JP2003160362A - 透明導電膜基板及び該基板を有する液晶デバイス - Google Patents
透明導電膜基板及び該基板を有する液晶デバイスInfo
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- JP2003160362A JP2003160362A JP2001357727A JP2001357727A JP2003160362A JP 2003160362 A JP2003160362 A JP 2003160362A JP 2001357727 A JP2001357727 A JP 2001357727A JP 2001357727 A JP2001357727 A JP 2001357727A JP 2003160362 A JP2003160362 A JP 2003160362A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 膜厚を厚くした低抵抗の透明導電膜（ＩＴＯ
膜）は光の干渉効果のために、可視光の透過率が不十分
であった。そこで、電気抵抗が低く、かつ、可視光域で
の透過率が高い透明導電膜基板を提供する。 【解決手段】 透明導電膜基板は、透明なガラス基板の
主表面の一方に、三酸化アルミニウムとＩＴＯ膜がこの
順に積層して成膜された積層膜、或いは第１誘電体膜と
して二酸化チタンか五酸化タンタルか五酸化ニオブの内
の１つから成る１層と第２誘電体膜として二酸化珪素か
フッ化マグネシウムの内の１つから成る２層と第３誘電
体膜として第１誘電体膜材料と同じ材料から成る３層と
ＩＴＯ膜がこの順に積層して成膜された積層膜を備えて
いる。
膜）は光の干渉効果のために、可視光の透過率が不十分
であった。そこで、電気抵抗が低く、かつ、可視光域で
の透過率が高い透明導電膜基板を提供する。 【解決手段】 透明導電膜基板は、透明なガラス基板の
主表面の一方に、三酸化アルミニウムとＩＴＯ膜がこの
順に積層して成膜された積層膜、或いは第１誘電体膜と
して二酸化チタンか五酸化タンタルか五酸化ニオブの内
の１つから成る１層と第２誘電体膜として二酸化珪素か
フッ化マグネシウムの内の１つから成る２層と第３誘電
体膜として第１誘電体膜材料と同じ材料から成る３層と
ＩＴＯ膜がこの順に積層して成膜された積層膜を備えて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電膜基板及び
該基板を有する液晶デバイスに関する。
該基板を有する液晶デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から可視透過率の高い透明導電膜は
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：liquid crystal displa
y）、無機ＥＬＤ（ＥＬＤ：electroluminescence displ
ay）、有機ＥＬＤ、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：pl
asma display panel）等に使用されている。これらの中
でも特にＬＣＤは従来のブラウン管（ＣＲＴ：cathode-
ray-tube）ディスプレイに比べて圧倒的に薄く、軽量で
ある上に省電力に優れており、表示性能もＣＲＴディス
プレイに競合できる水準にある等の多くの利点を有する
ので、近年、需要が拡大している。
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：liquid crystal displa
y）、無機ＥＬＤ（ＥＬＤ：electroluminescence displ
ay）、有機ＥＬＤ、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：pl
asma display panel）等に使用されている。これらの中
でも特にＬＣＤは従来のブラウン管（ＣＲＴ：cathode-
ray-tube）ディスプレイに比べて圧倒的に薄く、軽量で
ある上に省電力に優れており、表示性能もＣＲＴディス
プレイに競合できる水準にある等の多くの利点を有する
ので、近年、需要が拡大している。
【０００３】ＬＣＤは２枚の透明電極（透明導電膜）の
間に液晶を挟んだものであり、この透明電極に印加する
電圧を制御して液晶分子の配置を変化させ、これによっ
て画像液晶を透過して画面に到達し得るバックライトの
光量を調整することによりＬＣＤの画像表示が行われ
る。このため、透明導電膜は、低い電気抵抗と可視光に
対する高い透過率とを有することが要求される。
間に液晶を挟んだものであり、この透明電極に印加する
電圧を制御して液晶分子の配置を変化させ、これによっ
て画像液晶を透過して画面に到達し得るバックライトの
光量を調整することによりＬＣＤの画像表示が行われ
る。このため、透明導電膜は、低い電気抵抗と可視光に
対する高い透過率とを有することが要求される。
【０００４】透明導電膜としてＩｎ2Ｏ3にＳｎＯ2を添
加したＩＴＯが用いられている。このＩＴＯ膜はスパッ
タリング法、イオンプレーティング法等を用いて成膜さ
れる。電気抵抗が低く、可視光に対する透過率が高いと
いう条件を満たすために、一般には、１００ｎｍ以上の
膜厚を有するＩＴＯ膜が使用されている。
加したＩＴＯが用いられている。このＩＴＯ膜はスパッ
タリング法、イオンプレーティング法等を用いて成膜さ
れる。電気抵抗が低く、可視光に対する透過率が高いと
いう条件を満たすために、一般には、１００ｎｍ以上の
膜厚を有するＩＴＯ膜が使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＴＯ
膜は膜厚に起因する可視光域での光の干渉効果のため
に、可視光域全体で高透過率を得ることが困難であると
いう問題がある。
膜は膜厚に起因する可視光域での光の干渉効果のため
に、可視光域全体で高透過率を得ることが困難であると
いう問題がある。
【０００６】また、膜厚を薄くすることによって透過率
を高めようとすると、ＩＴＯ膜の電気抵抗が高くなって
ＬＣＤの画質が悪くなるという問題が生じる。
を高めようとすると、ＩＴＯ膜の電気抵抗が高くなって
ＬＣＤの画質が悪くなるという問題が生じる。
【０００７】本発明の目的は、電気抵抗が低く、かつ、
可視光域での透過率が高い透明導電膜基板及び該基板を
用いた液晶デバイスを提供することにある。
可視光域での透過率が高い透明導電膜基板及び該基板を
