JP2003163325A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2003163325A JP2003163325A JP2001361862A JP2001361862A JP2003163325A JP 2003163325 A JP2003163325 A JP 2003163325A JP 2001361862 A JP2001361862 A JP 2001361862A JP 2001361862 A JP2001361862 A JP 2001361862A JP 2003163325 A JP2003163325 A JP 2003163325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- lead frame
- wiring
- resin
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボイド発生やレジンの未充填を防止する。
【解決手段】 インナーリードの先端が配線基板の各配
線に接続された配線基板付きリードフレームを用意する
工程と、配線基板に半導体チップを固定する工程と、半
導体チップの各電極と各配線をワイヤで接続する工程
と、リードフレームをモールド金型に型締めし、キャビ
ティ内にゲートから樹脂を注入しかつゲートと反対側に
位置するエアーベントから空気を押し出してキャビティ
内を樹脂で充満させて封止体を形成する工程と、不要リ
ードフレーム部分を切断除去する工程とを有し、リード
フレームのエアーベント側に配線基板の間近まで延在し
付け根が細くなる平板部を設けておき、ゲートから注入
されたレジンがエアーベント側で平板部でキャビティの
上下方向の流動を阻止させるようにして封止体を形成
し、その後不要リードフレーム切断では平板部の付け根
の細い部分を切断する。
線に接続された配線基板付きリードフレームを用意する
工程と、配線基板に半導体チップを固定する工程と、半
導体チップの各電極と各配線をワイヤで接続する工程
と、リードフレームをモールド金型に型締めし、キャビ
ティ内にゲートから樹脂を注入しかつゲートと反対側に
位置するエアーベントから空気を押し出してキャビティ
内を樹脂で充満させて封止体を形成する工程と、不要リ
ードフレーム部分を切断除去する工程とを有し、リード
フレームのエアーベント側に配線基板の間近まで延在し
付け根が細くなる平板部を設けておき、ゲートから注入
されたレジンがエアーベント側で平板部でキャビティの
上下方向の流動を阻止させるようにして封止体を形成
し、その後不要リードフレーム切断では平板部の付け根
の細い部分を切断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に係わり、特にリードフレームと配線基板を組み合わ
せた基板用いる樹脂封止型半導体装置の製造におけるモ
ールド時の樹脂未充填及び気泡（ボイド）発生を防止す
る技術に適用して有効な技術に関する。
法に係わり、特にリードフレームと配線基板を組み合わ
せた基板用いる樹脂封止型半導体装置の製造におけるモ
ールド時の樹脂未充填及び気泡（ボイド）発生を防止す
る技術に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】単一の封止体（パッケージ）内に複数の
半導体チップ（半導体素子）を組み込む技術（マルチチ
ップパッケージ：ＭＣＰ）が知られている。また、より
多くの半導体チップを組み込むべくリードフレームと配
線基板を組み合わせて使用する技術も知られている。
半導体チップ（半導体素子）を組み込む技術（マルチチ
ップパッケージ：ＭＣＰ）が知られている。また、より
多くの半導体チップを組み込むべくリードフレームと配
線基板を組み合わせて使用する技術も知られている。
【０００３】ＭＣＰについては、例えば、特開平8-3305
08号公報や特開平11-186491号公報に記載されている。
また、リードフレームと配線基板を組み合わせる技術と
しては、例えば、特開平8-97344号公報（配線基板はガ
ラス布／エポキシ樹脂）,特開平8-8387号公報（配線基
板はＴＡＢテープ）等が知られている。
08号公報や特開平11-186491号公報に記載されている。
また、リードフレームと配線基板を組み合わせる技術と
しては、例えば、特開平8-97344号公報（配線基板はガ
ラス布／エポキシ樹脂）,特開平8-8387号公報（配線基
板はＴＡＢテープ）等が知られている。
【０００４】特開平8-97344号公報には、配線基板の周
縁表面部分にリードフレームのインナーリードの先端を
固定して樹脂封止型の電子部品パッケージ（半導体装
置）について記載されている。また、この文献には、樹
脂封止時、モールド用金型の注入用ゲートと対角線上に
配置されたエアーベントの近傍に位置するコーナー部に
リードフレームと一体の平板部を配置し、この平板部で
モールド時上面の樹脂をせき止める役割を果たし、ボイ
ドの発生を抑止する技術について記載されている。
縁表面部分にリードフレームのインナーリードの先端を
固定して樹脂封止型の電子部品パッケージ（半導体装
置）について記載されている。また、この文献には、樹
脂封止時、モールド用金型の注入用ゲートと対角線上に
配置されたエアーベントの近傍に位置するコーナー部に
リードフレームと一体の平板部を配置し、この平板部で
モールド時上面の樹脂をせき止める役割を果たし、ボイ
ドの発生を抑止する技術について記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】樹脂封止型半導体装置
としてのＱＦＰ（Quad Flat Package)のＭＣＰ構造にお
いて、従来のモールド金型を使用してモールドした場
合、パッケージ内の上下バランスが均一でないためにレ
ジンの流動性が変化し表面にボイド（気泡）が発生しや
すい。
としてのＱＦＰ（Quad Flat Package)のＭＣＰ構造にお
いて、従来のモールド金型を使用してモールドした場
合、パッケージ内の上下バランスが均一でないためにレ
ジンの流動性が変化し表面にボイド（気泡）が発生しや
すい。
【０００６】一般に、従来のＱＦＰの場合、リードフレ
ームのタブ上に半導体チップが搭載される構造に設計さ
れており、モールド金型を作製する上でもリードフレー
ムの上下のキャビティバランスがとられ、レジンの流動
性を均一にする配慮がなされている。
ームのタブ上に半導体チップが搭載される構造に設計さ
れており、モールド金型を作製する上でもリードフレー
ムの上下のキャビティバランスがとられ、レジンの流動
性を均一にする配慮がなされている。
【０００７】しかし、ＱＦＰ構造において半導体チップ
が複数重なった場合、キャビティの上下バランスが崩れ
るために当然ながらレジンの流動性が変化し、未充填・
ボイド発生といった不具合が発生する。
が複数重なった場合、キャビティの上下バランスが崩れ
るために当然ながらレジンの流動性が変化し、未充填・
ボイド発生といった不具合が発生する。
【０００８】前記文献に示すように、インナーリードの
先端に配線基板を固定した配線基板付きリードフレーム
を使用する半導体装置の製造において、モールド時のエ
アーベント側でのボイドの発生を防止すべく、配線基板
とリードフレームとの間に平板部を設けている技術があ
る。この技術では、前記平板部は幅広であることから、
モールド後の不要リードフレーム部分の切断において切
断性能が悪い。
先端に配線基板を固定した配線基板付きリードフレーム
を使用する半導体装置の製造において、モールド時のエ
アーベント側でのボイドの発生を防止すべく、配線基板
とリードフレームとの間に平板部を設けている技術があ
る。この技術では、前記平板部は幅広であることから、
モールド後の不要リードフレーム部分の切断において切
断性能が悪い。
【０００９】また、パッケージの内外に亘って延在し、
かつリードフレームに連なる部分は、リードと前記平板
部だけである。四角形状のパッケージの角部について見
るならば、四角形状の４隅の１隅だけが前記平板部で支
持されていることになり、リードフレームによるパッケ
ージの支持の安定性が低い。
かつリードフレームに連なる部分は、リードと前記平板
部だけである。四角形状のパッケージの角部について見
るならば、四角形状の４隅の１隅だけが前記平板部で支
持されていることになり、リードフレームによるパッケ
ージの支持の安定性が低い。
