JP2003137558A - ガラス微粒子堆積体製造方法 - Google Patents
ガラス微粒子堆積体製造方法Info
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
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- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＶＡＤ法によりＧｅを添加されＧＩ型屈折率
分布を有するガラス微堆積体を屈折率分布の乱れや堆積
中の割れ発生なく製造できる方法の提供。 【解決手段】 ＶＡＤ法において、二重火炎を形成でき
るガラス微合成用バーナーを用い、内側火炎生成に寄与
する可燃性ガスの総量（総流量）をＶ1 ，外側火炎生成
に寄与する可燃性ガスの総量（総流量）をＶ2 とすると
き、Ｖ1 とＶ2 が１．０≦Ｖ1 ／Ｖ2 ≦５．０を満足す
るように可燃性ガスを流して行う。より好ましくは２．
０≦Ｖ1 ／Ｖ2 ≦４．５とする。
分布を有するガラス微堆積体を屈折率分布の乱れや堆積
中の割れ発生なく製造できる方法の提供。 【解決手段】 ＶＡＤ法において、二重火炎を形成でき
るガラス微合成用バーナーを用い、内側火炎生成に寄与
する可燃性ガスの総量（総流量）をＶ1 ，外側火炎生成
に寄与する可燃性ガスの総量（総流量）をＶ2 とすると
き、Ｖ1 とＶ2 が１．０≦Ｖ1 ／Ｖ2 ≦５．０を満足す
るように可燃性ガスを流して行う。より好ましくは２．
０≦Ｖ1 ／Ｖ2 ≦４．５とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｇｅを添加された
ＧＩ型屈折率分布を有するガラス微粒子堆積体を、ＶＡ
Ｄ（気相軸付け）法により屈折率制御性を向上して製造
できる方法に関する。
ＧＩ型屈折率分布を有するガラス微粒子堆積体を、ＶＡ
Ｄ（気相軸付け）法により屈折率制御性を向上して製造
できる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバをその屈折率構造で分類する
ときに、グレーデッド・インデックス（Ｇｒａｄｅｄ
Ｉｎｄｅｘ：ＧＩと略記する）型ファイバと呼ばれるフ
ァイバは、屈折率がコアの中心から周辺にかけて漸次減
少しており、マルチモードファイバコア等に利用されて
いる。ＧＩ型コア部材は分散補償ファイバのコアや高Ｎ
Ａファイバのコア等にも利用されている。図３に、ＧＩ
型ファイバのコアの屈折率分布の一例としてα乗分布の
コアのプロファイルを示す。ＧＩ型光ファイバのガラス
組成としては、屈折率を上昇するドーパントであるＧｅ
を添加したＳｉＯ 2 をコア部に用い、クラッド部にはＳ
ｉＯ2 又は屈折率を低下させるドーパントであるＦ等を
添加したＳｉＯ2 を用いる、またＦ（フッ素）を含有す
る樹脂でＳｉＯ2 との比屈折率差で２％程度低い屈折率
を有するものをクラッド材に用いることもある。
ときに、グレーデッド・インデックス（Ｇｒａｄｅｄ
Ｉｎｄｅｘ：ＧＩと略記する）型ファイバと呼ばれるフ
ァイバは、屈折率がコアの中心から周辺にかけて漸次減
少しており、マルチモードファイバコア等に利用されて
いる。ＧＩ型コア部材は分散補償ファイバのコアや高Ｎ
Ａファイバのコア等にも利用されている。図３に、ＧＩ
型ファイバのコアの屈折率分布の一例としてα乗分布の
コアのプロファイルを示す。ＧＩ型光ファイバのガラス
組成としては、屈折率を上昇するドーパントであるＧｅ
を添加したＳｉＯ 2 をコア部に用い、クラッド部にはＳ
ｉＯ2 又は屈折率を低下させるドーパントであるＦ等を
添加したＳｉＯ2 を用いる、またＦ（フッ素）を含有す
る樹脂でＳｉＯ2 との比屈折率差で２％程度低い屈折率
を有するものをクラッド材に用いることもある。
【０００３】このようなＧＩ型コアガラスをＶＡＤ（気
相軸付け）法により製造するには、図４に示すように、
反応容器９内において、複数のガス噴出ポートを有する
