JP2003128665A - 液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents
液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子Info
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Abstract
きな電圧保持率を有し、他の液晶性化合物との相溶性に
優れ、化学的に安定である液晶性化合物、これを含有す
る液晶組成物、およびこの組成物を含有する液晶表示素
子を提供する。 【解決手段】 式(1) (式中、RaおよびRbは独立して炭素数1〜20の−
CH2−が−O−等の基で置換されてもよいアルキルで
あり;環A1、A2、A3およびA4の少なくとも1つは、
式(2−1)または式(2−2)で表される1,4−フ
ェニレンであり、他の環はハロゲンで置換されてもよい
シクロヘキサン−1,4−ジイル であり、;Z1、Z2およびZ3は独立して単結合、また
は−(CH2)2−等の2官能性基であり;mおよびn
は独立して0または1である。)で表される液晶性化合
物、これを含有する液晶組成物、およびこの組成物を含
有する液晶表示素子。
Description
る。液晶性化合物は、液晶相を有する化合物と液晶相を
有しないが液晶組成物の成分として有用である化合物と
の総称である。さらに詳しくは、負の誘電率異方性値
(Δε)を有する液晶性化合物、この化合物を含有する
液晶組成物、およびこの液晶組成物を含有する液晶表示
素子に関する。なお、液晶性化合物、液晶組成物、液晶
表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と表記するこ
とがある。式(1)で表される化合物を化合物(1)と
表記することがある。式(3)〜(13)で表わされる
化合物についても同様に表記することがある。
は、しきい値電圧(Vth)の小さい液晶組成物が適して
いる。しきい値電圧は、誘電率異方性(Δε)と弾性定
数(K)との関数である(M. F. Leslie, Mol. Cryst.
Liq. Cryst., 1970, 12, 57)。式中、ε0は真空の誘電
率である。したがって、消費電力をさげるには、Δεを
大きくするか、Kを小さくすればよい。Kを調整するの
は一般的に困難であるから、Δεを大きくする方法が採
用される。 Vth=π(K/ε0Δε)1/2
角度である。これを改善するため、インプレイン・スイ
ッチング表示素子(IPS)が1995年に、垂直配向
(VA)モードを用いた素子が1997年に提案された
(液晶討論会, 2A07, 1995;ASIA DISPLAY' 95, 557, 19
95; ASIA DISPLAY' 95, 1995; SID 97 DIGEST, 1997, 8
45)。IPSでは組成物のΔεが正と負のどちらであっ
ても活用できるが、VAモードの素子にはΔεが負の組
成物を用いる。
ように素子に必要な特性を鑑み、負に大きな誘電率異方
性を有し、さらに大きな比抵抗と大きな電圧保持率を有
し、他の液晶性化合物との相溶性に優れ、化学的に安定
である液晶性化合物、これを含有する液晶組成物、およ
びこの組成物を含有する液晶表示素子を提供することに
ある。
を達成するために鋭意検討した。その結果、特定の1,
4−フェニレンを持つ化合物が、上記の課題を解決する
ことを見出し、本発明を完成した。本発明は第1項〜第
18項で表される。
0のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−C
H2−は−O−、−S−、−CH=CH−、または−C
≡C−で置き換えられてもよいが、−O−と−O−とが
隣接することはなく、このアルキルにおいて任意の水素
はハロゲンで置き換えられてもよい。
ル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアル
コキシ、アルキルチオ、アルキルチオアルコキシ、アル
ケニル、アルキニル、アルケニルオキシ、アルキニルオ
キシである。少なくとも1つの水素がハロゲンで置き換
