成し
たため、回路の小型化及び低コスト化が可能となる。
【００２４】請求項４記載の発明は、請求項１記載の電
流電圧変換回路において、前記第１の抵抗回路素子はス
イッチトキャパシタにより構成されていることを特徴と
する。この発明によれば、第１の抵抗回路素子の抵抗値
は、キャパシタの容量とスイッチングを切り替えるサン
プリング周波数により決定される。キャパシタの容量及
びサンプリング周波数を適当な値に設定することによ
り、高抵抗が実現される。また、スイッチトキャパシタ
のキャパシタの容量を小さくするほど、高抵抗となるた
め、小容量のキャパシタで高抵抗が実現される。この結
果、回路の小型化と共に、温度特性による影響が少い高
抵抗の第１の抵抗回路素子Ｚ１が得られる。
流電圧変換回路において、前記第１の抵抗回路素子はス
イッチトキャパシタにより構成されていることを特徴と
する。この発明によれば、第１の抵抗回路素子の抵抗値
は、キャパシタの容量とスイッチングを切り替えるサン
プリング周波数により決定される。キャパシタの容量及
びサンプリング周波数を適当な値に設定することによ
り、高抵抗が実現される。また、スイッチトキャパシタ
のキャパシタの容量を小さくするほど、高抵抗となるた
め、小容量のキャパシタで高抵抗が実現される。この結
果、回路の小型化と共に、温度特性による影響が少い高
抵抗の第１の抵抗回路素子Ｚ１が得られる。
【００２５】請求項５記載の発明は、請求項１〜４のい
ずれかに記載の電流電圧変換回路において前記ハイパス
フィルタは高抵抗を有する第２の抵抗回路素子を有し、
この第２の抵抗回路素子はポリシリコンを抵抗材とする
ものであることを特徴とする。この発明によれば、製造
工程において、ポリシリコンに不純物のドープ処理を行
わないようにして、容易に高抵抗のフィルタが得られ
る。また、ポリシリコンを用いたため、回路が小型とな
る。
ずれかに記載の電流電圧変換回路において前記ハイパス
フィルタは高抵抗を有する第２の抵抗回路素子を有し、
この第２の抵抗回路素子はポリシリコンを抵抗材とする
ものであることを特徴とする。この発明によれば、製造
工程において、ポリシリコンに不純物のドープ処理を行
わないようにして、容易に高抵抗のフィルタが得られ
る。また、ポリシリコンを用いたため、回路が小型とな
る。
【００２６】請求項６記載の発明は、請求項１〜４のい
ずれかに記載の電流電圧変換回路において、前記ハイパ
スフィルタは高抵抗を有する第２の抵抗回路素子を有
し、この第２の抵抗回路素子はスイッチトキャパシタに
より構成されていることを特徴とする。この発明によれ
ば、第２の抵抗回路素子をスイッチトキャパシタにより
構成したため、高抵抗でありながら温度特性による影響
が少ない抵抗材が得られる。また、第２の抵抗回路素子
を小容量のキャパシタで構成するため、回路が小型とな
る。
ずれかに記載の電流電圧変換回路において、前記ハイパ
スフィルタは高抵抗を有する第２の抵抗回路素子を有
し、この第２の抵抗回路素子はスイッチトキャパシタに
より構成されていることを特徴とする。この発明によれ
ば、第２の抵抗回路素子をスイッチトキャパシタにより
構成したため、高抵抗でありながら温度特性による影響
が少ない抵抗材が得られる。また、第２の抵抗回路素子
を小容量のキャパシタで構成するため、回路が小型とな
る。
【００２７】請求項７記載の発明は、請求項１〜６のい
ずれかに記載の電流電圧変換回路の演算増幅器の入力側
に、赤外光を受光し電流として出力する焦電素子が接続
されてなる焦電型赤外線検出装置である。この発明によ
れば、請求項１〜６のいずれかに記載された電流電圧変
換回路を備えているため、安定した電流電圧変換を行う
焦電型赤外線検出装置が提供される。
ずれかに記載の電流電圧変換回路の演算増幅器の入力側
に、赤外光を受光し電流として出力する焦電素子が接続
されてなる焦電型赤外線検出装置である。この発明によ
れば、請求項１〜６のいずれかに記載された電流電圧変
換回路を備えているため、安定した電流電圧変換を行う
焦電型赤外線検出装置が提供される。
【００２８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る焦電型赤外
線検出装置の基本構成を示している。この焦電型赤外線