用いた液晶デバイスを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の透明導電膜基板は、ガラス基板の主
表面上にＡｌ2Ｏ3膜、ＩＴＯ膜の順に積層して成膜され
た積層膜を備えることを特徴とする。
に、請求項１記載の透明導電膜基板は、ガラス基板の主
表面上にＡｌ2Ｏ3膜、ＩＴＯ膜の順に積層して成膜され
た積層膜を備えることを特徴とする。
【０００９】請求項２記載の透明導電膜基板は、請求項
１記載の透明導電膜基板において、前記Ａｌ2Ｏ3膜の膜
厚が６８〜８３ｎｍであり、前記ＩＴＯ膜の膜厚が９０
〜１１０ｎｍであることを特徴とする。
１記載の透明導電膜基板において、前記Ａｌ2Ｏ3膜の膜
厚が６８〜８３ｎｍであり、前記ＩＴＯ膜の膜厚が９０
〜１１０ｎｍであることを特徴とする。
【００１０】上記目的を達成するために、請求項３記載
の透明導電膜基板は、ガラス基板の主表面上に第１の誘
電体膜、第２の誘電体膜、第３の誘電体膜、ＩＴＯ膜の
順に積層して成膜された積層膜を備えることを特徴とす
る。
の透明導電膜基板は、ガラス基板の主表面上に第１の誘
電体膜、第２の誘電体膜、第３の誘電体膜、ＩＴＯ膜の
順に積層して成膜された積層膜を備えることを特徴とす
る。
【００１１】請求項４記載の透明導電膜基板は、請求項
３記載の透明導電膜基板において、前記第１の誘電体膜
は、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の何れか１つによ
り成膜されたものであることを特徴とする。
３記載の透明導電膜基板において、前記第１の誘電体膜
は、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の何れか１つによ
り成膜されたものであることを特徴とする。
【００１２】請求項５記載の透明導電膜基板は、請求項
３又は４記載の透明導電膜基板において、前記第２の誘
電体膜は、ＳｉＯ2及びＭｇＦ2の何れか１つにより成膜
されたものであることを特徴とする。
３又は４記載の透明導電膜基板において、前記第２の誘
電体膜は、ＳｉＯ2及びＭｇＦ2の何れか１つにより成膜
されたものであることを特徴とする。
【００１３】請求項６記載の透明導電膜基板は、請求項
３乃至５の何れか１項に記載の透明導電膜基板におい
て、前記第３の誘電体膜は、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5及びＮ
ｂ2Ｏ5の何れか１つにより成膜されたものであることを
特徴とする。
３乃至５の何れか１項に記載の透明導電膜基板におい
て、前記第３の誘電体膜は、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5及びＮ
ｂ2Ｏ5の何れか１つにより成膜されたものであることを
特徴とする。
【００１４】請求項７記載の透明導電膜基板は、請求項
６記載の透明導電膜基板において、前記第１のＴｉＯ2
膜の膜厚が８〜１０ｎｍであり、前記ＳｉＯ2膜の膜厚
が３４〜４２ｎｍであり、前記第２のＴｉＯ2膜の膜厚
が６〜８ｎｍであり、前記ＩＴＯ膜の膜厚が９０〜１１
０ｎｍであることを特徴とする。
６記載の透明導電膜基板において、前記第１のＴｉＯ2
膜の膜厚が８〜１０ｎｍであり、前記ＳｉＯ2膜の膜厚
が３４〜４２ｎｍであり、前記第２のＴｉＯ2膜の膜厚
が６〜８ｎｍであり、前記ＩＴＯ膜の膜厚が９０〜１１
０ｎｍであることを特徴とする。
【００１５】請求項８記載の透明導電膜基板は、請求項
６記載の透明導電膜基板において、前記第１の誘電体膜
はＴａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の何れか１つにより成膜され
た、８．５〜１１ｎｍの膜厚を有する膜であり、前記第
２の誘電体膜は３６〜４５ｎｍの膜厚を有するＭｇＦ2
膜であり、前記第３の誘電体膜はＴａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5
の何れか１つにより成膜された、８．５〜１１ｎｍの膜
厚を有する膜であることを特徴とする。
６記載の透明導電膜基板において、前記第１の誘電体膜
はＴａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の何れか１つにより成膜され
た、８．５〜１１ｎｍの膜厚を有する膜であり、前記第
２の誘電体膜は３６〜４５ｎｍの膜厚を有するＭｇＦ2
膜であり、前記第３の誘電体膜はＴａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5
の何れか１つにより成膜された、８．５〜１１ｎｍの膜
厚を有する膜であることを特徴とする。
【００１６】上記目的を達成するために請求項９記載の
液晶デバイスは、前記ＩＴＯ膜の上に配向膜が成膜され
た２枚の請求項１又は２記載の透明導電膜基板の前記配
向膜同士が対向し、該対向する配向膜同士の間に液晶層
を備えることを特徴とする。
液晶デバイスは、前記ＩＴＯ膜の上に配向膜が成膜され
た２枚の請求項１又は２記載の透明導電膜基板の前記配
向膜同士が対向し、該対向する配向膜同士の間に液晶層
を備えることを特徴とする。
【００１７】上記目的を達成するために請求項１０記載
の液晶デバイスは、前記ＩＴＯ膜の上に配向膜が成膜さ
れた２枚の請求項３乃至８の何れか１項に記載の透明導
電膜基板の前記配向膜同士が対向し、該対向する配向膜
同士の間に液晶層を備えることを特徴とする。
の液晶デバイスは、前記ＩＴＯ膜の上に配向膜が成膜さ
れた２枚の請求項３乃至８の何れか１項に記載の透明導
電膜基板の前記配向膜同士が対向し、該対向する配向膜
同士の間に液晶層を備えることを特徴とする。
【００１８】請求項１１記載の透明導電膜基板は、請求
項１乃至８の何れか１項に記載の透明導電膜基板におい
て、前記ガラス基板の主表面と前記導電膜との間にカラ
ーフィルターを備えることを特徴とする。
項１乃至８の何れか１項に記載の透明導電膜基板におい
て、前記ガラス基板の主表面と前記導電膜との間にカラ
ーフィルターを備えることを特徴とする。
【００１９】請求項１２記載の液晶デバイスは、請求項
９又は１０記載の液晶デバイスにおいて、前記２枚の透
明導電膜基板のうち一方の透明導電膜基板の前記ガラス
基板の主表面と前記導電膜との間にカラーフィルターを
備えることを特徴とする。
９又は１０記載の液晶デバイスにおいて、前記２枚の透
明導電膜基板のうち一方の透明導電膜基板の前記ガラス
基板の主表面と前記導電膜との間にカラーフィルターを
備えることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】発明者は、上記目的を達成すべく
鋭意検討を行った結果、透明導電膜基板はガラス基板の
主表面上にＡｌ2Ｏ3膜、ＩＴＯ膜の順に積層して成膜さ
れた積層膜を備えることにより、電気抵抗が低い上に透
明導電膜基板に入射する可視光の干渉効果に基づいて反
射強度が低減して可視光域での高い透過率が得られるこ
とを見出した。
鋭意検討を行った結果、透明導電膜基板はガラス基板の
主表面上にＡｌ2Ｏ3膜、ＩＴＯ膜の順に積層して成膜さ
れた積層膜を備えることにより、電気抵抗が低い上に透
明導電膜基板に入射する可視光の干渉効果に基づいて反
射強度が低減して可視光域での高い透過率が得られるこ
とを見出した。
【００２１】以下、本発明の実施の形態に係る透明導電
膜基板及び該基板を有する液晶デバイスを図面を参照し
ながら詳細に説明する。
膜基板及び該基板を有する液晶デバイスを図面を参照し
ながら詳細に説明する。
【００２２】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る
透明導電膜基板の模式構造を示す断面図である。
透明導電膜基板の模式構造を示す断面図である。
【００２３】図１において、透明導電膜基板１は、透明
なガラス基板１０の主表面の一方にＡｌ2Ｏ3膜１１、Ｉ
ＴＯ膜１２がこの順に積層して成膜された積層膜を備え
ている。この積層膜はスパッタリング法、イオンプレー
ティング法、電子線蒸着法等によって形成することがで
きる。
なガラス基板１０の主表面の一方にＡｌ2Ｏ3膜１１、Ｉ
ＴＯ膜１２がこの順に積層して成膜された積層膜を備え
ている。この積層膜はスパッタリング法、イオンプレー
ティング法、電子線蒸着法等によって形成することがで
きる。
【００２４】ここで、Ａｌ2Ｏ3膜１１及びＩＴＯ膜１２
を成膜するためのスパッタリング装置について説明す
る。
を成膜するためのスパッタリング装置について説明す
る。
【００２５】図７は、スパッタリング装置の構成を概略
的に示す概略構成図である。
的に示す概略構成図である。
【００２６】スパッタリング装置１００は真空チャンバ
１０１を備えている。この真空チャンバ１０１内の略中
央部には、ガラス基板１０を保持するため円筒状の基板
ホルダ１０２が長手方向の中心軸を回転の中心にして回
転可能に立設されている。この基板ホルダ１０２の外側
面１０２ａにはスパッタリング処理を受ける複数枚のガ
ラス基板１０が取り付けられる。
１０１を備えている。この真空チャンバ１０１内の略中
央部には、ガラス基板１０を保持するため円筒状の基板
ホルダ１０２が長手方向の中心軸を回転の中心にして回
転可能に立設されている。この基板ホルダ１０２の外側
面１０２ａにはスパッタリング処理を受ける複数枚のガ
ラス基板１０が取り付けられる。
【００２７】真空チャンバ１０１の側壁の下部にはガス
導入口１０３が形成されており、このガス導入口１０３
を介して真空チャンバ１０１は外部のガス導入管１０３
ａに連通している。このガス導入口１０３から放電ガス
（Ａｒ＋０2）が真空チャンバ１０１に導入される。真
空チャンバ１０１の底部には排気口１０４が形成されて
おり、この排気口１０４を介して真空チャンバ１０１は
外部の排気管１０４ａに連通している。この排気口１０
４からガスが真空チャンバ１０１の外部に排気される。
導入口１０３が形成されており、このガス導入口１０３
を介して真空チャンバ１０１は外部のガス導入管１０３
ａに連通している。このガス導入口１０３から放電ガス
（Ａｒ＋０2）が真空チャンバ１０１に導入される。真
空チャンバ１０１の底部には排気口１０４が形成されて
おり、この排気口１０４を介して真空チャンバ１０１は
外部の排気管１０４ａに連通している。この排気口１０
４からガスが真空チャンバ１０１の外部に排気される。
【００２８】真空チャンバ１０１の内側面１０１ａには
２つのカソード１０５，１０６が相対する位置に配設さ
れている。カソード１０５，１０６にはスパッタリング
しようとする金属等のターゲット１０７，１０８が取り
付けられている。本実施例の場合、ガラス基板１０にＡ
ｌ2Ｏ3膜を成膜するので、ターゲット１０７はＩＴＯで
あり，ターゲット１０８はＡｌ系金属のターゲットであ
る。カソード１０５，１０６のうち、一方のカソード１
０５には直流電源が接続されており、もう一方のカソー
ド１０６には交流電源が接続されている。
２つのカソード１０５，１０６が相対する位置に配設さ
れている。カソード１０５，１０６にはスパッタリング
しようとする金属等のターゲット１０７，１０８が取り
付けられている。本実施例の場合、ガラス基板１０にＡ
ｌ2Ｏ3膜を成膜するので、ターゲット１０７はＩＴＯで
あり，ターゲット１０８はＡｌ系金属のターゲットであ
る。カソード１０５，１０６のうち、一方のカソード１
０５には直流電源が接続されており、もう一方のカソー
ド１０６には交流電源が接続されている。
【００２９】上記構成のスパッタリング装置１００にお
いて基板ホルダ１０２にスパッタリング処理を施す場合
は、基板ホルダ１０２にガラス基板１０を取り付け、真
空チャンバ１０１内にアルゴンガス（放電ガス）を充填
し、カソード１０６に電力を印加しながら基板ホルダ１
０２を回転させる。ガラス基板１０がカソード１０６の
ターゲット１０８の前方を通過する際にＡｌ2Ｏ3膜１１
が成膜される。成膜されるＡｌ2Ｏ3膜１１の膜厚は基板
ホルダ１０２の回転速度を変えることにより、即ち、タ
ーゲット１０８の前方を通過するガラス基板１０の通過
速度を変えることにより調整できる。このようにして成
膜されるＡｌ2Ｏ3膜１１の膜厚は６８〜８３ｎｍが好ま
しい。スパッタリング処理によるＡｌ2Ｏ3成膜条件とし
て、例えば、基板温度は２００℃、放電ガスはＡｒ＋Ｏ
2（Ｏ2添加量：６０％）、チャンバ内圧力は０．４６５
５Ｐａ（３．５ｍＴｏｒｒ）である。このスパッタリン
グは交流電源を用いた高周波スパッタリングである。
いて基板ホルダ１０２にスパッタリング処理を施す場合
は、基板ホルダ１０２にガラス基板１０を取り付け、真
空チャンバ１０１内にアルゴンガス（放電ガス）を充填
し、カソード１０６に電力を印加しながら基板ホルダ１
０２を回転させる。ガラス基板１０がカソード１０６の
ターゲット１０８の前方を通過する際にＡｌ2Ｏ3膜１１
が成膜される。成膜されるＡｌ2Ｏ3膜１１の膜厚は基板
ホルダ１０２の回転速度を変えることにより、即ち、タ
ーゲット１０８の前方を通過するガラス基板１０の通過
速度を変えることにより調整できる。このようにして成