えられたこれらの基も好ましい。これらの基は分岐より
も直鎖の方が好ましい。−CH=CH−はトランス型が
好ましい。好ましいハロゲンはフッ素または塩素であ
る。これらの置換位置はω位が好適である。特に好まし
いRaおよびRbはアルキル、アルコキシまたはアルケ
ニルである。
つは、式(2−1)または式(2−2)で表される1,
4−フェニレンであり、他の環はシクロヘキサン−1,
4 −ジイル、シクロヘキセン−1,4−ジイル、ピリジン
−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイル、ピリ
ダジン−3,6−ジイル、1,3−ジオキサン−2,5
−ジイル、または1,4−フェニレンであり、これらの
環において任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよ
い。シクロヘキサン−1,4−ジイルおよび1,3−ジ
オキサン−2,5−ジイルはシス型よりもトランス型の
方が好ましい。他の環がシクロヘキサン−1,4−ジイ
ル、シクロヘキセン−1,4−ジイルまたは1,3−ジ
オキサン−2,5−ジイルである化合物は小さい屈折率
異方性(Δn)を有する。
(CH2)2−、−(CH2)4−、−COO−、−OCO
−、−CH2O−、−OCH2−、−CF2O−、−OC
F2−、−CF=CF−、−CH=CH−、または−C
≡C−である。−CF=CF−および−CH=CH−は
トランス型が好ましい。Z1、Z2およびZ3が独立して
単結合、−(CH2)2−、−(CH2)4−、−CH2O
−、−OCH2−、−CF2O−、−OCF2−、−CF
=CF−、または−CH=CH−である化合物は粘度
(η)が小さい。Z1、Z2およびZ3が独立して単結
合、−(CH2)2−、−(CH2)4−、−CF2O−、
または−OCF2−であり、かつ、RaおよびRbがア
ルキル、アルコキシまたはアルケニルである化合物の粘
度は特に小さい。mおよびnは独立して0または1であ
る。
記載の二環化合物。この化合物は、Δεが負に大きく、
粘度が低く、相溶性が極めて良好である。この化合物は
組成物に混合すると組成物のΔεを維持しながら粘度を
下げるので、高速応答用に適している。 3.mが1であり、nが0である第1項に記載の三環化
合物。この化合物は、Δεが負に大きく、液晶相を示す
温度範囲が比較的広い。この化合物は組成物に混合する
と組成物の透明点を低下させずにΔεを大きくするの
で、低電圧駆動用に適している。 4.mが1であり、nが1である第1項に記載の四環化
合物。この化合物は、Δεが負に大きく、液晶相を示す
温度範囲が比較的広い。この化合物は組成物に混合する
と組成物のΔεを大きくし、液晶相の温度範囲を高温側
に拡大する。
シまたはアルケニルである第1項〜第4項のいずれか1
項に記載の化合物。 6.Z1、Z2およびZ3が独立して単結合、−(CH2)
2−、−(CH2)4−、−CF2O−、または−OCF2
−である第5項に記載の化合物。 7.Z1、Z2およびZ3の少なくとも1つが−CF2O−
である第6項に記載の化合物。 8.第1項〜第7項のいずれか1項に記載の化合物を少
なくとも1つ含有する組成物。
ずれか1項に記載の化合物を少なくとも1つ含有し、第
二成分として、式(3)、(4)および(5)で表され
る化合物群から選択される化合物を少なくとも1つ含有
する組成物。
であり、このアルキルにおいて隣接しない任意の−CH
2−は−O−または−CH=CH−で置き換えられても
よく、このアルキルにおいて任意の水素はフッ素で置き
換えられてもよく;X1はフッ素、塩素、−OCF3、−
OCF2H、−CF3、−CF2H、−CFH2、−OCF2
CF2H、または−OCF2CFHCF3であり;L1およ
びL2は独立して水素またはフッ素であり;Z4およびZ
5は独立して−(CH2)2−、−(CH2)4−、−COO
−、−CF2O−、−OCF2−、−CH=CH−、また
は単結合であり;環Aおよび環Bは独立してトランス−
シクロヘキシサン−1,4−ジイル、トランス−1,3
−ジオキサン−2,5−ジイル、またはフッ素で置き換
えられてもよい1,4−フェニレンであり;環Cはトラ
ンス−シクロヘキサン−1,4−ジイルまたはフッ素で