検出装置は、赤外線を検出する焦電素子１と、焦電素子
１からの入力される電流信号を電圧信号に変換する電流
電圧変換回路２とを備えている。電流電圧変換回路２
は、電流電圧変換を行う電流電圧変換部２１と、電流電
圧変換部２１に直列接続されたハイパスフィルタ２２と
から構成されている。
線検出装置の基本構成を示している。この焦電型赤外線
検出装置は、赤外線を検出する焦電素子１と、焦電素子
１からの入力される電流信号を電圧信号に変換する電流
電圧変換回路２とを備えている。電流電圧変換回路２
は、電流電圧変換を行う電流電圧変換部２１と、電流電
圧変換部２１に直列接続されたハイパスフィルタ２２と
から構成されている。
【００２９】電流電圧変換部２１は、焦電素子１が反転
入力端子に接続される演算増幅器ＯＰと、演算増幅器Ｏ
Ｐの出力端子と反転入力端子との間に介設された帰還用
のコンデンサＣｆと、コンデンサＣｆと並列接続された
第１の抵抗回路素子Ｚ１とを備えている。演算増幅器Ｏ
Ｐの非反転入力端子には、演算増幅器ＯＰの動作点の電
位をＶｒに設定するべく基準電位Ｖｒが接続されてい
る。動作点の電位をＶｒに設定することで、１個の電源
による演算増幅器ＯＰの駆動を可能としている。
入力端子に接続される演算増幅器ＯＰと、演算増幅器Ｏ
Ｐの出力端子と反転入力端子との間に介設された帰還用
のコンデンサＣｆと、コンデンサＣｆと並列接続された
第１の抵抗回路素子Ｚ１とを備えている。演算増幅器Ｏ
Ｐの非反転入力端子には、演算増幅器ＯＰの動作点の電
位をＶｒに設定するべく基準電位Ｖｒが接続されてい
る。動作点の電位をＶｒに設定することで、１個の電源
による演算増幅器ＯＰの駆動を可能としている。
【００３０】ハイパスフィルタ２２は、演算増幅器１の
出力側と出力端Ｐｏｕｔとの間に介設されたコンデンサ
Ｃ１と、出力端Ｐｏｕｔと接地間との間に基準電位Ｖｒ
を介して接続された第２の抵抗回路素子Ｚ２とから構成
されている。また、第２の抵抗回路素子Ｚ２の一端に
は、ハイパスフィルタ２２の基準電位をＶｒに設定する
ために基準電位Ｖｒが接続されている。
出力側と出力端Ｐｏｕｔとの間に介設されたコンデンサ
Ｃ１と、出力端Ｐｏｕｔと接地間との間に基準電位Ｖｒ
を介して接続された第２の抵抗回路素子Ｚ２とから構成
されている。また、第２の抵抗回路素子Ｚ２の一端に
は、ハイパスフィルタ２２の基準電位をＶｒに設定する
ために基準電位Ｖｒが接続されている。
【００３１】電流電圧変換部２１は、演算増幅器ＯＰの
出力端子と反転入力端子との間にコンデンサＣｆ及び第
１の抵抗回路素子Ｚ１が並列接続されているため、ロー
パスフィルタとしての特性を有しており、後段に直列接
続されたハイパスフィルタ２２とで、２次のバンドパス
フィルタとしての特性を有している。
出力端子と反転入力端子との間にコンデンサＣｆ及び第
１の抵抗回路素子Ｚ１が並列接続されているため、ロー
パスフィルタとしての特性を有しており、後段に直列接
続されたハイパスフィルタ２２とで、２次のバンドパス
フィルタとしての特性を有している。
【００３２】ローパスフィルタとしての特性を有する電
流電圧変換部２１の遮断周波数ｆｃｈは、第１の抵抗回
路素子Ｚ１のインピーダンスＺ１及びコンデンサＣｆの
容量Ｃｆの関係からｆｃｈ＝１／(２π・Ｚ１・Ｃｆ)と
表わされ、高域遮断周波数ｆｃｈより高い周波数成分
は、コンデンサＣｆのインピーダンス成分１／(２π・
ｆ・Ｃｆ)により電流電圧変換が行われる。Ｓ／Ｎ比の
低減による高安定の電流電圧変換を行うためには、帰還
用のコンデンサＣｆのインピーダンス成分により電流電
圧変換を行うのが好ましい。しかも、０．１〜１．０Ｈ
ｚの周波数帯域が人体検知においては重要であるため、
本電流電圧変換回路２では、電流電圧変換部２１の遮断
周波数ｆｃｈ＝１／(２π・Ｚ１・Ｃｆ)の値を０．１Ｈ
ｚあるいは０．１Ｈｚよりも小さな値に設定し、０．１
〜１．０Ｈｚの電流信号をコンデンサＣｆのインピーダ
ンス成分により電流電圧変換するようにしている。
流電圧変換部２１の遮断周波数ｆｃｈは、第１の抵抗回
路素子Ｚ１のインピーダンスＺ１及びコンデンサＣｆの
容量Ｃｆの関係からｆｃｈ＝１／(２π・Ｚ１・Ｃｆ)と
表わされ、高域遮断周波数ｆｃｈより高い周波数成分
