JP2003131392A - Marking method and apparatus by laser beam - Google Patents

Marking method and apparatus by laser beam

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JP2003131392A JP2001327976A JP2001327976A JP2003131392A JP 2003131392 A JP2003131392 A JP 2003131392A JP 2001327976 A JP2001327976 A JP 2001327976A JP 2001327976 A JP2001327976 A JP 2001327976A JP 2003131392 A JP2003131392 A JP 2003131392A
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誠樹 森
Kenji Sato
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a marking method and apparatus which permit marking of identification cords homogeneous in density and shape when the identification cords are marked by laser beams while an exposure unit and a stage are relatively moved. SOLUTION: The method and apparatus for marking an article 50 to be marked with the identification cords C by the laser beams outputted from the exposure unit 1 by relatively moving the stage 2 placed on with the article 50 to be marked and the exposure unit 1 arranged above this stage 2, in which the laser beams outputted from the exposure unit 1 are made to scan the object so as to be successively and time serially deflected in a direction orthogonal with the relative moving direction and are shifted in their irradiation directions so as to synchronizing with the relative moving direction, by which the irradiation points on the article 50 to be marked are aligned to an orthogonal coordinate form.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被マーキング物品
上にレーザビームにより識別コードをマーキングするマ
ーキング方法及び装置に関し、更に詳しくは、液晶パネ
ル製造工程等においてフォトレジスト塗布基板に履歴管
理や品質管理等のための識別コードをレーザビームによ
り露光するマーキング方法及び装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a marking method and apparatus for marking an identification code with a laser beam on an article to be marked, and more specifically, history control and quality control on a photoresist-coated substrate in a liquid crystal panel manufacturing process or the like. The present invention relates to a marking method and apparatus for exposing an identification code for a laser beam with a laser beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、液晶パネル製造工程では、フォ
トレジスト(即ち、感光樹脂)が塗布されたガラス基板
に、パターン露光装置により回路パターンを露光する他
に、識別露光装置により基板識別コードやパネル識別コ
ード等を露光したり、また周辺露光装置により基板周辺
部分の不要レジスト部分を露光したりしてから、現像装
置により現像処理する。このように現像処理が済んだガ
ラス基板からは、複数枚に分割された液晶パネルが製作
される。
2. Description of the Related Art Generally, in a liquid crystal panel manufacturing process, in addition to exposing a circuit pattern on a glass substrate coated with photoresist (that is, photosensitive resin) by a pattern exposure device, a substrate identification code or a panel by an identification exposure device. After exposing the identification code or the like or exposing the unnecessary resist portion in the peripheral portion of the substrate by the peripheral exposure device, development processing is performed by the developing device. A liquid crystal panel divided into a plurality of pieces is manufactured from the glass substrate thus developed.

【0003】図17は、上記のように露光処理した後に
現像処理をしたガラス基板を例示したものである。
FIG. 17 exemplifies a glass substrate which has been subjected to the exposure processing and the development processing as described above.

【0004】ガラス基板50には、多数の液晶パネル5
1が多列に並ぶように露光されると共に、基板周辺に履
歴管理や品質管理等のために基板識別コード50aがマ
ーキングされている。また、ガラス基板50には、複数
の液晶パネル51に分割された後も、特定の液晶パネル
51が識別できるように各液晶パネル51に配列番号等
を付加したパネル識別コード51aがマーキングされ、
さらに個々の液晶パネル51を縦列の分断単位に管理可
能なように、各縦列毎に分断位置情報等を付加した分断
基板識別コード50bがマーキングされている。
A large number of liquid crystal panels 5 are mounted on the glass substrate 50.
1 are exposed so as to be arranged in multiple rows, and a board identification code 50a is marked around the board for history management, quality control, and the like. Further, the glass substrate 50 is marked with a panel identification code 51a in which an array number or the like is added to each liquid crystal panel 51 so that the particular liquid crystal panel 51 can be identified even after being divided into a plurality of liquid crystal panels 51.
Further, a division board identification code 50b to which division position information or the like is added is marked for each column so that each liquid crystal panel 51 can be managed in units of columns.

【0005】上記のように大型のガラス基板50から複
数の小型液晶パネル51を分離して製造する場合には、
分断基板識別コード50bやパネル識別コード51aが
必要になる。ただし、ここに基板識別コード50a、分
断基板識別コード50b、パネル識別コード51aなど
の呼称や分割数等はあくまでも一例であって、液晶パネ
ルの種類等により変わることはいうまでもない。
When a plurality of small liquid crystal panels 51 are separately manufactured from the large glass substrate 50 as described above,
The divided board identification code 50b and the panel identification code 51a are required. However, the names and division numbers of the board identification code 50a, the divided board identification code 50b, the panel identification code 51a, etc., are merely examples, and it goes without saying that they may vary depending on the type of the liquid crystal panel.

【0006】従来、上記のような基板識別コード50
a、分断基板識別コード50b、パネル識別コード51
a等の識別コードをマーキングする方法としては、一定
位置に固定した露光ユニットに対して、ガラス基板を載
せたステージをNC制御により一定の速度で移動させな
がら、レーザビームを複数に分岐し、これら複数のレー
ザビームをガラス基板上の所定位置に選択照射すること
により、識別コードをマーキングするという方法が採ら
れていた。
Conventionally, the board identification code 50 as described above is used.
a, divided board identification code 50b, panel identification code 51
As a method of marking an identification code such as a, a laser beam is divided into a plurality of beams while moving a stage on which a glass substrate is placed at a constant speed under NC control with respect to an exposure unit fixed at a fixed position. A method has been adopted in which an identification code is marked by selectively irradiating a predetermined position on a glass substrate with a plurality of laser beams.

【0007】しかし、上記従来方法によると、1本のレ
ーザビームを複数のビームに分岐し、その複数のビーム
をガラス基板上の所定位置に選択照射するとき、ガラス
基板を載せたステージを相対移動させながら行うため、
ビーム相互間の照射点にずれを生じ、そのずれによりビ
ームの形状やエネルギーにばらつきが発生するため、均
質な濃度や形状の識別コードをマーキングできなくなる
ことがあるという問題があった。
However, according to the conventional method described above, when one laser beam is split into a plurality of beams and the plurality of beams are selectively irradiated to predetermined positions on the glass substrate, the stage on which the glass substrate is placed is moved relative to each other. To do it while
There is a problem in that it is not possible to mark a uniform density or shape identification code because the irradiation points between the beams are displaced and the displacement causes variations in the beam shape and energy.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、露光
ユニットとステージとを相対移動させながらレーザビー
ムで識別コードをマーキングする場合、濃度や形状が均
質な識別コードをマーキング可能にするマーキング方法
及び装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a marking method capable of marking an identification code having a uniform density and shape when marking the identification code with a laser beam while relatively moving the exposure unit and the stage. And to provide a device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のレーザビームによるマーキング方法は、被マーキン
グ物品を載置したステージと、該ステージの上方に配置
した露光ユニットとを相対移動させ、前記露光ユニット
から出力するレーザビームにより前記被マーキング物品
上に識別コードをマーキングする方法において、前記露
光ユニットから出力するレーザビームを前記相対移動方
向と直交する方向に時系列的に順次偏向させるように走
査すると共に、その照射方向を前記相対移動方向にずら
せ、前記被マーキング物品上の照射点を直交座標に整列
させることを特徴とするものである。
A marking method using a laser beam of the present invention that achieves the above object is achieved by relatively moving a stage on which an article to be marked is placed and an exposure unit arranged above the stage, In a method of marking an identification code on the article to be marked by a laser beam output from an exposure unit, scanning is performed so that the laser beam output from the exposure unit is sequentially and sequentially deflected in a direction orthogonal to the relative movement direction. In addition, the irradiation direction is shifted to the relative movement direction, and the irradiation point on the article to be marked is aligned with the orthogonal coordinates.

