JP2003163413A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カレントミラータイプの特長を損なうことな
く、オフセット電圧を容易にキャンセルして半導体レー
ザの発光量調整を正確に行うことができると共に、半導
体レーザＬＤにおける光出力Ｐｏの広帯域化及び集積化
を容易に実現することができる半導体レーザ装置を得
る。 【解決手段】 フォトダイオードＰＤから流れるモニタ
電流Ｉｍをカレントミラー回路２４又は２４ａを介して
可変抵抗２５に供給し、可変抵抗２５で該モニタ電流Ｉ
ｍを電圧に変換して駆動回路部２又は２ａに印加する構
成において、カレントミラー回路２４又は２４ａにバイ
アス電流Ｉｂを供給する定電流源２０を有すると共に、
可変抵抗２５と並列に電流Ｉｂを供給する定電流源２１
を挿入するようにした。
く、オフセット電圧を容易にキャンセルして半導体レー
ザの発光量調整を正確に行うことができると共に、半導
体レーザＬＤにおける光出力Ｐｏの広帯域化及び集積化
を容易に実現することができる半導体レーザ装置を得
る。 【解決手段】 フォトダイオードＰＤから流れるモニタ
電流Ｉｍをカレントミラー回路２４又は２４ａを介して
可変抵抗２５に供給し、可変抵抗２５で該モニタ電流Ｉ
ｍを電圧に変換して駆動回路部２又は２ａに印加する構
成において、カレントミラー回路２４又は２４ａにバイ
アス電流Ｉｂを供給する定電流源２０を有すると共に、
可変抵抗２５と並列に電流Ｉｂを供給する定電流源２１
を挿入するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザプリンタの
光書き込み、光データ通信及び光ディスク等に使用され
る半導体レーザ装置に関し、特に半導体レーザの発光量
を制御する回路に関する。
光書き込み、光データ通信及び光ディスク等に使用され
る半導体レーザ装置に関し、特に半導体レーザの発光量
を制御する回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは、小型、安価であり電流
を流すだけで容易にレーザ光を得ることができるため、
プリンタ、光ディスクや光通信等に広く用いられてい
る。半導体レーザは、図１１で示すように順方向電流Ｉ
ｏｐがしきい値Ｉｔｈを超えると、順方向電流に比例し
た強度のレーザ光が得られる。なお、図１１において、
図１１(ａ)は、半導体レーザの特性例を、図１１(ｂ)
は、フォトダイオードの特性例をそれぞれ示している。
しかし、半導体レーザにおける電流‐光出力特性は温度
特性を有するため、常に一定の光出力を得ようとする場
合には半導体レーザの順方向電流を制御する制御回路が
必要となる。このような半導体レーザの発光量制御はＡ
ＰＣ（Automatic Power Control）と呼ばれている。
を流すだけで容易にレーザ光を得ることができるため、
プリンタ、光ディスクや光通信等に広く用いられてい
る。半導体レーザは、図１１で示すように順方向電流Ｉ
ｏｐがしきい値Ｉｔｈを超えると、順方向電流に比例し
た強度のレーザ光が得られる。なお、図１１において、
図１１(ａ)は、半導体レーザの特性例を、図１１(ｂ)
は、フォトダイオードの特性例をそれぞれ示している。
しかし、半導体レーザにおける電流‐光出力特性は温度
特性を有するため、常に一定の光出力を得ようとする場
合には半導体レーザの順方向電流を制御する制御回路が
必要となる。このような半導体レーザの発光量制御はＡ
ＰＣ（Automatic Power Control）と呼ばれている。
【０００３】ＡＰＣには、半導体レーザに内蔵されたＰ
ＩＮフォトダイオード（以下、フォトダイオードと呼
ぶ）の出力電流が用いられる。該電流は、レーザ光の強
度に比例して増減するが温度には依存しないために、Ａ
ＰＣでは、この電流をモニタして一定にすることで半導
体レーザの発光量が一定になるように制御するが、該発
光量に対応したフォトダイオードＰＤの出力電流（以
下、これをモニタ電流と呼ぶ）Ｉｍを電圧に変換する必
要があった。このようなＡＰＣを行う従来の半導体レー
ザ装置の例として、図１２及び図１３で示したようなも
のがあった。
ＩＮフォトダイオード（以下、フォトダイオードと呼
ぶ）の出力電流が用いられる。該電流は、レーザ光の強
度に比例して増減するが温度には依存しないために、Ａ
ＰＣでは、この電流をモニタして一定にすることで半導
体レーザの発光量が一定になるように制御するが、該発
光量に対応したフォトダイオードＰＤの出力電流（以
下、これをモニタ電流と呼ぶ）Ｉｍを電圧に変換する必
要があった。このようなＡＰＣを行う従来の半導体レー
ザ装置の例として、図１２及び図１３で示したようなも
のがあった。
【０００４】図１２及び図１３の半導体レーザ装置１０
０では、モニタ電流Ｉｍをカレントミラー回路１０１に
入力し、該カレントミラー回路１０１の出力側に接続さ
れた可変抵抗１０２で電流‐電圧変換を行っている。可
変抵抗１０２は、半導体レーザＬＤにおける発光量のば
らつきやモニタ電流Ｉｍのバラツキ等を補正するための
ものである。駆動回路部１０３は、外部から印加される
発光量制御電圧Ｖｃｏｎと可変抵抗１０２で発生した電
圧Ｖｉが一致するように半導体レーザＬＤの駆動制御を
行い、半導体レーザＬＤから所望の発光量を得ることが
できる。
０では、モニタ電流Ｉｍをカレントミラー回路１０１に
入力し、該カレントミラー回路１０１の出力側に接続さ
れた可変抵抗１０２で電流‐電圧変換を行っている。可
変抵抗１０２は、半導体レーザＬＤにおける発光量のば
らつきやモニタ電流Ｉｍのバラツキ等を補正するための
ものである。駆動回路部１０３は、外部から印加される
発光量制御電圧Ｖｃｏｎと可変抵抗１０２で発生した電
圧Ｖｉが一致するように半導体レーザＬＤの駆動制御を
行い、半導体レーザＬＤから所望の発光量を得ることが
できる。
【０００５】図１２及び図１３で示した回路を使用する
利点は、高精度の増幅器を必要としないことと、消費電
力を低減させることができ集積化に適するという点であ
る。また、フォトダイオードＰＤの接合容量の影響を低
減させることができ、ＡＰＣ制御に要する時間を短縮す
ることができる場合があった。図１２のような回路は、
特開平５−６３２７３号公報で開示されており、図１３
のような回路は、実用新案登録第２５１９５６１号公報
で開示されている。
利点は、高精度の増幅器を必要としないことと、消費電
力を低減させることができ集積化に適するという点であ
る。また、フォトダイオードＰＤの接合容量の影響を低
減させることができ、ＡＰＣ制御に要する時間を短縮す
ることができる場合があった。図１２のような回路は、
特開平５−６３２７３号公報で開示されており、図１３
のような回路は、実用新案登録第２５１９５６１号公報
で開示されている。
【０００６】図１３では、定電流源１０４によってカレ
ントミラー回路１０１にバイアス電流を供給することに
より、ゲート容量等のようなトランジスタの寄生容量
や、フォトダイオードＰＤの寄生接合容量をそれぞれチ
ャージさせておくことができる。このため、フォトダイ
オードＰＤの出力電流に対する発光量制御の応答性を更
に速くすることができ、ＡＰＣ制御帯域を広げることが
できる。近年レーザプリンタ、複写機は高速化が著し
く、ＡＰＣ制御を高速に行う意義は非常に大きい。
ントミラー回路１０１にバイアス電流を供給することに
より、ゲート容量等のようなトランジスタの寄生容量
や、フォトダイオードＰＤの寄生接合容量をそれぞれチ
ャージさせておくことができる。このため、フォトダイ
オードＰＤの出力電流に対する発光量制御の応答性を更
に速くすることができ、ＡＰＣ制御帯域を広げることが
できる。近年レーザプリンタ、複写機は高速化が著し
く、ＡＰＣ制御を高速に行う意義は非常に大きい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１３のよう
に、定電流源１０４によってカレントミラー回路１０１
にあらかじめ供給されるバイアス電流Ｉｂにより、電圧
Ｖｉにオフセット電圧（バイアス電流Ｉｂ×可変抵抗１
０２の抵抗値Ｒ）が発生する。可変抵抗値Ｒ及びモニタ
電流Ｉｍは、使用する機器によってその都度異なるた
め、該オフセット電圧も当然異なる。このようなオフセ
ット電圧が生じると、発光量制御電圧Ｖｃｏｎと半導体
レーザＬＤの光出力Ｐｏとの間にオフセットが生じるこ
とになる。
に、定電流源１０４によってカレントミラー回路１０１
にあらかじめ供給されるバイアス電流Ｉｂにより、電圧
Ｖｉにオフセット電圧（バイアス電流Ｉｂ×可変抵抗１
０２の抵抗値Ｒ）が発生する。可変抵抗値Ｒ及びモニタ
電流Ｉｍは、使用する機器によってその都度異なるた
め、該オフセット電圧も当然異なる。このようなオフセ
ット電圧が生じると、発光量制御電圧Ｖｃｏｎと半導体
レーザＬＤの光出力Ｐｏとの間にオフセットが生じるこ
とになる。
【０００８】図１４及び図１５を用いて、オフセット電
圧がある場合とない場合との違いについて説明する。な
お、図１４及び図１５において、αは比例定数を示して
いる。図１４は、オフセット電圧がない場合を示してお
り、図１４(ａ)は光出力Ｐｏとモニタ電流Ｉｍとの関係
