JP2003137571A - 超高純度で光学品質のガラス製品を製造する方法 - Google Patents
超高純度で光学品質のガラス製品を製造する方法Info
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Abstract
しこのタイプの先行技術の方法に遭遇される亀裂、収縮
及び純度問題を回避する、光学品質で高純度のガラス製
品を製造するための改善された方法。 【解決手段】 次の段階:1.金属酸化物又はメタロイ
ド酸化物を、約1mm未満の平均粒度を有する顆粒に圧
縮し;2.場合により顆粒を完全に焼結して高純度の人
造砂を生じさせ;3.人造砂を常用の技術、例えば、ス
リップ鋳込により鋳込んで、高密度で多孔質の生素地を
形成し;4.場合により生素地を乾燥させかつ部分的に
焼結させ;5.場合により生素地を真空下に完全に焼結
させ;かつ6.場合により生素地をホットアイソスタテ
ィックプレスすることを包含している。
Description
質のガラス製品を製造する方法に関する。
ガラス製品の製造に適用することを試みてきた。
第2,041,913号明細書には、“母体の棒(mother rods)”
を製造するためのゲル鋳込法が記載されており、該母体
の棒から光導波路ファイバーは製造されることができ、
その際、ケイ素アルコキシドの溶液が形成され、多孔質
プリフォームを生じるようにゲル化させられ、乾燥さ
れ、次いでその溶融温度未満の温度で焼結されて母体の
棒が生じる。この出願には、三段階の焼結プロセスが記
載されており、該プロセスにおいて酸素及びヘリウムの
雰囲気は700℃の温度まで使用され、塩素及びヘリウ
ムの雰囲気は、700℃〜1000℃で使用され、かつ
真にヘリウムの雰囲気は、1000℃を上回り使用され
る。この出願において認知されているように、亀裂なし
にゲルを乾燥させることは困難であり、かつ10日間ほ
ど要しうる。
第4,419,115号明細書には、ガラス製品を製造する類似
の方法が記載されており、その際、ヒュームドシリカ
は、有極性液体と混合されて第一のゾルが形成され、第
一のゾルは、ゲル化されて第一のゲルが形成され、第一
のゲルは、乾燥され、750〜850℃付近の温度に加
熱され、冷却され、有極性液体中に再分散されて第二の
ゾルが形成され、第二のゾルは、ゲル化されて第二のゲ
ルが形成され、第二のゲルは乾燥され、かつ乾燥された
第二のゲルは、焼結されてガラス製品が形成される。
への第一のゲルの加熱が、ゲル材料の高密度化をもたら
さないことが言及されている。特に、該特許には、最終
焼結まで、そのシリカ材料のBET表面積が、ヒューム
ドシリカのそれと本質的に同じままであることが言及さ
れている。焼結に関して、該特許には、場合により塩素
を含有するヘリウム雰囲気又は真空が、この段階の間に
使用されることができることが言及されている。意義深
いことに、該特許は、その各例において、ヘリウム+塩
素アプローチを使用し、かつ真空アプローチを使用して
いない。実地において、Johnson他の特許の方法は、Mat
suyama他の出願の方法と同じように、ゲル亀裂問題の支
配下にあることが見出されている。
は、Hansen他、米国特許第3,535,890号明細書、Shoup、
米国特許第3,678,144号明細書、Blaszyk他、米国特許第
4,112,032号明細書、Bihuniak他、米国特許第4,042,361
号明細書及び同第4,200,445号明細書、及びScherer、米
国特許第4,574,063号明細書、欧州特許出願公告第84,43
8号明細書、及びScherer他、"Glasses from Colloids",
Journal of Non-Crystalline Solids, 63:163-172 (19
84)にも記載されている。
粒子の水溶液が形成され、乾燥されてゲルが生じ、かつ
ゲルが三段階プロセスで焼結される方法に関連してお
り、その際、第一段階は、ゲルを真空中で約600℃に
加熱することを含み、第二段階は、ゲルを塩素ガスでフ
ラッシングして結合水を除去することを含み、かつ第三
段階は、ゲルを、その温度を1200℃に上昇させるこ
とにより真空下に焼結させることを含んでいる。該特許
は、乾燥プロセスの間の亀裂に対するゲルの高い感受性
を認知しており、かつ数日又は数週間のオーダーの乾燥
時間がこの問題を克服するのに必要とされることを言及
している。
ゲルが可溶性ケイ酸塩、例えば、ケイ酸アルカリから形
成される方法に関する。乾燥したゲルは、例えば、フィ
ルター、触媒用の固体担体等として使用されることがで
きるか、又は600〜1700℃の範囲の温度で固体ガ
ラス体へ圧密にされることができる。可溶性ケイ酸塩技
術により生じたゲルは、他のゾル−ゲル手順により生じ
たものより一般に強い。このことは、ゲルの亀裂を有し
ない乾燥をより簡単にし、かつ大きな鋳込物の製造を容
易にする。しかしながら、ケイ酸アルカリ溶液は、かな
りの量の鉄を含有する。従って、高純度ガラスを製造す
べきである場合には、浸出段階は必要とされる。浸出は
