JP2003146982A - ２−ヒドロキシメチル−４−オキソ−１，３−ジオキソラン誘導体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】医薬中間体として重要な２−ヒドロキシメチル
−４−オキソ−１，３−ジオキソラン誘導体の工業的に
適した方法により製造する方法を提供する。 【解決手段】安定性のあるヒドロキシアセトアルデヒド
類の等価体としてヒドロキシアセトアルデヒド ジアル
キルアセタール類を出発原料とし、これとグリコール酸
もしくはその誘導体を酸性条件で反応させることによ
り、２−ヒドロキシメチル−４−オキソ−１，３−ジオ
キソラン誘導体を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】ジオキソラン骨格を有する非
天然型ヌクレオシドは、抗ウイルス性、制癌性、免疫調
節性、抗生物質活性を有する重要な化合物であることが
知られている。本発明は、これらの中間体となりうる２
−ヒドロキシメチル−４−オキソ−１，３−ジオキソラ
ン誘導体の製造法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】２−ヒドロキシメチル−４−オキソ−
１，３−ジオキソラン誘導体の合成は、Bioorg.Med.Che
m.Lett.(1993),3(2),169等に例示されているように、ヒ
ドロキシアセトアルデヒド類を出発原料としている。し
かしながら、Synthesis (1993),11,1089に記載されてい
るように、ヒドロキシアセトアルデヒド類の中には不安
定なものが多い。そのために、工業的なスケールでの製
造に支障を来たすことが予測される。このような理由か
ら、安定性のあるヒドロキシアセトアルデヒド類の等価
体を利用した反応が解決手段の一つとなりうるが、その
ような手段は知られていない。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】安定性のあるヒドロキ
シアセトアルデヒド類の等価体として、ヒドロキシアセ
トアルデヒド ジアルキルアセタール類が挙げられる。
本発明の課題は、この等価体を出発原料とすることによ
り、２−ヒドロキシメチル−４−オキソ−１，３−ジオ
キソラン誘導体の製造を達成し、工業的製造法として適
したものを提供することである。

【０００４】

【課題を解決する手段】以上の課題を克服すべく鋭意検
討を行った結果、ヒドロキシアセトアルデヒドジアルキ
ルアセタール類とグリコール酸もしくはその誘導体を酸
性条件で反応させることにより、２−ヒドロキシメチル
−４−オキソ−１，３−ジオキソラン誘導体の合成が可
能になることを見出した。

【０００５】このような方法は、アルデヒドよりも安定
性のあるアセタールを使用しているので、操作性に優
れ、工業的製法に適している。また、この方法で得られ
た２−（４−ニトロベンゾイルオキシメチル）−４−オ
キソ−１，３−ジオキソランは、リチウム トリ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシアルミニウムヒドリド等の還元剤、無水
酢酸等のアセチル化剤と反応させることによって、２−
（４−ニトロベンゾイルオキシメチル）−４−アセトキ
シ−１，３−ジオキソランに変換できるので、医薬品中
間体として用いることができる。

【０００６】すなわち、本発明は以下のとおりである。 ［１］ 一般式（１）［化７］

【０００７】

【化７】

【０００８】(式中、Ｘは水酸基の保護基、Ｙは低級ア
ルキル基を示す。)と一般式（２）［化８］

【０００９】

【化８】

【００１０】（式中、Ｚは水素もしくはシリル基を示
す。）を酸の存在下で反応させて、一般式（３）［化
９］

【００１１】

【化９】

【００１２】(式中、Ｘは前記と同様。)を得る製造法。 ［２］水酸基の保護基がアシル基、アラルキル基、４−
ニトロベンゾイル基もしくはベンジル基である［1］の
製造法。 ［３］酸がルイス酸である［１］又は［２］の製造法。 ［４］ルイス酸がトリフルオロメタンスルホン酸トリメ
チルシリルもしくはボロントリフルオリド ジエチルエ
ーテル コンプレックスである［３］の製造法。 ［５］一般式（１）（化１０）

【００１３】

【化１０】

【００１４】（式中、Ｘは４−ニトロベンゾイル基であ
る）で表される化合物。 ［６］一般式（３）（化１１）

【００１５】

【化１１】

【００１６】（式中、Ｘは無置換もしくは置換された芳
香族アシル基、無置換もしくは置換されたアラルキル
基、４−ニトロベンゾイル基又はベンジル基である）で
表される化合物。 ［７］一般式（１）（化１２）