例を示し、光出力Ｐｏとモニタ電流Ｉｍが比例している
ことが分かる。図１４(ｂ)は電圧Ｖｉとモニタ電流Ｉｍ
との関係例を示しており、Ｖｉ＝Ｒ×Ｉｍであることか
ら電圧Ｖｉとモニタ電流Ｉｍは比例していることが分か
る。
圧がある場合とない場合との違いについて説明する。な
お、図１４及び図１５において、αは比例定数を示して
いる。図１４は、オフセット電圧がない場合を示してお
り、図１４(ａ)は光出力Ｐｏとモニタ電流Ｉｍとの関係
例を示し、光出力Ｐｏとモニタ電流Ｉｍが比例している
ことが分かる。図１４(ｂ)は電圧Ｖｉとモニタ電流Ｉｍ
との関係例を示しており、Ｖｉ＝Ｒ×Ｉｍであることか
ら電圧Ｖｉとモニタ電流Ｉｍは比例していることが分か
る。
【０００９】また、図１４(ｃ)は電圧Ｖｉと光出力Ｐｏ
との関係例を示しており、電圧Ｖｉと光出力Ｐｏが比例
していることが分かる。一方、電圧Ｖｉは、発光量制御
電圧Ｖｃｏｎと一致するようにＡＰＣ制御が行われるこ
とから、図１４(ｄ)で示しているように、発光量制御電
圧Ｖｃｏｎと光出力Ｐｏは比例している。すなわち、発
光量制御電圧Ｖｃｏｎによって光出力Ｐｏをリニアに制
御することができる。
との関係例を示しており、電圧Ｖｉと光出力Ｐｏが比例
していることが分かる。一方、電圧Ｖｉは、発光量制御
電圧Ｖｃｏｎと一致するようにＡＰＣ制御が行われるこ
とから、図１４(ｄ)で示しているように、発光量制御電
圧Ｖｃｏｎと光出力Ｐｏは比例している。すなわち、発
光量制御電圧Ｖｃｏｎによって光出力Ｐｏをリニアに制
御することができる。
【００１０】図１５は、オフセット電圧がある場合を示
しており、図１５(ａ)は光出力Ｐｏとモニタ電流Ｉｍと
の関係例を示し、図１４(ａ)の場合と同様に光出力Ｐｏ
とモニタ電流Ｉｍが比例していることが分かる。しか
し、図１５(ｂ)から分かるように、電圧Ｖｉとモニタ電
流Ｉｍとの関係において、電圧Ｖｉがオフセット電圧を
有していることが分かる。
しており、図１５(ａ)は光出力Ｐｏとモニタ電流Ｉｍと
の関係例を示し、図１４(ａ)の場合と同様に光出力Ｐｏ
とモニタ電流Ｉｍが比例していることが分かる。しか
し、図１５(ｂ)から分かるように、電圧Ｖｉとモニタ電
流Ｉｍとの関係において、電圧Ｖｉがオフセット電圧を
有していることが分かる。
【００１１】したがって、電圧Ｖｉと光出力Ｐｏとの関
係例を示した図１５(ｃ)においても、電圧Ｖｉがオフセ
ット電圧を有している。また、Ｖｉ＝Ｖｃｏｎとなるよ
うにＡＰＣ制御が行われた場合も、図１５(ｄ)で示して
いるように、発光量制御電圧Ｖｃｏｎと光出力Ｐｏとの
関係において、発光量制御電圧Ｖｃｏｎがオフセット電
圧を有している。発光量制御電圧Ｖｃｏｎは、レーザプ
リンタ等における印字濃度の調整に使用され、フルスケ
ールの値があらかじめ決められている。図１４(ｄ)と図
１５(ｄ)とを比較すると、同じフルスケール内で発光量
制御電圧Ｖｃｏｎを変化させても、オフセット電圧があ
ると、半導体レーザＬＤの光出力Ｐｏの可変範囲が狭く
なるという問題があった。また、オフセット電圧は機器
ごとに異なるため、該オフセット電圧を検出してなくす
ようにする必要があった。
係例を示した図１５(ｃ)においても、電圧Ｖｉがオフセ
ット電圧を有している。また、Ｖｉ＝Ｖｃｏｎとなるよ
うにＡＰＣ制御が行われた場合も、図１５(ｄ)で示して
いるように、発光量制御電圧Ｖｃｏｎと光出力Ｐｏとの
関係において、発光量制御電圧Ｖｃｏｎがオフセット電
圧を有している。発光量制御電圧Ｖｃｏｎは、レーザプ
リンタ等における印字濃度の調整に使用され、フルスケ
ールの値があらかじめ決められている。図１４(ｄ)と図
１５(ｄ)とを比較すると、同じフルスケール内で発光量
制御電圧Ｖｃｏｎを変化させても、オフセット電圧があ
ると、半導体レーザＬＤの光出力Ｐｏの可変範囲が狭く
なるという問題があった。また、オフセット電圧は機器
ごとに異なるため、該オフセット電圧を検出してなくす
ようにする必要があった。
【００１２】本発明は、前記のような問題を解決するた
めになされたものであり、カレントミラータイプの特長
を損なうことなく、オフセット電圧を容易にキャンセル
して半導体レーザの発光量調整を正確に行うことができ
ると共に、半導体レーザＬＤにおける光出力Ｐｏの広帯
域化及び集積化を容易に実現することができる半導体レ
ーザ装置を得ることを目的とする。
めになされたものであり、カレントミラータイプの特長
を損なうことなく、オフセット電圧を容易にキャンセル
して半導体レーザの発光量調整を正確に行うことができ
ると共に、半導体レーザＬＤにおける光出力Ｐｏの広帯
域化及び集積化を容易に実現することができる半導体レ
ーザ装置を得ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ装置は、半導体レーザと、入力される制御信号に応
じて該半導体レーザに流れる電流を制御して半導体レー
ザの駆動を行う駆動回路部と、前記半導体レーザの発光
量を検出し該発光量が所定値で一定になるように駆動回
路部に制御信号を出力して動作制御を行う制御回路部と
を備える半導体レーザ装置において、前記制御回路部
は、前記半導体レーザの発光量に応じた電流を出力する
フォトダイオードと、該フォトダイオードの出力電流が
入力される第１のカレントミラー回路と、該第１のカレ
ントミラー回路に所定のバイアス電流を供給する第１の
定電流源と、前記第１のカレントミラー回路の出力電流
における該第１の定電流源によるバイアス電流分をバイ
パスする第２の定電流源と、該第２の定電流源によって
前記バイアス電流分がバイパスされた第１のカレントミ
ラー回路の出力電流を電圧に変換して前記駆動回路部に
対する制御信号として出力する電流‐電圧変換回路とを
備えるものである。
ーザ装置は、半導体レーザと、入力される制御信号に応
じて該半導体レーザに流れる電流を制御して半導体レー
ザの駆動を行う駆動回路部と、前記半導体レーザの発光
量を検出し該発光量が所定値で一定になるように駆動回
路部に制御信号を出力して動作制御を行う制御回路部と
を備える半導体レーザ装置において、前記制御回路部
は、前記半導体レーザの発光量に応じた電流を出力する
フォトダイオードと、該フォトダイオードの出力電流が
入力される第１のカレントミラー回路と、該第１のカレ
ントミラー回路に所定のバイアス電流を供給する第１の
定電流源と、前記第１のカレントミラー回路の出力電流
における該第１の定電流源によるバイアス電流分をバイ
パスする第２の定電流源と、該第２の定電流源によって
前記バイアス電流分がバイパスされた第１のカレントミ
ラー回路の出力電流を電圧に変換して前記駆動回路部に
対する制御信号として出力する電流‐電圧変換回路とを
備えるものである。
【００１４】また、この発明に係る半導体レーザ装置
は、半導体レーザと、入力される制御信号に応じて該半
導体レーザに流れる電流を制御して半導体レーザの駆動
を行う駆動回路部と、前記半導体レーザの発光量を検出
し該発光量が所定値で一定になるように駆動回路部に制
御信号を出力して動作制御を行う制御回路部とを備える
半導体レーザ装置において、前記制御回路部は、前記半
導体レーザの発光量に応じた電流を出力するフォトダイ
オードと、該フォトダイオードの出力電流が入力される
第１のカレントミラー回路と、該第１のカレントミラー
回路に所定のバイアス電流を供給する第１の定電流源
と、前記第１のカレントミラー回路の出力電流における
該第１の定電流源によるバイアス電流分をバイパスする
第２の定電流源と、該第２の定電流源によって前記バイ
アス電流分がバイパスされた前記第１のカレントミラー
回路の出力電流が入力される第２のカレントミラー回路
と、該第２のカレントミラー回路の出力電流を電圧に変
換して前記駆動回路部に対する制御信号として出力する
電流‐電圧変換回路とを備えるものである。
は、半導体レーザと、入力される制御信号に応じて該半
導体レーザに流れる電流を制御して半導体レーザの駆動
を行う駆動回路部と、前記半導体レーザの発光量を検出
し該発光量が所定値で一定になるように駆動回路部に制
御信号を出力して動作制御を行う制御回路部とを備える
半導体レーザ装置において、前記制御回路部は、前記半
導体レーザの発光量に応じた電流を出力するフォトダイ
オードと、該フォトダイオードの出力電流が入力される
第１のカレントミラー回路と、該第１のカレントミラー
回路に所定のバイアス電流を供給する第１の定電流源
と、前記第１のカレントミラー回路の出力電流における
該第１の定電流源によるバイアス電流分をバイパスする
第２の定電流源と、該第２の定電流源によって前記バイ
アス電流分がバイパスされた前記第１のカレントミラー
回路の出力電流が入力される第２のカレントミラー回路
と、該第２のカレントミラー回路の出力電流を電圧に変
換して前記駆動回路部に対する制御信号として出力する
電流‐電圧変換回路とを備えるものである。
【００１５】具体的には、前記第２の定電流源は、第１
の定電流源と同じ定電流を供給するようにした。
の定電流源と同じ定電流を供給するようにした。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、図面に示す実施の形態に基