また、最終製品がアルカリ不含であるべき場合にも、一
般に必要とされる。一組の例において、Shoupの特許
は、ゲルを空気中で圧密にするのを、ゲルを減圧下に圧
密にするのと比較している。一部の場合に、減圧が、泡
を含んでいない圧密にされた生成物をもたらし;他の場
合に、泡は依然として残留した。
ゾルを乾燥させてフラグメントを形成させ、かつフラグ
メントを、それを1150〜1500℃でか焼すること
により高密度化させることにより、ヒュームドシリカ及
び他のヒュームド金属酸化物を高密度化する方法が記載
されている。その後、高密度化された材料は、例えば、
8〜10μmの平均粒度に粉砕され、鋳込媒体中に懸濁
され、スリップ鋳込されて多孔質プリフォームが形成さ
れ、かつ焼成されて所望の最終製品が生じることができ
る。
ak他の方法は、本発明の方法よりも実施するのがより困
難になる。例えば、ヒュームドシリカからゲルを形成す
ることは相対的に困難であり、かつBihuniak他の特許に
おいて認知されているように、一旦形成されると、ヒュ
ームドシリカから製造されたゲルは、望まれているよう
な小さな粒子よりもむしろ、大きなチャンクへ分割する
傾向にある。更に、甚大な汚染防止装置がヒュームドシ
リカを製造するのに必要とされる、それというのも、そ
のような製造は、塩酸の生成を必然的に伴うからであ
る。
された高密度化されたシリカ粒子は、本発明の方法によ
り製造された高密度化されたシリカ粒子よりも、より高
い不純物レベルを有する傾向にある。これらのより高い
不純物レベルは、部分的に、痕跡量の放射性物質を含め
た不純物が、煙霧プロセス(fuming process)の間にシリ
カ中へ導入されるという事実のためである。
シリカゲルから製造された粒子の高密度化が、本発明に
従って製造されたゲルから形成された粒子の高密度化よ
りもより高い温度を必要とし、即ち、ヒュームドシリカ
ゲルから製造された粒子の高密度化が、1150℃を下
回るよりもむしろ上回る温度を必要とするという事実か
らも生じる。そのようなより高い温度は、金属含有炉
が、高密度化を実施するのに使用されなければならない
ことを一般に意味する。そしてまた、そのような炉の使
用は、熱い炉壁から放出される金属イオンに暴露され、
ひいては該イオンを捕まえることを意味する。純度問題
に加えて、高密度化を達成するためにより高い温度を生
じさせる要求は、一般に望ましくない。
えば、有機媒体中でヒュームド酸化物からゲルを形成さ
せ、ゲルを乾燥させ、乾燥したゲルを数時間に亘り真空
に暴露し、かつ酸素中でゲルを加熱して残留有機成分を
除去し、次いでゲルをヘリウム又はヘリウム+塩素雰囲
気中で焼結させることが記載されている。
じように、Scherer法により製造されるゲルは、相対的
に脆弱であり、ひいては亀裂を回避するために注意深く
取り扱わねばならない。また、ゲルが焼結されるプロセ
スに典型的であるように、Scherer法に従って製造され
たゲルは、焼結の際に約40%の線収縮を受ける。その
ような収縮レベルは、複雑な形状を鋳込むのを相対的に
困難にし、並びに焼結の間の相対的に高いレベルのゲル
破壊をまねく。前記のものに加えて、Scherer法はヒュ
ームドシリカを使用するので、煙霧プロセスに付随した
不純物及び汚染制御問題を被る(上記の考察参照)。
ットアイソスタティックプレス(“hipping”)、並びに
他のプレス技術の使用は、多数の参考文献に記載されて
いる。Rhodes、米国特許第3,310,392号明細書、Bush、
米国特許第3,562,371号明細書、Okamoto他、米国特許第
4,358,306号明細書、及びBruning他、米国特許第4,414,
014号明細書及び英国特許公開第2,086,369号明細書参
照。Bushの特許には、特に、生素地を形成し、該素地を
真空中で焼結し、次いで圧密にされた素地を焼結温度に
等しい温度か又はそれより高い温度でアイソスタティッ
ク圧にかけることが開示されている。
s", Journal of Non-Crystalline Solids, 63:163-172
(1984)
chen Chemie, 第4版, 21巻, 464頁
lloxide nach dem Aerosilverfahren", 第4版, Februar
y 1989, Degussa AG
ngery, John Wiley and Sons, Inc., New York, 1960
G. Y. Onoda, Jr., 及びL. L. Hench, editors, John W
iley and Sons, Inc., New York, 1978
a,” Ceramic Bulletin, 40:432-435 (1961)
して、本発明の対象は、光学品質で高純度のガラス製品
を製造するための改善された方法を提供することであ
る。特に、本発明の対象は、多孔質シリカ素地の焼結を
包含するが、しかしこのタイプの先行技術の方法に遭遇
される亀裂、収縮及び純度問題を回避するそのような製
