JP2003160729A

JP2003160729A - 液状の封止用樹脂組成物

Info

Publication number: JP2003160729A
Application number: JP2001360209A
Authority: JP
Inventors: Osamu Suzuki; 理鈴木
Original assignee: Namics Corp
Current assignee: Namics Corp
Priority date: 2001-11-27
Filing date: 2001-11-27
Publication date: 2003-06-06
Anticipated expiration: 2021-11-27
Also published as: JP3629235B2

Abstract

(57)【要約】【課題】低誘電率であり、高周波領域でも誘電損失が
小さく、かつフリップチップ封止に適した液状の封止用
樹脂組成物を提供することである。【解決手段】（Ａ）シアネートエステル樹脂、（Ｂ）
オキセタン含有化合物、及び（Ｃ）カチオン硬化触媒を
含む封止用樹脂組成物である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、誘電率の低い、フ
リップチップ封止に適する液状の封止用樹脂組成物に関
し、特に１GHz以上の高周波領域でも誘電損失が小さい
液状の封止用樹脂組成物に関する。さらに、本発明は、
該樹脂組成物によって封止された半導体デバイスに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器のさらなる軽薄短小化及
び高周波化を背景に、集積回路（ＩＣ）について、小型
化、高密度化及び高速化が必要とされている。そのた
め、ＩＣの封止も、半導体チップを回路基板に直接封止
するフリップチップ封止等、小型化、軽量化に対応でき
るものが要求されている。

【０００３】フリップチップ封止では、接続された半導
体チップと基板の隙間にディスペンサー等を用いて、封
止用樹脂組成物を横から注入するが、この隙間が一般に
３０〜１００μmと狭いため、隙間に流し込むことので
きる流動性のある液状の封止用樹脂組成物が必要であ
る。このような液状の封止用樹脂組成物として、従来は
エポキシ樹脂と硬化剤としてカルボン酸無水物等を含む
樹脂組成物が使用されてきた。

【０００４】しかし、このようなエポキシ樹脂を含む封
止用樹脂組成物は、特に高周波領域において、該樹脂組
成物の誘電損失が増加し、波形を鈍らせるといった問題
があり、ＩＣの高速化には、さらに低い誘電率を有する
封止用樹脂組成物が求められている。

【０００５】上記の問題を解決する技術が、過去に提案
されている。例えば、特開平５−９２７０号公報では、
エポキシ樹脂を含む封止用樹脂組成物に、中空の無機充
填剤を配合して、該樹脂組成物の誘電率を低下させる技
術が開示されている。しかし、この技術は、該充填剤の
比重が小さく、また、中空とするために該充填剤が一定
以上の大きさを有するので、液状の封止用樹脂組成物へ
の応用が困難であり、また、液状の封止用樹脂組成物に
該充填剤を配合した場合、加熱による硬化の段階で、充
填剤が分離してしまうという問題がある。

【０００６】さらに、特開２００１−８９６５４号公報
では、誘電率の低いシアネートエステル樹脂に、フェノ
ール樹脂を組み合わせて、誘電率を低下させる技術が記
載されている。しかし、シアネートエステル樹脂が固形
又は半固形であるため、これらの組合せによる封止用樹
脂組成物は作業性に劣り、さらにこれらを液状化するこ
とも困難であるという問題がある。

【０００７】また、特開平１１−１７０７４号公報で
は、オキセタン化合物を含有する封止用樹脂組成物によ
り、樹脂組成物の流動性を確保する技術が記載されてい
る。しかし、これらに記載されているような、オキセタ
ン化合物のみを樹脂形成成分として使用した樹脂組成物
は、硬化した場合、機械的強度が弱いといった問題があ
る。また、オキセタン化合物と、極性の大きい硬化剤の
併用は誘電損失が大きいという問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、誘電
率の低い、フリップチップ封止に適する液状の封止用樹
脂組成物を提供することであり、特に１GHz以上の高周
波領域でも誘電損失が小さい液状封止用の樹脂組成物を
提供することである。さらに、本発明の目的は、該樹脂
組成物によって封止された、小型・高密度・高速度化に
対応できる半導体デバイスに関する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、シアネート
エステル樹脂とオキセタン含有化合物とを併用すること
で、誘電率の低い、液状の封止樹脂組成物を得ることが
できることを見出し、本発明を完成するに到った。な
お、本明細書で液状とは、２５〜４０℃で流動性を有す
ることをいう。

