JP2003158099A - エッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents
エッチング方法及びエッチング装置Info
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理物にチャージアップやエッチング形状
異常を与えることなく、微細パターンに対して高精度の
加工とマスクや下地層に対する高選択比の加工とを両立
することができるエッチング方法及びエッチング装置を
提供する。 【解決手段】 所定のガスから、コリメートされた１０
ｅＶ以上５０ｅＶ以下の中性粒子ビームを生成し、該中
性粒子ビームを被処理層６０に照射して、被処理層６０
の表面をエッチングする第１の工程と、被処理層６０の
側壁を中性粒子ビームによる侵食から保護する保護膜８
０を被処理層６０の側壁に形成する第２の工程とを有す
る。
異常を与えることなく、微細パターンに対して高精度の
加工とマスクや下地層に対する高選択比の加工とを両立
することができるエッチング方法及びエッチング装置を
提供する。 【解決手段】 所定のガスから、コリメートされた１０
ｅＶ以上５０ｅＶ以下の中性粒子ビームを生成し、該中
性粒子ビームを被処理層６０に照射して、被処理層６０
の表面をエッチングする第１の工程と、被処理層６０の
側壁を中性粒子ビームによる侵食から保護する保護膜８
０を被処理層６０の側壁に形成する第２の工程とを有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
等の微細加工に好適なエッチング方法及びエッチング装
置に係り、特にプラズマ中に生成した正イオン又は負イ
オンを中性化した中性粒子ビームを用いて被処理物を加
工するエッチング方法及びエッチング装置に関するもの
である。
等の微細加工に好適なエッチング方法及びエッチング装
置に係り、特にプラズマ中に生成した正イオン又は負イ
オンを中性化した中性粒子ビームを用いて被処理物を加
工するエッチング方法及びエッチング装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路やマイクロマシー
ンなどの分野において、その加工パターンが著しく微細
化され、高精度・高選択比の加工が要求される。また、
高アスペクト比の加工が要求される。かかる分野の加工
においては、プラズマを用いたエッチング装置が広く採
用されている。
ンなどの分野において、その加工パターンが著しく微細
化され、高精度・高選択比の加工が要求される。また、
高アスペクト比の加工が要求される。かかる分野の加工
においては、プラズマを用いたエッチング装置が広く採
用されている。
【０００３】このようなプラズマを用いたエッチング装
置としては、正イオン、ラジカル粒子等を生成するＲＩ
Ｅ装置（リアクティブイオンエッチング装置）が知られ
ている。このような正イオン、ラジカル粒子等を被処理
物に照射することで、被処理物をエッチングすることが
できる。
置としては、正イオン、ラジカル粒子等を生成するＲＩ
Ｅ装置（リアクティブイオンエッチング装置）が知られ
ている。このような正イオン、ラジカル粒子等を被処理
物に照射することで、被処理物をエッチングすることが
できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＲＩＥ装置を用いたエ
ッチング加工における最大の問題は、高精度と高選択比
を両立できないこととチャージアップによるエッチング
形状異常である。ここで、選択比とは、エッチングにお
いて、マスクや下地材料に対する被加工物のエッチング
深さの比率をいう。即ち、被加工物がｘ（μｍ）削られ
るとき、被加工物を保護しているマスクがｙ（μｍ）削
られる場合には、選択比ｓは、 ｓ＝ｘ／ｙ で表される。この選択比が大きい程、マスクの損傷が少
ないので、高アスペクト比のエッチングが可能となる。
しかし、一般に選択比を高めるために、マスクや下地材
料の表面には堆積するが、被加工物はエッチングするよ
うなガスの組合せが選択され、また、ラジカルが被加工
物の側壁にも堆積して側壁保護膜も形成される。過剰に
側壁保護膜が形成されると加工断面形状がテーパ状にな
り、寸法精度が劣化してしまう。ガスとしてＣｌ２にＯ
２を添加したときのＳｉ／ＳｉＯ２の選択比は、せいぜ
い１００程度となっており、他の材料に比べると高い組
合せであるが、０．１μｍ以下のデバイスでは３００以
上の高選択比と高精度化が要望されている。特に、下地
ゲート酸化膜に対する高選択比と素子分離段差部での無
残渣を同時に達成することが今後の課題とされている。
ッチング加工における最大の問題は、高精度と高選択比
を両立できないこととチャージアップによるエッチング
形状異常である。ここで、選択比とは、エッチングにお
いて、マスクや下地材料に対する被加工物のエッチング
深さの比率をいう。即ち、被加工物がｘ（μｍ）削られ
るとき、被加工物を保護しているマスクがｙ（μｍ）削
られる場合には、選択比ｓは、 ｓ＝ｘ／ｙ で表される。この選択比が大きい程、マスクの損傷が少
ないので、高アスペクト比のエッチングが可能となる。
しかし、一般に選択比を高めるために、マスクや下地材
料の表面には堆積するが、被加工物はエッチングするよ
うなガスの組合せが選択され、また、ラジカルが被加工
物の側壁にも堆積して側壁保護膜も形成される。過剰に
側壁保護膜が形成されると加工断面形状がテーパ状にな
り、寸法精度が劣化してしまう。ガスとしてＣｌ２にＯ
２を添加したときのＳｉ／ＳｉＯ２の選択比は、せいぜ
い１００程度となっており、他の材料に比べると高い組
合せであるが、０．１μｍ以下のデバイスでは３００以
上の高選択比と高精度化が要望されている。特に、下地
ゲート酸化膜に対する高選択比と素子分離段差部での無
残渣を同時に達成することが今後の課題とされている。
【０００５】また、エッチング形状異常は、電子と正イ
オンの挙動の違いにより生じる。つまり、ノッチング
は、微細なラインとスペースパターンのストライプの外
面に面したラインの内側に発生する。低エネルギーのイ
オンでエッチングする際、微細パターン内部では、電子
は基板の負のセルフバイアス電位で減速され、レジスト
付近に捕捉されるが、イオンは加速されて下地の酸化膜
まで達し、正にチャージアップする。一方、外周囲は電
子もイオンも等量が入ってくるので中和されている。こ
のため、微細パターンの内部と外部との間に電位差が発
生し、イオンの軌道が曲がるためにノッチングが生じ
る。
オンの挙動の違いにより生じる。つまり、ノッチング
は、微細なラインとスペースパターンのストライプの外
面に面したラインの内側に発生する。低エネルギーのイ
オンでエッチングする際、微細パターン内部では、電子
は基板の負のセルフバイアス電位で減速され、レジスト
付近に捕捉されるが、イオンは加速されて下地の酸化膜
まで達し、正にチャージアップする。一方、外周囲は電
子もイオンも等量が入ってくるので中和されている。こ
のため、微細パターンの内部と外部との間に電位差が発
生し、イオンの軌道が曲がるためにノッチングが生じ
る。
【０００６】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、被処理物にチャージアップやエ
ッチング形状異常を与えることなく、微細パターンに対
して高精度の加工と、マスクや下地膜に対する高選択比
の加工とを両立することができるエッチング方法及びエ
ッチング装置を提供することを目的とする。
鑑みてなされたもので、被処理物にチャージアップやエ
ッチング形状異常を与えることなく、微細パターンに対
して高精度の加工と、マスクや下地膜に対する高選択比
の加工とを両立することができるエッチング方法及びエ
ッチング装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような従来技術にお
ける問題点を解決するために、本発明の一態様は、所定
のガスから、コリメートされた１０ｅＶ以上５０ｅＶ以
下の中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビームを被処
理物に照射して該被処理物の被処理層の表面をエッチン
グする第１の工程と、上記被処理層の側壁を上記中性粒
子ビームによる侵食から保護する保護膜を上記被処理層
の側壁に形成する第２の工程とを有することを特徴とす
るエッチング方法である。
ける問題点を解決するために、本発明の一態様は、所定
のガスから、コリメートされた１０ｅＶ以上５０ｅＶ以
下の中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビームを被処
理物に照射して該被処理物の被処理層の表面をエッチン
グする第１の工程と、上記被処理層の側壁を上記中性粒
子ビームによる侵食から保護する保護膜を上記被処理層
の側壁に形成する第２の工程とを有することを特徴とす
るエッチング方法である。
【０００８】本発明によれば、上記第１の工程におい
て、電荷を持たず１０ｅＶ以上５０ｅＶ以下の並進運動