【００１７】

【化１２】

【００１８】（Ｘは４−ニトロベンゾイル基である）で
表されるの化合物を還元剤又はアセチル化剤と反応させ
て、２−（４−ニトロベンゾイルオキシメチル）−４−
アセトキシ−１，３−ジオキソランを得る製造法。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の原料は、一般式（１）
［化１３］

【００２０】

【化１３】

【００２１】(式中、Ｘは水酸基の保護基、Ｙは低級ア
ルキル基を示す。)で表される。Ｘで示される水酸基の
保護基における保護基とは、加水素分解、加水分解、光
分解のような化学的方法によって除去される保護基を指
す。そのような基としては、ホルミル基、アシル基、シ
リル基、アルキル基、アラルキル基、カルボニル基があ
り、中でも好ましくは、ホルミル基、脂肪族アシル基、
芳香族アシル基、シリル基、アルコキシアルキル基、ハ
ロゲン化アルキル基、アラルキル基、アルコキシカルボ
ニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる脂
肪族アシル基としては、アルキルカルボニル基またはハ
ロゲン置換された低級アルキルカルボニル基が挙げられ
る。

【００２２】上記のアルキルカルボニル基の具体例とし
て、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブ
チリル基、ペンタノイル基、ピバロイル基、バレリル
基、イソバレリル基、オクタノイル基、ノニルカルボニ
ル基、デシルカルボニル基、３−メチルノニルカルボニ
ル基、８−メチルノニルカルボニル基、３−エチルオク
チルカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルカルボニ
ル基、ウンデシルカルボニル基、ドデシルカルボニル
基、トリデシルカルボニル基、テトラデシルカルボニル
基、ペンタデシルカルボニル基、ヘキサデシルカルボニ
ル基、１−メチルペンタデシルカルボニル基、１４−メ
チルペンタデシルカルボニル基、１３，１３−ジメチル
テトラデシルカルボニル基、ヘプタデシルカルボニル
基、１５−メチルヘキサデシルカルボニル基、オクタデ
シルカルボニル基などを例示することができる。

【００２３】また、ハロゲン置換された低級アルキルカ
ルボニル基の具体例として、クロロアセチル基、ジクロ
ロアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロア
セチル基などを例示することができる。

【００２４】芳香族アシル基としては、アリールカルボ
ニル基、また置換芳香族アシル基としてハロゲン置換さ
れたアリールカルボニル基、低級アルキル化アリールカ
ルボニル基、低級アルコキシアリールカルボニル基、ニ
トロ化アリールカルボニル基、低級アルコキシカルボニ
ル化アリールカルボニル基、アリール化アリールカルボ
ニル基を挙げることができる。

【００２５】上記のアリールカルボニル基の具体例とし
て、ベンゾイル基、α−ナフトイル基、β−ナフトイル
基などを例示することができる。

【００２６】また、ハロゲン置換されたアリールカルボ
ニル基の具体例として、２−フルオロベンゾイル基、３
−フルオロベンゾイル基、４−フルオロベンゾイル基、
２−クロロベンゾイル基、３−クロロベンゾイル基、４
−クロロベンゾイル基、２−ブロモベンゾイル基、３−
ブロモベンゾイル基、４−ブロモベンゾイル基、２，４
−ジクロロベンゾイル基、２，６−ジクロロベンゾイル
基、３，４−ジクロロベンゾイル基、３，５−ジクロロ
ベンゾイル基などを例示することができる。

【００２７】また、低級アルキル化アリールカルボニル
基の具体例として、２−トルオイル基、３−トルオイル
基、４−トルオイル基、２，４，６−トリメチルベンゾ
イル基などを例示することができる。

【００２８】さらに、低級アルコキシアリールカルボニ
ル基の具体例として、２−アニソイル基、３−アニソイ
ル基、４−アニソイル基などを例示することができる。

【００２９】ニトロ化アリールカルボニル基の具体例と
して、２−ニトロベンゾイル基、３−ニトロベンゾイル
基、４−ニトロベンゾイル基、３，５−ジニトロベンゾ
イル基などを例示することができる。