【0010】本発明の他のマーキング方法は、被マーキ
ング物品を載置したステージと、該ステージの上方に配
置した露光ユニットとを相対移動させ、前記露光ユニッ
トから出力するレーザビームにより前記被マーキング物
品上に識別コードをマーキングする方法において、前記
ステージ又は該ステージ上の被マーキング物品の表面の
直交座標を前記相対移動方向に対して斜めにし、前記露
光ユニットから出力するレーザビームを前記相対移動方
向と直交する方向に時系列的に順次偏向させるように走
査することにより、前記被マーキング物品上の照射点を
直交座標に整列させることを特徴とするものである。
According to another marking method of the present invention, the stage on which the article to be marked is placed and an exposure unit arranged above the stage are relatively moved, and the article to be marked is produced by a laser beam output from the exposure unit. In the method of marking an identification code on the above, the orthogonal coordinates of the surface of the stage or the article to be marked on the stage are inclined with respect to the relative movement direction, and the laser beam output from the exposure unit is set to the relative movement direction. It is characterized in that the irradiation points on the article to be marked are aligned in orthogonal coordinates by scanning so as to sequentially deflect in a time series in the orthogonal direction.

【0011】本発明のレーザビームによるマーキング装
置は、被マーキング物品を載置するステージと、該ステ
ージの上方に配置した露光ユニットとを相対移動可能に
し、前記露光ユニットを、該露光ユニットから出力する
レーザビームを前記相対移動方向と直交する方向に時系
列的に順次偏向させるように走査するビーム偏向手段
と、該ビーム偏向手段で偏向したレーザビームの照射方
向を前記相対移動方向にずらせる方向補正手段とから構
成したことを特徴とするものである。
The laser beam marking apparatus of the present invention allows the stage on which the article to be marked is placed and the exposure unit arranged above the stage to be relatively movable, and outputs the exposure unit from the exposure unit. Beam deflecting means for scanning the laser beam so as to sequentially deflect the laser beam in a direction orthogonal to the relative movement direction, and direction correction for shifting the irradiation direction of the laser beam deflected by the beam deflection means to the relative movement direction. It is characterized in that it is configured by means.

【0012】本発明の他のマーキング装置は、被マーキ
ング物品を載置するステージと、該ステージの上方に配
置した露光ユニットとを相対移動可能にすると共に、前
記ステージ又は該ステージ上の被マーキング物品の表面
の直交座標を前記相対移動方向に対して斜めにし、前記
露光ユニットを、該露光ユニットから出力するレーザビ
ームを前記相対移動方向と直交する方向に時系列的に順
次偏向させるように走査するビーム偏向手段と、該ビー
ム偏向手段で偏向したレーザビームを拡大する投影光学
手段と、該投影光学手段を出たレーザビームの照射方向
を変える方向補正手段とから構成したことを特徴とする
ものである。
In another marking apparatus of the present invention, a stage on which an article to be marked is placed and an exposure unit arranged above the stage are relatively movable, and the stage or the article to be marked on the stage is movable. The Cartesian coordinates of the surface of the are inclined relative to the relative movement direction, and the exposure unit is scanned so as to sequentially deflect the laser beam output from the exposure unit in a direction orthogonal to the relative movement direction in time series. A beam deflecting means, a projection optical means for expanding the laser beam deflected by the beam deflecting means, and a direction correcting means for changing the irradiation direction of the laser beam emitted from the projection optical means. is there.

【0013】本発明は、上記のように露光ユニットから
出力したレーザビームを、露光ユニットとステージとの
相対移動方向に直交する方向に時系列的に順次偏向分岐
させて走査し、その相対移動方向に直交する方向に隣り
合うビーム間の照射時間差のずれをなくすように照射方
向を補正するため、各ビームのエネルギー分布や形状が
大幅に変わることなく、形状・濃度が均質な識別コード
をマーキングすることができる。
According to the present invention, the laser beam output from the exposure unit as described above is sequentially deflected and branched in time series in the direction orthogonal to the relative movement direction of the exposure unit and the stage, and the relative movement direction is scanned. Since the irradiation direction is corrected so as to eliminate the deviation of the irradiation time difference between the beams that are adjacent to each other in the direction orthogonal to, the identification code with a uniform shape and concentration is marked without the energy distribution or shape of each beam changing significantly. be able to.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図に示す本発明の実施形態
を参照して具体的に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The embodiments of the present invention shown in the drawings will be specifically described below.

【0015】図1は、本発明からなるレーザビームによ
るマーキング装置を例示する。
FIG. 1 illustrates a laser beam marking device according to the present invention.

【0016】1は露光ユニット、2は基板50を上面に
保持するステージである。基板50は被マーキング物品
としてステージ2の上に置かれ、その表面にフォトレジ
スト(即ち、感光樹脂)が塗布されている。露光ユニッ
ト1は、図では平行に並ぶ2セットだけを図示している
が、基板50の幅方向全体にわたり多数列を配置するよ
うにしたものであってもよい。
Reference numeral 1 is an exposure unit, and 2 is a stage for holding the substrate 50 on the upper surface. The substrate 50 is placed on the stage 2 as an article to be marked, and the surface thereof is coated with a photoresist (that is, a photosensitive resin). Although only two sets of the exposure units 1 arranged in parallel are shown in the drawing, a plurality of columns may be arranged over the entire width direction of the substrate 50.