【００１０】本発明の目的は、ボイド発生やレジンの未
充填が起き難い半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
充填が起き難い半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
【００１１】本発明の他の目的は、リードフレーム状態
でパッケージを安定して支持できる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
でパッケージを安定して支持できる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、ワイヤボンディング
が確実にできる半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
が確実にできる半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
【００１３】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００１５】（１）インナーリードの先端が配線基板の
所定配線部分に電気的に接続されてなる樹脂封止型用の
配線基板付きリードフレームを用意する工程と、前記配
線基板に半導体チップを固定する工程と、前記半導体チ
ップの各電極と前記配線基板の各配線を導電性のワイヤ
で接続する工程と、前記配線基板付きリードフレームを
モールド金型に型締めし、前記モールド金型によって形
成されるキャビティ内にゲートから樹脂を注入しかつ前
記ゲートと反対側に位置するエアーベントから空気を押
し出して前記キャビティ内を樹脂で充満させて所定部分
に封止体を形成する工程と、前記基板付きリードフレー
ムの不要部分を切断除去する工程とを有する半導体装置
の製造方法であって、前記基板付きリードフレームの前
記エアーベント側に前記配線基板の間近まで延在し付け
根が細くなる平板部を設けておき、前記モールド時前記
モールド金型の前記ゲートから注入された前記レジンが
前記エアーベント側で前記平板部で前記キャビティの上
下方向の流動を阻止させるようにして前記封止体を形成
し、その後前記基板付きリードフレームの不要部分を切
断除去する際前記平板部の付け根の細い部分を切断す
る。
所定配線部分に電気的に接続されてなる樹脂封止型用の
配線基板付きリードフレームを用意する工程と、前記配
線基板に半導体チップを固定する工程と、前記半導体チ
ップの各電極と前記配線基板の各配線を導電性のワイヤ
で接続する工程と、前記配線基板付きリードフレームを
モールド金型に型締めし、前記モールド金型によって形
成されるキャビティ内にゲートから樹脂を注入しかつ前
記ゲートと反対側に位置するエアーベントから空気を押
し出して前記キャビティ内を樹脂で充満させて所定部分
に封止体を形成する工程と、前記基板付きリードフレー
ムの不要部分を切断除去する工程とを有する半導体装置
の製造方法であって、前記基板付きリードフレームの前
記エアーベント側に前記配線基板の間近まで延在し付け
根が細くなる平板部を設けておき、前記モールド時前記
モールド金型の前記ゲートから注入された前記レジンが
前記エアーベント側で前記平板部で前記キャビティの上
下方向の流動を阻止させるようにして前記封止体を形成
し、その後前記基板付きリードフレームの不要部分を切
断除去する際前記平板部の付け根の細い部分を切断す
る。
【００１６】前記モールド金型の前記キャビティを四角
形状に形成しておくとともに、前記四角形状のキャビテ
ィの一隅に前記ゲートを配置させ、前記ゲートの対角線
上の他の一隅に前記エアーベントを配置し、残りの二隅
には前記リードフレームから延在し、その先端が前記キ
ャビティ内に延在する振れ止め片を設けておく。
形状に形成しておくとともに、前記四角形状のキャビテ
ィの一隅に前記ゲートを配置させ、前記ゲートの対角線
上の他の一隅に前記エアーベントを配置し、残りの二隅
には前記リードフレームから延在し、その先端が前記キ
ャビティ内に延在する振れ止め片を設けておく。
【００１７】前記配線基板はその表裏面にそれぞれ半導
体チップが固定できる部分及び前記配線を設けておき、
前記配線基板の表裏面に前記半導体チップをそれぞれ固
定し、各半導体チップの電極と前記配線を導電性のワイ
ヤで電気的に接続する。
体チップが固定できる部分及び前記配線を設けておき、
前記配線基板の表裏面に前記半導体チップをそれぞれ固
定し、各半導体チップの電極と前記配線を導電性のワイ
ヤで電気的に接続する。
【００１８】前記（１）の手段によれば、（ａ）基板付
きリードフレームのエアーベント側に配線基板の間近ま
で延在し付け根が細くなる平板部をリードフレームに設
けてあることから、モールド時ゲートから注入されたレ
ジンがエアーベント側で平板部でキャビティの上下方向
の流動を阻止されるため、リードフレームの上下間でレ
ジンが一方に流れ込まなくなり、レジン同士の衝突に起
因するボイドの発生や未充填の発生を抑えることがで
き、封止性の良好な封止体を形成することができるとと
もに、平板部は付け根が細くなることから、平板部の切
断はこの細い部分となり、切断が容易になる。
きリードフレームのエアーベント側に配線基板の間近ま
で延在し付け根が細くなる平板部をリードフレームに設
けてあることから、モールド時ゲートから注入されたレ
ジンがエアーベント側で平板部でキャビティの上下方向
の流動を阻止されるため、リードフレームの上下間でレ
ジンが一方に流れ込まなくなり、レジン同士の衝突に起
因するボイドの発生や未充填の発生を抑えることがで
き、封止性の良好な封止体を形成することができるとと
もに、平板部は付け根が細くなることから、平板部の切
断はこの細い部分となり、切断が容易になる。
【００１９】（ｂ）モールドによって形成された四角形
状の封止体は、ゲートに対応する一隅を除き、リードフ
レームから延在する突出片（平板部及び振れ止め片）で
支持されるため、封止体は安定して支持され、封止体に
外力が加わっても封止体から突出する部分のインナーリ
ードが変形し難くなる。この結果、製造された半導体装
置におけるリード曲がりが防止できる。
状の封止体は、ゲートに対応する一隅を除き、リードフ
レームから延在する突出片（平板部及び振れ止め片）で
支持されるため、封止体は安定して支持され、封止体に
外力が加わっても封止体から突出する部分のインナーリ
ードが変形し難くなる。この結果、製造された半導体装
置におけるリード曲がりが防止できる。
【００２０】（ｃ）配線基板の表裏面にそれぞれ半導体
チップが固定することによって半導体装置のＭＣＰ化が
達成できる。
チップが固定することによって半導体装置のＭＣＰ化が
達成できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】（実施形態１）図１乃至図１７は本発明の
一実施形態（実施形態１）である半導体装置の製造方法
に係わる図である。本実施形態１では、インナーリード
の先端が配線基板の所定配線部分に電気的に接続されて
なる樹脂封止型用の配線基板付きリードフレームを使用
し、かつ配線基板の表裏面にそれぞれ半導体チップを搭
載したガルウィング構造のＭＣＰ型の樹脂封止型半導体
装置に本発明を適用した例について説明する。
一実施形態（実施形態１）である半導体装置の製造方法
に係わる図である。本実施形態１では、インナーリード
の先端が配線基板の所定配線部分に電気的に接続されて
なる樹脂封止型用の配線基板付きリードフレームを使用
し、かつ配線基板の表裏面にそれぞれ半導体チップを搭
載したガルウィング構造のＭＣＰ型の樹脂封止型半導体
装置に本発明を適用した例について説明する。
【００２３】本実施形態１の半導体装置の製造方法によ
って製造された半導体装置１は、図３に示すような構造
になっている。即ち、平面的に見て偏平四角形状の絶縁
性樹脂からなる封止体（パッケージ）２の内部には配線
基板３が位置している。
って製造された半導体装置１は、図３に示すような構造
になっている。即ち、平面的に見て偏平四角形状の絶縁
性樹脂からなる封止体（パッケージ）２の内部には配線
基板３が位置している。
【００２４】この配線基板３は、例えば多層配線構造の
セラミック板４からなり、主面（図３では上面）、裏面
及び図示しない中層にそれぞれ導体層５を有するととも
に、上下の導体層５は所定箇所に設けられたスルーホー
ルに充填された導体６によって電気的に接続されてい
る。導体層５は、セラミック板４の主面及び裏面におい