【００３０】さらに、低級アルコキシカルボニル化アリ
ールカルボニル基の具体例として、２−（メトキシカル
ボニル）ベンゾイル基などを例示することができる。

【００３１】アリール化アリールカルボニル基の具体例
として、４−フェニルベンゾイル基などを例示すること
ができる。

【００３２】シリル基としては、低級アルキルシリル
基、アリール基で置換された低級アルキルシリル基を挙
げることができる。

【００３３】低級アルキルシリル基の具体例として、ト
リメチルシリル基、トリエチルシリル基、イソプロピル
ジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル
基、メチルジイソプロピルシリル基、トリイソプロピル
シリル基を例示することができる。

【００３４】アリール基で置換された低級アルキルシリ
ル基の具体例として、ジフェニルメチルシリル基、ジフ
ェニルイソプロピルシリル基、フェニルジイソプロピル
シリル基などを例示することができる。

【００３５】アラルキル基としては、低級アルキル基で
置換されたアラルキル基、低級アルコキシ基で置換され
たアラルキル基、ニトロ基で置換されたアラルキル基、
ハロゲン置換されたアラルキル基、シアノ基で置換され
たアラルキル基を挙げることができる。

【００３６】これらの具体的な基を例示すると、２−メ
チルベンジル基、３−メチルベンジル基、４−メチルベ
ンジル基、２，４，６−トリメチルベンジル基、２−メ
トキシベンジル基、３−メトキシベンジル基、４−メト
キシベンジル基、２−ニトロベンジル基、３−ニトロベ
ンジル基、４−ニトロベンジル基、２−クロロベンジル
基、３−クロロベンジル基、４−クロロベンジル基、２
−ブロモベンジル基、３−ブロモベンジル基、４−ブロ
モベンジル基、２−シアノベンジル基、３−シアノベン
ジル基、４−シアノベンジル基などが挙げられる。

【００３７】アラルキルオキシカルボニル基としては、
低級アルキル基で置換されたアラルキルオキシカルボニ
ル基、低級アルコキシ基で置換されたアラルキルオキシ
カルボニル基、ニトロ基で置換されたアラルキルオキシ
カルボニル基、ハロゲン置換されたアラルキルオキシカ
ルボニル基、シアノ基で置換されたアラルキルオキシカ
ルボニル基を挙げることができる。

【００３８】これらの具体例として、２−メチルベンジ
ルオキシカルボニル基、３−メチルベンジルオキシカル
ボニル基、４−メチルベンジルオキシカルボニル基、
２，４，６−トリメチルベンジルオキシカルボニル基、
２−メトキシベンジルオキシカルボニル基、３−メトキ
シベンジルオキシカルボニル基、４−メトキシベンジル
オキシカルボニル基、２−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル基、３−ニトロベンジルオキシカルボニル基、４−
ニトロベンジルオキシカルボニル基、２−クロロベンジ
ルオキシカルボニル基、３−クロロベンジルオキシカル
ボニル基、４−クロロベンジルオキシカルボニル基、２
−ブロモベンジルオキシカルボニル基、３−ブロモベン
ジルオキシカルボニル基、４−ブロモベンジルオキシカ
ルボニル基、２−シアノベンジルオキシカルボニル基、
３−シアノベンジルオキシカルボニル基、４−シアノベ
ンジルオキシカルボニル基などを挙げることができる。

【００３９】アルコキシカルボニル基としては、低級ア
ルコキシカルボニル基、ハロゲン置換されたアルコキシ
カルボニル化合物、アルキルシリル基で置換されたアル
コキシカルボニル基を挙げることができる。

【００４０】低級アルコキシカルボニル基の具体例とし
て、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プ
ロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ
−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル基などを例示することができる。

【００４１】ハロゲン置換されたアルコキシカルボニル
基の具体例として、２，２，２−トリクロロエトキシカ
ルボニル基を、低級アルキルシリル基で置換されたアル
コキシカルボニル基の具体例として、２−トリメチルシ
リルエトキシカルボニル基などを例示することができ
る。

【００４２】アルキル基としては、メトキシメチル基、
エトキシメチル基、２−メトキシエチル基、２−メトキ
シエトキシメチル基のようなアルコキシアルキル基、
２，２，２−トリクロロエチル基のようなハロゲン化ア
ルキル基、ベンジル基、α−ナフチルメチル基、β−ナ
フチルメチル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメ
チル基のようなアリール基で置換された低級アルキル基
が挙げられる。