エネルギーを持つ中性粒子ビームによって被処理層をエ
ッチングするので、被処理層表面から２次電子が放射さ
れず、チャージアップ電圧が低いエッチングが可能とな
る。また、このコリメートされた中性粒子ビームが被処
理層に照射されるため、被処理層の加工側壁に側壁保護
膜が形成されない場合であっても、高精度のエッチング
を実現することができる。具体的には、１０ｅＶ以上５
０ｅＶ以下の低エネルギーの中性粒子ビームでは被処理
層はほとんどスパッタされずエッチングは中性粒子ビー
ムと被処理層との間で熱的化学反応が起きて反応生成物
が自発的に昇華することで進む。中性粒子が方向性を持
たず熱運動していると加工形状は等方的になるが、コリ
メートされたビームであるため異方性エッチングが実現
できる。更に、１０ｅＶ以上５０ｅＶ以下の低エネルギ
ーの中性粒子ビームでは、レジストはほとんどスパッタ
されないため、高選択比の加工を実現することができ
る。ここで、ＲＩＥにおいて低エネルギーのイオンビー
ムを照射して被処理層の加工を行った場合には、微細パ
ターン内部でのイオンと電子のチャージアンバランスに
よる電界でイオンビームが曲げられて局所的なエッチン
グ形状の異常であるノッチングが生じることがあるが、
中性粒子ビームを用いるため、ノッチングの問題が生じ
ることなく、高アスペクト比の加工を行うことが可能と
なる。
て、電荷を持たず１０ｅＶ以上５０ｅＶ以下の並進運動
エネルギーを持つ中性粒子ビームによって被処理層をエ
ッチングするので、被処理層表面から２次電子が放射さ
れず、チャージアップ電圧が低いエッチングが可能とな
る。また、このコリメートされた中性粒子ビームが被処
理層に照射されるため、被処理層の加工側壁に側壁保護
膜が形成されない場合であっても、高精度のエッチング
を実現することができる。具体的には、１０ｅＶ以上５
０ｅＶ以下の低エネルギーの中性粒子ビームでは被処理
層はほとんどスパッタされずエッチングは中性粒子ビー
ムと被処理層との間で熱的化学反応が起きて反応生成物
が自発的に昇華することで進む。中性粒子が方向性を持
たず熱運動していると加工形状は等方的になるが、コリ
メートされたビームであるため異方性エッチングが実現
できる。更に、１０ｅＶ以上５０ｅＶ以下の低エネルギ
ーの中性粒子ビームでは、レジストはほとんどスパッタ
されないため、高選択比の加工を実現することができ
る。ここで、ＲＩＥにおいて低エネルギーのイオンビー
ムを照射して被処理層の加工を行った場合には、微細パ
ターン内部でのイオンと電子のチャージアンバランスに
よる電界でイオンビームが曲げられて局所的なエッチン
グ形状の異常であるノッチングが生じることがあるが、
中性粒子ビームを用いるため、ノッチングの問題が生じ
ることなく、高アスペクト比の加工を行うことが可能と
なる。
【０００９】また、上記第２の工程において、被処理層
の側壁を中性粒子ビームによる侵食から保護する保護膜
を被処理層の側壁に形成することができるので、側壁の
侵食を防止して更に精度の高いエッチングを実現するこ
とが可能となる。また、反応性の高いエッチングガスを
用いてエッチングをすることができるため、高速なエッ
チングを実現することができる。このように、本発明に
よれば、微細パターンに対して高精度の加工と高選択比
の加工とを両立することが可能となる。
の側壁を中性粒子ビームによる侵食から保護する保護膜
を被処理層の側壁に形成することができるので、側壁の
侵食を防止して更に精度の高いエッチングを実現するこ
とが可能となる。また、反応性の高いエッチングガスを
用いてエッチングをすることができるため、高速なエッ
チングを実現することができる。このように、本発明に
よれば、微細パターンに対して高精度の加工と高選択比
の加工とを両立することが可能となる。
【００１０】本発明の好ましい一態様は、上記被処理層
は遮蔽物で局所的に遮蔽されており、上記第２の工程
は、上記ガスから、コリメートされた５０ｅＶ以上２０
０ｅＶ以下の中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビー
ムによって上記遮蔽物をスパッタすることで上記被処理
層の側壁に保護膜を形成することを特徴としている。
は遮蔽物で局所的に遮蔽されており、上記第２の工程
は、上記ガスから、コリメートされた５０ｅＶ以上２０
０ｅＶ以下の中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビー
ムによって上記遮蔽物をスパッタすることで上記被処理
層の側壁に保護膜を形成することを特徴としている。
【００１１】本発明の他の好ましい一態様は、上記第２
の工程は、所定のガスから、コリメートされた中性粒子
ビームを生成し、該中性粒子ビームを被処理層に照射し
て該被処理層の側壁に保護膜を形成することを特徴とし
ている。
の工程は、所定のガスから、コリメートされた中性粒子
ビームを生成し、該中性粒子ビームを被処理層に照射し
て該被処理層の側壁に保護膜を形成することを特徴とし
ている。
【００１２】本発明の他の好ましい一態様は、上記被処
理層がシリコンであり、上記第１の工程において使用さ
れるガスがＳＦ６であり、上記第２の工程において使用
されるガスがフルオロカーボンであることを特徴として
いる。
理層がシリコンであり、上記第１の工程において使用さ
れるガスがＳＦ６であり、上記第２の工程において使用
されるガスがフルオロカーボンであることを特徴として
いる。
【００１３】本発明の他の好ましい一態様は、上記被処
理層がシリコンであり、上記被処理層の下地層がシリコ
ン酸化膜であり、上記被処理層のエッチングが完了する
直前に上記第２の工程を行い、その後再び上記第１の工
程によりエッチングを行うことを特徴としている。
理層がシリコンであり、上記被処理層の下地層がシリコ
ン酸化膜であり、上記被処理層のエッチングが完了する
直前に上記第２の工程を行い、その後再び上記第１の工
程によりエッチングを行うことを特徴としている。
【００１４】このように、本発明は、上記被処理層がシ
リコンであり、上記被処理層の下地層がシリコン酸化膜
である場合、即ちゲートエッチングを行う場合に好適で
あり、高選択比で無残渣、ダメージレスのゲートエッチ
ングを実現することができる。
リコンであり、上記被処理層の下地層がシリコン酸化膜
である場合、即ちゲートエッチングを行う場合に好適で
あり、高選択比で無残渣、ダメージレスのゲートエッチ
ングを実現することができる。
【００１５】本発明の他の好ましい一態様は、上記第２
の工程において形成された保護膜を除去する第３の工程
を有し、上記第１の工程と上記第３の工程と上記第２の
工程とを繰り返して行うことを特徴としている。
の工程において形成された保護膜を除去する第３の工程
を有し、上記第１の工程と上記第３の工程と上記第２の
工程とを繰り返して行うことを特徴としている。
【００１６】本発明の他の一態様は、被処理物を保持す
る保持部と、真空チャンバ内にプラズマを生成するプラ
ズマ生成部と、上記被処理物と上記プラズマ生成部との
間に配置されたオリフィス電極と、上記真空チャンバ内
に上記オリフィス電極に対して上流側に配置された電極
と、上記オリフィス電極と上記電極との間に電圧を印加
することで、上記プラズマ生成部により生成されたプラ
ズマからイオンを加速して上記オリフィス電極に形成さ
れたオリフィスを通過させる電圧印加部とを備え、イオ
ンを加速するエネルギーを５０ｅＶ以上２００ｅＶ以下
にして上記オリフィス及び／又は上記被処理物の上に局
所的に配置した遮蔽物をスパッタすることで、上記被処
理層の側壁を上記中性粒子ビームによる侵食から保護す
る保護膜を上記被処理層の側壁に形成することを特徴と
するエッチング装置である。
る保持部と、真空チャンバ内にプラズマを生成するプラ
ズマ生成部と、上記被処理物と上記プラズマ生成部との
間に配置されたオリフィス電極と、上記真空チャンバ内
に上記オリフィス電極に対して上流側に配置された電極
と、上記オリフィス電極と上記電極との間に電圧を印加
することで、上記プラズマ生成部により生成されたプラ
ズマからイオンを加速して上記オリフィス電極に形成さ
れたオリフィスを通過させる電圧印加部とを備え、イオ
ンを加速するエネルギーを５０ｅＶ以上２００ｅＶ以下
にして上記オリフィス及び／又は上記被処理物の上に局
所的に配置した遮蔽物をスパッタすることで、上記被処
理層の側壁を上記中性粒子ビームによる侵食から保護す
る保護膜を上記被処理層の側壁に形成することを特徴と
するエッチング装置である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るエッチング装
置の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
なお、図１乃至図５において、同一又は相当する構成要
素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
置の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