膜されるＡｌ2Ｏ3膜１１の膜厚は６８〜８３ｎｍが好ま
しい。スパッタリング処理によるＡｌ2Ｏ3成膜条件とし
て、例えば、基板温度は２００℃、放電ガスはＡｒ＋Ｏ
2（Ｏ2添加量：６０％）、チャンバ内圧力は０．４６５
５Ｐａ（３．５ｍＴｏｒｒ）である。このスパッタリン
グは交流電源を用いた高周波スパッタリングである。
【００３０】次に、成膜されたＡｌ2Ｏ3膜１１の上にＩ
ＴＯ膜１２を成膜する。カソード１０５に電力を印加し
ながら基板ホルダ１０２を回転させると、ガラス基板１
０がＩＴＯのターゲット１０７の前方を通過する際にＩ
ＴＯ膜１２が成膜される。成膜されるＩＴＯ膜１２の膜
厚は基板ホルダ１０２の回転速度を変えることにより、
即ち、ターゲット１０７の前方を通過するガラス基板１
０の通過速度を変えることにより調整できる。このよう
にして成膜されるＩＴＯ膜１２の膜厚は９０〜１１０ｎ
ｍが好ましい。スパッタリング処理によるＩＴＯ成膜条
件として、例えば、基板温度は２００℃、放電ガスはＡ
ｒ＋Ｏ2（Ｏ2添加量：２％）、チャンバ内圧力は０．５
３２Ｐａ（４．０ｍＴｏｒｒ）である。このスパッタリ
ングは直流電源を用いた直流スパッタリングである。
ＴＯ膜１２を成膜する。カソード１０５に電力を印加し
ながら基板ホルダ１０２を回転させると、ガラス基板１
０がＩＴＯのターゲット１０７の前方を通過する際にＩ
ＴＯ膜１２が成膜される。成膜されるＩＴＯ膜１２の膜
厚は基板ホルダ１０２の回転速度を変えることにより、
即ち、ターゲット１０７の前方を通過するガラス基板１
０の通過速度を変えることにより調整できる。このよう
にして成膜されるＩＴＯ膜１２の膜厚は９０〜１１０ｎ
ｍが好ましい。スパッタリング処理によるＩＴＯ成膜条
件として、例えば、基板温度は２００℃、放電ガスはＡ
ｒ＋Ｏ2（Ｏ2添加量：２％）、チャンバ内圧力は０．５
３２Ｐａ（４．０ｍＴｏｒｒ）である。このスパッタリ
ングは直流電源を用いた直流スパッタリングである。
【００３１】上記のようにして製造された透明導電膜基
板は電気抵抗が低い上に入射する可視光の干渉効果に基
づいて反射強度が低減して可視光域での高い透過率が得
られる。
板は電気抵抗が低い上に入射する可視光の干渉効果に基
づいて反射強度が低減して可視光域での高い透過率が得
られる。
【００３２】図２は、本発明の第２の実施の形態に係る
透明導電膜基板の模式構造を示す断面図である。
透明導電膜基板の模式構造を示す断面図である。
【００３３】図２において、透明導電膜基板２は、ガラ
ス基板１０の主表面の一方にＴｉＯ 2膜（第１の誘電体
膜）１３、ＳｉＯ2膜（第２の誘電体膜）１５、ＴｉＯ2
膜（第３の誘電体膜）１４、ＩＴＯ膜がこの順に積層し
て成膜された積層膜を備えている。この積層膜はスパッ
タリング法、イオンプレーティング法、電子線蒸着法等
によって形成することができる。スパッタリングによっ
て積層膜を成膜する場合は、本発明の第１の実施の形態
にかかる透明導電膜基板の作製に使用したスパッタリン
グ装置１００（図７）を使用できる。
ス基板１０の主表面の一方にＴｉＯ 2膜（第１の誘電体
膜）１３、ＳｉＯ2膜（第２の誘電体膜）１５、ＴｉＯ2
膜（第３の誘電体膜）１４、ＩＴＯ膜がこの順に積層し
て成膜された積層膜を備えている。この積層膜はスパッ
タリング法、イオンプレーティング法、電子線蒸着法等
によって形成することができる。スパッタリングによっ
て積層膜を成膜する場合は、本発明の第１の実施の形態
にかかる透明導電膜基板の作製に使用したスパッタリン
グ装置１００（図７）を使用できる。
【００３４】スパッタリング装置１００を使用して成膜
をする場合、カソード１０５のターゲット１０７をチタ
ン系金属にし、カソード１０６のターゲット１０８を石
英ガラスにする。スパッタリング処理によるＴｉＯ2成
膜条件として、例えば、基板温度は２００℃、放電ガス
はＡｒ＋Ｏ2（Ｏ2添加量：６０％）、チャンバ内圧力は
０．３９９Ｐａ（３．０ｍＴｏｒｒ）である。また、Ｓ
ｉＯ2成膜条件として、例えば、基板温度は２００℃、
放電ガスはＡｒ、チャンバ内圧力は０．５３２Ｐａ
（４．０ｍＴｏｒｒ）である。
をする場合、カソード１０５のターゲット１０７をチタ
ン系金属にし、カソード１０６のターゲット１０８を石
英ガラスにする。スパッタリング処理によるＴｉＯ2成
膜条件として、例えば、基板温度は２００℃、放電ガス
はＡｒ＋Ｏ2（Ｏ2添加量：６０％）、チャンバ内圧力は
０．３９９Ｐａ（３．０ｍＴｏｒｒ）である。また、Ｓ
ｉＯ2成膜条件として、例えば、基板温度は２００℃、
放電ガスはＡｒ、チャンバ内圧力は０．５３２Ｐａ
（４．０ｍＴｏｒｒ）である。
【００３５】カソード１０５に電力を印加しながら基板
ホルダ１０２を回転させると、ガラス基板１０がカソー
ド１０５のターゲット１０７の前方を通過する際にＴｉ
Ｏ2膜１３が成膜され、カソード１０６のターゲット１
０８の前方を通過する際にＳｉＯ2膜１５が成膜され
る。ＴｉＯ2膜１４もターゲット１０７の前方を通過す
る際に成膜される。このようにしてＴｉＯ2膜１４が成
膜された後に、上述のようにＩＴＯ膜１２を成膜する。
ホルダ１０２を回転させると、ガラス基板１０がカソー
ド１０５のターゲット１０７の前方を通過する際にＴｉ
Ｏ2膜１３が成膜され、カソード１０６のターゲット１
０８の前方を通過する際にＳｉＯ2膜１５が成膜され
る。ＴｉＯ2膜１４もターゲット１０７の前方を通過す
る際に成膜される。このようにしてＴｉＯ2膜１４が成
膜された後に、上述のようにＩＴＯ膜１２を成膜する。
【００３６】上記のようにして製造された透明導電膜基
板は本発明の第１の実施の形態にかかる透明導電膜基板
に比してより低い電気抵抗が得られるとともに、可視光
域でのより高い透過率が得られる。ＴｉＯ2膜１３及び
ＴｉＯ2膜１４の屈折率は、波長が５５０ｎｍの光に対
して２．４である。
板は本発明の第１の実施の形態にかかる透明導電膜基板
に比してより低い電気抵抗が得られるとともに、可視光
域でのより高い透過率が得られる。ＴｉＯ2膜１３及び
ＴｉＯ2膜１４の屈折率は、波長が５５０ｎｍの光に対
して２．４である。
【００３７】なお、ＴｉＯ2膜に代えてＴａ2Ｏ5膜（屈
折率２．２）又はＮｂ2Ｏ5膜（屈折率２．２）を用いて
も良いし、ＳｉＯ2膜に代えてＭｇＦ2膜（屈折率１．３
８）を用いてもよい。この際、ＴｉＯ2膜、Ｔａ2Ｏ5膜
及びＮｂ2Ｏ5膜から選択されたものとＳｉＯ2膜及びＭ
ｇＦ2膜から選択されたものとの組合せは、全ての組合
せが可能である。
折率２．２）又はＮｂ2Ｏ5膜（屈折率２．２）を用いて
も良いし、ＳｉＯ2膜に代えてＭｇＦ2膜（屈折率１．３