は、コンデンサＣｆのインピーダンス成分１／(２π・
ｆ・Ｃｆ)により電流電圧変換が行われる。Ｓ／Ｎ比の
低減による高安定の電流電圧変換を行うためには、帰還
用のコンデンサＣｆのインピーダンス成分により電流電
圧変換を行うのが好ましい。しかも、０．１〜１．０Ｈ
ｚの周波数帯域が人体検知においては重要であるため、
本電流電圧変換回路２では、電流電圧変換部２１の遮断
周波数ｆｃｈ＝１／(２π・Ｚ１・Ｃｆ)の値を０．１Ｈ
ｚあるいは０．１Ｈｚよりも小さな値に設定し、０．１
〜１．０Ｈｚの電流信号をコンデンサＣｆのインピーダ
ンス成分により電流電圧変換するようにしている。
【００３３】次に、電流電圧変換回路２の動作について
説明する。焦電素子１から出力された電流信号のうち、
高周波成分は、コンデンサＣｆのインピーダンス成分１
／(２π・ｆ・Ｃｆ)で電流電圧変換され、低周波成分
は、第１の抵抗回路素子Ｚ１により電流電圧変換され
る。次いで、ハイパスフィルタ２２により、動作点の変
動分をカットするため遮断周波数ｆｃｌ＝１／(２π・
Ｃ１・Ｚ２)以下の低周波成分がカットされ、出力端Ｐ
ｏｕｔから電圧信号として出力される。
説明する。焦電素子１から出力された電流信号のうち、
高周波成分は、コンデンサＣｆのインピーダンス成分１
／(２π・ｆ・Ｃｆ)で電流電圧変換され、低周波成分
は、第１の抵抗回路素子Ｚ１により電流電圧変換され
る。次いで、ハイパスフィルタ２２により、動作点の変
動分をカットするため遮断周波数ｆｃｌ＝１／(２π・
Ｃ１・Ｚ２)以下の低周波成分がカットされ、出力端Ｐ
ｏｕｔから電圧信号として出力される。
【００３４】このように、本電流電圧変換回路２では、
ローパスフィルタとしての特性を有する電流電圧変換部
２１とハイパスフィルタ２２とを直列接続して構成して
いるため、回路素子の抵抗値、容量値が変動しても、イ
ンピーダンス特性のピーク付近の傾きが急峻となならな
いため、安定した電流電圧変換を行うことができる。
ローパスフィルタとしての特性を有する電流電圧変換部
２１とハイパスフィルタ２２とを直列接続して構成して
いるため、回路素子の抵抗値、容量値が変動しても、イ
ンピーダンス特性のピーク付近の傾きが急峻となならな
いため、安定した電流電圧変換を行うことができる。
【００３５】(第１実施形態)図２は、第１実施形態にお
ける電流電圧変換回路を示している。第１実施形態に係
る電流電圧変換回路２は、第１の抵抗回路素子Ｚ１を、
不純物がドープされていないポリシリコンからなる抵抗
(以下、ノンドープポリシリ抵抗Ｒ１という。)により構
成したものである。ノンドープポリシリ抵抗Ｒ１は、例
えば、集積回路の製造工程において、ポリシリコンに不
純物がドープされないようにマスキングを施すだけで、
小型かつ高抵抗の抵抗材を容易に得ることができる。こ
のように第１実施形態によれば、高抵抗の抵抗材を容易
に得ることができる。
ける電流電圧変換回路を示している。第１実施形態に係
る電流電圧変換回路２は、第１の抵抗回路素子Ｚ１を、
不純物がドープされていないポリシリコンからなる抵抗
(以下、ノンドープポリシリ抵抗Ｒ１という。)により構
成したものである。ノンドープポリシリ抵抗Ｒ１は、例
えば、集積回路の製造工程において、ポリシリコンに不
純物がドープされないようにマスキングを施すだけで、
小型かつ高抵抗の抵抗材を容易に得ることができる。こ
のように第１実施形態によれば、高抵抗の抵抗材を容易
に得ることができる。
【００３６】(第２実施形態)図３は、第２実施形態に係
る電流電圧変換回路を示している。第２実施形態の電流
電圧変換回路２は、第１の抵抗回路素子Ｚ１として、ダ
イオードＤＡ及びＤＢをそれぞれ逆方向に並列接続した
ものである。すなわち、ダイオードＤＡは、アノードが
演算増幅器ＯＰの反転入力端子に接続され、カソードが
演算増幅器ＯＰの出力端子に接続されている。ダイオー
ドＤＢは、アノードが演算増幅器ＯＰの出力端子に接続
されており、カソードが演算増幅器ＯＰの反転入力端子
に接続されている。
る電流電圧変換回路を示している。第２実施形態の電流
電圧変換回路２は、第１の抵抗回路素子Ｚ１として、ダ
イオードＤＡ及びＤＢをそれぞれ逆方向に並列接続した
ものである。すなわち、ダイオードＤＡは、アノードが