なお、図１乃至図５において、同一又は相当する構成要
素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００１８】図１は、本発明の第１の実施形態における
エッチング装置の全体構成を示す図である。図１に示す
ように、エッチング装置は、中性粒子ビームを生成する
ビーム生成室１と、半導体基板、ガラス、有機物、セラ
ミックなどの被処理物Ｘが配置される処理室２とを有す
る円筒状の真空チャンバ３を備えている。この真空チャ
ンバ３は、ビーム生成室１側が石英ガラス又はセラミッ
クなどにより構成され、処理室２側が金属製のメタルチ
ャンバなどにより構成されている。
エッチング装置の全体構成を示す図である。図１に示す
ように、エッチング装置は、中性粒子ビームを生成する
ビーム生成室１と、半導体基板、ガラス、有機物、セラ
ミックなどの被処理物Ｘが配置される処理室２とを有す
る円筒状の真空チャンバ３を備えている。この真空チャ
ンバ３は、ビーム生成室１側が石英ガラス又はセラミッ
クなどにより構成され、処理室２側が金属製のメタルチ
ャンバなどにより構成されている。
【００１９】ビーム生成室１の外周には誘導結合型のコ
イル１０が配置されている。このコイル１０は、例えば
水冷パイプのコイルであり、８ｍｍφ程度の外径を有す
るコイルが２ターン程度ビーム生成室１に巻回されてい
る。このコイル１０は高周波電源２０に接続されてお
り、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧がコイル１
０に印加される。これらのコイル１０と高周波電源２０
とによってプラズマ生成部が構成されている。コイル１
０に高周波電流を流すことでプラズマ生成室１に誘導磁
界が生じ、磁界の時間変化が電界を誘導し、その電界で
電子が加速されてプラズマ３０が生成される。
イル１０が配置されている。このコイル１０は、例えば
水冷パイプのコイルであり、８ｍｍφ程度の外径を有す
るコイルが２ターン程度ビーム生成室１に巻回されてい
る。このコイル１０は高周波電源２０に接続されてお
り、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧がコイル１
０に印加される。これらのコイル１０と高周波電源２０
とによってプラズマ生成部が構成されている。コイル１
０に高周波電流を流すことでプラズマ生成室１に誘導磁
界が生じ、磁界の時間変化が電界を誘導し、その電界で
電子が加速されてプラズマ３０が生成される。
【００２０】ビーム生成室１の上部には、ガスを導入す
るガス導入ポート１１が設けられており、このガス導入
ポート１１はガス供給配管１２を介してガス供給源１３
に接続されている。このガス供給源１３からはＳＦ６，
ＣＨＦ３，ＣＦ４，Ｃｌ２，Ａｒ，Ｏ２，Ｎ２，Ｃ４Ｆ
８，ＣＦ３Ｉ，Ｃ２Ｆ４などのガスが真空チャンバ３内
に供給される。
るガス導入ポート１１が設けられており、このガス導入
ポート１１はガス供給配管１２を介してガス供給源１３
に接続されている。このガス供給源１３からはＳＦ６，
ＣＨＦ３，ＣＦ４，Ｃｌ２，Ａｒ，Ｏ２，Ｎ２，Ｃ４Ｆ
８，ＣＦ３Ｉ，Ｃ２Ｆ４などのガスが真空チャンバ３内
に供給される。
【００２１】処理室２には、被処理物Ｘを保持する保持
部２１が配置されており、この保持部２１の上面に被処
理物Ｘが載置されている。処理室２にはガスを排出する
ためのガス排出ポート２２が設けられており、このガス
排出ポート２２はガス排出配管２３を介して真空ポンプ
２４に接続されている。この真空ポンプ２４によって処
理室２は所定の圧力に維持される。また、処理室２内に
は、エッチング状態を計測してエッチング終点を検出す
る終点検出部４０が配置されている。この終点検出部４
０としては、例えば四重極質量分析器を用いることがで
き、この他にもレーザ干渉、エリプソメトリなどを利用
することもできる。
部２１が配置されており、この保持部２１の上面に被処
理物Ｘが載置されている。処理室２にはガスを排出する
ためのガス排出ポート２２が設けられており、このガス
排出ポート２２はガス排出配管２３を介して真空ポンプ
２４に接続されている。この真空ポンプ２４によって処
理室２は所定の圧力に維持される。また、処理室２内に
は、エッチング状態を計測してエッチング終点を検出す
る終点検出部４０が配置されている。この終点検出部４
０としては、例えば四重極質量分析器を用いることがで
き、この他にもレーザ干渉、エリプソメトリなどを利用
することもできる。
【００２２】ビーム生成室１の下端には、グラファイト
などの導電体で形成されたオリフィス板（オリフィス電
極）４が配置されており、このオリフィス電極４は直流
電源２５に接続されている。図２（ａ）は、オリフィス
電極４の斜視図、図２（ｂ）は部分縦断面図である。図
２（ａ）に示すように、オリフィス電極４には多数のオ
リフィス４ａが形成されている。典型的なオリフィス電
極４は、オリフィス径１ｍｍ、オリフィス長１０ｍｍ、
ピッチ１．４ｍｍ間隔で多数のオリフィス４ａを配列し
ている。このように、オリフィス電極４によってビーム
生成室１と処理室２とを仕切ることができるので、真空
ポンプ２４によって処理室２の圧力をビーム生成室１の
圧力よりも低くすることが可能となる。
などの導電体で形成されたオリフィス板（オリフィス電
極）４が配置されており、このオリフィス電極４は直流
電源２５に接続されている。図２（ａ）は、オリフィス
電極４の斜視図、図２（ｂ）は部分縦断面図である。図
２（ａ）に示すように、オリフィス電極４には多数のオ
リフィス４ａが形成されている。典型的なオリフィス電
極４は、オリフィス径１ｍｍ、オリフィス長１０ｍｍ、
ピッチ１．４ｍｍ間隔で多数のオリフィス４ａを配列し
ている。このように、オリフィス電極４によってビーム
生成室１と処理室２とを仕切ることができるので、真空
ポンプ２４によって処理室２の圧力をビーム生成室１の
圧力よりも低くすることが可能となる。
【００２３】また、ビーム生成室１の上端には、同様に
導電体で形成された電極５が配置されている。この電極
５は直流電源２６に接続されている。なお、電極５は穴
のない金属やシリコン、グラファイトでできた板であっ
てもよく、あるいは板に穴を多数設けて、ガスが均一に
ビーム生成室１に導入されるようにしてもよい。上述し
た直流電源２５と直流電源２６とによって、オリフィス
電極４と電極５との間に電圧を印加する電圧印加部が構
成されている。
導電体で形成された電極５が配置されている。この電極
５は直流電源２６に接続されている。なお、電極５は穴
のない金属やシリコン、グラファイトでできた板であっ
てもよく、あるいは板に穴を多数設けて、ガスが均一に
ビーム生成室１に導入されるようにしてもよい。上述し
た直流電源２５と直流電源２６とによって、オリフィス
電極４と電極５との間に電圧を印加する電圧印加部が構
成されている。
【００２４】次に、本実施形態におけるエッチング装置
の動作について説明する。本実施形態では、一例として
半導体基板のシリコン酸化膜上に形成されたＰｏｌｙシ
リコンをエッチング（ゲートエッチング）する場合を例
に説明する。
の動作について説明する。本実施形態では、一例として
半導体基板のシリコン酸化膜上に形成されたＰｏｌｙシ
リコンをエッチング（ゲートエッチング）する場合を例
に説明する。
【００２５】まず、真空ポンプ２４を作動させることに
より、真空チャンバ３内を真空排気した後に、ガス供給
源１３から例えばＳＦ６などのガスをビーム生成室１の
内部に導入する。この時、例えばビーム生成室１の圧力
は０．１Ｐａで処理室２の圧力は１Ｐａである。そし
て、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を高周波電源
２０によって５０μ秒間コイル１０に印加する。この高
周波電圧の印加によってビーム生成室１内には高周波電
界が形成される。真空チャンバ３内に導入されたガス
は、この高周波電界によって加速された電子により電離
され、ビーム生成室１内に高密度プラズマ３０が生成さ
れる。このときに形成されるプラズマ３０は、主として
正イオンと加熱された電子とからなるプラズマである。
より、真空チャンバ３内を真空排気した後に、ガス供給
源１３から例えばＳＦ６などのガスをビーム生成室１の
内部に導入する。この時、例えばビーム生成室１の圧力
は０．１Ｐａで処理室２の圧力は１Ｐａである。そし
て、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を高周波電源
２０によって５０μ秒間コイル１０に印加する。この高
周波電圧の印加によってビーム生成室１内には高周波電
界が形成される。真空チャンバ３内に導入されたガス
は、この高周波電界によって加速された電子により電離
され、ビーム生成室１内に高密度プラズマ３０が生成さ
れる。このときに形成されるプラズマ３０は、主として
正イオンと加熱された電子とからなるプラズマである。
【００２６】そして、高周波電源２０による高周波電圧
の印加を５０μ秒間停止する。すると電子は非弾性衝突
を経て電子温度が低下し、残留している処理ガスに付着
