JP2003195512A - Apparatus and method for multiple exposure drawing - Google Patents

Apparatus and method for multiple exposure drawing

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JP2003195512A
JP2003195512A JP2001399121A JP2001399121A JP2003195512A JP 2003195512 A JP2003195512 A JP 2003195512A JP 2001399121 A JP2001399121 A JP 2001399121A JP 2001399121 A JP2001399121 A JP 2001399121A JP 2003195512 A JP2003195512 A JP 2003195512A
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a multiple exposure drawing apparatus which can draw a whole pattern with excellent continuity and unitedness. <P>SOLUTION: The multiple exposure drawing apparatus is equipped with a plurality of exposure units which are arrayed in Y direction. A circuit pattern is drawn partially in beltlike regions Ra<SB>01</SB>, Ra<SB>02</SB>, Ra<SB>03</SB>,... with multiple exposure light beams of the respective exposure units and the beltlike regions Ra<SB>01</SB>, Ra<SB>02</SB>, Ra<SB>03</SB>,... are connected partially overlying one another in the Y direction to obtain the whole circuit pattern. The number of micromirrors for exposing border parts Rb<SB>01</SB>, Rb<SB>02</SB>,... of two adjacent beltlike regions is gradually decreased or increased at a fixed ratio in X direction or the Y direction to obtain the circuit pattern which has excellent continuity and unitedness. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多数の変調素子を
有する露光ユニットを用いて描画面上に所定のパターン
を描画する描画装置に関するものであり、特に複数の部
分パターンを繋ぎ合わせてパターン全体を得る描画装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a drawing apparatus for drawing a predetermined pattern on a drawing surface by using an exposure unit having a large number of modulators, and more particularly to a whole pattern by connecting a plurality of partial patterns. The present invention relates to a drawing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】描画装置は、一般的には適当な被描画体
の表面に微細なパターンや文字等の記号を光学的に描画
するために使用される。代表的な使用例としては、フォ
トリゾグラフィ(photolithography)の手法によりプリ
ント回路基板を製造する際の回路パターンの描画が挙げ
られ、この場合には被描画体はフォトマスク用感光フィ
ルム或いは基板上のフォトレジスト層である。
2. Description of the Related Art A drawing apparatus is generally used for optically drawing a fine pattern or a symbol such as a character on a surface of an appropriate object to be drawn. A typical example of use is drawing a circuit pattern when a printed circuit board is manufactured by a photolithography method. In this case, the object to be drawn is a photosensitive film for a photomask or a substrate. It is a photoresist layer.

【0003】近年、回路パターンの設計プロセスから描
画プロセスに至るまでの一連のプロセスは統合されてシ
ステム化され、この統合システムには、描画装置の他
に、回路パターンを設計するためのCAD(Computer A
ided Design)ステーション、このCADステーション
で得られた回路パターンのベクタデータを編集するCA
M(Computer Aided Manufacturing)ステーション等が
設けられる。CADステーションで作成されたベクタデ
ータ或いはCAMステーションで編集されたベクタデー
タは描画装置に転送され、そこでラスタデータに変換さ
れた後にビットマップメモリに格納される
In recent years, a series of processes from the circuit pattern design process to the drawing process have been integrated into a system. In this integrated system, in addition to the drawing device, a CAD (Computer) for designing a circuit pattern is provided. A
ided Design) station, CA that edits vector data of circuit patterns obtained at this CAD station
An M (Computer Aided Manufacturing) station and the like are provided. The vector data created by the CAD station or the vector data edited by the CAM station is transferred to the drawing device, where it is converted into raster data and then stored in the bitmap memory.

【0004】描画装置の露光ユニットとして、例えばD
MD(Digital Micromirror Device)やLCD(Liquid
Crystal Display)アレイ等から構成されるものが知ら
れている。周知のように、DMDの反射面には、マイク
ロミラーがマトリクス状に配置され、個々のマイクロミ
ラーの反射方向が独立して制御されるようになってお
り、このためDMDの反射面の全体に導入された光束は
個々のマイクロミラーによる反射光束として分割される
ようになっており、このため各マイクロミラーは変調素
子として機能する。また、LCDアレイにおいては、一
対の透明基板間に液晶が封入され、その双方の透明基板
には互いに整合させられた多数対の微細な透明電極がマ
トリクス状に配置され、個々の一対の透明電極に電圧を
印加するか否かにより光束の透過および非透過が制御さ
れるようになっており、このため各一対の透明電極が変
調素子として機能する。
As the exposure unit of the drawing apparatus, for example, D
MD (Digital Micromirror Device) and LCD (Liquid
Crystal Display) An array or the like is known. As is well known, micromirrors are arranged in a matrix on the reflecting surface of the DMD, and the reflecting directions of the individual micromirrors are independently controlled. Therefore, the entire reflecting surface of the DMD is covered. The introduced luminous flux is split as a luminous flux reflected by each micromirror, and therefore each micromirror functions as a modulation element. Further, in the LCD array, liquid crystal is sealed between a pair of transparent substrates, and a large number of pairs of fine transparent electrodes aligned with each other are arranged in a matrix on both the transparent substrates. The transmission and non-transmission of the light flux is controlled depending on whether or not a voltage is applied to the pair of transparent electrodes. Therefore, each pair of transparent electrodes functions as a modulation element.

【0005】描画装置には被描画体の感光特性に応じた
適当な光源装置、例えば超高圧水銀灯、キセノンラン
プ、フラッシュランプ、LED(Light Emitting Diod
e)、レーザ等が設けられ、また露光ユニットには結像
光学系が組み込まれる。光源装置から射出した光束は照
明光学系を通して露光ユニットに導入させられ、露光ユ
ニットの個々の変調素子はそこに入射した光束を回路パ
ターンのラスタデータに従って変調し、これにより回路
パターンが被描画体上に露光されて光学的に描画され
る。
For the drawing device, a suitable light source device according to the photosensitivity of the object to be drawn, such as an ultra-high pressure mercury lamp, a xenon lamp, a flash lamp, an LED (Light Emitting Diod) is used.
e), a laser and the like are provided, and an imaging optical system is incorporated in the exposure unit. The light flux emitted from the light source device is introduced into the exposure unit through the illumination optical system, and the individual modulation elements of the exposure unit modulate the light flux incident thereon according to the raster data of the circuit pattern, whereby the circuit pattern is formed on the object. And is optically drawn.

【0006】DMDあるいはLCDアレイを含む露光ユ
ニットは、一般にその露光可能な面積が数cm四方と限
られているが、被描画体に描画されるべき回路パターン
の描画面積は露光ユニットの露光面積よりも遥かに大き
い。そこで、従来の描画装置では、露光ユニットを所定
方向に複数個並べ、露光ユニットの配列方向に対して略
垂直な方向に沿って被描画体あるいは露光ユニットを相
対移動させつつ、個々の露光ユニットにより描画される
部分的な回路パターンを繋ぎ合わせることにより、被描
画体上に回路パターンの全体を描画している。特に、露
光と間欠移動とを交互に繰り返しながら描画を行うステ
ップ・アンド・リピート(Step & Repeat)方式は周知
である。
An exposure unit including a DMD or LCD array is generally limited to a few cm square area that can be exposed, but the drawing area of a circuit pattern to be drawn on a drawing object is larger than the exposure area of the exposure unit. Is also much larger. Therefore, in a conventional drawing apparatus, a plurality of exposure units are arranged in a predetermined direction, and while the drawing target or the exposure unit is relatively moved along a direction substantially perpendicular to the arrangement direction of the exposure units, each exposure unit By connecting the partial circuit patterns to be drawn, the whole circuit pattern is drawn on the object to be drawn. In particular, a step-and-repeat method is known in which drawing is performed by alternately repeating exposure and intermittent movement.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】以上で述べたような従
来の描画装置においては、被描画体に描かれる回路パタ
ーンの連続性または一体性が互いに隣接する部分パター
ンの境界部で損なわれるという問題を伴う。これは、露
光ユニットの個体差、具体的には結像光学系の光学特性
が僅かに違なることや、また露光ユニットの取付位置の
微小ずれに起因する。結像光学系の光学特性の違いを解
消するためには、歪みのないレンズを使用する必要があ
り、このようなレンズは高価であるだけでなく、またそ
の取付けには時間と労力が要求される。また取付位置の
ずれを解消するためには、個々の露光ユニットの位置を
専用の器具を用いて高精度に微調整する必要があり、極
めて煩雑で時間を要する作業が要求される。
In the conventional drawing apparatus as described above, the continuity or the integrity of the circuit pattern drawn on the drawing object is impaired at the boundary between adjacent partial patterns. Accompanied by. This is due to individual differences in the exposure units, specifically, slight differences in the optical characteristics of the imaging optical system, and slight deviations in the mounting positions of the exposure units. In order to eliminate the difference in the optical characteristics of the imaging optical system, it is necessary to use a lens without distortion, and such a lens is not only expensive, but also its mounting requires time and labor. It Further, in order to eliminate the deviation of the mounting position, it is necessary to finely adjust the position of each exposure unit with a highly accurate tool, which requires extremely complicated and time-consuming work.

【0008】従って、本発明の目的は、個々の露光ユニ
ットによって描画された部分パターンを繋ぎ合わせる描
画装置において、連続性および一体性の良好なパターン
の全体を得ることができる多重露光描画装置および多重
露光描画方法を提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to provide a multi-exposure drawing apparatus and a multi-exposure drawing apparatus capable of obtaining a whole pattern having good continuity and integrity in a drawing apparatus for joining partial patterns drawn by individual exposure units. It is to provide an exposure drawing method.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明に係る多重露光描
画装置は、第1方向に沿って並ぶ複数の部分パターンを
多重露光によって描画面上に描画することにより、部分
パターンを繋ぎ合わせたパターンの全体を得る多重露光
描画装置であって、マトリクス状に配置される多数の変
調素子を有し、部分パターンのラスタデータに基づいて
変調素子を駆動する露光ユニットと、露光ユニットを第
1方向に沿って部分パターンの数と同数分だけ配列する
配列手段と、描画面を第1方向と異なる第2方向に沿っ
て露光ユニットに対して相対移動させる移動手段と、隣
り合う2つの部分パターンを描画する露光ユニットにつ
いて、部分パターンが重なる境界領域に対応する変調素
子の駆動すべき数を第2方向に沿って一定の割合で漸減
させるまたは漸増させる変調素子選択手段とを備えるこ
とを特徴とする。境界領域に対応する変調素子の数を徐
々に遷移させることによって、一体的かつ連続性の良好
なパターン全体を描画できる。
A multiple-exposure drawing apparatus according to the present invention draws a plurality of partial patterns lined up in a first direction on a drawing surface by multiple exposure to form a pattern in which partial patterns are joined together. A multi-exposure drawing apparatus for obtaining the whole of the above, which has a large number of modulation elements arranged in a matrix and drives the modulation elements based on the raster data of the partial pattern, and the exposure unit in the first direction. Arrangement means arranged along the same number as the number of partial patterns, moving means for moving the drawing surface relative to the exposure unit along a second direction different from the first direction, and drawing two adjacent partial patterns In the exposure unit, the number of modulators to be driven corresponding to the boundary region where the partial patterns overlap is gradually decreased or gradually increased along the second direction at a constant rate. Characterized in that it comprises a modulation element selection means for. By gradually changing the number of the modulation elements corresponding to the boundary area, it is possible to draw the entire pattern having integral and good continuity.

【0010】上記多重露光描画装置において、境界領域
の面積は1つの露光ユニットが露光する露光領域の面積
の5ないし10%を占めることが好ましい。
In the above multiple exposure drawing apparatus, it is preferable that the area of the boundary area occupies 5 to 10% of the area of the exposure area exposed by one exposure unit.

【0011】上記多重露光描画装置は、さらに、パター
ン全体のラスタデータを保持するメモリ手段と、描画面
に対する露光ユニットの相対位置を示す第1座標データ
と露光ユニットにおける個々の変調素子の相対位置を示
す第2座標データとを加算して描画面に対する個々の変
調素子の相対位置座標データを算出し、個々の変調素子
について相対位置座標データに基づいてラスタデータの
画素サイズに応じたアドレスデータを生成するアドレス
算出手段と、メモリ手段からアドレスデータに対応する
ラスタデータを読み出して、個々の変調素子に露光作動
または露光作動停止を指示するための露光データを生成
する露光データ生成手段とを備えてもよく、このとき変
調素子選択手段は具体的には、露光作動すべき変調素子
についてアドレス算出手段から得られるアドレスデータ
を露光データ生成手段に与えるとともに、露光作動停止
すべき変調素子についてダミーデータを露光データ生成
手段に与えることが好ましい。
The multiple-exposure drawing apparatus further stores memory means for holding raster data of the entire pattern, first coordinate data indicating the relative position of the exposure unit with respect to the drawing surface, and relative positions of individual modulators in the exposure unit. The relative position coordinate data of each modulator with respect to the drawing surface is calculated by adding the second coordinate data shown, and the address data corresponding to the pixel size of the raster data is generated based on the relative position coordinate data for each modulator. And an exposure data generation unit that reads raster data corresponding to the address data from the memory unit and generates exposure data for instructing each modulation element to perform an exposure operation or an exposure operation stop. Well, at this time, the modulator selection means specifically addresses the modulator to be exposed. Together provide an address data obtained from the detection means to the exposure data generating means, for modulating element should stop the exposure operation it is preferable to present the dummy data to the exposure data generating means.

【0012】多重露光描画装置において、具体的には、
個々の露光ユニットの1回の露光によって露光される全
面露光領域が第1方向長さD1の長方形を呈し、第1方
向に関して隣り合う2つの全面露光領域が長さD2(D
2<D1)だけ重複する。また、隣り合う2つの全面露
光領域が重複する第1方向長さD2が、全面露光領域の
第1方向長さD1の5ないし10%であることが好まし
い。さらに好ましくは、隣り合う2つの全面露光領域の
一方において、他方の全面露光領域側に位置し第1方向
長さがD2であって第2方向長さが全面露光領域の第2
方向長さに等しい三角形の領域が第1露光停止領域に定
められ、隣り合う2つの全面露光領域の他方において、
一方の全面露光領域側に位置し第1方向長さがD2であ
って第2方向長さが全面露光領域の第2方向長さに等し
い三角形の領域が第2露光停止領域に定められ、第1お
よび第2露光停止領域に対応する変調素子の露光作動が
停止させられる。
In the multiple exposure drawing apparatus, specifically,
The entire surface exposure region exposed by one exposure of each exposure unit has a rectangular shape having a length D1 in the first direction, and two adjacent entire surface exposure regions in the first direction have a length D2 (D
2 <D1) overlap. Further, it is preferable that the first-direction length D2 at which two adjacent whole-surface exposure regions overlap is 5 to 10% of the first-direction length D1 of the whole-surface exposure region. More preferably, in one of the two overall exposure regions adjacent to each other, the second exposure region is located on the other overall exposure region side, the first direction length is D2, and the second direction length is the second overall exposure region.
A triangular area equal to the direction length is defined as the first exposure stop area, and in the other of the two adjacent whole surface exposure areas,
A triangular area located on the side of one whole surface exposure area and having a length in the first direction D2 and a length in the second direction equal to the length in the second direction of the whole surface exposure area is defined as the second exposure stop area. The exposure operation of the modulation elements corresponding to the first and second exposure stop regions is stopped.

【0013】また、本発明に係る多重露光描画方法は、
第1方向に沿って並ぶ複数の部分パターンを多重露光に
よって描画面上に描画することにより、部分パターンを
繋ぎ合わせたパターンの全体を得る多重露光描画方法で
あって、マトリクス状に配置される多数の変調素子を有
し、部分パターンのラスタデータに基づいて変調素子を
駆動する露光ユニットを、第1方向に沿って部分パター
ンの数と同数分だけ配列するとともに、描画面を第1方
向と異なる第2方向に沿って露光ユニットに対して相対
移動させ、隣り合う2つの部分パターンを描画する露光
ユニットについて、部分パターンが重なる境界領域に対
応する変調素子の駆動すべき数を第2方向に沿って一定
の割合で漸減させるまたは漸増させることを特徴とす
る。ことを特徴とする。
The multiple exposure drawing method according to the present invention is
A multiple-exposure drawing method for obtaining a whole pattern in which partial patterns are joined by drawing a plurality of partial patterns arranged along the first direction on a drawing surface by multiple exposure. Exposure units for driving the modulation elements based on the raster data of the partial patterns are arranged by the same number as the number of the partial patterns along the first direction, and the drawing surface is different from the first direction. Regarding an exposure unit that moves two adjacent partial patterns relative to the exposure unit along the second direction, the number of modulation elements corresponding to the boundary region where the partial patterns overlap should be driven along the second direction. It is characterized by gradually decreasing or increasing gradually at a constant rate. It is characterized by

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して、本発
明による多重露光描画装置の一実施形態について説明す
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, an embodiment of a multiple exposure drawing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

【0015】図1には、本発明による多重露光描画装置
の実施形態が斜視図として概略的に示される。この多重
露光描画装置はプリント回路基板を製造するための基板
上に形成されたフォトレジスト層に回路パターンを直接
描画するように構成されている。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an embodiment of a multiple exposure drawing apparatus according to the present invention. This multiple-exposure drawing apparatus is configured to directly draw a circuit pattern on a photoresist layer formed on a substrate for manufacturing a printed circuit board.

【0016】多重露光描画装置10は、床面上に据え付
けられる基台12を備え、その基台12の上には一対の
ガイドレール14が平行に敷設され、さらにそれらガイ
ドレール14の上に描画テーブル16が搭載される。多
重露光描画装置10は図示されない適当な駆動機構、例
えばステッピングモータ等により駆動させられるボール
螺子等を備え、この駆動機構により描画テーブル16が
一対のガイドレール14に沿ってそれらの長手方向に相
対移動させられる。
The multiple-exposure drawing apparatus 10 is provided with a base 12 installed on the floor, a pair of guide rails 14 are laid in parallel on the base 12, and drawing is further performed on the guide rails 14. The table 16 is mounted. The multiple-exposure drawing apparatus 10 is provided with an appropriate drive mechanism (not shown) such as a ball screw driven by a stepping motor or the like, and the drive mechanism relatively moves the drawing table 16 along the pair of guide rails 14 in the longitudinal direction thereof. To be made.