ガラス微粒子合成用バーナー（以下、単にバーナーと略
記する場合もある）１０にＳｉＣｌ4 等のガラス原料ガ
ス、ドーパントであるＧｅを含有する化合物、例えばＧ
ｅＣｌ4 等のＧｅ原料ガス、Ｈ2 ，炭化水素等の可燃性
ガス、Ｏ2 等の助燃性ガス、及び要すればＡｒ等の不活
性ガスを導入し、該バーナー１０に形成される火炎１１
中でガラス原料及びＧｅ原料ガスを火炎加水分解反応及
び／又は酸化反応させることによりガラス微粒子を生成
させ、これを回転しつつ該バーナー１０に対し相対的に
上方向に移動する出発材（ターゲット）１２に吹きつけ
て、該出発材１２端部からガラス微粒子を軸方向に堆積
させ、ガラス微粒子堆積体１３を形成する。得られたガ
ラス微粒子堆積体１３は加熱、焼結により透明化されガ
ラス体（コア母材）となる。
相軸付け）法により製造するには、図４に示すように、
反応容器９内において、複数のガス噴出ポートを有する
ガラス微粒子合成用バーナー（以下、単にバーナーと略
記する場合もある）１０にＳｉＣｌ4 等のガラス原料ガ
ス、ドーパントであるＧｅを含有する化合物、例えばＧ
ｅＣｌ4 等のＧｅ原料ガス、Ｈ2 ，炭化水素等の可燃性
ガス、Ｏ2 等の助燃性ガス、及び要すればＡｒ等の不活
性ガスを導入し、該バーナー１０に形成される火炎１１
中でガラス原料及びＧｅ原料ガスを火炎加水分解反応及
び／又は酸化反応させることによりガラス微粒子を生成
させ、これを回転しつつ該バーナー１０に対し相対的に
上方向に移動する出発材（ターゲット）１２に吹きつけ
て、該出発材１２端部からガラス微粒子を軸方向に堆積
させ、ガラス微粒子堆積体１３を形成する。得られたガ
ラス微粒子堆積体１３は加熱、焼結により透明化されガ
ラス体（コア母材）となる。
【０００４】ＧｅＣｌ4 が火炎中で加水分解反応、酸化
反応することにより生成するＧｅＯ 2 は火炎中の反応状
態や堆積面の温度により揮散しやすいため、火炎中の温
度や堆積面の温度を制御することが必要である。ＧＩ型
コア母材とするためのガラス微粒子堆積体の形成は、通
常１本のバーナーを用いて行う。ガラス微粒子堆積体の
外側ではＧｅが揮散しやすいために、設計したとおりの
屈折率分布に制御することは困難である。ＧＩ型コアの
プロファイルとしては、図１に示すような中心から周辺
部にかけて滑らかな放物線状とすることが望ましいが、
例えば図５に示すようにα乗分布が重なったような形状
（本明細書ではダブルαプロファイルと呼ぶ）になって
しまうことがある。
反応することにより生成するＧｅＯ 2 は火炎中の反応状
態や堆積面の温度により揮散しやすいため、火炎中の温
度や堆積面の温度を制御することが必要である。ＧＩ型
コア母材とするためのガラス微粒子堆積体の形成は、通
常１本のバーナーを用いて行う。ガラス微粒子堆積体の
外側ではＧｅが揮散しやすいために、設計したとおりの
屈折率分布に制御することは困難である。ＧＩ型コアの
プロファイルとしては、図１に示すような中心から周辺
部にかけて滑らかな放物線状とすることが望ましいが、
例えば図５に示すようにα乗分布が重なったような形状
（本明細書ではダブルαプロファイルと呼ぶ）になって
しまうことがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、Ｇｅを含有
するＧＩ型コア用ガラス微粒子堆積体をＶＡＤ法により
屈折率分布の制御性を向上して製造できる新規な方法を
課題とするものである。
するＧＩ型コア用ガラス微粒子堆積体をＶＡＤ法により
屈折率分布の制御性を向上して製造できる新規な方法を
課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は下記(1) 〜(4)
の構成により上記課題を解決できた。 (1) ガラス原料ガス及びＧｅ化合物ガスをガラス微粒子
合成用バーナーの火炎中に導入し、生成されたガラス微
粒子を回転しつつ該バーナーとは相対的に上下移動する
出発材外周にＶＡＤ法により堆積させることによりＧｅ