づいて、本発明を詳細に説明する。 第１の実施の形態．図１は、本発明の第１の実施の形態
における半導体レーザ装置の例を示した図である。な
お、図１では、ＣＭＯＳで構成した場合を例にして示し
ている。図１において、半導体レーザ装置１は、半導体
レーザＬＤと、入力された制御信号に応じて該半導体レ
ーザＬＤに流れる電流を制御して半導体レーザＬＤの駆
動を行う駆動回路部２と、半導体レーザＬＤの発光量を
検出し該検出した発光量が所定値で一定になるように駆
動回路部２に制御信号を出力する制御回路部３とで構成
されている。
づいて、本発明を詳細に説明する。 第１の実施の形態．図１は、本発明の第１の実施の形態
における半導体レーザ装置の例を示した図である。な
お、図１では、ＣＭＯＳで構成した場合を例にして示し
ている。図１において、半導体レーザ装置１は、半導体
レーザＬＤと、入力された制御信号に応じて該半導体レ
ーザＬＤに流れる電流を制御して半導体レーザＬＤの駆
動を行う駆動回路部２と、半導体レーザＬＤの発光量を
検出し該検出した発光量が所定値で一定になるように駆
動回路部２に制御信号を出力する制御回路部３とで構成
されている。
【００１７】駆動回路部２は、半導体レーザＬＤを駆動
するＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ（以下、ＰＭＯＳ
トランジスタと呼ぶ）１１と、制御回路部３から入力さ
れる電圧Ｖｉが外部から入力される発光量制御電圧Ｖｃ
ｏｎになるようにＰＭＯＳトランジスタ１１の動作制御
を行う制御部１２とで構成されている。電源電圧ＶＤＤ
と接地との間には、ＰＭＯＳトランジスタ１１と半導体
レーザＬＤの直列回路が接続されており、制御部１２
は、制御回路部３から入力された電圧Ｖｉが発光量制御
電圧ＶｃｏｎになるようにＰＭＯＳトランジスタ１１の
ゲートに制御信号を出力する。
するＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ（以下、ＰＭＯＳ
トランジスタと呼ぶ）１１と、制御回路部３から入力さ
れる電圧Ｖｉが外部から入力される発光量制御電圧Ｖｃ
ｏｎになるようにＰＭＯＳトランジスタ１１の動作制御
を行う制御部１２とで構成されている。電源電圧ＶＤＤ
と接地との間には、ＰＭＯＳトランジスタ１１と半導体
レーザＬＤの直列回路が接続されており、制御部１２
は、制御回路部３から入力された電圧Ｖｉが発光量制御
電圧ＶｃｏｎになるようにＰＭＯＳトランジスタ１１の
ゲートに制御信号を出力する。
【００１８】制御回路部３は、寄生接合容量Ｃ１を有す
るフォトダイオードＰＤ、定電流源２０，２１、ＰＭＯ
Ｓトランジスタ２２及び２３で形成されたカレントミラ
ー回路２４、及び半導体レーザＬＤの発光量を所望の値
に設定するために使用する可変抵抗２５で構成されてい
る。可変抵抗２５は、トリミングによって抵抗値の調整
が行われる抵抗であってもよい。なお、定電流源２０は
第１の定電流源を、定電流源２１は第２の定電流源を、
カレントミラー回路２４は第１のカレントミラー回路を
それぞれなす。電源電圧ＶＤＤはＰＭＯＳトランジスタ
２２を介してフォトダイオードＰＤのカソードに印加さ
れ、フォトダイオードＰＤのアノードは接地電圧に接続
されている。定電流源２０は、ＰＭＯＳトランジスタ２
２に所定の定電流Ｉｂをバイアス電流として供給してい
る。
るフォトダイオードＰＤ、定電流源２０，２１、ＰＭＯ
Ｓトランジスタ２２及び２３で形成されたカレントミラ
ー回路２４、及び半導体レーザＬＤの発光量を所望の値
に設定するために使用する可変抵抗２５で構成されてい
る。可変抵抗２５は、トリミングによって抵抗値の調整
が行われる抵抗であってもよい。なお、定電流源２０は
第１の定電流源を、定電流源２１は第２の定電流源を、
カレントミラー回路２４は第１のカレントミラー回路を
それぞれなす。電源電圧ＶＤＤはＰＭＯＳトランジスタ
２２を介してフォトダイオードＰＤのカソードに印加さ
れ、フォトダイオードＰＤのアノードは接地電圧に接続
されている。定電流源２０は、ＰＭＯＳトランジスタ２
２に所定の定電流Ｉｂをバイアス電流として供給してい
る。
【００１９】カレントミラー回路２４において、ＰＭＯ
Ｓトランジスタ２２及び２３の各ゲートは接続され、該
接続部はＰＭＯＳトランジスタ２２のドレインに接続さ
れており、ＰＭＯＳトランジスタ２２及び２３の各ソー
スには電源電圧ＶＤＤがそれぞれ印加されている。ま
た、ＰＭＯＳトランジスタ２３のドレインと接地電圧と
の間に可変抵抗２５と定電流源２１が並列に接続され、
ＰＭＯＳトランジスタ２３のドレインと可変抵抗２５の
接続部の電圧Ｖｉが駆動回路部２に出力される。
Ｓトランジスタ２２及び２３の各ゲートは接続され、該
接続部はＰＭＯＳトランジスタ２２のドレインに接続さ
れており、ＰＭＯＳトランジスタ２２及び２３の各ソー
スには電源電圧ＶＤＤがそれぞれ印加されている。ま
た、ＰＭＯＳトランジスタ２３のドレインと接地電圧と
の間に可変抵抗２５と定電流源２１が並列に接続され、
ＰＭＯＳトランジスタ２３のドレインと可変抵抗２５の
接続部の電圧Ｖｉが駆動回路部２に出力される。
【００２０】このような構成において、光検出器をなす
フォトダイオードＰＤの出力電流であるモニタ電流Ｉｍ
と定電流源２０からの定電流が、カレントミラー回路２
４によって可変抵抗２５に流される。定電流源２０は、
わずかな所定のバイアス電流をカレントミラー回路２４
に流すものである。半導体レーザＬＤからの光出力に応
じたモニタ電流Ｉｍが、フォトダイオードＰＤからカレ
ントミラー回路２４の入力をなすＰＭＯＳトランジスタ
２２に入力されると、カレントミラー回路２４の出力を
なすＰＭＯＳトランジスタ２３から可変抵抗２５に同様
の電流が流れる。
フォトダイオードＰＤの出力電流であるモニタ電流Ｉｍ
と定電流源２０からの定電流が、カレントミラー回路２
４によって可変抵抗２５に流される。定電流源２０は、
わずかな所定のバイアス電流をカレントミラー回路２４
に流すものである。半導体レーザＬＤからの光出力に応
じたモニタ電流Ｉｍが、フォトダイオードＰＤからカレ
ントミラー回路２４の入力をなすＰＭＯＳトランジスタ
２２に入力されると、カレントミラー回路２４の出力を
なすＰＭＯＳトランジスタ２３から可変抵抗２５に同様
の電流が流れる。
【００２１】このため、モニタ電流Ｉｍが可変抵抗２５
の電圧降下となり、モニタ電流Ｉｍが電流‐電圧変換さ
れる。ここで、定電流源２０からの定電流によってカレ
ントミラー回路２４はあらかじめバイアスされているた
め、フォトダイオードＰＤの寄生接合容量Ｃ１を充放電
する時間を短縮することができ、可変抵抗２５における
電圧降下のセトリング時間を速くすることができる。可
変抵抗２５での電圧降下を、光出力制御を行う駆動回路
部２にフィードバックすることで、高速にＡＰＣの制御
を行うことができる。
の電圧降下となり、モニタ電流Ｉｍが電流‐電圧変換さ
れる。ここで、定電流源２０からの定電流によってカレ
ントミラー回路２４はあらかじめバイアスされているた
め、フォトダイオードＰＤの寄生接合容量Ｃ１を充放電
する時間を短縮することができ、可変抵抗２５における
電圧降下のセトリング時間を速くすることができる。可
変抵抗２５での電圧降下を、光出力制御を行う駆動回路
部２にフィードバックすることで、高速にＡＰＣの制御
を行うことができる。
【００２２】このように、半導体レーザＬＤから照射さ
れたレーザ光の一部はフォトダイオードＰＤに入射し、
フォトダイオードＰＤは半導体レーザＬＤの発光強度に
比例した電流Ｉｍを出力する。ここで、カレントミラー
回路２４は定電流源２０からのバイアス電流Ｉｂにより
あらかじめバイアスされた状態にある。したがって、カ
レントミラー回路２４の出力側トランジスタであるＰＭ
ＯＳトランジスタ２３から、(Ｉｍ＋Ｉｂ)の電流が流れ
る。しかし、定電流源２０と同じ電流Ｉｂの供給を行う
定電流源２１を可変抵抗２５に並列に接続したことか
ら、電流Ｉｂは定電流源２１によってバイパスされて可
変抵抗２５にはモニタ電流Ｉｍのみが流れる。可変抵抗
２５の抵抗値をＲ２５とすると可変抵抗２５の両端には
(Ｒ２５×Ｉｍ)の電圧が発生し、定電流源２０の定電流
Ｉｂによるオフセット電圧をキャンセルすることができ
る。
れたレーザ光の一部はフォトダイオードＰＤに入射し、
フォトダイオードＰＤは半導体レーザＬＤの発光強度に
比例した電流Ｉｍを出力する。ここで、カレントミラー
回路２４は定電流源２０からのバイアス電流Ｉｂにより
あらかじめバイアスされた状態にある。したがって、カ
レントミラー回路２４の出力側トランジスタであるＰＭ
ＯＳトランジスタ２３から、(Ｉｍ＋Ｉｂ)の電流が流れ
る。しかし、定電流源２０と同じ電流Ｉｂの供給を行う
定電流源２１を可変抵抗２５に並列に接続したことか
ら、電流Ｉｂは定電流源２１によってバイパスされて可
変抵抗２５にはモニタ電流Ｉｍのみが流れる。可変抵抗
２５の抵抗値をＲ２５とすると可変抵抗２５の両端には
(Ｒ２５×Ｉｍ)の電圧が発生し、定電流源２０の定電流
Ｉｂによるオフセット電圧をキャンセルすることができ
る。
【００２３】実際の回路では、定電流源２０によるバイ
アス電流をキャンセルするために挿入された定電流源２