品を製造する方法を提供することである。
常用のセラミック成形法、例えば、粉末プレス、押出
し、スリップ鋳込等において使用されて生素地を製造す
ることができる超純粋なシリカ顆粒を提供することであ
る。本発明の付加的な対象は、先行技術の技法により製
造される類似の製品よりも、より高純度、より均質な透
過率特性及びより少ない屈折率変動、即ち、より良好な
均質性を有する複雑な形状のガラス製品を製造すること
である。本発明の別の対象は、より費用のかかる技法に
より製造された光導波路ファイバーと同等の伝送特性を
有する光導波路ファイバーを経済的に製造することであ
る。
階: a)金属酸化物又はメタロイド酸化物を、約1mm未満
の平均粒度を有する顆粒へ圧縮し; b)場合により顆粒を約1,100℃未満の温度で焼結
させ、その際、焼結後の顆粒の密度は、その最大理論密
度にほぼ等しく; c)段階a)及び/又はb)による、顆粒又は混合物又
は顆粒の混合物から生素地を、一軸の、コールドアイソ
スタティック粉末プレス及びホットアイソスタティック
粉末プレス、スリップ鋳込、押出し、成形及び射出成形
を用いて形成させ; d)場合により生素地を、チャンバ中で、 I)チャンバの温度を場合により約1,000℃を上回
り、例えば1,150℃に上昇させ、かつ場合により塩
素ガスをチャンバ中へ導入する及び/又はチャンバを不
活性ガスでパージする及び/又はチャンバに真空を適用
することにより、乾燥しかつ部分的に焼結させ; e)場合により、チャンバ中で約1,200℃から約
1,720℃を上回る温度までの温度範囲内で、生素地
を完全に焼結させる一方で、場合によりチャンバをヘリ
ウムでパージするか又は好ましくはチャンバに真空を適
用し、かつ f)場合により、チャンバ中で、チャンバの温度を約1
150℃を上回り上昇させ、かつ不活性ガスをチャンバ
中へ約100psig(=6.895bar)を上回り、好ま
しくは1,000psig(=68.95bar)を上回り、
より好ましくは約15,000psig(=1,034.2
5bar)を上回る圧力で導入することにより、完全に焼
結された生素地をホットアイソスタティックプレスする
ことを含んでいる融解ガラス製品を製造する方法であ
る。
及び最終製品の純度要求に応じて省かれてもよい。例え
ば、塩素処理は、最終製品が低い含水率を有しなくても
よい場合には、段階(d)において必要とされない。こ
のタイプの他の変更は、本発明の好ましい実施態様の記
述に関連して以下に考察される。
技法とは異なり、前記の方法は、超高純度で光学品質の
ガラス製品を商業的に製造するための実地手順を提供す
る。この技術の成功は、多数の因子のためである。まず
第一に、本発明の技法は、ゾル−ゲル技術を使用しない
で生素地を形成する。
用することに加えて、本発明の方法はまた、最終製品に
対して顆粒の高純度レベルを達成し、かつ同時に、卓越
した光学的性質を有する最終製品を生じる。特に、生素
地の乾燥の間の酸素及び塩素処理は、とりわけ最終製品
中の水のレベルを低下させる。それに加えて、好ましい
真空焼結の使用は、焼結の間に生成される任意の泡又は
類似の欠陥が本質的に空のボイドであることを意味す
る。これらの空の空間は、ホットアイソスタティックプ
レスの間に簡単に閉じることができる。
物又はメタロイド酸化物の圧縮は、水中に金属酸化物又
はメタロイド酸化物を分散させ、それを噴霧乾燥させ、
かつ得られた顆粒を150〜1,100℃の温度で1〜
8hの期間に亘り加熱することにより製造されることが
できる。
物又はメタロイド酸化物は、シリカ顆粒、即ち: a)150g/l〜800g/lの突固め密度(tamped
density)、10〜800μmの顆粒粒度及び10〜50
0m2/gのBET表面積を有する顆粒に圧縮された、
熱分解法により(pyrogenically)製造された二酸化ケイ
素、又は b)次の物理化学的データ: 平均粒径: 25〜120μm、 BET表面積: 40〜400m2/g、 細孔容積: 0.5〜2.5ml/g、 細孔分布: 直径<5nmを有する孔はなく、メソ孔及
びマクロ孔のみが存在する、 pH値: 3.6〜8.5、 突固め密度: 220〜700g/l を有する、顆粒に圧縮された、熱分解法により製造され
た二酸化ケイ素であってよい。
書に従ってなされることができる。
特許第5,776,240号明細書に従って公知方法で造粒され
たか又は圧縮された、熱分解法により製造された二酸化
ケイ素は、焼結材料の製造に使用されることができる。
化ケイ素は、10〜500m2/gのBET表面積、1
50〜800g/lの突固め密度及び10〜800μm
の顆粒粒度を有する熱分解法により製造された酸化物で
あってよい。
れていない二酸化ケイ素の混合物も使用されることがで
きる。
シリカ”、“熱分解法により製造された二酸化ケイ
素”、“熱分解法による(pyrogenic)シリカ”及び“熱
分解法による二酸化ケイ素”は、高温火炎中でガス状塩
化ケイ素、例えば、メチルトリクロロシラン又は四塩化
ケイ素を変換することにより製造される極めて微細に分