を含有するＧＩ型屈折率分布のガラス微粒子堆積体を形
成する方法において、上記ガラス微粒子合成用バーナー
として二重に火炎を形成できるバーナーを使用し、内側
火炎の生成に寄与する可燃性ガス総流量をＶ1 、外側火
炎の生成に寄与する可燃性ガス総流量をＶ2 とすると
き、Ｖ1 とＶ2 が数３
の構成により上記課題を解決できた。 (1) ガラス原料ガス及びＧｅ化合物ガスをガラス微粒子
合成用バーナーの火炎中に導入し、生成されたガラス微
粒子を回転しつつ該バーナーとは相対的に上下移動する
出発材外周にＶＡＤ法により堆積させることによりＧｅ
を含有するＧＩ型屈折率分布のガラス微粒子堆積体を形
成する方法において、上記ガラス微粒子合成用バーナー
として二重に火炎を形成できるバーナーを使用し、内側
火炎の生成に寄与する可燃性ガス総流量をＶ1 、外側火
炎の生成に寄与する可燃性ガス総流量をＶ2 とすると
き、Ｖ1 とＶ2 が数３
【数３】
の式を満足するように行うことを特徴とするガラス微粒
子堆積体の製造方法。 (2) 上記Ｖ1 とＶ2 が数４
子堆積体の製造方法。 (2) 上記Ｖ1 とＶ2 が数４
【数４】
の式を満足するように行うことを特徴とする上記(1) 記
載のガラス微粒子堆積体の製造方法。 (3) 上記可燃性ガスがＨ2 であることを特徴とする上記
(1) 記載のガラス微粒子堆積体の製造方法。 (4) 上記ガラス微粒子合成用バーナーとして同心円状の
多重管構造バーナーを用いることを特徴とする上記(1)
記載のガラス微粒子堆積体の製造方法。
載のガラス微粒子堆積体の製造方法。 (3) 上記可燃性ガスがＨ2 であることを特徴とする上記
(1) 記載のガラス微粒子堆積体の製造方法。 (4) 上記ガラス微粒子合成用バーナーとして同心円状の
多重管構造バーナーを用いることを特徴とする上記(1)
記載のガラス微粒子堆積体の製造方法。
【０００７】本発明は、ＶＡＤ法におけるガラス微粒子
合成用バーナーとして二重の火炎を形成できるバーナー
を用いること、このとき内側の火炎と外側の火炎にそれ
ぞれ導入する可燃性ガス（各火炎毎の総流量）の比率を
特定範囲とすることにより、ガラス微粒子堆積体のＧＩ
型屈折率分布を設計値のものにすることができる。
合成用バーナーとして二重の火炎を形成できるバーナー
を用いること、このとき内側の火炎と外側の火炎にそれ
ぞれ導入する可燃性ガス（各火炎毎の総流量）の比率を
特定範囲とすることにより、ガラス微粒子堆積体のＧＩ
型屈折率分布を設計値のものにすることができる。
【０００８】以下、図面を参照して具体的に本発明を説
明する。図１は本発明の一実施態様に用いるガラス微粒
子合成用バーナーの噴出口断面構造と各ポートに流すガ
スを示した概略説明図である。このバーナーは同心８重
管構造であり、中心ポートを第１ポート１として外側に
向かって第８ポートまであり、中心ポート１から第４ポ
ート４までが一組となって内側の火炎を形成し、第５ポ
ートから第８ポート８の４つのポートが一組となって外
側の火炎を形成している。第１ポートには原料ガス（Ｓ
ｉＣｌ4 及びＧｅＣｌ4 ）が流されるが、場合によって
はさらにＨ2 を流すこともある。第２ポートにはＨ2 、
或いはＨ2 と原料ガスを流す。第３ポートには不活性ガ
ス（Ａｒ），第４ポートにはＯ2 を流す。この第１〜第
４ポートに流される可燃性ガス（この場合にはＨ2 ）の
総流量をＶ 1 とする。第５ポートにはＡｒ、第６ポート
にはＨ2 、第７ポートにはＡｒ、第８ポートにはＨ2 を
流し、第５〜８ポートに流される可燃性ガス（この場合
にはＨ2 ）の総流量をＶ2 とする。
明する。図１は本発明の一実施態様に用いるガラス微粒
子合成用バーナーの噴出口断面構造と各ポートに流すガ
スを示した概略説明図である。このバーナーは同心８重
管構造であり、中心ポートを第１ポート１として外側に
向かって第８ポートまであり、中心ポート１から第４ポ
ート４までが一組となって内側の火炎を形成し、第５ポ
ートから第８ポート８の４つのポートが一組となって外