て、半導体チップを搭載するチップ固定部５ａや配線５
ｂを構成している。特に、チップ固定部５ａの周囲に位
置する配線５ｂ部分はワイヤを固定するワイヤボンディ
ングパッド５ｃを構成している。
セラミック板４からなり、主面（図３では上面）、裏面
及び図示しない中層にそれぞれ導体層５を有するととも
に、上下の導体層５は所定箇所に設けられたスルーホー
ルに充填された導体６によって電気的に接続されてい
る。導体層５は、セラミック板４の主面及び裏面におい
て、半導体チップを搭載するチップ固定部５ａや配線５
ｂを構成している。特に、チップ固定部５ａの周囲に位
置する配線５ｂ部分はワイヤを固定するワイヤボンディ
ングパッド５ｃを構成している。
【００２５】配線基板３の主面及び裏面のチップ固定部
５ａには接合材７を介して半導体チップ８，９が固定さ
れている。また、各半導体チップ８，９の上面の図示し
ない電極とチップ固定部５ａの周囲に位置するワイヤボ
ンディングパッド５ｃは導電性のワイヤ１０で電気的に
接続されている。
５ａには接合材７を介して半導体チップ８，９が固定さ
れている。また、各半導体チップ８，９の上面の図示し
ない電極とチップ固定部５ａの周囲に位置するワイヤボ
ンディングパッド５ｃは導電性のワイヤ１０で電気的に
接続されている。
【００２６】封止体２の周囲の４辺からはそれぞれリー
ド１１が突出し、ＱＦＰ構造になっている。封止体２の
内外に亘って延在するリード１１は、封止体２の内部に
延在するインナーリード１１ａの先端が配線基板３の裏
面の周辺部分に接続される。この接続は導電性の接合材
１２によって配線基板３の裏面の配線５ｂに接続され
る。即ち、この接続は、四角形状の配線基板３の各辺に
沿って所定間隔に配置形成される配線５ｂによるリード
接続部５ｅに接合材１２によって接続される。接合材１
２は、例えば、融点が２８０℃と高い高融点半田（Ｓｎ
が９５％となるＰｂＳｎ半田）が使用されている。ま
た、リード１１の封止体２から外に突出するアウターリ
ード１１ｂは成形されて表面実装が可能なガルウィング
型となっている。
ド１１が突出し、ＱＦＰ構造になっている。封止体２の
内外に亘って延在するリード１１は、封止体２の内部に
延在するインナーリード１１ａの先端が配線基板３の裏
面の周辺部分に接続される。この接続は導電性の接合材
１２によって配線基板３の裏面の配線５ｂに接続され
る。即ち、この接続は、四角形状の配線基板３の各辺に
沿って所定間隔に配置形成される配線５ｂによるリード
接続部５ｅに接合材１２によって接続される。接合材１
２は、例えば、融点が２８０℃と高い高融点半田（Ｓｎ
が９５％となるＰｂＳｎ半田）が使用されている。ま
た、リード１１の封止体２から外に突出するアウターリ
ード１１ｂは成形されて表面実装が可能なガルウィング
型となっている。
【００２７】つぎに、図４に示す半導体装置の製造方法
を示すフローチャートと各製造工程の断面図を参照しな
がら半導体装置１の製造方法と半導体装置１の構造につ
いて説明する。
を示すフローチャートと各製造工程の断面図を参照しな
がら半導体装置１の製造方法と半導体装置１の構造につ
いて説明する。
【００２８】半導体装置１は、図４に示すように、基板
付きリードフレーム用意（ステップ１０１：Ｓ１０
１）、チップボンディング（主面）（Ｓ１０２）、チッ
プボンディング（裏面）（Ｓ１０３）、ワイヤボンディ
ング（主面）（Ｓ１０４）、ワイヤボンディング（裏
面）（Ｓ１０５）、モールド（Ｓ１０６）、半田メッキ
（Ｓ１０７）、切断成形（Ｓ１０８）の各工程を経て製
造される。
付きリードフレーム用意（ステップ１０１：Ｓ１０
１）、チップボンディング（主面）（Ｓ１０２）、チッ
プボンディング（裏面）（Ｓ１０３）、ワイヤボンディ
ング（主面）（Ｓ１０４）、ワイヤボンディング（裏
面）（Ｓ１０５）、モールド（Ｓ１０６）、半田メッキ
（Ｓ１０７）、切断成形（Ｓ１０８）の各工程を経て製
造される。
【００２９】半導体装置１の製造には、図５に示すよう
に、基板付きリードフレーム２０が用意される。基板付
きリードフレーム２０は、特に限定されるものではない
が図５に示すように、半導体装置が製造される単位リー
ドフレーム部分２１を一列に５個並べた短冊体となって
いる。図６に単位リードフレーム部分２１を拡大して示
す。図５及び図６共に配線基板３がリードフレーム２２
の下面に取り付けられた状態、即ち基板付きリードフレ
ーム２０の裏面を示す。配線基板３はリードフレーム２
２の主面に取り付けられる。この配線基板３が取り付け
られた基板付きリードフレーム２０の面を主面と呼称す
る。図４では単位リードフレーム部分２１での半導体装
置の組立（製造）状態を示すものである。なお、基板付
きリードフレーム２０は単位リードフレーム部分２１を
縦横に格子状に整列配置したマトリックス構成のもので
あってもよい。
に、基板付きリードフレーム２０が用意される。基板付
きリードフレーム２０は、特に限定されるものではない
が図５に示すように、半導体装置が製造される単位リー
ドフレーム部分２１を一列に５個並べた短冊体となって
いる。図６に単位リードフレーム部分２１を拡大して示
す。図５及び図６共に配線基板３がリードフレーム２２
の下面に取り付けられた状態、即ち基板付きリードフレ
ーム２０の裏面を示す。配線基板３はリードフレーム２
２の主面に取り付けられる。この配線基板３が取り付け
られた基板付きリードフレーム２０の面を主面と呼称す
る。図４では単位リードフレーム部分２１での半導体装
置の組立（製造）状態を示すものである。なお、基板付
きリードフレーム２０は単位リードフレーム部分２１を
縦横に格子状に整列配置したマトリックス構成のもので
あってもよい。
【００３０】基板付きリードフレーム２０は、図５及び
図６に示すように、薄い金属板（銅合金や鉄−ニッケル
合金等）をエッチングやプレスで所定パターンに形成し
たリードフレーム２２と、このリードフレーム２２の主
面（図５及び図６では下面）に取り付けた配線基板３と
で形成されている。
図６に示すように、薄い金属板（銅合金や鉄−ニッケル
合金等）をエッチングやプレスで所定パターンに形成し
たリードフレーム２２と、このリードフレーム２２の主
面（図５及び図６では下面）に取り付けた配線基板３と
で形成されている。
【００３１】基板付きリードフレーム２０の単位リード
フレーム部分２１について図６及び図７を参照しながら
説明する。図７は配線基板３が上面に位置した基板付き
リードフレーム２０の主面側を示す平面図であり、図６
は配線基板３が下面に位置した基板付きリードフレーム
２０の裏面側を示す平面図である。
フレーム部分２１について図６及び図７を参照しながら
説明する。図７は配線基板３が上面に位置した基板付き
リードフレーム２０の主面側を示す平面図であり、図６
は配線基板３が下面に位置した基板付きリードフレーム
２０の裏面側を示す平面図である。
【００３２】単位リードフレーム部分２１では、一部に
それぞれ打ち抜きパターン部分があるが四角形枠状の枠
体２３をその外周部分に有している。この枠体２３の４
辺の内側からそれぞれ各辺に直交する延在方向に平行に
所定ピッチでリード１１が枠体２３の内側に向かって延
在している。また、これらリード１１は枠体２３の各辺
に平行に延在するダム２４でリードの途中部分を支持さ
れる構造になっている。このダム２４で囲まれる四角形
状の領域の僅か内側部分がモールドによって樹脂が充填
される領域（モールド領域）であり、封止体２が形成さ
れる領域である。この樹脂封止（例えば、トランスファ
モールド）において、前記ダム２４は樹脂がモールド金
型の外側に漏れ出ない抑止体（ダム）の役割を果たす。
それぞれ打ち抜きパターン部分があるが四角形枠状の枠
体２３をその外周部分に有している。この枠体２３の４
辺の内側からそれぞれ各辺に直交する延在方向に平行に
所定ピッチでリード１１が枠体２３の内側に向かって延
在している。また、これらリード１１は枠体２３の各辺
に平行に延在するダム２４でリードの途中部分を支持さ
れる構造になっている。このダム２４で囲まれる四角形
状の領域の僅か内側部分がモールドによって樹脂が充填
される領域（モールド領域）であり、封止体２が形成さ
れる領域である。この樹脂封止（例えば、トランスファ
モールド）において、前記ダム２４は樹脂がモールド金
型の外側に漏れ出ない抑止体（ダム）の役割を果たす。
【００３３】前記モールド領域の中央には、前述の四角
形状の配線基板３が配置される。半導体装置１の封止体
