JP2003154903A - 車載電子回路 - Google Patents
車載電子回路Info
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- JP2003154903A JP2003154903A JP2001352854A JP2001352854A JP2003154903A JP 2003154903 A JP2003154903 A JP 2003154903A JP 2001352854 A JP2001352854 A JP 2001352854A JP 2001352854 A JP2001352854 A JP 2001352854A JP 2003154903 A JP2003154903 A JP 2003154903A
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- electronic circuit
- control unit
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- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子ユニットとバッテリとの間の電流のゆら
ぎを抑制しつつ通信障害を併せて防ぐ。 【解決手段】 制御部と駆動スイッチング素子との間で
信号の伝達を司る信号伝達手段として、発光素子２３ａ
と受光素子２３ｂとを備えるフォトカプラ２３を使用
し、発光素子２３ａをマイコン２１の接地端子ＧＮＤ１
側に接続し、受光素子２３ｂを、バッテリ２６のマイナ
ス端子ＧＮＤ２側に接続する。フォトカプラ２３の発光
素子２３ａの発光駆動が、インダクタ２８に起因するバ
ッテリ２６のマイナス端子ＧＮＤ２側でのグランド浮き
の影響を受けるのを容易に防止できる。
ぎを抑制しつつ通信障害を併せて防ぐ。 【解決手段】 制御部と駆動スイッチング素子との間で
信号の伝達を司る信号伝達手段として、発光素子２３ａ
と受光素子２３ｂとを備えるフォトカプラ２３を使用
し、発光素子２３ａをマイコン２１の接地端子ＧＮＤ１
側に接続し、受光素子２３ｂを、バッテリ２６のマイナ
ス端子ＧＮＤ２側に接続する。フォトカプラ２３の発光
素子２３ａの発光駆動が、インダクタ２８に起因するバ
ッテリ２６のマイナス端子ＧＮＤ２側でのグランド浮き
の影響を受けるのを容易に防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、バッテリからの
電力を供給して所定の負荷をＰＷＭ制御する車載電子回
路に関する。
電力を供給して所定の負荷をＰＷＭ制御する車載電子回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的な傾向として、自動車の電子回路
化が進んでおり、自動車内の各部位において、電子回路
で構成されるモジュールが多く設置されてきている。
化が進んでおり、自動車内の各部位において、電子回路
で構成されるモジュールが多く設置されてきている。
【０００３】これらのモジュールはＣＡＮ（Controller
Area Network）やＬＩＮ（Local Interconnect Networ
k）などの通信ネットワークで結ばれ、相互に制御しあ
っている。
Area Network）やＬＩＮ（Local Interconnect Networ
k）などの通信ネットワークで結ばれ、相互に制御しあ
っている。
【０００４】また自動車内での負荷駆動においては、例
えばＰＷＭ制御で負荷への電力をリニア制御したり、１
２Ｖ系の負荷（例えば１２Ｖ定格ヘッドランプ）を３６
Ｖ電源とＰＷＭ制御で駆動するケースがある。
えばＰＷＭ制御で負荷への電力をリニア制御したり、１
２Ｖ系の負荷（例えば１２Ｖ定格ヘッドランプ）を３６
Ｖ電源とＰＷＭ制御で駆動するケースがある。
【０００５】図２は、負荷としての１２Ｖ系のランプを
３６Ｖ電源でＰＷＭ制御する場合の例を示した回路ブロ
ック図である。
３６Ｖ電源でＰＷＭ制御する場合の例を示した回路ブロ
ック図である。
【０００６】図２においては、マイクロコンピュータチ
ップ（マイコン）１がスイッチング素子２を制御するこ