側の火炎を形成している。第１ポートには原料ガス（Ｓ
ｉＣｌ4 及びＧｅＣｌ4 ）が流されるが、場合によって
はさらにＨ2 を流すこともある。第２ポートにはＨ2 、
或いはＨ2 と原料ガスを流す。第３ポートには不活性ガ
ス（Ａｒ），第４ポートにはＯ2 を流す。この第１〜第
４ポートに流される可燃性ガス（この場合にはＨ2 ）の
総流量をＶ 1 とする。第５ポートにはＡｒ、第６ポート
にはＨ2 、第７ポートにはＡｒ、第８ポートにはＨ2 を
流し、第５〜８ポートに流される可燃性ガス（この場合
にはＨ2 ）の総流量をＶ2 とする。
【０００９】また、１ポートに原料ガスと共にＯ2 を供
給する形態においても、本発明の方法を適用することが
できる。例えば、第１ポートにはＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ
4 及びＯ2 、第２ポートにはＡｒ、第３ポートには
Ｈ2 、第４ポートにはＡｒ、第５ポートにはＯ2 を流
し、第１〜５ポートが一組となって内側火炎を形成し、
第６ポートにはＡｒ、第７ポートにはＨ2 、第８ポート
にはＡｒ、第９ポートにはＯ 2 を流し、第６〜９ポート
が一組となって外側火炎を形成する。
給する形態においても、本発明の方法を適用することが
できる。例えば、第１ポートにはＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ
4 及びＯ2 、第２ポートにはＡｒ、第３ポートには
Ｈ2 、第４ポートにはＡｒ、第５ポートにはＯ2 を流
し、第１〜５ポートが一組となって内側火炎を形成し、
第６ポートにはＡｒ、第７ポートにはＨ2 、第８ポート
にはＡｒ、第９ポートにはＯ 2 を流し、第６〜９ポート
が一組となって外側火炎を形成する。
【００１０】本発明は内側火炎の生成に寄与する可燃性
ガス総流量Ｖ1 と、外側火炎の生成に寄与する可燃性ガ
ス総流量Ｖ2 が、数５
ガス総流量Ｖ1 と、外側火炎の生成に寄与する可燃性ガ
ス総流量Ｖ2 が、数５
【数５】
を満足するように可燃性ガスを供給する。Ｖ2 ／Ｖ1 ＜
１．０ではガラス微粒子堆積体が割れやすく、製造が困
難である。一方Ｖ2 ／Ｖ1 ＞５．０では、得られたガラ
ス微粒子堆積体のプロファイルが図５に示すように外側
にもα乗分布を有するダブルαの形状と呼ばれるものと
なり、屈折率差△ｎの盛り上がりが大きなものとなって
しまう。なお、従来法ではＶ2 ／Ｖ1 ≒１０でガラス微
粒子堆積体を形成していた。
１．０ではガラス微粒子堆積体が割れやすく、製造が困
難である。一方Ｖ2 ／Ｖ1 ＞５．０では、得られたガラ
ス微粒子堆積体のプロファイルが図５に示すように外側
にもα乗分布を有するダブルαの形状と呼ばれるものと
なり、屈折率差△ｎの盛り上がりが大きなものとなって
しまう。なお、従来法ではＶ2 ／Ｖ1 ≒１０でガラス微
粒子堆積体を形成していた。
【００１１】本発明において、より好ましいＶ1 とＶ2
の比率としては、数６
の比率としては、数６
【数６】
であることが挙げられる。流量比率がこの範囲にあると
製造バラツキの中で見られるダブルαを有するものも小
さくすることができ、かつ割れの発生もなく安定に製造
することが可能となる。
製造バラツキの中で見られるダブルαを有するものも小
さくすることができ、かつ割れの発生もなく安定に製造
することが可能となる。
【００１２】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるとこ
ろはない。
するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるとこ
ろはない。
【００１３】（実施例１〜３並びに比較例１及び２）図
４に示す構成で、ＶＡＤ法によりＧｅを添加されたＧＩ
型屈折率分布を有するガラス微粒子堆積体を製造した。
ガラス微粒子合成用バーナー１０としては同心８重管バ
ーナーで、噴出口断面構造は図１に示すのと同様で、噴
出方向断面は図２に示すように、外側火炎を形成する第