２の外側に突出するリード部分をアウターリード１１ｂ
と呼称し、封止体２内に位置するリード部分をインナー
リード１１ａと呼称するが、前記ダム２４で支持される
リード部分もアウターリード１１ｂとなる。従って、ダ
ム２４よりもさらに内側のリード部分がインナーリード
１１ａとなる。
形状の配線基板３が配置される。半導体装置１の封止体
２の外側に突出するリード部分をアウターリード１１ｂ
と呼称し、封止体２内に位置するリード部分をインナー
リード１１ａと呼称するが、前記ダム２４で支持される
リード部分もアウターリード１１ｂとなる。従って、ダ
ム２４よりもさらに内側のリード部分がインナーリード
１１ａとなる。
【００３４】インナーリード１１ａの先端は、配線基板
３の裏面の各リード接続部５ｅ（図１参照）に高融点半
田からなる接合材１２（図１参照）に接続される。しか
し、アウターリード１１ｂのピッチに比較して、配線基
板３のリード接続部５ｅ（図１参照）のピッチは狭い。
このため、インナーリード１１ａの先端（内端）のピッ
チがリード接続部５ｅのピッチと一致するように、図６
及び図７に示すように、一部のインナーリード１１ａは
屈曲したパターンとなる。
３の裏面の各リード接続部５ｅ（図１参照）に高融点半
田からなる接合材１２（図１参照）に接続される。しか
し、アウターリード１１ｂのピッチに比較して、配線基
板３のリード接続部５ｅ（図１参照）のピッチは狭い。
このため、インナーリード１１ａの先端（内端）のピッ
チがリード接続部５ｅのピッチと一致するように、図６
及び図７に示すように、一部のインナーリード１１ａは
屈曲したパターンとなる。
【００３５】このような基板付きリードフレーム２０を
用いチップボンディング，ワイヤボンディングを行う
と、その後図２に示すように、モールド金型３０の下型
３０ａと上型３０ｂ間に基板付きリードフレーム２０を
型締めし、次いでモールド金型３０のゲート３１から溶
けたレジン３２をモールド金型３０によって形成された
モールド空間（キャビティ）３３に注入して封止体２を
形成する。レジン３２によって押しだされた空気と一部
のレジンは、モールド金型３０によって形成された空間
であるエアーベント３４から外部に逃げる。図中矢印は
レジンの流れ方向や空気の流れ方向を示すものである。
また、図ではゲート３１は下型３０ａに設け、エアーベ
ント３４は上型３０ｂに設けたが、これに限定されるも
のではない。即ち、ゲート３１は上型３０ｂに設けても
よく、またエアーベント３４は下型３０ａまたは下型３
０ａと上型３０ｂに設けてもよい。
用いチップボンディング，ワイヤボンディングを行う
と、その後図２に示すように、モールド金型３０の下型
３０ａと上型３０ｂ間に基板付きリードフレーム２０を
型締めし、次いでモールド金型３０のゲート３１から溶
けたレジン３２をモールド金型３０によって形成された
モールド空間（キャビティ）３３に注入して封止体２を
形成する。レジン３２によって押しだされた空気と一部
のレジンは、モールド金型３０によって形成された空間
であるエアーベント３４から外部に逃げる。図中矢印は
レジンの流れ方向や空気の流れ方向を示すものである。
また、図ではゲート３１は下型３０ａに設け、エアーベ
ント３４は上型３０ｂに設けたが、これに限定されるも
のではない。即ち、ゲート３１は上型３０ｂに設けても
よく、またエアーベント３４は下型３０ａまたは下型３
０ａと上型３０ｂに設けてもよい。
【００３６】図１は基板付きリードフレーム２０と、ゲ
ート３１及びエアーベント３４との配置関係を示す模式
図であり、図２と共に本発明の特徴を表す図である。ゲ
ート３１は四角形状のモールド空間３３の一隅（図１で
は左上隅）に位置し、その対角線上の他の一隅（図１で
は右下隅）にエアーベント３４が位置している。
ート３１及びエアーベント３４との配置関係を示す模式
図であり、図２と共に本発明の特徴を表す図である。ゲ
ート３１は四角形状のモールド空間３３の一隅（図１で
は左上隅）に位置し、その対角線上の他の一隅（図１で
は右下隅）にエアーベント３４が位置している。
【００３７】ゲート３１が位置する一隅では、ゲート３
１から圧入されるレジンの流れを阻止しないように、ダ
ム２４とダム２４が交差する隅部分から配線基板３側に
突出するものを設けない構造になっている（図１左上
隅）。
１から圧入されるレジンの流れを阻止しないように、ダ
ム２４とダム２４が交差する隅部分から配線基板３側に
突出するものを設けない構造になっている（図１左上
隅）。
【００３８】これに対して図１及び図２に示すように、
これが本発明の特徴の一つであるが、エアーベント３４
が位置するダム２４とダム２４が交差する隅部から配線
基板３に向かって延在する平板部３５が設けられてい
る。この平板部３５は、図１６（ａ）〜（ｄ）に示すよ
うに、配線基板３の上下面に沿って移動してきたレジン
３２が、一方の面側から他方の面側に流れ込むのを阻止
する役割を果たす。図１６（ａ）〜（ｄ）はキャビティ
３３内を順次進むレジン３２の様子を示す図である。
これが本発明の特徴の一つであるが、エアーベント３４
が位置するダム２４とダム２４が交差する隅部から配線
基板３に向かって延在する平板部３５が設けられてい
る。この平板部３５は、図１６（ａ）〜（ｄ）に示すよ
うに、配線基板３の上下面に沿って移動してきたレジン
３２が、一方の面側から他方の面側に流れ込むのを阻止
する役割を果たす。図１６（ａ）〜（ｄ）はキャビティ
３３内を順次進むレジン３２の様子を示す図である。
【００３９】図１６（ｃ）に示すように、配線基板３の
上下面に沿って進んだレジン３２において、先に配線基
板３の端から外れた配線基板３の下面側のレジン３２が
平板部３５によって阻止されて下面側から上面側に向か
って流れ込むのを防止する。レジン３２の流れ込みを防
止するために、配線基板３と平板部３５の先端との間隔
は狭い程よい。
上下面に沿って進んだレジン３２において、先に配線基
板３の端から外れた配線基板３の下面側のレジン３２が
平板部３５によって阻止されて下面側から上面側に向か
って流れ込むのを防止する。レジン３２の流れ込みを防
止するために、配線基板３と平板部３５の先端との間隔
は狭い程よい。
【００４０】平板部３５によって配線基板３の上面と下
面に沿って流れてきたレジン３２を配線基板３の端の延
長側で合流させてエアーベント３４に導き、リードフレ
ーム２２の上面側または下面側で先に流れてきたレジン
が反対の面側に流入し、遅れて流入してきたレジンと向
かい会って衝突するのを防止するものである。この衝突
によってレジン内に空気を巻き込むことになり、封止体
２内に耐湿性を低下させる原因となる気泡（ボイド）が
発生しやすくなる。平板部３５はこのボイドの発生を抑
止するものである。
面に沿って流れてきたレジン３２を配線基板３の端の延
長側で合流させてエアーベント３４に導き、リードフレ
ーム２２の上面側または下面側で先に流れてきたレジン
が反対の面側に流入し、遅れて流入してきたレジンと向
かい会って衝突するのを防止するものである。この衝突
によってレジン内に空気を巻き込むことになり、封止体
２内に耐湿性を低下させる原因となる気泡（ボイド）が
発生しやすくなる。平板部３５はこのボイドの発生を抑
止するものである。
【００４１】しかし、この平板部３５は、モールド後に
ダム２４から切断される。このため、幅が広いとより大
きな切断力を必要とし好ましくない。そこで、本実施形
態１では、平板部３５を、ダム２４に連なる付け根が細
くなる細幅部３６と、先端側が幅が広くなる幅広部３７
で構成し、細幅部３６の部分を切断するようにしてあ
る。この細幅部３６の幅は、例えば、リード１１（イン
ナーリード１１ａ）の幅と同じ程度にする。
ダム２４から切断される。このため、幅が広いとより大
きな切断力を必要とし好ましくない。そこで、本実施形
態１では、平板部３５を、ダム２４に連なる付け根が細
くなる細幅部３６と、先端側が幅が広くなる幅広部３７
で構成し、細幅部３６の部分を切断するようにしてあ
る。この細幅部３６の幅は、例えば、リード１１（イン
ナーリード１１ａ）の幅と同じ程度にする。
【００４２】また、平板部３５は、幅広部３７において
隣接するリード１１（インナーリード１１ａ）との電気
的接触をさせないことと、配線基板３に接触させないこ
とを条件としてできるだけ面積を大きくさせることか
ら、矢羽根のような形状になっている。しかし、本発明
はこれに特定されるものではなく、ダム２４に連なる細
幅部３６と、細幅部３６に連なる幅広部３７を有してい