散されたナノスケール粉末の意味であると理解すべきで
あり、その際、火炎は、水素及び酸素と共に供給され、
かつ水蒸気は、場合によりそれに補給されてよい。
6,240号明細書に記載された圧縮方法を用いてか又はそ
の方法に類似して高度に圧縮された熱分解法により製造
された二酸化ケイ素粉末の意味であると理解すべきであ
る。
01 415 A1に従って下流の圧縮段階を用いて顆粒に圧縮
された、熱分解法により製造された二酸化ケイ素は使用
され、該二酸化ケイ素は米国特許第5,776,240号明細書
に相応し、150g/l〜800g/l、好ましくは2
00〜500g/lの突固め密度、10〜800μmの
顆粒粒度及び10〜500m2/g、好ましくは20〜
130m2/gのBET表面積を有するか、又は米国特
許第5,776,240号明細書により、熱分解法により製造さ
れた二酸化ケイ素に基づく顆粒が使用され、これは次の
物理化学的データ: 25〜120μmの平均粒径; 40〜400m2/gのBET表面積 0.5〜2.5ml/gの細孔容積 細孔分布: 直径<5nmを有する孔はなく、メソ孔及
びマクロ孔のみが存在する、 pH値: 3.6〜8.5、 突固め密度: 220〜700g/l を有する。
成物が使用されることができる: a)90m2/gのBET表面積及び35g/lのかさ
密度及び59g/lの突固め密度を有する熱分解法によ
り製造された二酸化ケイ素は、米国特許第5,776,240号
明細書に従って顆粒に圧縮される。圧縮された二酸化ケ
イ素は、90m2/gのBET表面積及び246g/l
の突固め密度を有する。
0g/lの突固め密度を有する熱分解法により製造され
た二酸化ケイ素は、米国特許第5,776,240号明細書に従
って顆粒に圧縮される。圧縮された二酸化ケイ素は、5
0m2/gのBET表面積及び365g/lの突固め密
度を有する。
0g/lのかさ密度及び50g/lの突固め密度を有す
る熱分解法により製造された二酸化ケイ素は、米国特許
第5,776,240号明細書に従って圧縮される。圧縮された
二酸化ケイ素は、300m2/gのBET表面積及び2
89g/lの突固め密度を有する。
5g/lのかさ密度及び50g/lの突固め密度を有す
る熱分解法により製造された二酸化ケイ素は、米国特許
第5,776,240号明細書に従って圧縮される。圧縮された
二酸化ケイ素は、200m2/gのBET表面積及び2
19g/lの突固め密度を有する。
タロイド酸化物は、エーロゾルを用いて酸化アルミニウ
ムでドープした熱分解法により製造された二酸化ケイ素
に基づく顆粒であってよく、該顆粒は、次の物理化学的
特性データ: 平均粒径: 0〜150μm BET表面積: 25〜100m2/g pH−値: 3〜6 突固め密度: 400〜1200g/l を有する。
は、次の物理化学的特性データ: 平均粒径: 15〜30μm BET表面積: 60〜70m2/g pH値: 4〜6 突固め密度: 400〜650g/l を有していてよい。
アルミニウムでドープした熱分解法により製造された二
酸化ケイ素を水中に分散させ、分散液を噴霧乾燥させ、
かつ場合により生じる顆粒を150〜1100℃の温度
で1〜8時間の期間に亘り熱処理することにより製造さ
れることができる。
ープした熱分解法により製造された二酸化ケイ素は、エ
ーロゾルを用いて酸化アルミニウムでドープした熱分解
法により製造された二酸化ケイ素であってよく、該二酸
化ケイ素中で、基本成分が火炎酸化又は、好ましくは火
炎加水分解法の手法で熱分解法により製造され、かつ1
・10- 4から20質量%までのドーピング成分でドー
ピングされた二酸化ケイ素であり、その際ドーピング量
は、好ましくは1〜10,000ppmの範囲であり、
かつドーピング成分は、アルミニウムの塩又は塩混合物
又はアルミニウム化合物又は金属のアルミニウム又はそ
の混合物の懸濁液であり、ドープした酸化物のBET表
面積は、5〜600m2/g、好ましくは40〜100
m2/gの範囲である。
素は、100g/100g未満のDBP数を有しうる。
ープした熱分解法により製造された二酸化ケイ素は、エ
ーロゾルを、火炎酸化又は、好ましくは、火炎加水分解
法の手法で二酸化ケイ素の熱分解法による製造に使用さ
れるような火炎中へ供給し、反応前にエーロゾルを均質
に火炎酸化又は火炎加水分解法のガス混合物と混合し、
次いでエーロゾル/ガス混合物を火炎中で反応を完了さ
せ、かつ生じる、酸化アルミニウムでドープした熱分解
法により製造された二酸化ケイ素をガス流から公知方法
で分離することにより、製造されることができ、その
際、アルミニウムの塩又は塩混合物又は金属自体を溶解
されたか又は懸濁された形でか又はその混合物を含有す
る水溶液を、エーロゾルを製造するのに使用し、エーロ
ゾルは、二成分ノズルを用いる微粒化によるか又はエー
ロゾル製造の異なる方法により、好ましくはエーロゾル
発生装置を用いる超音波微粒化により製造される。
l3、Al2(SO4)3、Al(NO3)3。
ケイ素(シリカ)の製造のための火炎加水分解法は、Ul