５ポート５から第８ポート８が内側火炎を形成する第１
ポートから第４ポートよりも噴出方向に突出した形状を
有し、図中のＬは１２０ｍｍ、Ｒは４７ｍｍのものを用
いた。このバーナーの第１〜第８ポートに、表１に示す
ように各ガスを流した。得られたガラス母材は外径１２
０ｍｍで引上げ長は４００ｍｍ、平均引上げ速度は８０
ｍｍ／ｈｒであった。本実施例及び比較例において、Ｖ
1 は第１ポートＨ2 流量（ＳＬＭ）と第２ポートＨ2 流
量（ＳＬＭ）の和、Ｖ2 は第６ポートのＨ2 流量（ＳＬ
Ｍ）である。Ｖ2 とＶ1 を種々に変化させ、Ｖ2 ／Ｖ1
が表１に示す値となるようにした。得られた各ガラス微
粒子堆積体（比較例１、実施例１〜３、比較例２）につ
いて、製造途中の割れ発生の有無と、その後焼結ガラス
化したもののプロファイルを測定した結果を、表３に示
す。
４に示す構成で、ＶＡＤ法によりＧｅを添加されたＧＩ
型屈折率分布を有するガラス微粒子堆積体を製造した。
ガラス微粒子合成用バーナー１０としては同心８重管バ
ーナーで、噴出口断面構造は図１に示すのと同様で、噴
出方向断面は図２に示すように、外側火炎を形成する第
５ポート５から第８ポート８が内側火炎を形成する第１
ポートから第４ポートよりも噴出方向に突出した形状を
有し、図中のＬは１２０ｍｍ、Ｒは４７ｍｍのものを用
いた。このバーナーの第１〜第８ポートに、表１に示す
ように各ガスを流した。得られたガラス母材は外径１２
０ｍｍで引上げ長は４００ｍｍ、平均引上げ速度は８０
ｍｍ／ｈｒであった。本実施例及び比較例において、Ｖ
1 は第１ポートＨ2 流量（ＳＬＭ）と第２ポートＨ2 流
量（ＳＬＭ）の和、Ｖ2 は第６ポートのＨ2 流量（ＳＬ
Ｍ）である。Ｖ2 とＶ1 を種々に変化させ、Ｖ2 ／Ｖ1
が表１に示す値となるようにした。得られた各ガラス微
粒子堆積体（比較例１、実施例１〜３、比較例２）につ
いて、製造途中の割れ発生の有無と、その後焼結ガラス
化したもののプロファイルを測定した結果を、表３に示
す。
【００１４】
【表１】
【００１５】（実施例４）図４に示す構成で、ＶＡＤ法
によりＧｅを添加されたＧＩ型屈折率分布を有するガラ
ス微粒子堆積体を製造した。ガラス微粒子合成用バーナ
ー１０として同心９重管バーナーを用い、表２に示すよ
うに各ガスを流して、第１〜第４ポートで内側火炎、第
５〜第９ポートで外側火炎を形成した。得られたガラス
母材は外径１２０ｍｍで引上げ長は４００ｍｍ、平均引
上げ速度は８０ｍｍ／ｈｒであった。本実施例において
Ｖ1 は第３ポートのＨ2 流量（ＳＬＭ）、Ｖ2 は第７ポ
ートのＨ2 流量（ＳＬＭ）である。得られたガラス微粒
子堆積体（実施例４）について、製造途中の割れ発生の
有無と、その後焼結ガラス化したもののプロファイルを
測定した結果を表３にあわせて示す。
によりＧｅを添加されたＧＩ型屈折率分布を有するガラ
ス微粒子堆積体を製造した。ガラス微粒子合成用バーナ
ー１０として同心９重管バーナーを用い、表２に示すよ
うに各ガスを流して、第１〜第４ポートで内側火炎、第
５〜第９ポートで外側火炎を形成した。得られたガラス
母材は外径１２０ｍｍで引上げ長は４００ｍｍ、平均引
上げ速度は８０ｍｍ／ｈｒであった。本実施例において
Ｖ1 は第３ポートのＨ2 流量（ＳＬＭ）、Ｖ2 は第７ポ
ートのＨ2 流量（ＳＬＭ）である。得られたガラス微粒
子堆積体（実施例４）について、製造途中の割れ発生の
有無と、その後焼結ガラス化したもののプロファイルを
測定した結果を表３にあわせて示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】表３の結果から明らかなように、１．０≦
Ｖ2 ／Ｖ1 ≦５．５において、堆積中の割れ発生なく製
造できる。またＶ2 ／Ｖ1 ≦５．０において、ダブルα
プロファイルが殆どなく、割れもなく製造できる。
Ｖ2 ／Ｖ1 ≦５．５において、堆積中の割れ発生なく製
造できる。またＶ2 ／Ｖ1 ≦５．０において、ダブルα
