JP2003160807A - 溶銑の予備処理方法 - Google Patents
溶銑の予備処理方法Info
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- JP2003160807A JP2003160807A JP2001358226A JP2001358226A JP2003160807A JP 2003160807 A JP2003160807 A JP 2003160807A JP 2001358226 A JP2001358226 A JP 2001358226A JP 2001358226 A JP2001358226 A JP 2001358226A JP 2003160807 A JP2003160807 A JP 2003160807A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 溶銑段階においてS、PとともにMn及びCrを除
去する方法を提案し、高炉操業段階での低Cr溶銑や低Mn
溶銑の出銑規制を和らげ、原料配合の自由度を増すこと
を可能にする。 【解決手段】 Siを0.08%以上含有する溶銑に脱硫処理
を施してトップスラグを形成させ、該トップスラグの塩
基度Bi（CaO/SiO2）を1.8以上に維持しつつ下記式で定
義される吹きこみ塩基度Biを2.5以下として酸化剤及び
フラックスを吹きむ。 Bi=（吹き込みフラックス中のCaO）/(吹き込みフラック
ス中のSiO2+吹き込み時溶銑中Siの酸化によって生じたS
iO2)
去する方法を提案し、高炉操業段階での低Cr溶銑や低Mn
溶銑の出銑規制を和らげ、原料配合の自由度を増すこと
を可能にする。 【解決手段】 Siを0.08%以上含有する溶銑に脱硫処理
を施してトップスラグを形成させ、該トップスラグの塩
基度Bi（CaO/SiO2）を1.8以上に維持しつつ下記式で定
義される吹きこみ塩基度Biを2.5以下として酸化剤及び
フラックスを吹きむ。 Bi=（吹き込みフラックス中のCaO）/(吹き込みフラック
ス中のSiO2+吹き込み時溶銑中Siの酸化によって生じたS
iO2)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は溶銑の予備処理方
法に係り、特に溶銑を予備処理して溶銑中の珪素（S
i）、硫黄（S）、りん(P)、マンガン(Mn)及びクロム(C
r)を効率よく除去する方法に関する。
法に係り、特に溶銑を予備処理して溶銑中の珪素（S
i）、硫黄（S）、りん(P)、マンガン(Mn)及びクロム(C
r)を効率よく除去する方法に関する。
【０００２】
【０００３】鋼鉄材料の高度化に伴い、たとえば高純度
鋼、高清浄度鋼や電磁鋼板用の素材や高深絞り用鋼のよ
うにSiやS、P、Mn、Crなどのようにわずかな不純物をも
問題にする鋼種も増加している。そのような場合、高炉
原料を精選してこれらの不純物の極めて少ない溶銑を溶
製する出銑規制が行われるが、コストの高騰を招くなど
好ましくない。
鋼、高清浄度鋼や電磁鋼板用の素材や高深絞り用鋼のよ
うにSiやS、P、Mn、Crなどのようにわずかな不純物をも
問題にする鋼種も増加している。そのような場合、高炉
原料を精選してこれらの不純物の極めて少ない溶銑を溶
製する出銑規制が行われるが、コストの高騰を招くなど
好ましくない。
【０００４】特公平6-92614号公報には容器内に収容し
た溶鋼に炭酸塩成分を添加しない酸化性の低塩基度フラ
ックスを接触させる脱クロム方法が開示されている。こ
の提案は転炉で脱C精錬を終了した後に、改めて脱Cr工
程を設けるものであって、精錬時間の延長や溶鋼の温度
低下などの問題がある。また、溶鉄からの脱Mnや脱Cr
は、冶金学的には低温で行う方が合理的であるのに、上
記提案では溶鋼での処理であるため1600℃を超える高温
での処理となっており、効率的でない。
た溶鋼に炭酸塩成分を添加しない酸化性の低塩基度フラ
ックスを接触させる脱クロム方法が開示されている。こ
の提案は転炉で脱C精錬を終了した後に、改めて脱Cr工
程を設けるものであって、精錬時間の延長や溶鋼の温度
低下などの問題がある。また、溶鉄からの脱Mnや脱Cr