lmanns Enzyklopaedie der technischen Chemie, 第4
版, 21巻, 464頁から公知である。
施されることができる。ディスク型アトマイザー又はノ
ズル型アトマイザーが使用されることができる。
ンバ乾燥器中でか、又は移動質量、例えば、回転乾燥機
中で実施されることができる。
ーロゾルを用いて酸化アルミニウムでドープした熱分解
法により製造された二酸化ケイ素及びその製造方法は、
EP 0995 718 A1から公知である。
いて酸化アルミニウムでドープした熱分解法により製造
された二酸化ケイ素は、脱イオン水中で分散される。ロ
ーター/ステーター原理に従って操作する分散装置ユニ
ットは使用される。生じる分散液は、噴霧乾燥される。
最終製品は、フィルター又はサイクロン上で分離され
る。
れることができる。
表中に与えられている。
れている。
ことができる。
液の噴霧乾燥に関するデータ
たシリカの物理化学データ
タロイド酸化物は、次の物理化学的特性を有する熱分解
法による二酸化チタンに基づく顆粒であってよい: 平均粒径: 10〜150μm BET表面積: 25〜100m2/g pH: 3〜6 圧縮密度: 400〜1,200g/l これらの顆粒は、熱分解法による二酸化チタンを水中に
分散させ、噴霧乾燥させることにより製造されることが
できる。それらは、EP 1.078.883から公知である。
施されることができる。スピニングディスクアトマイザ
ー又はノズルアトマイザーが使用されることができる
(第4表)。生じる顆粒は、第5表に記載されている。
P25は、熱分解法による二酸化チタンとして使用され
る。それは、Pigments, no.56 "Hochdisperse Metallox
ide nach dem Aerosilverfahren", 第4版, February 19
89, Degussa AGと呼ばれる一連の刊行物に開示されてい
る(第3表)。
ータ
よる 3)DIN ISO 787/II、ASTM D 280、JIS K 5101/21による 4)DIN 55921、ASTM D 1208、JIS K 5101/23による 5)DIN ISO 787/IX; ASTM D 1208; JIS K 5101/24による 6)DIN ISO 787/XVIII; JIS K 5101/20による 7)105℃で2h乾燥させた物質に対して 8)1000℃で2h強熱した物質に対して 9)HCl含量は、強熱減量の成分である 10)空気比較密度びんで測定 二酸化チタンは、揮発性のチタン化合物を水素及び空気
から形成された酸水素炎中へ噴霧することにより製造さ
れる。最も多くの場合に、四塩化チタンが使用される。
この物質は、酸水素ガス反応の間に生じた水の影響下に
加水分解されて、二酸化チタン及び塩酸が得られる。火
炎から去った後に、二酸化チタンは、二酸化チタンの一
次粒子及び一次凝集体が凝集する、いわゆる凝集帯域に
入る。一種のエーロゾルとしての、この段階で存在する
生成物は、サイクロン中でガス状の随伴物質から分離さ
れ、次いで湿った熱気で後処理される。
ば、火炎の温度、水素又は酸素の割合、四塩化チタンの
量、火炎中の滞留時間又は凝集帯域の長さを変化させる
ことにより変化されることができる。
オン水中に分散される。ローター/ステーター原理で操
作する分散装置は使用される。製造された分散液は、噴
霧乾燥される。最終製品の堆積は、フィルター又はサイ
クロンを用いて達成される。
霧乾燥に関連するデータ
散液の物理化学データ
タロイド酸化物は、次の物理化学的特性を有する熱分解
法により製造された酸化アルミニウムに基づく顆粒であ
りうる: 平均粒度: 8.0〜150μm 圧縮かさ密度: 400〜1,200g/l 本発明の好ましい実施態様において、顆粒は、8.0〜
41μmの平均粒度及び450〜550g/lの圧縮か
さ密度を有しうる。
された酸化アルミニウムを水中に分散させ、かつ噴霧乾
燥させ、かつ場合により得られた顆粒を150℃〜1,
100℃の温度で1〜8時間の期間に亘り熱処理するこ
とにより製造されることができる。
ie der technischen Chemie, 第4版, 21巻, p.464 (198
2)に記載されているような酸化アルミニウムが使用され
うる。
かつ115m2/g以上のBETによる比表面積、及び
8ml/2g以上のSears数を有する熱分解法により製
造された酸化アルミニウムが使用されてもよい。
分で測定した粉末のフタル酸ジブチル吸収は、もはや測
定不能であった(終点を認識せず)。
ニウムは、火炎酸化技術によるか又は好ましくは火炎加
水分解法により製造されることができ、ここで揮発可能
なアルミニウム化合物、好ましくは塩化物が、出発物質
として使用される。この酸化アルミニウムは、DE 199 4
3 291.0-41に記載されている。
実施されることができる。これに関連して、噴霧−ディ
スクアトマイザー又はノズルアトマイザー、例えば単−
物質ノズル又はガス−微粒化ノズルは使用されることが
できる。
バ炉中、並びに流動床、例えば回転乾燥機中で実施され