とで、パワーＭＯＳＦＥＴ３がオンオフ制御され、これ
により負荷としてのランプ４のＰＷＭ制御が行われる。
図２中の符号５は１２Ｖ電源、符号６は３６Ｖ電源（バ
ッテリ）、符号７はインダクタ、符号Ｒ1〜Ｒ4は抵抗を
それぞれ示している。
ップ（マイコン）１がスイッチング素子２を制御するこ
とで、パワーＭＯＳＦＥＴ３がオンオフ制御され、これ
により負荷としてのランプ４のＰＷＭ制御が行われる。
図２中の符号５は１２Ｖ電源、符号６は３６Ｖ電源（バ
ッテリ）、符号７はインダクタ、符号Ｒ1〜Ｒ4は抵抗を
それぞれ示している。
【０００７】そして、マイクロコンピュータチップ１、
スイッチング素子２、パワーＭＯＳＦＥＴ３、インダク
タ７及び抵抗Ｒ1〜Ｒ4は、図３に示した電子ユニット１
１として、負荷（ランプ）４及び３６Ｖ電源（バッテ
リ）６に接続される。
スイッチング素子２、パワーＭＯＳＦＥＴ３、インダク
タ７及び抵抗Ｒ1〜Ｒ4は、図３に示した電子ユニット１
１として、負荷（ランプ）４及び３６Ｖ電源（バッテ
リ）６に接続される。
【０００８】尚、図２中の符号ＧＮＤ１は電子ユニット
１１内部の共通グランド（接地端子）、符号ＧＮＤ２は
バッテリとしての３６Ｖ電源６のマイナス端子を示して
おり、この両者の間でインダクタ７が介装されている。
１１内部の共通グランド（接地端子）、符号ＧＮＤ２は
バッテリとしての３６Ｖ電源６のマイナス端子を示して
おり、この両者の間でインダクタ７が介装されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】一般に、負荷（ランプ
４）として例えば６０Ｗのヘッドランプを使用すること
が多い。この場合において、例えば１２Ｖ電源を用いて
直接ＤＣ駆動する場合には、当該ヘッドランプに流れる
駆動電流は５Ａ（アンペア）程度である。これに対し
て、図２のように、３６Ｖ電源６でランプ４をＰＷＭ制
御する場合、パワーＭＯＳＦＥＴ３がオンしている間に
ランプ４に流れる駆動電流は１５Ａ（アンペア）程度に
なり、３倍程度に増大してしまう。
４）として例えば６０Ｗのヘッドランプを使用すること
が多い。この場合において、例えば１２Ｖ電源を用いて
直接ＤＣ駆動する場合には、当該ヘッドランプに流れる
駆動電流は５Ａ（アンペア）程度である。これに対し
て、図２のように、３６Ｖ電源６でランプ４をＰＷＭ制
御する場合、パワーＭＯＳＦＥＴ３がオンしている間に
ランプ４に流れる駆動電流は１５Ａ（アンペア）程度に
なり、３倍程度に増大してしまう。
【００１０】そうすると、瞬間的な電流値が大きくな
り、３６Ｖ電源６からランプ４に至る電源ライン８や、
パワーＭＯＳＦＥＴ３側より接地側のＧＮＤライン９に
パルス的な電流が流れてしまう。その結果、例えば車載
ラジオ等の各種電装機器に不快なノイズを与えることに
なる。
り、３６Ｖ電源６からランプ４に至る電源ライン８や、
パワーＭＯＳＦＥＴ３側より接地側のＧＮＤライン９に
パルス的な電流が流れてしまう。その結果、例えば車載
ラジオ等の各種電装機器に不快なノイズを与えることに
なる。
【００１１】かかる事態を防止するため、電源ライン８
またはＧＮＤライン９等にインダクタ７を設置する。例
えば図２の例では、上述のように、電子ユニット１１内
部の共通グランド（接地端子Ａ：ＧＮＤ１）とパワーＭ
ＯＳＦＥＴ３のソース（バッテリ６のマイナス端子ＧＮ
Ｄ２）との間に、パワーＭＯＳＦＥＴ３のソースから断
続的に放出される大電流による影響を低減するためのイ
ンダクタ７が介装されている。このようにすることで、
図３に示した電子ユニット１１とバッテリ６のマイナス
端子ＧＮＤ２との間（即ち、図２中のＧＮＤライン９）
の電流のゆらぎを抑制することができる。
またはＧＮＤライン９等にインダクタ７を設置する。例
えば図２の例では、上述のように、電子ユニット１１内
部の共通グランド（接地端子Ａ：ＧＮＤ１）とパワーＭ
ＯＳＦＥＴ３のソース（バッテリ６のマイナス端子ＧＮ
Ｄ２）との間に、パワーＭＯＳＦＥＴ３のソースから断
続的に放出される大電流による影響を低減するためのイ
ンダクタ７が介装されている。このようにすることで、
図３に示した電子ユニット１１とバッテリ６のマイナス
端子ＧＮＤ２との間（即ち、図２中のＧＮＤライン９）