演算増幅器ＯＰの反転入力端子に接続され、カソードが
演算増幅器ＯＰの出力端子に接続されている。ダイオー
ドＤＢは、アノードが演算増幅器ＯＰの出力端子に接続
されており、カソードが演算増幅器ＯＰの反転入力端子
に接続されている。
【００３７】ダイオードＤＡ及びＤＢは、本電流電圧変
換回路２の通常動作時においては、オフ常態であり、高
抵抗の抵抗材として機能するものである。本電流電圧変
換回路は、小さな振幅レベルの信号を取り扱うものであ
るため、通常動作時においては、演算増幅器ＯＰの反転
入力端子及び出力端子間の電位差は、ダイオードＤＡ及
びＤＢのスレショルド電圧Ｖｆよりも小さい。このた
め、ダイオードＤＡ及びＤＢはいずれもオフであり、ダ
イオードＤＡ及びＤＢのオフ抵抗は大きいため、ダイオ
ードＤＡ及びＤＢは、高抵抗材として機能するのであ
る。
換回路２の通常動作時においては、オフ常態であり、高
抵抗の抵抗材として機能するものである。本電流電圧変
換回路は、小さな振幅レベルの信号を取り扱うものであ
るため、通常動作時においては、演算増幅器ＯＰの反転
入力端子及び出力端子間の電位差は、ダイオードＤＡ及
びＤＢのスレショルド電圧Ｖｆよりも小さい。このた
め、ダイオードＤＡ及びＤＢはいずれもオフであり、ダ
イオードＤＡ及びＤＢのオフ抵抗は大きいため、ダイオ
ードＤＡ及びＤＢは、高抵抗材として機能するのであ
る。
【００３８】また、ダイオードＤＡ及びＤＢは、電流信
号に含まれるノイズなどの影響により、演算増幅器ＯＰ
から出力される電圧信号の振幅レベルが演算増幅器に供
給される電源電圧以上となり、出力される電圧信号が飽
和した場合、演算増幅器ＯＰの出力端子及び反転入力端
子間の電位差が、ダイオードＤＡ及びＤＢのスレショル
ド電圧Ｖｆ以上となって、ダイオードＤＡ及びＤＢのい
ずれか一方がオンとなるため、このオン抵抗による抵抗
値を有する抵抗材として機能する。例えば、演算増幅器
ＯＰの出力端子の電位が反転入力端子の電位に対してス
レショルド電圧Ｖｆ以上になった場合、ダイオードＤＢ
はオンとなり、第１の抵抗回路素子Ｚ１は、このダイオ
ードＤＢのオン抵抗の抵抗値を有する抵抗材となる。
号に含まれるノイズなどの影響により、演算増幅器ＯＰ
から出力される電圧信号の振幅レベルが演算増幅器に供
給される電源電圧以上となり、出力される電圧信号が飽
和した場合、演算増幅器ＯＰの出力端子及び反転入力端
子間の電位差が、ダイオードＤＡ及びＤＢのスレショル
ド電圧Ｖｆ以上となって、ダイオードＤＡ及びＤＢのい
ずれか一方がオンとなるため、このオン抵抗による抵抗
値を有する抵抗材として機能する。例えば、演算増幅器
ＯＰの出力端子の電位が反転入力端子の電位に対してス
レショルド電圧Ｖｆ以上になった場合、ダイオードＤＢ
はオンとなり、第１の抵抗回路素子Ｚ１は、このダイオ
ードＤＢのオン抵抗の抵抗値を有する抵抗材となる。
【００３９】このダイオードＤＢのオン抵抗は小さいた
め、電流電圧変換回路２の時定数は小さくなる。この結
果、ダイオードＤＢを介して多くの帰還電流が流れ、帰
還作用が高まるため、飽和状態にあった電圧信号は速や
かに、通常動作時の振幅レベルを有する電圧信号へ戻さ
れる。
め、電流電圧変換回路２の時定数は小さくなる。この結
果、ダイオードＤＢを介して多くの帰還電流が流れ、帰
還作用が高まるため、飽和状態にあった電圧信号は速や
かに、通常動作時の振幅レベルを有する電圧信号へ戻さ
れる。
【００４０】また、第１の抵抗回路素子Ｚ１を、ダイオ
ードを逆方向に並列接続して構成しているため、回路を
簡素に構成することができ、回路の小型化及び低コスト
化が可能となる。
ードを逆方向に並列接続して構成しているため、回路を
簡素に構成することができ、回路の小型化及び低コスト
化が可能となる。
【００４１】このように、第２実施形態の電流電圧変換
回路２によれば、第１の抵抗回路素子Ｚ１を小型かつ低
コストで実現することができるとともに、出力される電
圧信号が飽和状態にあっても、速やかに通常動作時の振
幅レベルに戻すことのできる抵抗材にすることができ
る。
回路２によれば、第１の抵抗回路素子Ｚ１を小型かつ低
コストで実現することができるとともに、出力される電
圧信号が飽和状態にあっても、速やかに通常動作時の振