置き換えられてもよい1,4−フェニレンである。)
いずれか1項に記載の化合物を少なくとも1つ含有し、
第二成分として、式(6)および(7)で表される化合
物群から選択される化合物を少なくとも1つ含有する組
成物。
〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて隣接し
ない任意の−CH2−は、−O−または−CH=CH−
で置き換えられてもよく、このアルキルにおいて任意の
水素はフッ素で置き換えられてもよく;X2は−CNま
たは−C≡C−CNであり;環Dはトランス−シクロヘ
キサン−1,4−ジイル、1,4−フェニレン、トラン
ス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、またはピリ
ミジン−2,5−ジイルであり;環Eはトランス−シク
ロヘキサン−1,4−ジイル、水素をフッ素で置き換え
られてもよい1,4−フェニレン、またはピリミジン−
2,5−ジイルであり;環Fはトランス−シクロヘキサ
ン−1,4−ジイルまたは1,4−フェニレンであり;
Z6は−(CH2)2−、−COO−、−CF2O−、−O
CF2−または単結合であり;L3、L4およびL5は独立
して水素またはフッ素であり;b、cおよびdは独立し
て0または1である。)
いずれか1項に記載の化合物を少なくとも1つ含有し、
第二成分として、式(8)、(9)および(10)で表
される化合物群から選択される化合物を少なくとも1つ
含有する組成物。
〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて隣接し
ない任意の−CH2−は、−O−または−CH=CH−
で置き換えられてもよく、このアルキルにおいて任意の
水素はフッ素で置き換えられてもよく;環Gおよび環I
は独立してトランス−シクロヘキサン−1,4−ジイル
または1,4−フェニレンであり;L6およびL7は独立
して水素またはフッ素であるが、L6およびL7の少なく
とも1つはフッ素であり;Z7およびZ8は独立して−
(CH2)2−、−COO−または単結合である。)
いずれか1項に記載の化合物を少なくとも1つ含有し、
第二成分として、第9項に記載の式(3)、(4)およ
び(5)で表される化合物群から選択される化合物を少
なくとも1つ含有し、第三成分として、式(11)、
(12)および(13)で表される化合物群から選択さ
れる化合物を少なくとも1つ含有する組成物。
〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて隣接し
ない任意の−CH2−は−O−または−CH=CH−で
置き換えられてもよく、このアルキルにおいて任意の水
素はフッ素で置き換えられてもよく;環J、環Kおよび
環Mは独立してトランス−シクロヘキサン−1,4−ジ
イル、ピリミジン−2,5−ジイルまたはフッ素で置き
換えられてもよい1,4−フェニレンであり;Z9およ
びZ10は独立して−C≡C−、−COO−、−(CH2)
2−、−CH=CH−、または単結合である。)
いずれか1項に記載の化合物を少なくとも1つ含有し、
第二成分として、第11項に記載の式(8)、(9)お
よび(10)で表される化合物群から選択される化合物
を少なくとも1つ含有し、第三成分として、第12項に
記載の式(11)、(12)および(13)で表される
化合物群から選択される化合物を少なくとも1つ含有す
る組成物。 14.式(1b−1−1)で表される化合物を少なくと
も1つ、式(8−1−1)で表される化合物を少なくと
も1つ、式(8−3−1)で表される化合物を少なくと
も1つ、式(9−1−1)で表される化合物を少なくと
も1つ、式(9−1−2)で表される化合物を少なくと
も1つ、式(11−1−1)で表される化合物を少なく
とも1つ、および式(11−5−1)で表される化合物
を少なくとも1つ含有する組成物。
炭素数1〜10のアルキルであり、R11は炭素数1〜9
のアルキルである。)
いずれか1項に記載の化合物を少なくとも1つ含有し、
第二成分として、第9項に記載の式(3)、(4)およ
び(5)で表される化合物群から選択される化合物を少