の電流のゆらぎを抑制することができる。
【００１２】しかしながら、かかる構成を採用する場
合、バッテリ６のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）と電子ユ
ニット１１内部の共通グランド（接地端子Ａ：ＧＮＤ
１）との間で、インダクタ７の起電力により生じた抵抗
により電位差が発生することになり、このため、Ｂ点が
Ａ点に対して高電位（グランド浮き）になることにな
る。そうすると、スイッチング素子（バイポーラトラン
ジスタ）２のエミッタの電位が増大してしまい、このス
イッチング素子２のベース／エミッタ比のレンジが狭く
なってしまうことから、マイクロコンピュータチップ１
からスイッチング素子２をオンするための信号が与えら
れても、これに基づいてスイッチング素子２が正常にオ
ンしない事態が生じかねない。
合、バッテリ６のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）と電子ユ
ニット１１内部の共通グランド（接地端子Ａ：ＧＮＤ
１）との間で、インダクタ７の起電力により生じた抵抗
により電位差が発生することになり、このため、Ｂ点が
Ａ点に対して高電位（グランド浮き）になることにな
る。そうすると、スイッチング素子（バイポーラトラン
ジスタ）２のエミッタの電位が増大してしまい、このス
イッチング素子２のベース／エミッタ比のレンジが狭く
なってしまうことから、マイクロコンピュータチップ１
からスイッチング素子２をオンするための信号が与えら
れても、これに基づいてスイッチング素子２が正常にオ
ンしない事態が生じかねない。
【００１３】特に、例えば図４のように、複数の電子ユ
ニット１１ａ，１１ｂ同士が自動車内に搭載されてＣＡ
Ｎ１３で通信を行う場合において、０Ｖをロー信号、４
Ｖをハイ信号とした信号をＣＡＮ１３上に流す際に、マ
イクロコンピュータチップ１からの制御がスイッチング
素子２に反映されない事態になると、予定したパワーＭ
ＯＳＦＥＴ３の正常なＰＷＭ制御を行うことが困難とな
り、通信エラーが発生するおそれがある。
ニット１１ａ，１１ｂ同士が自動車内に搭載されてＣＡ
Ｎ１３で通信を行う場合において、０Ｖをロー信号、４
Ｖをハイ信号とした信号をＣＡＮ１３上に流す際に、マ
イクロコンピュータチップ１からの制御がスイッチング
素子２に反映されない事態になると、予定したパワーＭ
ＯＳＦＥＴ３の正常なＰＷＭ制御を行うことが困難とな
り、通信エラーが発生するおそれがある。
【００１４】そこで、この発明の課題は、電子ユニット
とバッテリとの間の電流のゆらぎを抑制しつつ、通信障
害を併せて防止し得る車載電子回路を提供することにあ
る。
とバッテリとの間の電流のゆらぎを抑制しつつ、通信障
害を併せて防止し得る車載電子回路を提供することにあ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく、
請求項１に記載の発明は、所定のバッテリに接続された
負荷を駆動制御する車載電子回路であって、前記負荷と
前記バッテリのマイナス端子との間に接続される駆動ス
イッチング素子と、前記駆動スイッチング素子のオンオ
フ制御を行う制御部と、前記制御部と前記駆動スイッチ
ング素子との間で信号の伝達を司る信号伝達手段と、前
記負荷の駆動電流による前記制御部の影響を防止するよ
う、前記バッテリの前記マイナス端子と前記制御部の接
地端子との間に介装されたインダクタとを備え、前記信
号伝達手段が発光素子と受光素子とを備え、前記発光素
子及び受光素子との光学的結合により信号を伝達する光
学的信号伝達手段であり、前記発光素子が前記制御部の
接地端子側に接続され、前記受光素子が、前記バッテリ
の前記マイナス端子側に接続されるものである。
請求項１に記載の発明は、所定のバッテリに接続された
負荷を駆動制御する車載電子回路であって、前記負荷と
前記バッテリのマイナス端子との間に接続される駆動ス
イッチング素子と、前記駆動スイッチング素子のオンオ
フ制御を行う制御部と、前記制御部と前記駆動スイッチ
ング素子との間で信号の伝達を司る信号伝達手段と、前
記負荷の駆動電流による前記制御部の影響を防止するよ
う、前記バッテリの前記マイナス端子と前記制御部の接