ることができる。
0kg/時を、水素100Nm3/時及び空気450N
m3/時と一緒に、公知の設計及び構成のバーナ中で一
緒に燃焼させる。
火炎反応の後に、フィルター又はサイクロン中で、また
形成される塩酸ガスから分離され、その際に、任意の依
然として付着するHCl痕跡は、次いで高められた温度
での湿潤空気での処理により除去される。
アルミニウムは、第1表中に列挙された物理化学的特性
を有する。Degussa-Huels AG/Frankfurt(商品名酸化ア
ルミニウムC)から商業的に入手可能な熱分解法による
酸化アルミニウムに関連するデータも、比較のために第
1表中に列挙されている。
熱分解法により製造された酸化アルミニウムとして使用
され、かつ顔料情報リーフレット番号56“Highly Dispe
rsed Metal Oxides According to the Aerosil Proces
s”, 第4版, February 1989, Degussa AGに記載されて
いる。
よる 3)DIN ISO 787/II、ASTM D 280、JIS K 5101/21による 4)DIN 55921、ASTM D 1208、JIS K 5101/23による 5)DIN ISO 787/IX;ASTM D !"=(; JIS K 5101/24による 6)DIN ISO 787/XVIII; JIS K 5101/20による 7)105℃で2時間乾燥させた物質に対して 8)1000℃で2時間焼鈍した物質に対して 9)HCI含量は、焼鈍減量の一部である 10)空気比較比重びんで測定 酸化アルミニウムを生じさせるために、揮発性のアルミ
ニウム化合物は、ノズルを経て水素及び空気からなる酸
水素炎中へ噴射される。最も多くの場合に三塩化アルミ
ニウムが使用される。この物質は、酸水素反応において
生じる水の影響下に加水分解して、酸化アルミニウム及
び塩酸を形成する。火炎から去った後に、酸化アルミニ
ウムは、酸化アルミニウム一次粒子及び酸化アルミニウ
ム一次凝集体が凝集するいわゆる凝集帯域に入る。この
段階でエーロゾルの形で存在する生成物は、サイクロン
中でガス状の随伴物質から分離され、次いで湿った熱気
で後処理される。
えば火炎温度、水素又は酸素の割合、三塩化アルミニウ
ムの量、火炎中の滞留時間、又は凝集区間の長さを用い
て変化させることができる。
イオン水中に分散される。ローター/ステーター原理に
従って操作する分散装置は使用される。形成された分散
液は、噴霧乾燥される。最終製品は、フィルター又はサ
イクロンを用いて分離される。
されることができる。
得られた生成物に関連するデータは、第9表中に列挙さ
れている。
最終製品、例えば、光学ドーム、アンテナ窓、のぞきガ
ラス、航空宇宙ののぞき窓、レンズ、プリズム、鏡等
が、同等か又は他の技術により製造される類似の生成物
よりもより良好な光学的性質を有して、簡単に製造され
ることができることが見出された。特に、生成物は、こ
れまで入手可能であった類似の商業的製品よりも、高純
度、より小さな屈折率変動(より良好な均質性)及び紫
外から赤外へのより均質な透過率特性を有することが見
出された。本発明の方法は、低損失の、光導波路ファイ
バーを製造するのに使用されることができる。意義深い
ことに、本発明に従って、そのようなファイバーの製造
コストは低下されることができる。
の温度で行われる。この低い焼結温度は、焼結を石英反
応器中で行われることを可能にする。そのような反応器
の使用は、金属炉とは対照的に、焼結手順を経て顆粒の
純度を維持するのを助ける。
ができる。例えば、ヘリウム、ヘリウム/酸素、及びア
ルゴン/酸素雰囲気は使用されることができる。一部の
場合に、ヘリウム雰囲気は、アルゴン/酸素雰囲気より
も好ましいことが見出された。焼結は、空気中でも実施
されることができる。
半導体メモリー素子のためのフィラーとして使用される
ことができる。先行技術のシリカフィラーと比較して、
顆粒は、より少ない量のウラン及びトリウムのような放
射性物質を含有し、ひいては技術水準の電子部品の操作
に干渉しうるα粒子を余り生じない。
を形成させるのに使用される。特に、顆粒は、スリップ
鋳込、射出成形、押出成形、コールドイソプレス等のよ
うな常用の方法のための出発物質として使用される。本
発明の顆粒が使用されることができるこれらの及び他の
方法の記述は、Introduction to Ceramics, W. D. King
ery, John Wiley and Sons, Inc., New York, 1960、及
びCeramic ProcessingBefore Firing, G. Y. Onoda, J
r.,及びL. L. Hench, editors, John Wiley and Sons,I
nc., New York, 1978のようなテキスト中に見出される
ことができ、その関連部分は、参考によりここに取り込
まれる。
述は、米国特許第2,942,991号明細書及びWhiteway他,