れば他の形状でもよいことは勿論である。
隣接するリード１１（インナーリード１１ａ）との電気
的接触をさせないことと、配線基板３に接触させないこ
とを条件としてできるだけ面積を大きくさせることか
ら、矢羽根のような形状になっている。しかし、本発明
はこれに特定されるものではなく、ダム２４に連なる細
幅部３６と、細幅部３６に連なる幅広部３７を有してい
れば他の形状でもよいことは勿論である。
【００４３】一方、これも本発明の特徴の一つである
が、ゲート３１からエアーベント３４に向かう対角線の
両側に位置する残りの隅部のダム２４からは、モールド
領域内に先端が入り、配線基板３には接触しない振れ止
め片３８が設けられている。この振れ止め片３８は封止
体２を支持する補強部材として作用するため、モールド
後、封止体２に外力が加わっても封止体２の隅部が基板
付きリードフレーム２０の主面に直交する方向に動くこ
ともなく、封止体２から突出するリード１１が封止体２
の付け根部分で曲がることもなく、リード曲がりが防止
できる。
が、ゲート３１からエアーベント３４に向かう対角線の
両側に位置する残りの隅部のダム２４からは、モールド
領域内に先端が入り、配線基板３には接触しない振れ止
め片３８が設けられている。この振れ止め片３８は封止
体２を支持する補強部材として作用するため、モールド
後、封止体２に外力が加わっても封止体２の隅部が基板
付きリードフレーム２０の主面に直交する方向に動くこ
ともなく、封止体２から突出するリード１１が封止体２
の付け根部分で曲がることもなく、リード曲がりが防止
できる。
【００４４】他方、これも本発明の特徴の一つである
が、３つの隅部から配線基板３に向かって延在する平板
部３５及び振れ止め片３８は、いずれも配線基板３に接
触せず、かつ重ならないようになっている。このため、
図１１乃至図１３及び図１５に示すように、ワイヤボン
ディング時配線基板３の４隅を支持体４０とクランパ４
１で確実にクランプできる。特に支持体４０は配線基板
３を所定温度に加熱するヒートシンクとなるため、配線
基板３は所定温度に加熱され、金線による確実なワイヤ
ボンディングが可能になる。支持体４０は、配線基板３
の４隅を支持するような断面が四角となる小さい突部４
０ａを４個有している。図１３は突部４０ａのクランプ
位置を示す模式図である。また、この突部４０ａに対応
してクランパ４１の先端のクランプ部４１ａが位置す
る。図１２はクランプ部４１ａのクランプ位置を示す模
式図である。
が、３つの隅部から配線基板３に向かって延在する平板
部３５及び振れ止め片３８は、いずれも配線基板３に接
触せず、かつ重ならないようになっている。このため、
図１１乃至図１３及び図１５に示すように、ワイヤボン
ディング時配線基板３の４隅を支持体４０とクランパ４
１で確実にクランプできる。特に支持体４０は配線基板
３を所定温度に加熱するヒートシンクとなるため、配線
基板３は所定温度に加熱され、金線による確実なワイヤ
ボンディングが可能になる。支持体４０は、配線基板３
の４隅を支持するような断面が四角となる小さい突部４
０ａを４個有している。図１３は突部４０ａのクランプ
位置を示す模式図である。また、この突部４０ａに対応
してクランパ４１の先端のクランプ部４１ａが位置す
る。図１２はクランプ部４１ａのクランプ位置を示す模
式図である。
【００４５】さらに、リードフレーム２２の両側に沿っ
て基板付きリードフレーム２０の移送や位置決めに使用
するガイド孔２５ａ〜２５ｄが設けられている。
て基板付きリードフレーム２０の移送や位置決めに使用
するガイド孔２５ａ〜２５ｄが設けられている。
【００４６】このような基板付きリードフレーム２０を
用意（Ｓ１０１）した後は、図４のＳ１０２及び図８に
示すように、配線基板３の主面に接合材７（図３参照）
を介して半導体チップ８を位置決め固定する。接合材７
としてはＡｇペーストを用いる。このＡｇペーストは半
導体チップ８の固定後に１５０℃前後の温度でベークさ
れる。この結果、硬化した接合材７によって半導体チッ
プ８は配線基板３のチップ固定部５ａに確実に固定され
る（図１参照）。
用意（Ｓ１０１）した後は、図４のＳ１０２及び図８に
示すように、配線基板３の主面に接合材７（図３参照）
を介して半導体チップ８を位置決め固定する。接合材７
としてはＡｇペーストを用いる。このＡｇペーストは半
導体チップ８の固定後に１５０℃前後の温度でベークさ
れる。この結果、硬化した接合材７によって半導体チッ
プ８は配線基板３のチップ固定部５ａに確実に固定され
る（図１参照）。
【００４７】つぎに、基板付きリードフレーム２０を裏
返した後、図４のＳ１０３及び図９に示すように、配線
基板３の裏面に接合材７（図３参照）を介して半導体チ
ップ９を位置決め固定する。接合材７としては前記同様
にＡｇペーストを用いる。なお、Ｓ１０２及びＳ１０３
において、図１１乃至図１３に示す支持体４０及びクラ
ンパ４１によって配線基板３を固定させてチップボンデ
ィングを行う。
返した後、図４のＳ１０３及び図９に示すように、配線
基板３の裏面に接合材７（図３参照）を介して半導体チ
ップ９を位置決め固定する。接合材７としては前記同様
にＡｇペーストを用いる。なお、Ｓ１０２及びＳ１０３
において、図１１乃至図１３に示す支持体４０及びクラ
ンパ４１によって配線基板３を固定させてチップボンデ
ィングを行う。
【００４８】つぎに、基板付きリードフレーム２０を裏
返した後、図４のＳ１０４及び図１０に示すように、配
線基板３の主面に固定された半導体チップ８の電極と、
配線基板３の主面の配線５ｂのワイヤボンディングパッ
ド５ｃ（図３参照）を導電性のワイヤ１０（例えば、金
線）で接続する。このワイヤボンディングにおいては、
図１１に示すように支持体４０及びクランパ４１で配線
基板３の４隅を確実にクランプして固定するとともに、
配線基板３を所定温度に加熱して確実にワイヤボンディ
ング（超音波熱圧着法）を行う。
返した後、図４のＳ１０４及び図１０に示すように、配
線基板３の主面に固定された半導体チップ８の電極と、
配線基板３の主面の配線５ｂのワイヤボンディングパッ
ド５ｃ（図３参照）を導電性のワイヤ１０（例えば、金
線）で接続する。このワイヤボンディングにおいては、
図１１に示すように支持体４０及びクランパ４１で配線
基板３の４隅を確実にクランプして固定するとともに、
配線基板３を所定温度に加熱して確実にワイヤボンディ
ング（超音波熱圧着法）を行う。
【００４９】つぎに、基板付きリードフレーム２０を裏
返した後、図４のＳ１０５及び図１４に示すように、Ｓ
１０４と同様に配線基板３の裏面に固定された半導体チ
ップ９の電極と、配線基板３の主面の配線５ｂのワイヤ
ボンディングパッド５ｃ（図３参照）を導電性のワイヤ
１０（例えば、金線）で接続（超音波熱圧着法）する。
返した後、図４のＳ１０５及び図１４に示すように、Ｓ
１０４と同様に配線基板３の裏面に固定された半導体チ
ップ９の電極と、配線基板３の主面の配線５ｂのワイヤ
ボンディングパッド５ｃ（図３参照）を導電性のワイヤ
１０（例えば、金線）で接続（超音波熱圧着法）する。
【００５０】つぎに、図２及び図１６（ａ）〜（ｄ）に
示すように、チップボンディング，ワイヤボンディング
が終了した基板付きリードフレーム２０をトランスファ
モールド装置のモールド金型３０に型締めした後ゲート
３１からキャビティ３３内に溶けたレジン３２を注入し
て、図４のＳ１０６及び図１７に示すように、封止体２
を形成する。このモールド時、図１６（ｂ）に示すよう
に、配線基板３の上面及び下面に沿ってレジン３２が流
れる。ゲート３１がモールド金型３０の下型３０ａに設
けられ、基板付きリードフレーム２０の下面側に位置す
ることから、基板付きリードフレーム２０の下面側での
レジンの流入量が多くなり、上面側よりも早く配線基板
３のエアーベント３４寄りの端に到達する。しかし、配
線基板３とエアーベント３４との間にはダム２４から配
線基板３に向かって平板部３５が延在していることか
ら、下面側のレジン３２はこの平板部３５に阻止される
ため、配線基板３の上面側に回り込むことがない。従っ
て、基板付きリードフレーム２０の下面側に沿って流れ
るレジンと、上面側に沿って流れるレジンとの衝突が回
避され、衝突による気泡（ボイド）の発生やレジンの未
充填が抑止されることになる。
示すように、チップボンディング，ワイヤボンディング
が終了した基板付きリードフレーム２０をトランスファ
モールド装置のモールド金型３０に型締めした後ゲート
３１からキャビティ３３内に溶けたレジン３２を注入し