地端子との間に介装されたインダクタとを備え、前記信
号伝達手段が発光素子と受光素子とを備え、前記発光素
子及び受光素子との光学的結合により信号を伝達する光
学的信号伝達手段であり、前記発光素子が前記制御部の
接地端子側に接続され、前記受光素子が、前記バッテリ
の前記マイナス端子側に接続されるものである。
【００１６】請求項２に記載の発明は、請求項１または
請求項３に記載の車載電子回路であって、前記光学的信
号伝達手段がフォトカプラである。
請求項３に記載の車載電子回路であって、前記光学的信
号伝達手段がフォトカプラである。
【００１７】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の車載電子回路であって、前記制御部がマイクロコンピ
ュータチップである。
の車載電子回路であって、前記制御部がマイクロコンピ
ュータチップである。
【００１８】請求項４に記載の発明は、請求項１または
請求項３に記載の車載電子回路であって、前記駆動スイ
ッチング素子がパワーＭＯＳＦＥＴである。
請求項３に記載の車載電子回路であって、前記駆動スイ
ッチング素子がパワーＭＯＳＦＥＴである。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の一の実施の形態
に係る車載電子回路を示す図である。この車載電子回路
は、図１の如く、マイクロコンピュータチップ（マイコ
ン：制御部）２１とパワーＭＯＳＦＥＴ（駆動スイッチ
ング素子）２２との間の信号伝達手段としてフォトカプ
ラ（光学的信号伝達手段）２３を用い、マイクロコンピ
ュータチップ２１側の共通グランド（接地端子Ａ：ＧＮ
Ｄ１）とパワーＭＯＳＦＥＴ２２が接続されるバッテリ
のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）との間に電位差が生じた
としても、この電位差によってフォトカプラ２３の動作
が影響を受けないようになっている。
に係る車載電子回路を示す図である。この車載電子回路
は、図１の如く、マイクロコンピュータチップ（マイコ
ン：制御部）２１とパワーＭＯＳＦＥＴ（駆動スイッチ
ング素子）２２との間の信号伝達手段としてフォトカプ
ラ（光学的信号伝達手段）２３を用い、マイクロコンピ
ュータチップ２１側の共通グランド（接地端子Ａ：ＧＮ
Ｄ１）とパワーＭＯＳＦＥＴ２２が接続されるバッテリ
のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）との間に電位差が生じた
としても、この電位差によってフォトカプラ２３の動作
が影響を受けないようになっている。
【００２０】即ち、この車載電子回路では、マイクロコ
ンピュータチップ２１がフォトカプラ２３を制御するこ
とでパワーＭＯＳＦＥＴ２２がオンオフ制御され、これ
により負荷としてのランプ２４のＰＷＭ制御が行われ
る。
ンピュータチップ２１がフォトカプラ２３を制御するこ
とでパワーＭＯＳＦＥＴ２２がオンオフ制御され、これ
により負荷としてのランプ２４のＰＷＭ制御が行われ
る。
【００２１】パワーＭＯＳＦＥＴ２２のドレインは、バ
ッテリとしての３６Ｖ電源２６に接続された負荷（ラン
プ）２４に接続され、同じくそのソースは、バッテリと
しての３６Ｖ電源２６のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）に
接続される。また、パワーＭＯＳＦＥＴ２２のゲート
は、プルアップ抵抗Ｒ1を介して１２Ｖ電源２７に接続
されるとともに、抵抗Ｒ2を介して３６Ｖ電源（バッテ
リ）２６のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）に接続される。
そして、プルアップ抵抗Ｒ1とパワーＭＯＳＦＥＴ２２
のゲートとの接続点が、フォトカプラ２３の受光素子
（ＮＰＮ型フォトトランジスタ）２３ｂのコレクタに接
続される。
ッテリとしての３６Ｖ電源２６に接続された負荷（ラン
プ）２４に接続され、同じくそのソースは、バッテリと
しての３６Ｖ電源２６のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）に