して負イオンを生成する。高周波電源２０による高周波
電圧の印加の停止後は、再び高周波電源２０による５０
μ秒間の高周波電圧の印加によってビーム生成室１内に
おいてプラズマ中の電子が加熱され、上述したサイクル
が繰り返される。即ち、高周波電圧の印加（５０μ秒
間）と印加の停止（５０μ秒間）を交互に繰り返す。こ
の高周波電圧の印加停止時間（５０μ秒間）は、プラズ
マ３０中の電子が、残留している処理ガスに付着して、
負イオンが生成されるのに要する時間よりも十分に長
く、且つプラズマ３０中の電子密度が低下してプラズマ
が消滅するよりも十分に短い時間であり、高周波電圧の
印加時間（５０μ秒間）は、この高周波電圧の印加を停
止している間に低下したプラズマ３０中の電子のエネル
ギーを回復させるのに十分な時間である。
の印加を５０μ秒間停止する。すると電子は非弾性衝突
を経て電子温度が低下し、残留している処理ガスに付着
して負イオンを生成する。高周波電源２０による高周波
電圧の印加の停止後は、再び高周波電源２０による５０
μ秒間の高周波電圧の印加によってビーム生成室１内に
おいてプラズマ中の電子が加熱され、上述したサイクル
が繰り返される。即ち、高周波電圧の印加（５０μ秒
間）と印加の停止（５０μ秒間）を交互に繰り返す。こ
の高周波電圧の印加停止時間（５０μ秒間）は、プラズ
マ３０中の電子が、残留している処理ガスに付着して、
負イオンが生成されるのに要する時間よりも十分に長
く、且つプラズマ３０中の電子密度が低下してプラズマ
が消滅するよりも十分に短い時間であり、高周波電圧の
印加時間（５０μ秒間）は、この高周波電圧の印加を停
止している間に低下したプラズマ３０中の電子のエネル
ギーを回復させるのに十分な時間である。
【００２７】即ち、通常のプラズマは正イオンと電子と
からなる場合が多いが、正イオンと共に負イオンが共存
した状態のプラズマを効率的に形成することができる。
なお、ここでは、高周波電圧の印加停止時間を５０μ秒
に設定する例について述べたが、５０μ秒乃至１００μ
秒に設定することで、プラズマ中に正イオンのみならず
負イオンを多量に生成することができる。
からなる場合が多いが、正イオンと共に負イオンが共存
した状態のプラズマを効率的に形成することができる。
なお、ここでは、高周波電圧の印加停止時間を５０μ秒
に設定する例について述べたが、５０μ秒乃至１００μ
秒に設定することで、プラズマ中に正イオンのみならず
負イオンを多量に生成することができる。
【００２８】ここで、直流電源２５により−５０Ｖの電
圧をオリフィス板４に印加すると共に、直流電源２６に
より−１００Ｖの電圧を電極５に印加する。これによっ
て、オリフィス電極４と電極５との間に電位差が生じ
る。従って、ビーム生成室１内の負イオン６（図２
（ｂ）参照）は、この電位差によってオリフィス電極４
に向けて加速され、オリフィス電極４に形成されたオリ
フィス４ａに入っていく。このとき、オリフィス電極４
のオリフィス４ａの内部を通過する負イオンは、主とし
て、オリフィス４ａの周壁の固体表面近傍において中性
化され、あるいは、オリフィス４ａの内部に残留してい
るガスとの電荷交換によって中性化され、中性粒子（フ
ッ素原子）ビーム７となる。
圧をオリフィス板４に印加すると共に、直流電源２６に
より−１００Ｖの電圧を電極５に印加する。これによっ
て、オリフィス電極４と電極５との間に電位差が生じ
る。従って、ビーム生成室１内の負イオン６（図２
（ｂ）参照）は、この電位差によってオリフィス電極４
に向けて加速され、オリフィス電極４に形成されたオリ
フィス４ａに入っていく。このとき、オリフィス電極４
のオリフィス４ａの内部を通過する負イオンは、主とし
て、オリフィス４ａの周壁の固体表面近傍において中性
化され、あるいは、オリフィス４ａの内部に残留してい
るガスとの電荷交換によって中性化され、中性粒子（フ
ッ素原子）ビーム７となる。
【００２９】ここで、上述したオリフィス電極を用いる
ことによって、イオンを中性化することができるだけで
はなく、中性粒子ビームをコリメートすることができ、
更にビーム生成室１と処理室２とを仕切ることが可能と
なる。中性粒子ビームをコリメートすることで、高精度
の加工を実現することができる。また、ビーム生成室１
と処理室２とを仕切ることで、処理室２の圧力をビーム
生成室１の圧力よりも低圧にして高精度の加工を実現す
ることができる。また、プラズマから発生する放射光が
被処理物に照射されるのを防止することもできる。即
ち、プラズマが生成されるビーム生成室１と被処理物Ｘ
とはオリフィス電極４によって遮断されているので、プ
ラズマから発生する放射光は被処理物Ｘに照射されず、
被処理物Ｘに損傷を与えるような紫外線などの被処理物
Ｘへの影響を低減することができる。
ことによって、イオンを中性化することができるだけで
はなく、中性粒子ビームをコリメートすることができ、
更にビーム生成室１と処理室２とを仕切ることが可能と
なる。中性粒子ビームをコリメートすることで、高精度
の加工を実現することができる。また、ビーム生成室１
と処理室２とを仕切ることで、処理室２の圧力をビーム
生成室１の圧力よりも低圧にして高精度の加工を実現す
ることができる。また、プラズマから発生する放射光が
被処理物に照射されるのを防止することもできる。即
ち、プラズマが生成されるビーム生成室１と被処理物Ｘ
とはオリフィス電極４によって遮断されているので、プ
ラズマから発生する放射光は被処理物Ｘに照射されず、
被処理物Ｘに損傷を与えるような紫外線などの被処理物
Ｘへの影響を低減することができる。
【００３０】上述のように、オリフィス４ａの通過中に
中性化された負イオンは、低エネルギーのエネルギービ
ーム（フッ素原子）として処理室２の内部に放射され
る。このフッ素原子７は、処理室２の内部を直進して保
持部２１に載置された被処理物（半導体基板）Ｘに照射
される。照射されたフッ素原子は、被処理物Ｘの被処理
層（Ｐｏｌｙシリコン層）６０において、 Ｓｉ＋４Ｆ→ＳｉＦ４↑ という熱的化学反応により、図３（ａ）に示すように、
ＳｉＦ４として自発的に昇華する。このようにしてマス
ク５０で覆われていないＰｏｌｙシリコン層６０のエッ
チングが進行する。ここで、マスク５０は有機物から構
成されたレジストであるが、ビームのエネルギーが低い
ため、スパッタされることはない。
中性化された負イオンは、低エネルギーのエネルギービ
ーム（フッ素原子）として処理室２の内部に放射され
る。このフッ素原子７は、処理室２の内部を直進して保
持部２１に載置された被処理物（半導体基板）Ｘに照射
される。照射されたフッ素原子は、被処理物Ｘの被処理
層（Ｐｏｌｙシリコン層）６０において、 Ｓｉ＋４Ｆ→ＳｉＦ４↑ という熱的化学反応により、図３（ａ）に示すように、
ＳｉＦ４として自発的に昇華する。このようにしてマス
ク５０で覆われていないＰｏｌｙシリコン層６０のエッ
チングが進行する。ここで、マスク５０は有機物から構
成されたレジストであるが、ビームのエネルギーが低い
ため、スパッタされることはない。
【００３１】このエッチングプロセスにおいては、終点
検出部４０によってエッチングの終点の検出を行ってい
る。終点検出部４０により終点（シリコン酸化膜７０が
露出する直前又は直後）が検出された場合には、直流電
源２５によりオリフィス板４に印加される電圧を−５０
Ｖから、例えば＋１００Ｖに変える。これによって、処
理室２の内部に放射されるビームのエネルギーが高まる
ので、図３（ｂ）に示すように、有機物で構成されたマ
スク５０がスパッタされ、Ｐｏｌｙシリコン層６０の側
壁がＣＨｘＦｙ系の有機膜８０で覆われる。この有機膜
８０は、Ｐｏｌｙシリコン層６０の側壁をフッ素による
侵食から保護する保護膜として機能する。なお、このと
きのビームのエネルギーは５０ｅＶ以上２００ｅＶ以下
とすることが好ましい。
検出部４０によってエッチングの終点の検出を行ってい
る。終点検出部４０により終点（シリコン酸化膜７０が
露出する直前又は直後）が検出された場合には、直流電
源２５によりオリフィス板４に印加される電圧を−５０
Ｖから、例えば＋１００Ｖに変える。これによって、処
理室２の内部に放射されるビームのエネルギーが高まる
ので、図３（ｂ）に示すように、有機物で構成されたマ
スク５０がスパッタされ、Ｐｏｌｙシリコン層６０の側
壁がＣＨｘＦｙ系の有機膜８０で覆われる。この有機膜
８０は、Ｐｏｌｙシリコン層６０の側壁をフッ素による
侵食から保護する保護膜として機能する。なお、このと
きのビームのエネルギーは５０ｅＶ以上２００ｅＶ以下
とすることが好ましい。
【００３２】一定の厚さの有機膜８０をＰｏｌｙシリコ
ン層６０の側壁に堆積させた後、オリフィス板４に印加
される電圧を−５０Ｖに戻す。これにより、処理室２の
内部には再び反応性の高い低エネルギービームが放射さ
れるが、Ｐｏｌｙシリコン層６０の側壁には保護膜８０
が堆積しているため、側壁が侵食されることなく、精度
の高いエッチングを実現することが可能となる。また、
本実施形態では、ＣｌやＢｒよりも反応性の高いＦラジ