なくとも1つ含有し、第三成分として、第11項に記載
の式(8)、(9)および(10)で表される化合物群
から選択される化合物を少なくとも1つ含有する組成
物。 16.第一成分として、第1項〜第7項のいずれか1項
に記載の化合物を少なくとも1つ含有し、第二成分とし
て、第9項に記載の式(3)、(4)および(5)で表
される化合物群から選択される化合物を少なくとも1つ
含有し、第三成分として、第10項に記載の式(6)お
よび(7)で表される化合物群から選択される化合物を
少なくとも1つ含有し、第四成分として、第11項に記
載の式(8)、(9)および(10)で表される化合物
群から選択される化合物を少なくとも1つ含有する組成
物。
記載の組成物に、さらに少なくとも1つの光学活性化合
物を添加した組成物。 18.第8項〜第17項のいずれか1項に記載の組成物
を含有する素子。化合物(1)、(3)〜(13)は、
各元素の同位体からなる類縁体であってもよい。例え
ば、水素を重水素で置き換えたとしても化合物の特性に
大きな差異がないからである。化合物(3)〜(13)
が−CH=CH−を有する場合、その配置はトランス型
が好ましい。
学講座(丸善)、Organic Synthesis (JohnWiley & Son
s, Inc) 、Organic Reactions (John Wiley & Sons, In
c)、またはその他の文献に記載されている方法を適宜選
択し、組み合わせることにより製造できる。式(1)に
おいて、環A3が式(2−1)で表される1,4−フェ
ニレンである化合物の合成法(I)〜(XI)を以下に例
示する。環A1、A2またはA4が式(2−1)で表され
る1,4−フェニレンである化合物も同様な方法によっ
て合成できる。これらの化合物は、K. Peterらの方法
(K. Peter et al, EP 0505742 A2)やA. Peterらの方
法(A. Peter et al, EP 0333658 B1)にしたがって合
成することができる。なお、以下の反応式において、Q
はRa−(A1−Z1)m−(A2−Z2)n−を意味する。
333658 B1の方法で合成する。この誘導体(1)とアリ
ルホウ酸誘導体(2)とを、炭酸塩水溶液とテトラキス
トリフェニルホスフィンパラジウム(Pd(PPh3)4)の存
在下で反応させて化合物(1−1)を合成する。この化
合物(1−1)は、Org. Syn. Coll. Vol.2 100, 173,
1943 の方法で合成される化合物(3)にノルマル−ブ
チルリチウム(n-BuLi)を作用させ、塩化亜鉛、ジクロ
ロビストリフェニルホスフィンパラジウム(PdCl2(PP
h3)2)、およびハロゲン化アリル誘導体(1)を順次作
用させても合成できる。
を合成する。化合物(4)にn−ブチルリチウムを作用
させてリチオ化し、二酸化炭素を作用させてカルボン酸
誘導体(5)を得る。これに W. Gray et al., J. Che
m. Soc. PerkinTrans. II 2041, 1989 の方法で製造さ
れるアルコールやフェノール(6)を作用させ、次いで
脱水縮合させて化合物(1−2)を合成する。
チオ化し、ホウ酸エステルを作用させてホウ酸誘導体
(7)を得る。誘導体(7)を過酸化水素水等の酸化剤
で酸化することによりフェノール誘導体(8)を得る。
Org. Syn. Coll.Vol. 3, 553, 1955 の方法で合成され
るカルボン酸(9)と誘導体(8)との脱水縮合によっ
て化合物(1−3)を合成する。この脱水縮合には、ジ
シクロヘキシルカルボジイミド等の脱水剤を用いる。こ
の化合物(1−3)は、カルボン酸(9)をハロゲン化
チオニル等によって酸ハロゲン化物に誘導し、塩基性条
件下でフェノール(8)を作用させることによっても好
適に合成できる。
−である化合物 前記(II)で得られた化合物(1−2)を公知の硫黄化
剤、例えばローソン試薬で処理して化合物(10)へ誘
導し、フッ化水素ピリジン錯体(M. Kuroboshiet al.,
Chem. Lett., 827, 1992)、ジエチルアミノサルファト
リフルオリド(William H. Bunnelle et al., J. Org.