接続される。また、パワーＭＯＳＦＥＴ２２のゲート
は、プルアップ抵抗Ｒ1を介して１２Ｖ電源２７に接続
されるとともに、抵抗Ｒ2を介して３６Ｖ電源（バッテ
リ）２６のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）に接続される。
そして、プルアップ抵抗Ｒ1とパワーＭＯＳＦＥＴ２２
のゲートとの接続点が、フォトカプラ２３の受光素子
（ＮＰＮ型フォトトランジスタ）２３ｂのコレクタに接
続される。
【００２２】フォトカプラ２３の発光素子（発光ダイオ
ード）２３ａのアノードは、抵抗Ｒ 3を介してマイクロ
コンピュータチップ２１に接続され、同じくそのカソー
ドは、マイクロコンピュータチップ２１の共通グランド
（接地端子Ａ：ＧＮＤ１）に接続されている。
ード）２３ａのアノードは、抵抗Ｒ 3を介してマイクロ
コンピュータチップ２１に接続され、同じくそのカソー
ドは、マイクロコンピュータチップ２１の共通グランド
（接地端子Ａ：ＧＮＤ１）に接続されている。
【００２３】フォトカプラ２３の受光素子（ＮＰＮ型フ
ォトトランジスタ）２３ｂのコレクタは、１２Ｖ電源２
７に接続されたプルアップ抵抗Ｒ1とパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ２２のゲートとの接続点に接続され、また、受光素子
２３ｂのエミッタは、３６Ｖ電源（バッテリ）２６のマ
イナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）に接続されて、この受光素子
２３ｂがオフしたときに、パワーＭＯＳＦＥＴ２２のゲ
ートがハイ状態となって当該パワーＭＯＳＦＥＴ２２が
オンに切り替わるようになっている。
ォトトランジスタ）２３ｂのコレクタは、１２Ｖ電源２
７に接続されたプルアップ抵抗Ｒ1とパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ２２のゲートとの接続点に接続され、また、受光素子
２３ｂのエミッタは、３６Ｖ電源（バッテリ）２６のマ
イナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）に接続されて、この受光素子
２３ｂがオフしたときに、パワーＭＯＳＦＥＴ２２のゲ
ートがハイ状態となって当該パワーＭＯＳＦＥＴ２２が
オンに切り替わるようになっている。
【００２４】そして、マイクロコンピュータチップ２１
側の共通グランド（接地端子Ａ：ＧＮＤ１）と３６Ｖ電
源（バッテリ）２６のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）との
間には、パワーＭＯＳＦＥＴ２２のソースから断続的に
放出される大電流によるマイクロコンピュータチップ２
１の影響を低減するためのインダクタ２８が介装されて
いる。
側の共通グランド（接地端子Ａ：ＧＮＤ１）と３６Ｖ電
源（バッテリ）２６のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）との
間には、パワーＭＯＳＦＥＴ２２のソースから断続的に
放出される大電流によるマイクロコンピュータチップ２
１の影響を低減するためのインダクタ２８が介装されて
いる。
【００２５】上記構成の車載電子回路において、フォト
カプラ２３の受光素子２３ｂがオフのときは、パワーＭ
ＯＳＦＥＴ２２は１２Ｖ電源２７から抵抗Ｒ１を経て供
給されるゲート電圧によりオン状態になっており、３６
Ｖ電源（バッテリ）２６からの駆動電流が負荷（ラン
プ）２４に流れて駆動している状態となっている。
カプラ２３の受光素子２３ｂがオフのときは、パワーＭ
ＯＳＦＥＴ２２は１２Ｖ電源２７から抵抗Ｒ１を経て供
給されるゲート電圧によりオン状態になっており、３６
Ｖ電源（バッテリ）２６からの駆動電流が負荷（ラン
プ）２４に流れて駆動している状態となっている。
【００２６】ここで、マイクロコンピュータチップ２１
が、抵抗Ｒ3を通じてフォトカプラ２３の発光素子２３
ａに信号を出力すると、発光素子２３ａが発光し、この
光により受光素子２３ｂがオンに切り替わる。そうする
と、その時点までプルアップ抵抗Ｒ1とこれに直列に接
続された分圧抵抗Ｒ2によりハイ状態に保たれていたパ