て、図４のＳ１０６及び図１７に示すように、封止体２
を形成する。このモールド時、図１６（ｂ）に示すよう
に、配線基板３の上面及び下面に沿ってレジン３２が流
れる。ゲート３１がモールド金型３０の下型３０ａに設
けられ、基板付きリードフレーム２０の下面側に位置す
ることから、基板付きリードフレーム２０の下面側での
レジンの流入量が多くなり、上面側よりも早く配線基板
３のエアーベント３４寄りの端に到達する。しかし、配
線基板３とエアーベント３４との間にはダム２４から配
線基板３に向かって平板部３５が延在していることか
ら、下面側のレジン３２はこの平板部３５に阻止される
ため、配線基板３の上面側に回り込むことがない。従っ
て、基板付きリードフレーム２０の下面側に沿って流れ
るレジンと、上面側に沿って流れるレジンとの衝突が回
避され、衝突による気泡（ボイド）の発生やレジンの未
充填が抑止されることになる。
【００５１】また、ゲート３１からエアーベント３４に
向かう対角線の両側の隅部に設けられている振れ止め片
３８の先端部分も封止体２内に封止される。
向かう対角線の両側の隅部に設けられている振れ止め片
３８の先端部分も封止体２内に封止される。
【００５２】図１７には、基板付きリードフレーム２０
の平板部３５及び振れ止め片３８、モールド金型のゲー
ト３１，キャビティ３３（封止体２）及びエアーベント
３４の位置関係を模式的に示してある。
の平板部３５及び振れ止め片３８、モールド金型のゲー
ト３１，キャビティ３３（封止体２）及びエアーベント
３４の位置関係を模式的に示してある。
【００５３】つぎに、図４のＳ１０７に示すように、封
止体２から突出するリード１１（アウターリード１１
ｂ）の表面に半田メッキを施す。この半田メッキは、例
えば融点が１８０℃と低い低融点半田（Ｓｎが６０％と
なるＰｂＳｎ半田）である。
止体２から突出するリード１１（アウターリード１１
ｂ）の表面に半田メッキを施す。この半田メッキは、例
えば融点が１８０℃と低い低融点半田（Ｓｎが６０％と
なるＰｂＳｎ半田）である。
【００５４】つぎに、図４のＳ１０８（切断・成形工
程）に示すように、不要なリードフレーム部分を切断除
去するとともに、封止体２の各辺から突出するリード１
１（アウターリード１１ｂ）をガルウィング型に成形し
て図３に示すような半導体装置１を製造する。
程）に示すように、不要なリードフレーム部分を切断除
去するとともに、封止体２の各辺から突出するリード１
１（アウターリード１１ｂ）をガルウィング型に成形し
て図３に示すような半導体装置１を製造する。
【００５５】なお、封止体２の形成後、切断・成形工程
に至る間の基板付きリードフレーム２０の取扱時、封止
体２はリードフレーム２２にリード１１とともに、１個
の平板部３５と２個の振れ止め片３８によって支持され
ることから、封止体２に外力が加わっても封止体２の隅
部が基板付きリードフレーム２０の主面に直交する方向
に動くこともなく、封止体２から突出するリード１１が
封止体２の付け根部分で曲がることもなく、リード曲が
りが防止できる。この結果、リード曲がりのないガルウ
ィング型の半導体装置１を製造することができ、歩留り
の向上を図ることができる。
に至る間の基板付きリードフレーム２０の取扱時、封止
体２はリードフレーム２２にリード１１とともに、１個
の平板部３５と２個の振れ止め片３８によって支持され
ることから、封止体２に外力が加わっても封止体２の隅
部が基板付きリードフレーム２０の主面に直交する方向
に動くこともなく、封止体２から突出するリード１１が
封止体２の付け根部分で曲がることもなく、リード曲が
りが防止できる。この結果、リード曲がりのないガルウ
ィング型の半導体装置１を製造することができ、歩留り
の向上を図ることができる。
【００５６】本実施形態１によれば以下の効果を有す
る。
る。
【００５７】（１）基板付きリードフレーム２０には、
モールド時にボイド発生を抑止する平板部３５が設けら
れているが、この平板部３５はその切断箇所が細幅部３
６となっていることから、切断が容易になる効果があ
る。この結果、切断刃の寿命の低下を図ることができ、
製品コストの低減を図ることができる。
モールド時にボイド発生を抑止する平板部３５が設けら
れているが、この平板部３５はその切断箇所が細幅部３
６となっていることから、切断が容易になる効果があ
る。この結果、切断刃の寿命の低下を図ることができ、
製品コストの低減を図ることができる。
【００５８】（２）基板付きリードフレーム２０におい
ては、ゲート３１からエアーベント３４に向かう対角線
の両側に位置するダム２４とダム２４との交差する隅部
からモールド領域内に先端が入り、配線基板３には接触
しない振れ止め片３８が設けられているため、モールド
後、この振れ止め片３８は封止体２を支持する補強部材
として作用するため、封止体２に外力が加わっても封止
体２から突出するリード１１が封止体２の付け根部分で
曲がることもなく、リード曲がりが防止できる。この結
果、製造歩留りの向上を図ることができ、製品コストの
低減を図ることができる。
ては、ゲート３１からエアーベント３４に向かう対角線
の両側に位置するダム２４とダム２４との交差する隅部
からモールド領域内に先端が入り、配線基板３には接触
しない振れ止め片３８が設けられているため、モールド
後、この振れ止め片３８は封止体２を支持する補強部材
として作用するため、封止体２に外力が加わっても封止
体２から突出するリード１１が封止体２の付け根部分で
曲がることもなく、リード曲がりが防止できる。この結
果、製造歩留りの向上を図ることができ、製品コストの
低減を図ることができる。
【００５９】（３）基板付きリードフレーム２０におい
ては、ダム２４とダム２４とが交差する３つの隅部から
配線基板３に向かって延在する平板部３５及び振れ止め
片３８は、いずれも配線基板３に接触することもなくか
つ重なることもない。このため、ワイヤボンディング時
配線基板３の４隅を支持体４０と、配線基板３を所定温
度に加熱するヒートシンクとなるクランパ４１で確実に
クランプできるため、配線基板３は所定温度に加熱さ
れ、金線による確実なワイヤボンディングが可能にな
る。この結果、製造歩留りの向上を図ることができ、製
品コストの低減を図ることができる。
ては、ダム２４とダム２４とが交差する３つの隅部から
配線基板３に向かって延在する平板部３５及び振れ止め
片３８は、いずれも配線基板３に接触することもなくか
つ重なることもない。このため、ワイヤボンディング時
配線基板３の４隅を支持体４０と、配線基板３を所定温
度に加熱するヒートシンクとなるクランパ４１で確実に
クランプできるため、配線基板３は所定温度に加熱さ
れ、金線による確実なワイヤボンディングが可能にな
る。この結果、製造歩留りの向上を図ることができ、製
品コストの低減を図ることができる。
【００６０】（４）配線基板３の表裏面にそれぞれ半導
体チップを固定することによって半導体装置のＭＣＰ化
が達成できる。
体チップを固定することによって半導体装置のＭＣＰ化
が達成できる。
【００６１】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００６２】本発明は少なくともトランスファモールド
装置によって同様のモールドを行う技術には適用でき
る。
装置によって同様のモールドを行う技術には適用でき
る。
【００６３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００６４】（１）ボイド発生やレジンの未充填が起き
難い半導体装置を製造することができる。また、ボイド
発生を抑止する平板部は切断部分が細くなっているた
め、平板部の切断除去が容易となる。
難い半導体装置を製造することができる。また、ボイド
発生を抑止する平板部は切断部分が細くなっているた
め、平板部の切断除去が容易となる。
【００６５】（２）リードフレーム状態でパッケージを
安定して支持できることからリード曲がりを防止するこ
とができ、実装性能が良好な半導体装置を製造すること
ができる。
安定して支持できることからリード曲がりを防止するこ
とができ、実装性能が良好な半導体装置を製造すること
ができる。
【００６６】（３）配線基板の四隅を確実にクランプし
てワイヤボンディングすることから確実にワイヤボンデ
ィングが行え品質の高い半導体装置を製造することがで
きる。
てワイヤボンディングすることから確実にワイヤボンデ
ィングが行え品質の高い半導体装置を製造することがで