【0017】表面にフォトレジストが塗布された基板5
0は、不図示の移載ロボットやコンベアなどの搬送出機
構によりステージ2の上に搬送されて載置される。ステ
ージ2には、平面視矩形の長辺方向と短辺方向とを直交
座標のX軸方向とY軸方向とするとき、それぞれX軸方
向とY軸方向とに独立に移動させる駆動機構と表面に垂
直な軸を中心に回動させる回転機構(いずれも図示せ
ず)とが設けられ、さらに表面には多数の吸引孔と複数
の基板支持ピン(図示せず)が出没するように設けられ
ている。
A substrate 5 having a photoresist coated on its surface
0 is transported and mounted on the stage 2 by a transport robot (not shown) or a transport mechanism such as a conveyor. The stage 2 has a drive mechanism and a surface for independently moving in the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively, when the long-side direction and the short-side direction of the rectangle in plan view are the X-axis direction and the Y-axis direction of the orthogonal coordinates. A rotation mechanism (not shown) for rotating about a vertical axis is provided, and a large number of suction holes and a plurality of substrate support pins (not shown) are provided on the surface so as to project and retract. ing.

【0018】搬送出機構で搬送されてきた基板50は、
ステージ2の表面に突出させた基板支持ピンの上に載せ
られると、基板支持ピンが下降してステージ2の上に降
ろされ、次いで吸引孔に負圧が作用して吸着保持され
る。
The substrate 50 transferred by the transfer mechanism is
When it is placed on the substrate support pin projected on the surface of the stage 2, the substrate support pin descends and is lowered onto the stage 2, and then negative pressure acts on the suction hole to suck and hold it.

【0019】基板50がステージ2上に置かれるときの
位置は常に一定ではないため、予め登録された基準位置
からどれくらいずれているかが測定され、その測定値に
基づいて基準位置にセットされる。位置の測定方法は特
に限定されないが、変位センサやCCDカメラと画像処
理による変位測定法などで測定できる。或いは、基板5
0をステージ2に保持させる前に、基準となる場所に横
から押さえ込んで位置合わせする方法であってもよい。
Since the position of the substrate 50 placed on the stage 2 is not always constant, it is measured how much it is from the reference position registered in advance, and the reference position is set based on the measured value. The method for measuring the position is not particularly limited, but it can be measured by a displacement sensor or a CCD camera and a displacement measuring method by image processing. Alternatively, the substrate 5
Before holding 0 on the stage 2, a method of laterally pressing down on a reference position and performing alignment may be used.

【0020】基板50を保持したステージ2は、NC制
御により予め登録されたデータを基に識別コードの露光
開始位置へ移動させる。露光開始位置は事前操作により
登録しておき、ずれ量を補正計算した状態にする。
The stage 2 holding the substrate 50 is moved to the exposure start position of the identification code based on the data registered in advance by NC control. The exposure start position is registered by an advance operation, and the shift amount is corrected and calculated.

【0021】露光ユニット1は、レーザ光源(図示せ
ず)から1本のレーザビーム10をパルス出力し、ビー
ムスプリッター21により直進のレーザビーム11と方
向変更するレーザビーム12とに分岐される。レーザビ
ーム10のパルス出力は、例えば、図2に示すように時
間ta の発光Aと時間tb の消光Bとを高速で交互にパ
ルス的に繰り返す。
The exposure unit 1 outputs a pulse of one laser beam 10 from a laser light source (not shown), and a beam splitter 21 splits the laser beam 10 into a straight laser beam 11 and a laser beam 12 which changes its direction. Pulse output of the laser beam 10, for example, the pulse repeats the extinction B luminescent A and time t b of time as shown in FIG. 2 t a alternately at a high speed.

【0022】上記の直進したレーザビーム11はプリズ
ム22で方向変更され、他方のレーザビーム12と平行
なレーザビーム13になる。2本の平行なレーザビーム
12,13は、それぞれビーム偏向機構23を通過する
ことにより、露光ユニット1に対するステージ2の相対
移動方向(矢印F方向)に直交する方向に時系列的に順
次複数段階に偏向させられて、複数のレーザビーム1
4,14a〜14fに分岐する(図3(a)〜(d)参
照)。図では7段階に分岐させているが、段数は特に限
定されない。
The above-mentioned straight-ahead laser beam 11 is redirected by the prism 22 to become a laser beam 13 parallel to the other laser beam 12. The two parallel laser beams 12 and 13 pass through the beam deflection mechanism 23, respectively, so that the laser beams 12 and 13 are sequentially stepwise in a direction orthogonal to the relative movement direction of the stage 2 with respect to the exposure unit 1 (direction of arrow F). Multiple laser beams 1 deflected to
4, 14a to 14f (see FIGS. 3A to 3D). Although the number of branches is seven in the figure, the number of stages is not particularly limited.

【0023】ビーム偏向機構23は特に限定されるもの
ではないが、例えば音響光学素子が用いられ、上記のよ
うに1本のレーザビームの出射方向を複数段階に偏向す
ることができる。
The beam deflection mechanism 23 is not particularly limited, but an acousto-optical element is used, for example, and the emission direction of one laser beam can be deflected in a plurality of steps as described above.

【0024】図3(a)〜(d)に示すように、ビーム
偏向機構23を通過するレーザビームのうち、偏向させ
られずに直進したレーザビーム14は、集光レンズ24
を通過したのち透過フィルター25に遮光される。ビー
ム偏向機構23により時系列的に順次異なる角度に偏向
させられたレーザビーム14a〜14fは、集光レンズ
24を通過することにより平行なレーザビーム15a〜
15fになる。
As shown in FIGS. 3A to 3D, among the laser beams passing through the beam deflecting mechanism 23, the laser beam 14 which has not been deflected and has proceeded straight is a condensing lens 24.
After passing through, the light is blocked by the transmission filter 25. The laser beams 14a to 14f, which are sequentially deflected at different angles in time series by the beam deflecting mechanism 23, pass through the condensing lens 24 so that the parallel laser beams 15a to 14f.
It becomes 15f.

【0025】透過フィルター25を通過したレーザビー
ム16a〜16fは、次いで角度可変のミラー31に反
射して照射方向が変えられ、レーザビーム17a〜17
fになる(図5参照)。方向転換したレーザビーム17
a〜17fは、図4に示すように集光レンズ26により
集光されたレーザビーム18a〜18fになり、基板5
0上に照射されることにより表面のフォトレジストを露
光し、これらレーザビーム18a〜18fの露光点の集
積により文字及び/又は2次元図形からなる識別コード
C(51a)がマーキングされる。
The laser beams 16a to 16f that have passed through the transmission filter 25 are then reflected by the angle-variable mirror 31 to change the irradiation direction, and the laser beams 17a to 17f.
f (see FIG. 5). Redirected laser beam 17
a to 17f become the laser beams 18a to 18f condensed by the condenser lens 26 as shown in FIG.
The photoresist on the surface is exposed by irradiating the laser beam on the surface 0, and the identification code C (51a) consisting of characters and / or a two-dimensional figure is marked by the accumulation of the exposure points of these laser beams 18a to 18f.