幅レベルに戻すことのできる抵抗材にすることができ
る。
【００４２】(第３実施形態)図４は、第３実施形態に係
る電流電圧変換回路を示している。この電流電圧変換回
路２は、第１の抵抗回路素子Ｚ１として、スイッチトキ
ャパシタＳＣを用いたものである。スイッチトキャパシ
タＳＣは、例えばＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子
とコンデンサとを組み合わせ、クロックパルス(図略)で
スイッチング素子をオン・オフ制御することによって、
等価的に抵抗材として機能するものである。スイッチト
キャパシタＳＣの等価抵抗値Ｒの値は、スイッチング素
子をスイッチングする周波数(サンプリング周波数)を
ｆ、容量をＣとすると、Ｒ＝１／ｆＣと表わされる。サ
ンプリング周波数ｆを小さくし、かつ、スイッチトキャ
パシタの容量Ｃを小さく設定することで、スイッチトキ
ャパシタＳＣとして高抵抗のものを得ることができる。
る電流電圧変換回路を示している。この電流電圧変換回
路２は、第１の抵抗回路素子Ｚ１として、スイッチトキ
ャパシタＳＣを用いたものである。スイッチトキャパシ
タＳＣは、例えばＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子
とコンデンサとを組み合わせ、クロックパルス(図略)で
スイッチング素子をオン・オフ制御することによって、
等価的に抵抗材として機能するものである。スイッチト
キャパシタＳＣの等価抵抗値Ｒの値は、スイッチング素
子をスイッチングする周波数(サンプリング周波数)を
ｆ、容量をＣとすると、Ｒ＝１／ｆＣと表わされる。サ
ンプリング周波数ｆを小さくし、かつ、スイッチトキャ
パシタの容量Ｃを小さく設定することで、スイッチトキ
ャパシタＳＣとして高抵抗のものを得ることができる。
【００４３】また、スイッチトキャパシタＳＣを採用す
ることで、高抵抗でありながら優れた温度特性を有する
抵抗材を得ることができるとともに、回路を小型にする
ことができる。
ることで、高抵抗でありながら優れた温度特性を有する
抵抗材を得ることができるとともに、回路を小型にする
ことができる。
【００４４】本電流電圧変換回路２においては、サンプ
リング周波数ｆ＝３５Ｈｚ、容量Ｃ＝０．１ｐＦとし
て、等価抵抗値ＲをＲ＝１／(３５Ｈｚ×０．１ｐＦ)＝
２８６ＧΩとし、第１の抵抗回路素子Ｚ１の抵抗値とし
て好適な値としている。
リング周波数ｆ＝３５Ｈｚ、容量Ｃ＝０．１ｐＦとし
て、等価抵抗値ＲをＲ＝１／(３５Ｈｚ×０．１ｐＦ)＝
２８６ＧΩとし、第１の抵抗回路素子Ｚ１の抵抗値とし
て好適な値としている。
【００４５】このように、第３実施形態によれば、第１
の抵抗回路素子Ｚ１を、小型にすることができるととも
に、高抵抗でありながら温度特性の優れた抵抗材にする
ことができる。
の抵抗回路素子Ｚ１を、小型にすることができるととも
に、高抵抗でありながら温度特性の優れた抵抗材にする
ことができる。
【００４６】(第４実施形態)図５は、第４実施形態に係
る電流電圧変換回路を示している。この電流電圧変換回
路２は、第２の抵抗回路素子Ｚ２として、ノンドープポ
リシリ抵抗Ｒ２を用いたものである。ハイパスフィルタ
２２の第２の抵抗回路素子Ｚ２として、ノンドープポリ
シリ抵抗Ｒ２を用いることにより、第２の抵抗回路素子
Ｚ２として高抵抗の抵抗材を容易に得ることができる。
る電流電圧変換回路を示している。この電流電圧変換回
路２は、第２の抵抗回路素子Ｚ２として、ノンドープポ
リシリ抵抗Ｒ２を用いたものである。ハイパスフィルタ
２２の第２の抵抗回路素子Ｚ２として、ノンドープポリ
シリ抵抗Ｒ２を用いることにより、第２の抵抗回路素子
Ｚ２として高抵抗の抵抗材を容易に得ることができる。
【００４７】(第５実施形態)図６は、第５実施形態に係
る電流電圧変換回路を示している。この電流電圧変換回
路２は、第２の抵抗回路素子Ｚ２として、スイッチトキ
ャパシタＳＣを用いたものである。ハイパスフィルタ２
２の第２の抵抗回路素子Ｚ２として、スイッチトキャパ
シタＳＣを用いることにより、回路を小型にすることが
できるとともに、高抵抗でありながら温度特性の優れた
抵抗材にすることができる。
る電流電圧変換回路を示している。この電流電圧変換回