【００４３】これらの中で、好ましくは芳香族アシル基
とアラルキル基であり、さらに好ましくは、４−ニトロ
ベンゾイル基とベンジル基である。

【００４４】Ｙにおける低級アルキル基とは、１〜４の
炭素数のものを示す。低級アルキル基の具体例として、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、イソブチル基を示す。好ましくは、メチル基と
エチル基である。

【００４５】Ｘがアルキル基の場合、J.Am.Chem.Soc.(1
955),77,6391に記載のベンジルオキシアセトアルデヒド
ジメチルアセタールの如く、相当する金属アルコキサ
イドとハロゲン化アセトアルデヒド ジアルキルアセタ
ールから合成できる。

【００４６】Ｘがアシル基の場合は、相当するハロゲン
化アシルとヒドロキシアセトアルデヒド ジアルキルア
セタールを、適当な塩基存在下で反応させることによっ
て得ることができる。もう一方の原料は、一般式（２）
［化１４］

【００４７】

【化１４】

【００４８】（式中、Ｚは水素もしくはシリル基を示
す。）で表されるものを使用することができる。

【００４９】シリル基としては、低級アルキルシリル
基、アリール基で置換された低級アルキルシリル基を挙
げることができる。

【００５０】低級アルキルシリル基の具体例として、ト
リメチルシリル基、トリエチルシリル基、イソプロピル
ジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル
基、メチルジイソプロピルシリル基、トリイソプロピル
シリル基を例示することができる。

【００５１】アリール基で置換された低級アルキルシリ
ル基の具体例として、ジフェニルメチルシリル基、ジフ
ェニルイソプロピルシリル基、フェニルジイソプロピル
シリル基などを例示することができる。これらの中で、
好ましくはトリメチルシリル基である。

【００５２】使用される一般式（２）の当量は、一般式
（１）に対して１．０当量以上であれば制限はない。経
済観点から、１．０〜３．０当量が好ましい。

【００５３】使用する酸は必須であり、その量は限定さ
れない。経済的観点より、一般式（１）に対して３当量
以下が好ましい。

【００５４】また、転化率が充分でない場合、減圧下で
反応を行うことによって転化率を向上することができ
る。

【００５５】反応溶媒は、非プロトン性溶媒であれば限
定されることはないが、芳香族系溶媒、ハロゲン系溶
媒、エーテル系溶媒、ニトリル系溶媒が好ましい。芳香
族系溶媒としては、１，２，４−トリクロロベンゼン、
ｏ−ジクロロベンゼン、クロロベンゼン、アニソール、
トルエン等を例示することができる。ハロゲン系溶媒と
しては、クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン等
を例示することができる。エーテル系溶媒としては、イ
ソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等を例示することができる。ニトリ
ル系溶媒としては、アセトニトリルを例示することがで
きる。さらに好ましくは、テトラヒドロフラン、アセト
ニトリルである。

【００５６】反応温度は、−１０℃以上溶媒の沸点以下
である。

【００５７】この方法で得られた新規な化合物である２
−（４−ニトロベンゾイルオキシメチル）−４−オキソ
−１，３−ジオキソラン（以下、化合物（Ｉ）と称す
る）は、還元剤、アセチル化剤を使用することによっ
て、２−（４−ニトロベンゾイルオキシメチル）−４−
アセトキシ−１，３−ジオキソランに変換できる。

【００５８】還元剤としては、リチウム トリ−ｔｅｒ
ｔ−ブトキシアルミニウムヒドリド等が挙げられる。使
用する還元剤の当量は、化合物（Ｉ）に対して１．０〜
１．２当量が好ましい。アセチル化剤としては無水酢酸
等が挙げられる。その際に、アセチル化を効率的に行う
ために、４−ジメチルアミノピリジンを加えることがで
きる。使用するアセチル化剤の当量は、化合物（Ｉ）に
対して１．０〜２０．０当量が好ましい。また、４−ジ
メチルアミノピリジンは、化合物（Ｉ）に対して１．０
当量以下が好ましい。

【００５９】

【実施例】以下に実施例により、本発明を更に詳細に示
すが、本発明はこれらに限定されるものではない。 ［実施例１］４−ニトロベンゾイルオキシアセトアルデ
ヒド ジメチルアセタールの合成［化１５］