プロファイルが殆どなく、割れもなく製造できる。
【００１９】（比較例３，４及び実施例５〜８）実施例
１〜３において８重管バーナーの各ポートに流すガスの
種類は同様にして、流量のみを変化させることによりＶ
1 ，Ｖ2 の値を変化させて、ガラス微粒子堆積体を製造
し、実施例１〜３の場合と同様に得られたガラス微粒子
堆積体及び透明ガラス体を評価した。結果を表４に示
す。
１〜３において８重管バーナーの各ポートに流すガスの
種類は同様にして、流量のみを変化させることによりＶ
1 ，Ｖ2 の値を変化させて、ガラス微粒子堆積体を製造
し、実施例１〜３の場合と同様に得られたガラス微粒子
堆積体及び透明ガラス体を評価した。結果を表４に示
す。
【００２０】
【表４】
【００２１】表３及び表４の結果から、２．０≦Ｖ2 ／
Ｖ1 ≦４．５の範囲とすることによりダブルαフロファ
イルなく、また割れ発生もなく、非常に良好に製造でき
ることがわかる。
Ｖ1 ≦４．５の範囲とすることによりダブルαフロファ
イルなく、また割れ発生もなく、非常に良好に製造でき
ることがわかる。
【００２２】以上の説明及び実施例は、ガラス原料とし
てＳｉＣｌ4 、Ｇｅ原料としてＧｅＣｌ4 を用いた例を
示したが、ガラス原料として例えばＳｉＨＣｌ3 ，Ｓｉ
Ｈ2Ｃｌ2 等をを用いてもよい。また、可燃性ガスとし
てはＨ2 以外に、例えばＣＨ4 （メタン），Ｃ2 Ｈ
6 （エタン）等の短鎖炭化水素等を用いても本発明の効
果を得られる。
てＳｉＣｌ4 、Ｇｅ原料としてＧｅＣｌ4 を用いた例を
示したが、ガラス原料として例えばＳｉＨＣｌ3 ，Ｓｉ
Ｈ2Ｃｌ2 等をを用いてもよい。また、可燃性ガスとし
てはＨ2 以外に、例えばＣＨ4 （メタン），Ｃ2 Ｈ
6 （エタン）等の短鎖炭化水素等を用いても本発明の効
果を得られる。
【００２３】
【発明の効果】Ｇｅを含有しＧＩ型屈折率分布を有する
ガラス微粒子堆積体をＶＡＤ法により製造するにあた
り、二重火炎を形成するガラス微粒子合成用バーナーを
用い、内側火炎の可燃性ガス総流量と外側火炎と可燃性
ガス総流量の比率を本発明に範囲内とすることにより、
屈折率分布を制御してきれいなα乗分布とすることがで
き、しかも割れ発生なく製造することができる。
ガラス微粒子堆積体をＶＡＤ法により製造するにあた
り、二重火炎を形成するガラス微粒子合成用バーナーを
用い、内側火炎の可燃性ガス総流量と外側火炎と可燃性
ガス総流量の比率を本発明に範囲内とすることにより、
屈折率分布を制御してきれいなα乗分布とすることがで
き、しかも割れ発生なく製造することができる。
【図１】 ＧＩ型屈折率分布の一例を示す図である。
【図２】 本発明の実施例における、ＶＡＤ法によりＧ
ｅ添加ＧＩ型屈折率分布を有するガラス微粒子堆積体の
製造を示す概略説明図である。
ｅ添加ＧＩ型屈折率分布を有するガラス微粒子堆積体の
製造を示す概略説明図である。
【図３】 本発明の実施例で用いたガラス微粒子合成用
バーナーの噴出口部断面構造とガス種の流しかたを示す
断面図である。
バーナーの噴出口部断面構造とガス種の流しかたを示す
断面図である。
【図４】 本発明の実施例で用いたガラス微粒子合成用
バーナーの噴出方向の概略断面図である。
バーナーの噴出方向の概略断面図である。
【図５】 ダブルαプロファイルを説明する屈折率分布
図である。
図である。
１ 第１ポート（中心ポート）、２ 第２ポート、
３ 第３ポート、４ 第４ポート、 ５ 第５ポー
ト、 ６ 第６ポート、７ 第７ポート、 ８ 第
８ポート、 ９ 反応容器、１０ ガラス微粒子合成
用バーナー、 １１ 火炎、１２ ターゲット（出発
材）、 １３ ガラス微粒子堆積体。
３ 第３ポート、４ 第４ポート、 ５ 第５ポー
ト、 ６ 第６ポート、７ 第７ポート、 ８ 第
８ポート、 ９ 反応容器、１０ ガラス微粒子合成
用バーナー、 １１ 火炎、１２ ターゲット（出発
材）、 １３ ガラス微粒子堆積体。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 榎本 正