ワーＭＯＳＦＥＴ２２のゲートがロー状態に切り替わ
り、このパワーＭＯＳＦＥＴ２２がオフ状態に切り替わ
って、３６Ｖ電源（バッテリ）２６からの駆動電流が遮
断されて、負荷（ランプ）２４が非駆動状態になる。
が、抵抗Ｒ3を通じてフォトカプラ２３の発光素子２３
ａに信号を出力すると、発光素子２３ａが発光し、この
光により受光素子２３ｂがオンに切り替わる。そうする
と、その時点までプルアップ抵抗Ｒ1とこれに直列に接
続された分圧抵抗Ｒ2によりハイ状態に保たれていたパ
ワーＭＯＳＦＥＴ２２のゲートがロー状態に切り替わ
り、このパワーＭＯＳＦＥＴ２２がオフ状態に切り替わ
って、３６Ｖ電源（バッテリ）２６からの駆動電流が遮
断されて、負荷（ランプ）２４が非駆動状態になる。
【００２７】このようにして、マイクロコンピュータチ
ップ２１がフォトカプラ２３のオンオフを繰り返すこと
で、負荷（ランプ）２４のＰＷＭ制御を行うことが可能
となる。
ップ２１がフォトカプラ２３のオンオフを繰り返すこと
で、負荷（ランプ）２４のＰＷＭ制御を行うことが可能
となる。
【００２８】ところで、負荷（ランプ）２４に流れる電
流は、マイクロコンピュータチップ２１に必要な電流に
比べて大電流であるが、マイクロコンピュータチップ２
１側の共通グランド（接地端子Ａ：ＧＮＤ１）と３６Ｖ
電源（バッテリ）２６のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）と
の間にインダクタ２８が設けられているので、パワーＭ
ＯＳＦＥＴ２２のソースから断続的に放出される大電流
によってマイクロコンピュータチップ２１が影響を受け
るのを防止でき、電子ユニット（パワーＭＯＳＦＥＴ２
２のソース側）とバッテリ２６との間の電流のゆらぎを
抑制できる。
流は、マイクロコンピュータチップ２１に必要な電流に
比べて大電流であるが、マイクロコンピュータチップ２
１側の共通グランド（接地端子Ａ：ＧＮＤ１）と３６Ｖ
電源（バッテリ）２６のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）と
の間にインダクタ２８が設けられているので、パワーＭ
ＯＳＦＥＴ２２のソースから断続的に放出される大電流
によってマイクロコンピュータチップ２１が影響を受け
るのを防止でき、電子ユニット（パワーＭＯＳＦＥＴ２
２のソース側）とバッテリ２６との間の電流のゆらぎを
抑制できる。
【００２９】ここで、インダクタ２８の起電力により生
じた抵抗によりその両側に電位差が発生し、Ｂ点がＡ点
に対して高電位（グランド浮き）になることが問題とな
る。
じた抵抗によりその両側に電位差が発生し、Ｂ点がＡ点
に対して高電位（グランド浮き）になることが問題とな
る。
【００３０】しかしながら、この実施の形態では、フォ
トカプラ２３の受光素子２３ｂが、３６Ｖ電源（バッテ
リ）２６のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）側、即ち、パワ
ーＭＯＳＦＥＴ２２のＧＮＤライン２９側に接続される
一方、フォトカプラ２３の発光素子２３ａが、マイクロ
コンピュータチップ２１の共通グランドＡ（ＧＮＤ１）
側に接続されているので、このフォトカプラ２３の発光
素子２３ａの発光駆動が、インダクタ２８に起因するＢ
点でのグランド浮きの影響を受けるのを容易に防止でき
る。
トカプラ２３の受光素子２３ｂが、３６Ｖ電源（バッテ
リ）２６のマイナス端子Ｂ（ＧＮＤ２）側、即ち、パワ
ーＭＯＳＦＥＴ２２のＧＮＤライン２９側に接続される
一方、フォトカプラ２３の発光素子２３ａが、マイクロ
コンピュータチップ２１の共通グランドＡ（ＧＮＤ１）
側に接続されているので、このフォトカプラ２３の発光
素子２３ａの発光駆動が、インダクタ２８に起因するＢ
点でのグランド浮きの影響を受けるのを容易に防止でき
る。
【００３１】したがって、電子ユニットとバッテリとの
間の電流のゆらぎを抑制しつつも、従来問題となってい
た通信障害を併せて防止することができる。
間の電流のゆらぎを抑制しつつも、従来問題となってい
た通信障害を併せて防止することができる。
【００３２】尚、この実施の形態では、制御部としての