【0026】この識別コードC(51a)は、図1に示
すように、ステージ2を矢印F方向に一定の速度vで移
動させながら、その移動方向に直交する方向に複数のレ
ーザビーム18a〜18fを時系列的に順次走査させて
露光することによりマーキングされる。
As shown in FIG. 1, the identification code C (51a) is obtained by moving the stage 2 in the direction of arrow F at a constant velocity v, and by arranging a plurality of laser beams 18a to 18f in the direction orthogonal to the moving direction. Are sequentially scanned in time series and exposed to be marked.

【0027】この識別コードのマーキングにおいて、ミ
ラー31が一定角度に固定されている場合には、矢印F
方向に移動する基板50に対しその移動方向に直交する
ようにレーザビーム18a〜18fが順次走査すると、
その露光点a,b,c,d,e,fは、各レーザビーム
間の照射タイミングのずれ(差)により、露光方向が移
動方向Fに対して順次斜めにずれる(図8参照)。続い
てレーザビーム18a〜18fが走査するときの露光点
g,h,i,j,k,l、その次の露光点m,n,o,
p,q,rも、上記同様に斜めになるため識別コードC
は歪んだ形状になる。
In the marking of this identification code, when the mirror 31 is fixed at a constant angle, the arrow F
When the laser beams 18a to 18f are sequentially scanned with respect to the substrate 50 moving in the direction so as to be orthogonal to the moving direction,
The exposure points a, b, c, d, e, and f are sequentially shifted obliquely with respect to the moving direction F due to a deviation (difference) in irradiation timing between the laser beams (see FIG. 8). Subsequently, the exposure point g, h, i, j, k, l when the laser beams 18a to 18f are scanned, and the next exposure point m, n, o,
Since p, q, and r are also inclined like the above, the identification code C
Has a distorted shape.

【0028】なお、図に示す露光点a,b,c・・・
q,rにおいて、実線で囲んだ点はビーム偏向機構23
がONになってレーザビームが照射され、実際に露光さ
れた点を意味し、破線で囲んだ点は偏向機構23がOF
Fであって、レーザビームが照射されずに露光されなか
った点を意味する。この破線の点は正確には非露光点で
あるが、破線で表示することで便宜的に露光点と称し
た。
The exposure points a, b, c ...
In q and r, the point surrounded by the solid line is the beam deflection mechanism 23.
Is turned on, the laser beam is irradiated, and the point where the laser beam is actually exposed is indicated.
F means that the laser beam was not irradiated and was not exposed. Although the point of this broken line is a non-exposure point to be exact, it is referred to as an exposure point for convenience by displaying it with a broken line.

【0029】本発明の露光ユニットでは、図5に示すよ
うに、ミラー31が長手方向に平行な回転軸31aを中
心にミラー回転機構32により矢印方向に回転するよう
になっているため、反射するレーザビーム17a〜17
fの照射方向が時系列的にステージ2(基板50)の移
動方向Fに順次ずれていく。そのため、図9に示すよう
にレーザビーム18a〜18fの走査方向がステージ2
の移動に同期して移動方向Fに順次斜めにずれていき、
その結果、レーザビーム18a〜18fの露光点a,
b,c,d,e,f、次の露光点g,h,i,j,k,
l、さらに次の露光点m,n,o,p,q,rが直交座
標の状態に整列する。したがって、均一に格子状に整列
した識別コードCがマーキングされる。
In the exposure unit of the present invention, as shown in FIG. 5, the mirror 31 is rotated in the direction of the arrow by the mirror rotation mechanism 32 about the rotation axis 31a parallel to the longitudinal direction, so that reflection occurs. Laser beams 17a-17
The irradiation direction of f sequentially shifts in the moving direction F of the stage 2 (substrate 50) in time series. Therefore, as shown in FIG. 9, the scanning direction of the laser beams 18a to 18f is the stage 2
In synchronism with the movement of
As a result, the exposure points a of the laser beams 18a to 18f,
b, c, d, e, f, next exposure point g, h, i, j, k,
l, and the next exposure points m, n, o, p, q, and r are aligned in a rectangular coordinate state. Therefore, the identification codes C uniformly arranged in a grid are marked.

【0030】図示の実施形態では、レーザビーム18a
〜18fの走査方向を、ステージ2(基板50)の移動
方向Fに対して斜めにする方法として、反射ミラー31
を図5のように回転させたが、図6に示すように、反射
ミラー31の長手方向の中間に回転軸32aを直交する
ように取り付け、この回転軸32aをミラー回転機構3
2により矢印方向に回転させるものであってもよい。ま
た、図7に示すように、反射ミラーを多角形ミラー33
にし、この多角形ミラー33の軸を回転軸としてミラー
回転機構32で回転させるようにしたものであってもよ
い。
In the illustrated embodiment, the laser beam 18a
As a method of making the scanning direction of ~ 18f oblique with respect to the moving direction F of the stage 2 (substrate 50), the reflection mirror 31
5 was rotated as shown in FIG. 5, but as shown in FIG. 6, a rotary shaft 32a was attached to the middle of the reflecting mirror 31 in the longitudinal direction so that the rotary shaft 32a was orthogonal to the rotary shaft 32a.
It may be rotated in the direction of the arrow by 2. In addition, as shown in FIG. 7, the reflection mirror is a polygonal mirror 33.
The mirror rotating mechanism 32 may rotate the polygonal mirror 33 as the axis of rotation.

【0031】また、上記のミラーに替えて、プリズム、
ダブプリズムその他の形および手段を用いることも可能
である。
Further, instead of the above mirror, a prism,
Dove prisms and other shapes and means can be used.

【0032】上記の方法は、いずれもミラーの反射面を
可変にするものであるが、予め露光ユニット1、または
反射ミラー31の取り付け角度を変えておき、図9に示
すように、ビーム走査方向が基板移動方向に対し直交で
はなく一定の角度を持たせて、その結果ビーム露光方向
が基板移動方向Fと直交となるように設定した場合で
も、上記と同様の作用効果を得ることができる。或い
は、ステージ2(基板50)の移動方向F(相対移動方
向)を、図10に示すように、平面視にてビーム走査方
向に対して斜めにするようにしたものであってもよい。
In any of the above methods, the reflecting surface of the mirror is made variable. However, the mounting angle of the exposure unit 1 or the reflecting mirror 31 is changed beforehand, and the beam scanning direction is changed as shown in FIG. Even when the beam exposure direction is set to be orthogonal to the substrate moving direction F instead of being orthogonal to the substrate moving direction, it is possible to obtain the same effect as the above. Alternatively, as shown in FIG. 10, the moving direction F (relative moving direction) of the stage 2 (substrate 50) may be slanted with respect to the beam scanning direction in plan view.