は、冶金学的には低温で行う方が合理的であるのに、上
記提案では溶鋼での処理であるため1600℃を超える高温
での処理となっており、効率的でない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おける種々の問題に対処して溶銑段階において脱P、脱S
とともに脱Si、脱Mn及び脱Crを効率的に行う方法を提案
するもので、これにより高級鋼を経済的に製造すること
を可能とするとともに高炉操業段階での低Cr溶銑や低Mn
溶銑の出銑規制を和らげ、原料配合の自由度を増すこと
を可能にするものである。
おける種々の問題に対処して溶銑段階において脱P、脱S
とともに脱Si、脱Mn及び脱Crを効率的に行う方法を提案
するもので、これにより高級鋼を経済的に製造すること
を可能とするとともに高炉操業段階での低Cr溶銑や低Mn
溶銑の出銑規制を和らげ、原料配合の自由度を増すこと
を可能にするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、溶銑から
の脱Mn及び脱Crが低温かつ塩基度の低い領域でのトラン
ジトリー型反応として起こることに着目し、その条件を
究明して本発明を完成した。すなわち、本発明の溶銑予
備処理方法は、常法では、脱りん次いで脱硫処理の手順
を取るに対し、この手順を逆転させた処理を行うことを
特徴とするもので、溶銑に脱硫処理を施してトップスラ
グを形成させ、該トップスラグ塩基度（Bt=CaO/SiO2）
を1.8以上に維持しつつ下記式で定義される吹きこみ塩
基度Biを2.5以下として酸化剤及びフラックスを吹きむ
ことからなる。 記 Bi=（吹き込み時フラックス中のCaO）/(吹き込み時フラ
ックス中のSiO2+吹き込み時溶銑中Siの酸化によって生
じたSiO2)
の脱Mn及び脱Crが低温かつ塩基度の低い領域でのトラン
ジトリー型反応として起こることに着目し、その条件を
究明して本発明を完成した。すなわち、本発明の溶銑予
備処理方法は、常法では、脱りん次いで脱硫処理の手順
を取るに対し、この手順を逆転させた処理を行うことを
特徴とするもので、溶銑に脱硫処理を施してトップスラ
グを形成させ、該トップスラグ塩基度（Bt=CaO/SiO2）
を1.8以上に維持しつつ下記式で定義される吹きこみ塩
基度Biを2.5以下として酸化剤及びフラックスを吹きむ
ことからなる。 記 Bi=（吹き込み時フラックス中のCaO）/(吹き込み時フラ
ックス中のSiO2+吹き込み時溶銑中Siの酸化によって生
じたSiO2)
【０００７】上記発明において、脱硫処理後の溶銑温度
を1400℃以下とすること、あるいはトップスラグの塩基
度Btを2.5〜4.0に維持すること、吹きこみ塩基度Biを1.
0〜2.0とすること、さらに酸化剤として気体酸素及び／
又は固体酸素源を用いフラックス源として焼結鉱粉及び
／又は粉末生石灰とすることが本発明の目的を達成する
上で好ましい。
を1400℃以下とすること、あるいはトップスラグの塩基
度Btを2.5〜4.0に維持すること、吹きこみ塩基度Biを1.
0〜2.0とすること、さらに酸化剤として気体酸素及び／
又は固体酸素源を用いフラックス源として焼結鉱粉及び
／又は粉末生石灰とすることが本発明の目的を達成する
上で好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
的に説明する。本発明の適用される溶銑は、Siを0.08%
以上含有することが望ましい。これは本発明に従う脱M
n、脱Cr反応は主として図１に模式的に示すトランジト
リー反応により進行し、その反応において塩基度Biを2.
5以下に維持するためには溶銑中のSiの酸化によってSiO
2が十分供給されることが望ましいからである。しか
し、溶銑中のSi含有量が低い場合であっても、SiO２源
をフラックスとして供給することにより、塩基度Biを調
整することができる。
的に説明する。本発明の適用される溶銑は、Siを0.08%
以上含有することが望ましい。これは本発明に従う脱M
n、脱Cr反応は主として図１に模式的に示すトランジト
リー反応により進行し、その反応において塩基度Biを2.