路２は、第２の抵抗回路素子Ｚ２として、スイッチトキ
ャパシタＳＣを用いたものである。ハイパスフィルタ２
２の第２の抵抗回路素子Ｚ２として、スイッチトキャパ
シタＳＣを用いることにより、回路を小型にすることが
できるとともに、高抵抗でありながら温度特性の優れた
抵抗材にすることができる。
【００４８】なお、本発明は、以下の態様を採ることが
できる。
できる。
【００４９】(１)上記第１〜第３実施形態では、第２の
抵抗回路素子Ｚ２を特に限定していないが、第２の抵抗
回路素子Ｚ２として、第４実施形態で示したノンドープ
ポリシリ抵抗Ｒ２、あるいは、第５実施形態で示したス
イッチトキャパシタＳＣを用いてもよい。
抵抗回路素子Ｚ２を特に限定していないが、第２の抵抗
回路素子Ｚ２として、第４実施形態で示したノンドープ
ポリシリ抵抗Ｒ２、あるいは、第５実施形態で示したス
イッチトキャパシタＳＣを用いてもよい。
【００５０】(２)上記第４及び第５実施形態では、第１
の抵抗回路素子Ｚ１を特に限定していないが、第１の抵
抗回路素子Ｚ１として、第１実施形態に示したノンドー
プポリシリ抵抗Ｒ１、第２実施形態に示したダイオード
ＤＡ及びＤＢ、第３実施形態に示したスイッチトキャパ
シタＳＣを用いてもよい。
の抵抗回路素子Ｚ１を特に限定していないが、第１の抵
抗回路素子Ｚ１として、第１実施形態に示したノンドー
プポリシリ抵抗Ｒ１、第２実施形態に示したダイオード
ＤＡ及びＤＢ、第３実施形態に示したスイッチトキャパ
シタＳＣを用いてもよい。
【００５１】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、帰還用の
コンデンサに第１の抵抗回路素子を並列接続するととも
に、演算増幅器の出力端子にハイパスフィルタを直列接
続して構成したので、安定した電流電圧変換を行うこと
ができる。
コンデンサに第１の抵抗回路素子を並列接続するととも
に、演算増幅器の出力端子にハイパスフィルタを直列接
続して構成したので、安定した電流電圧変換を行うこと
ができる。
【００５２】請求項２記載の発明によれば、第１の抵抗
回路素子として、ポリシリコンからなる抵抗を用いたた
め、容易に高抵抗の抵抗材が得ることができ。また、回
路を小型にすることができる。
回路素子として、ポリシリコンからなる抵抗を用いたた
め、容易に高抵抗の抵抗材が得ることができ。また、回
路を小型にすることができる。
【００５３】請求項３記載の発明によれば、第１の抵抗
回路素子として、互いに逆方向に接続されたダイオード
により構成したので、回路の小型化及び低コスト化を図
ることができるととともに、ノイズの影響により出力電
圧が飽和した場合であっても、速やかに通常動作時の振
幅レベルに戻すことができる。
回路素子として、互いに逆方向に接続されたダイオード
により構成したので、回路の小型化及び低コスト化を図
ることができるととともに、ノイズの影響により出力電
圧が飽和した場合であっても、速やかに通常動作時の振
幅レベルに戻すことができる。
【００５４】請求項４記載の発明によれば、第１の抵抗
回路素子として、スイッチトキャパシタにより構成した
ので、回路を小型にすることができるとともに、高抵抗
でありながら優れた温度特性を有する抵抗材を得ること
ができる。
回路素子として、スイッチトキャパシタにより構成した
ので、回路を小型にすることができるとともに、高抵抗
でありながら優れた温度特性を有する抵抗材を得ること
ができる。
【００５５】請求項５記載の発明によれば、第２の抵抗
回路素子をポリシリコン抵抗により構成したため、容易
に高抵抗の抵抗材を得ることができるとともに、回路を
小型にすることができる。
回路素子をポリシリコン抵抗により構成したため、容易
に高抵抗の抵抗材を得ることができるとともに、回路を
小型にすることができる。
【００５６】請求項６記載の発明によれば、第２の抵抗
回路素子をスイッチトキャパシタにより構成したため、
回路を小型にすることができるととともに、高抵抗であ
りながら優れた温度特性を有する抵抗材を得ることがで
きる。
回路素子をスイッチトキャパシタにより構成したため、
回路を小型にすることができるととともに、高抵抗であ
りながら優れた温度特性を有する抵抗材を得ることがで