Chem. 1990, 55, 768)などのフッ素化剤でフッ素化す
ることにより化合物(1−4)を合成する。化合物(1
−2)の代わりに、前記(III)で得られた化合物(1
−3)を用いる以外は同様に操作することにより、Z3
が−OCF2−である化合物を合成できる。
チオ化した後、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)
等のギ酸アミド類を作用させて化合物(11)を得る。
化合物(12)をH. Honer et al, Chem. Ber., 101, 2
903, 1968)の方法で合成する。化合物(12)にカリ
ウムt−ブトキシド(t-BuOK)等を作用させてリンイリ
ドを発生させた後、化合物(11)を反応させることに
よって化合物(1−5)を合成する。反応条件によって
はシス体が生成する。シス体はP.E. Sonnet, Tetrahedr
on, 36, 557, 1980の方法により、トランス体に変換す
る。
素(Pd-C)等の存在下、接触水素化することにより、化
合物(1−6)を合成する。
以外は前記(V)および(VI)と同様に操作することに
より化合物(1−7)を合成する。
存在下、2−メチル−3−ブチン−2−オールを作用さ
せた後、塩基性条件下で脱保護して化合物(14)を得
る。ジクロロパラジウムとヨウ化銅の存在下、前記化合
物(1)を化合物(14)と反応させることにより化合
物(1−8)を合成する。
チオ化した後、テトラフルオロエチレンを作用させ化合
物(15)を得る。これを、前記化合物(3)のリチオ
化物と反応させることにより、化合物(1−9)を合成
する。
1)を合成する。この化合物に水素化ホウ素ナトリウム
(NaBH4)等を作用させて化合物(16)とし、臭化水
素酸等を用いて化合物(17)へ誘導する。化合物(1
7)を炭酸カリウム等の存在下、前記化合物(6)と反
応させることにより、化合物(1−10)を合成する。
リウム等の存在下で反応させて化合物(1−11)を合
成する。
で表される1,4−フェニレンである化合物は、文献
(P. V. Yakovlevna et al, JP 01218627)の方法にし
たがって容易に合成することができる。2,2−ジフル
オロ−1,3−ベンゾジオキソールの代わりに2,2,
3,3−テトラフルオロ−1,4−ベンゾジオキセンを
出発物にして、前述の合成法(I)〜(XI)と同様に合
成すればよい。
物(1)を以下に例示する。
してIPS方式、VA方式用の組成物の成分として好適
である。TN、STN、TFTなどのその他の方式にも
好適である。この場合には化合物(1)をΔεが正であ
る組成物の成分として使用する。化合物(1)は、素子
が通常使用される条件下で安定であり、また低温であっ
ても他の液晶性化合物と溶解する。
分とすることもできるが、第二成分として化合物(3)
〜(10)の群から選ばれる少なくとも1つの化合物を
混合してもよい。しきい値電圧、ネマチック相の温度範
囲、屈折率異方性(Δn)、誘電率異方性(Δε)、ま
たは粘度を最適化する目的で、化合物(11)、(1
2)および(13)から選ばれる少なくとも1つの化合
物を第三成分として混合することもできる。
しい例は、それぞれ化合物(3−1)〜(3−9)、
(4−1)〜(4−97)および(5−1)〜(5−3
3)である。
εが正であり、熱的安定性や化学的安定性が非常に優れ
るので、大きな電圧保持率および大きな比抵抗を必要と
するTFT用の組成物に用いられる。TFT用組成物を
調製する場合、これらの化合物の使用量は、組成物の全
重量に対して1〜99重量%であり、好ましくは10〜
97重量%であり、より好ましくは40〜95重量%で
ある。組成物の粘度を最適化する目的で化合物(1
1)、(12)または(13)を添加してもよい。
は、それぞれ化合物(6−1)〜(6−56)および
(7−1)〜(7−3)である。
す。)
あり、その値が非常に大きいので、主としてSTNまた
はTN用の組成物に用いられる。これらの化合物は組成
物のしきい値電圧を下げる目的で使用される。粘度とΔ
nを調整する、ネマチック相の温度範囲を広げる、急峻
性を改良する、などの目的にも使用される。STNまた
はTN用の組成物を調製する場合、化合物(6)および
(7)の使用量は組成物の全重量に対して0.1〜9
9.9重量%である。好ましくは10〜97重量%であ
り、より好ましくは40〜95重量%である。しきい値
電圧、ネマチック相の温度範囲、Δn、Δε、または粘