１は、トランジスタ、例えば制御信号として所定の定電
圧が印加された１つのトランジスタで構成されている。
該トランジスタは、ユニポーラトランジスタである場
合、飽和領域（バイポーラトランジスタでは線形領域）
で動作する必要があり、モニタ電流Ｉｍの値によっては
三極管領域（バイポーラトランジスタでは線形領域）で
動作する可能性がある。図１では、定電流源２１が、ゲ
ートに所定の電圧が印加されたＮチャネル型ＭＯＳトラ
ンジスタ（以下、ＮＭＯＳトランジスタと呼ぶ）で形成
されている場合を例にして示している。
アス電流をキャンセルするために挿入された定電流源２
１は、トランジスタ、例えば制御信号として所定の定電
圧が印加された１つのトランジスタで構成されている。
該トランジスタは、ユニポーラトランジスタである場
合、飽和領域（バイポーラトランジスタでは線形領域）
で動作する必要があり、モニタ電流Ｉｍの値によっては
三極管領域（バイポーラトランジスタでは線形領域）で
動作する可能性がある。図１では、定電流源２１が、ゲ
ートに所定の電圧が印加されたＮチャネル型ＭＯＳトラ
ンジスタ（以下、ＮＭＯＳトランジスタと呼ぶ）で形成
されている場合を例にして示している。
【００２４】図１で示した半導体レーザ装置１の構成に
おいて、モニタ電流Ｉｍの値に対する電圧Ｖｉの関係を
図２に示す。図２において、モニタ電流Ｉｍが（１）の
領域にある場合、(Ｉｍ×Ｒ２５)の値である電圧Ｖｉが
小さいと、定電流源２１のＮＭＯＳトランジスタにおけ
るソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓの値が小さく、定電流
源２１のＮＭＯＳトランジスタは三極管領域で動作する
ことになる。したがって、定電流源２１は、定電流源を
なさず、モニタ電流Ｉｍを正確に検出することができな
い。
おいて、モニタ電流Ｉｍの値に対する電圧Ｖｉの関係を
図２に示す。図２において、モニタ電流Ｉｍが（１）の
領域にある場合、(Ｉｍ×Ｒ２５)の値である電圧Ｖｉが
小さいと、定電流源２１のＮＭＯＳトランジスタにおけ
るソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓの値が小さく、定電流
源２１のＮＭＯＳトランジスタは三極管領域で動作する
ことになる。したがって、定電流源２１は、定電流源を
なさず、モニタ電流Ｉｍを正確に検出することができな
い。
【００２５】次に、モニタ電流Ｉｍが図２の（２）の領
域にある場合、モニタ電流Ｉｍが増加し、定電流源２１
のＮＭＯＳトランジスタにおけるソース・ドレイン間電
圧Ｖｄｓの値が大きくなり、定電流源２１のＮＭＯＳト
ランジスタに定電流Ｉｂが流れることから、可変抵抗２
５にモニタ電流Ｉｍが流れる。更にモニタ電流Ｉｍが図
２の（３）の領域まで増加すると、カレントミラー回路
２４の出力段をなすＰＭＯＳトランジスタ２３のソース
・ドレイン間電圧Ｖｄｓが小さくなり、ＰＭＯＳトラン
ジスタ２３から出力される電流が小さくなることから、
定電流源２１のＮＭＯＳトランジスタは再び三極管領域
で動作することになる。これらのことから、電圧Ｖｉと
モニタ電流Ｉｍが、図２における（２）の領域である場
合において、定電流源２１は、定電流源２０によるバイ
アス電流をキャンセルさせることができる。
域にある場合、モニタ電流Ｉｍが増加し、定電流源２１
のＮＭＯＳトランジスタにおけるソース・ドレイン間電
圧Ｖｄｓの値が大きくなり、定電流源２１のＮＭＯＳト
ランジスタに定電流Ｉｂが流れることから、可変抵抗２
５にモニタ電流Ｉｍが流れる。更にモニタ電流Ｉｍが図
２の（３）の領域まで増加すると、カレントミラー回路
２４の出力段をなすＰＭＯＳトランジスタ２３のソース
・ドレイン間電圧Ｖｄｓが小さくなり、ＰＭＯＳトラン
ジスタ２３から出力される電流が小さくなることから、
定電流源２１のＮＭＯＳトランジスタは再び三極管領域
で動作することになる。これらのことから、電圧Ｖｉと
モニタ電流Ｉｍが、図２における（２）の領域である場
合において、定電流源２１は、定電流源２０によるバイ
アス電流をキャンセルさせることができる。
【００２６】ここで、半導体レーザＬＤにはアノードコ
モンタイプとカソードコモンタイプがあり、図１では半
導体レーザＬＤのカソードとフォトダイオードＰＤのア
ノードが接続されたカソードコモンタイプを例にして説
明した。これに対して、半導体レーザＬＤのアノードと
フォトダイオードＰＤのカソードが接続されたアノード
コモンタイプの半導体レーザＬＤを使用した場合は、図
１の回路が図３のようになる。なお、図３では、図１と
同じものは同じ符号で示しており、ここではその説明を
省略すると共に図１との相違点のみ説明する。
モンタイプとカソードコモンタイプがあり、図１では半
導体レーザＬＤのカソードとフォトダイオードＰＤのア
ノードが接続されたカソードコモンタイプを例にして説
明した。これに対して、半導体レーザＬＤのアノードと
フォトダイオードＰＤのカソードが接続されたアノード
コモンタイプの半導体レーザＬＤを使用した場合は、図
１の回路が図３のようになる。なお、図３では、図１と
同じものは同じ符号で示しており、ここではその説明を
省略すると共に図１との相違点のみ説明する。
【００２７】図３における図１との相違点は、駆動回路
部２のＰＭＯＳトランジスタ１１をＮチャネル型ＭＯＳ
トランジスタ（以下、ＮＭＯＳトランジスタと呼ぶ）１
１ａに替え、制御回路部３のＰＭＯＳトランジスタ２２
及び２３をＮＭＯＳトランジスタ２２ａ及び２３ａに替
えたことにある。これに伴って、図１の駆動回路２を駆
動回路２ａに、図１の制御部１２を制御部１２ａに、図
１の制御回路部３を制御回路部３ａにした。
部２のＰＭＯＳトランジスタ１１をＮチャネル型ＭＯＳ
トランジスタ（以下、ＮＭＯＳトランジスタと呼ぶ）１
１ａに替え、制御回路部３のＰＭＯＳトランジスタ２２
及び２３をＮＭＯＳトランジスタ２２ａ及び２３ａに替
えたことにある。これに伴って、図１の駆動回路２を駆
動回路２ａに、図１の制御部１２を制御部１２ａに、図
１の制御回路部３を制御回路部３ａにした。
【００２８】図３において、駆動回路部２ａは、半導体
レーザＬＤを駆動するＮＭＯＳトランジスタ１１ａと、
制御回路部３ａからの制御信号に応じてＮＭＯＳトラン
ジスタ１１ａの動作制御を行う制御部１２ａとで構成さ
れている。電源電圧ＶＤＤと接地との間には、半導体レ
ーザＬＤとＮＭＯＳトランジスタ１１ａの直列回路が接
続されており、制御部１２ａは、制御回路部３ａから入
力された電圧Ｖｉが発光量制御電圧Ｖｃｏｎになるよう
にＮＭＯＳトランジスタ１１ａのゲートに制御信号を出
力する。
レーザＬＤを駆動するＮＭＯＳトランジスタ１１ａと、
制御回路部３ａからの制御信号に応じてＮＭＯＳトラン
ジスタ１１ａの動作制御を行う制御部１２ａとで構成さ
れている。電源電圧ＶＤＤと接地との間には、半導体レ
ーザＬＤとＮＭＯＳトランジスタ１１ａの直列回路が接
続されており、制御部１２ａは、制御回路部３ａから入
力された電圧Ｖｉが発光量制御電圧Ｖｃｏｎになるよう
にＮＭＯＳトランジスタ１１ａのゲートに制御信号を出
力する。
【００２９】制御回路部３ａは、寄生接合容量Ｃ１を有
するフォトダイオードＰＤ、定電流源２０，２１、ＮＭ
ＯＳトランジスタ２２ａ及び２３ａで形成されたカレン
トミラー回路２４ａ、及び半導体レーザＬＤの発光量を
所望の値に設定するために使用する可変抵抗２５で構成
されている。この場合、カレントミラー回路２４ａが第
１のカレントミラー回路をなす。フォトダイオードＰＤ
において、カソードは電源電圧ＶＤＤに接続され、アノ
ードはＮＭＯＳトランジスタ２２ａを介して接地電圧に
接続され、定電流源２０は、ＮＭＯＳトランジスタ２２
ａに所定の定電流Ｉｂをバイアス電流として供給してい
る。
するフォトダイオードＰＤ、定電流源２０，２１、ＮＭ
ＯＳトランジスタ２２ａ及び２３ａで形成されたカレン
トミラー回路２４ａ、及び半導体レーザＬＤの発光量を
所望の値に設定するために使用する可変抵抗２５で構成
されている。この場合、カレントミラー回路２４ａが第
１のカレントミラー回路をなす。フォトダイオードＰＤ
において、カソードは電源電圧ＶＤＤに接続され、アノ
ードはＮＭＯＳトランジスタ２２ａを介して接地電圧に
接続され、定電流源２０は、ＮＭＯＳトランジスタ２２
ａに所定の定電流Ｉｂをバイアス電流として供給してい
る。
【００３０】カレントミラー回路２４ａにおいて、ＮＭ
ＯＳトランジスタ２２ａ及び２３ａの各ゲートは接続さ
れ、該接続部はＮＭＯＳトランジスタ２２ａのドレイン
に接続されており、ＮＭＯＳトランジスタ２２ａ及び２
３ａの各ソースは接地電圧にそれぞれ接続されている。
また、電源電圧ＶＤＤとＮＭＯＳトランジスタ２３ａの
ドレインとの間に可変抵抗２５が接続され、ＮＭＯＳト
ランジスタ２３ａのドレインと可変抵抗２５の接続部の
電圧Ｖｉが駆動回路部２ａに出力される。
ＯＳトランジスタ２２ａ及び２３ａの各ゲートは接続さ
れ、該接続部はＮＭＯＳトランジスタ２２ａのドレイン
に接続されており、ＮＭＯＳトランジスタ２２ａ及び２
３ａの各ソースは接地電圧にそれぞれ接続されている。
また、電源電圧ＶＤＤとＮＭＯＳトランジスタ２３ａの
ドレインとの間に可変抵抗２５が接続され、ＮＭＯＳト