5以下に維持するためには溶銑中のSiの酸化によってSiO
2が十分供給されることが望ましいからである。しか
し、溶銑中のSi含有量が低い場合であっても、SiO２源
をフラックスとして供給することにより、塩基度Biを調
整することができる。
【０００９】高炉から出銑される溶銑中のSiは0.2〜0.5
mass%程度であるので、そのまま本発明の実施に供する
こともできるが、できれば公知の鋳床脱珪によりSi含有
量を0.08〜0.12mass%に低下させておくのがよい。それ
により過剰Siによる妨害を受けることなく、脱Mn、脱Cr
とともに脱りんを効率的に進行させることができる。
mass%程度であるので、そのまま本発明の実施に供する
こともできるが、できれば公知の鋳床脱珪によりSi含有
量を0.08〜0.12mass%に低下させておくのがよい。それ
により過剰Siによる妨害を受けることなく、脱Mn、脱Cr
とともに脱りんを効率的に進行させることができる。
【００１０】本発明の溶銑予備処理方法において、溶銑
はまず脱硫処理される。すなわち、通常の溶銑処理と異
なり、脱硫処理を先行させるのである。これには二つの
意義がある。一つは脱硫処理により溶銑温度を低下さ
せ、後続の脱Mn、脱Cr反応を行うのに適当な温度とする
ことである。他の一つは、脱硫処理の際、塩基度の高い
スラグを生成させて、後続の脱りん処理を円滑に行わせ
る機能を持たせることである。
はまず脱硫処理される。すなわち、通常の溶銑処理と異
なり、脱硫処理を先行させるのである。これには二つの
意義がある。一つは脱硫処理により溶銑温度を低下さ
せ、後続の脱Mn、脱Cr反応を行うのに適当な温度とする
ことである。他の一つは、脱硫処理の際、塩基度の高い
スラグを生成させて、後続の脱りん処理を円滑に行わせ
る機能を持たせることである。
【００１１】したがって、脱硫処理後の溶銑温度は1400
℃以下にするのがよい。好ましくは1340℃以下、さらに
好ましくは1300℃以下とするのがよい。これは、図２、
図３に示すように、脱Mn反応速度定数及び脱Cr反応速度
定数が低温になるほど大となるからである。この条件を
達成するのに、本発明では脱硫処理を先行させるのであ
る。
℃以下にするのがよい。好ましくは1340℃以下、さらに
好ましくは1300℃以下とするのがよい。これは、図２、
図３に示すように、脱Mn反応速度定数及び脱Cr反応速度
定数が低温になるほど大となるからである。この条件を
達成するのに、本発明では脱硫処理を先行させるのであ
る。
【００１２】また、脱硫処理の際、溶銑上にトップスラ
グを形成させ、そのスラグをそのまま後続工程のトップ
スラグに利用する。しかし、脱硫反応は還元性雰囲気で
よく進行する反応であり、これに対し後続の脱りん、脱
Mn及び脱Cr反応は酸化性の雰囲気でよく進行する反応で
ある。しかも、後述するように、脱Mn、脱Cr反応を進行
させるためには塩基度の低いスラグ生成が行われる。そ
のため、トップスラグの塩基度Btが低いときには、後続
工程の際に復硫するおそれがある。したがって、トップ
スラグの塩基度Btを十分に高く、少なくとも1.8以上と
し、好ましくは2.5〜4.0とする。
グを形成させ、そのスラグをそのまま後続工程のトップ
スラグに利用する。しかし、脱硫反応は還元性雰囲気で
よく進行する反応であり、これに対し後続の脱りん、脱
Mn及び脱Cr反応は酸化性の雰囲気でよく進行する反応で
ある。しかも、後述するように、脱Mn、脱Cr反応を進行
させるためには塩基度の低いスラグ生成が行われる。そ
のため、トップスラグの塩基度Btが低いときには、後続
工程の際に復硫するおそれがある。したがって、トップ
スラグの塩基度Btを十分に高く、少なくとも1.8以上と
し、好ましくは2.5〜4.0とする。
【００１３】なお、トップスラグも形成量は溶銑1t当た
り20kg以上とするのがよい。このような条件を満たすト
ップスラグを形成するには、たとえばCaO：93mass%、Al
２O3：35mass%、金属Al：2mass%からなる脱硫剤あるい
はCaO：43mass%、CaCO3：35mass%、Al２O3：16 mass%、
金属Al：4mass%、CaF２2mass%からなる脱硫剤を窒素な
ど不活性ガスにより溶銑1t当たり20kg程度吹き込めばよ
い。
り20kg以上とするのがよい。このような条件を満たすト