カルを用いることができるため、高速なエッチングを実
現することができる。
ン層６０の側壁に堆積させた後、オリフィス板４に印加
される電圧を−５０Ｖに戻す。これにより、処理室２の
内部には再び反応性の高い低エネルギービームが放射さ
れるが、Ｐｏｌｙシリコン層６０の側壁には保護膜８０
が堆積しているため、側壁が侵食されることなく、精度
の高いエッチングを実現することが可能となる。また、
本実施形態では、ＣｌやＢｒよりも反応性の高いＦラジ
カルを用いることができるため、高速なエッチングを実
現することができる。
【００３３】ここで、図４（ａ）に示すように、下地シ
リコン酸化膜１００上に形成されたＰｏｌｙシリコン層
１１０をコリメートされた１０ｅＶ以上５０ｅＶ以下の
フッ素の中性粒子ビームを用いてエッチング（ゲートエ
ッチング）する場合には、上述したように、 Ｓｉ＋４Ｆ→ＳｉＦ４↑ という反応により垂直にエッチングが進行する。エッチ
ングが進行してシリコン酸化膜１００が露出しても、シ
リコン酸化膜１００はフッ素と反応しないため、シリコ
ン酸化膜１００はエッチングされず、Ｓｉ／ＳｉＯ２の
選択比が高いエッチングが実現できる。しかし、図４
（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜１００上で反射し
たフッ素が側壁のＰｏｌｙシリコン層１１０を侵食して
しまい、形状異常が生じてしまう。本実施形態によれ
ば、図３（ｂ）に示すように、マスク５０をスパッタし
てＰｏｌｙシリコン層６０の側壁にフッ素による侵食か
ら保護する保護膜８０を形成することができるので、こ
のような形状異常を防止することができる。
リコン酸化膜１００上に形成されたＰｏｌｙシリコン層
１１０をコリメートされた１０ｅＶ以上５０ｅＶ以下の
フッ素の中性粒子ビームを用いてエッチング（ゲートエ
ッチング）する場合には、上述したように、 Ｓｉ＋４Ｆ→ＳｉＦ４↑ という反応により垂直にエッチングが進行する。エッチ
ングが進行してシリコン酸化膜１００が露出しても、シ
リコン酸化膜１００はフッ素と反応しないため、シリコ
ン酸化膜１００はエッチングされず、Ｓｉ／ＳｉＯ２の
選択比が高いエッチングが実現できる。しかし、図４
（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜１００上で反射し
たフッ素が側壁のＰｏｌｙシリコン層１１０を侵食して
しまい、形状異常が生じてしまう。本実施形態によれ
ば、図３（ｂ）に示すように、マスク５０をスパッタし
てＰｏｌｙシリコン層６０の側壁にフッ素による侵食か
ら保護する保護膜８０を形成することができるので、こ
のような形状異常を防止することができる。
【００３４】本実施形態では、マスク５０をスパッタし
てＰｏｌｙシリコン層６０の側壁に保護膜８０を形成し
た例を説明したが、被処理層を局所的に遮蔽する他の遮
蔽物を利用してもよい。例えば、グラファイト製のオリ
フィス電極４をスパッタしてＣＦｘビームを生成して、
上記保護膜を形成することができる。あるいは、有機物
からなるメッシュ状の遮蔽板をオリフィス電極４と被処
理物Ｘの間に挿入して、これをスパッタすることにより
保護膜を形成してもよい。
てＰｏｌｙシリコン層６０の側壁に保護膜８０を形成し
た例を説明したが、被処理層を局所的に遮蔽する他の遮
蔽物を利用してもよい。例えば、グラファイト製のオリ
フィス電極４をスパッタしてＣＦｘビームを生成して、
上記保護膜を形成することができる。あるいは、有機物
からなるメッシュ状の遮蔽板をオリフィス電極４と被処
理物Ｘの間に挿入して、これをスパッタすることにより
保護膜を形成してもよい。
【００３５】図５は、本発明の第２の実施形態における
エッチング装置の全体構成を示す図である。図５に示す
ように、本実施形態においては、ガス導入ポート１１
は、２つに分岐したガス供給配管１２ａ，１２ｂを介し
てガス供給源１３ａ，１３ｂに接続されている。例え
ば、ガス供給源１３ａからはＳＦ６、ガス供給源１３ｂ
からはＣ４Ｆ８，ＣＨＦ３，Ｃ２Ｆ４などのフルオロカ
ーボンガスが真空チャンバ３内に供給される。
エッチング装置の全体構成を示す図である。図５に示す
ように、本実施形態においては、ガス導入ポート１１
は、２つに分岐したガス供給配管１２ａ，１２ｂを介し
てガス供給源１３ａ，１３ｂに接続されている。例え
ば、ガス供給源１３ａからはＳＦ６、ガス供給源１３ｂ
からはＣ４Ｆ８，ＣＨＦ３，Ｃ２Ｆ４などのフルオロカ
ーボンガスが真空チャンバ３内に供給される。
【００３６】本実施形態におけるエッチングプロセスで
は、まず、ガス供給配管１２ｂのバルブ１５ｂを閉じ、
ガス供給配管１２ａのバルブ１５ａを開け、ＳＦ６など
のエッチングガスをビーム生成室１の内部に導入する。
そして、第１の実施形態と同様にして、ビーム生成室１
の内部に生成されたプラズマ３０から中性粒子（フッ素
原子）ビームが処理室２の内部に放射される。この低エ
ネルギーの中性粒子ビームによって、マスクで覆われて
いないＰｏｌｙシリコン層がエッチングされる。
は、まず、ガス供給配管１２ｂのバルブ１５ｂを閉じ、
ガス供給配管１２ａのバルブ１５ａを開け、ＳＦ６など
のエッチングガスをビーム生成室１の内部に導入する。
そして、第１の実施形態と同様にして、ビーム生成室１
の内部に生成されたプラズマ３０から中性粒子（フッ素
原子）ビームが処理室２の内部に放射される。この低エ
ネルギーの中性粒子ビームによって、マスクで覆われて
いないＰｏｌｙシリコン層がエッチングされる。
【００３７】そして、終点検出部４０により終点が検出
された場合には、ガス供給配管１２ａのバルブ１５ａを
閉じ、ガス供給配管１２ｂのバルブ１５ｂを開け、Ｃ４
Ｆ８，ＣＨＦ３，Ｃ２Ｆ４などのガスをビーム生成室１
の内部に導入する。これによって、ビーム生成室１の内
部に生成されたプラズマ３０から正イオン（ＣＦｘ ＋、
例えばＣＦ２ ＋，ＣＦ＋，ＣＦ３ ＋など）が生成され、
これが加速、中性化されて中性粒子ビームとして処理室
２の内部に放射される。この中性粒子ビームによってＰ
ｏｌｙシリコン層の側壁がＣＦ系の重合膜で覆われる。
この重合膜は、第１の実施形態における有機膜８０と同
様に、Ｐｏｌｙシリコン層の側壁をフッ素による侵食か
ら保護する保護膜として機能する。
された場合には、ガス供給配管１２ａのバルブ１５ａを
閉じ、ガス供給配管１２ｂのバルブ１５ｂを開け、Ｃ４
Ｆ８，ＣＨＦ３，Ｃ２Ｆ４などのガスをビーム生成室１
の内部に導入する。これによって、ビーム生成室１の内
部に生成されたプラズマ３０から正イオン（ＣＦｘ ＋、
例えばＣＦ２ ＋，ＣＦ＋，ＣＦ３ ＋など）が生成され、
これが加速、中性化されて中性粒子ビームとして処理室
２の内部に放射される。この中性粒子ビームによってＰ
ｏｌｙシリコン層の側壁がＣＦ系の重合膜で覆われる。
この重合膜は、第１の実施形態における有機膜８０と同
様に、Ｐｏｌｙシリコン層の側壁をフッ素による侵食か
ら保護する保護膜として機能する。
【００３８】一定の厚さの保護膜をＰｏｌｙシリコン層
の側壁に堆積させた後、再びガス供給配管１２ｂのバル
ブ１５ｂを閉じ、ガス供給配管１２ａのバルブ１５ａを
開け、エッチングガスをビーム生成室１の内部に導入す
る。これにより、処理室２の内部には再び中性粒子（フ
ッ素原子）ビームが放射されるが、Ｐｏｌｙシリコン層
の側壁にはＣＦ系の側壁保護膜が堆積しているため、側
壁が侵食されることなく、精度の高いエッチングを実現
することが可能となる。
の側壁に堆積させた後、再びガス供給配管１２ｂのバル
ブ１５ｂを閉じ、ガス供給配管１２ａのバルブ１５ａを
開け、エッチングガスをビーム生成室１の内部に導入す
る。これにより、処理室２の内部には再び中性粒子（フ
ッ素原子）ビームが放射されるが、Ｐｏｌｙシリコン層
の側壁にはＣＦ系の側壁保護膜が堆積しているため、側
壁が侵食されることなく、精度の高いエッチングを実現
することが可能となる。
【００３９】上述した第１及び第２の実施形態におい
て、被処理層をエッチングする工程と側壁保護膜を形成
する工程とを繰り返して行ってもよい。この場合には、
すべての側壁保護膜がエッチング工程によって除去され
るとは限らず、工程を繰り返すうちに、残った側壁保護
膜によってエッチング形状がテーパ状になる場合があ
る。このような場合には、被処理層をエッチングする工
程と側壁保護膜を形成する工程との間に、側壁保護膜を
除去する工程を行うこととしてもよい。例えば、マスク
にＴＥＯＳ膜を用いてＯ２を処理室２内に導入して酸素
ラジカルによって側壁保護膜を灰化することで、マスク
や被処理層をエッチングすることはなく側壁保護膜を除
去することができる。
て、被処理層をエッチングする工程と側壁保護膜を形成
する工程とを繰り返して行ってもよい。この場合には、
すべての側壁保護膜がエッチング工程によって除去され
るとは限らず、工程を繰り返すうちに、残った側壁保護
膜によってエッチング形状がテーパ状になる場合があ
る。このような場合には、被処理層をエッチングする工
程と側壁保護膜を形成する工程との間に、側壁保護膜を
除去する工程を行うこととしてもよい。例えば、マスク