【0017】描画テーブル16の上には、被描画体30
としてフォトレジスト層を持つ基板が設置され、このと
き被描画体30は適当なクランプ手段(図示せず)によ
って描画テーブル16上に適宜固定される。
An object 30 to be drawn is placed on the drawing table 16.
As a substrate having a photoresist layer is installed as a substrate, the object 30 to be drawn is appropriately fixed on the drawing table 16 by an appropriate clamp means (not shown).

【0018】基台12上には一対のガイドレール14を
跨ぐようにゲート状構造体18が固設され、このゲート
状構造体18の上面には複数の露光ユニットが描画テー
ブル16の移動する第2方向(以下、X方向と記載す
る)に対して直角な第1方向(以下、Y方向と記載す
る)に2列に配列される。第1列目に配された8個の露
光ユニットを図の左側から順に符号2001、2003、2
05、2007、2009、2011、2013および2015
示し、その後方に配された第2列目の7個の露光ユニッ
トを図の左側から符号2002、2004、2006、2
08、2010、2012および2014で示している。
A gate-shaped structure 18 is fixedly mounted on the base 12 so as to straddle the pair of guide rails 14, and a plurality of exposure units are arranged on the upper surface of the gate-shaped structure 18 to move the drawing table 16. They are arranged in two rows in a first direction (hereinafter, referred to as Y direction) perpendicular to two directions (hereinafter, referred to as X direction). The eight exposure units arranged in the first row are numbered as 01 01 , 20 03 , 2 in order from the left side of the drawing.
The seven exposure units in the second row, which are indicated by reference numerals 0 05 , 20 07 , 20 09 , 20 11 , 20 13 and 20 15 and are arranged behind them, are denoted by reference numerals 20 02 , 20 04 , 20 06 from the left side of the drawing. Two
It is indicated by 0 08 , 20 10 , 20 12 and 20 14 .

【0019】第1列目の露光ユニット2001、2003
2005、2007、2009、2011、2013および2015
と、第2列目の露光ユニット2002、2004、2006
20 08、2010、2012および2014とは所謂千鳥状に
配置される。即ち、隣り合う2つの露光ユニット間の距
離は、全て1つの露光ユニットの幅に略等しく設定さ
れ、第2列目の露光ユニット2002、2004、2006
2008、2010、2012および2014の配列ピッチは第
1列目の露光ユニット2001、2003、2005、2
07、2009、2011、2013および2015の配列ピッ
チに対して半ピッチだけずらされている。
First row exposure unit 2001, 2003,
2005, 2007, 2009, 2011, 2013And 2015
And the exposure unit 20 in the second row02, 2004, 2006,
20 08, 20Ten, 2012And 2014Is so-called staggered
Will be placed. That is, the distance between two adjacent exposure units
The separation is set to be approximately equal to the width of one exposure unit.
Exposure unit 20 in the second row02, 2004, 2006,
2008, 20Ten, 2012And 2014The array pitch of
First row exposure unit 2001, 2003, 2005Two
007, 2009, 2011, 2013And 2015Array of
It is shifted by half a pitch with respect to Ji.

【0020】本実施形態では、15個の露光ユニット2
01〜2015はそれぞれDMDユニットとして構成され
ており、各露光ユニットの反射面は例えば1024×1
280のマトリクス状に配列された1310720個の
マイクロミラーから形成される。各露光ユニット2001
〜2015は、X方向に沿って1024個、Y方向に沿っ
て1280個のマイクロミラーが配列されるように設置
される。
In this embodiment, 15 exposure units 2
Each of 01 01 to 20 15 is configured as a DMD unit, and the reflection surface of each exposure unit is, for example, 1024 × 1.
It is composed of 1310720 micromirrors arranged in a matrix of 280. Each exposure unit 20 01
˜20 15 are installed so that 1024 micromirrors are arranged along the X direction and 1280 micromirrors are arranged along the Y direction.

【0021】ゲート状構造体18の上面の適当な箇所、
例えば第1露光ユニット2001の図中左方には光源装置
22が設けられる。この光源装置22には図示しない複
数のLED(Light Emitting Diode)が含まれ、これら
LEDから発した光は集光されて平行光束として光源装
置22の射出口から射出される。光源装置22にはLE
Dの他、レーザ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプお
よびフラッシュランプ等を用いてもよい。
An appropriate place on the upper surface of the gate structure 18,
For example, the light source device 22 is provided on the left side of the first exposure unit 20001 in the drawing. The light source device 22 includes a plurality of LEDs (Light Emitting Diodes) (not shown), and the light emitted from these LEDs is condensed and emitted from the emission port of the light source device 22 as a parallel light flux. The light source device 22 has LE
In addition to D, a laser, an ultra-high pressure mercury lamp, a xenon lamp, a flash lamp or the like may be used.

【0022】光源装置22の射出口には15本の光ファ
イバケーブル束が接続され、個々の光ファイバケーブル
24は15個の露光ユニット2001〜2015のそれぞれ
に対して延設され、これにより光源装置22から各露光
ユニット2001〜2015へ照明光が導入される。
[0022] The exit of the light source device 22 is connected an optical fiber bundle of cables 15 present, each optical fiber cable 24 is extended to each of the fifteen exposure units 20 01 to 20 15, thereby the illumination light is introduced from the light source device 22 to the respective exposure units 20 01 to 20 15.

【0023】露光ユニット2001〜2015は、光源装置
22からの照明光を描くべき回路パターンに応じて変調
し、図の下方に向かって、即ちゲート状構造体18の内
側を進む描画テーブル16上の被描画体30に向かって
出射する。これにより、被描画体30の上面に形成され
たフォトレジスト層において照明光が照射された部分だ
けが感光する。
The exposure units 20 01 to 20 15 modulate the illumination light from the light source device 22 according to the circuit pattern to be drawn, and move downward in the drawing, that is, inside the gate-like structure 18 to the drawing table 16. The light is emitted toward the upper drawing object 30. As a result, only the portion of the photoresist layer formed on the upper surface of the object 30 to be exposed is illuminated with the illumination light.

【0024】図2には、第1露光ユニット2001の主要
構成が概念的に図示されている。他の14個の露光ユニ
ット2002〜2015は第1露光ユニット2001と同じ構
成および機能を有しており、ここでは説明を省略する。
[0024] Figure 2, main components of the first exposure unit 20 01 is conceptually illustrated. Other fourteen exposure units 20 02 to 20 15 have the same structure and function as the first exposure unit 20 01, and a description thereof will be omitted.

【0025】第1露光ユニット2001には、照明光学系
26および結像光学系28が組み込まれ、両者の間の光
路上にはDMD素子27が設けられる。このDMD素子
27は、例えばウェハ上にアルミスパッタリングで作り
こまれた、反射率の高い正方形マイクロミラーを静電界
作用により動作させるデバイスである。
[0025] The first exposure unit 20 01, the illumination optical system 26 and the imaging optical system 28 is incorporated, DMD element 27 is provided on an optical path between them. The DMD element 27 is a device for operating a square micromirror having a high reflectance, which is formed on a wafer by aluminum sputtering, by an electrostatic field action.

【0026】DMD素子27のシリコンメモリチップの
上には、サイズがC×Cのマイクロミラーが1024×
1280のマトリクス状に敷き詰められ、これらマイク
ロミラーはそれぞれ独立して作動する。Cは例えば20
μmである。ここでマイクロミラーを符号M(m,n)
(1≦m≦1024;1≦n≦1280)で示す。パラ
メータmは第1露光ユニット2001のX軸方向に沿うラ
イン番号を、パラメータnは第1露光ユニット2001
Y軸方向に沿う行番号をそれぞれ示す。
On the silicon memory chip of the DMD element 27, there are 1024 × micromirrors of size C × C.
Laminated in a matrix of 1280, each of these micromirrors operates independently. C is, for example, 20
μm. Here, the micromirror is designated by the code M (m, n)
(1 ≦ m ≦ 1024; 1 ≦ n ≦ 1280). The parameter m indicates the line number along the X-axis direction of the first exposure unit 20001 , and the parameter n indicates the line number along the Y-axis direction of the first exposure unit 20001 .

【0027】照明光学系26は凸レンズ26Aおよびコ
リメートレンズ26Bを含み、凸レンズ26Aは光源装
置22から延設された光ファイバケーブル24と光学的
に結合される。このような照明光学系26により、光フ
ァイバケーブル24から射出した光束はDMD素子27
の反射面全体を照明するような平行光束LBに成形され
る。結像光学系28には2つの凸レンズ28Aおよび2
8Cと、2つの凸レンズ28Aおよび28C間に配され
るリフレクタ28Bとが含まれ、この結像光学系28の
倍率は例えば等倍(倍率1)に設定される。
The illumination optical system 26 includes a convex lens 26A and a collimating lens 26B, and the convex lens 26A is optically coupled to the optical fiber cable 24 extending from the light source device 22. With such an illumination optical system 26, the luminous flux emitted from the optical fiber cable 24 is transmitted to the DMD element 27.
Is shaped into a parallel light beam LB that illuminates the entire reflection surface of the. The imaging optical system 28 includes two convex lenses 28A and 2A.
8C and a reflector 28B arranged between the two convex lenses 28A and 28C are included, and the magnification of this imaging optical system 28 is set to, for example, 1 × (magnification 1).

【0028】第1露光ユニット2001に含まれる131
0720個のマイクロミラーM(m,n)(1≦m≦1
024;1≦n≦1280)は、それぞれ独立して対角
線を中心に回転傾斜することができ、安定した2つの姿
勢、具体的にはそれぞれに入射した光束を結像光学系2
8に向けて反射させる第1の反射位置(以下、露光位置
と記載する)と、この光束を結像光学系28から逸らす
ように反射させる第2の反射位置(以下、非露光位置と
記載する)とに位置決めされる。通常は、全てのマイク
ロミラーM(m,n)は非露光位置に位置決めされてい
るが、個々の対応する単位露光領域を露光すべき時には
それぞれが非露光位置から露光位置に回動変位させられ
る。個々のマイクロミラーM(m,n)の非露光位置と
露光位置との間の回動変位は、回路パターンのラスタデ
ータに基づいて生成される露光データにより制御され
る。
[0028] 131 contained in the first exposure unit 20 01
0720 micro mirrors M (m, n) (1 ≦ m ≦ 1
024; 1 ≦ n ≦ 1280) can be independently independently rotated and tilted about a diagonal line, and two stable postures, specifically, the light fluxes incident on each of them are formed in the imaging optical system 2
A first reflection position (hereinafter, referred to as an exposure position) for reflecting the light beam toward the beam No. 8 and a second reflection position (hereinafter, referred to as a non-exposure position) for reflecting the light flux so as to deviate from the imaging optical system 28. ) And are positioned. Normally, all the micromirrors M (m, n) are positioned at the non-exposure position, but when each corresponding unit exposure area is to be exposed, each is rotationally displaced from the non-exposure position to the exposure position. . The rotational displacement of each micromirror M (m, n) between the non-exposure position and the exposure position is controlled by the exposure data generated based on the raster data of the circuit pattern.

【0029】任意のマイクロミラーM(m,n)が露光
位置に位置決めされると、そこに入射したスポット光は
一点鎖線LB1で示されるように結像光学系28に向か
って反射され、結像光学系28によって描画テーブル1
6上に設置された被描画体30の描画面32上に導かれ
る。マイクロミラーM(m,n)のサイズがC×Cであ
るとすると、結像光学系28の倍率は等倍であるから、
マイクロミラーM(m,n)の反射面は描画面32上の
面積C×Cの露光領域として結像される。1つのマイク
ロミラーM(m,n)によって得られる面積C×Cの露
光領域は以下の記載では単位露光領域U(m,n)とし
て言及される。
When an arbitrary micro mirror M (m, n) is positioned at the exposure position, the spot light incident thereon is reflected toward the image forming optical system 28 as shown by the chain line LB 1 and is combined. Drawing table 1 by the image optical system 28
6 is guided to the drawing surface 32 of the object 30 to be drawn. Assuming that the size of the micro mirror M (m, n) is C × C, the magnification of the imaging optical system 28 is equal to,
The reflecting surface of the micro mirror M (m, n) is imaged as an exposure area having an area C × C on the drawing surface 32. The exposure area of area C × C obtained by one micromirror M (m, n) is referred to as unit exposure area U (m, n) in the following description.

【0030】一方、マイクロミラーM(m,n)が非露
光位置に位置決めされると、スポット光は一点鎖線LB
2で示されるように光吸収版29に向かって反射されて
光吸収板29によって吸収される、即ちスポット光LB
2は描画面32には到達せず、描画面32上の対応する
領域(面積C×C)は露光されない。
On the other hand, when the micro mirror M (m, n) is positioned at the non-exposure position, the spot light is changed to the alternate long and short dash line LB.
2 is reflected toward the light absorbing plate 29 and is absorbed by the light absorbing plate 29, that is, the spot light LB.
2 does not reach the drawing surface 32, and the corresponding region (area C × C) on the drawing surface 32 is not exposed.

【0031】第1露光ユニット2001に含まれる131
0720個の全てのマイクロミラーM(1,1)〜M
(1024,1280)が露光位置に置かれたときは、
全マイクロミラーM(1,1)〜M(1024,128
0)から反射された全スポット光が結像光学系28に入
射させられ、描画面32上の面積(C×1024)×
(C×1280)の領域が露光されることになる。第1
露光ユニット2001の全マイクロミラーによって露光さ
れ得る領域は、以下、全面露光領域Ua01として言及さ
れる。単位露光領域U(m,n)の一辺長さCが20μ
mであれば、全面露光領域Ua01の面積は25.6mm
(=1024×20μm)×20.48mm(=128
0×20μm)となり、そこに含まれる総画素数は勿論
1024×1280個となる。
[0031] 131 contained in the first exposure unit 20 01
All 0720 micromirrors M (1,1) to M
When (1024, 1280) is placed at the exposure position,
All micromirrors M (1,1) to M (1024,128
All the spot light reflected from 0) is incident on the imaging optical system 28, and the area on the drawing surface 32 (C × 1024) ×
The area of (C × 1280) is exposed. First
Region may be exposed by all the micromirrors of the exposure unit 20 01 are hereinafter referred to as entire exposure area Ua 01. One side length C of the unit exposure area U (m, n) is 20μ
If m, the total exposure area Ua 01 has an area of 25.6 mm.
(= 1024 × 20 μm) × 20.48 mm (= 128
0 × 20 μm), and the total number of pixels included therein is of course 1024 × 1280.

【0032】図2に明らかなように、単位露光領域U
(1,1)、U(1,2)、U(1,3)、U(1,
4)、U(1,5)、…、U(1,1280)は第1露
光ユニット2001のY軸に沿う第1ラインの1280個
のマイクロミラーM(1,1)〜M(1,1280)か
ら得られるものであり、単位露光領域U(2,1)、U
(2,2)、U(2,3)、U(2,4)、U(2,
5)、…、U(2,1280)は第1露光ユニット20
01のY軸に沿う第2ラインの1280個のマイクロミラ
ーM(2,1)〜M(2,1280)から得られるもの
であり、単位露光領域U(3,1)、U(3,2)、U
(3,3)、U(3,4)、U(3,5)、…、U
(3,1280)は第1露光ユニット2001のY軸に沿
う第3ラインのマイクロミラーM(3,1)〜M(3,
1280)から得られるものである。
As is apparent from FIG. 2, the unit exposure area U
(1,1), U (1,2), U (1,3), U (1,
4), U (1,5), ..., U (1,1280) is 1280 micro mirrors M (1, 1) ~M the first line along the Y-axis of the first exposure unit 20 01 (1, 1280) and the unit exposure areas U (2,1), U
(2,2), U (2,3), U (2,4), U (2
5), ..., U (2,1280) is the first exposure unit 20.
It is obtained from 1280 micromirrors M (2,1) to M (2,1280) of the second line along the Y axis of 01 , and unit exposure areas U (3,1), U (3,2) ), U
(3,3), U (3,4), U (3,5), ..., U
(3,1280) is the first exposure unit 20 01 of the micromirrors of the third line along the Y-axis M (3, 1) ~M (3,
1280).

【0033】マイクロミラーM(1,1)に対応する単
位露光領域U(1,1)は全面露光領域Ua01の図中左
下隅に位置し、マイクロミラーM(1024,1)に対
応する単位露光領域U(1024,1)は全面露光領域
Ua01の図中左上隅に位置する。また、マイクロミラー
M(1,1280)に対応する単位露光領域U(1,1
280)は全面露光領域Ua01の図中右下隅に位置し、
マイクロミラーM(1024,1280)に対応する単
位露光領域U(1024,1280)は全面露光領域U
01の図中右上隅に位置する。
The unit exposure area U (1,1) corresponding to the micro mirror M (1,1) is located at the lower left corner of the entire exposure area Ua 01 in the figure, and the unit corresponding to the micro mirror M (1024,1). The exposure area U (1024, 1) is located at the upper left corner of the entire exposure area Ua 01 in the figure. Further, the unit exposure area U (1,1) corresponding to the micromirror M (1,1280)
280) is located in the lower right corner of the figure of the entire exposure area Ua 01 ,
The unit exposure area U (1024, 1280) corresponding to the micro mirror M (1024, 1280) is the entire surface exposure area U.
It is located in the upper right corner in the figure of a 01.

【0034】図3(a)〜(c)を参照して、多重露光
描画装置に10における描画面32の描画について説明
する。図3(a)〜(c)は描画面32および全面露光
領域との相対位置関係を示す平面図であり、描画動作時
の経時変化を段階的に示す図である。
Drawing of the drawing surface 32 in the multiple exposure drawing apparatus 10 will be described with reference to FIGS. 3 (a) to 3 (c). FIGS. 3A to 3C are plan views showing the relative positional relationship between the drawing surface 32 and the entire surface exposure area, and are diagrams showing changes over time during the drawing operation in stages.