【0033】本発明で使用するレーザビームは、パルス
出力するもののほか、高速で偏向角度が変えられるもの
であれば、連続出力されるレーザビームであってもよ
い。連続的に出力するレーザビームの場合、図11に示
すように、ビームの偏向角度θが切り替わる時間を
1 、ビーム偏向角度θが変化しない時間をt2 とすれ
ば、両時間ともビームを照射させることになる。しか
し、時間t1 が時間t2 に比べて十分に短く、かつレジ
スト感度に影響しない時間であれば、所定の位置に露光
することが可能である。
The laser beam used in the present invention may be a laser beam that outputs pulses, or a laser beam that outputs continuously as long as the deflection angle can be changed at high speed. In the case of a laser beam that is continuously output, as shown in FIG. 11, if the time when the beam deflection angle θ is switched is t 1 and the time when the beam deflection angle θ is not changed is t 2 , the beam is irradiated in both times. I will let you. However, if the time t 1 is sufficiently shorter than the time t 2 and the resist sensitivity is not affected, it is possible to perform exposure at a predetermined position.

【0034】レーザビーム内のエネルギー分布は実際に
は均等でない場合が多いが、その場合でもフォトレジス
トに与えるエネルギーが十分あれば感光される。また、
実際の露光エネルギーとフォトレジストの感度、光学系
の組み付け精度や表面反射などにより、露光点が厳密に
完全な正方形にならないことがあるが、識別コードの視
認性に問題の無い場合がほとんどである。ビーム形状
は、フィルターやレンズの形状や間隔や組み合わせを変
えることにより、円形や多角形など自在に変えることが
できる。
In many cases, the energy distribution in the laser beam is actually not uniform, but even in that case, if the energy given to the photoresist is sufficient, it is exposed. Also,
The exposure point may not be exactly a perfect square due to actual exposure energy, photoresist sensitivity, optical system assembly accuracy, surface reflection, etc., but in most cases there is no problem with the visibility of the identification code. . The beam shape can be freely changed to a circular shape, a polygonal shape, or the like by changing the shape, spacing, or combination of filters and lenses.

【0035】図1の実施形態では、1本のレーザビーム
をビームスプリッタ21で2分岐させて使用する場合を
説明したが、その分岐数としては3以上であってもよ
く、或いは分岐せずに1本のままで使用してもよい。ま
た、ビームスプリッタはビームを分岐できるものであれ
ば特に限定されるものではなく、ハーフミラーなどの他
の手段を使用してもよい。
In the embodiment shown in FIG. 1, the case where one laser beam is branched into two by the beam splitter 21 and used is explained, but the number of branches may be three or more, or it may not be branched. You may use it as it is. The beam splitter is not particularly limited as long as it can split the beam, and other means such as a half mirror may be used.

【0036】図1の実施形態では、ビーム偏向機構23
で偏向させたレーザビーム14a〜14fは、集光レン
ズ24によって平行光にするようにしている。しかし、
本発明において偏向後のレーザビームを平行光にするこ
とは必ずしも必須ではなく、図12に例示するように、
ビーム偏向機構23で広がったレーザビームを、平行光
にすることなく、そのままミラー31に反射させて投影
レンズなどの光学手段26で集光し、基板50の上に照
射露光させることもできる。また、偏向させたレーザビ
ームを再び集光させる場合、用いられる投影光学系が有
限系、無限系であることや、使用するミラーの枚数は問
わない。
In the embodiment shown in FIG. 1, the beam deflection mechanism 23 is used.
The laser beams 14a to 14f deflected by (4) are collimated by the condenser lens 24. But,
In the present invention, it is not always necessary to make the deflected laser beam parallel light, and as illustrated in FIG.
The laser beam expanded by the beam deflection mechanism 23 may be directly reflected by the mirror 31 without being converted into parallel light, condensed by the optical means 26 such as a projection lens, and irradiated and exposed on the substrate 50. Further, when the deflected laser beam is focused again, the projection optical system used may be a finite system or an infinite system, and the number of mirrors used does not matter.

【0037】識別コードの向きが変わるときは、ステー
ジの方向を変えて走査させることによりマーキングが可
能である。識別コードを露光し終わった後は、基板搬出
位置にステージを移動し、基板の吸着を解除したあと基
板支持ピンを上げ、基板を基板搬送出機構に載せて搬出
する。この後は再び未露光基板を搬入して露光操作を行
い、露光が終われば排出するという一連の動作を繰り返
す。
When the orientation of the identification code changes, marking can be performed by changing the direction of the stage and scanning. After the exposure of the identification code, the stage is moved to the substrate unloading position, the suction of the substrate is released, the substrate support pins are raised, and the substrate is placed on the substrate unloading mechanism and unloaded. After that, the unexposed substrate is again carried in to perform the exposure operation, and when the exposure is completed, the substrate is discharged, and a series of operations is repeated.

【0038】また、図1の実施形態では、レーザビーム
を偏向分岐させる手段として、ビーム偏向機構23によ
り複数段の偏向照射を行うようにしている。これを、図
13に示す実施形態の様に、ビーム偏向機構23は発光
と消光の選択照射だけを行い、レーザビームの偏向操作
は、ミラー回転機構30で回転する多角形ミラー28を
使うようにしたものであってもよい。また、このときの
多角形ミラー28としては、図14に示す例のように、
平ミラー29を左右に回転させるものであってもよい。
Further, in the embodiment shown in FIG. 1, the beam deflecting mechanism 23 performs deflection irradiation of a plurality of stages as means for deflecting and branching the laser beam. As in the embodiment shown in FIG. 13, the beam deflection mechanism 23 performs only selective irradiation of light emission and extinction, and the deflection operation of the laser beam uses the polygon mirror 28 rotated by the mirror rotation mechanism 30. It may be one. Further, as the polygon mirror 28 at this time, as in the example shown in FIG.
The flat mirror 29 may be rotated left and right.

【0039】図1の実施形態では、露光ユニット1を固
定状態にし、基板保持用のステージ2の方を直交座標の
X軸方向とY軸方向にそれぞれ独立に移動可能にしてい
る。しかし、この関係を反対にして、露光ユニット1の
方を直交座標のX軸方向とY軸方向とにそれぞれ独立に
移動可能にするものであってもよい。
In the embodiment shown in FIG. 1, the exposure unit 1 is fixed and the substrate holding stage 2 can be moved independently in the X-axis direction and the Y-axis direction of the orthogonal coordinates. However, this relationship may be reversed so that the exposure unit 1 can be moved independently in the X-axis direction and the Y-axis direction of the orthogonal coordinates.

【0040】また、露光ユニットを複数列に並列させて
設ける場合、これら露光ユニット間の間隔は移動機構に
より任意の大きさに可変にすることにより、識別コード
の露光場所を任意に変更できるようになっていることが
望ましい。
When the exposure units are provided in parallel in a plurality of rows, the distance between the exposure units is made variable by a moving mechanism so that the exposure position of the identification code can be arbitrarily changed. It is desirable that

【0041】本発明は、フォトレジスト塗布基板に対し
てレーザビームで露光マーキングする場合のほか、レー
ザビームの種類を変更することにより、金属成膜付の基
板、ガラス基板、シリコンウェハ基板に対して直接彫り
込み(ダイレクト・マーキング)を行う場合のマーキン
グにも適用することができる。
The present invention is applicable to a substrate coated with a metal film, a glass substrate and a silicon wafer substrate by changing the kind of the laser beam in addition to the case where the photoresist coated substrate is exposed and marked by a laser beam. It can also be applied to marking for direct engraving (direct marking).