にＴＥＯＳ膜を用いてＯ２を処理室２内に導入して酸素
ラジカルによって側壁保護膜を灰化することで、マスク
や被処理層をエッチングすることはなく側壁保護膜を除
去することができる。
【００４０】なお、一部の荷電粒子もオリフィス電極４
のオリフィス４ａを通過する場合があるが、このような
荷電粒子が被処理物Ｘに照射されることを防止するため
に、オリフィス電極４の下流側にディフレクタや電子ト
ラップを設けることとしてもよい。ディフレクタは、ビ
ーム進行方向と垂直に電圧を印加することによって荷電
粒子の進行方向を変化させて、荷電粒子の被処理物Ｘへ
の照射を防止するものである。また、電子トラップは、
ビーム進行方向と垂直に１００ガウス程度の磁界を形成
することによって電子の進行方向を変化させて、電子の
被処理物Ｘへの照射を防止するものである。
のオリフィス４ａを通過する場合があるが、このような
荷電粒子が被処理物Ｘに照射されることを防止するため
に、オリフィス電極４の下流側にディフレクタや電子ト
ラップを設けることとしてもよい。ディフレクタは、ビ
ーム進行方向と垂直に電圧を印加することによって荷電
粒子の進行方向を変化させて、荷電粒子の被処理物Ｘへ
の照射を防止するものである。また、電子トラップは、
ビーム進行方向と垂直に１００ガウス程度の磁界を形成
することによって電子の進行方向を変化させて、電子の
被処理物Ｘへの照射を防止するものである。
【００４１】ガラスやセラミック材料等の絶縁物の加工
に際しては、表面にチャージアップという問題が生じる
が、上述したように中性化された中性粒子を照射するこ
とによりチャージアップ電圧を低く保ちながら、高精度
のエッチングや成膜加工が可能となる。なお、被処理物
の処理の内容に応じてガスの種類を使い分ければよく、
ドライエッチングでは被処理物の違いに応じて酸素やハ
ロゲンガスなどを使い分けることができる。
に際しては、表面にチャージアップという問題が生じる
が、上述したように中性化された中性粒子を照射するこ
とによりチャージアップ電圧を低く保ちながら、高精度
のエッチングや成膜加工が可能となる。なお、被処理物
の処理の内容に応じてガスの種類を使い分ければよく、
ドライエッチングでは被処理物の違いに応じて酸素やハ
ロゲンガスなどを使い分けることができる。
【００４２】なお、上述した実施形態においては、ＩＣ
Ｐ型コイルを用いてプラズマを生成した例を説明した
が、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）、ヘリコ
ン波プラズマ用コイル、マイクロ波等を用いてプラズマ
を生成することとしてもよい。また、高周波の周波数領
域も、１３．５６ＭＨｚに限られるものではなく、１Ｍ
Ｈｚ〜２０ＧＨｚの領域を用いてもよい。オリフィス電
極４や電極５に印加する電圧も上述のものに限られるも
のではない。
Ｐ型コイルを用いてプラズマを生成した例を説明した
が、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）、ヘリコ
ン波プラズマ用コイル、マイクロ波等を用いてプラズマ
を生成することとしてもよい。また、高周波の周波数領
域も、１３．５６ＭＨｚに限られるものではなく、１Ｍ
Ｈｚ〜２０ＧＨｚの領域を用いてもよい。オリフィス電
極４や電極５に印加する電圧も上述のものに限られるも
のではない。
【００４３】これまで本発明の一実施形態について説明
したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技
術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施され
てよいことは言うまでもない。
したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技
術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施され
てよいことは言うまでもない。
【００４４】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、上記
第１の工程において、電荷を持たず大きな並進運動エネ
ルギーを持つコリメートされた中性粒子ビームによって
被処理層を加工することが可能となるので、チャージア
ップ電圧を低く保ちつつ高精度のエッチングが可能とな
る。また、このコリメートされた中性粒子ビームが被処
理層に照射されるため、被処理層の表面に側壁保護膜が
形成されない場合であっても、高精度の加工を実現する
ことができる。更に、１０ｅＶ以上５０ｅＶ以下の低エ
ネルギーの中性粒子ビームでは、レジストはほとんどス
パッタされないため、高選択比の加工を実現することが
できる。ここで、ＲＩＥにおいて低エネルギーのイオン
ビームを照射して被処理層の加工を行った場合には、局
所的なエッチング形状の異常であるノッチングが生じる
ことがあるが、中性粒子ビームを用いるため、ノッチン
グの問題が生じることなく、高アスペクト比の加工を行
うことが可能となる。
第１の工程において、電荷を持たず大きな並進運動エネ
ルギーを持つコリメートされた中性粒子ビームによって
被処理層を加工することが可能となるので、チャージア
ップ電圧を低く保ちつつ高精度のエッチングが可能とな
る。また、このコリメートされた中性粒子ビームが被処
理層に照射されるため、被処理層の表面に側壁保護膜が
形成されない場合であっても、高精度の加工を実現する
ことができる。更に、１０ｅＶ以上５０ｅＶ以下の低エ
ネルギーの中性粒子ビームでは、レジストはほとんどス
パッタされないため、高選択比の加工を実現することが
できる。ここで、ＲＩＥにおいて低エネルギーのイオン
ビームを照射して被処理層の加工を行った場合には、局
所的なエッチング形状の異常であるノッチングが生じる
ことがあるが、中性粒子ビームを用いるため、ノッチン
グの問題が生じることなく、高アスペクト比の加工を行
うことが可能となる。
【００４５】また、上記第２の工程において、被処理層
の側壁を中性粒子ビームによる侵食から保護する保護膜
を被処理層の側壁に形成することができるので、側壁の
侵食を防止して精度の高いエッチングを実現することが
可能となる。これは特に中性粒子ビームではエッチング
されない下地層が露出した場合に有効である。また、反
応性の高いエッチングガスを用いてエッチングをするこ
とができるため、高速なエッチングを実現することがで
きる。このように、本発明によれば、微細パターンに対
して高精度の加工と高選択比の加工とを両立することが
可能となる。
の側壁を中性粒子ビームによる侵食から保護する保護膜
を被処理層の側壁に形成することができるので、側壁の
侵食を防止して精度の高いエッチングを実現することが
可能となる。これは特に中性粒子ビームではエッチング
されない下地層が露出した場合に有効である。また、反
応性の高いエッチングガスを用いてエッチングをするこ
とができるため、高速なエッチングを実現することがで
きる。このように、本発明によれば、微細パターンに対
して高精度の加工と高選択比の加工とを両立することが
可能となる。
【図１】本発明の第１の実施形態におけるエッチング装
置の全体構成を示す図である。
置の全体構成を示す図である。
【図２】図１に示すオリフィス電極を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態におけるエッチング工
程を示す模式図である。
程を示す模式図である。
【図４】従来のエッチング工程を示す模式図である。
【図５】本発明の第２の実施形態におけるエッチング装
置の全体構成を示す図である。
置の全体構成を示す図である。
Ｘ 被処理物
１ ビーム生成室
２ 処理室
３ 真空チャンバ
４ オリフィス板（オリフィス電極）
５ 電極
１０ コイル
１１ ガス導入ポート
１２ ガス供給配管
１３ ガス供給源
２０ 高周波電源
２１ 保持部
２２ ガス排出ポート
２３ ガス排出配管
２４ 真空ポンプ
２５，２６ 直流電源
３０ プラズマ
４０ 終点検出部
５０ マスク
６０ Ｐｏｌｙシリコン層
７０ シリコン酸化膜
８０ 保護膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 山内 和雄
神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株
式会社荏原総合研究所内
(72)発明者 檜山 浩国
神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株
式会社荏原総合研究所内
(72)発明者 寒川 誠二
宮城県仙台市青葉区片平２丁目１番１号
東北大学内
Ｆターム(参考） 4M104 BB01 CC05 DD67
5F004 AA06 BA04 BA14 BA20 BB12
DA18 DB01 DB03
Claims (7)
- 【請求項１】 所定のガスから、コリメートされた１０
ｅＶ以上５０ｅＶ以下の中性粒子ビームを生成し、該中
性粒子ビームを被処理物に照射して該被処理物の被処理