【００１０】本発明は、（Ａ）シアネートエステル樹
脂、（Ｂ）オキセタン含有化合物、及び（Ｃ）カチオン
硬化触媒を含む封止用樹脂組成物であり、さらに（Ｄ）
シリカを含む封止用樹脂組成物である。また、本発明
は、前記封止用樹脂組成物を用いて封止された半導体デ
バイスである。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に、本発明をより詳細に説明
するが、これらは本発明をいかなる意味においても限定
するものではない。

【００１２】本発明の封止用樹脂組成物は、（Ａ）シア
ネートエステル樹脂と（Ｂ）オキセタン含有化合物を含
有する。オキセタン含有化合物自体は液状であるが、こ
れを固体又は半固体のシアネートエステル樹脂と配合し
た場合にも、液状部分と固体部分とが分離せず、液状の
樹脂組成物が得られることが見出された。

【００１３】本発明の封止用樹脂組成物に含まれる
（Ａ）シアネートエステル樹脂は、特に限定されない
が、例えば、式（１）：Ｎ≡Ｃ−Ｏ−Ｒ²−Ｒ¹−Ｒ³−Ｏ−Ｃ≡Ｎ（１）（式中、Ｒ¹は、非置換又はフッ素置換の二価の炭化水
素基であり、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立して、非置換
又は２〜４個のメチル基で置換されているフェニレン基
である）で示される化合物が挙げられる。また、式
（１）の化合物のシアナト基の一部がトリアジン環を形
成したプレポリマーも（Ａ）シアネートエステル樹脂と
して使用することができる。プレポリマーには例えば、
式（１）の化合物の全部又は一部が３量体化したものが
挙げられる。

【００１４】より好ましいのは、式（３）：

【００１５】

【化７】

【００１６】（式中、Ｒ⁴は、基：

【００１７】

【化８】

【００１８】（ここで、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は、それぞれ独立し
て、水素原子又は非置換若しくはフッ素置換のメチル基
である）又は基：

【００１９】

【化９】

【００２０】であり、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞ
れ独立して、水素又はメチル基である）で示される化合
物及びそれらのプレポリマーであり、特に、１，１−ビ
ス（４−シアナトフェニル）エタン及び２，２−ビス
（４−シアナトフェニル）プロパンが好ましい。

【００２１】本発明の（Ａ）シアネートエステル樹脂に
は、式（２）：

【００２２】

【化１０】

【００２３】で示される化合物及び式（２）の化合物の
シアナト基の一部がトリアジン環を形成したプレポリマ
ーも使用することができる。

【００２４】これらのシアネートエステル樹脂は、単独
でも、２種以上を組み合わせて使用することもできる。

【００２５】本発明の封止用樹脂組成物は、（Ｂ）オキ
セタン含有化合物を含む。オキセタン含有化合物は、モ
ノオキセタン化合物、例えば、３−エチル−３−ヒドロ
キシメチルオキセタン、３−エチル−３−ヘキシルオキ
シメチルオキセタン、３−エチル−３−アリルオキシメ
チルオキセタン、３−エチル−３−ベンジルオキシメチ
ルオキセタン、３−エチル−３−メタクリルオキシメチ
ルオキセタン、３−エチル−３−カルボキシオキセタ
ン；ジオキセタン化合物、例えば、ビス｛〔エチル（３
−オキセタニル）〕メチル｝エーテル、１，４−ビス
〔エチル（３−オキセタニル）メトキシメチル〕ベンゼ
ン、炭酸ビス｛〔エチル（３−オキセタニル）〕メチ
ル｝、アジピン酸ビス｛〔エチル（３−オキセタニ
ル）〕エチル｝、テレフタル酸ビス｛〔エチル（３−オ
キセタニル）〕メチル｝、１，４−シクロヘキサンカル
ボン酸ビス｛〔エチル（３−オキセタニル）〕メチ
ル｝、ビス｛４−〔エチル（３−オキセタニル）メトキ
シカルボニルアミノ〕フェニル｝メタン、α，ω−ビス
−｛３−〔１−エチル（３−オキセタニル）メトキシ〕
プロピル（ポリジメチルシロキサン）；及び多オキセタ
ン化合物、例えばオリゴ（グリシジルオキセタン−ｃｏ
−フェニルグリシジルエーテル）が挙げられる。これら
はいずれも、衛生面及び安全性に優れた液状の化合物で
あるが、特に、粘度が低くて取扱いやすく、かつ高い反
応性を示すことから、１，４−ビス〔エチル（３−オキ
セタニル）メトキシメチル〕ベンゼン、キシリレンビス
オキセタン及びビス｛〔エチル（３−オキセタニル）〕
メチル｝エーテルが好ましい。これらは、単独でも、２
種以上組み合わせて使用することもできる。