ランジスタ２３ａのドレインと可変抵抗２５の接続部の
電圧Ｖｉが駆動回路部２ａに出力される。
【００３１】このような構成において、光検出器をなす
フォトダイオードＰＤを流れるモニタ電流Ｉｍと定電流
源２０から流れるわずかな定電流Ｉｂが、カレントミラ
ー回路２４ａによって可変抵抗２５に流される。半導体
レーザＬＤからの光出力に応じたモニタ電流Ｉｍが、カ
レントミラー回路２４ａのＮＭＯＳトランジスタ２２ａ
に流れると、カレントミラー回路２４ａのＮＭＯＳトラ
ンジスタ２３ａによって可変抵抗２５に同様の電流が流
れる。
フォトダイオードＰＤを流れるモニタ電流Ｉｍと定電流
源２０から流れるわずかな定電流Ｉｂが、カレントミラ
ー回路２４ａによって可変抵抗２５に流される。半導体
レーザＬＤからの光出力に応じたモニタ電流Ｉｍが、カ
レントミラー回路２４ａのＮＭＯＳトランジスタ２２ａ
に流れると、カレントミラー回路２４ａのＮＭＯＳトラ
ンジスタ２３ａによって可変抵抗２５に同様の電流が流
れる。
【００３２】このため、モニタ電流Ｉｍが可変抵抗２５
の電圧降下となって、モニタ電流Ｉｍが電流‐電圧変換
される。ここで、定電流源２０からの定電流Ｉｂによっ
てカレントミラー回路２４ａはあらかじめバイアスされ
ているため、図１の場合と同様に、可変抵抗２５におけ
る電圧降下のセトリング時間を速くすることができ、高
速にＡＰＣの制御を行うことができる。
の電圧降下となって、モニタ電流Ｉｍが電流‐電圧変換
される。ここで、定電流源２０からの定電流Ｉｂによっ
てカレントミラー回路２４ａはあらかじめバイアスされ
ているため、図１の場合と同様に、可変抵抗２５におけ
る電圧降下のセトリング時間を速くすることができ、高
速にＡＰＣの制御を行うことができる。
【００３３】一方、カレントミラー回路２４ａは定電流
源２０からのバイアス電流Ｉｂによりあらかじめバイア
スされた状態にある。したがって、カレントミラー回路
２４ａの出力側トランジスタであるＮＭＯＳトランジス
タ２３ａには、(Ｉｍ＋Ｉｂ)の電流が流れる。しかし、
定電流源２０と同じ電流Ｉｂの供給を行う定電流源２１
を可変抵抗２５に並列に接続したことから、電流Ｉｂは
定電流源２１によってバイパスされ、可変抵抗２５には
モニタ電流Ｉｍのみが流れる。このため、可変抵抗２５
の両端には(Ｒ２５×Ｉｍ)の電圧が発生し、定電流源２
０の定電流Ｉｂによるオフセット電圧をキャンセルする
ことができる。
源２０からのバイアス電流Ｉｂによりあらかじめバイア
スされた状態にある。したがって、カレントミラー回路
２４ａの出力側トランジスタであるＮＭＯＳトランジス
タ２３ａには、(Ｉｍ＋Ｉｂ)の電流が流れる。しかし、
定電流源２０と同じ電流Ｉｂの供給を行う定電流源２１
を可変抵抗２５に並列に接続したことから、電流Ｉｂは
定電流源２１によってバイパスされ、可変抵抗２５には
モニタ電流Ｉｍのみが流れる。このため、可変抵抗２５
の両端には(Ｒ２５×Ｉｍ)の電圧が発生し、定電流源２
０の定電流Ｉｂによるオフセット電圧をキャンセルする
ことができる。
【００３４】一方、図１及び図３では、ＣＭＯＳで構成
した場合を例にして説明したが、ＭＯＳトランジスタの
代わりにバイポーラトランジスタを使用してもよい。こ
のようにした場合、図１の回路は図４のようになり、図
３の回路は図５のようになる。図４において、図１の各
ＰＭＯＳトランジスタをそれぞれｐｎｐトランジスタに
置き換えた以外は図１の動作と同じであり、図５におい
ても、図３の各ＮＭＯＳトランジスタをそれぞれｎｐｎ
トランジスタに置き換えた以外は図３の動作と同じであ
ることからその動作説明は省略する。
した場合を例にして説明したが、ＭＯＳトランジスタの
代わりにバイポーラトランジスタを使用してもよい。こ
のようにした場合、図１の回路は図４のようになり、図
３の回路は図５のようになる。図４において、図１の各
ＰＭＯＳトランジスタをそれぞれｐｎｐトランジスタに
置き換えた以外は図１の動作と同じであり、図５におい
ても、図３の各ＮＭＯＳトランジスタをそれぞれｎｐｎ
トランジスタに置き換えた以外は図３の動作と同じであ
ることからその動作説明は省略する。
【００３５】なお、図４及び図５では、バイポーラトラ
ンジスタを使用した回路であることから電源電圧をＶＣ
Ｃと示している。このように、図１及び図３〜図５のい
ずれの構成においても、電圧Ｖｉとモニタ電流Ｉｍが図
２における（２）の領域になるようにすれば、半導体レ
ーザＬＤの光出力Ｐｏを発光量制御電圧Ｖｃｏｎに比例
させて制御することができる。
ンジスタを使用した回路であることから電源電圧をＶＣ
Ｃと示している。このように、図１及び図３〜図５のい
ずれの構成においても、電圧Ｖｉとモニタ電流Ｉｍが図
２における（２）の領域になるようにすれば、半導体レ
ーザＬＤの光出力Ｐｏを発光量制御電圧Ｖｃｏｎに比例
させて制御することができる。
【００３６】このように、本第１の実施の形態における
半導体レーザ装置は、フォトダイオードＰＤから流れる
モニタ電流Ｉｍをカレントミラー回路２４又は２４ａを
介して可変抵抗２５に供給し、可変抵抗２５で該モニタ
電流Ｉｍを電圧に変換して駆動回路部２又は２ａに印加
する構成において、カレントミラー回路２４又は２４ａ
にバイアス電流Ｉｂを供給する定電流源２０を有すると
共に、可変抵抗２５と並列に電流Ｉｂを供給する定電流
源２１を挿入するようにした。このことから、簡単な回
路で、オフセット電圧を容易にキャンセルさせて半導体
レーザの発光量調整を正確に行うことができると共に、
半導体レーザＬＤにおける光出力Ｐｏの広帯域化及び集
積化を容易に実現することができる。
半導体レーザ装置は、フォトダイオードＰＤから流れる
モニタ電流Ｉｍをカレントミラー回路２４又は２４ａを
介して可変抵抗２５に供給し、可変抵抗２５で該モニタ
電流Ｉｍを電圧に変換して駆動回路部２又は２ａに印加
する構成において、カレントミラー回路２４又は２４ａ
にバイアス電流Ｉｂを供給する定電流源２０を有すると
共に、可変抵抗２５と並列に電流Ｉｂを供給する定電流
源２１を挿入するようにした。このことから、簡単な回
路で、オフセット電圧を容易にキャンセルさせて半導体
レーザの発光量調整を正確に行うことができると共に、
半導体レーザＬＤにおける光出力Ｐｏの広帯域化及び集
積化を容易に実現することができる。
【００３７】第２の実施の形態．前記第１の実施の形態
では、フォトダイオードＰＤからのモニタ電流Ｉｍを可
変抵抗２５に供給するために１段構成のカレントミラー
回路を使用したが、該カレントミラー回路を２段構成に
してもよく、このようにしたものを本発明の第２の実施
の形態とする。図６は、本発明の第２の実施の形態にお
ける半導体レーザ装置の例を示した図であり、ＣＭＯＳ
で構成した場合を例にして示している。なお、図６で
は、図１と同じものは同じ符号で示しており、ここでは
その説明を省略すると共に図１との相違点のみ説明す
る。
では、フォトダイオードＰＤからのモニタ電流Ｉｍを可
変抵抗２５に供給するために１段構成のカレントミラー
回路を使用したが、該カレントミラー回路を２段構成に
してもよく、このようにしたものを本発明の第２の実施
の形態とする。図６は、本発明の第２の実施の形態にお
ける半導体レーザ装置の例を示した図であり、ＣＭＯＳ
で構成した場合を例にして示している。なお、図６で
は、図１と同じものは同じ符号で示しており、ここでは
その説明を省略すると共に図１との相違点のみ説明す
る。
【００３８】図６における図１との相違点は、カレント
ミラー回路２４から出力された電流を可変抵抗２５に供
給するカレントミラー回路３２を追加して、定電流源２
１を該カレントミラー回路３２の入力側トランジスタの
両端に接続し、図１の駆動回路部２を図３の駆動回路部
２ａに置き換えて半導体レーザＬＤを電源電圧ＶＤＤと
駆動回路部２ａとの間に接続するようにしたことにあ
り、これに伴って、図１の制御回路部３を制御回路部３
１にし、図１の半導体レーザ装置１を半導体レーザ装置
３０にした。図６において、半導体レーザ装置３０は、
半導体レーザＬＤと、駆動回路部２ａと、半導体レーザ
ＬＤの発光量を検出し該検出した発光量が所定値で一定
になるように駆動回路部２ａに制御信号を出力する制御
回路部３１とで構成されている。
ミラー回路２４から出力された電流を可変抵抗２５に供
給するカレントミラー回路３２を追加して、定電流源２
１を該カレントミラー回路３２の入力側トランジスタの
両端に接続し、図１の駆動回路部２を図３の駆動回路部
２ａに置き換えて半導体レーザＬＤを電源電圧ＶＤＤと
駆動回路部２ａとの間に接続するようにしたことにあ
り、これに伴って、図１の制御回路部３を制御回路部３
１にし、図１の半導体レーザ装置１を半導体レーザ装置
３０にした。図６において、半導体レーザ装置３０は、
半導体レーザＬＤと、駆動回路部２ａと、半導体レーザ
ＬＤの発光量を検出し該検出した発光量が所定値で一定
になるように駆動回路部２ａに制御信号を出力する制御
回路部３１とで構成されている。
【００３９】制御回路部３１は、フォトダイオードＰＤ
と、定電流源２０，２１と、カレントミラー回路２４
と、可変抵抗２５と、ＮＭＯＳトランジスタ３３及び３
４で形成されたカレントミラー回路３２とで構成されて