８）を用いてもよい。この際、ＴｉＯ2膜、Ｔａ2Ｏ5膜
及びＮｂ2Ｏ5膜から選択されたものとＳｉＯ2膜及びＭ
ｇＦ2膜から選択されたものとの組合せは、全ての組合
せが可能である。
【００３８】また、第１の誘電体膜にＴａ2Ｏ5膜又はＮ
ｂ2Ｏ5膜を用いる場合は、その膜厚が８．５〜１１ｎｍ
であることが好ましく、第２の誘電体膜にＭｇＦ2膜を
用いる場合は、その膜厚が３６〜４５ｎｍであることが
好ましく、第３の誘電体膜にＴａ2Ｏ5膜又はＮｂ2Ｏ5膜
を用いる場合は、その膜厚が６．５〜９ｎｍであること
が好ましい。
ｂ2Ｏ5膜を用いる場合は、その膜厚が８．５〜１１ｎｍ
であることが好ましく、第２の誘電体膜にＭｇＦ2膜を
用いる場合は、その膜厚が３６〜４５ｎｍであることが
好ましく、第３の誘電体膜にＴａ2Ｏ5膜又はＮｂ2Ｏ5膜
を用いる場合は、その膜厚が６．５〜９ｎｍであること
が好ましい。
【００３９】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る
液晶デバイスの模式構造を示す断面図である。
液晶デバイスの模式構造を示す断面図である。
【００４０】図３に示す液晶デバイス３は、図１の透明
導電膜基板１を使用して製造したものである。
導電膜基板１を使用して製造したものである。
【００４１】液晶デバイス３は透明導電膜基板１のＩＴ
Ｏ膜１２の上に更に配向膜１６を成膜したもの２枚を、
配向膜１６，１６同士を対向させてこの対向する配向膜
１６，１６の間に液晶層２０を設けたものである。配向
膜１６の屈折率は、波長が５５０ｎｍの光に対して１．
５〜１．７である。
Ｏ膜１２の上に更に配向膜１６を成膜したもの２枚を、
配向膜１６，１６同士を対向させてこの対向する配向膜
１６，１６の間に液晶層２０を設けたものである。配向
膜１６の屈折率は、波長が５５０ｎｍの光に対して１．
５〜１．７である。
【００４２】この液晶デバイス３は、液晶層２０が透明
導電膜基板１に挟まれているので、透明導電膜基板１の
特性である低い電気抵抗と可視光域での高い透過率とを
備えた液晶デバイスとなる。
導電膜基板１に挟まれているので、透明導電膜基板１の
特性である低い電気抵抗と可視光域での高い透過率とを
備えた液晶デバイスとなる。
【００４３】図４は、本発明の第２の実施の形態に係る
液晶デバイスの模式構造を示す断面図である。
液晶デバイスの模式構造を示す断面図である。
【００４４】図４に示す液晶デバイス４は、図２の透明
導電膜基板２を使用して製造したものである。
導電膜基板２を使用して製造したものである。
【００４５】液晶デバイス４は透明導電膜基板２のＩＴ
Ｏ膜１２の上に更に配向膜１６を成膜したもの２枚を、
配向膜１６，１６同士を対向させてこの対向する配向膜
１６，１６の間に液晶層２０を設けたものである。
Ｏ膜１２の上に更に配向膜１６を成膜したもの２枚を、
配向膜１６，１６同士を対向させてこの対向する配向膜
１６，１６の間に液晶層２０を設けたものである。
【００４６】この液晶デバイス４は、液晶層２０が透明
導電膜基板２に挟まれているので、透明導電膜基板２の
特性である確実に低下した電気抵抗と可視光域での確実
に高められた透過率とを備えた液晶デバイスとなる。
導電膜基板２に挟まれているので、透明導電膜基板２の
特性である確実に低下した電気抵抗と可視光域での確実
に高められた透過率とを備えた液晶デバイスとなる。
【００４７】図５は本発明の第３の実施の形態に係る液
晶デバイスの模式構造を示す断面図である。
晶デバイスの模式構造を示す断面図である。
【００４８】図５に示す液晶デバイス５は、図３の液晶
デバイス３を構成する２枚の透明導電膜基板のうち一方
の透明導電膜基板のガラス基板１０の主表面とＡｌ2Ｏ3
膜１１との間にカラーフィルター３０（ＣＦ）を設けた
所謂カラー液晶デバイスである。
デバイス３を構成する２枚の透明導電膜基板のうち一方
の透明導電膜基板のガラス基板１０の主表面とＡｌ2Ｏ3
膜１１との間にカラーフィルター３０（ＣＦ）を設けた
所謂カラー液晶デバイスである。
【００４９】このカラー液晶デバイス５の構成はカラー
フィルター３０を有する他は図３の液晶デバイス３の構
成と同じである。従って、このカラー液晶デバイス５の
特性は、低い電気抵抗と可視光域での高い透過率とを有
することである。
フィルター３０を有する他は図３の液晶デバイス３の構
成と同じである。従って、このカラー液晶デバイス５の
特性は、低い電気抵抗と可視光域での高い透過率とを有
することである。
【００５０】図６は本発明の第４の実施の形態に係る液
晶デバイスの模式構造を示す断面図である。
晶デバイスの模式構造を示す断面図である。
【００５１】図６に示す液晶デバイス６は、図４の液晶
デバイス４を構成する２枚の透明導電膜基板のうち一方
の透明導電膜基板のガラス基板１０の主表面とＴｉＯ2
膜１３との間にカラーフィルター３０（ＣＦ）を設けた
所謂カラー液晶デバイスである。
デバイス４を構成する２枚の透明導電膜基板のうち一方
の透明導電膜基板のガラス基板１０の主表面とＴｉＯ2
膜１３との間にカラーフィルター３０（ＣＦ）を設けた
所謂カラー液晶デバイスである。
【００５２】このカラー液晶デバイス６の構成はカラー
フィルター３０を有する他は図４の液晶デバイス４の構
成と同じである。従って、このカラー液晶デバイス６の
特性は、確実に低下した電気抵抗及び可視光域での確実
に高められた透過率である。
フィルター３０を有する他は図４の液晶デバイス４の構
成と同じである。従って、このカラー液晶デバイス６の
特性は、確実に低下した電気抵抗及び可視光域での確実
に高められた透過率である。
【００５３】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。
【００５４】まず、ソーダライムガラス材料（主とし
て、ＳｉＯ2７１．５質量％、ＣａＯ９．０質量％、Ａ
ｌ2Ｏ3１．５質量％、ＭｇＯ４．０質量％、Ｒ2Ｏ１
４．０質量％）を用いて作製されたガラス製の透明基板
１０（屈折率１．５２）上に上記スパッタリング装置１
００を用いて上記成膜条件の下で各膜の成膜を行った。
て、ＳｉＯ2７１．５質量％、ＣａＯ９．０質量％、Ａ
ｌ2Ｏ3１．５質量％、ＭｇＯ４．０質量％、Ｒ2Ｏ１
４．０質量％）を用いて作製されたガラス製の透明基板
１０（屈折率１．５２）上に上記スパッタリング装置１
００を用いて上記成膜条件の下で各膜の成膜を行った。
【００５５】成膜条件は、酸化アルミニウム（Ａｌ
2Ｏ3）膜：全圧０．４６５５Ｐａ（３．５ｍＴｏｒ
ｒ）、アルゴン４０％、酸素６０％とする放電ガス、基