【0035】描画方式としては、描画テーブル16の主
走査方向(X方向)に沿って間欠的に移動する動作と、
描画テーブル16の停止時に露光により回路パターンを
部分的に描画する動作とを交互に繰り返すことにより、
各描画領域を継ぎ足して全体の回路パターンを得るステ
ップ・アンド・リピート(Step & Repeat)方式を採用
してもよいし、描画テーブル16を一定速度で移動させ
つつ同時に描画動作を行う方式であってもよい。本実施
形態では説明を容易にするためにステップ・アンド・リ
ピート方式を採用する。即ち、多重露光描画装置10で
は、描画テーブル16を所定の移動間隔で間欠的に移動
させつつ、多重露光により回路パターンを描画する描画
方式が採用される。
As a drawing method, an operation of intermittently moving the drawing table 16 along the main scanning direction (X direction),
By alternately repeating the operation of partially drawing the circuit pattern by exposure when the drawing table 16 is stopped,
A step-and-repeat (Step & Repeat) method may be adopted in which each drawing area is added to obtain the entire circuit pattern, or the drawing operation is performed simultaneously while moving the drawing table 16 at a constant speed. Good. In the present embodiment, a step-and-repeat method is adopted to facilitate the description. That is, the multiple-exposure drawing apparatus 10 employs a drawing method of drawing a circuit pattern by multiple exposure while intermittently moving the drawing table 16 at a predetermined movement interval.

【0036】描画面32を含む平面上にはX−Y直交座
標系が定義され、X軸は露光ユニット2001〜2015
配列方向に対して直角とされる。また、描画面32はX
軸の負の方向に沿って相対移動する。
[0036] The plane containing the drawing surface 32 is defined X-Y orthogonal coordinate system, X-axis is perpendicular to the arrangement direction of the exposure unit 20 01-20 15. Also, the drawing surface 32 is X
Move relative to the negative direction of the axis.

【0037】破線で囲まれた長方形の領域は、15個の
露光ユニット2001〜2015のそれぞれによってX−Y
平面上で得られる全面露光領域Ua01〜Ua15である。
第1列の全面露光領域Ua01、Ua03、Ua05、U
07、Ua09、Ua11、Ua13およびUa15はその図中
下辺がY軸に一致するように配置させられ、第2列の全
面露光領域Ua02、Ua04、Ua06、Ua08、Ua10
Ua12およびUa14はその図中下辺がY軸から負側に距
離Sだけ離れた直線に一致するように配される。
The rectangular area surrounded by the broken line is XY by each of the 15 exposure units 20 01 to 20 15.
The entire surface exposure areas Ua 01 to Ua 15 obtained on a plane.
First-row whole-surface exposure area Ua 01 , Ua 03 , Ua 05 , U
a 07 , Ua 09 , Ua 11 , Ua 13 and Ua 15 are arranged so that the lower side in the figure coincides with the Y-axis, and the entire surface exposure areas Ua 02 , Ua 04 , Ua 06 , Ua 08 of the second row, Ua 10 ,
Ua 12 and Ua 14 are arranged so that the lower side in the figure coincides with a straight line separated from the Y axis by a distance S on the negative side.

【0038】X軸が露光ユニット2001〜2015の配列
方向に対して直角を成すため、各露光ユニット2001
2015内のそれぞれ1310720(1024×128
0)個のマイクロミラーもX軸およびY軸に沿ってマト
リクス状に配列される。
Since the X-axis forms a right angle with the arrangement direction of the exposure units 20 01 to 20 15 , each of the exposure units 20 01 to
13 10720 (1024 × 128) in 20 15
The 0) micromirrors are also arranged in a matrix along the X axis and the Y axis.

【0039】図3では、X−Y直交座標系の座標原点は
第1列目の第1露光ユニット2001によって得られる全
面露光領域Ua01の図中左下角に一致しているように図
示されているが、正確には、座標原点は第1露光ユニッ
ト2001のY軸に沿う第1ラインの先頭のマイクロミラ
ーM(1,1)によって得られる単位露光領域U(1,
1)の中心に位置する。上述したように、本実施形態で
は単位露光領域U(1,1)のサイズは20μm×20
μmであるので、Y軸は第1露光ユニット20による全
面露光領域Ua01の境界から10μmだけ内側に進入し
たものとなっている。換言すれば、第1列目の8つの露
光ユニット2001、2003、2005、2007、2009
2011、2013および2015のそれぞれの第1ラインに
含まれる1280個のマイクロミラーM(1,n)(1
≦n≦1280)の全ての中心がY軸上に位置する。
[0039] In Figure 3, the coordinate origin of the X-Y orthogonal coordinate system is shown to be consistent to the lower left corner in the figure in the entire exposure area Ua 01 obtained by the first exposure unit 20 01 of the first row and which is, precisely, the coordinate origin is the unit exposure region U (1 obtained by the top of the micromirror M of the first line along the Y-axis of the first exposure unit 20 01 (1,1),
Located in the center of 1). As described above, in the present embodiment, the size of the unit exposure area U (1,1) is 20 μm × 20.
because it is [mu] m, Y-axis and is obtained by entering the inside by 10μm from the boundary of the entire exposure area Ua 01 with the first exposure unit 20. In other words, the eight exposure units 20001 , 20003 , 2005 , 2007 , 2009 of the first row,
1280 micromirrors M (1, n) (1 included in the first lines of 20 11 , 20 13 and 20 15 respectively.
All centers of ≦ n ≦ 1280) are located on the Y axis.

【0040】描画面32は描画テーブル16により白抜
き矢印で示すようにX軸に沿ってその負の方向に向かっ
て移動させられるので、全面露光領域Ua01〜Ua15
描画面32に対してX軸の正の方向に相対移動すること
になる。
Since the drawing surface 32 is moved in the negative direction along the X axis by the drawing table 16 as indicated by the white arrow, the entire surface exposure areas Ua 01 to Ua 15 are relative to the drawing surface 32. It will move relative to the positive direction of the X axis.

【0041】描画面32に設定された描画開始位置SL
がY軸、即ち第1列目の8個の露光ユニット2001、2
03、2005、2007、2009、2011、2013および
20 15に対応する第1列目の全面露光領域Ua01、Ua
03、Ua05、Ua07、Ua09、Ua11、Ua13およびU
15の境界に一致すると、まず第1列目の露光ユニット
2001、2003、2005、2007、2009、2011、2
13および2015により描画面32の露光が開始され
る。
Drawing start position SL set on the drawing surface 32
Is the Y axis, that is, the eight exposure units 20 in the first row01Two
003, 2005, 2007, 2009, 2011, 2013and
20 15The entire surface exposure area Ua of the first column corresponding to01, Ua
03, Ua05, Ua07, Ua09, Ua11, Ua13And U
a15If it coincides with the boundary of, the exposure unit of the first row
2001, 2003, 2005, 2007, 2009, 2011Two
013And 2015The exposure of the drawing surface 32 is started by
It

【0042】図3(a)に示すように、第1列目の全面
露光領域Ua01、Ua03、Ua05、Ua07、Ua09、U
11、Ua13およびUa15のY軸に達していない部分に
対応するマイクロミラーについては非露光位置に位置決
めされたまま作動せず、また第2列目の全面露光領域U
02、Ua04、Ua06、Ua08、Ua10、Ua12および
Ua14もY軸に達していないため、露光ユニット2
02、2004、2006、2008、2010、2012および
2014による露光も停止させられている。図3では、第
1列目の8個の露光ユニット2001、2003、2005
2007、2009、2011、2013および2015によって
露光された領域(部分パターン)を右上がりのハッチン
グで示している。
As shown in FIG. 3 (a), the entire surface exposure areas Ua 01 , Ua 03 , Ua 05 , Ua 07 , Ua 09 , U of the first column are formed.
The micro mirrors corresponding to the portions of a 11 , Ua 13 and Ua 15 which do not reach the Y axis do not operate while being positioned at the non-exposure position, and the entire surface exposure area U of the second row
Since a 02 , Ua 04 , Ua 06 , Ua 08 , Ua 10 , Ua 12 and Ua 14 also do not reach the Y axis, exposure unit 2
The exposure by 02 , 20 04 , 20 06 , 20 08 , 20 10 , 20 12 and 20 14 is also stopped. In FIG. 3, the eight exposure units 20001 , 20003 , 2005 in the first row,
The areas (partial patterns) exposed by 20 07 , 20 09 , 20 11 , 20 13 and 20 15 are shown by upward hatching.

【0043】さらに描画面32が移動し、全面露光領域
Ua02、Ua04、Ua06、Ua08、Ua10、Ua12およ
びUa14の境界がY軸に一致すると、第2列目の7個の
露光ユニット2002、2004、2006、2008、2
10、2012および2014による露光が開始される。図
3(b)に示すように、第2列目の露光ユニット2002
2004、2006、2008、2010、2012および2014
による露光は、第1列目の露光ユニット2001、2
03、2005、2007、2009、2011、2013および
2015による露光よりも常に距離Sだけ遅れて進行す
る。図3では、第2列目の露光ユニット2002、2
04、2006、2008、2010、2012および2014
よって露光された領域を右下がりのハッチングで示して
いる。
When the drawing surface 32 further moves and the boundaries of the entire surface exposure areas Ua 02 , Ua 04 , Ua 06 , Ua 08 , Ua 10 , Ua 12 and Ua 14 coincide with the Y-axis, seven pixels in the second row Exposure units 20 02 , 20 04 , 20 06 , 20 08 , 2
The exposure with 0 10 , 20 12 and 20 14 is started. Figure 3 (b), the second column of the exposure unit 20 02,
20 04 , 20 06 , 20 08 , 20 10 , 20 12 and 20 14
The exposure by means of the exposure unit 20001 , 2
0 03, 20 05, 20 07, 20 09, 20 11, 20 13 and proceeds with a delay always a distance S than the exposure by 20 15. In FIG. 3, the exposure units 20 02 , 2
The areas exposed by 0 04 , 20 06 , 20 08 , 20 10 , 20 12 and 20 14 are indicated by hatching to the lower right.

【0044】さらに描画面32が相対移動して、図3
(c)に示すように第1列目の全面露光領域Ua01、U
03、Ua05、Ua07、Ua09、Ua11、Ua13および
Ua15の境界が描画終了位置ELに達すると、第1列目
の露光ユニット2001、2003、2005、2007、20
09、2011、2013および2015による露光が停止させ
られる。厳密にいえば、描画終了位置ELに達した単位
露光領域U(m,n)に対応するマイクロミラーM
(m,n)から順に非露光位置に静止させられる。図3
(c)の状態からさらに描画面32が距離Sだけ進む
と、第2列目の全面露光領域Ua02、Ua04、Ua06
Ua08、Ua10、Ua12およびUa14の境界が描画終了
位置ELに達し、第2列目の露光ユニット2002、20
04、2006、20 08、2010、2012および2014によ
る露光が停止させられる。
Further, the drawing surface 32 moves relatively, and FIG.
As shown in (c), the entire surface exposure area Ua of the first column01, U
a03, Ua05, Ua07, Ua09, Ua11, Ua13and
Ua15When the border of reaches the drawing end position EL, the first column
Exposure unit 2001, 2003, 2005, 2007, 20
09, 2011, 2013And 2015Stop the exposure by
To be Strictly speaking, the unit that reaches the drawing end position EL
Micromirror M corresponding to exposure area U (m, n)
It is stopped at the non-exposure position in order from (m, n). Figure 3
The drawing surface 32 further advances by the distance S from the state of (c).
And the entire surface exposure area Ua in the second column02, Ua04, Ua06,
Ua08, UaTen, Ua12And Ua14Ends the drawing
Reaching the position EL, the exposure unit 20 in the second row02, 20
04, 2006, 20 08, 20Ten, 2012And 2014By
Exposure is stopped.

【0045】以上のように、描画面32がX軸に平行し
て相対移動することにより、15個の露光ユニット20
01〜2015は、X軸に平行な帯状領域をそれぞれ露光す
ることによって部分的に回路パターンを描画することと
なり、この帯状領域の幅はそれぞれ全面露光領域Ua01
〜Ua15の幅に実質的に一致する。隣り合う2つの帯状
領域の境界部分は微少量だけ重ね合わされている。な
お、同一ライン上に描かれるべき回路パターンを一致さ
せるために、第1列目の露光ユニット2001、2003
2005、2007、2009、2011、2013および2015
に所定ラインの回路パターンに応じた露光データが与え
られると、第2列目の露光ユニット2002、2004、2
06、2008、2010、2012および2014には描画面
32が距離Sを移動する時間だけ遅れたタイミングで同
一ラインの露光データが与えられる。
As described above, the drawing surface 32 relatively moves in parallel with the X-axis, so that the 15 exposure units 20 are exposed.
In 01 to 20 15 , the circuit pattern is partially drawn by exposing the strip-shaped regions parallel to the X axis, and the width of each of the strip-shaped regions is the entire surface exposure region Ua 01.
Substantially match the width of ~ Ua 15 . The boundary portion between two adjacent strip-shaped regions is overlapped by a small amount. In order to match the circuit patterns to be drawn on the same line, the exposure units 20001 , 2003 in the first row,
20 05 , 20 07 , 20 09 , 20 11 , 20 13 and 20 15
When the exposure data according to the circuit pattern of the predetermined line is given to the exposure units 20 02 , 20 04 , 2
The exposure data of the same line is given to 0 06 , 20 08 , 20 10 , 20 12 and 20 14 at a timing delayed by the time when the drawing surface 32 moves the distance S.

【0046】図4を参照して、図3の描画の詳細につい
て説明する。図4には、第1露光ユニット2001によっ
て露光される描画面32上の全面露光領域Ua01の一部
が示される。
Details of the drawing in FIG. 3 will be described with reference to FIG. 4 shows a part of the entire exposure area Ua 01 on the drawing surface 32 that is exposed by the first exposure unit 20 01 is shown.

【0047】基本的には、描画面32の相対移動距離が
第1露光ユニット2001の全面露光領域Ua01のX方向
長さ(C×1024)よりも小さく設定され、これによ
り描画面32の同一領域が第1露光ユニット2001によ
って多数回に渡って露光される即ち多重露光される。例
えば、露光1回当たりの描画面32の相対移動距離が単
位露光領域U(m,n)の一辺長さCの整数倍である距
離A(例えばA=4C)に設定される場合、第1露光ユ
ニット2001はX軸に沿ってその正側にA(=4C)ず
つ移動し、単位露光領域U(m,n)の中心は常に同一
点上に一致する。このため、第1列目の先頭のマイクロ
ミラーM(1,1)によって露光された描画面32の面
積C×Cの領域は、さらに第(4k+1)番目の先頭の
マイクロミラーM(4k+1,1)によって露光され
(ただし、1≦k≦255)、合計256回(=102
4C/A)だけ多重露光されることになる。
[0047] Basically, the relative moving distance of the drawing surface 32 is set smaller than X direction length of the entire exposure area Ua 01 of the first exposure unit 20 01 (C × 1024), thereby drawing surface 32 The same area is exposed multiple times, that is, multiple exposure is performed by the first exposure unit 20001 . For example, when the relative movement distance of the drawing surface 32 per exposure is set to the distance A (for example, A = 4C) that is an integral multiple of the side length C of the unit exposure region U (m, n), the exposure unit 20 01 is moved by a (= 4C) on the positive side along the X-axis, the center of the unit exposure region U (m, n) is always coincident on the same point. Therefore, the area of the area C × C of the drawing surface 32 exposed by the leading micromirror M (1,1) in the first column is further reduced to the (4k + 1) th leading micromirror M (4k + 1,1). ), Where 1 ≦ k ≦ 255, a total of 256 times (= 102
4C / A) will be subjected to multiple exposure.

【0048】図4には、描画面32の移動距離が単位露
光領域U(m,n)の一辺長さCの整数倍ではない、例
えば距離A(A=4C)と距離a(0<a<C)との和
に設定されている例が示される。
In FIG. 4, the moving distance of the drawing surface 32 is not an integral multiple of the side length C of the unit exposure area U (m, n), for example, the distance A (A = 4C) and the distance a (0 <a. An example in which the sum is set to <C) is shown.

【0049】描画面32が描画テーブル16によりX軸
に沿ってその負側に移動させられる、即ち第1露光ユニ
ット2001が描画面32に対してX軸の正側に向かって
相対移動し、単位露光領域Ua01が描画面32上の描画
開始位置SLに到達すると、そこで一旦停止させられて
第1露光ユニット2001の第1ラインに含まれる128
0個のマイクロミラーM(1,1)〜M(1,128
0)が描画すべき回路パターンの露光データに従って動
作させられて第1回目の露光が行われる。このときの描
画面32の相対位置を第1回目露光位置と定義する。
The drawing surface 32 is moved to its negative side along the X-axis by the drawing table 16, i.e., the first exposure unit 20 01 is relatively moved toward the positive side of the X axis with respect to the drawing plane 32, When the unit exposure area Ua 01 reaches the drawing start position SL on the drawing surface 32, the unit exposure area Ua 01 is once stopped and is included in the first line of the first exposure unit 20 01 .
Zero micro mirrors M (1,1) to M (1,128
0) is operated according to the exposure data of the circuit pattern to be drawn, and the first exposure is performed. The relative position of the drawing surface 32 at this time is defined as the first exposure position.

【0050】第1回目の露光が終了すると、第1露光ユ
ニット2001は再びX軸に沿ってその正側に相対移動
し、その単位露光領域Ua01の移動量が(A+a)とな
ったとき、第1露光ユニット2001は第2回目露光位置
に到達したと判断されて停止され、第1露光ユニット2
01の第1〜第5ラインのマイクロミラーM(1,1)
〜M(5,1280)が回路パターンの露光データに従
って動作させられて第2回目の露光が行われる。
When the first exposure is completed, the first exposure unit 20001 again moves relative to the positive side along the X-axis, and the movement amount of the unit exposure area Ua 01 becomes (A + a). , The first exposure unit 20001 is judged to have reached the second exposure position, and is stopped.
0 01 1st to 5th lines of micromirror M (1, 1)
.About.M (5,1280) are operated according to the exposure data of the circuit pattern to perform the second exposure.