【0042】[0042]

【実施例】図1の識別コードマーキング装置でフォトレ
ジスト塗布基板に識別コードをマーキングするに当た
り、レーザビームとしてYAGレーザの第3高調波の波
長λ=355nm付近のレーザビームを使用し、基板に
塗布するフォトレジストとして、この波長で感光する樹
脂を選択した。
EXAMPLE When an identification code is marked on a photoresist-coated substrate with the identification code marking device shown in FIG. 1, a laser beam having a wavelength of the third harmonic of the YAG laser, λ = 355 nm, is used as a laser beam to coat the substrate. A resin that is sensitive to this wavelength was selected as the photoresist to be used.

【0043】レーザビームのパルス周波数fはf=60
kHzに設定し、基板に集光した時のレーザビームのワ
ーク面での幅W=0.050mm、隣り合うビーム同士
の間隔p=0.050mm、ビームの厚さ方向にステー
ジを移動させる速度v=500mm/秒に設定した。
The pulse frequency f of the laser beam is f = 60
The width W of the laser beam on the work surface when focused on the substrate at W = 0.050 mm, the interval p between adjacent beams p = 0.050 mm, the speed v at which the stage is moved in the beam thickness direction = 500 mm / sec.

【0044】また、レーザビームはビーム偏向機構で7
段階に偏向させ、そのうち6方向のビームが透過フィル
ター25を通って基板に照射するようにし、6方向のビ
ームを10kHzで選択照射するようにした。
Further, the laser beam is moved by a beam deflection mechanism.
The beams were deflected in stages, and the beams in 6 directions were irradiated onto the substrate through the transmission filter 25, and the beams in 6 directions were selectively irradiated at 10 kHz.

【0045】上記設定によりレーザビームの1パルス間
にステージが移動する距離Dは、 D=v/f で表され、隣り合うビーム同士のずれは0.0083
(mm)となり、次列のビーム同士との間隔は、 D=6×500/60000=0.05(mm) になった。
With the above setting, the distance D that the stage moves during one pulse of the laser beam is represented by D = v / f, and the deviation between adjacent beams is 0.0083.
(Mm), and the distance between the beams in the next row was D = 6 × 500/60000 = 0.05 (mm).

【0046】また、1パルス内のON時間をta 、OF
F時間をtb 、デューティ比rを r=ta /(ta +tb ) と定義し、r=10%に設定することで、1パルス当た
りのレーザ照射時間taは ta =r/f となった。
The ON time within one pulse is t a , OF
F time t b, the duty ratio r is defined as r = t a / (t a + t b), by setting the r = 10%, 1 laser irradiation time t a per pulse t a = r / It became f.

【0047】レーザ光線のワーク面での長さdを d=
0.045mmとすると、実際の照射長さLは L=d+v・ta L=d+v・r/f となり、L=0.050mmとなるので、各レーザビー
ムを50μm間隔の格子状に露光することができた。
Let the length d of the laser beam on the work surface be d =
If it is 0.045 mm, the actual irradiation length L is L = d + v · t a L = d + v · r / f, and L = 0.050 mm. Therefore, each laser beam should be exposed in a grid pattern at intervals of 50 μm. I was able to.

【0048】これを繰り返し行うことにより、図15に
示す様な文字や図形からなるドット状の描画パターンの
識別コードを形成することができた。
By repeating this, it was possible to form an identification code of a dot-shaped drawing pattern consisting of characters and figures as shown in FIG.

【0049】なお、図15に限定されず、基板の走査速
度vや識別コードの大きさを変えることにより、ドット
状のパターンを種々変えることができる。例えば、図1
6に示すような角が丸くなったものや円形のもの、或い
はその他の幾何学図形にも変更することができ、識別コ
ードとしての認識は可能である。
Not limited to FIG. 15, the dot pattern can be variously changed by changing the scanning speed v of the substrate and the size of the identification code. For example, in FIG.
It is also possible to change to a shape with rounded corners, a shape with a circle as shown in 6, or other geometrical figures, and it is possible to recognize as an identification code.

【0050】[0050]

【発明の効果】上述したように本発明によれば、露光ユ
ニットから出力したレーザビームを、露光ユニットとス
テージとの相対移動方向に直交する方向に時系列的に順
次偏向分岐させて走査し、その相対移動方向に直交する
方向に隣り合うビーム間の照射時間差のずれをなくすよ
うに照射方向を補正するため、各ビームのエネルギー分
布や形状が大幅に変わることなく、形状・濃度が均質な
識別コードをマーキングすることができる。
As described above, according to the present invention, the laser beam output from the exposure unit is sequentially deflected and branched in time series in the direction orthogonal to the relative movement direction of the exposure unit and the stage, and scanned. Since the irradiation direction is corrected so as to eliminate the difference in irradiation time difference between adjacent beams in the direction orthogonal to the relative movement direction, the energy distribution and shape of each beam do not change significantly, and uniform identification of shape and concentration Codes can be marked.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明によるレーザビームによるマーキング装
置を例示する概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a laser beam marking device according to the present invention.

【図2】本発明に使用されるレーザビームの一例を示す
出力グラフである。
FIG. 2 is an output graph showing an example of a laser beam used in the present invention.

【図3】(a)〜(d)は、本発明の装置におけるビー
ム偏向機構でレーザビームが偏向操作される状態を示す
説明図である。
3A to 3D are explanatory views showing a state in which a laser beam is deflected by a beam deflection mechanism in the apparatus of the present invention.

【図4】本発明の装置において、基板にレーザビームが
露光する状態を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing a state in which a substrate is exposed to a laser beam in the apparatus of the present invention.

【図5】本発明の装置において、レーザビームの照射方
向を変更するミラー反射機構を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a mirror reflection mechanism that changes the irradiation direction of a laser beam in the device of the present invention.

【図6】本発明の装置において、レーザビームの照射方
向を変更する他のミラー反射機構を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view showing another mirror reflection mechanism for changing the irradiation direction of the laser beam in the device of the present invention.

【図7】本発明の装置において、レーザビームの照射方
向を変更する更に他のミラー反射機構を示す説明図であ
る。
FIG. 7 is an explanatory view showing still another mirror reflection mechanism for changing the irradiation direction of the laser beam in the device of the present invention.

【図8】本発明の方法によらない基板に対する露光方法
を示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing an exposure method for a substrate that is not based on the method of the present invention.