いる。なお、カレントミラー回路３２は、第２のカレン
トミラー回路をなす。カレントミラー回路３２におい
て、ＮＭＯＳトランジスタ３３及び３４の各ゲートは接
続され、該接続部はＮＭＯＳトランジスタ３３のドレイ
ンに接続されており、ＮＭＯＳトランジスタ３３及び３
４の各ソースは接地電圧に接続されている。また、ＮＭ
ＯＳトランジスタ３３と並列に定電流源２１が接続さ
れ、電源電圧ＶＤＤとＮＭＯＳトランジスタ３４のドレ
インとの間に可変抵抗２５が接続されている。可変抵抗
２５とＮＭＯＳトランジスタ３４のドレインとの接続部
の電圧Ｖｉが駆動回路部２ａに出力される。
と、定電流源２０，２１と、カレントミラー回路２４
と、可変抵抗２５と、ＮＭＯＳトランジスタ３３及び３
４で形成されたカレントミラー回路３２とで構成されて
いる。なお、カレントミラー回路３２は、第２のカレン
トミラー回路をなす。カレントミラー回路３２におい
て、ＮＭＯＳトランジスタ３３及び３４の各ゲートは接
続され、該接続部はＮＭＯＳトランジスタ３３のドレイ
ンに接続されており、ＮＭＯＳトランジスタ３３及び３
４の各ソースは接地電圧に接続されている。また、ＮＭ
ＯＳトランジスタ３３と並列に定電流源２１が接続さ
れ、電源電圧ＶＤＤとＮＭＯＳトランジスタ３４のドレ
インとの間に可変抵抗２５が接続されている。可変抵抗
２５とＮＭＯＳトランジスタ３４のドレインとの接続部
の電圧Ｖｉが駆動回路部２ａに出力される。
【００４０】このような構成において、モニタ電流Ｉｍ
と定電流源２０からの定電流Ｉｂが、カレントミラー回
路２４によってカレントミラー回路３２の入力側トラン
ジスタをなすＮＭＯＳトランジスタ３３に流される。こ
こで、定電流源２１は、定電流源２０と同じ電流Ｉｂを
流すことから、カレントミラー回路２４から出力される
電流Ｉｂは定電流源２１に流れてバイパスされ、カレン
トミラー回路３２の入力側トランジスタであるＮＭＯＳ
トランジスタ３３にはモニタ電流Ｉｍのみが流れる。Ｎ
ＭＯＳトランジスタ３３に流れたモニタ電流Ｉｍが、カ
レントミラー回路３２の出力をなすＮＭＯＳトランジス
タ３４によって可変抵抗２５に流される。このため、モ
ニタ電流Ｉｍが可変抵抗２５の電圧降下となり、モニタ
電流Ｉｍが正確に電流‐電圧変換される。
と定電流源２０からの定電流Ｉｂが、カレントミラー回
路２４によってカレントミラー回路３２の入力側トラン
ジスタをなすＮＭＯＳトランジスタ３３に流される。こ
こで、定電流源２１は、定電流源２０と同じ電流Ｉｂを
流すことから、カレントミラー回路２４から出力される
電流Ｉｂは定電流源２１に流れてバイパスされ、カレン
トミラー回路３２の入力側トランジスタであるＮＭＯＳ
トランジスタ３３にはモニタ電流Ｉｍのみが流れる。Ｎ
ＭＯＳトランジスタ３３に流れたモニタ電流Ｉｍが、カ
レントミラー回路３２の出力をなすＮＭＯＳトランジス
タ３４によって可変抵抗２５に流される。このため、モ
ニタ電流Ｉｍが可変抵抗２５の電圧降下となり、モニタ
電流Ｉｍが正確に電流‐電圧変換される。
【００４１】図６で示した半導体レーザ装置３０の構成
において、モニタ電流Ｉｍの値に対する電圧Ｖｉの関係
を図７に示す。定電流源２０によるバイアス電流Ｉｂに
よって生じたオフセットをキャンセルする定電流源２１
は、カレントミラー回路３２の入力側トランジスタ３３
に並列に挿入されている。このため、カレントミラー回
路３２にはモニタ電流Ｉｍのみが入力され、そのカレン
トミラー回路３２の出力端に接続された可変抵抗２５に
は(Ｒ２５×Ｉｍ)の電圧が発生する。すなわち、定電流
源２０によるバイアス電流によって生じたオフセットを
キャンセルすることができ、図７における（１）の領域
のような、電圧ＶｉがＩｍ＝０からモニタ電流Ｉｍに正
比例した特性を得ることができる。
において、モニタ電流Ｉｍの値に対する電圧Ｖｉの関係
を図７に示す。定電流源２０によるバイアス電流Ｉｂに
よって生じたオフセットをキャンセルする定電流源２１
は、カレントミラー回路３２の入力側トランジスタ３３
に並列に挿入されている。このため、カレントミラー回
路３２にはモニタ電流Ｉｍのみが入力され、そのカレン
トミラー回路３２の出力端に接続された可変抵抗２５に
は(Ｒ２５×Ｉｍ)の電圧が発生する。すなわち、定電流
源２０によるバイアス電流によって生じたオフセットを
キャンセルすることができ、図７における（１）の領域
のような、電圧ＶｉがＩｍ＝０からモニタ電流Ｉｍに正
比例した特性を得ることができる。
【００４２】可変抵抗２５には、モニタ電流Ｉｍのみが
正確に流されており、モニタ電流Ｉｍに応じた正確な電
圧Ｖｉを得ることができる。また、図７における（２）
の領域では、モニタ電流Ｉｍが増加するとカレントミラ
ー回路３２の出力側トランジスタ３４のドレイン・ソー
ス間電圧Ｖｄｓが確保されず、前記のような三極管領域
となる。これらのことから、電圧Ｖｉとモニタ電流Ｉｍ
が、図７における（１）の領域である場合において、定
電流源２１は、定電流源２０によるバイアス電流をキャ
ンセルさせることができる。
正確に流されており、モニタ電流Ｉｍに応じた正確な電
圧Ｖｉを得ることができる。また、図７における（２）
の領域では、モニタ電流Ｉｍが増加するとカレントミラ
ー回路３２の出力側トランジスタ３４のドレイン・ソー
ス間電圧Ｖｄｓが確保されず、前記のような三極管領域
となる。これらのことから、電圧Ｖｉとモニタ電流Ｉｍ
が、図７における（１）の領域である場合において、定
電流源２１は、定電流源２０によるバイアス電流をキャ
ンセルさせることができる。
【００４３】前記第１の実施の形態でも述べたように、
半導体レーザＬＤにはアノードコモンタイプとカソード
コモンタイプがあり、図６では半導体レーザＬＤのカソ
ードとフォトダイオードＰＤのアノードが接続されたカ
ソードコモンタイプを例にして説明した。これに対し
て、半導体レーザＬＤのアノードとフォトダイオードＰ
Ｄのカソードが接続されたアノードコモンタイプの半導
体レーザＬＤを使用した場合は、図６の回路が図８のよ
うになる。なお、図８では、図３と同じものは同じ符号
で示しており、ここではその説明を省略すると共に図３
との相違点のみ説明する。
半導体レーザＬＤにはアノードコモンタイプとカソード
コモンタイプがあり、図６では半導体レーザＬＤのカソ
ードとフォトダイオードＰＤのアノードが接続されたカ
ソードコモンタイプを例にして説明した。これに対し
て、半導体レーザＬＤのアノードとフォトダイオードＰ
Ｄのカソードが接続されたアノードコモンタイプの半導
体レーザＬＤを使用した場合は、図６の回路が図８のよ
うになる。なお、図８では、図３と同じものは同じ符号
で示しており、ここではその説明を省略すると共に図３
との相違点のみ説明する。
【００４４】図８における図３との相違点は、カレント
ミラー回路２４ａから出力された電流を可変抵抗２５に
供給するカレントミラー回路３２ａを追加して、定電流
源２１を該カレントミラー回路３２ａの入力側トランジ
スタの両端に接続し、図３の駆動回路部２ａを図１の駆
動回路部２に置き換えて半導体レーザＬＤを駆動回路部
２と接地電圧との間に接続するようにしたことにあり、
これに伴って、図３の制御回路部３ａを制御回路部３１
ａにし、図３の半導体レーザ装置１を半導体レーザ装置
３０にした。
ミラー回路２４ａから出力された電流を可変抵抗２５に
供給するカレントミラー回路３２ａを追加して、定電流
源２１を該カレントミラー回路３２ａの入力側トランジ
スタの両端に接続し、図３の駆動回路部２ａを図１の駆
動回路部２に置き換えて半導体レーザＬＤを駆動回路部
２と接地電圧との間に接続するようにしたことにあり、
これに伴って、図３の制御回路部３ａを制御回路部３１
ａにし、図３の半導体レーザ装置１を半導体レーザ装置
３０にした。
【００４５】制御回路部３１ａは、フォトダイオードＰ
Ｄ、定電流源２０，２１、カレントミラー回路２４ａ、
ＰＭＯＳトランジスタ３３ａ及び３４ａで形成されたカ
レントミラー回路３２ａ、及び可変抵抗２５で構成され
ている。この場合、カレントミラー回路３２ａが第２の
カレントミラー回路をなす。フォトダイオードＰＤにお
いて、カソードは電源電圧ＶＤＤに接続され、アノード
はＮＭＯＳトランジスタ２２ａを介して接地電圧に接続
され、定電流源２０は、ＮＭＯＳトランジスタ２２ａに
所定の定電流Ｉｂをバイアス電流として供給している。
Ｄ、定電流源２０，２１、カレントミラー回路２４ａ、
ＰＭＯＳトランジスタ３３ａ及び３４ａで形成されたカ
レントミラー回路３２ａ、及び可変抵抗２５で構成され
ている。この場合、カレントミラー回路３２ａが第２の
カレントミラー回路をなす。フォトダイオードＰＤにお
いて、カソードは電源電圧ＶＤＤに接続され、アノード
はＮＭＯＳトランジスタ２２ａを介して接地電圧に接続
され、定電流源２０は、ＮＭＯＳトランジスタ２２ａに
所定の定電流Ｉｂをバイアス電流として供給している。
【００４６】カレントミラー回路３２ａにおいて、ＰＭ
ＯＳトランジスタ３３ａ及び３４ａの各ゲートは接続さ
れ、該接続部はＰＭＯＳトランジスタ３３ａのドレイン
に接続されており、ＰＭＯＳトランジスタ３３ａ及び３
４ａの各ソースは電源電圧ＶＤＤに接続されている。ま
た、ＰＭＯＳトランジスタ３４ａのドレインと接地電圧