【0051】第2回目の露光が終了すると、第1露光ユ
ニット2001は更にX軸に沿ってその正側に移動量(A
+a)だけ移動させられて第3回目露光位置で停止さ
れ、第1露光ユニット2001の第1〜第9ラインのマイ
クロミラーM(1,1)〜M(9,1280)が回路パ
ターンの露光データに従って動作させられて第3回目の
露光が行われる。
When the second exposure is completed, the first exposure unit 20001 further moves along the X axis toward the positive side thereof (A
+ A) only be stopped at the third exposure position is moved, the first exposure unit 20 01 of the first to ninth lines of the micromirror M (1,1) ~M (9,1280) exposure of a circuit pattern It is operated according to the data and the third exposure is performed.

【0052】このように第1露光ユニット2001がX軸
に沿ってその正側に移動量(A+a)だけ移動させられ
る度毎に停止されて露光作動が繰り返され、描画面32
の同一領域が第1露光ユニット2001によって多数回に
渡って多重露光されることになる。
As described above, every time the first exposure unit 20001 is moved to the positive side along the X axis by the movement amount (A + a), the exposure operation is repeated and the drawing surface 32 is repeated.
That is, the same area is subjected to multiple exposure by the first exposure unit 20001 multiple times.

【0053】描画面32の移動距離が(A+a=4C+
a)であるため、重なり合う単位露光領域U(m,n)
の中心は距離aだけ徐々にずれ、同一領域が256回多
重露光されるとは限らない。そこで、所定領域を256
回露光させるために、各単位露光領域U(m,n)の中
心を256個だけこの所定領域内に均等に配列させ、実
質的に256回多重露光させている。
The movement distance of the drawing surface 32 is (A + a = 4C +
a), the overlapping unit exposure areas U (m, n)
The center of is gradually shifted by the distance a, and the same region is not always subjected to multiple exposure 256 times. Therefore, the predetermined area is set to 256
In order to perform the single exposure, 256 centers of each unit exposure area U (m, n) are evenly arranged in this predetermined area, and the multiple exposure is substantially performed 256 times.

【0054】図3および図4では描画面32の移動方向
はX軸に平行であったが、図5に示すように描画面32
をX軸に対して微少角だけ傾斜させて移動させてもよ
い。例えば、描画テーブル16上に被描画体30即ち描
画面32をX軸に対して傾斜させて固定し、描画テーブ
ル16をX軸に沿ってその負側に所定距離移動させる
と、その移動毎に単位露光領域U(m,n)は描画面3
2に対してX軸に沿って正側にシフトするだけでなく、
Y軸に沿ってその負側にも所定距離だけ相対的にシフト
することになる。
In FIGS. 3 and 4, the movement direction of the drawing surface 32 is parallel to the X axis, but as shown in FIG.
May be tilted by a small angle with respect to the X axis and moved. For example, when the drawing target 30, that is, the drawing surface 32 is fixed on the drawing table 16 by inclining with respect to the X axis, and the drawing table 16 is moved along the X axis to the negative side by a predetermined distance, each time the movement is made. The unit exposure area U (m, n) is the drawing surface 3
Not only does it shift to the positive side along the X axis with respect to 2,
Along the Y-axis, the negative side is also relatively shifted by a predetermined distance.

【0055】図5は、被描画体30をX軸に対して角度
αだけ傾斜させつつ順次移動させたときの単位露光領域
U(m,n)の変位を経時的に示す図である。図5を参
照すると、第1回目露光位置での全面露光領域Ua01
一部が破線で示され、第2回目露光位置での全面露光領
域Ua01の一部が一点鎖線で示され、第3回目露光位置
での全面露光領域Ua01の一部が実線で示される。各単
位露光領域U(m,n)のY軸の負側に沿うシフト量は
bで示される。
FIG. 5 is a diagram showing the displacement of the unit exposure region U (m, n) with time when the drawing object 30 is sequentially moved while being inclined by the angle α with respect to the X axis. Referring to FIG. 5, a part of the entire exposure area Ua 01 with the first-time exposure position is shown in dashed lines, a portion of the entire exposure area Ua 01 with the second exposure position is indicated by a dashed line, the A part of the entire surface exposure area Ua 01 at the third exposure position is shown by a solid line. The shift amount along the negative side of the Y axis of each unit exposure region U (m, n) is indicated by b.

【0056】第1回目露光位置において第1露光ユニッ
ト2001の第1ラインのマイクロミラーM(1,1)〜
M(1,1280)によって得られる単位露光領域U
(1,1)、U(1,2)、…U(1,1280)に注
目すると、これら単位露光領域U(1,1)、U(1,
2)、…U(1,1280)に対して、第2回目露光位
置における第1露光ユニット2001の第5ラインのマイ
クロミラーM(5,1)〜M(5,1280)によって
得られる単位露光領域U(5,1)、U(5,2)、…
U(5,1280)がX軸及びY軸に沿ってそれぞれ
(+a)および(−b)だけずれて互いに重なり合い、
さらに第3回目露光位置においては第1露光ユニット2
01の第9ラインのマイクロミラーM(9,1)〜M
(9,1280)によって得られる単位露光領域U
(9,1)、U(9,2)、…U(9,1280)は、
X軸方向及びY軸方向にそれぞれ(+2a)および(−
2b)だけずれて互いに重なり合うことになる。なお、
図5では、3つの互いに重なり合う単位露光領域U
(1,1)、U(5,1)及びU(9,1)がそれぞれ
破線、一点鎖線及び実線の引出し線で例示的に示されて
いる。
[0056] The first time the first exposure unit 20 01 of the first line micromirror M in the exposure position (1, 1) to
Unit exposure area U obtained by M (1,1280)
Focusing on (1,1), U (1,2), ... U (1,1280), these unit exposure regions U (1,1), U (1,2)
2), ... with respect to U (1,1280), units obtained by the first exposure unit 20 01 of the fifth line micromirrors M in the second exposure position (5,1) ~M (5,1280) Exposure areas U (5,1), U (5,2), ...
U (5,1280) overlaps each other with (+ a) and (-b) offset along the X and Y axes, respectively.
Further, at the third exposure position, the first exposure unit 2
0 01 9th line micromirrors M (9,1) to M
Unit exposure area U obtained by (9,1280)
(9,1), U (9,2), ... U (9,1280) are
(+ 2a) and (-) in the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively.
2b) and will overlap each other. In addition,
In FIG. 5, three unit exposure areas U that overlap each other
(1,1), U (5,1) and U (9,1) are exemplarily shown by a broken line, a one-dot chain line and a solid lead line, respectively.

【0057】ここで各単位露光領域U(m,n)の相対
位置をその中心である露光点CN(m,n)で代表して
示すと、第2回目露光位置における露光点CN(5,
1)は、第1回目露光位置における露光点CN(1,
1)から(+a,−b)だけ離れており、第3回目露光
位置における露光点CN(9,1)は、第1回目露光位
置における露光点CN(1,1)から(+2a,−2
b)だけ離れて存在することになる。各ラインにおける
互いに隣接した露光点間の距離は単位露光領域U(m,
n)のサイズC(=20μm)に一致する。
Here, the relative position of each unit exposure area U (m, n) is represented by the exposure point CN (m, n), which is the center of the unit exposure area U (m, n), and the exposure point CN (5,5 at the second exposure position is shown.
1) is the exposure point CN (1,
The exposure point CN (9,1) at the third exposure position is (+ 2a, -2) apart from the exposure point CN (1,1) at the first exposure position.
Only b) will exist. The distance between the exposure points adjacent to each other in the line is the unit exposure area U (m,
It corresponds to the size C (= 20 μm) of n).

【0058】上述したように、移動距離が、単位露光領
域U(m,n)の一辺長さCの整数倍と距離a(0<a
<C)との和とされるとき、距離a及びbを適当に選ぶ
ことにより、個々の単位露光領域U(m,n)と同じ大
きさの領域(面積C×C)内に露光点CNを均一に分布
させることができる。
As described above, the moving distance is an integral multiple of the side length C of the unit exposure area U (m, n) and the distance a (0 <a
<C), by appropriately selecting the distances a and b, the exposure point CN is formed in the area (area C × C) having the same size as the individual unit exposure area U (m, n). Can be evenly distributed.

【0059】例えば、図6に示すように、単位露光領域
U(m,n)と同じ大きさの領域(面積C×C=20μ
m×20μm)内に240個の露光点を分布させるため
には、X軸に沿って16個、Y軸に沿って15個ずつ露
光点を配列させればよいことになり、距離a及びbは以
下の計算式によって定められる。 a=C/16 =20μm/16 =1.25μm b=C/256=20μm/240=0.0833μm
For example, as shown in FIG. 6, a region (area C × C = 20 μm) having the same size as the unit exposure region U (m, n).
In order to distribute 240 exposure points in (m × 20 μm), 16 exposure points should be arranged along the X-axis and 15 exposure points should be arranged along the Y-axis. Is determined by the following formula. a = C / 16 = 20 μm / 16 = 1.25 μm b = C / 256 = 20 μm / 240 = 0.0833 μm

【0060】なお、言うまでもないが、距離bを0.0
833μmに設定するということは、描画テーブル16
がX軸の負側に距離(A+a=81.25μm)だけ移
動したとき、個々の単位露光領域U(m,n)がY軸の
負側に0.0833μmだけシフトするように描画テー
ブル16の傾斜角度α(約0.0588度)を設定する
ということに他ならない。
Needless to say, the distance b is 0.0
Setting to 833 μm means that the drawing table 16
Of the drawing table 16 so that each unit exposure region U (m, n) shifts to the negative side of the Y-axis by 0.0833 μm when is moved to the negative side of the X-axis by a distance (A + a = 81.25 μm). It is nothing but setting the inclination angle α (about 0.0588 degrees).

【0061】図6において、参照符号CN(1,1)で
示される露光点が、例えば第1回目露光位置における第
1露光ユニット2001の第1ラインに含まれる先頭のマ
イクロミラーM(1,1)によって得られる単位露光領
域U(1,1)のものであるとすると、先の記載から明
らかなように、露光点CN(5,1)は第2回目露光位
置における第1露光ユニット2001の第5ラインの先頭
のマイクロミラーM(5,1)によって得られる単位露
光領域U(5,1)の中心であり、露光点CN(9,
1)は第3回目露光位置における第1露光ユニット20
01の第9ラインの先頭のマイクロミラーM(9,1)に
よって得られる単位露光領域U(9,1)の中心とな
る。
In FIG. 6, the exposure point indicated by reference numeral CN (1,1) is, for example, the leading micromirror M (1,1 included in the first line of the first exposure unit 20001 at the first exposure position. Assuming that it is the unit exposure area U (1,1) obtained by 1), as is apparent from the above description, the exposure point CN (5,1) is the first exposure unit 20 at the second exposure position. It is the center of the unit exposure area U (5,1) obtained by the micromirror M (5,1) at the beginning of the fifth line of 01 , and the exposure point CN (9,
1) is the first exposure unit 20 at the third exposure position
It is the center of the unit exposure area U (9,1) obtained by the micromirror M (9,1) at the beginning of the ninth line 01 .

【0062】さらに、露光点CN(1,1)から距離
(+16a,−16b)だけ離れた露光点CN(61,
1)は、第16回目露光位置における第61ラインの先
頭のマイクロミラーM(61,1)によって得られる単
位露光領域U(61,1)の中心であり、露光点CN
(1,1)から距離(0,−a)だけ離れた露光点CN
(65,1)は第17回目露光位置における第65ライ
ンの先頭のマイクロミラーM(65,1)によって得ら
れる単位露光領域U(65,1)の中心である。同様
に、露光点CN(1,1)から距離(0,−14a)だ
け離れた露光点CN(897,1)は第225回目露光
位置における第897ラインの先頭のマイクロミラーM
(897,1)によって得られる単位露光領域U(89
7,1)の中心であり、露光点CN(1,1)から距離
(15a,−15a)だけ離れた露光点CN(957,
1)は第240回目露光位置における第957ラインの
先頭のマイクロミラーM(957,1)によって得られ
る単位露光領域U(957,1)の中心である。
Further, the exposure point CN (61, 61, distant from the exposure point CN (1, 1) by a distance (+ 16a, -16b)).
1) is the center of the unit exposure area U (61,1) obtained by the micromirror M (61,1) at the head of the 61st line at the 16th exposure position, and the exposure point CN
Exposure point CN distant from (1,1) by a distance (0, -a)
(65,1) is the center of the unit exposure area U (65,1) obtained by the micromirror M (65,1) at the head of the 65th line at the 17th exposure position. Similarly, the exposure point CN (897,1), which is separated from the exposure point CN (1,1) by the distance (0, -14a), is the leading micromirror M of the 897th line at the 225th exposure position.
(897,1) unit exposure area U (89
Exposure point CN (957, 1) which is the center of the exposure point CN (957)
1) is the center of the unit exposure area U (957,1) obtained by the micromirror M (957,1) at the head of the 957th line at the 240th exposure position.

【0063】かくして、15個の露光ユニット2001
2015に対して描画テーブル16が上述した条件下でX
軸の負側に間欠的に移動させられると、それら露光ユニ
ット2001〜2015の個々のマイクロミラーM(m,
n)よって得られる単位露光領域U(m,n)の中心、
即ち露光点CN(m,n)がX軸及びY軸のそれぞれに
沿ってピッチa及びbで描画面32の全体にわたって配
列され、単位露光領域U(m,n)と同じ大きさの領域
C×C(20μm×20μm)内には240個の露光点
が均一に分布させられる。
Thus, 15 exposure units 20 01-
20 15 for the drawing table 16 X
When the negative side of the axis is moved intermittently, their exposure unit 20 01-20 15 individual micromirrors M (m,
n) the center of the unit exposure area U (m, n) obtained by
That is, the exposure points CN (m, n) are arranged over the entire drawing surface 32 at the pitches a and b along the X-axis and the Y-axis, respectively, and have the same size as the unit exposure area U (m, n). In xC (20 μm × 20 μm), 240 exposure points are uniformly distributed.

【0064】なお、露光ユニット2001〜2015の個々
の露光点を描画面32の全体にわたって更に高密度に分
布させることももちろん可能であり、例えば、20μm
×20μmの面積内に、上記例の2倍である480個の
露光点を均一に配列させる場合には、距離Aは単位露光
領域のサイズCの2倍(40μm)に設定され、距離a
およびbはそれぞれ1.25/2μm、0.0833/
2μmに設定される。
[0064] Incidentally, it is also of course possible to further distribute a high density of individual exposure point of the exposure unit 20 01-20 15 over the entire drawing surface 32, for example, 20 [mu] m
When 480 exposure points, which is twice the above example, are uniformly arranged in the area of × 20 μm, the distance A is set to twice the size C of the unit exposure area (40 μm), and the distance a
And b are 1.25 / 2 μm and 0.0833 /, respectively.
It is set to 2 μm.

【0065】また、図6に示す例では16個の露光点は
Y軸に沿って平行に配列されているが、距離a及びbの
値を僅かに変化させることによって、露光点をY軸に沿
って斜めに配列させることも可能である。
Further, in the example shown in FIG. 6, 16 exposure points are arranged in parallel along the Y-axis, but the exposure points can be changed to the Y-axis by slightly changing the values of the distances a and b. It is also possible to arrange them diagonally.

【0066】このように本実施形態の多重露光描画装置
10においては、回路パターンのラスタデータに基づい
て描画が行われるとき、該回路パターンデータの画素サ
イズがどのようなサイズであっても、その回路パターン
を描画することが可能である。換言すれば、多重露光描
画装置10側には、描画されるべき回路パターンに対す
る画素の概念は存在しないといえる。
As described above, in the multiple-exposure drawing apparatus 10 of this embodiment, when drawing is performed based on the raster data of the circuit pattern, no matter what size the pixel size of the circuit pattern data is, It is possible to draw a circuit pattern. In other words, it can be said that the concept of a pixel for a circuit pattern to be drawn does not exist on the side of the multiple exposure drawing apparatus 10.

【0067】例えば、ラスタデータの画素サイズが20
μm×20μmに設定されている場合には、任意の1ビ
ットデータに“1”が与えられると、露光作動時にその
1ビットデータに対応する一画素領域(20μm×20
μm)に含まれる個々の露光点CN(m,n)に対応し
たマイクロミラーM(m,n)が該1ビットデータによ
って動作されて非露光位置から露光位置に回動させら
れ、これによりかかる一画素領域(20μm×20μ
m)が総計240回にわたって多重露光を受けることに
なる。
For example, the pixel size of raster data is 20
In the case of setting to 1 μm × 20 μm, if “1” is given to any 1-bit data, one pixel area (20 μm × 20
.mu.m) corresponding to each exposure point CN (m, n) corresponding to each micromirror M (m, n) is operated by the 1-bit data to rotate from the non-exposure position to the exposure position. One pixel area (20μm × 20μ
m) will undergo multiple exposures a total of 240 times.

【0068】また、別の例として、ラスタデータの画素
サイズが10μm×10μmに設定されている場合に
は、任意の1ビットデータに“1”が与えられると、露
光作動時にその1ビットデータに対応する一画素領域
(10μm×10μm)に含まれる個々の露光点CN
(m,n)に対応したマイクロミラーM(m,n)が該
1ビットデータによって動作されて非露光位置から露光
位置に回動させられ、これによりかかる一画素領域(1
0μm×10μm)が総計60回にわたって多重露光を
受けることになる。
As another example, when the pixel size of the raster data is set to 10 μm × 10 μm, if “1” is given to any 1-bit data, the 1-bit data will be added to the 1-bit data during the exposure operation. Individual exposure points CN included in the corresponding one pixel area (10 μm × 10 μm)
The micromirror M (m, n) corresponding to (m, n) is operated by the 1-bit data to be rotated from the non-exposure position to the exposure position, whereby the one pixel area (1
0 μm × 10 μm) will be subjected to multiple exposure a total of 60 times.

【0069】なお、露光時間、即ち個々のマイクロミラ
ーM(m,n)が露光位置に留められる時間について
は、描画面32における一画素領域内での露光回数、被
描画体30(本実施形態では、フォトレジスト層)の感
度、光源装置22の光強度等に基づいて決められ、これ
により各一画素露光領域について所望の露光量が得られ
るように設定される。
The exposure time, that is, the time during which the individual micromirrors M (m, n) remain at the exposure position is determined by the number of exposures within one pixel area on the drawing surface 32 and the object 30 to be drawn (in this embodiment). Then, it is determined based on the sensitivity of the photoresist layer), the light intensity of the light source device 22, and the like, and is set so that a desired exposure amount is obtained for each one-pixel exposure region.