度を最適化する目的で、化合物(11)、(12)また
は(13)を添加してもよい。
は、化合物(8)、(9)および(10)から選ばれる
化合物が好適である。これらの化合物の好ましい例は、
化合物(8−1)〜(8−3)、(9−1)〜(9−
5)および(10−1)〜(10−3)である。より好
ましい例は、化合物(8−1−1)、(8−3−1)、
(9−1−1)および(9−1−2)である。
よびR9は独立して炭素数1〜10のアルキルを示
す。)
のΔε値を持つ。化合物(8)は二環であるので、しき
い値電圧、粘度またはΔnを最適化する目的で使用され
る。化合物(9)は、透明点を高くしてネマチック相の
温度範囲を広げる、しきい値電圧を小さくする、または
Δnを大きくする、などの目的で使用される。
特に大きな負のΔε有する組成物に使用される。その使
用量を増加させると組成物のしきい値電圧が小さくなる
が、粘度が大きくなる。したがって、しきい値電圧が要
求値を満足するかぎり、少ない使用量が好ましい。しか
し、Δεの絶対値が5以下であるので、使用量が40重
量%より少なくなると低い電圧で駆動しないことがあ
る。そのため、化合物(8)、(9)および(10)の
使用量は40重量%以上であることが好ましい。より好
ましくは50〜95重量%である。弾性定数と電圧透過
率曲線を制御する目的で、化合物(8)、(9)および
(10)を、Δεが正である組成物に添加することもあ
る。この場合、化合物(8)、(9)および(10)の
使用量は30重量%以下が好ましい。
の好ましい例は、それぞれ化合物(11−1)〜(11
−11)、(12−1)〜(12−18)および(13
−1)〜(13−6)である。より好ましい例は、化合
物(11−1−1)および(11−5−1)である。
炭素数1〜10のアルキルを、R11は炭素数1〜9のア
ルキルを示す。)
は、Δεが非常に小さい。化合物(11)は、主として
粘度またはΔnを最適化する目的で使用される。また、
化合物(12)および(13)は、透明点を高くしてネ
マチック相の温度範囲を拡大するまたはΔnを最適化す
る目的で使用される。
の使用量を増加させると、組成物のしきい値電圧が大き
くなり、粘度が小さくなる。したがって、必要なしきい
値電圧を満たすかぎり、多量に使用するのが望ましい。
TFT用の組成物を調製する場合、化合物(11)、
(12)および(13)の使用量は、好ましくは40重
量%以下、より好ましくは35重量%以下である。
して互いに溶解させて調製する。組成物には目的に応じ
て適当な添加物を加え、特性を調整する。このような添
加物は当業者に知られている。液晶のらせん構造を誘起
してねじれ角を与え、逆ねじれを防ぐ目的でキラルドー
プ剤などが添加される。キラルドープ剤の例として、以
下の光学活性化合物(Op−1)〜(Op−12)があ
る。
調整する。ねじれのピッチはTFT用およびTN用の組
成物であれば40〜200μmの範囲が好ましい。ST
N用の組成物であれば6〜20μmの範囲が好ましい。
双安定TNモード用の組成物であれば、1.5〜4μm
の範囲が好ましい。ピッチの温度依存性を調整する目的
で、少なくとも2つのキラルドープ剤を添加してもよ
い。
ゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキ
ノン系、テトラジン系等の二色性色素を添加することに
よって、G−H型の組成物を調整することもできる。
クロカプセル化して作製したNCAPや、液晶中に三次
元網目状高分子を形成して作製したポリマー分散型素子
(PDLCD)、例えばポリマーネットワーク素子(P
NLCD)用に使用できる。さらには複屈折制御(EC
B)型やDS型用の組成物にも使用できる。
する。実施例中、CおよびIは、それぞれ結晶および等
方性液体を示す。
7−(4−プロピルフェニル)−1,3−ベンゾジオキ
ソール(No.24の化合物)の合成。
した4−ブロモ−2,2−ジフルオロ−1,3−ベンゾ
ジオキソール(a)4.06gと2N炭酸ナトリウム水
溶液20mlの懸濁液にテトラキストリフェニルホスフ
ィンパラジウム1.56gを加えて激しく撹拌し、そこ
に4−プロピルフェニルホウ酸(b)3.34gのエタ
ノール9ml溶液を加え、2時間加熱環流した。室温に
戻した後、ジエチルエーテルを加え、有機層を分離し水
層をジエチルエーテルにて抽出した。有機層を合わせ、
食塩水で洗浄し無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下で留去し、4.54gの2,2−ジフルオロ−