ップスラグを形成するには、たとえばCaO：93mass%、Al
２O3：35mass%、金属Al：2mass%からなる脱硫剤あるい
はCaO：43mass%、CaCO3：35mass%、Al２O3：16 mass%、
金属Al：4mass%、CaF２2mass%からなる脱硫剤を窒素な
ど不活性ガスにより溶銑1t当たり20kg程度吹き込めばよ
い。
【００１４】このようにして準備された溶銑に酸化剤及
びフラックスの吹きこみが行われる。この吹きこみに当
たっては下記式で定義される吹きこみ塩基度Biを2.5以
下に維持することが必要である。 Bi=（吹き込み時フラックス中のCaO）/(吹き込み時フラ
ックス中のSiO2+吹き込み時溶銑中Siの酸化によって生
じたSiO2)
びフラックスの吹きこみが行われる。この吹きこみに当
たっては下記式で定義される吹きこみ塩基度Biを2.5以
下に維持することが必要である。 Bi=（吹き込み時フラックス中のCaO）/(吹き込み時フラ
ックス中のSiO2+吹き込み時溶銑中Siの酸化によって生
じたSiO2)
【００１５】この吹きこみ塩基度Biは、酸化剤及びフラ
ックスの吹きこみによって吹きこみランスの出口近傍に
おいて形成され、浮上する過程にあるスラグの塩基度を
意味し、図１に模式的に示したように、この吹込・浮上
する領域に形成され、あるいはフラックスとして持ち込
まれる物質のうち、CaOとSiO2との比によって決定され
る。また、模式図に併せて示したように、この吹込・浮
上する過程では溶銑中のSiの酸化の他、Mn、Crの酸化が
生じ、脱Si、脱Mnおよび脱Crが進行する。
ックスの吹きこみによって吹きこみランスの出口近傍に
おいて形成され、浮上する過程にあるスラグの塩基度を
意味し、図１に模式的に示したように、この吹込・浮上
する領域に形成され、あるいはフラックスとして持ち込
まれる物質のうち、CaOとSiO2との比によって決定され
る。また、模式図に併せて示したように、この吹込・浮
上する過程では溶銑中のSiの酸化の他、Mn、Crの酸化が
生じ、脱Si、脱Mnおよび脱Crが進行する。
【００１６】このBiは吹き込み過程において次のように
して計算することができる。 （単位時間に吹き込んだフラックス中のCaO量）/{（単
位時間に生成したSiO2量）+（単位時間に吹き込んだフ
ラックス中のSiO2量）} ここで、単位時間はたとえば溶銑のサンプリングの間隔
として測定でき、その間に投入されるフラックスの量は
与条件であるから、これをもとに単位時間に吹き込んだ
フラックス中のCaO量、SiO2量を計算できる。一方、単
位時間に生成したSiO2量は溶銑中Siの減少量を基に計算
できる。
して計算することができる。 （単位時間に吹き込んだフラックス中のCaO量）/{（単
位時間に生成したSiO2量）+（単位時間に吹き込んだフ
ラックス中のSiO2量）} ここで、単位時間はたとえば溶銑のサンプリングの間隔
として測定でき、その間に投入されるフラックスの量は
与条件であるから、これをもとに単位時間に吹き込んだ
フラックス中のCaO量、SiO2量を計算できる。一方、単
位時間に生成したSiO2量は溶銑中Siの減少量を基に計算
できる。
【００１７】図４は、上記定義によるBiを0.9から1.6の
間に制御して、CaO：6mass%、焼結鉱（その組成はFeO：
84mass%、SiO2：6mass%、CaO：10mass%である）：94mas
s%からなるフラックスを空気を用いて酸素ガス送給速度
が標準状態に換算して0.18m3/min/t-溶銑となる条件で
吹き込んだときの脱Mn、脱Crの状態を示すグラフであ
る。この場合、溶銑中のMn、及びCr量は吹込の進行とと
もにこに順調に減少し、処理時間30分ではそれぞれ、0.
06mass%、0.01mass%となり初期の目的を達している。
間に制御して、CaO：6mass%、焼結鉱（その組成はFeO：
84mass%、SiO2：6mass%、CaO：10mass%である）：94mas
s%からなるフラックスを空気を用いて酸素ガス送給速度
が標準状態に換算して0.18m3/min/t-溶銑となる条件で
吹き込んだときの脱Mn、脱Crの状態を示すグラフであ
る。この場合、溶銑中のMn、及びCr量は吹込の進行とと
もにこに順調に減少し、処理時間30分ではそれぞれ、0.