【００２６】本発明の封止用樹脂組成物は、（Ａ）シア
ネートエステル樹脂１００重量部に対して、（Ｂ）オキ
セタン含有化合物を４０〜１２０重量部の割合で含むこ
とが好ましい。配合割合がこの範囲にあると、好ましい
流動性の樹脂組成物が得られ、加熱等により、好ましい
機械的強度の硬化物が得られる。（Ｂ）オキセタン含有
化合物のより好ましい配合量は、６０〜１００重量部、
特に好ましくは７０〜９０重量部である。

【００２７】本発明の封止用樹脂組成物は、（Ｃ）カチ
オン硬化触媒を含むが、カチオン重合の触媒として機能
し、樹脂組成物を網状構造化するものであれば、特に限
定はされない。例えば、ルイス酸塩、オニウム塩、脂肪
酸金属等が挙げられるが、特に、潜在性触媒として組成
物中に配合して用いることができ、加熱により短時間で
樹脂組成物を硬化させることができるため、オニウム塩
が好ましい。

【００２８】オニウム塩は、例えば式（４）：

【００２９】

【化１１】

【００３０】及び／又は式（５）：

【００３１】

【化１２】

【００３２】（式中、Ｒ¹¹は、非置換又は置換の一価の
炭化水素基を表し、ａ又はｂが２以上の場合、分子中の
Ｒ¹¹はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく；Ｅ
¹は、ヨウ素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ジ
アゾ基又は非置換若しくは環置換のピリジニオ基を表
し；Ｅ²は、硫黄原子又は窒素原子を表し；Ｚは、Ｂ
Ｆ₄、ＰＦ₄、ＡｓＦ₆、ＳｂＦ₆又は（Ｃ₆Ｆ₅）₄Ｂであ
る対イオンを表し；ａは、Ｅ¹がヨウ素原子のとき２、
硫黄原子のとき３、窒素原子又はリン原子のとき４、ジ
アゾ基又は非置換若しくは環置換のピリジニオ基のとき
１であり；ｂは、Ｅ²が硫黄原子のとき１、窒素原子の
とき２であり；ｃは、４又は５の整数である）で示され
るヨードニウム塩、スルホニウム塩、アンモニウム塩、
ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩又はピリジニウム塩が
挙げられる。これらは単独でも、２種以上を組み合わせ
て使用することもできる。

【００３３】式（４）及び（５）において、Ｒ¹¹は、具
体的には、メチル、エチル等の炭素数１〜１５であるア
ルキル基；シクロヘキシル等の炭素数３〜１０であるシ
クロアルキル基；フェニル、４−トリル、２，４−キシ
リル、１−ナフチル等のアリール基；ベンジル、２−若
しくは４−メチルベンジル、２−フェニルエチル等のア
ラルキル基；ビニル、アリル等の炭素数２〜１０のアル
ケニル基；並びに４−ヒドロキシフェニル、４−メトキ
シフェニル、４−シアノフェニル、４−クロロフェニ
ル、４−アセトキシフェニル、４−プロパノイルフェニ
ル、４−メトキシカルボニルフェニル、４−エトキシカ
ルボニルフェニル、４−メトキシベンジル、４−エトキ
シベンジル、４−ｔ−ブトキシベンジル、４−ニトロベ
ンジル、４−シアノベンジル等の上記の炭化水素基から
誘導される一価の置換炭化水素基が挙げられる。なかで
も、優れた硬化性を示すことから、分子中少なくとも１
個のＲ¹¹がアリール基又はアラルキル基であることが好
ましく、すべてのＲ¹¹がそのような基であることがさら
に好ましい。