【図9】本発明の方法による基板に対する露光方法を示
す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing an exposure method for a substrate according to the method of the present invention.

【図10】本発明の方法による基板に対する露光方法の
他の例を示す説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing another example of an exposure method for a substrate according to the method of the present invention.

【図11】本発明に使用される連続出力されたレーザビ
ームの偏向角度が時間的に変化する様子を示す図であ
る。
FIG. 11 is a diagram showing how the deflection angle of a continuously output laser beam used in the present invention changes with time.

【図12】本発明において、偏向されたビームを平行光
とせずに投影レンズだけで集光させる場合を示す説明図
である。
FIG. 12 is an explanatory view showing a case where a deflected beam is condensed into only a projection lens without being made into parallel light in the present invention.

【図13】本発明によるレーザビームによるマーキング
装置の他の例を例示する概略図である。
FIG. 13 is a schematic view illustrating another example of a laser beam marking device according to the present invention.

【図14】図13の装置に使用されるビーム偏向機構の
他の例を示す概略図である。
14 is a schematic view showing another example of the beam deflecting mechanism used in the apparatus of FIG.

【図15】本発明によりマーキングされた識別コードの
説明図である。
FIG. 15 is an explanatory diagram of an identification code marked according to the present invention.

【図16】本発明によりマーキングされた識別コードの
他の例を示す説明図である。
FIG. 16 is an explanatory diagram showing another example of the identification code marked according to the present invention.

【図17】露光処理したのち現像処理した基板を例示す
る平面図である。
FIG. 17 is a plan view illustrating a substrate that has been subjected to exposure processing and then development processing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 露光ユニット 2(基板保持用)ステージ 10,11,12,13,14,15 レーザビーム 14a〜14f 偏向されたレーザビーム 15a〜15f 平行光にされたレーザビーム 16a〜16f 選択照射されたレーザビーム 17a〜17f ミラーに反射されたレーザビーム 18a〜18f レンズで集光されたレーザビーム 21 ビームスプリッタ 22 プリズム 23 ビーム偏向機構 24 集光レンズ 25 透過フィルター 26 集光レンズ 27 透過フィルター 28 多角形ミラー 29 ミラー 30 ミラー回転機構 31 反射ミラー 32 ミラー回転機構 33 多角形ミラー 50 基板 50a 基板識別コード 50b 分断基板識別コード 51 液晶パネル 51a パネル識別コード C 識別コード 1 Exposure unit 2 (for holding substrates) stage 10, 11, 12, 13, 14, 15 Laser beam Deflection laser beams 14a to 14f 15a to 15f Laser beam made into parallel light 16a to 16f Laser beams selectively irradiated Laser beams reflected by the mirrors 17a to 17f Laser beam focused by 18a-18f lens 21 Beam splitter 22 Prism 23 Beam deflection mechanism 24 Condensing lens 25 transmission filter 26 Condensing lens 27 Transmission filter 28 polygon mirror 29 mirror 30 Mirror rotation mechanism 31 reflective mirror 32 Mirror rotation mechanism 33 polygon mirror 50 substrates 50a board identification code 50b cut board identification code 51 LCD panel 51a Panel identification code C identification code

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 501230199 アプライド フォトニクス インコーポレ イテッド Applied Photonics,I nc アメリカ合衆国、フロリダ 32826、スー ト 300 オーランド、リサーチ パーク ウエイ、12565 12565 Research Parkwa y,Suite 300 Orlando, FL 32826, USA (72)発明者 植原 幸大 滋賀県大津市大江一丁目1番45号 東レエ ンジニアリング株式会社内 (72)発明者 森 誠樹 滋賀県大津市大江一丁目1番45号 東レエ ンジニアリング株式会社内 (72)発明者 佐藤 謙二 滋賀県大津市大江一丁目1番45号 東レエ ンジニアリング株式会社内 Fターム(参考) 2H097 AA03 CA17 GB04 LA12    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (71) Applicant 501230199             Applied Photonics Incorporated             Itted             Applied Photonics, I             nc             Sue, Florida 32826, United States             To 300 Orlando, Research Park             Way 12565             12565 Research Parkwa             y, Suite 300 Orlando,             FL 32826, USA (72) Inventor Kodai Uehara             Toray, 1-41 Oe, Otsu City, Shiga Prefecture             Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Seiki Mori             Toray, 1-41 Oe, Otsu City, Shiga Prefecture             Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Kenji Sato             Toray, 1-41 Oe, Otsu City, Shiga Prefecture             Engineering Co., Ltd. F-term (reference) 2H097 AA03 CA17 GB04 LA12