きる。
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導
体装置の製造におけるトランスファモールド時の樹脂の
分布を示す模式的平面図である。
体装置の製造におけるトランスファモールド時の樹脂の
分布を示す模式的平面図である。
【図２】前記トランスファモールド時のモールド型内の
樹脂の流れ状態を示す模式的断面図である。
樹脂の流れ状態を示す模式的断面図である。
【図３】本実施形態１の半導体装置の製造方法によって
製造された半導体装置の模式的断面図である。
製造された半導体装置の模式的断面図である。
【図４】本実施形態１の半導体装置の製造方法を示すフ
ローチャートと各製造工程の断面図である。
ローチャートと各製造工程の断面図である。
【図５】本実施形態１の半導体装置の製造方法で使用す
る配線基板付きのリードフレームの裏面図である。
る配線基板付きのリードフレームの裏面図である。
【図６】前記リードフレームの単位リードフレーム部分
を示す裏面図である。
を示す裏面図である。
【図７】前記リードフレームの単位リードフレーム部分
の平面図である。
の平面図である。
【図８】前記配線基板上に半導体チップを固定した単位
リードフレーム部分の平面図である。
リードフレーム部分の平面図である。
【図９】前記配線基板の裏面に半導体チップを固定した
単位リードフレーム部分の裏面図である。
単位リードフレーム部分の裏面図である。
【図１０】前記配線基板上の半導体チップにワイヤを取
り付けた状態の単位リードフレーム部分の裏面図であ
る。
り付けた状態の単位リードフレーム部分の裏面図であ
る。
【図１１】ワイヤボンディング装置の加熱ステージとク
ランパに保持した配線基板等を示す一部の模式的断面図
である。
ランパに保持した配線基板等を示す一部の模式的断面図
である。
【図１２】図１１の前記配線基板等とクランパとの位置
関係を示す模式的平面図である。
関係を示す模式的平面図である。
【図１３】図１１の前記配線基板等と加熱ステージとの
位置関係を示す模式的裏面図である。
位置関係を示す模式的裏面図である。
【図１４】前記配線基板裏面の半導体チップにワイヤを
取り付けた状態の単位リードフレーム部分の裏面図であ
る。
取り付けた状態の単位リードフレーム部分の裏面図であ
る。
【図１５】ワイヤボンディング装置の加熱ステージとク
ランパに保持した配線基板等を示す一部の模式的断面図
である。
ランパに保持した配線基板等を示す一部の模式的断面図
である。
【図１６】本実施形態１の半導体装置の製造方法におけ
るトランスファモールドによってパッケージが形成され
る状態を示す単位リードフレーム部分の模式的断面図で
ある。
るトランスファモールドによってパッケージが形成され
る状態を示す単位リードフレーム部分の模式的断面図で
ある。
【図１７】前記トランスファモールドによって形成され
たパッケージ等を示す単位リードフレーム部分の平面図
である。
たパッケージ等を示す単位リードフレーム部分の平面図
である。
１…半導体装置、２…封止体（パッケージ）、３…配線
基板、４…セラミック板、５…導体層、５ａ…チップ固
定部、５ｂ…配線、５ｃ…ワイヤボンディングパッド、
５ｅ…リード接続部、６…導体、７…接合材、８，９…
半導体チップ、１０…ワイヤ、１１…リード、１１ａ…
インナーリード、１１ｂ…アウターリード、２０…基板
付きリードフレーム、２１…単位リードフレーム部分、
２２…リードフレーム、２３…枠体、２４…ダム、２５
ａ〜２５ｄ…ガイド孔、３０…モールド金型、３０ａ…
下型、３０ｂ…上型、３１…ゲート、３２…レジン、３
３…モールド空間（キャビティ）、３４…エアーベン
ト、３５…平板部、３６…細幅部、３７…幅広部、３８
…振れ止め片、４０…支持体、４１…クランパ。
基板、４…セラミック板、５…導体層、５ａ…チップ固
定部、５ｂ…配線、５ｃ…ワイヤボンディングパッド、
５ｅ…リード接続部、６…導体、７…接合材、８，９…
半導体チップ、１０…ワイヤ、１１…リード、１１ａ…
インナーリード、１１ｂ…アウターリード、２０…基板
付きリードフレーム、２１…単位リードフレーム部分、
２２…リードフレーム、２３…枠体、２４…ダム、２５
ａ〜２５ｄ…ガイド孔、３０…モールド金型、３０ａ…
下型、３０ｂ…上型、３１…ゲート、３２…レジン、３
３…モールド空間（キャビティ）、３４…エアーベン
ト、３５…平板部、３６…細幅部、３７…幅広部、３８
…振れ止め片、４０…支持体、４１…クランパ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ａ ５Ｆ０６７
23/28 23/50 Ｇ
23/50 Ｂ２９Ｌ 31:34
25/07 Ｈ０１Ｌ 25/08 Ｚ
25/18
// Ｂ２９Ｌ 31:34
(72)発明者 佐藤 雄二
秋田県南秋田郡天王町天王字長沼64 アキ
タ電子株式会社内
(72)発明者 畠山 幸一
秋田県南秋田郡天王町天王字長沼64 アキ
タ電子株式会社内
(72)発明者 伊藤 洋行
秋田県南秋田郡天王町天王字長沼64 アキ
タ電子株式会社内
Ｆターム(参考） 4F202 AD02 AH37 CA11 CA30 CB01
CB17 CK06 CK35 CK84 CM08
CP00
4F206 AD02 AD35 AH37 JA07 JB17
JF05 JL02 JM06 JN25 JQ03
JQ81
4M109 AA01 BA01 CA21 FA01
5F047 AA11 BA22 BA23 BA33 BA53
BB13 BB16
5F061 AA01 BA01 CA21 DA05 DA06
DA08 EA13
5F067 AA02 AB03 BE08 CB02 DE03
Claims (5)
- 【請求項１】インナーリードの先端が配線基板の所定配
線部分に電気的に接続されてなる樹脂封止型用の配線基
板付きリードフレームを用意する工程と、 前記配線基板に半導体チップを固定する工程と、 前記半導体チップの各電極と前記配線基板の各配線を導
電性のワイヤで接続する工程と、 前記配線基板付きリードフレームをモールド金型に型締
めし、前記モールド金型によって形成されるキャビティ
内にゲートから樹脂を注入しかつ前記ゲートと反対側に
位置するエアーベントから空気を押し出して前記キャビ
ティ内を樹脂で充満させて所定部分に封止体を形成する
工程と、 前記基板付きリードフレームの不要部分を切断除去する
工程とを有する半導体装置の製造方法であって、 前記基板付きリードフレームの前記エアーベント側に前
記配線基板の間近まで延在し付け根が細くなる平板部を
設けておき、 前記モールド時前記モールド金型の前記ゲートから注入
された前記レジンが前記エアーベント側で前記平板部で
前記キャビティの上下方向の流動を阻止させるようにし
て前記封止体を形成し、その後前記基板付きリードフレ
ームの不要部分を切断除去する際前記平板部の付け根の
細い部分を切断することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】前記モールド金型の前記キャビティを四角
形状に形成しておくとともに、前記四角形状のキャビテ
ィの一隅に前記ゲートを配置させ、前記ゲートの対角線
上の他の一隅に前記エアーベントを配置し、残りの二隅
には前記リードフレームから延在し、その先端が前記キ
ャビティ内に延在する振れ止め片を設けておくことを特
徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記配線基板はその表裏面にそれぞれ半導
体チップが固定できる部分及び前記配線を設けておき、 前記配線基板の表裏面に前記半導体チップをそれぞれ固
定し、各半導体チップの電極と前記配線を導電性のワイ
ヤで電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記配線基板の配線と前記インナーリード
を半田で接続し、前記半導体チップは前記半田の融点よ
りも低いベーク温度の銀ペーストによって接続すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】前記配線基板の配線と前記インナーリード
を半田で接続した後、前記配線基板の一面に前記半導体
チップを前記半田の融点よりも低いベーク温度の銀ペー
ストによって接続するとともにベークして固定し、その
後前記配線基板の裏面に前記半導体チップを前記半田の
融点よりも低いベーク温度の銀ペーストによって接続す