【００３４】Ｅ¹又はＥ²としては、優れた硬化速度が得
られることから、ヨウ素原子又は硫黄原子が好ましい。

【００３５】Ｅ¹の非置換又は環置換のピリジニオ基と
しては、具体的には、ピリジニオ、２−若しくは４−メ
チルピリジニオ、２，４−ジメチルピリジニオ、２−若
しくは４−シアノピリジニオ、２−若しくは４−メトキ
シカルボニルピリジニオ、２−若しくは４−エトキシカ
ルボニルピリジニオのような環置換ピリジニウム基が例
示される。

【００３６】Ｚは、短時間の加熱又は光照射によって優
れた硬化性を示すことから、ＳｂＦ ₆又はＢ（Ｃ₆Ｆ₅)₄
が好ましく、毒性を示さず、衛生上及び環境への影響を
考慮する必要がないことから、Ｂ（Ｃ₆Ｆ₅）₄が特に好
ましい。

【００３７】このような好ましいオニウム塩としては、
ジフェニルヨードニウム等のジアリールヨードニウム；
フェニル（４−メトキシフェニル）ヨードニウム等の置
換アリール基含有ヨードニウム；フェニルベンジルヨー
ドニウム等のアラルキル基含有ヨードニウム；トリフェ
ニルスルホニウム、ジフェニル（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）スルホニウム等のトリアリールスルホニウム；トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル）スルホニウム、トリス
（４−メトキシフェニル）スルホニウム、トリス（アセ
トキシフェニル）スルホニウム等の置換アリール基含有
スルホニウム；メチル（４−ヒドロキシフェニル）ベン
ジルスルホニウム、メチル（４−メトキシフェニル）−
１−ナフチルメチルスルホニウム等のベンジル構造含有
スルホニウムといった、ヘキサフルオロアンチモン酸塩
及びテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボロン塩が
挙げられる。衛生及び環境保全的な見地からテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボロン塩が好ましく、適度
の硬化速度が得られ、特に４−トリル（４−クミル)ヨ
ードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボロ
ン塩のようなジアリールヨードニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボロン塩が特に好ましい。

【００３８】脂肪酸金属も（Ｃ）カチオン硬化触媒とし
て好ましく用いることができる。具体的には、オクタン
酸金属塩及びナフテン酸金属塩が挙げられ、具体的に
は、オクタン酸第二鉄、オクタン酸コバルト、オクタン
酸スズ、オクタン酸カルシウム、オクタン酸亜鉛、オク
タン酸銅、オクタン酸ジルコニウム、オクタン酸マグネ
シウム、及びそれらに対応するナフテン酸塩等が挙げら
れる。

【００３９】（Ｃ）カチオン硬化触媒は、（Ａ）シアネ
ートエステル樹脂１００重量部に基づいて、２〜８重量
部で含むことが好ましい。配合割合がこの範囲にある
と、反応性及び硬化性が適正である。

【００４０】本発明の封止用樹脂組成物は、樹脂組成物
の線膨張係数を調整し、基板の線膨張係数に近くするた
めに、充填剤として（Ｄ）シリカを含むことが好まし
い。シリカは、溶融シリカ、結晶性シリカ、粉砕シリカ
等、当技術分野で使用されるいずれのシリカも使用する
ことができるが、誘電率低下の観点から溶融シリカが好
ましい。シリカは、本発明の封止用樹脂組成物の総重量
に対して、３０〜７０重量％で含有することが好まし
く、より好ましくは、４０〜６０重量％である。本発明
の封止用樹脂組成物には、アルミナ、チッ化シリコン等
のシリカ以外の充填剤を含有させてもよい。

【００４１】本発明の封止用樹脂組成物には、本発明の
目的を損なわない範囲内で、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック
エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を
含有させてもよい。

【００４２】本発明の封止用樹脂組成物には、必要に応
じて、カーボンブラック等の着色剤、無機繊維、難燃
剤、イオントラップ剤、内部離型剤、増感剤を含有させ
てもよい。また、基板への接着性を向上させるために、
ビニルトリエトキシシラン、３−メタクリルオキシプロ
ピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤を含
有させてもよい。

【００４３】本発明の封止用樹脂組成物の製造方法は、
特に限定されず、例えば原料を、所定の配合で、ライカ
イ機、ポットミル、三本ロールミル、回転式混合機、二
軸ミキサー等の混合機に投入し、混合して、製造するこ
とができる。