06mass%、0.01mass%となり初期の目的を達している。
【００１８】このような実験操業を繰り返すことによ
り、Biが2.5以下の場合に溶銑の脱Siとともに脱Mn、脱C
rが速やかに進行し、かつこれら元素の残留量も充分低
くなることが確認できた。しかしながら、Biがあまりに
小さくなると、同時に進行する脱りんが阻害される。こ
れらの点を考慮して、Biは2.5以下、好ましくは1.0〜
２.0とする。
り、Biが2.5以下の場合に溶銑の脱Siとともに脱Mn、脱C
rが速やかに進行し、かつこれら元素の残留量も充分低
くなることが確認できた。しかしながら、Biがあまりに
小さくなると、同時に進行する脱りんが阻害される。こ
れらの点を考慮して、Biは2.5以下、好ましくは1.0〜
２.0とする。
【００１９】上述のように、溶銑成分（特にSi含有
量）、溶銑温度及びBiを制御するとトランジトリー反応
によって脱Mn、脱Crを効果的に行わせることができる。
さらに、トップスラグを塩基度（Bt=CaO/SiO2）を1.8以
上としておくことにより同時に進行する脱りんを効率的
に進行させることができる。
量）、溶銑温度及びBiを制御するとトランジトリー反応
によって脱Mn、脱Crを効果的に行わせることができる。
さらに、トップスラグを塩基度（Bt=CaO/SiO2）を1.8以
上としておくことにより同時に進行する脱りんを効率的
に進行させることができる。
【００２０】上記説明では、上述の条件を満たすための
吹きこみフラックスをCaO及び焼結鉱とした。このフラ
ックスは、適当量のCaO及びSiO2を含有し、しかも固体
酸素源としてFeO含み、さらに焼結によって低融点化さ
れているから、本発明においてフラックスとして利用す
るのに好適である。しかし、フラックスはこれに限るこ
とはない。要するに気体酸素及び／又は固体酸素源の酸
化剤の吹き込みとともにBiを2.5以下、好ましくは1.0〜
2.0にできるものであればよい。
吹きこみフラックスをCaO及び焼結鉱とした。このフラ
ックスは、適当量のCaO及びSiO2を含有し、しかも固体
酸素源としてFeO含み、さらに焼結によって低融点化さ
れているから、本発明においてフラックスとして利用す
るのに好適である。しかし、フラックスはこれに限るこ
とはない。要するに気体酸素及び／又は固体酸素源の酸
化剤の吹き込みとともにBiを2.5以下、好ましくは1.0〜
2.0にできるものであればよい。
【００２１】また、本発明による処理では、特に処理容
器の限定はない。トピードカーの他、転炉あるいは取鍋
を用いて実施することができる。また、上記本発明の操
業によって生成する得するスラグを、たとえばAl2O3の
添加によって改質し、予備処理炉からの排出を容易にす
ることなど、種々の付加的操業を行うことを妨げない。
器の限定はない。トピードカーの他、転炉あるいは取鍋
を用いて実施することができる。また、上記本発明の操
業によって生成する得するスラグを、たとえばAl2O3の
添加によって改質し、予備処理炉からの排出を容易にす
ることなど、種々の付加的操業を行うことを妨げない。
【００２２】
【実施例】Si:0.10〜0.30mass%、Mn：0.20〜0.50mass
%、P：0.120〜0.180mass%、S：0.015〜0.030mass%、C
r：0.05〜0.2mass%、温度：1400〜1500℃の溶銑を容量3
00tのトピードカーに受け入れ、まず窒素ガスをキャリ
アガスとして脱硫剤を投入し、脱硫を行うとともに該脱
硫処理によりトップスラグを形成し、しかる後、酸素含
有ガスをキャリアガスとしてフラックスを吹きこんで脱
P、脱Si、脱Cr及び脱Mn処理を行った。処理条件を表1に
処理結果を表２に示す。
%、P：0.120〜0.180mass%、S：0.015〜0.030mass%、C
r：0.05〜0.2mass%、温度：1400〜1500℃の溶銑を容量3
00tのトピードカーに受け入れ、まず窒素ガスをキャリ
アガスとして脱硫剤を投入し、脱硫を行うとともに該脱
硫処理によりトップスラグを形成し、しかる後、酸素含
有ガスをキャリアガスとしてフラックスを吹きこんで脱
P、脱Si、脱Cr及び脱Mn処理を行った。処理条件を表1に
処理結果を表２に示す。
【００２３】表１、２から明らかなように、本発明によ
り脱Sに引き続き脱P、脱Siとともに脱Mnと脱Crが行われ
ることが確認できた。なお表１中、脱硫フラックスA
は、CaO：93mass%、Al２O３：5mass%、金属Al：2mass
%、Bは、CaO：43mass%、CaCO３：35mass%、Al２O３：16
mass%、金属Al：4mass%、CaF２：2mass%の組成を有す
る。
り脱Sに引き続き脱P、脱Siとともに脱Mnと脱Crが行われ
ることが確認できた。なお表１中、脱硫フラックスA
は、CaO：93mass%、Al２O３：5mass%、金属Al：2mass
%、Bは、CaO：43mass%、CaCO３：35mass%、Al２O３：16
mass%、金属Al：4mass%、CaF２：2mass%の組成を有す
る。
【００２４】
【表１】
【表２】
【００２５】