【0070】図7は多重露光描画装置10のブロック図
である。同図に示すように、多重露光描画装置10には
マイクロコンピュータから構成されるシステムコントロ
ール回路34が設けられる。即ち、システムコントロー
ル回路34は中央演算処理ユニット(CPU)、種々の
ルーチンを実行するためのプログラムや定数等を格納す
る読出し専用メモリ(ROM)、演算データ等を一時的
に格納する書込み/読出し自在なメモリ(RAM)、お
よび入出力インターフェース(I/O)から成り、多重
露光描画装置10の作動全般を制御する。
FIG. 7 is a block diagram of the multiple exposure drawing apparatus 10. As shown in the figure, the multiple exposure drawing apparatus 10 is provided with a system control circuit 34 including a microcomputer. That is, the system control circuit 34 is a central processing unit (CPU), a read-only memory (ROM) for storing programs and constants for executing various routines, and a writable / readable memory for temporarily storing operation data and the like. The multi-exposure drawing apparatus 10 is generally controlled by a memory (RAM) and an input / output interface (I / O).

【0071】描画テーブル16は、駆動モータ36によ
ってX軸方向に沿って駆動させられる。この駆動モータ
36は例えばステッピングモータとして構成され、その
駆動制御は駆動回路38から出力される駆動パルスに従
って行われる。描画テーブル16と駆動モータ36との
間には先に述べたようにボール螺子等を含む駆動機構が
介在させられるが、そのような駆動機構については図7
では破線矢印で象徴的に示されている。
The drawing table 16 is driven by the drive motor 36 along the X-axis direction. The drive motor 36 is configured as, for example, a stepping motor, and its drive control is performed according to the drive pulse output from the drive circuit 38. A drive mechanism including a ball screw or the like is interposed between the drawing table 16 and the drive motor 36, as described above.
Is symbolically indicated by a dashed arrow.

【0072】駆動回路38は描画テーブル制御回路40
の制御下で動作させられ、この描画テーブル制御回路4
0は描画テーブル16に設けられた描画テーブル位置検
出センサ42に接続される。描画テーブル位置検出セン
サ42は描画テーブル16の移動経路に沿って設置され
たリニアスケール44からの光信号を検出して描画テー
ブル16のX軸方向に沿うその位置を検出するものであ
る。なお、図7では、リニアスケール44からの光信号
の検出が破線矢印で象徴的に示されている。
The drive circuit 38 is a drawing table control circuit 40.
This drawing table control circuit 4 is operated under the control of
0 is connected to the drawing table position detection sensor 42 provided in the drawing table 16. The drawing table position detection sensor 42 detects an optical signal from the linear scale 44 installed along the movement path of the drawing table 16 to detect the position of the drawing table 16 in the X-axis direction. In FIG. 7, detection of an optical signal from the linear scale 44 is symbolically shown by a broken line arrow.

【0073】描画テーブル16の移動中、描画テーブル
位置検出センサ42はリニアスケール44から一連の光
信号を順次検出して一連の検出信号(パルス)として描
画テーブル制御回路40に対して出力する。描画テーブ
ル制御回路40では、そこに入力された一連の検出信号
が適宜処理され、その検出信号に基づいて一連の制御ク
ロックパルスが作成される。描画テーブル制御回路40
からは一連の制御クロックパルスが駆動回路38に対し
て出力され、駆動回路38ではその一連の制御クロック
パルスに従って駆動モータ36に対する駆動パルスが作
成される。要するに、リニアスケール44の精度に応じ
た正確さで描画テーブル16をX軸方向に沿って移動さ
せることができる。なお、このような描画テーブル16
の移動制御自体は周知のものである。
While the drawing table 16 is moving, the drawing table position detection sensor 42 sequentially detects a series of optical signals from the linear scale 44 and outputs them to the drawing table control circuit 40 as a series of detection signals (pulses). The drawing table control circuit 40 appropriately processes the series of detection signals input thereto, and creates a series of control clock pulses based on the detection signals. Drawing table control circuit 40
Outputs a series of control clock pulses to the drive circuit 38, and the drive circuit 38 creates drive pulses for the drive motor 36 in accordance with the series of control clock pulses. In short, the drawing table 16 can be moved along the X-axis direction with accuracy according to the accuracy of the linear scale 44. Note that such a drawing table 16
The movement control itself is well known.

【0074】図7に示すように、描画テーブル制御回路
40はシステムコントロール回路34に接続され、これ
により描画テーブル制御回路40はシステムコントロー
ル回路34の制御下で行われる。一方、描画テーブル位
置検出センサ42から出力される一連の検出信号は描画
テーブル制御回路40を介してシステムコントロール回
路34にも入力され、これによりシステムコントロール
回路34では描画テーブル16のX軸に沿う移動位置を
常に監視することができる。
As shown in FIG. 7, the drawing table control circuit 40 is connected to the system control circuit 34, whereby the drawing table control circuit 40 is controlled by the system control circuit 34. On the other hand, a series of detection signals output from the drawing table position detection sensor 42 is also input to the system control circuit 34 via the drawing table control circuit 40, whereby the system control circuit 34 moves the drawing table 16 along the X axis. The position can be constantly monitored.

【0075】システムコントロール回路34はLAN
(Local Area Network)を介してCADステーション或
いはCAMステーションに接続され、CADステーショ
ン或いはCAMステーションからはそこで作成処理され
た回路パターンのベクタデータがシステムコントロール
回路34に転送される。システムコントロール回路34
にはデータ格納手段としてハードディスク装置46が接
続され、CADステーション或いはCAMステーション
から回路パターンのベクタデータがシステムコントロー
ル回路34に転送されると、システムコントロール回路
34は回路パターンのベクタデータを一旦ハードディス
ク装置46に書込んで格納する。また、システムコント
ロール回路34には外部入力装置としてキーボード48
が接続され、このキーボード48を介して種々の指令信
号や種々のデータ等がシステムコントロール回路34に
入力される。
The system control circuit 34 is a LAN
It is connected to a CAD station or a CAM station via (Local Area Network), and the vector data of the circuit pattern created there is transferred to the system control circuit 34 from the CAD station or the CAM station. System control circuit 34
A hard disk device 46 is connected as a data storage means to the HDD, and when the vector data of the circuit pattern is transferred from the CAD station or the CAM station to the system control circuit 34, the system control circuit 34 once outputs the vector data of the circuit pattern to the hard disk device 46. Write to and store. The system control circuit 34 has a keyboard 48 as an external input device.
Are connected, and various command signals, various data, and the like are input to the system control circuit 34 via the keyboard 48.

【0076】ラスタ変換回路50はシステムコントロー
ル回路34の制御下で動作させられる。描画処理に先立
って、ハードディスク装置46から描画すべき回路パタ
ーンのベクタデータが読み出されてラスタ変換回路50
に出力され、ここでラスタデータに変換される。このラ
スタデータはビットマップメモリ52に書込まれる。要
するに、ビットマップメモリ52には回路パターンを’
0’、’1’で表したビットデータが格納される。ラス
タ変換回路50でのデータ変換処理およびビットマップ
メモリ52へのデータ書込み処理についてはキーボード
48を介して入力される指令信号により開始される。
The raster conversion circuit 50 is operated under the control of the system control circuit 34. Prior to the drawing process, the vector data of the circuit pattern to be drawn is read from the hard disk drive 46 and the raster conversion circuit 50 is read.
And is converted into raster data here. This raster data is written in the bitmap memory 52. In short, the circuit pattern is stored in the bitmap memory 52.
Bit data represented by 0'and '1' is stored. The data conversion processing in the raster conversion circuit 50 and the data writing processing in the bitmap memory 52 are started by a command signal input via the keyboard 48.

【0077】ビットマップメモリ52には、15個の露
光データ生成回路5401〜5415(図7では4つの露光
データ生成回路5401、5402、5403および5415
みを示す)が接続される。15個の露光データ回路54
01〜5415はそれぞれ15個の露光ユニット2001〜2
15に対応しており、ビットマップメモリ52から必要
なラスタデータを読み出し、各露光ユニットに与えるべ
き露光データを生成してDMD駆動回路56に出力す
る。
Fifteen exposure data generation circuits 54 01 to 54 15 (only four exposure data generation circuits 54 01 , 54 02 , 54 03 and 54 15 are shown in FIG. 7) are connected to the bitmap memory 52. It 15 exposure data circuits 54
01 to 54 15 are 15 exposure units 20 01 to 2 respectively
It corresponds to 0 15 and reads necessary raster data from the bit map memory 52 to generate exposure data to be given to each exposure unit and output it to the DMD drive circuit 56.

【0078】露光データは露光ユニット2001〜2015
に含まれる個々のマイクロミラーを露光位置または非露
光位置に位置決めさせるためのビットデータであり、露
光データが’1’のときマイクロミラーが露光位置に定
められ、露光データが’0’のときマイクロミラーが非
露光位置に定められる。露光データは露光ユニット20
01〜2015による露光作動が繰り返される度毎に書き換
えられる。
[0078] exposure data exposure unit 20 01-20 15
Is bit data for positioning the individual micromirrors included in the exposure position or the non-exposure position. When the exposure data is '1', the micromirror is set to the exposure position, and when the exposure data is '0', the micromirror is set. The mirror is set in the non-exposure position. The exposure data is the exposure unit 20.
It is rewritten each time the exposure operation from 01 to 20 15 is repeated.

【0079】DMD駆動回路56は、与えられた露光デ
ータに基づいて露光ユニット2001〜2015をそれぞれ
独立して作動し、これにより各露光ユニット2001〜2
15の個々のマイクロミラーは選択的に露光作動を行う
ことになる。
[0079] DMD drive circuit 56, based on a given exposure data operates the exposure unit 20 01-20 15 independently, thereby the exposure unit 20 01-2
0 15 individual micromirrors will selectively perform the exposure operation.

【0080】なお、図7では、個々のマイクロミラーの
露光作動が破線矢印で象徴的に図示されている。また、
図7では図の複雑化を避けるために露光ユニットは1つ
しか示されていないが、実際には15個(2001〜20
15)存在し、DMD駆動回路56によってそれぞれ駆動
されることは言うまでもない。
In FIG. 7, the exposure operation of the individual micromirrors is symbolically illustrated by broken line arrows. Also,
Although only one exposure unit is shown in FIG. 7 in order to avoid complication of the drawing, actually 15 exposure units (20 01 to 20
15 ) Needless to say, they exist and are each driven by the DMD drive circuit 56.

【0081】図8には、ビットマップメモリ52上に展
開された回路パターンのラスタデータの一部分が模式的
に示されている。同図に示すライン番号Lは描画面32
上に描画されるべき回路パターンのY軸に沿う描画ライ
ン番号に対応し、各ラインには1280×15個のビッ
トデータが含まれる。同図に示すように、個々のビット
データは“B”で示され、この“B”には描画されるべ
き回路パターンに従って“1”か“0”のうちのいずれ
かの値が与えられる。
FIG. 8 schematically shows a part of the raster data of the circuit pattern developed on the bit map memory 52. The line number L shown in FIG.
Corresponding to the drawing line number along the Y-axis of the circuit pattern to be drawn above, each line contains 1280 × 15 bit data. As shown in the figure, each bit data is represented by "B", and "B" is given a value of "1" or "0" according to the circuit pattern to be drawn.

【0082】本発明によれば、回路パターンデータ(ラ
スタデータ)の画素サイズ、即ち個々のビットデータ
“B”のサイズについてはその回路パターンの設計段階
で種々の大きさを与えることが可能である。例えば、ビ
ットデータ“B”のサイズが10μm×10μmであれ
ば、描画面32上に描かれるべき描画ラインの幅も10
μmとなり、ビットデータ“B”のサイズが20μm×
20μmであれば、描画ラインの幅も20μmとなり、
ビットデータ“B”のサイズが30μm×30μmであ
れば、描画ラインの幅も30μmとなる。
According to the present invention, the pixel size of the circuit pattern data (raster data), that is, the size of each bit data "B" can be given various sizes at the design stage of the circuit pattern. . For example, if the size of the bit data “B” is 10 μm × 10 μm, the width of the drawing line to be drawn on the drawing surface 32 is also 10
The size of bit data “B” is 20 μm ×
If it is 20 μm, the width of the drawing line is also 20 μm,
If the size of the bit data “B” is 30 μm × 30 μm, the width of the drawing line is also 30 μm.

【0083】図8に示すように、各ラインに含まれる1
280×15個のビットデータは第1番目ないし第15
番目のグループに分けられる。図3および図4に示すよ
うに描画面32がX軸に平行な方向に移動する場合、第
1露光ユニット2001によって描かれるべき回路パター
ンに必要なデータは左端から1280ビット分のラスタ
データである。一方、図5に示すように描画面32がX
軸に対して傾斜して相対移動する場合には、露光領域U
01がY軸に沿ってシフトするため露光データの生成に
は1280ビット以上のラスタデータが必要である。
As shown in FIG. 8, 1 included in each line
280 × 15 bit data is the first to fifteenth
Divided into the second group. If the drawing surface 32 as shown in FIGS. 3 and 4 are moved in a direction parallel to the X-axis, the data necessary for the circuit pattern to be drawn by the first exposure unit 20 01 in the raster data of 1280 bits from the left end is there. On the other hand, as shown in FIG.
When tilting relative to the axis and moving relatively, the exposure area U
Since a 01 shifts along the Y axis, raster data of 1280 bits or more is required to generate exposure data.

【0084】そこで本実施形態においては、第1露光デ
ータ生成回路5401は、ビットマップメモリ52から、
先頭(図中左端)から(1280+β)ビット分のラス
タデータを読み出しており、読み出された第1番目のグ
ループのラスタデータからY軸方向に並ぶ1280個の
マイクロミラーに与えるべき1280ビット分のラスタ
データを選択して露光データとして出力する。
Therefore, in the present embodiment, the first exposure data generation circuit 54 01
Raster data of (1280 + β) bits is read from the head (the left end in the figure), and 1280 bits to be given to 1280 micromirrors arranged in the Y-axis direction from the read raster data of the first group. Raster data is selected and output as exposure data.

【0085】第2露光データ生成回路5402は、ビット
マップメモリ52から、左端から1281番目から25
60番目までの1280ビット分のラスタデータを含
み、その前後βビット分だけ多い(1280+2β)ビ
ット分のラスタデータを第2番目のグループとして読み
出し、第2露光ユニット2002に与えるべき露光データ
を生成する。第3〜第14露光データ生成回路5403
5414についても、第2露光データ生成回路5402と同
様に(1280+2β)ビット分のラスタデータを読み
出して露光データを生成する。第15露光データ生成回
路5415は、最後(図中右端)の(1280+β)ビッ
ト分のラスタデータを読み出して露光データを生成す
る。
The second exposure data generating circuit 54 02 reads from the bit map memory 52 from the 1281th to the 25th from the left end.
Raster data up to the 60th, which includes 1280 bits of raster data, and (1280 + 2β) bits of raster data, which is larger by β bits before and after that, is read as the second group, and exposure data to be given to the second exposure unit 20002 is generated. To do. Third to Fourteenth Exposure Data Generation Circuit 54 03-
Also for 54 14 , similarly to the second exposure data generation circuit 54 02 , raster data for (1280 + 2β) bits is read to generate exposure data. 15 exposure data generating circuit 54 15, the last generates a read exposure data (1280 + beta) bits of raster data (right end in the drawing).

【0086】なお、ビット数βはシステムコントロール
回路34において予め設定された定数であり、Y軸に沿
う第1露光ユニットの相対移動量に相当するビット数よ
り大きい正の数、例えば数十程度が好ましい。また、各
グループのラスタデータの数を全て等しくする必要は無
く、個々のグループについて任意に変更しても良い。
The number of bits β is a constant set in the system control circuit 34, and is a positive number larger than the number of bits corresponding to the relative movement amount of the first exposure unit along the Y axis, for example, about several tens. preferable. Further, it is not necessary to make all the numbers of raster data of each group equal, and it is possible to arbitrarily change each group.

【0087】各グループの個々のビットデータ“B”に
対しては、図9に模式的に示すようなアドレスデータ
[Lx,Ry]が与えられる。アドレスデータ成分Lx
ライン番号L(図8)を示し、アドレスデータ成分Ry
は各グループの最上ビットからの数えて何ビット目に当
たるかを表す。例えば、アドレスデータ[00000
1,0001]は各グループのライン番号1の最上位ビ
ットのビットデータ“B”を表し、アドレスデータ[0
00003,0001]は各グループのライン番号3の
最上位ビットのビットデータ“B”を表し、またアドレ
スデータ[000001,1278]は各グループのラ
イン番号1の最上位ビットから数えて1278番目のビ
ットデータ“B”を表し、アドレスデータ[00000
3,1278]は各グループのライン番号3の最上位ビ
ットから数えて1278番目のビットデータ“B”を表
し、更にアドレスデータ[000001,1280]は
各グループのライン番号1の最下位ビットのビットデー
タ“B”を表し、アドレスデータ[000003,12
80]は各グループのライン番号3の最下位ビットのビ
ットデータ“B”を表す。
Address data [L x , R y ] as schematically shown in FIG. 9 is given to the individual bit data “B” of each group. The address data component L x indicates the line number L (FIG. 8), and the address data component R y
Represents the number of bits counted from the most significant bit of each group. For example, address data [00000
1, 0001] represents the bit data “B” of the most significant bit of the line number 1 of each group, and the address data [0
[00003, 0001] represents the bit data "B" of the most significant bit of the line number 3 of each group, and the address data [000001, 1278] is the 1278th bit counted from the most significant bit of the line number 1 of each group. Represents data “B” and represents address data [00000
3, 1278] represents the 1278th bit data “B” counted from the most significant bit of the line number 3 of each group, and the address data [000001, 1280] is the least significant bit of the line number 1 of each group. Represents data “B” and represents address data [000003,12
80] represents the bit data “B” of the least significant bit of the line number 3 of each group.