【００４４】本発明の封止用樹脂組成物は、半導体の封
止材料として用いることができる。例えば、フリップチ
ップ方式で、接続された半導体チップと基板の隙間にデ
ィスペンサー等を用いて、本発明の封止用樹脂組成物を
横から注入し、硬化させることができる。また、基板に
ディスペンサー等を用いて、半導体チップの大きさに合
わせて、本発明の封止用樹脂組成物を塗布し、チップボ
ンダー等を用いて、加熱、はんだ接続をした後、硬化さ
せることもできる。

【００４５】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半
導体や、それらを含むデバイスの封止等に広く適用でき
る。

【００４６】

【実施例】以下、本発明を、実施例によってさらに詳細
に説明する。本発明は、これらの実施例によって限定さ
れるものではない。なお、実施例中、配合量の単位は、
特に断らない限り、重量部である。

【００４７】実施例において、封止用樹脂組成物の成分
としては以下を用いた。（Ａ）シアネートエステル樹脂Ａ−１：２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパ
ンＡ−２：１，１−ビス（４−シアナトフェニル）エタン（Ｂ）オキセタン含有化合物Ｂ−１：キシリレンビスオキセタンＢ−２：ビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）
エーテル（Ｃ）カチオン硬化触媒Ｃ−１：オクタン酸第二鉄Ｃ−２：４−トリル（４−クミル）ヨードニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボロン塩

【００４８】実施例１〜４、比較例１表１に示す配合で、ロールミルで、成分を混練して、封
止用樹脂組成物を調製した。

【００４９】

【表１】

【００５０】実施例１〜４、比較例１〜３の封止用樹脂
組成物について、粘度、誘電率、誘電損失を測定した。
結果を表１に示す。なお、測定方法は、以下のとおりで
ある。粘度：ブルックフィールド回転粘度計を用いて、１０rp
mで、２５℃における粘度を測定した。誘電率、誘電損失：試料を１５０℃で３０分硬化させた
ものを、５GHz、室温の条件下で、マイクロスプリット
ライン、スペクトルアナライザーを使用して、測定し
た。

【００５１】さらに実施例１〜４、比較例１、３の封止
用樹脂組成物を用いて半導体の封止を行い、ハンダリフ
ロー、ヒートサイクル、耐湿性についてそれぞれ評価を
行った。結果を表１に示す。なお、比較例２の封止用樹
脂組成物は、流動性に劣り、半導体の封止を行うことが
できなかったため、ハンダリフロー等の評価を行わなか
った。また、比較例３の封止用樹脂組成物ではハンダリ
フローでデラミネーションが発生したため、ヒートサイ
クル、耐湿試験の評価を行わなかった。

【００５２】なお、評価は以下のようにして行った。基
板（ＦＲ４基板、０．８mm厚）に、フリップチップボン
ダーを用いて、半導体（１０mm各共晶ハンダバンプ、エ
リアアレイ６２５バンプ）を１０個搭載し、純水で洗浄
した後、１５０℃で１時間乾燥した。次に、封止用樹脂
組成物を８０℃でディスペンサーを用いて、基板と半導
体の隙間に注入した。その後、半導体を搭載した基板
を、湿度６０％、３０℃の条件下で１９２時間、放置し
た。その後、２３０℃のハンダリフロー炉に３回通し、
封止を行い半導体デバイスを得た。ハンダリフローの評価：得られた封止体について、デラ
ミネーションを超音波探傷機（ＳＡＴ）で観察し、デラ
ミネーションの発生の有無を観察した。○はデラミネー
ションの発生無し、×はデラミネーションの発生有りを
示す。ヒートサイクルの評価：得られた封止体について、４５
℃３０分、１２５℃３０分を１サイクルとして実施し、
クラックの発生時間を測定した。＞５００とは、５００
時間経過しても異常が発生しなかったことを示す。耐湿試験：得られた封止体について、８５℃、相対湿度
（ＲＨ）８５％の条件下で、５００時間、３Ｖ印加し、
断線時間を測定した。＞５００とは、５００時間経過し
ても異常が発生しなかったことを示す。

【００５３】表１に示されるように、本発明による封止
用樹脂組成物は、いずれも誘電率が３以下と低く、誘電
損失も５GHzの高周波領域で０．０２と小さかった。ま
た、いずれも液状であることが粘度からも確認された。
また、本発明の封止用樹脂組成物で封止した半導体デバ
イスは、ハンダリフロー、ヒートサイクル、耐湿性の面
から問題がないことが確認された。