きる。
【００５７】請求項７記載の発明によれば、安定した電
流電圧変換を行いうる焦電型赤外線検出装置を提供する
ことができる。
流電圧変換を行いうる焦電型赤外線検出装置を提供する
ことができる。
【図１】 本発明の電流電圧変換回路の基本回路構成を
示した図である。
示した図である。
【図２】 本発明の第１実施形態に係る電流電圧変換回
路を示した図である。
路を示した図である。
【図３】 本発明の第２実施形態に係る電流電圧変換回
路を示した図である。
路を示した図である。
【図４】 本発明の第３実施形態に係る電流電圧変換回
路を示した図である。
路を示した図である。
【図５】 本発明の第４実施形態に係る電流電圧変換回
路を示した図である。
路を示した図である。
【図６】 本発明の第５実施形態に係る電流電圧変換回
路を示した図である。
路を示した図である。
【図７】 従来の電流電圧変換回路を示した図である。
ＳＣ スイッチトキャパシタ
ＤＡ ダイオード
ＤＢ ダイオード
Ｒ１ ノンドープポリシリ抵抗
Ｒ２ ノンドープポリシリ抵抗
Ｖｒ 基準電圧源
ＯＰ 演算増幅器
Ｃｆ 帰還用のコンデンサ
Ｃ コンデンサ
Ｚ１ 第１の抵抗回路素子
Ｚ２ 第２の抵抗回路素子
１ 焦電素子
２ 電流電圧変換回路
２１ 電流電圧変換部
２２ ハイパスフィルタ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 高田 裕司
大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工
株式会社内
Ｆターム(参考） 5J090 AA01 AA47 AA56 CA02 CA92
DN02 FA17 FA20 HA19 HA25
HA29 HA32 HA38 HA44 HN18
KA00 KA01 KA27 KA46 MA11
MN03 NN12 TA01
5J092 AA01 AA47 AA56 CA02 CA92
FA17 FA20 HA19 HA25 HA29
HA32 HA38 HA44 KA00 KA01
KA27 KA46 MA11 TA01 UL01
5J500 AA01 AA47 AA56 AC02 AC92
AF17 AF20 AH19 AH25 AH29
AH32 AH38 AH44 AK00 AK01
AK27 AK46 AM11 AT01 LU01
ND02 NH18 NM03 NN12
Claims (7)
- 【請求項１】 焦電素子に接続される演算増幅器と、前
記演算増幅器の入出力間に接続された帰還用のコンデン
サと、前記コンデンサと並列接続された高抵抗を有する
帰還用の第１の抵抗回路素子とを備えると共に、前記演
算増幅器の出力側にハイパスフィルタが接続されてなる
電流電圧変換回路。 - 【請求項２】 前記第１の抵抗回路素子はポリシリコン
を抵抗材とするものであることを特徴とする請求項１記
載の電流電圧変換回路。 - 【請求項３】 前記第１の抵抗回路素子は互いに逆向き
に並列接続されたダイオードにより構成されていること
を特徴とする請求項１記載の電流電圧変換回路。 - 【請求項４】 前記第１の抵抗回路素子はスイッチトキ
ャパシタにより構成されていることを特徴とする請求項
１記載の電流電圧変換回路。 - 【請求項５】 前記ハイパスフィルタは高抵抗を有する
第２の抵抗回路素子を有し、この第２の抵抗回路素子は
ポリシリコンを抵抗材とするものであることを特徴とす
る請求項１〜４のいずれかに記載の電流電圧変換回路。 - 【請求項６】 前記ハイパスフィルタは高抵抗を有する
第２の抵抗回路素子を有し、この第２の抵抗回路素子は
スイッチトキャパシタにより構成されていることを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載の電流電圧変換回
路。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の電流電
圧変換回路の演算増幅器の入力側に、赤外光を受光し電
流として出力する焦電素子が接続されてなる焦電型赤外