“Slip Casting Magnesia,” Ceramic Bulletin, 40: 4
32-435 (1961)に見出されることができ、その関連部分
は、参考によりここに取り込まれる。
タン−ライニングされた振動ミル(vibra-mill)を用いて
該ミルに顆粒、シリカ媒体、及び水が添加されて製造さ
れることができる。このタイプのスラリーを用いて、高
密度生素地、例えば、20%のオーダーの多孔度を有す
る生素地は、容易に製造される。
し、及びプレス技術のためには、スラリー中で結合剤を
使用することが一般に好ましい。そのような結合剤は、
好都合にはTEOSのその場での加水分解により形成さ
れることができる。説明のために、本発明の顆粒のスラ
リーは、プラスチック型中で、焼きセッコウ型とは対照
的に、酸触媒されたTEOS/水混合物5ml(水4モ
ル対TEOS各モル)をスラリー132mlに添加する
ことにより、成功して鋳込まれた。成形後、塩基性溶液
2〜7ml(1.2%炭酸アンモニウム)をスラリーに
添加した。塩基性溶液は、約2〜約30分間の期間をか
けて、TEOSを生じるpHに移行させゲル化させ、こ
うして一緒に顆粒を結合して強い生素地を形成し、更な
る加工に十分適していた。その代わりに、市販の結合
剤、例えばStauffer Chemical CompanyによりSILBOND商
標のもとで販売されているものが使用されることができ
る。
ことができ、かつ二段階法により圧密にされることがで
きる。第一段階において、生素地は乾燥されかつ部分的
に焼結される。第二段階において、生素地は完全に焼結
される。
結の間に最終製品中に泡を形成しうる生素地から水を除
去するのに役立つ。汚染を最小限にするために、この段
階は、好ましくは石英管状炉中で実施されるけれども、
所望の場合には他のタイプの炉が使用されることができ
る。石英管状炉が使用される場合には、使用される温度
は、好ましくは約1150℃以下に保持される。
0℃を上回り上昇させる一方で、塩素を炉中へ導入する
及び/又は炉に真空を適用する及び/又は炉を1つ又は
それ以上の不活性ガスで、例えば、アルゴン及び/又は
ヘリウムでパージすることにより達成される。塩素処
理、真空ストリッピング及び/又は不活性ガスパージン
グは、生素地の含水率が完全焼結の間に泡を生成して形
成する機会を低下させる。水を除去することに加えて、
塩素処理はまた、生素地の鉄、銅、及びカルシウムレベ
ルを低下させることが見出された。生素地がスリップ鋳
込により形成される場合には、カルシウムをストリッピ
ングする塩素処理の能力は、特に価値がある、それとい
うのも、生素地は、焼きセッコウ型からカルシウムを捕
まえる傾向にあるからである。
素地を酸素−含有雰囲気の支配下においてその含量の有
機材料を低下させることを含んでいてよい。
汚染のみを含む場合には省かれてよい。塩素処理は、最
終製品が相対的に高い含水率を有する場合、例えば、最
終製品の赤外領域における吸収特性が重大ではない場合
は、省かれてよい。塩素処理が省かれる場合には、真空
ストリッピング又は不活性ガスパージングは、実施され
るべきである。所望の場合には、真空ストリッピング及
びガスパージングの双方は、順次使用されることができ
る。真空ストリッピング及び不活性パージングのいずれ
か一方又は双方は、塩素処理が使用される場合に省かれ
ることができる。
された後に、約1,200℃から約1,720℃を上回
るまでの温度範囲で完全に焼結される。完全焼結は、好
ましくは、例えば1×10- 5トルの真空中で実施され
る。その代わりに、ヘリウムパージングは使用されるこ
とができるけれども、これはあまり好ましくない、それ
というのも、焼結の間にガラス中に形成する任意の泡
が、真空焼結の間に起こるように空であるよりもむし
ろ、ヘリウムで充填されるからである。
テン−モリブデン炉又はヘリウム−充填されたグラファ
イト炉中で実施されることができる。汚染を最小限にす
るために、生素地は、好ましくは石英クロス及び単斜晶
不安定化ジルコニアA粒上に支持される。
却は、約3時間で完了しうる。その後、所望の場合に
は、圧密にされた生素地の表面は、フッ化水素酸で清浄
化されてよい。また、焼結の間に分解するようになりう
る生素地の領域、例えば、石英クロスと接触した領域
は、粉砕により除去されることができる。
の圧密にされたプリフォームの製造のために、完全に焼
結された生素地は、更に加工することなくすぐに使える
ようになっている。しかしながら、最も多くの場合に、
焼結された生素地をホットアイソスタティックプレスし
て焼結プロセスの間に該素地中に形成されうる任意の泡
をつぶすことは好ましい。
トアイソスタティックプレス炉の圧力室中で(例えば、
米国特許第4,349,333号明細書参照)、チャンバを圧密に
された生素地の焼鈍点よりも大きくかつ約1800℃未
満の温度に加熱し、その一方で不活性ガス、例えば、ア
ルゴン、ヘリウム、又は窒素を、チャンバ中へ100〜
45,000psi(6.895〜3,102.75bar)
の範囲の圧力で導入することにより実施される。実地に