【発明の効果】本発明により、溶銑段階で脱硫、脱りん
とともに脱Si、脱Mn、脱Crを行うことが可能となり、こ
れにより従来高級鋼の溶製のため高炉で行われていた出
銑規制を緩和することができた。
とともに脱Si、脱Mn、脱Crを行うことが可能となり、こ
れにより従来高級鋼の溶製のため高炉で行われていた出
銑規制を緩和することができた。
【図１】 本発明により脱Mn、脱Cr反応が進行するトラ
ンジトリー反応の模式説明図である。
ンジトリー反応の模式説明図である。
【図２】 本発明による脱Mn反応の反応速度定数の温度
変化を示すグラフである。
変化を示すグラフである。
【図３】 本発明による脱Cr反応の反応速度定数の温度
変化を示すグラフである。
変化を示すグラフである。
【図４】 Biが脱Si、脱P、脱Mn及び脱Crに及ぼす影響
を示すグラフである。
を示すグラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 藤村 俊生
岡山県倉敷市水島川崎通１丁目（番地な
し） 川崎製鉄株式会社水島製鉄所内
(72)発明者 野村 寛
岡山県倉敷市水島川崎通１丁目（番地な
し） 川崎製鉄株式会社水島製鉄所内
Ｆターム(参考） 4K014 AA00 AA01 AA02 AA03 AB00
AB03 AC03 AC12 AC14 AC16
AD01 AE01
Claims (5)
- 【請求項１】 溶銑に脱硫処理を施してトップスラグを
形成させ、該トップスラグの塩基度Bt（CaO/SiO2）を1.
8以上に維持しつつ下記式で定義される吹きこみ塩基度B
iを2.5以下として酸化剤及びフラックスを吹きむことを
特徴とする溶銑の予備処理方法。 記 Bi=（吹き込み時フラックス中のCaO）/(吹き込み時フラ
ックス中のSiO2+吹き込み時溶銑中Siの酸化によって生
じたSiO2) - 【請求項２】 脱硫処理後の溶銑温度は1400℃以下であ
ることを特徴とする請求項１記載の溶銑の予備処理方
法。 - 【請求項３】 トップスラグの塩基度Btを2.5〜4.0に維
持することを特徴とする請求項１又は２記載の溶銑の予
備処理方法。 - 【請求項４】 吹きこみ塩基度Biを1.0〜2.0とすること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の溶銑予備
処理方法。 - 【請求項５】 酸化剤及びフラックスは気体酸素、固体
酸素源、純酸素ガス、焼結鉱粉及び粉末生石灰であるこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の溶銑予
備処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001358226A JP3797206B2 (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 溶銑の予備処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001358226A JP3797206B2 (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 溶銑の予備処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003160807A true JP2003160807A (ja) | 2003-06-06 |
| JP3797206B2 JP3797206B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=19169434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001358226A Expired - Fee Related JP3797206B2 (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 溶銑の予備処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3797206B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104357616A (zh) * | 2014-11-25 | 2015-02-18 | 北京首钢国际工程技术有限公司 | 一种铁水喷吹预处理生产高纯生铁的冶炼方法 |
| WO2016093093A1 (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | 株式会社木下製作所 | 鋳鉄のマンガン除去方法 |
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2001
- 2001-11-22 JP JP2001358226A patent/JP3797206B2/ja not_active Expired - Fee Related
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