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被マーキング物品を載置したステージ
と、該ステージの上方に配置した露光ユニットとを相対
移動させ、前記露光ユニットから出力するレーザビーム
により前記被マーキング物品上に識別コードをマーキン
グする方法において、前記露光ユニットから出力するレ
ーザビームを前記相対移動方向と直交する方向に時系列
的に順次偏向させるように走査すると共に、その照射方
向を前記相対移動方向にずらせ、前記被マーキング物品
上の照射点を直交座標に整列させるレーザビームによる
マーキング方法。
1. A stage on which an article to be marked is placed and an exposure unit arranged above the stage are relatively moved, and an identification code is marked on the article to be marked by a laser beam output from the exposure unit. In the method, the laser beam output from the exposure unit is scanned so as to be sequentially deflected in a time-series direction in a direction orthogonal to the relative movement direction, and the irradiation direction is shifted to the relative movement direction, on the article to be marked. Marking method using a laser beam that aligns the irradiation points on the rectangular coordinates.
【請求項2】 被マーキング物品を載置したステージ
と、該ステージの上方に配置した露光ユニットとを相対
移動させ、前記露光ユニットから出力するレーザビーム
により前記被マーキング物品上に識別コードをマーキン
グする方法において、前記ステージ又は該ステージ上の
被マーキング物品の表面の直交座標を前記相対移動方向
に対して斜めにし、前記露光ユニットから出力するレー
ザビームを前記相対移動方向と直交する方向に時系列的
に順次偏向させるように走査することにより、前記被マ
ーキング物品上の照射点を直交座標に整列させるレーザ
ビームによるマーキング方法。
2. An identification code is marked on the article to be marked by a laser beam output from the exposure unit by relatively moving a stage on which the article to be marked is placed and an exposure unit arranged above the stage. In the method, the orthogonal coordinates of the surface of the stage or the article to be marked on the stage are inclined with respect to the relative movement direction, and the laser beam output from the exposure unit is time-sequential in a direction orthogonal to the relative movement direction. A marking method using a laser beam in which irradiation points on the article to be marked are aligned in orthogonal coordinates by scanning so as to be sequentially deflected to.
【請求項3】 前記識別コードが文字及び/又は2次元
図形からなる請求項1又は2に記載のレーザビームによ
るマーキング方法。
3. The marking method with a laser beam according to claim 1, wherein the identification code is composed of characters and / or a two-dimensional figure.
【請求項4】 被マーキング物品を載置するステージ
と、該ステージの上方に配置した露光ユニットとを相対
移動可能にし、前記露光ユニットを、該露光ユニットか
ら出力するレーザビームを前記相対移動方向と直交する
方向に時系列的に順次偏向させるように走査するビーム
偏向手段と、該ビーム偏向手段で偏向したレーザビーム
の照射方向を前記相対移動方向にずらせる方向補正手段
とから構成したレーザビームによるマーキング装置。
4. A stage on which an article to be marked is placed and an exposure unit arranged above the stage are made relatively movable, and the exposure unit outputs a laser beam from the exposure unit in the relative movement direction. A laser beam composed of beam deflecting means for scanning so as to sequentially deflect in a direction orthogonal to each other and direction correcting means for shifting the irradiation direction of the laser beam deflected by the beam deflecting means to the relative movement direction. Marking device.
【請求項5】 前記方向補正手段が反射面を可変にする
ミラーである請求項4に記載のレーザビームによるマー
キング装置。
5. The laser beam marking apparatus according to claim 4, wherein the direction correcting means is a mirror that makes a reflecting surface variable.
【請求項6】 被マーキング物品を載置するステージ
と、該ステージの上方に配置した露光ユニットとを相対
移動可能にすると共に、前記ステージ又は該ステージ上
の被マーキング物品の表面の直交座標を前記相対移動方
向に対して斜めにし、前記露光ユニットを、該露光ユニ
ットから出力するレーザビームを前記相対移動方向と直
交する方向に時系列的に順次偏向させるように走査する
ビーム偏向手段と、該ビーム偏向手段で偏向したレーザ
ビームを拡大する投影光学手段と、該投影光学手段を出
たレーザビームの照射方向を変える方向補正手段とから
構成したレーザビームによるマーキング装置。
6. A stage on which an article to be marked is placed and an exposure unit arranged above the stage are made movable relative to each other, and the orthogonal coordinates of the surface of the stage or the article to be marked on the stage are defined as the orthogonal coordinates. Beam deflecting means for inclining with respect to the relative movement direction and scanning the exposure unit so as to sequentially deflect the laser beam output from the exposure unit in a direction orthogonal to the relative movement direction in time series, and the beam deflection means. A laser beam marking device comprising a projection optical means for expanding a laser beam deflected by a deflecting means, and a direction correcting means for changing an irradiation direction of the laser beam emitted from the projection optical means.
【請求項7】 前記方向補正手段の下流側に集光手段を
設けた請求項4又は5に記載のレーザビームによるマー
キング装置。
7. A marking device using a laser beam according to claim 4, wherein a condensing unit is provided on the downstream side of the direction correcting unit.
【請求項8】 前記露光ユニットを複数列配置した請求
項4〜7のいずれかに記載のレーザビームによるマーキ
ング装置。
8. The laser beam marking apparatus according to claim 4, wherein the exposure units are arranged in a plurality of rows.
JP2001327976A 2001-10-25 2001-10-25 Method and apparatus for marking liquid crystal panel by laser beam Expired - Fee Related JP3547418B2 (en)

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006259515A (en) * 2005-03-18 2006-09-28 Toray Eng Co Ltd Exposure apparatus and exposure method
JP2007148359A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Laser beam exposure apparatus and method therefor
JP2007148360A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Peripheral exposure apparatus and method therefor
JP2007148362A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Laser beam/uv-irradiation peripheral exposure apparatus and method therefor
JP2007148358A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Laser beam/uv irradiation peripheral exposure apparatus, and method therefor
JP2007148361A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Peripheral exposure apparatus and method therefor
JP2011034123A (en) * 2010-11-19 2011-02-17 Toray Eng Co Ltd Exposure apparatus and exposure method
JP2013003592A (en) * 2011-06-21 2013-01-07 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd Marking method and equipment thereof
JP2018189997A (en) * 2018-09-11 2018-11-29 Hoya株式会社 Photomask substrate, photomask blank, photomask, production method of photomask substrate, production method of display device, handling method of photomask, and handling method of photomask substrate

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100924336B1 (en) * 2007-04-02 2009-10-30 주식회사 하이닉스반도체 Method for fabricating photomask for suppressing haze
WO2016144290A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-15 Intel Corporation Acousto-optics deflector and mirror for laser beam steering
KR102227885B1 (en) * 2020-06-02 2021-03-15 주식회사 기가레인 Transfer apparatus capable of pattern alignment

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5329090A (en) * 1993-04-09 1994-07-12 A B Lasers, Inc. Writing on silicon wafers
US5855969A (en) * 1996-06-10 1999-01-05 Infosight Corp. CO2 laser marking of coated surfaces for product identification
JP2905762B2 (en) * 1997-10-31 1999-06-14 株式会社金田機械製作所 Printing plate exposure system using tilt distortion cancellation signal
JP3091460B1 (en) * 1999-12-10 2000-09-25 東レエンジニアリング株式会社 Exposure equipment
JP2001199747A (en) * 2000-01-17 2001-07-24 Japan Science & Technology Corp Method for marking glass substrate having color filter and apparatus therefor
JP2001265000A (en) * 2000-03-16 2001-09-28 Toray Eng Co Ltd Laser exposure device

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006259515A (en) * 2005-03-18 2006-09-28 Toray Eng Co Ltd Exposure apparatus and exposure method
JP4664102B2 (en) * 2005-03-18 2011-04-06 東レエンジニアリング株式会社 Exposure apparatus and exposure method
JP4491445B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 Peripheral exposure apparatus and method
JP2007148362A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Laser beam/uv-irradiation peripheral exposure apparatus and method therefor
JP2007148358A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Laser beam/uv irradiation peripheral exposure apparatus, and method therefor
JP2007148361A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Peripheral exposure apparatus and method therefor
JP2007148360A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Peripheral exposure apparatus and method therefor
JP4491444B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 Laser beam / ultraviolet irradiation peripheral exposure apparatus and method
JP4491446B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 Peripheral exposure apparatus and method
JP4491447B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 Laser beam / ultraviolet irradiation peripheral exposure apparatus and method
JP4533874B2 (en) * 2005-11-04 2010-09-01 株式会社オーク製作所 Laser beam exposure system
JP2007148359A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Laser beam exposure apparatus and method therefor
JP2011034123A (en) * 2010-11-19 2011-02-17 Toray Eng Co Ltd Exposure apparatus and exposure method
JP2013003592A (en) * 2011-06-21 2013-01-07 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd Marking method and equipment thereof
JP2018189997A (en) * 2018-09-11 2018-11-29 Hoya株式会社 Photomask substrate, photomask blank, photomask, production method of photomask substrate, production method of display device, handling method of photomask, and handling method of photomask substrate

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