るとともにベークして固定することを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001361862A JP2003163325A (ja) | 2001-11-28 | 2001-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001361862A JP2003163325A (ja) | 2001-11-28 | 2001-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003163325A true JP2003163325A (ja) | 2003-06-06 |
Family
ID=19172456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001361862A Pending JP2003163325A (ja) | 2001-11-28 | 2001-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003163325A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812556B2 (en) | 2002-04-05 | 2004-11-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Multi-chip package semiconductor device having plural level interconnections |
| JP2017147449A (ja) * | 2017-03-21 | 2017-08-24 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US10187979B2 (en) | 2016-12-28 | 2019-01-22 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate and electronic component device |
| US10243515B2 (en) | 2012-04-27 | 2019-03-26 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
-
2001
- 2001-11-28 JP JP2001361862A patent/JP2003163325A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812556B2 (en) | 2002-04-05 | 2004-11-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Multi-chip package semiconductor device having plural level interconnections |
| US10243515B2 (en) | 2012-04-27 | 2019-03-26 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
| US10622944B2 (en) | 2012-04-27 | 2020-04-14 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
| US10187979B2 (en) | 2016-12-28 | 2019-01-22 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate and electronic component device |
| JP2017147449A (ja) * | 2017-03-21 | 2017-08-24 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6809405B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP3685793B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP2001313363A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH10214857A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US20140312513A1 (en) | Semiconductor device, substrate and semiconductor device manufacturing method | |
| US6780679B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2003017517A (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
| JP2005244035A (ja) | 半導体装置の実装方法、並びに半導体装置 | |
| JP2000223622A (ja) | 半導体装置およびその製造方法並びにそれを使用した実装構造体 | |
| JP4243270B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003163325A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI387080B (zh) | 四方扁平無引腳之半導體封裝結構及封裝方法 | |
| JP5119092B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4747188B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003017631A (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH0870082A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにリードフレーム | |
| JPH0846091A (ja) | ボールグリッドアレイ半導体装置 | |
| JP3419922B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07130937A (ja) | 表面実装型半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム | |
| JPH11195743A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH1092967A (ja) | 底面突起状端子配列型集積回路装置及びその製造方法 | |
| JP2004172647A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002164497A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4040549B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08162596A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041119 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060914 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061106 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061114 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070115 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070129 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080326 |