【００６０】

【化１５】

【００６１】窒素気流下、グリコアルデヒド ジメチル
アセタール ２４．０ｇとピリジン１８．３ｍｌを乾燥
テトラヒドロフラン５００ｍｌに溶解させて、４−ニト
ロベンゾイルクロリド ３８．２ｇを氷冷下で加えた。
その後、室温にて終夜攪拌を行った。析出物を除去した
後に、濾液を減圧濃縮した。残渣をカラムクロマトグラ
フィーにて精製して、淡黄色固体である表題の化合物を
４７．０ｇ（収率９０％）で得た。

【００６２】^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ３．４６
（６Ｈ，ｓ）， ４．４０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．３７Ｈ
ｚ）， ４．７４（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝５．３７Ｈｚ），
８．２３（２Ｈ，ｍ）， ８．３０（２Ｈ，ｍ）． 融点 ７６．３−７８．０℃

【００６３】［実施例２］２−（ベンジルオキシメチ
ル）−４−オキソ−１，３−ジオキソランの合成［化１
６］

【００６４】

【化１６】

【００６５】窒素気流下、ベンジルオキシアセトアルデ
ヒド ジメチルアセタール １０．０ｇとグリコール酸
４．２６ｇをアセトニトリル１００ｍｌに溶解させ
て、ボロントリフルオリド ジエチルエーテル コンプ
レックス １８．０８ｇを滴下して室温で２時間反応し
た。その後、氷冷水２００ｍｌを加えて、酢酸エチル２
００ｍｌで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液２００ｍｌ、飽和食塩水２００ｍｌの順で洗浄
し、硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムを除去
した後に、有機層を減圧下で濃縮し、カラムクロマトグ
ラフィーにて精製した。油状物質である表題の化合物が
７．４６ｇ（収率７０％）で得られた。

【００６６】^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ３．７１
（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝２．６３Ｈｚ），４．２４（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝１４．７６Ｈｚ）， ４．４０（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝０．７３， １４．７６Ｈｚ）， ４．６１（２
Ｈ，ｓ）， ５．７６（１Ｈ，ｍ）， ７．２−７．４
（５Ｈ，ｍ）．

【００６７】［実施例３］２−（４−ニトロベンゾイル
オキシメチル）−４−オキソ−１，３−ジオキソランの
合成 その１［化１７］

【００６８】

【化１７】

【００６９】窒素気流下、４−ニトロベンゾイルオキシ
アセトアルデヒド ジメチルアセタール ２．０ｇ、グ
リコール酸 ６５６ｍｇ（１．１当量）をアセトニトリ
ル２０ｍｌに溶解し、これにボロントリフルオリド ジ
エチルエーテル コンプレックス １．９９ｍｌ（２．
０当量）を加えて3時間反応した。その後、水４０ｍｌ
を加えて、酢酸エチル２０ｍｌで抽出した。有機層を、
飽和炭酸水素ナトリウム４０ｍｌ、飽和食塩水４０ｍｌ
の順に洗浄した。減圧濃縮後、エタノール１０ｍｌで洗
浄し、表題の化合物を白色固体として１．６６ｇ（収率
７９％）得た。

【００７０】^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） ４．３２−
４．４２（２Ｈ，ｍ）， ４．６２（２Ｈ，ｄ，Ｊ ＝
３．１７Ｈｚ）， ５．９７（１Ｈ，ｔ，Ｊ ＝ ３．１
７Ｈｚ）， ８．２２（２Ｈ，ｍ）， ８．３３（２
Ｈ，ｍ）． 融点 ９５．２−９６．２℃

【００７１】［実施例４］２−（４−ニトロベンゾイル
オキシメチル）−４−オキソ−１，３−ジオキソランの
合成 その２ 実施例３のボロントリフルオリド ジエチルエーテル
コンプレックスを２．５当量にする以外は同様に反応を
行った。ＨＰＬＣにて観測すると反応収率は８９％であ
った。

【００７２】［実施例５］２−（４−ニトロベンゾイル
オキシメチル）−４−オキソ−１，３−ジオキソランの
合成 その３ 実施例３のボロントリフルオリド ジエチルエーテル
コンプレックスを３．０当量にする以外は同様に反応を
行った。ＨＰＬＣにて観測すると反応収率は９０％であ
った。

【００７３】［実施例６］２−（４−ニトロベンゾイル
オキシメチル）−４−オキソ−１，３−ジオキソランの
合成 その４ 実施例３のボロントリフルオリド ジエチルエーテル
コンプレックスを１．０当量にする以外は同様に反応を
行った。ＨＰＬＣにて観測すると転化率は７４％で反応
収率は４８％であった。