【0088】ここで、第1露光ユニット2001の個々の
マイクロミラーM(m,n)と各露光位置でのビットデ
ータ“B”との関係について説明する。他の露光ユニッ
ト2002〜2015については、第1露光ユニット2001
と同様であるため、ここでは説明を省略する。
The relationship between the individual micromirrors M (m, n) of the first exposure unit 20001 and the bit data "B" at each exposure position will be described. Regarding the other exposure units 20 02 to 20 15 , the first exposure unit 20 01
Therefore, the description is omitted here.

【0089】露光ユニット2001が露光開始位置即ち第
1回目露光位置からX軸方向に距離(A+a)ずつ順次
移動させられて第i回目露光位置まで到達したとする
と、そのときの露光ユニット2001の相対位置、具体的
には第1ラインの先頭のマイクロミラーM(1,1)に
対応する露光点CN(1,1)のXY座標Xs(i)お
よびYs(i)は、露光位置データ(第1座標データ)
と定義され、以下の(1)式および(2)式のように表
される。
When the exposure unit 20001 is sequentially moved in the X-axis direction by a distance (A + a) from the exposure start position, that is, the first exposure position, and reaches the i-th exposure position, the exposure unit 20001 at that time. Relative position, specifically, the XY coordinates Xs (i) and Ys (i) of the exposure point CN (1,1) corresponding to the first micromirror M (1,1) of the first line are the exposure position data. (First coordinate data)
Is defined as follows, and is expressed by the following equations (1) and (2).

【0090】 Xs(i)=(A+a)(i−1) ・・・(1) Ys(i)=−b(i−1) ・・・(2) ここで、“i”は露光回数である。[0090] Xs (i) = (A + a) (i-1) (1) Ys (i) =-b (i-1) (2) Here, “i” is the number of exposures.

【0091】露光位置データXs(i)およびYs
(i)は、露光作動毎、即ち露光ユニット2001の相対
移動が行われる毎に、システムコントロール回路34に
よって逐次算出される。露光開始位置における露光位置
データXs(0)およびYs(0)は共に0の値をと
る。
Exposure position data Xs (i) and Ys
(I) is sequentially calculated by the system control circuit 34 each time the exposure operation is performed, that is, each time the relative movement of the exposure unit 20001 is performed. The exposure position data Xs (0) and Ys (0) at the exposure start position both have a value of zero.

【0092】続いて、第1露光ユニット2001における
任意のマイクロミラーM(m,n)(1≦m≦102
4,1≦n≦1280)の相対位置を特定するために、
第1ラインの先頭のマイクロミラーM(1,1)に対応
する露光点CN(1,1)を原点としX軸およびY軸に
平行な2軸を有する2次元座標系を設定し、この2次元
座標系における露光点CN(m,n)の相対座標Xp
(m,n)およびYp(m,n)を露光点座標データ
(第2座標データ)と定義する。即ち、第mラインのn
番目のマイクロミラーM(m,n)は、第1ラインの1
番目のマイクロミラーM(1,1)に対してX方向に距
離Xp(m,n)だけ離れかつY方向に距離Yp(m,
n)だけ離れた位置で、常に露光作動を行う。露光点座
標データXp(m,n)およびYp(m,n)は、次の
(3)式および(4)式のように表される。
Subsequently, an arbitrary micromirror M (m, n) ( 1≤m≤102 in the first exposure unit 20001.
4, 1 ≦ n ≦ 1280) to specify the relative position,
The exposure point CN (1,1) corresponding to the first micromirror M (1,1) of the first line is set as the origin, and a two-dimensional coordinate system having two axes parallel to the X axis and the Y axis is set. Relative coordinates Xp of exposure point CN (m, n) in the three-dimensional coordinate system
(M, n) and Yp (m, n) are defined as exposure point coordinate data (second coordinate data). That is, n of the m-th line
The th micromirror M (m, n) is 1 in the first line.
The second micromirror M (1,1) is separated by a distance Xp (m, n) in the X direction and a distance Yp (m, n in the Y direction.
The exposure operation is always performed at a position separated by n). The exposure point coordinate data Xp (m, n) and Yp (m, n) are represented by the following equations (3) and (4).

【0093】 Xp(m,n)=(m−1)C ・・・(3) Yp(m,n)=(n−1)C−b(m−1)・・・(4) ここで、Cは単位露光領域U(m,n)のサイズであ
り、bは露光点CN(m,n)がX軸方向に(A+a)
だけ相対移動した際のY方向の移動量である。
Xp (m, n) = (m-1) C ... (3) Yp (m, n) = (n-1) Cb (m-1) ... (4) where , C is the size of the unit exposure area U (m, n), and b is the exposure point CN (m, n) in the X-axis direction (A + a).
Is the amount of movement in the Y direction when the relative movement is made only.

【0094】露光点座標データXp(m,n)およびY
p(m,n)は1280個のそれぞれのマイクロミラー
に対応する固有値であり、距離bが定まった時点でシス
テムコントロール回路34によって算出されてRAM内
に格納されており、描画面32全体の描画が行われる毎
に見直され、必要に応じて更新される。
Exposure point coordinate data Xp (m, n) and Y
p (m, n) is an eigenvalue corresponding to each of the 1280 micromirrors, is calculated by the system control circuit 34 when the distance b is determined, and is stored in the RAM. Will be reviewed and updated as needed.

【0095】第1露光ユニット2001が露光開始位置か
ら第i回目露光位置まで到達したとき、マイクロミラー
M(m,n)の相対位置座標データ即ち露光点CN
(m,n)のXY座標P[x(m,n),y(m,
n)]は、以下の(5)式および(6)式で示すよう
に、露光位置データと露光点座標データとの和で表すこ
とができる。
[0095] When the first exposure unit 20 01 reaches from the exposure start position to the i-th exposure position, the micro mirror M (m, n) of the relative position coordinate data words exposure point CN
XY coordinates P [x (m, n), y (m, n) of (m, n)
[n]] can be represented by the sum of the exposure position data and the exposure point coordinate data, as shown in the following equations (5) and (6).

【0096】 x(m,n)=Xs(i)+Xp(m,n) ・・・(5) y(m,n)=Ys(i)+Yp(m,n) ・・・(6)[0096]       x (m, n) = Xs (i) + Xp (m, n) (5)       y (m, n) = Ys (i) + Yp (m, n) (6)

【0097】第i回目露光位置において、任意のマイク
ロミラーM(m,n)に対応する露光点CN(m,n)
が或る一画素領域内に含まれるとき、その一画素領域に
対応するビットデータ“B”のアドレス[Lx,Ry]は
上述の2つの(5)式および(6)式の演算結果を用い
て以下の式で表せる。
At the i-th exposure position, the exposure point CN (m, n) corresponding to an arbitrary micromirror M (m, n).
Is included in a certain one-pixel area, the address [L x , R y ] of the bit data “B” corresponding to that one-pixel area is the calculation result of the above two equations (5) and (6). Can be expressed by the following formula.

【0098】 Lx=INT[x(m,n)/PS]+1 ・・・(7) Ry=INT[y(m,n)/PS]+1 ・・・(8) ここで、一般的に、除算e/fが行われるとき、演算子
INT[e/f]は除算e/fの商を表し、0≦e<f
のとき、INT[e/f]=0として定義される。ま
た、“PS”はビットデータ“B”のサイズを表す。
L x = INT [x (m, n) / PS] +1 (7) R y = INT [y (m, n) / PS] +1 (8) Here, in general, In addition, when the division e / f is performed, the operator INT [e / f] represents the quotient of the division e / f, and 0 ≦ e <f
, INT [e / f] = 0 is defined. Further, "PS" represents the size of the bit data "B".

【0099】かくして、第i回目露光位置では、XY座
標P[x(m,n),y(m,n)]に対応したマイク
ロミラーM(m,n)を動作させるための露光データと
して、上述の(7)式および(8)式の演算結果によっ
て決まるアドレス[Lx,Ry]のビットデータ“B”が
ビットマップメモリ52から読み出される。
Thus, at the i-th exposure position, as exposure data for operating the micromirror M (m, n) corresponding to the XY coordinates P [x (m, n), y (m, n)], The bit data “B” of the address [L x , R y ] determined by the calculation results of the above equations (7) and (8) is read from the bitmap memory 52.

【0100】上述のXY座標P[x(m,n),y
(m,n)]のX成分が負の値、即ちx(m,n)<0
であった場合には、露光点CN(m,n)が未だ描画面
32上の描画領域に進入していないとみなされ、マイク
ロミラーM(m,n)はダミーデータ“0”に従って動
作させられる。また、XY座標P[x(m,n),y
(m,n)]のY成分が負の値、即ちy(m,n)<0
であった場合には、露光点CN(m,n)が描画領域の
Y軸に沿う負側の境界線を越えるとみなされ、この場合
にもマイクロミラーM(m,n)はダミーデータ“0”
に従って動作させられる。
The above-mentioned XY coordinates P [x (m, n), y
(M, n)] has a negative X component, that is, x (m, n) <0
If it is, it is considered that the exposure point CN (m, n) has not yet entered the drawing area on the drawing surface 32, and the micromirror M (m, n) is operated according to the dummy data “0”. To be Also, the XY coordinate P [x (m, n), y
Y component of (m, n)] is a negative value, that is, y (m, n) <0
If it is, it is considered that the exposure point CN (m, n) crosses the negative side boundary line along the Y axis of the drawing area, and in this case also, the micromirror M (m, n) has dummy data “ 0 "
Operated according to.

【0101】以上のように、本実施形態の多重露光描画
装置10においては、露光ユニット2001〜2015を第
1方向であるY方向に配列させ、個々の露光ユニット2
01〜2015によりY方向に分割された描画領域を多重
露光により部分的な回路パターンを描画させており、第
2方向であるX方向に関して1回分の露光領域(全面露
光領域U01、・・、U15)のサイズより相対的に短い距
離を移動させつつ露光作動を行っている。具体的には、
所定距離の移動の度に、15個の露光ユニット2001
2015に含まれる1280×1024個のマイクロミラ
ーM(m,n)の相対位置座標、即ち露光点CN(m,
n)のXY座標P[x(m,n),y(m,n)]を算
出し、このXY座標Pに対応するビットデータに基づい
てマイクロミラーM(m,n)を露光位置または非露光
位置に位置決めすることにより露光を行っている被描画
体上に回路パターンの全体を描画している。
[0102] As described above, in the multi-exposure drawing device 10 of the present embodiment, the exposure unit 20 01-20 15 are arranged in the Y-direction is a first direction, each of the exposure unit 2
A partial circuit pattern is drawn by multiple exposure in a drawing area divided in the Y direction by 0 01 to 20 15 , and an exposure area for one time (entire exposure area U 01 , ...・, Exposure operation is performed while moving a distance relatively shorter than the size of U 15 ). In particular,
15 exposure units 20001 to
20 15 relative position coordinates of the 1280 × 1024 micromirrors M (m, n), that is, the exposure points CN (m, n
n) XY coordinates P [x (m, n), y (m, n)] are calculated, and the micromirror M (m, n) is exposed or not exposed based on the bit data corresponding to the XY coordinates P. By positioning at the exposure position, the entire circuit pattern is drawn on the object to be exposed.

【0102】ここで、注目すべき本実施形態の特徴とし
て、個々の露光ユニット2001〜2015により露光され
る帯状領域即ち部分パターン(図3参照)が一部重ね合
わされてY方向に繋ぎ合わされることにより回路パター
ンの全体が得られる点が挙げられる。隣接する2つの帯
状領域の境界部では、露光ユニットの個体差、具体的に
は結像光学系の光学特性が僅かに違なることや、また露
光ユニットの取付位置の微小ずれに起因して、Y方向に
おいて回路パターンの連続性または一体性が損なわれ
る。そこで、本実施形態では隣り合う2つの帯状領域を
一部重ねあわせ、かつX方向およびY方向の双方におい
て両露光ユニットの作動させるべきマイクロミラーの数
を遷移させることにより、連続性かつ一体性が損なわれ
ることのない描画回路パターンを得ている。
[0102] Here, as a feature of the present embodiment should be noted (see Figure 3) band region or the partial pattern is exposed by the individual exposure units 20 01 to 20 15 are spliced superimposed portion in the Y-direction It is possible to obtain the whole circuit pattern by doing so. At the boundary between two adjacent strip-shaped areas, due to individual differences of the exposure units, specifically, slight differences in the optical characteristics of the imaging optical system, and minute deviations in the mounting positions of the exposure units, The continuity or integrity of the circuit pattern is impaired in the Y direction. Therefore, in this embodiment, two adjacent strip-shaped regions are partially overlapped and the number of micromirrors to be operated in both exposure units is changed in both the X direction and the Y direction, so that continuity and unity can be achieved. A drawing circuit pattern that is not damaged is obtained.

【0103】図10を参照して、帯状領域(部分パター
ン)の重ね合わせについて詳述する。図10は第1、第
2および第3露光ユニット2001、2002および2003
に対応する全面露光領域Ua01、Ua02およびUa
03と、各露光ユニット2001、2002および2003によ
って多重露光される帯状領域Ra01、Ra02およびRa
03との関係を示す模式図である。説明を簡単にするため
に、ここでは描画面32をX軸に平行に移動させた場合
(図3)について説明する。
With reference to FIG. 10, the superposition of the strip-shaped regions (partial patterns) will be described in detail. FIG. 10 shows the first, second and third exposure units 20001 , 2002 and 2003.
Exposure areas Ua 01 , Ua 02 and Ua corresponding to
03 and strip-shaped regions Ra 01 , Ra 02, and Ra that are multiple-exposed by the exposure units 20001 , 2002, and 2003 .
It is a schematic diagram which shows the relationship with 03 . In order to simplify the description, a case where the drawing surface 32 is moved parallel to the X axis (FIG. 3) will be described here.

【0104】第1露光ユニット2001は、描画面32に
おける全面露光領域Ua01と同一幅である帯状領域を多
重露光により描画する。この帯状領域を第1帯状領域R
01(右上がりのハッチングで示される)と定義し、そ
のY方向長さを露光幅D1と定義する。この第1帯状領
域Ra01に描かれる回路パターンは、そのY方向長さが
回路パターン全体のY方向長さの約1/15に相当す
る。同様に、第2露光ユニット2002によって多重露光
される露光幅D1の領域を第2帯状領域Ra02(右下が
りのハッチングで示される)、第3露光ユニット2003
によって多重露光される露光幅D1の領域を第3帯状領
域Ra03と定義する。
[0104] The first exposure unit 20 01 is drawn by multiple exposure to band-like region is the same width and the entire exposure area Ua 01 in the drawing plane 32. This strip-shaped region is referred to as a first strip-shaped region R.
It is defined as a 01 (indicated by hatching that rises to the right), and its Y-direction length is defined as the exposure width D1. The Y-direction length of the circuit pattern drawn in the first strip-shaped region Ra 01 corresponds to about 1/15 of the Y-direction length of the entire circuit pattern. Similarly, the area of the exposure width D1 which is subjected to multiple exposure by the second exposure unit 20 02 is defined as the second strip area Ra 02 (indicated by hatching in the lower right direction) and the third exposure unit 20 03.
The area of the exposure width D1 that is subjected to multiple exposure by is defined as the third strip-shaped area Ra 03 .

【0105】隣り合う2つの帯状領域、例えば第1帯状
領域Ra01と第2帯状領域Ra02とは互いに一部が重な
っており、その重複する領域を第1境界領域Rb01と定
義し、そのY方向長さを境界幅D2と定義する。この境
界幅D2は露光幅D1の5〜10%である。第1境界領
域Rb01は第1露光ユニット2001および第2露光ユニ
ット2002の双方によって多重露光される。
Two adjacent strip-shaped regions, for example, the first strip-shaped region Ra 01 and the second strip-shaped region Ra 02 partially overlap each other, and the overlapping region is defined as the first boundary region Rb 01. The length in the Y direction is defined as the boundary width D2. The boundary width D2 is 5 to 10% of the exposure width D1. The first boundary region Rb 01 is subjected to multiple exposure by both the first exposure unit 20 01 and the second exposure unit 20 02 .

【0106】第1露光ユニット2001の1回の露光作動
によって露光可能な領域は太実線で囲まれる長方形の全
面露光領域Ua01であるが、破線のハッチングで示され
る第2露光ユニット2002側(図中上方側)縁辺の三角
形領域Ud01は露光されない。即ち、第1露光ユニット
2001において三角形領域Ud01に対応するマイクロミ
ラーは非露光位置に留められて、ラスタデータに応じて
作動することはない。一方、第2露光ユニット2001
おいて、全面露光領域Ua02の第1露光ユニット2001
側(図中下方側)縁辺の三角形領域Uc02に対応するマ
イクロミラーも非露光位置で停止させられて実質的に作
動しない。
[0106] Although one region exposable by the exposure operation of the first exposure unit 20 01 is entirely exposed area Ua 01 rectangular enclosed by heavy solid line, the second exposure unit 20 02 side shown by dashed hatching (Upper side in the figure) The triangular area Ud 01 on the edge is not exposed. That is, the micro mirror corresponding to the triangular region Ud 01 in the first exposure unit 20 01 is fastened to the non-exposure position, it does not operate in accordance with the raster data. On the other hand, in the second exposure unit 20 01, the first exposure unit entire exposure area Ua 02 20 01
The micromirror corresponding to the triangular area Uc 02 on the side (the lower side in the drawing) is also stopped at the non-exposure position and does not substantially operate.