との間に可変抵抗２５が接続され、ＰＭＯＳトランジス
タ３４ａのドレインと可変抵抗２５の接続部の電圧Ｖｉ
が駆動回路部２に出力される。
ＯＳトランジスタ３３ａ及び３４ａの各ゲートは接続さ
れ、該接続部はＰＭＯＳトランジスタ３３ａのドレイン
に接続されており、ＰＭＯＳトランジスタ３３ａ及び３
４ａの各ソースは電源電圧ＶＤＤに接続されている。ま
た、ＰＭＯＳトランジスタ３４ａのドレインと接地電圧
との間に可変抵抗２５が接続され、ＰＭＯＳトランジス
タ３４ａのドレインと可変抵抗２５の接続部の電圧Ｖｉ
が駆動回路部２に出力される。
【００４７】このような構成において、モニタ電流Ｉｍ
と定電流源２０からの定電流Ｉｂが、カレントミラー回
路２４ａによってカレントミラー回路３２ａの入力側ト
ランジスタをなすＰＭＯＳトランジスタ３３ａに流され
る。ここで、定電流源２１は、定電流源２０と同じ電流
Ｉｂを流すことから、カレントミラー回路２４ａから出
力される電流Ｉｂは定電流源２１に流れてバイパスさ
れ、カレントミラー回路３２ａの入力側トランジスタで
あるＮＭＯＳトランジスタ３３ａにはモニタ電流Ｉｍの
みが流れる。ＮＭＯＳトランジスタ３３ａに流れたモニ
タ電流Ｉｍが、カレントミラー回路３２ａの出力をなす
ＮＭＯＳトランジスタ３４ａによって可変抵抗２５に流
れる。このため、モニタ電流Ｉｍが可変抵抗２５の電圧
降下となり、モニタ電流Ｉｍが正確に電流‐電圧変換さ
れる。
と定電流源２０からの定電流Ｉｂが、カレントミラー回
路２４ａによってカレントミラー回路３２ａの入力側ト
ランジスタをなすＰＭＯＳトランジスタ３３ａに流され
る。ここで、定電流源２１は、定電流源２０と同じ電流
Ｉｂを流すことから、カレントミラー回路２４ａから出
力される電流Ｉｂは定電流源２１に流れてバイパスさ
れ、カレントミラー回路３２ａの入力側トランジスタで
あるＮＭＯＳトランジスタ３３ａにはモニタ電流Ｉｍの
みが流れる。ＮＭＯＳトランジスタ３３ａに流れたモニ
タ電流Ｉｍが、カレントミラー回路３２ａの出力をなす
ＮＭＯＳトランジスタ３４ａによって可変抵抗２５に流
れる。このため、モニタ電流Ｉｍが可変抵抗２５の電圧
降下となり、モニタ電流Ｉｍが正確に電流‐電圧変換さ
れる。
【００４８】一方、図６及び図８では、ＣＭＯＳで構成
した場合を例にして説明したが、ＭＯＳトランジスタの
代わりにバイポーラトランジスタを使用してもよい。こ
のようにした場合、図６の回路は図９のようになり、図
８の回路は図１０のようになる。図９において、図６の
各ＰＭＯＳトランジスタをそれぞれｐｎｐトランジスタ
に、図６の各ＮＭＯＳトランジスタをそれぞれｎｐｎト
ランジスタに置き換えた以外は図６の動作と同じであ
り、図１０においても、図８の各ＮＭＯＳトランジスタ
をそれぞれｎｐｎトランジスタに、図８の各ＰＭＯＳト
ランジスタをそれぞれｐｎｐトランジスタに置き換えた
以外は図８の動作と同じであることからその動作説明は
省略する。
した場合を例にして説明したが、ＭＯＳトランジスタの
代わりにバイポーラトランジスタを使用してもよい。こ
のようにした場合、図６の回路は図９のようになり、図
８の回路は図１０のようになる。図９において、図６の
各ＰＭＯＳトランジスタをそれぞれｐｎｐトランジスタ
に、図６の各ＮＭＯＳトランジスタをそれぞれｎｐｎト
ランジスタに置き換えた以外は図６の動作と同じであ
り、図１０においても、図８の各ＮＭＯＳトランジスタ
をそれぞれｎｐｎトランジスタに、図８の各ＰＭＯＳト
ランジスタをそれぞれｐｎｐトランジスタに置き換えた
以外は図８の動作と同じであることからその動作説明は
省略する。
【００４９】なお、図９及び図１０では、バイポーラト
ランジスタを使用した回路であることから電源電圧をＶ
ＣＣと示している。このように、図６及び図８〜図１０
のいずれの構成においても、電圧Ｖｉとモニタ電流Ｉｍ
が図７における（１）の領域になるようにすれば、半導
体レーザＬＤの光出力Ｐｏを発光量制御電圧Ｖｃｏｎに
比例させて制御することができる。
ランジスタを使用した回路であることから電源電圧をＶ
ＣＣと示している。このように、図６及び図８〜図１０
のいずれの構成においても、電圧Ｖｉとモニタ電流Ｉｍ
が図７における（１）の領域になるようにすれば、半導
体レーザＬＤの光出力Ｐｏを発光量制御電圧Ｖｃｏｎに
比例させて制御することができる。
【００５０】このように、本第２の実施の形態における
半導体レーザ装置は、フォトダイオードＰＤから流れる
モニタ電流Ｉｍをカレントミラー回路２４及び３２を介
して、又はカレントミラー回路２４ａ及び３２ａを介し
て可変抵抗２５に供給し、可変抵抗２５で該モニタ電流
Ｉｍを電圧に変換して駆動回路部２又は２ａに印加する
構成において、カレントミラー回路２４又は２４ａにバ
イアス電流Ｉｂを供給する定電流源２０を有すると共
に、カレントミラー回路３２及び３２ａの入力側トラン
ジスタと並列に電流Ｉｂを供給する定電流源２１を挿入
するようにした。このことから、前記第１の実施の形態
と同様の効果を得ることができると共に、図７で示した
ように、定電流源２０によるバイアス電流をキャンセル
させることができる電圧Ｖｉとモニタ電流Ｉｍの領域を
拡大させることができ、使用可能範囲を広げることがで
きる。
半導体レーザ装置は、フォトダイオードＰＤから流れる
モニタ電流Ｉｍをカレントミラー回路２４及び３２を介
して、又はカレントミラー回路２４ａ及び３２ａを介し
て可変抵抗２５に供給し、可変抵抗２５で該モニタ電流
Ｉｍを電圧に変換して駆動回路部２又は２ａに印加する
構成において、カレントミラー回路２４又は２４ａにバ
イアス電流Ｉｂを供給する定電流源２０を有すると共
に、カレントミラー回路３２及び３２ａの入力側トラン
ジスタと並列に電流Ｉｂを供給する定電流源２１を挿入
するようにした。このことから、前記第１の実施の形態
と同様の効果を得ることができると共に、図７で示した
ように、定電流源２０によるバイアス電流をキャンセル
させることができる電圧Ｖｉとモニタ電流Ｉｍの領域を
拡大させることができ、使用可能範囲を広げることがで
きる。
【００５１】
【発明の効果】前記の説明から明らかなように、本発明
の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザの発光量に
応じた電流を出力するフォトダイオードと、フォトダイ
オードからの電流が入力される第１のカレントミラー回
路と、第１のカレントミラー回路に所定のバイアス電流
を供給する第１の定電流源と、第１のカレントミラー回
路の出力電流における該第１の定電流源によるバイアス
電流分をバイパスする第２の定電流源と、該第２の定電
流源によって前記バイアス電流分がバイパスされた第１
のカレントミラー回路の出力電流を電圧に変換する電流
‐電圧変換回路とを備え、電流‐電圧変換回路で変換さ
れた電圧に応じて半導体レーザに流れる電流を制御する
ようにした。このことから、フォトダイオードにおける
寄生接合容量の影響を減らして半導体レーザの発光量制
御に要する時間を短縮させることができると共に、簡単
な回路でオフセット電圧を容易になくして半導体レーザ
の発光量調整を正確に行うことができるため、集積化及
び低消費電力化を図ることができ、半導体レーザＬＤに
おける光出力Ｐｏの制御回路の広帯域化を容易に実現す
ることができる。
の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザの発光量に
応じた電流を出力するフォトダイオードと、フォトダイ
オードからの電流が入力される第１のカレントミラー回
路と、第１のカレントミラー回路に所定のバイアス電流
を供給する第１の定電流源と、第１のカレントミラー回
路の出力電流における該第１の定電流源によるバイアス
電流分をバイパスする第２の定電流源と、該第２の定電
流源によって前記バイアス電流分がバイパスされた第１
のカレントミラー回路の出力電流を電圧に変換する電流
‐電圧変換回路とを備え、電流‐電圧変換回路で変換さ
れた電圧に応じて半導体レーザに流れる電流を制御する
ようにした。このことから、フォトダイオードにおける
寄生接合容量の影響を減らして半導体レーザの発光量制
御に要する時間を短縮させることができると共に、簡単
な回路でオフセット電圧を容易になくして半導体レーザ
の発光量調整を正確に行うことができるため、集積化及
び低消費電力化を図ることができ、半導体レーザＬＤに
おける光出力Ｐｏの制御回路の広帯域化を容易に実現す
ることができる。
【００５２】また、第１のカレントミラー回路の出力電
流における該第１の定電流源によるバイアス電流分が該
第２の定電流源によってバイパスされた、前記第１のカ
レントミラー回路の出力電流が入力される第２のカレン
トミラー回路を更に備え、電流‐電圧変換回路は、該第
２のカレントミラー回路の出力電流を電圧に変換して前
記駆動回路部に対する制御信号として出力するようにし
た。このことから、フォトダイオードにおける寄生接合
容量の影響を減らして半導体レーザの発光量制御に要す
る時間を短縮させることができると共に、簡単な回路で
オフセット電圧を容易になくして半導体レーザの発光量
調整を正確に行うことができるため、集積化及び低消費