【００７４】［実施例７］２−（４−ニトロベンゾイル
オキシメチル）−４−オキソ−１，３−ジオキソランの
合成 その５ 実施例６の反応を減圧下で行った。ＨＰＬＣにて観測す
ると転化率は８２％で反応収率は５６％であった。

【００７５】［実施例８］２−（４−ニトロベンゾイル
オキシメチル）−４−オキソ−１，３−ジオキソランの
合成 その６［化１８］

【００７６】

【化１８】

【００７７】窒素気流下、４−ニトロベンゾイルオキシ
アセトアルデヒド ジメチルアセタール ０．５ｇ、ト
リメチルシロキシ酢酸トリメチルシリル ５２７μｌ
（２．５当量）をアセトニトリル５ｍｌに溶解し、これ
にボロントリフルオリド ジエチルエーテル コンプレ
ックス ６２１μｌ（２．５当量）を加えて3時間反応
した。ＨＰＬＣにて観測すると転化率９９．９％で反応
収率３１％であった。

【００７８】［実施例９］２−（４−ニトロベンゾイル
オキシメチル）−４−オキソ−１，３−ジオキソランの
合成 その７ 実施例８のボロントリフルオリド ジエチルエーテル
コンプレックスをトリフルオロメタンスルホン酸トリメ
チルシリルにする以外には同様に反応を行った。転化率
７９％で反応収率４５％であった。

【００７９】［実施例１０］２−（４−ニトロベンゾイ
ルオキシメチル）−４−アセトキシ−１，３−ジオキソ
ランの合成［化１９］

【００８０】

【化１９】

【００８１】２−（４−ニトロベンゾイルオキシメチ
ル）−４−オキソ−１，３−ジオキソラン ２００ｍｇ
を乾燥テトラヒドロフラン ６ｍｌに溶解し、氷冷下で
１Ｍのリチウム トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルミニウ
ムヒドリド ７６０μｌを滴下して３時間反応した。そ
の後、無水酢酸７０６μｌを加えて、室温で終夜反応し
た。これに硫酸ナトリウム水溶液を加えて析出物を除去
し、濾液を減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグ
ラフィーにて精製して表題の化合物を５７ｍｇ（収率４
９％）得た。１Ｈ ＮＭＲより生成物のｔｒａｎｓ／ｃ
ｉｓ比が６１／３９であった。

【００８２】

【発明の効果】本発明によるとアルデヒドよりも安定性
のあるアセタールを使用して、２−ヒドロキシメチル−
４−オキソ−１，３−ジオキソラン誘導体の合成が可能
となった。このような方法は、工業的製法に適してい
る。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１）［化１］ 【化１】 (式中、Ｘは水酸基の保護基、Ｙは低級アルキル基を示
   す。)と一般式（２）［化２］ 【化２】 （式中、Ｚは水素もしくはシリル基を示す。）を酸の存
   在下で反応させて、一般式（３）［化３］ 【化３】 (式中、Ｘは前記と同様。)を得る製造法。
2. 【請求項２】水酸基の保護基がアシル基、アラルキル
   基、４−ニトロベンゾイル基もしくはベンジル基である
   請求項１の製造法。
3. 【請求項３】酸がルイス酸である請求項１又は２の製造
   法。
4. 【請求項４】ルイス酸がトリフルオロメタンスルホン酸
   トリメチルシリルもしくはボロントリフルオリド ジエ
   チルエーテル コンプレックスである請求項３の製造
   法。
5. 【請求項５】一般式（１）（化４） 【化４】 （式中、Ｘは４−ニトロベンゾイル基である）で表され
   る化合物。
6. 【請求項６】一般式（３）（化５） 【化５】 （式中、Ｘは無置換もしくは置換された芳香族アシル
   基、無置換もしくは置換されたアラルキル基、４−ニト
   ロベンゾイル基又はベンジル基である）で表される化合
   物。
7. 【請求項７】一般式（１）（化６） 【化６】 （Ｘは４−ニトロベンゾイル基である）で表されるの化
   合物を還元剤又はアセチル化剤と反応させて、２−（４
   −ニトロベンゾイルオキシメチル）−４−アセトキシ−
   １，３−ジオキソランを得る製造法。