線検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001361701A JP4006985B2 (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 焦電型赤外線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001361701A JP4006985B2 (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 焦電型赤外線検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003163546A true JP2003163546A (ja) | 2003-06-06 |
| JP4006985B2 JP4006985B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=19172312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001361701A Expired - Fee Related JP4006985B2 (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 焦電型赤外線検出装置 |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008301216A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | 増幅回路及びそれを用いた熱検知装置 |
| JP2010154394A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | チャージアンプ回路 |
| JP2012013578A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線検出装置 |
| JP2015005257A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | 日本電信電話株式会社 | センサインタフェース回路及び制御方法 |
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-
2001
- 2001-11-27 JP JP2001361701A patent/JP4006985B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| EP3141877A3 (de) * | 2013-09-05 | 2017-06-07 | ELMOS Semiconductor Aktiengesellschaft | Vorrichtung und verfahren zum betreiben passiver infrarotsensoren |
| US9829382B2 (en) | 2013-09-05 | 2017-11-28 | Elmos Semiconductor Ag | Device for operating passive infrared sensors |
| US10444077B2 (en) | 2013-09-05 | 2019-10-15 | Elmos Semiconductor Ag | Device for operating passive infrared sensors |
| CN111025951A (zh) * | 2018-10-09 | 2020-04-17 | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 | 一种用于进行信号转换的系统 |
| CN114706116A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-07-05 | 山东大学 | 一种基于fpga的探测器读出电子学系统 |
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|---|---|
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