層の表面をエッチングする第１の工程と、 前記被処理層の側壁を前記中性粒子ビームによる侵食か
ら保護する保護膜を前記被処理層の側壁に形成する第２
の工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 前記被処理層は遮蔽物で局所的に遮蔽さ
れており、 前記第２の工程は、前記ガスから、コリメートされた５
０ｅＶ以上２００ｅＶ以下の中性粒子ビームを生成し、
該中性粒子ビームによって前記遮蔽物をスパッタするこ
とで前記被処理層の側壁に保護膜を形成することを特徴
とする請求項１に記載のエッチング方法。 - 【請求項３】 前記第２の工程は、所定のガスから、コ
リメートされた中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビ
ームを被処理層に照射して該被処理層の側壁に保護膜を
形成することを特徴とする請求項１に記載のエッチング
方法。 - 【請求項４】 前記被処理層がシリコンであり、 前記第１の工程において使用されるガスがＳＦ６であ
り、 前記第２の工程において使用されるガスがフルオロカー
ボンであることを特徴とする請求項３に記載のエッチン
グ方法。 - 【請求項５】 前記被処理層がシリコンであり、 前記被処理層の下地層がシリコン酸化膜であり、 前記被処理層のエッチングが完了する直前に前記第２の
工程を行い、 その後再び前記第１の工程によりエッチングを行うこと
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のエ
ッチング方法。 - 【請求項６】 前記第２の工程において形成された保護
膜を除去する第３の工程を有し、 前記第１の工程と前記第３の工程と前記第２の工程とを
繰り返して行うことを特徴とする請求項１乃至５のいず
れか一項に記載のエッチング方法。 - 【請求項７】 被処理物を保持する保持部と、 真空チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部
と、 前記被処理物と前記プラズマ生成部との間に配置された
オリフィス電極と、 前記真空チャンバ内に前記オリフィス電極に対して上流
側に配置された電極と、 前記オリフィス電極と前記電極との間に電圧を印加する
ことで、前記プラズマ生成部により生成されたプラズマ
からイオンを加速して前記オリフィス電極に形成された
オリフィスを通過させる電圧印加部とを備え、 前記オリフィスを通過して生成されたコリメートされた
中性粒子ビームのエネルギーを１０ｅＶ以上５０ｅＶ以
下にして、該中性粒子ビームを前記被処理物の被処理層
に照射して該被処理層の表面をエッチングし、 イオンを加速するエネルギーを５０ｅＶ以上２００ｅＶ
以下にして前記オリフィス及び／又は前記被処理物の上
に局所的に配置した遮蔽物をスパッタすることで、前記
被処理層の側壁を前記中性粒子ビームによる侵食から保
護する保護膜を前記被処理層の側壁に形成することを特
徴とするエッチング装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001353809A JP4073204B2 (ja) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | エッチング方法 |
| PCT/JP2002/011658 WO2003044842A1 (en) | 2001-11-19 | 2002-11-08 | Etching method and apparatus |
| US10/493,414 US7144520B2 (en) | 2001-11-19 | 2002-11-08 | Etching method and apparatus |
| TW091133466A TW589681B (en) | 2001-11-19 | 2002-11-15 | Etching method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001353809A JP4073204B2 (ja) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | エッチング方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003158099A true JP2003158099A (ja) | 2003-05-30 |
| JP2003158099A5 JP2003158099A5 (ja) | 2005-04-07 |
| JP4073204B2 JP4073204B2 (ja) | 2008-04-09 |
Family
ID=19165758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001353809A Expired - Lifetime JP4073204B2 (ja) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | エッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7144520B2 (ja) |
| JP (1) | JP4073204B2 (ja) |
| TW (1) | TW589681B (ja) |
| WO (1) | WO2003044842A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190970A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Samsung Electronics Co Ltd | イオンビーム抽出装置 |
| KR100610665B1 (ko) | 2005-02-03 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 중성빔을 이용한 식각장치 |
| KR100898589B1 (ko) * | 2007-08-13 | 2009-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조 방법 |
| JP2010228066A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Kyushu Univ | ナノドットの作製方法 |
| JP2021132118A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10317027A1 (de) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Leybold Optics Gmbh | Hochfrequenz-Plasmastrahlquelle und Verfahren zum Bestrahlen einer Oberfläche |
| JP2006049817A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-02-16 | Showa Denko Kk | プラズマ処理方法およびプラズマエッチング方法 |
| EP1630849B1 (en) * | 2004-08-27 | 2011-11-02 | Fei Company | Localized plasma processing |
| KR100714898B1 (ko) * | 2005-01-21 | 2007-05-04 | 삼성전자주식회사 | 중성빔을 이용한 기판 처리장치 및 처리방법 |
| US7358484B2 (en) * | 2005-09-29 | 2008-04-15 | Tokyo Electron Limited | Hyperthermal neutral beam source and method of operating |
| US7335602B2 (en) * | 2006-01-18 | 2008-02-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Charge-free layer by layer etching of dielectrics |
| US20080169064A1 (en) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Surface-treating apparatus |
| WO2008096700A1 (ja) | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Canon Anelva Corporation | 酸化処理方法及び酸化処理装置 |
| US20090013527A1 (en) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | International Business Machines Corporation | Collapsable connection mold repair method utilizing femtosecond laser pulse lengths |
