JP2003163227A - 基板,ハイブリッド集積回路,通信装置並びに基板の製造方法及び基板の実装方法 - Google Patents

基板,ハイブリッド集積回路,通信装置並びに基板の製造方法及び基板の実装方法

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JP2003163227A
JP2003163227A JP2001361020A JP2001361020A JP2003163227A JP 2003163227 A JP2003163227 A JP 2003163227A JP 2001361020 A JP2001361020 A JP 2001361020A JP 2001361020 A JP2001361020 A JP 2001361020A JP 2003163227 A JP2003163227 A JP 2003163227A
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JP
Japan
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substrate
back surface
wafer
brazing material
mounting
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Application number
JP2001361020A
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English (en)
Inventor
Hideki Yamaguchi
秀樹 山口
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】基板の製造過程で、基板裏面導体部の金バリ除
去に要する組立工数削減に加え、金バリの発生を抑制す
る。 【解決手段】ウエハーの切断工程前に基板1の裏面の導
体5にロウ材6として金すず合金をめっき付着させる。
加熱した金属ヘッダー3上に基板1を搭載することによ
り、切断バリ7を溶解させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板とこれを用い
たハイブリッド集積回路と通信装置並びに基板の製造方
法及び基板の実装方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ハイブリットICの実装工程は、
金すず合金に代表されるロウ材を加熱した金属ヘッダー
上に溶解させた後、その上に基板を実装していた。この
種の基板裏面の導体部には、ウエハーから切り出す切断
時の金バリが発生し、平面性に欠ける。つまり切断時そ
の端部がひらひらとして残り、組立時には固着面に対す
る傾きが発生していた。これにより、基板上に電子部品
を搭載するフリップチップボンディングにおいて、電子
部品の割れを誘発していた。この割れを防止するため、
基板裏面の金バリをデザインナイフにて除去している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の基板で
は、切断時に基板裏面の導体部に発生する金バリを除去
しなければならないので、組立時の工数増大の要因とな
っていた。また、金バリ除去に掛かる組立工数に加え、
基板裏面の金バリ発生そのものを抑制することが必要で
ある。
【0004】本発明の目的は、基板の製造過程で、金バ
リ除去に要する組立工数削減に加え、金バリ発生を抑制
することが可能な基板とこれを用いたハイブリッド集積
回路と通信装置並びに基板の製造方法及び基板の実装方
法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の基板は、面付け
編集したウエハーを切断して得られる基板であって、前
記基板裏面にロウ材がメッキされている導体部を有し、
前記ロウ材は金すず合金である。
【0006】本発明のハイブリッド集積回路は、面付け
編集したウエハーを切断して得られる基板であって、前
記基板裏面にロウ材がメッキされている導体部を有し、
前記ロウ材は金すず合金を用いた基板を備える。
【0007】本発明の通信装置は、面付け編集したウエ
ハーを切断して得られる基板であって、前記基板裏面に
ロウ材がメッキされている導体部を有し、前記ロウ材は
金すず合金を用いた基板を備えたハイブリッド集積回路
を有する。
【0008】本発明の基板の製造方法は、基板の製造工
程で、回路形成されたウエハーを切断手段により各個片
の基板に切断する前に、前記ウエハーの裏面に形成され
た導体部にロウ材をメッキ付着させる構成であり、ウエ
ハー上に所定のピッチ間隔で基板を面付け編集する工程
と、前記ウエハーの裏面の導体部にロウ材をメッキ付着
する工程と、前記メッキ付着後に切断手段により基板各
個片に切断する工程とを有する。
【0009】本発明の基板の実装方法は、裏面導体部に
ロウ材がメッキ付着された基板を、加熱した金属ヘッダ
ー上に搭載する。
【0010】本発明によれば、通信装置に用いられるハ
イブリットICを構成する基板の製造段階において、基
板を面付け編集したウエハーの裏面導体部に金すず合金
をめっき付着することにより、導体膜の切断バリの発生
を抑制するものである。これにより、ハイブリットIC
への基板の実装工程において発生していた固着面への傾
きが抑制され、これに関わる切断バリの除去作業工数を
削減することが可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【0012】図1を参照すると、通信装置用のハイブリ
ット集積回路(IC)の構成が例示されており、ハイブ
リットICはアルミナセラミックスを材料とする基板1
と、ダイオードといったような電子部品2と、これらを
実装する金属ヘッダー3とを備える。基板1はその製造
工程では、所定のピッチ間隔でウエハー上に面付け編集
されている。導体膜(以下、導体と呼称)は、薄膜技術
あるいは厚膜技術の何れの技術によって形成されても差
し支えない。回路形成されたウエハーは、ダイシング装
置を用いて、基板の各個片に切断される。
【0013】ここで、本発明の実施の形態を示す図2及
び図3を参照すると、上述したウエハー4の切断工程前
に基板1の裏面の導体5にロウ材6として金すず合金を
めっき付着させることにより、従来では基板裏面の導体
に発生していた端部の切断バリ7の発生を抑制可能とす
ることができる。
【0014】次に、図1及び図3を参照して基板の実装
方法を説明する。本発明では、基板1の裏面の導体5に
ロウ材6である金すず合金がめっき付着されているた
め、加熱した金属ヘッダー3上に基板1を搭載すること
により実装が完了する。このため、金すず合金の切断バ
リ7は、基板1の搭載時に溶解してしまうため、従来発
生していた基板裏面の導体5の切断バリ7によリ起こ
る、実装時の金属ヘッダー3の固着面への基板1の傾き
を排除することが可能である。
【0015】本発明の構成は、金属ヘッダーに対し基板
をロウ材を用いて実装されるものであるならば、構成部
品の材料については特に制限しない。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板裏面導体の端部における導体膜の切断バリの発生が抑
制可能となったことにより、従来ハイブリットICに実
装する前段階にて実施していた切断バリの除去工数を削
減することが可能である。また、基板の裏面の導体部に
ロウ材がめっきされていることにより、金属ヘッダーへ
の基板の実装工数を削減することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】通信装置用のハイブリット集積回路の構成を説
明するための図である。
【図2】本発明の実施の形態を説明するための図であ
る。
【図3】本発明の実施の形態を説明するための図であ
る。
【符号の説明】
1 基板 2 電子部品 3 金属ヘッダー 4 ウエハー 5 導体 6 ロウ材 7 切断バリ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 面付け編集したウエハーを切断して得ら
    れる基板であって、前記基板裏面にロウ材がメッキされ
    ている導体部を有することを特徴とする基板。
  2. 【請求項2】 前記ロウ材は金すず合金であることを特
    徴とする請求項1記載の基板。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の基板を有
    することを特徴とするハイブリッド集積回路。
  4. 【請求項4】 請求項3記載のハイブリッド集積回路を
    有することを特徴とする通信装置。
  5. 【請求項5】 基板の製造工程で、回路形成されたウエ
    ハーを切断手段により各個片の基板に切断する前に、前
    記ウエハーの裏面に形成された導体部にロウ材をメッキ
    付着させることを特徴とする基板の製造方法。
  6. 【請求項6】 基板の製造方法において、ウエハー上に
    所定のピッチ間隔で基板を面付け編集する工程と、前記
    ウエハーの裏面の導体部にロウ材をメッキ付着する工程
    と、前記メッキ付着後に切断手段により基板各個片に切
    断する工程とを有することを特徴とする基板の製造方
    法。
  7. 【請求項7】 基板の実装方法において、裏面の導体部
    にロウ材がメッキ付着された基板を、加熱した金属ヘッ
    ダー上に搭載することを特徴とする基板の実装方法。
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