神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電
気工業株式会社横浜製作所内
Ｆターム(参考） 2H050 AC07 AC72
4G014 AH16
4G021 EA01 EB15 EB26
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラス原料ガス及びＧｅ化合物ガスをガ
ラス微粒子合成用バーナーの火炎中に導入し、生成され
たガラス微粒子を、回転しつつ該バーナーとは相対的に
上下移動する出発材外周にＶＡＤ法により堆積させるこ
とによりＧｅを含有するＧＩ型屈折率分布のガラス微粒
子堆積体を形成する方法において、上記ガラス微粒子合
成用バーナーとして二重に火炎を形成できるバーナーを
使用し、内側火炎の生成に寄与する可燃性ガス総流量を
Ｖ1 、外側火炎の生成に寄与する可燃性ガス総流量をＶ
2 とするとき、Ｖ1 とＶ2 が数１ 【数１】 の式を満足するように行うことを特徴とするガラス微粒
子堆積体の製造方法。 - 【請求項２】 上記Ｖ1 とＶ2 が数２ 【数２】 の式を満足するように行うことを特徴とする請求項１記
載のガラス微粒子堆積体の製造方法。 - 【請求項３】 上記可燃性ガスがＨ2 であることを特徴
とする請求項１記載のガラス微粒子堆積体の製造方法。 - 【請求項４】 上記ガラス微粒子合成用バーナーとして
同心円状の多重管構造バーナーを用いることを特徴とす
る請求項１記載のガラス微粒子堆積体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001331016A JP2003137558A (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | ガラス微粒子堆積体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001331016A JP2003137558A (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | ガラス微粒子堆積体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003137558A true JP2003137558A (ja) | 2003-05-14 |
Family
ID=19146650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001331016A Pending JP2003137558A (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | ガラス微粒子堆積体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003137558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106830664A (zh) * | 2017-02-22 | 2017-06-13 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种用于制备光纤母材疏松体的喷灯 |
-
2001
- 2001-10-29 JP JP2001331016A patent/JP2003137558A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106830664A (zh) * | 2017-02-22 | 2017-06-13 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种用于制备光纤母材疏松体的喷灯 |
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