| US8614151B2 (en) * | 2008-01-04 | 2013-12-24 | Micron Technology, Inc. | Method of etching a high aspect ratio contact |
| US20110177694A1 (en) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Tokyo Electron Limited | Switchable Neutral Beam Source |
| US8828883B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for energetic neutral flux generation for processing a substrate |
| FR2965697B1 (fr) * | 2010-09-30 | 2014-01-03 | Astrium Sas | Procede et dispositif pour la formation d'un faisceau plasma. |
| US9105705B2 (en) * | 2011-03-14 | 2015-08-11 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
| CN102332384A (zh) * | 2011-09-26 | 2012-01-25 | 中国科学院微电子研究所 | 产生中性粒子束装置及方法 |
| US9048190B2 (en) * | 2012-10-09 | 2015-06-02 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing substrates using an ion shield |
| KR101742556B1 (ko) * | 2012-11-02 | 2017-06-01 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법, 이온빔 에칭 장치 및 제어 장치 |
| US9978568B2 (en) * | 2013-08-12 | 2018-05-22 | Tokyo Electron Limited | Self-sustained non-ambipolar direct current (DC) plasma at low power |
| KR101579506B1 (ko) * | 2014-07-08 | 2015-12-23 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 그 파티클 취급 방법 |
| US20160013020A1 (en) * | 2014-07-14 | 2016-01-14 | Lam Research Corporation | Systems and methods for producing energetic neutrals |
| US10475626B2 (en) * | 2015-03-17 | 2019-11-12 | Applied Materials, Inc. | Ion-ion plasma atomic layer etch process and reactor |
| US9960089B2 (en) * | 2015-04-03 | 2018-05-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for endpoint detection |
| DE102016220248A1 (de) * | 2016-10-17 | 2018-04-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und verfahren zum anisotropen drie-ätzen mit fluorgasmischung |
| JP6790731B2 (ja) * | 2016-11-01 | 2020-11-25 | 東洋製罐グループホールディングス株式会社 | ダイヤモンド膜表面に微細周期構造溝を形成する方法 |
| CN107331593B (zh) * | 2017-08-11 | 2018-10-12 | 大连理工大学 | 一种基于射频放电的正负离子源 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4523971A (en) * | 1984-06-28 | 1985-06-18 | International Business Machines Corporation | Programmable ion beam patterning system |
| DE4039930A1 (de) * | 1990-12-14 | 1992-06-17 | Leybold Ag | Vorrichtung fuer plasmabehandlung |
| JPH0775230B2 (ja) | 1991-09-24 | 1995-08-09 | 株式会社小電力高速通信研究所 | プラズマエッチング終点モニタリング方法 |
| US5462629A (en) * | 1992-08-28 | 1995-10-31 | Kawasaki Steel Corp. | Surface processing apparatus using neutral beam |
| DE4241045C1 (de) * | 1992-12-05 | 1994-05-26 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium |
| US6054395A (en) * | 1997-10-24 | 2000-04-25 | Micron Technology, Inc. | Method of patterning a semiconductor device |
| US6641747B1 (en) * | 2001-02-15 | 2003-11-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for determining an etch endpoint |
| JP4039834B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2008-01-30 | 株式会社荏原製作所 | エッチング方法及びエッチング装置 |
-
2001
- 2001-11-19 JP JP2001353809A patent/JP4073204B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-11-08 US US10/493,414 patent/US7144520B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-08 WO PCT/JP2002/011658 patent/WO2003044842A1/en active Application Filing
- 2002-11-15 TW TW091133466A patent/TW589681B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190970A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Samsung Electronics Co Ltd | イオンビーム抽出装置 |
| KR100610665B1 (ko) | 2005-02-03 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 중성빔을 이용한 식각장치 |
| KR100898589B1 (ko) * | 2007-08-13 | 2009-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조 방법 |
| JP2010228066A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Kyushu Univ | ナノドットの作製方法 |
| JP2021132118A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP7323476B2 (ja) | 2020-02-19 | 2023-08-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
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