板温度２００℃、ターゲットＡｌ、ＩＴＯ膜：全圧０．
５３２Ｐａ（４．０ｍＴｏｒｒ）、アルゴン９８％、酸
素２％とする放電ガス、基板温度２００℃、ターゲット
ＩＴＯ、二酸化チタン膜（ＴｉＯ2）：全圧０．３９９
Ｐａ（３．０ｍＴｏｒｒ）、アルゴン４０％、酸素６０
％とする放電ガス、基板温度２００℃、ターゲットＴ
ｉ、二酸化珪素膜（ＳｉＯ2）：全圧０．５３２Ｐａ
（４．０ｍＴｏｒｒ）、アルゴンの放電ガス、基板温度
２００℃、ターゲットＳｉＯ2である。ガラス基板１０
上に上記誘電体膜を成膜し、その上に膜厚１００ｎｍの
ＩＴＯ膜を成膜して透明導電膜基板を作製した。この他
に、更にＩＴＯ膜の上に屈折率（波長が５５０ｎｍの光
に対して１．５〜１．７）の配向膜を成膜し、一対の透
明導電膜基板の配向膜間に屈折率（波長が５５０ｎｍの
光に対して１．５）の液晶層を挟みこんで液晶デバイス
を作製した。
2Ｏ3）膜：全圧０．４６５５Ｐａ（３．５ｍＴｏｒ
ｒ）、アルゴン４０％、酸素６０％とする放電ガス、基
板温度２００℃、ターゲットＡｌ、ＩＴＯ膜：全圧０．
５３２Ｐａ（４．０ｍＴｏｒｒ）、アルゴン９８％、酸
素２％とする放電ガス、基板温度２００℃、ターゲット
ＩＴＯ、二酸化チタン膜（ＴｉＯ2）：全圧０．３９９
Ｐａ（３．０ｍＴｏｒｒ）、アルゴン４０％、酸素６０
％とする放電ガス、基板温度２００℃、ターゲットＴ
ｉ、二酸化珪素膜（ＳｉＯ2）：全圧０．５３２Ｐａ
（４．０ｍＴｏｒｒ）、アルゴンの放電ガス、基板温度
２００℃、ターゲットＳｉＯ2である。ガラス基板１０
上に上記誘電体膜を成膜し、その上に膜厚１００ｎｍの
ＩＴＯ膜を成膜して透明導電膜基板を作製した。この他
に、更にＩＴＯ膜の上に屈折率（波長が５５０ｎｍの光
に対して１．５〜１．７）の配向膜を成膜し、一対の透
明導電膜基板の配向膜間に屈折率（波長が５５０ｎｍの
光に対して１．５）の液晶層を挟みこんで液晶デバイス
を作製した。
【００５６】これら透明導電膜基板及び液晶デバイスの
透過率を表１に示す。表中の透過率は、波長が４８０ｎ
ｍ〜７００ｎｍの範囲の光に対して最小の値を示したと
きのものである。
透過率を表１に示す。表中の透過率は、波長が４８０ｎ
ｍ〜７００ｎｍの範囲の光に対して最小の値を示したと
きのものである。
【００５７】
【表１】
【００５８】表中の構成１は図１に示した構成の透明導
電膜基板であり、構成２は図２に示した構成の透明導電
膜基板であり、構成３は図３に示した構成の液晶デバイ
スであり、構成４は図４に示した構成の液晶デバイスで
ある。
電膜基板であり、構成２は図２に示した構成の透明導電
膜基板であり、構成３は図３に示した構成の液晶デバイ
スであり、構成４は図４に示した構成の液晶デバイスで
ある。
【００５９】実施例１に対して比較例１〜６はＡｌ2Ｏ3
膜の膜厚及びＩＴＯ膜の膜厚が実施例１の膜厚の範囲以
外のものである。実施例１では透明導電膜基板（構成
１）の透過率が８２％であり、液晶デバイス（構成３）
の透過率が８１％と何れの場合も８０％を超えているの
に対して、比較例１〜６では透明導電膜基板（構成１）
及び液晶デバイス（構成３）の何れも全て７０％台であ
った。
膜の膜厚及びＩＴＯ膜の膜厚が実施例１の膜厚の範囲以
外のものである。実施例１では透明導電膜基板（構成
１）の透過率が８２％であり、液晶デバイス（構成３）
の透過率が８１％と何れの場合も８０％を超えているの
に対して、比較例１〜６では透明導電膜基板（構成１）
及び液晶デバイス（構成３）の何れも全て７０％台であ
った。
【００６０】また、実施例２に対して比較例７〜１０は
ＩＴＯ膜の膜厚、第１のＴｉＯ2膜の膜厚、ＳｉＯ2膜の
膜厚、及び第２のＴｉＯ2膜の膜厚が実施例２の膜厚の
範囲以外のものである。実施例２では透明導電膜基板
（構成２）の透過率が８２％であり、液晶デバイス（構
成４）の透過率が８２％と何れの場合も８０％を超えて
いるのに対して、比較例７〜１０では透明導電膜基板
（構成２）及び液晶デバイス（構成４）の何れも全て７
０％台であった。
ＩＴＯ膜の膜厚、第１のＴｉＯ2膜の膜厚、ＳｉＯ2膜の
膜厚、及び第２のＴｉＯ2膜の膜厚が実施例２の膜厚の
範囲以外のものである。実施例２では透明導電膜基板
（構成２）の透過率が８２％であり、液晶デバイス（構
成４）の透過率が８２％と何れの場合も８０％を超えて
いるのに対して、比較例７〜１０では透明導電膜基板
（構成２）及び液晶デバイス（構成４）の何れも全て７
０％台であった。
【００６１】以上の結果から、本発明の透明導電膜及び
該基板を有する液晶デバイスは優れ透過率を有すること
が確認できた。
該基板を有する液晶デバイスは優れ透過率を有すること
が確認できた。
【００６２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項１記
載の透明導電膜基板によれば、ガラス基板の主表面上に
Ａｌ2Ｏ3膜、ＩＴＯ膜の順に積層して成膜された積層膜
を備えるので、電気抵抗が低い上に透明導電膜基板に入
射する可視光の干渉効果に基づいて反射強度が低減して
可視光域での高い透過率が得られる。
載の透明導電膜基板によれば、ガラス基板の主表面上に
Ａｌ2Ｏ3膜、ＩＴＯ膜の順に積層して成膜された積層膜
を備えるので、電気抵抗が低い上に透明導電膜基板に入
射する可視光の干渉効果に基づいて反射強度が低減して
可視光域での高い透過率が得られる。
【００６３】請求項２記載の透明導電膜基板によれば、
前記Ａｌ2Ｏ3膜の膜厚が６８〜８３ｎｍであり、前記Ｉ
ＴＯ膜の膜厚が９０〜１１０ｎｍであるので、電気抵抗
を確実に低くできるとともに、可視光域での高い透過率
を確実に得られる。
前記Ａｌ2Ｏ3膜の膜厚が６８〜８３ｎｍであり、前記Ｉ
ＴＯ膜の膜厚が９０〜１１０ｎｍであるので、電気抵抗
を確実に低くできるとともに、可視光域での高い透過率
を確実に得られる。
【００６４】請求項３記載の透明導電膜基板によれば、
ガラス基板の主表面上に第１の誘電体膜、第２の誘電体
膜、第３の誘電体膜、ＩＴＯ膜の順に積層して成膜され
た積層膜を備えるので、より低い電気抵抗が得られると
ともに、可視光域でのより高い透過率が得られる。
ガラス基板の主表面上に第１の誘電体膜、第２の誘電体
膜、第３の誘電体膜、ＩＴＯ膜の順に積層して成膜され
た積層膜を備えるので、より低い電気抵抗が得られると
ともに、可視光域でのより高い透過率が得られる。
【００６５】請求項７記載の透明導電膜基板によれば、
第１のＴｉＯ2膜の膜厚が８〜１０ｎｍであり、ＳｉＯ2
膜の膜厚が３４〜４２ｎｍであり、第２のＴｉＯ2膜の
膜厚が６〜８ｎｍであり、ＩＴＯ膜の膜厚が９０〜１１