【００５４】一方、従来のエポキシ樹脂と酸無水物等の
硬化剤を組み合わせた封止樹脂組成物に相当する比較例
１は、誘電率が４．２と高く、誘電損失も０．０５と大
きかった。オキセタン含有化合物を含有しない封止樹脂
組成物に相当する比較例２は、流動性に劣り、粘度が測
定不能であり、半導体封止に用いることができなかっ
た。シアネート樹脂を含有しない封止樹脂組成物に相当
する比較例３は、封止した半導体デバイスについて、ハ
ンダリフローの面で問題があった。

【００５５】

【発明の効果】本発明によって、低誘電率であり、高周
波領域でも誘電損失が小さく、かつフリップチップ封止
に適した液状の封止用樹脂組成物が得られる。本発明の
封止用樹脂組成物は、そのような利点を生かして、Ｉ
Ｃ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体を含むデバイスの封止
等に広く適用することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）シアネートエステル樹脂、（Ｂ）
オキセタン含有化合物、及び（Ｃ）カチオン硬化触媒を
含む封止用樹脂組成物。
【請求項２】（Ａ）シアネートエステル樹脂１００重
量部に対して、（Ｂ）オキセタン含有化合物が４０〜１
２０重量部であり、かつ（Ｃ）カチオン硬化触媒が２〜
８重量部である、請求項１項記載の封止用樹脂組成物。
【請求項３】（Ｄ）シリカをさらに含む、請求項１又
は２記載の封止用樹脂組成物。
【請求項４】前記（Ｄ）シリカが、封止用樹脂組成物
の総重量に対して、３０〜７０重量％である、請求項３
記載の封止用樹脂組成物。
【請求項５】前記（Ａ）シアネートエステル樹脂が、
式（１）：Ｎ≡Ｃ−Ｏ−Ｒ²−Ｒ¹−Ｒ³−Ｏ−Ｃ≡Ｎ（１）（式中、Ｒ¹は、非置換又はフッ素置換の二価の炭化水
素基であり、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立して、非置換
又は２〜４個のメチル基で置換されているフェニレン基
である）で示される化合物及び式（２）：【化１】で示される化合物、並びにそれらのプレポリマーからな
る群より選ばれる１種以上である、請求項１〜４のいず
れか１項記載の封止用樹脂組成物。
【請求項６】前記（Ａ）シアネートエステル樹脂が、
式（３）：【化２】（式中、Ｒ⁴は、基：【化３】（ここで、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は、それぞれ独立して、水素原子
又は非置換若しくはフッ素置換のメチル基である）又は
基：【化４】であり、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立して、
水素又はメチル基である）で示される化合物及びそれら
のプレポリマーからなる群より選ばれる１種以上であ
る、請求項１〜５のいずれか１項記載の封止用樹脂組成
物。
【請求項７】前記（Ｂ）オキセタン含有化合物がジオ
キセタン化合物である、請求項１〜６のいずれか１項記
載の封止用樹脂組成物。
【請求項８】前記（Ｃ）カチオン硬化触媒が、式
（４）：【化５】及び／又は式（５）：【化６】（式中、Ｒ¹¹は、非置換又は置換の一価の炭化水素基を
表し、ａ又はｂが２以上の場合、分子中のＲ¹¹はそれぞ
れ同一であっても異なっていてもよく；Ｅ¹は、ヨウ素
原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ジアゾ基又は非
置換若しくは環置換のピリジニオ基を表し；Ｅ²は、硫
黄原子又は窒素原子を表し；Ｚは、ＢＦ₄、ＰＦ₄、Ａｓ
Ｆ₆、ＳｂＦ₆又は（Ｃ₆Ｆ₅）₄Ｂである対イオンを表
し；ａは、Ｅ¹がヨウ素原子のとき２、硫黄原子のとき
３、窒素原子又はリン原子のとき４、ジアゾ基又は非置
換若しくは環置換のピリジニオ基のとき１であり；ｂ
は、Ｅ²が硫黄原子のとき１、窒素原子のとき２であ
り；ｃは、４又は５の整数である）で示されるオニウム
塩である、請求項１〜７のいずれか１項記載の封止用樹
脂組成物。
【請求項９】請求項１〜８記載のいずれか１項記載の
封止用樹脂組成物を用いて封止された半導体デバイス。