電力化を図ることができ、半導体レーザＬＤにおける光
出力Ｐｏの制御回路の広帯域化を容易に実現することが
できる。更に、駆動回路部に対する制御信号とフォトダ
イオードの出力電流において、第２の定電流源によって
バイアス電流をキャンセルさせることができる領域を拡
大させることができ、使用可能範囲を広げることができ
る。
流における該第１の定電流源によるバイアス電流分が該
第２の定電流源によってバイパスされた、前記第１のカ
レントミラー回路の出力電流が入力される第２のカレン
トミラー回路を更に備え、電流‐電圧変換回路は、該第
２のカレントミラー回路の出力電流を電圧に変換して前
記駆動回路部に対する制御信号として出力するようにし
た。このことから、フォトダイオードにおける寄生接合
容量の影響を減らして半導体レーザの発光量制御に要す
る時間を短縮させることができると共に、簡単な回路で
オフセット電圧を容易になくして半導体レーザの発光量
調整を正確に行うことができるため、集積化及び低消費
電力化を図ることができ、半導体レーザＬＤにおける光
出力Ｐｏの制御回路の広帯域化を容易に実現することが
できる。更に、駆動回路部に対する制御信号とフォトダ
イオードの出力電流において、第２の定電流源によって
バイアス電流をキャンセルさせることができる領域を拡
大させることができ、使用可能範囲を広げることができ
る。
【００５３】具体的には、前記第２の定電流源は、第１
の定電流源と同じ定電流を供給するようにしたことか
ら、第１の定電流源によるバイアス電流によって生じ各
機器ごとに異なるオフセットを確実になくすことができ
る。
の定電流源と同じ定電流を供給するようにしたことか
ら、第１の定電流源によるバイアス電流によって生じ各
機器ごとに異なるオフセットを確実になくすことができ
る。
【図１】 本発明の第１の実施の形態における半導体レ
ーザ装置の例を示した図である。
ーザ装置の例を示した図である。
【図２】 図１の半導体レーザ装置１の特性例を示した
図である。
図である。
【図３】 本発明の第１の実施の形態における半導体レ
ーザ装置の他の例を示した図である。
ーザ装置の他の例を示した図である。
【図４】 本発明の第１の実施の形態における半導体レ
ーザ装置の他の例を示した図である。
ーザ装置の他の例を示した図である。
【図５】 本発明の第１の実施の形態における半導体レ
ーザ装置の他の例を示した図である。
ーザ装置の他の例を示した図である。
【図６】 本発明の第２の実施の形態における半導体レ
ーザ装置の例を示した図である。
ーザ装置の例を示した図である。
【図７】 図６の半導体レーザ装置３０の特性例を示し
た図である。
た図である。
【図８】 本発明の第２の実施の形態における半導体レ
ーザ装置の他の例を示した図である。
ーザ装置の他の例を示した図である。
【図９】 本発明の第２の実施の形態における半導体レ
ーザ装置の他の例を示した図である。
ーザ装置の他の例を示した図である。
【図１０】 本発明の第２の実施の形態における半導体
レーザ装置の他の例を示した図である。
レーザ装置の他の例を示した図である。
【図１１】 半導体レーザとフォトダイオードの各特性
例を示した図である。
例を示した図である。
【図１２】 従来の半導体レーザ装置の例を示した図で
ある。
ある。
【図１３】 従来の半導体レーザ装置の他の例を示した
図である。
図である。
【図１４】 図１２の半導体レーザ装置における特性例
を示した図である。
を示した図である。
【図１５】 図１３の半導体レーザ装置における特性例
を示した図である。
を示した図である。
１，３０ 半導体レーザ装置
２，２ａ 駆動回路部
３，３ａ，３１，３１ａ 制御回路部
１２，１２ａ 制御部
２０，２１ 定電流源
２４，２４ａ，３２，３２ａ カレントミラー回路
２５ 可変抵抗
ＬＤ 半導体レーザ
ＰＤ フォトダイオード
Ｃ１ 寄生接合容量
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０４Ｂ 10/04 Ｈ０４Ｂ 9/00 Ｙ ５Ｋ１０２
10/06
10/14
10/26
10/28
Ｆターム(参考） 2C362 AA53 AA55 AA59 AA61
5D119 BA01 FA05 HA44 HA68
5D789 BA01 FA05 HA44 HA68
5F049 MA01 NB01 NB08 NB10 RA07
UA17
5F073 BA04 EA14 EA15 GA03 GA12
GA38
5K102 AA51 MA01 MB02 MC05 MC12
MC24 MH12 MH22 PB01 PH31
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザと、入力される制御信号に
応じて該半導体レーザに流れる電流を制御して半導体レ
ーザの駆動を行う駆動回路部と、前記半導体レーザの発
光量を検出し該発光量が所定値で一定になるように駆動
回路部に制御信号を出力して動作制御を行う制御回路部
とを備える半導体レーザ装置において、 前記制御回路部は、 前記半導体レーザの発光量に応じた電流を出力するフォ
トダイオードと、 該フォトダイオードの出力電流が入力される第１のカレ
ントミラー回路と、 該第１のカレントミラー回路に所定のバイアス電流を供
給する第１の定電流源と、 前記第１のカレントミラー回路の出力電流における該第
１の定電流源によるバイアス電流分をバイパスする第２
の定電流源と、 該第２の定電流源によって前記バイアス電流分がバイパ
スされた第１のカレントミラー回路の出力電流を電圧に
変換して前記駆動回路部に対する制御信号として出力す
る電流‐電圧変換回路と、を備えることを特徴とする半
導体レーザ装置。 - 【請求項２】 半導体レーザと、入力される制御信号に
応じて該半導体レーザに流れる電流を制御して半導体レ
ーザの駆動を行う駆動回路部と、前記半導体レーザの発
光量を検出し該発光量が所定値で一定になるように駆動
回路部に制御信号を出力して動作制御を行う制御回路部
とを備える半導体レーザ装置において、 前記制御回路部は、 前記半導体レーザの発光量に応じた電流を出力するフォ
トダイオードと、 該フォトダイオードの出力電流が入力される第１のカレ
ントミラー回路と、 該第１のカレントミラー回路に所定のバイアス電流を供
給する第１の定電流源と、 前記第１のカレントミラー回路の出力電流における該第
１の定電流源によるバイアス電流分をバイパスする第２
の定電流源と、 該第２の定電流源によって前記バイアス電流分がバイパ
スされた前記第１のカレントミラー回路の出力電流が入
力される第２のカレントミラー回路と、 該第２のカレントミラー回路の出力電流を電圧に変換し
て前記駆動回路部に対する制御信号として出力する電流
‐電圧変換回路と、を備えることを特徴とする半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項３】 前記第２の定電流源は、第１の定電流源
と同じ定電流を供給することを特徴とする請求項１又は
２記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001364059A JP4108321B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001364059A JP4108321B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003163413A true JP2003163413A (ja) | 2003-06-06 |
| JP4108321B2 JP4108321B2 (ja) | 2008-06-25 |
Family
ID=19174300
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001364059A Expired - Fee Related JP4108321B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP4108321B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005064001A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 光量制御装置及びこれを用いた画像形成装置 |
| JP2007073841A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sony Corp | 駆動回路 |
| WO2009025033A1 (ja) * | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 光電流モニタ回路 |
| US7646175B2 (en) | 2005-07-05 | 2010-01-12 | Ricoh Company, Ltd. | Device and method for controlling a current supply |
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