マイクロコンピュータチップ２１とパワーＭＯＳＦＥＴ
２２との信号伝達手段としてフォトカプラ２３を使用し
ているが、制御部として、例えばＣＡＮやＬＩＮでの通
信経路による通信制御手段を適用し、この通信制御手段
とパワーＭＯＳＦＥＴ２２との間の信号伝達手段として
フォトカプラ２３を使用してもよい。
マイクロコンピュータチップ２１とパワーＭＯＳＦＥＴ
２２との信号伝達手段としてフォトカプラ２３を使用し
ているが、制御部として、例えばＣＡＮやＬＩＮでの通
信経路による通信制御手段を適用し、この通信制御手段
とパワーＭＯＳＦＥＴ２２との間の信号伝達手段として
フォトカプラ２３を使用してもよい。
【００３３】また、上記実施の形態ではフォトカプラ２
３を使用していたが、フォトＭＯＳＦＥＴリレー等、発
光素子と受光素子との光学的結合により信号を伝達する
光学的信号伝達手段であれば、どのようなものを使用し
てもよい。
３を使用していたが、フォトＭＯＳＦＥＴリレー等、発
光素子と受光素子との光学的結合により信号を伝達する
光学的信号伝達手段であれば、どのようなものを使用し
てもよい。
【００３４】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、負荷と
バッテリのマイナス端子との間に接続される駆動スイッ
チング素子（例えば請求項４におけるパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ）と、駆動スイッチング素子のオンオフ制御を行う制
御部（例えば請求項３におけるマイクロコンピュータチ
ップ）と、制御部と駆動スイッチング素子との間で信号
の伝達を司る信号伝達手段と、負荷の駆動電流による制
御部の影響を防止するよう、バッテリのマイナス端子と
制御部の接地端子との間に介装されたインダクタとを備
え、信号伝達手段が発光素子と受光素子とを備え、発光
素子及び受光素子との光学的結合により信号を伝達する
光学的信号伝達手段（例えば請求項２におけるフォトカ
プラ）であり、発光素子が制御部の接地端子側に接続さ
れ、受光素子が、バッテリのマイナス端子側に接続され
ているので、光学的信号伝達手段の発光素子の発光駆動
が、インダクタに起因するバッテリのマイナス端子側で
のグランド浮きの影響を受けるのを容易に防止できる。
したがって、電子ユニットとバッテリとの間の電流のゆ
らぎを抑制しつつも、従来問題となっていた通信障害を
併せて防止することができる。
バッテリのマイナス端子との間に接続される駆動スイッ
チング素子（例えば請求項４におけるパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ）と、駆動スイッチング素子のオンオフ制御を行う制
御部（例えば請求項３におけるマイクロコンピュータチ
ップ）と、制御部と駆動スイッチング素子との間で信号
の伝達を司る信号伝達手段と、負荷の駆動電流による制
御部の影響を防止するよう、バッテリのマイナス端子と
制御部の接地端子との間に介装されたインダクタとを備
え、信号伝達手段が発光素子と受光素子とを備え、発光
素子及び受光素子との光学的結合により信号を伝達する
光学的信号伝達手段（例えば請求項２におけるフォトカ
プラ）であり、発光素子が制御部の接地端子側に接続さ
れ、受光素子が、バッテリのマイナス端子側に接続され
ているので、光学的信号伝達手段の発光素子の発光駆動
が、インダクタに起因するバッテリのマイナス端子側で
のグランド浮きの影響を受けるのを容易に防止できる。
したがって、電子ユニットとバッテリとの間の電流のゆ
らぎを抑制しつつも、従来問題となっていた通信障害を
併せて防止することができる。
【図１】この発明の一の実施の形態に係る車載電子回路
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図２】従来の車載電子回路を示す回路ブロック図であ
る。
る。
【図３】一般的なバッテリと負荷と電子ユニットとの接
続関係を示すブロック図である。
続関係を示すブロック図である。
【図４】複数の電子ユニットが通信可能に接続された状
態を示すブロック図である。
態を示すブロック図である。
２１ マイクロコンピュータチップ
２２ パワーＭＯＳＦＥＴ