おいて、1150〜1740℃の範囲の温度及び1,0
00〜30,000psig(68.95〜2,068.5
bar)の範囲の圧力は、本発明に従って製造された圧密
にされた生素地中の泡及び他のボイドをつぶすのに適し
ていることが見出された。より低い圧力、例えば、10
0〜1000psig(6.895〜68.95bar)の範
囲の圧力も使用されることができる。
密にされた生素地の汚染を回避するために、ホットアイ
ソスタティックプレス炉中に置かれる前に、該素地をガ
ラスウール及びスチールホイルで包むことは好ましい。
しかしながら、これらの予防措置は、高純度シリカ材料
をホットアイソスタティックプレスするのにのみ使用さ
れる“清浄な”炉の場合に省かれることができる。
た後に、多様な常用のガラス処理手順、例えば、焼鈍、
粉砕、研磨、延伸、プレス等は、完全に焼結されかつホ
ットアイソスタティックプレスされた生素地に適用され
ることができる。生じる最終製品は次いで、消費者によ
りすぐに使えるようになっている。
Claims (2)
- 【請求項1】 融解ガラス製品を製造する方法におい
て、次の段階: a)金属酸化物又はメタロイド酸化物を、約1mm未満
の平均粒度を有する顆粒に圧縮し; b)場合により顆粒を約1,100℃未満の温度で焼結
させ、その際、焼結後の顆粒の密度は、該顆粒の最大理
論密度にほぼ等しく; c)段階a)及び/又は段階b)による顆粒又は顆粒混
合物から生素地を形成させ、その際、これらの顆粒は、
一軸の、コールドアイソスタティック粉末プレス及びホ
ットアイソスタティック粉末プレス、スリップ鋳込、押
出し、成形及び射出成形を用いる焼結顆粒であってよ
く; d)場合により、チャンバ中で、(i)チャンバの温度
を場合により約1000℃を上回り上昇させ、かつ(i
i)場合により塩素ガスをチャンバ中へ導入する及び/
又はチャンバに真空を適用する及び/又はチャンバを不
活性ガスでパージすることにより、生素地を乾燥させか
つ部分焼結させ;かつ e)場合により、チャンバ中で、場合によりチャンバを
ヘリウムでパージするか又はチャンバに真空を適用する
間に、チャンバの温度を約1,200℃から約1,72
0℃を上回る温度までの温度範囲内に上昇させることに
より、生素地を完全に焼結させることを含んでいること
を特徴とする、融解ガラス製品の製造方法。 - 【請求項2】 完全に焼結した生素地のホットアイソス
タティックプレスの段階(e)の後に、チャンバ中で、
チャンバの温度を約1,150℃を上回り上昇させかつ
不活性ガスをチャンバ中へ約100psig(6.895ba
r)を上回る圧力で導入することによる付加的な段階を
含んでいる、請求項1記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP01125079.2 | 2001-10-22 | ||
EP01125079A EP1304313A1 (en) | 2001-10-22 | 2001-10-22 | Method for producing ultra-high purity, optical quality, glass articles |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003137571A true JP2003137571A (ja) | 2003-05-14 |
JP4175860B2 JP4175860B2 (ja) | 2008-11-05 |
Family
ID=8179037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002307466A Expired - Fee Related JP4175860B2 (ja) | 2001-10-22 | 2002-10-22 | 融解ガラス製品を製造する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1304313A1 (ja) |
JP (1) | JP4175860B2 (ja) |
KR (1) | KR100704520B1 (ja) |
TW (1) | TWI278440B (ja) |
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KR20030033946A (ko) | 2003-05-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050616 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080609 |
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A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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