【0107】従って、第1境界領域Rb01の露光に使用
される第1露光ユニット2001のマイクロミラーの数は
X軸に沿って負の方向(図の左方)に向かって一定の割
合で徐々に減少する一方、第1境界領域Rb01の露光に
使用される第2露光ユニット2002のマイクロミラーの
数はX軸に沿って負方向に向かって一定の割合で徐々に
増加する。Y方向に関しても同様に、第1境界領域Rb
01の露光に使用される第1露光ユニット2001のマイク
ロミラーの数は、Y軸に沿って正方向(図の上方)に向
かって1024個全部から一定の割合で徐々に減って最
終的には0個に至る一方、第1境界領域Rb01の露光に
使用される第2露光ユニット2002のマイクロミラーの
数はY軸に沿って正方向に0個から一定の割合で徐々に
増加して、最終的には1024個に至る。
Therefore, the number of micromirrors of the first exposure unit 20 01 used for the exposure of the first boundary region Rb 01 is constant along the X-axis in the negative direction (left in the figure). While gradually decreasing, the number of micromirrors of the second exposure unit 2002 used for exposing the first boundary region Rb 01 gradually increases in the negative direction along the X axis at a constant rate. Similarly for the Y direction, the first boundary region Rb
The number of micromirrors of the first exposure unit 20 01 that is used to expose the 01 along the Y-axis positive direction gradually and finally decreases at a constant rate of 1024 total toward (upward in the figure) While the number of micromirrors of the second exposure unit 2002 used for exposing the first boundary region Rb 01 gradually increases from 0 in the positive direction along the Y axis at a constant rate. In the end, it reaches 1024.

【0108】このように、2つの露光ユニット2001
2002において作動するマイクロミラーの数がY軸の正
方向に沿って一方(第1露光ユニット2001)が徐々に
減ると共に他方(第2露光ユニット2002)が増加する
ので、Y軸の正方向に進むに連れて第1露光ユニット2
01の影響が徐々に小さくなると共に第2露光ユニット
2002の影響が徐々に大きくなる。従って、2つの露光
ユニット2001、20 02の光学特性の違いや取付位置の
微小ずれに起因する明確な筋の発生が防止され、かつY
方向において第1帯状領域Ra01から第2帯状領域Ra
02へ到る回路パターンが連続的かつ一体的に繋ぎ合わさ
れる。
Thus, the two exposure units 2001,
2002The number of micromirrors operating in
One along the direction (first exposure unit 2001) Is gradually
Decrease and the other (second exposure unit 2002) Increases
Therefore, as it moves in the positive direction of the Y-axis, the first exposure unit 2
001Second exposure unit
2002The effect of gradually increases. Therefore, two exposures
Unit 2001, 20 02Of the optical characteristics of the
The generation of clear muscles due to minute deviations is prevented, and Y
The first strip-shaped region Ra in the direction01To the second strip region Ra
02The circuit patterns leading to are connected continuously and integrally.
Be done.

【0109】第2露光ユニット2002により多重露光さ
れる第2帯状領域Ra02と、第3露光ユニット2003
より多重露光される第3帯状領域Ra03とについても同
様に、両者が重なる第2境界領域Rb02がぼかされるこ
とにより、第2および第3露光ユニット2002、2003
の光学特性の違いや取付位置の微小ずれに起因する明確
な筋の発生が防止され、回路パターンが連続的かつ一体
的に繋ぎ合わされる。
Similarly, for the second strip-shaped region Ra 02 that is multiple-exposed by the second exposure unit 20 02 and the third strip-shaped region Ra 03 that is multiple-exposed by the third exposure unit 20 03 , the second overlapping region Ra 02 is also overlapped. By blurring the boundary region Rb 02 , the second and third exposure units 20 02 , 200 3
It is possible to prevent the generation of clear streaks due to the difference in optical characteristics and the slight deviation of the mounting position, and the circuit patterns are continuously and integrally connected.

【0110】なお、Y方向に関して最も端部に位置する
第1露光ユニット2001の全面露光領域U01において、
図中下辺側を繋ぎ合わせる必要がないため上記三角形領
域は設けられない。反対側の端部に設けられる第15露
光ユニット2015の全面露光領域U15についても同様
に、描画領域の縁辺となるべき側には三角形領域は設け
られない。残りの露光ユニット2004〜2014について
は、第2および第3露光ユニット2002、2003と同様
の繋ぎ合わせを行う。
In the entire exposure area U 01 of the first exposure unit 20001 located at the end in the Y direction,
The triangular area is not provided because it is not necessary to connect the lower sides in the figure. Similarly, with respect to the entire surface exposure area U 15 of the fifteenth exposure unit 20 15 provided at the opposite end, no triangular area is provided on the side that should be the edge of the drawing area. The remaining exposure unit 20 04-20 14, the same joining the second and third exposure unit 20 02, 20 03.

【0111】図11を参照して、第2露光ユニット20
02において平行四辺形領域Ub02に対応するマイクロミ
ラーのみを作動させる手順について説明する。図11
(a)に示されるように、第2露光ユニット2002の各
マイクロミラーに対応する露光点は長方形の全面露光領
域U02内に分布しており、任意の露光点CN(m,n)
(1≦m≦1024,1≦n≦1280)の相対位置
は、露光点CN(1,1)を原点とする2次元座標、即
ち露光点座標データ[Xp(m,n),Yp(m,
n)]で表される。
Referring to FIG. 11, second exposure unit 20
Procedure to operate only micro mirrors corresponding to the parallelogram Ub 02 is described in 02. Figure 11
As (a), the exposure point corresponding to the micromirrors of the second exposure unit 20 02 is distributed in the overall exposure area U 02 rectangular, any exposure point CN (m, n)
The relative position of (1 ≦ m ≦ 1024, 1 ≦ n ≦ 1280) is two-dimensional coordinates with the exposure point CN (1,1) as the origin, that is, exposure point coordinate data [Xp (m, n), Yp (m ,
n)].

【0112】ここで、露光点座標データのY成分Yp
(m,n)に(9)式に示される所定値ydをそれぞれ
加算し、露光点CN(m,n)の座標変換を行う。この
座標変換により露光点の分布形状は長方形から図11
(b)に示すように平行四辺形に変形する。D2は境界
幅である。 yd(m,n)=(m/1024)×D2 ・・・(9)
Here, the Y component Yp of the exposure point coordinate data
The predetermined value yd shown in the equation (9) is added to (m, n), and the coordinate conversion of the exposure point CN (m, n) is performed. By this coordinate conversion, the distribution shape of the exposure points is changed from the rectangular shape to that shown in FIG.
It transforms into a parallelogram as shown in (b). D2 is the boundary width. yd (m, n) = (m / 1024) × D2 (9)

【0113】そして、Y成分の値{Yp(m,n)+y
d(m,n)}が境界幅D2以上であってかつ露光幅D
1以下の露光点を露光実行グループに定め、Y成分の値
が境界幅D2より小さいまたは露光幅D1より大きい露
光点を露光停止グループに定めることにより、2つのグ
ループに分ける。図11(c)では露光実行グループの
露光点を含む領域がハッチングで示される。図11
(c)には任意の露光点CN(m,n)が露光実行グル
ープに含まれている場合を示しており、このとき第2露
光ユニット2002において露光点CN(m,n)に対応
するマイクロミラー(M(m,n))が露光作動をすべ
きマイクロミラーに決定される。一方、露光停止グルー
プの露光点に対応するマイクロミラーにはダミーデータ
“0”が与えられ、このためこれらマイクロミラーは露
光作動を行わない。
Then, the value of the Y component {Yp (m, n) + y
d (m, n)} is the boundary width D2 or more and the exposure width D
The exposure points of 1 or less are defined in the exposure execution group, and the exposure points in which the value of the Y component is smaller than the boundary width D2 or larger than the exposure width D1 are defined in the exposure stop group to be divided into two groups. In FIG. 11C, the area including the exposure point of the exposure execution group is hatched. Figure 11
(C) shows a case where an arbitrary exposure point CN (m, n) is included in the exposure execution group, and at this time, it corresponds to the exposure point CN (m, n) in the second exposure unit 2002 . The micromirror (M (m, n)) is determined as the micromirror to be exposed. On the other hand, the dummy data "0" is given to the micromirrors corresponding to the exposure points of the exposure stop group, so that these micromirrors do not perform the exposure operation.

【0114】従って、図11(d)に示すように、露光
実行グループの露光点に対応するマイクロミラーの分布
形状(ハッチングで示す)、即ち描画面32上において
実際に露光される領域の形状は、右肩上がりに傾斜した
辺を有する平行四辺形となる。図11(d)においてハ
ッチング領域は、図10の平行四辺形領域Ub02に相当
する。このように、本実施形態においては露光点座標デ
ータ[Xp(m,n),Yp(m,n)]のみを用いて
作動させるべきマイクロミラーを決定している。なお、
第2露光ユニット2002においてはグループ分けするた
めのY座標の上限値をD1、下限値をD2としている
が、第1露光ユニット2001のようにY方向の最も負側
を露光する場合には上限値がD1かつ下限値が0とさ
れ、第15露光ユニット2001のようにY方向の最も正
側を露光する場合には上限値が(D1+D2)かつ下限
値がD2とされる。
Therefore, as shown in FIG. 11D, the distribution shape (indicated by hatching) of the micromirrors corresponding to the exposure points of the exposure execution group, that is, the shape of the area actually exposed on the drawing surface 32 is , It becomes a parallelogram with the side inclined upward to the right. The hatched area in FIG. 11D corresponds to the parallelogram area Ub 02 in FIG. As described above, in the present embodiment, only the exposure point coordinate data [Xp (m, n), Yp (m, n)] is used to determine the micromirror to be operated. In addition,
In the second exposure unit 2002 , the upper limit value of the Y coordinate for grouping is D1 and the lower limit value is D2. However, when exposing the most negative side in the Y direction like the first exposure unit 20001. The upper limit is D1 and the lower limit is 0. When the most positive side in the Y direction is exposed as in the fifteenth exposure unit 20001 , the upper limit is (D1 + D2) and the lower limit is D2.

【0115】図12は、図7に示す第1露光データ生成
回路5401の構成をさらに詳細に示すブロック図であ
る。なお、図12において残り14個の露光データ生成
回路5402〜5415は、第1露光データ生成回路5401
と同じ構成を有しており、ここでは説明を省略する。
FIG. 12 is a block diagram showing the structure of the first exposure data generation circuit 54 01 shown in FIG. 7 in more detail. In FIG. 12, the remaining 14 exposure data generation circuits 54 02 to 54 15 are the same as the first exposure data generation circuit 54 01.
It has the same configuration as the above, and the description thereof is omitted here.

【0116】第1露光データ生成回路5401は、第1露
光領域Ra01に回路パターンを描画するために、第1露
光領域Ra01を含みかつ第1露光領域Ra01よりも大き
い領域(以下、第1分割領域と記載する)に対応する回
路パターンのラスタデータ、即ち図8に示す第1番目の
グループのラスタデータをビットマップメモリ52から
読み出して、第1露光ユニット2001に与えるべき露光
データを生成する。
[0116] The first exposure data generating circuit 54 01 is to draw a circuit pattern on the first exposure area Ra 01, the first exposure area comprises Ra 01 and the first exposure area larger region than Ra 01 (hereinafter, The exposure data to be provided to the first exposure unit 20001 by reading the raster data of the circuit pattern corresponding to the first divided area), that is, the raster data of the first group shown in FIG. 8 from the bitmap memory 52. To generate.

【0117】詳述すると、第1露光データ生成回路54
01は分割領域チェック回路72および分割領域用メモリ
74を備え、分割領域チェック回路72には、システム
コントロール回路34により第1分割領域に相当するラ
スタデータのアドレスデータ(以下、分割領域データと
記載する)が与えられ、ビットマップメモリ52から順
に読み出されたラスタデータから第1分割領域に相当す
るラスタデータのみを抽出して、分割領域用メモリ74
に格納する。
More specifically, the first exposure data generation circuit 54
Reference numeral 01 includes a divided area check circuit 72 and a divided area memory 74. In the divided area check circuit 72, address data of raster data corresponding to the first divided area by the system control circuit 34 (hereinafter referred to as divided area data). ) Is given, only the raster data corresponding to the first divided area is extracted from the raster data sequentially read from the bitmap memory 52, and the divided area memory 74
To store.

【0118】第1露光データ生成回路5401には露光点
座標データメモリ76が設けられ、この露光点座標デー
タメモリ76には1024×1280のマトリクス状に
配列されたマイクロミラーM(m,n)に対応する露光
点座標データ[Xp(m,n),Yp(m,n)](1
≦m≦1024,1≦n≦1280)が格納される。こ
の露光点座標データ[Xp(m,n),Yp(m,
n)]は描画面32全体の描画が行われる毎に見直さ
れ、必要に応じてシステムコントロール回路34から与
えられ、更新される。
The first exposure data generation circuit 54 01 is provided with an exposure point coordinate data memory 76, and the exposure point coordinate data memory 76 has micromirrors M (m, n) arranged in a matrix of 1024 × 1280. Exposure point coordinate data [Xp (m, n), Yp (m, n)] (1
≦ m ≦ 1024, 1 ≦ n ≦ 1280) is stored. This exposure point coordinate data [Xp (m, n), Yp (m,
n)] is reviewed every time the entire drawing surface 32 is drawn, and given from the system control circuit 34 as needed and updated.

【0119】第1露光データ生成回路5401のカウンタ
82には、システムコントロール回路34から基本制御
クロックパルスCLK1および露光クロックパルスE_
CLKが入力され、その出力は露光点座標データメモリ
76および露光データメモリ92に入力される。
In the counter 82 of the first exposure data generation circuit 54 01 , the system control circuit 34 supplies the basic control clock pulse CLK1 and the exposure clock pulse E_.
CLK is input, and its output is input to the exposure point coordinate data memory 76 and the exposure data memory 92.

【0120】基本制御クロックパルスCLK1は、13
10720個の各マイクロミラーを順次作動させるタイ
ミングを制御するパルスであり、露光クロックパルスE
_CLKは露光開始タイミングを制御するパルスであ
る。露光クロックパルスE_CLKの周期はクロックパ
ルスCLK1の周期の1310720倍以上とされる。
The basic control clock pulse CLK1 is 13
The exposure clock pulse E is a pulse for controlling the timing of sequentially operating each of the 10720 micromirrors.
_CLK is a pulse that controls the exposure start timing. The cycle of the exposure clock pulse E_CLK is 1310720 times or more the cycle of the clock pulse CLK1.

【0121】カウンタ82は基本制御クロックパルスC
LK1のパルス数をカウントし、そのカウント値を出力
する。このカウント値は露光クロックパルスE_CLK
の入力毎に初期値0にリセットされる。従って、カウン
タ82からの出力は露光点座標データメモリ76または
露光データメモリ92から各マイクロミラーに与えるべ
きビットデータの読み出す順番を示すアドレスデータに
相当する。
The counter 82 uses the basic control clock pulse C
The number of LK1 pulses is counted and the count value is output. This count value is the exposure clock pulse E_CLK
Is reset to the initial value 0 each time. Therefore, the output from the counter 82 corresponds to the address data indicating the reading order of the bit data to be given to each micromirror from the exposure point coordinate data memory 76 or the exposure data memory 92.

【0122】また第1露光データ生成回路5401には露
光位置データメモリ86が設けられ、この露光位置デー
タメモリ86には露光作動毎に変化する第1露光ユニッ
ト2001の露光位置データ[Xs(i),Ys(i)]
(iは露光回数)が格納される。露光位置データ[Xs
(i),Ys(i)]は描画作動毎即ちパラメータiが
更新される毎にシステムコントロール回路34から与え
られ、更新される。
[0122] Also in the first exposure data generating circuit 54 01 is provided an exposure position data memory 86, the first exposure unit 20 01 of the exposure position data [Xs that changes for each of the exposure operation in the exposure position data memory 86 ( i), Ys (i)]
(I is the number of exposures) is stored. Exposure position data [Xs
(I), Ys (i)] is given from the system control circuit 34 and updated every drawing operation, that is, every time the parameter i is updated.

【0123】第1露光データ生成回路5401のカウンタ
84には、システムコントロール回路34から露光クロ
ックパルスE_CLKが入力されており、パルス数がカ
ウントされる。カウント値(i)は露光位置データメモ
リ86から露光位置データ[Xs(i),Ys(i)]
を読み出すアドレスデータとして露光位置データメモリ
86に出力される。
The exposure clock pulse E_CLK is input from the system control circuit 34 to the counter 84 of the first exposure data generation circuit 54 01 , and the number of pulses is counted. The count value (i) is the exposure position data [Xs (i), Ys (i)] from the exposure position data memory 86.
Is output to the exposure position data memory 86 as address data for reading.

【0124】露光点座標データメモリ76は、基本制御
クロックパルスCLK1に同期して作動し、アドレスデ
ータであるパラメータmおよびnの値が更新される毎に
傾斜処理回路78および加算器88に順次露光点座標デ
ータ[Xp(m,n),Yp(m,n)]を出力する。
露光位置データメモリ86は、露光クロックパルスE_
CLKに同期してアドレスデータであるパラメータiが
変更される毎に加算器88に露光位置データ[Xs
(i),Ys(i)]を出力する。
The exposure point coordinate data memory 76 operates in synchronization with the basic control clock pulse CLK1 and sequentially exposes the gradient processing circuit 78 and the adder 88 each time the values of the parameters m and n, which are address data, are updated. The point coordinate data [Xp (m, n), Yp (m, n)] is output.
The exposure position data memory 86 uses the exposure clock pulse E_
Each time the parameter i which is the address data is changed in synchronization with CLK, the exposure position data [Xs
(I), Ys (i)] is output.

【0125】傾斜処理回路78には、傾斜データ、即ち
個々の露光点座標データのY成分Yp(m,n)に加算
すべきyd(m,n)((9)式参照)がシステムコン
トロール回路34により与えられており、この傾斜デー
タyd(m,n)は露光点座標データメモリ76から順
次読み出された露光点座標データのY成分Yp(m,
n)に順次加算される。
In the gradient processing circuit 78, the gradient data, that is, yd (m, n) (see the equation (9)) to be added to the Y component Yp (m, n) of the individual exposure point coordinate data is the system control circuit. 34, the inclination data yd (m, n) is the Y component Yp (m, n of the exposure point coordinate data sequentially read from the exposure point coordinate data memory 76.
n) are sequentially added.