２３ フォトカプラ
２３ａ 発光素子
２３ｂ 受光素子
２４ 負荷（ランプ）
２６ ３６Ｖ電源（バッテリ）
２７ １２Ｖ電源
２８ インダクタ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 水野 史章
愛知県名古屋市南区菊住１丁目７番10号
株式会社オートネットワーク技術研究所内
Ｆターム(参考） 3K039 AA08
5G003 BA01 DA02 FA06 FA08 GA01
GA10 GC05
5H420 BB04 BB13 CC02 DD02 EA14
EB04 EB37 LL09
5H730 AA02 AS11 BB11 DD04 FF19
FG01
Claims (4)
- 【請求項１】 所定のバッテリに接続された負荷を駆動
制御する車載電子回路であって、 前記負荷と前記バッテリのマイナス端子との間に接続さ
れる駆動スイッチング素子と、 前記駆動スイッチング素子のオンオフ制御を行う制御部
と、 前記制御部と前記駆動スイッチング素子との間で信号の
伝達を司る信号伝達手段と、 前記負荷の駆動電流による前記制御部の影響を防止する
よう、前記バッテリの前記マイナス端子と前記制御部の
接地端子との間に介装されたインダクタとを備え、 前記信号伝達手段が発光素子と受光素子とを備え、前記
発光素子及び受光素子との光学的結合により信号を伝達
する光学的信号伝達手段であり、 前記発光素子が前記制御部の接地端子側に接続され、 前記受光素子が、前記バッテリの前記マイナス端子側に
接続されることを特徴とする車載電子回路。 - 【請求項２】 請求項１に記載の車載電子回路であっ
て、 前記光学的信号伝達手段がフォトカプラであることを特
徴とする車載電子回路。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の車載電
子回路であって、 前記制御部がマイクロコンピュータチップであることを
特徴とする車載電子回路。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の車載電子回路であって、 前記駆動スイッチング素子がパワーＭＯＳＦＥＴである
ことを特徴とする車載電子回路。
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|---|---|---|---|
| JP2001352854A JP2003154903A (ja) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | 車載電子回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001352854A JP2003154903A (ja) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | 車載電子回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003154903A true JP2003154903A (ja) | 2003-05-27 |
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ID=19164974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001352854A Pending JP2003154903A (ja) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | 車載電子回路 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2003154903A (ja) |
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-
2001
- 2001-11-19 JP JP2001352854A patent/JP2003154903A/ja active Pending
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