０ｎｍであるので、電気抵抗をなお一層に低くできると
ともに、可視光域でのなお一層に高い透過率を得られ
る。
第１のＴｉＯ2膜の膜厚が８〜１０ｎｍであり、ＳｉＯ2
膜の膜厚が３４〜４２ｎｍであり、第２のＴｉＯ2膜の
膜厚が６〜８ｎｍであり、ＩＴＯ膜の膜厚が９０〜１１
０ｎｍであるので、電気抵抗をなお一層に低くできると
ともに、可視光域でのなお一層に高い透過率を得られ
る。
【００６６】請求項８記載の透明導電膜基板によれば、
第１の誘電体膜はＴａ2Ｏ5及びＮｂ 2Ｏ5の何れか１つに
より成膜された、８．５〜１１ｎｍの膜厚を有する膜で
あり、第２の誘電体膜は３６〜４５ｎｍの膜厚を有する
ＭｇＦ2膜であり、第３の誘電体膜はＴａ2Ｏ5及びＮｂ2
Ｏ5の何れか１つにより成膜された、８．５〜１１ｎｍ
の膜厚を有する膜であるので、電気抵抗をさらに低くで
きるとともに、可視光域でのさらに高い透過率を得られ
る。
第１の誘電体膜はＴａ2Ｏ5及びＮｂ 2Ｏ5の何れか１つに
より成膜された、８．５〜１１ｎｍの膜厚を有する膜で
あり、第２の誘電体膜は３６〜４５ｎｍの膜厚を有する
ＭｇＦ2膜であり、第３の誘電体膜はＴａ2Ｏ5及びＮｂ2
Ｏ5の何れか１つにより成膜された、８．５〜１１ｎｍ
の膜厚を有する膜であるので、電気抵抗をさらに低くで
きるとともに、可視光域でのさらに高い透過率を得られ
る。
【００６７】請求項９記載の液晶デバイスによれば、Ｉ
ＴＯ膜の上に配向膜が成膜された２枚の請求項１又は２
記載の透明導電膜基板の配向膜同士が対向し、該対向す
る配向膜同士の間に液晶層を備えるので、低い電気抵抗
と可視光域での高い透過率を有する液晶デバイスとな
る。
ＴＯ膜の上に配向膜が成膜された２枚の請求項１又は２
記載の透明導電膜基板の配向膜同士が対向し、該対向す
る配向膜同士の間に液晶層を備えるので、低い電気抵抗
と可視光域での高い透過率を有する液晶デバイスとな
る。
【００６８】請求項１０記載の液晶デバイスによれば、
ＩＴＯ膜の上に配向膜が成膜された２枚の請求項３乃至
８の何れか１項に記載の透明導電膜基板の配向膜同士が
対向し、該対向する配向膜同士の間に液晶層を備えるの
で、電気抵抗がより低く、可視光域での誘電率がより高
い液晶デバイスとなる。
ＩＴＯ膜の上に配向膜が成膜された２枚の請求項３乃至
８の何れか１項に記載の透明導電膜基板の配向膜同士が
対向し、該対向する配向膜同士の間に液晶層を備えるの
で、電気抵抗がより低く、可視光域での誘電率がより高
い液晶デバイスとなる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る透明導電膜基
板の模式構造を示す断面図である。
板の模式構造を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る透明導電膜基
板の模式構造を示す断面図である。
板の模式構造を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る液晶デバイス
の模式構造を示す断面図である。
の模式構造を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る液晶デバイス
の模式構造を示す断面図である。
の模式構造を示す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る液晶デバイス
の模式構造を示す断面図である。
の模式構造を示す断面図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態に係る液晶デバイス
の模式構造を示す断面図である。
の模式構造を示す断面図である。
【図７】スパッタリング装置の構成を概略的に示す概略
構成図である。
構成図である。
１，２ 透明導電膜基板
３，４ 液晶デバイス
５，６ カラー液晶デバイス
１０ ガラス基板
１１ Ａｌ2Ｏ3膜
１２ ＩＴＯ膜
１３ ＴｉＯ2膜（第１の誘電体膜）
１４ ＴｉＯ2膜（第３の誘電体膜）
１５ ＳｉＯ2膜（第２の誘電体膜）
１６ 配向膜
２０ 液晶層
３０ カラーフィルター
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年１２月７日（２００１．１２．
７）
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５０５ Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５０５
1/1343 1/1343
(72)発明者 本吉 将隆
大阪府大阪市中央区北浜四丁目７番28号
日本板硝子株式会社内
Ｆターム(参考） 2H090 HA02 HB02X HC01 HD06
JA05 JB02 JD01 LA01 LA15
2H091 FA02Y GA01 GA02 LA15
LA16
2H092 GA17 GA27 HA04 MA04 MA05
MA06 NA25 PA01 PA08
4G059 AA08 AC12 EA01 EA03 EA04
EA09 GA01 GA02 GA04 GA12
4K029 AA09 AA24 BA01 BA03 BA10
BA15 BA16 BA17 BA35 BA43
BA44 BA45 BA46 BA47 BA48
BA50 BB02 BC09 CA01 CA03
CA05 DC02 EA01
Claims (12)
- 【請求項１】 ガラス基板の主表面上にＡｌ2Ｏ3膜、Ｉ
ＴＯ膜の順に積層して成膜された積層膜を備えることを
特徴とする透明導電膜基板。 - 【請求項２】 前記Ａｌ2Ｏ3膜の膜厚が６８〜８３ｎｍ
であり、前記ＩＴＯ膜の膜厚が９０〜１１０ｎｍである
ことを特徴とする請求項１記載の透明導電膜基板。 - 【請求項３】 ガラス基板の主表面上に第１の誘電体
膜、第２の誘電体膜、第３の透明導電膜、ＩＴＯ膜の順
に積層して成膜された積層膜を備えることを特徴とする
透明導電膜基板。 - 【請求項４】 前記第１の誘電体膜は、ＴｉＯ2、Ｔａ2
Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の何れか１つにより成膜されたもので
あることを特徴とする請求項３記載の透明導電膜基板。 - 【請求項５】 前記第２の誘電体膜は、ＳｉＯ2及びＭ
ｇＦ2の何れか１つにより成膜されたものであることを
特徴とする請求項３又は４記載の透明導電膜基板。 - 【請求項６】 前記第３の誘電体膜は、ＴｉＯ2、Ｔａ2
Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の何れか１つにより成膜されたもので
あることを特徴とする請求項３乃至５の何れか１項に記
載の透明導電膜基板。 - 【請求項７】 前記第１の誘電体膜は８〜１０ｎｍの膜
厚を有するＴｉＯ2膜であり、前記第２の誘電体膜は３
４〜４２ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ2膜であり、前記第
３の誘電体膜は６〜８ｎｍの膜厚を有するＴｉＯ2膜で
あり、前記ＩＴＯ膜は９０〜１１０ｎｍの膜厚を有する
ものであることを特徴とする請求項６記載の透明導電膜
基板。 - 【請求項８】 前記第１の誘電体膜はＴａ2Ｏ5及びＮｂ
2Ｏ5の何れか１つにより成膜された、８．５〜１１ｎｍ
の膜厚を有する膜であり、前記第２の誘電体膜は３６〜
４５ｎｍの膜厚を有するＭｇＦ2膜であり、前記第３の
誘電体膜はＴａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の何れか１つにより成
膜された、８．５〜１１ｎｍの膜厚を有する膜であるこ
とを特徴とする請求項６記載の透明導電膜基板。 - 【請求項９】 前記ＩＴＯ膜の上に配向膜が成膜された
２枚の請求項１又は２記載の透明導電膜基板の前記配向
膜同士が対向し、該対向する配向膜同士の間に液晶層を
備えることを特徴とする液晶デバイス。 - 【請求項１０】 前記ＩＴＯ膜の上に配向膜が成膜され
た２枚の請求項３乃至８の何れか１項に記載の透明導電
膜基板の前記配向膜同士が対向し、該対向する配向膜同
士の間に液晶層を備えることを特徴とする液晶デバイ
ス。 - 【請求項１１】 前記ガラス基板の主表面と前記積層膜
との間にカラーフィルターを備えることを特徴とする請
求項１乃至８の何れか１項に記載の透明導電膜基板。 - 【請求項１２】 前記２枚の透明導電膜基板のうち一方
の透明導電膜基板の前記ガラス基板の主表面と前記積層
膜との間にカラーフィルターを備えることを特徴とする
請求項９又は１０記載の液晶デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001357727A JP2003160362A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 透明導電膜基板及び該基板を有する液晶デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001357727A JP2003160362A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 透明導電膜基板及び該基板を有する液晶デバイス |
Publications (1)
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|---|---|
| JP2003160362A true JP2003160362A (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=19169027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001357727A Pending JP2003160362A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 透明導電膜基板及び該基板を有する液晶デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2003160362A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130306951A1 (en) * | 2011-03-22 | 2013-11-21 | Ocean's King Lighting Science & Technology Co Ltd. | Organic electroluminescent device and conductive substrate thereof |
| JP2014078198A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| CN110408887A (zh) * | 2018-04-26 | 2019-11-05 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 晶圆级硅基铝表面的ito透明导电层的制备方法 |
-
2001
- 2001-11-22 JP JP2001357727A patent/JP2003160362A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130306951A1 (en) * | 2011-03-22 | 2013-11-21 | Ocean's King Lighting Science & Technology Co Ltd. | Organic electroluminescent device and conductive substrate thereof |
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| US9459380B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-10-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Display |
| US9910199B2 (en) | 2012-10-12 | 2018-03-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Display |
| CN110408887A (zh) * | 2018-04-26 | 2019-11-05 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 晶圆级硅基铝表面的ito透明导电层的制备方法 |
| CN110408887B (zh) * | 2018-04-26 | 2021-11-30 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 晶圆级硅基铝表面的ito透明导电层的制备方法 |
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