【0126】露光幅チェック回路80は、個々の露光点
座標データ[Xp(m,n),Yp(m,n)]のY成
分と傾斜データとの和{Yp(m,n)+yd(m,
n)}に基づいて露光点CN(m,n)を上述した露光
実行グループまたは露光停止グループに分けるための回
路であり、各グループを決定するための上限値(D1)
および下限値(0)は露光幅データとしてシステムコン
トロール回路34により与えられる。Y成分{Yp
(m,n)+yd(m,n)}が下限値と上限値の範囲
内にある場合には対応する露光点CN(m,n)を露光
実行グループに定めるべくデータ“1”が出力され、Y
成分が下限値と上限値の範囲外にある場合には対応する
露光点CN(m,n)を露光停止グループに定めるべく
データ“0”を出力する。
The exposure width check circuit 80 sums the Y component of each exposure point coordinate data [Xp (m, n), Yp (m, n)] and the tilt data {Yp (m, n) + yd (m). ,
n)} is a circuit for dividing the exposure point CN (m, n) into the exposure execution group or the exposure stop group described above, and the upper limit value (D1) for determining each group.
And the lower limit value (0) are given by the system control circuit 34 as exposure width data. Y component {Yp
When (m, n) + yd (m, n)} is within the range of the lower limit value and the upper limit value, data “1” is output to set the corresponding exposure point CN (m, n) to the exposure execution group. , Y
When the component is out of the range between the lower limit value and the upper limit value, data "0" is output to set the corresponding exposure point CN (m, n) to the exposure stop group.

【0127】加算器88には、個々の露光点座標データ
[Xp(m,n),Yp(m,n)]と現在の露光位置
データ[Xs(i),Ys(i)]とが入力されてお
り、露光幅チェック回路80の出力が“1”であった場
合には両者の和である相対位置座標データ[x(m,
n),y(m,n)]をピクセル処理回路90に出力
し、露光幅チェック回路80の出力が“0”であった場
合には“0”を出力する。露光位置データ[Xp(m,
n),Yp(m,n)]および露光点座標データ[Xs
(i),Ys(i)]はμm単位で表された値であるた
め、ピクセル処理回路90ではμm単位で表された相対
位置座標データ[x(m,n),y(m,n)]を描画
すべきラスタデータの画素サイズPSに基づいたデータ
に変換する。このデータが分割領域用メモリ74からラ
スタデータを読み出す際の読出しアドレスデータ
[Lx,Ry]となる。加算器88から出力された値が
“0”の場合には対応するアドレスがない、即ち露光点
CN(m,n)が露光停止グループに該当するとみなさ
れ、露光データメモリ92にはダミーデータ“0”が与
えられる。
The individual exposure point coordinate data [Xp (m, n), Yp (m, n)] and the current exposure position data [Xs (i), Ys (i)] are input to the adder 88. If the output of the exposure width check circuit 80 is "1", the relative position coordinate data [x (m,
n), y (m, n)] is output to the pixel processing circuit 90, and when the output of the exposure width check circuit 80 is “0”, “0” is output. Exposure position data [Xp (m,
n), Yp (m, n)] and exposure point coordinate data [Xs
(I), Ys (i)] is a value expressed in μm unit, so that the pixel processing circuit 90 displays relative position coordinate data [x (m, n), y (m, n) in μm unit. ] To data based on the pixel size PS of the raster data to be drawn. This data becomes read address data [L x , R y ] when reading raster data from the divided area memory 74. When the value output from the adder 88 is "0", there is no corresponding address, that is, it is considered that the exposure point CN (m, n) corresponds to the exposure stop group, and the exposure data memory 92 stores the dummy data " 0 ”is given.

【0128】分割領域用メモリ74から読み出されたラ
スタデータは、露光データメモリ92に一旦格納され、
カウンタ82からの出力、即ち各マイクロミラーに与え
るべきビットデータの読み出す順番を示すアドレスデー
タに基づいて露光データとして読み出され、DMD駆動
回路56に出力される。なお、回路パターンの座標変換
を行う際には、システムコントロール回路34において
露光点座標データ[Xs(i),Ys(i)]または露
光位置座標データ[Xp(m,n),Yp(m,n)]
に座標変換が施され、これにより読み出すべきラスタデ
ータの位置を変更すればよい。
The raster data read from the divided area memory 74 is temporarily stored in the exposure data memory 92,
The exposure data is read out based on the output from the counter 82, that is, the address data indicating the reading order of the bit data to be given to each micromirror, and is output to the DMD drive circuit 56. It should be noted that when the coordinate conversion of the circuit pattern is performed, the exposure point coordinate data [Xs (i), Ys (i)] or the exposure position coordinate data [Xp (m, n), Yp (m, n)]
The coordinates of the raster data to be read may be changed according to the coordinate conversion.

【0129】このように、第1露光ユニット2001にお
いては、露光幅D1よりも所定長さだけ長い分割領域に
相当する(1280+β)ビット分のラスタデータが読
み出され、この分割領域に含まれる帯状領域Ra01を多
重露光するための露光データが生成される。本実施形態
では、帯状領域よりも広い分割領域に相当するラスタデ
ータを読み出して露光データを生成するので、上記のよ
うに帯状領域がY方向にシフトする場合や、回路パター
ンを座標変換(回転、拡大、縮小、移動等)して描画す
る場合においても十分に対応することができる。なお、
第2〜第15露光データ生成回路5402〜5415におい
ても同様に露光データが生成されることは言うまでもな
い。
As described above, in the first exposure unit 2000 , (1280 + β) -bit raster data corresponding to a divided area which is longer than the exposure width D1 by a predetermined length is read and included in this divided area. Exposure data for multiple exposure of the band-shaped region Ra 01 is generated. In the present embodiment, since the raster data corresponding to the divided area wider than the strip-shaped area is read to generate the exposure data, when the strip-shaped area is shifted in the Y direction as described above or when the circuit pattern is coordinate-converted (rotated, Even when drawing by enlarging, reducing, moving, etc.), it is possible to sufficiently deal with it. In addition,
It goes without saying that the exposure data is similarly generated in the second to fifteenth exposure data generation circuits 54 02 to 54 15 .

【0130】[0130]

【発明の効果】以上説明したように本発明の多重露光描
画装置は、個々の露光ユニットによって描画された部分
パターンを一部重ね合わせて繋ぎ合わせ、部分パターン
が重なる境界領域に対応する変調素子の駆動すべき数を
描画面の相対移動方向に沿って徐々に遷移させるため、
連続性および一体性の良好なパターンの全体を得ること
ができるという利点がある。
As described above, the multiple-exposure drawing apparatus of the present invention is such that the partial patterns drawn by the individual exposure units are partially overlapped and connected to each other, and the modulation element corresponding to the boundary region where the partial patterns overlap. In order to gradually change the number to be driven along the relative movement direction of the drawing surface,
The advantage is that the entire pattern having good continuity and integrity can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による多重露光描画装置の概略斜視図で
ある。
FIG. 1 is a schematic perspective view of a multiple exposure drawing apparatus according to the present invention.

【図2】本発明による多重露光描画装置で用いる露光ユ
ニットの機能を説明するための概略概念図である。
FIG. 2 is a schematic conceptual diagram for explaining a function of an exposure unit used in the multiple exposure drawing apparatus according to the present invention.

【図3】図1に示す多重露光描画装置の描画テーブル上
の被描画体の描画面および各露光ユニットによる露光領
域を説明するための平面図である。
3 is a plan view for explaining a drawing surface of an object to be drawn on a drawing table of the multiple-exposure drawing device shown in FIG. 1 and an exposure area by each exposure unit.

【図4】本発明による多重露光描画装置により実行され
る多重露光描画方法の原理を説明するための模式図であ
って、X−Y座標系のX軸に沿う複数の露光位置に露光
ユニットを順次移動させた状態を経時的に示す図であ
る。
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the principle of a multiple-exposure drawing method executed by the multiple-exposure drawing apparatus according to the present invention, in which exposure units are provided at a plurality of exposure positions along the X axis of the XY coordinate system. It is a figure which shows the state moved sequentially.

【図5】図4と同様な模式図であって、X−Y座標系の
X軸に沿う複数の露光位置に露光ユニットを順次移動さ
せた際に該露光ユニットがY軸に沿って所定距離だけ変
位する状態を経時的に示す図である。
FIG. 5 is a schematic view similar to FIG. 4, in which the exposure unit is moved a predetermined distance along the Y axis when the exposure unit is sequentially moved to a plurality of exposure positions along the X axis of the XY coordinate system. It is a figure which shows the state displaced only by time.

【図6】本発明の多重露光方法に従って露光ユニットを
複数の露光位置に順次移動させた際に該露光ユニットの
所定のマイクロミラーによって得られる単位露光領域の
中心が所定領域内にどのように分布するかを示す説明図
である。
FIG. 6 shows how the center of a unit exposure area obtained by a predetermined micromirror of the exposure unit when the exposure unit is sequentially moved to a plurality of exposure positions according to the multiple exposure method of the present invention is distributed within the predetermined area. It is explanatory drawing which shows whether it does.

【図7】本発明による多重露光描画装置のブロック図で
ある。
FIG. 7 is a block diagram of a multiple exposure drawing apparatus according to the present invention.

【図8】本発明による多重露光描画装置で描画すべき回
路パターンのラスタデータの一部をビットマップメモリ
上に展開した状態で示す模式図である。
FIG. 8 is a schematic diagram showing a part of raster data of a circuit pattern to be drawn by the multiple-exposure drawing apparatus according to the present invention in a state of being expanded on a bitmap memory.

【図9】図8に示すビットデータの一部とその読出しア
ドレスデータとの関係を示す模式図である。
9 is a schematic diagram showing a relationship between a part of the bit data shown in FIG. 8 and its read address data.

【図10】個々の露光ユニットによって描画される帯状
領域の重ね合わせを説明するための図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining superposition of strip-shaped regions drawn by individual exposure units.

【図11】帯状領域が重なった境界領域を描画するマイ
クロミラーの数を制御するための手順を示す模式図であ
る。
FIG. 11 is a schematic diagram showing a procedure for controlling the number of micromirrors that draw a boundary area in which strip-shaped areas overlap.

【図12】図7に示す第1露光データ生成回路の内部を
詳細に示すブロック図である。
12 is a block diagram showing in detail the inside of a first exposure data generation circuit shown in FIG. 7. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 多重露光描画装置 2001、…2015 露光ユニット 27 DMD素子 M(m,n)、M(1,1)、…M(1024,128
0) マイクロミラー(変調素子) 30 被描画体 32 描画面 34 システムコントロール回路 5401、…5415 露光データ生成回路
10 Multiple-exposure drawing apparatus 20 01 , ... 20 15 Exposure unit 27 DMD elements M (m, n), M (1,1), ... M (1024,128)
0) Micromirror (modulation element) 30 Object to be drawn 32 Drawing surface 34 System control circuit 54 01 , ... 54 15 Exposure data generation circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 529 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01L 21/30 529

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1方向に沿って並ぶ複数の部分パター
ンを多重露光によって描画面上に描画することにより、
前記部分パターンを繋ぎ合わせたパターンの全体を得る
多重露光描画装置であって、 マトリクス状に配置される多数の変調素子を有し、前記
部分パターンのラスタデータに基づいて前記変調素子を
駆動する露光ユニットと、 前記露光ユニットを第1方向に沿って前記部分パターン
の数と同数分だけ配列する配列手段と、 前記描画面を前記第1方向と異なる第2方向に沿って前
記露光ユニットに対して相対移動させる移動手段と、 隣り合う2つの前記部分パターンを描画する各露光ユニ
ットについて、前記部分パターンが重なる境界領域に対
応する変調素子の駆動すべき数を前記第2方向に沿って
一定の割合で漸減させるまたは漸増させる変調素子選択
手段とを備えることを特徴とする多重露光描画装置。
1. A plurality of partial patterns lined up along a first direction are drawn on a drawing surface by multiple exposure,
A multiple-exposure drawing apparatus for obtaining the entire pattern in which the partial patterns are connected to each other, wherein the multiple-exposure drawing apparatus has a large number of modulation elements arranged in a matrix and drives the modulation elements based on raster data of the partial patterns. A unit, an array unit that arranges the exposure units by the same number as the number of the partial patterns along the first direction, and the drawing surface with respect to the exposure unit along a second direction different from the first direction. With respect to the moving unit that relatively moves and each exposure unit that draws two adjacent partial patterns, the number of modulators to be driven corresponding to the boundary region where the partial patterns overlap is fixed at a constant rate along the second direction. A multiple-exposure drawing apparatus, comprising: a modulation element selecting unit that gradually decreases or gradually increases.
【請求項2】 前記境界領域の面積が、1つの前記露光
ユニットが描画可能な面積の5ないし10%を占めるこ
とを特徴とする請求項1に記載の多重露光描画装置。
2. The multiple-exposure drawing apparatus according to claim 1, wherein the area of the boundary region occupies 5 to 10% of the area that can be drawn by one exposure unit.
【請求項3】 前記パターン全体のラスタデータを保持
するメモリ手段と、 前記描画面に対する前記露光ユニットの相対位置を示す
第1座標データと前記露光ユニットにおける個々の前記
変調素子の相対位置を示す第2座標とを加算して前記描
画面に対する個々の前記変調素子の相対位置座標データ
を算出し、個々の前記変調素子について前記相対位置座
標データに基づいて前記ラスタデータの画素サイズに応
じたアドレスデータを生成するアドレス算出手段と、 前記メモリ手段から前記アドレスデータに対応するラス
タデータを読み出して、個々の変調素子に露光作動また
は露光作動停止を指示するための露光データを生成する
露光データ生成手段とをさらに備え、 前記変調素子選択手段が、露光作動すべき変調素子につ
いて前記アドレス算出手段から得られる前記アドレスデ
ータを前記露光データ生成手段に与えるとともに、露光
作動停止すべき変調素子についてダミーデータを前記露
光データ生成手段に与えることを特徴とする請求項1に
記載の多重露光描画装置。
3. Memory means for holding raster data of the entire pattern, first coordinate data indicating a relative position of the exposure unit with respect to the drawing surface, and first relative data indicating a relative position of each of the modulation elements in the exposure unit. The two coordinates are added to calculate the relative position coordinate data of each of the modulation elements with respect to the drawing surface, and the address data corresponding to the pixel size of the raster data is calculated for each of the modulation elements based on the relative position coordinate data. And an exposure data generation unit that reads raster data corresponding to the address data from the memory unit and generates exposure data for instructing each modulation element to perform an exposure operation or an exposure operation stop. Further comprising: 2. The multiple-exposure drawing according to claim 1, wherein the address data obtained from the calculating means is given to the exposure data generating means, and the dummy data of the modulation element to be stopped in exposure operation is given to the exposure data generating means. apparatus.
【請求項4】 個々の前記露光ユニットの1回の露光に
よって露光される全面露光領域が第1方向長さD1の長
方形を呈し、第1方向に関して隣り合う2つの全面露光
領域が長さD2(D2<D1)だけ重複することを特徴
とする請求項1に記載の多重露光描画装置。
4. The overall exposure region exposed by one exposure of each of the exposure units has a rectangular shape having a length D1 in the first direction, and two overall exposure regions adjacent in the first direction have a length D2 ( The multiple-exposure drawing apparatus according to claim 1, wherein D2 <D1) is overlapped.
【請求項5】 隣り合う2つの全面露光領域が重複する
第1方向長さD2が、前記全面露光領域の第1方向長さ
D1の5ないし10%であることを特徴とする請求項4
に記載の多重露光描画装置。
5. The first-direction length D2 at which two adjacent whole-surface exposure regions overlap is 5 to 10% of the first-direction length D1 of the whole-surface exposure region.
The multiple-exposure drawing apparatus according to item 1.
【請求項6】 隣り合う2つの全面露光領域の一方にお
いて、他方の全面露光領域側に位置し第1方向長さがD
2であって第2方向長さが前記全面露光領域の第2方向
長さに等しい三角形の領域が第1露光停止領域に定めら
れ、隣り合う2つの全面露光領域の他方において、一方
の全面露光領域側に位置し第1方向長さがD2であって
第2方向長さが前記全面露光領域の第2方向長さに等し
い三角形の領域が第2露光停止領域に定められ、前記第
1および第2露光停止領域に対応する変調素子の露光作
動が停止させられることを特徴とする請求項4に記載の
多重露光描画装置。
6. One of two adjacent whole surface exposure regions is located on the side of the other whole surface exposure region and has a length D in the first direction.
A triangular area having a length of 2 in the second direction equal to the length of the entire surface exposure area in the second direction is defined as the first exposure stop area. A triangular region located on the region side and having a first-direction length D2 and a second-direction length equal to the second-direction length of the entire-surface exposure region is defined as the second exposure stop region, and The multiple exposure drawing apparatus according to claim 4, wherein the exposure operation of the modulation element corresponding to the second exposure stop region is stopped.
【請求項7】 第1方向に沿って並ぶ複数の部分パター
ンを多重露光によって描画面上に描画することにより、
前記部分パターンを繋ぎ合わせたパターンの全体を得る
多重露光描画方法であって、 マトリクス状に配置される多数の変調素子を有し、前記
部分パターンのラスタデータに基づいて前記変調素子を
駆動する露光ユニットを、第1方向に沿って前記部分パ
ターンの数と同数分だけ配列するとともに、前記描画面
を前記第1方向と異なる第2方向に沿って前記露光ユニ
ットに対して相対移動させ、隣り合う2つの前記部分パ
ターンを描画する露光ユニットについて、前記部分パタ
ーンが重なる境界領域に対応する変調素子の駆動すべき
数を前記第2方向に沿って一定の割合で漸減させるまた
は漸増させることを特徴とする多重露光描画方法。
7. A plurality of partial patterns arranged along the first direction are drawn on a drawing surface by multiple exposure,
A multiple-exposure drawing method for obtaining an entire pattern in which the partial patterns are connected to each other, wherein the exposure has a plurality of modulation elements arranged in a matrix and drives the modulation elements based on raster data of the partial patterns. The units are arranged along the first direction by the same number as the number of the partial patterns, and the drawing surface is moved relative to the exposure unit along a second direction different from the first direction so that the units are adjacent to each other. In the exposure unit that draws the two partial patterns, the number of modulator elements to be driven corresponding to the boundary region where the partial patterns overlap is gradually decreased or increased at a constant rate along the second direction. Multiple exposure drawing method.
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