4−(4−プロピルフェニル)−1,3−ベンゾジオキ
ソール(c)を得た。
(THF)15ml溶液を窒素置換された200ml三
口フラスコに入れ、−78℃に冷却し1時間撹拌した。
そこへ同温度にて1.56mol/Lのノルマル−ブチ
ルリチウム−ノルマルヘキサン溶液12mlを滴下し、
−78℃にて1時間撹拌した。同温度にて臭素2.62
gを滴下し、室温に戻して一晩撹拌した。水を加え、水
層をジエチルエーテルで抽出し、有機層を合わせ1N塩
酸で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減
圧下で留去し、5.49gの4−ブロモ−2,2−ジフ
ルオロ−7−(4−プロピルフェニル)−1,3−ベン
ゾジオキソール(d)を得た。
した前記化合物(d)5.49gと2N炭酸ナトリウム
水溶液25mlの懸濁液にテトラキストリフェニルホス
フィンパラジウム1,99gを加えて激しく撹拌し、そ
こに4−ペンチルフェニルホウ酸(e)4.96gのエ
タノール10ml溶液を加え、2時間加熱環流した。室
温に戻した後、ジエチルエーテルを加え、有機層を分離
し水層をジエチルエーテルにて抽出した。有機層を合わ
せ、食塩水で洗浄し無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
溶媒を減圧下で留去し、目的の2,2−ジフルオロ−4
−(4−ペンチルフェニル)−7−(4−プロピルフェ
ニル)−1,3−ベンゾジオキソールを5.37g得
た。この化合物は無色結晶であった。C 34.9℃
I 1H−NMR(CDCl3)δ:7.65(d,4
H),7.34(s、2H)、7.30(d,4H),
2.65(q,4H),1.71−1.63(m,4
H),1.40−1.32(m,4H),0.99
(t,3H),0.93(t,3H).
(トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル)シクロヘキシル)−1,3−ベンゾジオキソール
(No.5の化合物)の合成。
ドロフラン(THF)64mlに溶解した4−ブロモ−
2,2−ジフルオロ−1,3−ベンゾジオキソール
(a)20.0gを−78℃に冷却し、その溶液に同温
度にて1.56mol/Lのノルマル−ブチルリチウム
−ノルマルヘキサン溶液55mlを滴下し、同温にて1
時間撹拌した。さらに−78℃にてTHF60mlに溶
解した4−(4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキ
サノン(f)を滴下し、−78℃にて2時間、室温に戻
し終夜撹拌した。その後反応器を氷水で冷却し、3N塩
酸30mlを滴下した。ジエチルエーテルを加え、有機
層を分離し水層をジエチルエーテルにて抽出した。有機
層を合わせ、飽和食塩水にて洗浄し無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。溶媒を減圧下で留去し、23.4gの2,
2−ジフルオロ−4−(1−ヒドロキシ−4−(トラン
ス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−
1,3−ベンゾジオキソール(g)を得た。
三口フラスコに前記化合物(g)23.4gのトルエン
120ml溶液を入れ、さらにp−トルエンスルホン酸
1水和物0.58gを加え、水が生成しなくなるまで加
熱還流した。室温に戻し蒸留水を加え、有機層を分離
し、水層をトルエンで抽出した。有機層を合わせ、飽和
炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。溶媒を減圧下で留去し、13.2gの
2,2−ジフルオロ−4−(4−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)シクロヘキセニル)−1,3−ベ
ンゾジオキソール(h)を得た。
400mlに溶解した前記化合物(h)13.2gを加
え、ラネーニッケル触媒存在下水素の吸収がなくなるま
で撹拌した。触媒を除去し、溶媒を減圧下で留去し、1
1.6gのトランス−2,2−ジフルオロ−4−(トラ
ンス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
シクロヘキシル)−1,3−ベンゾジオキソール(i)
を得た。
5mlに溶解した前記化合物(i)11.6gを−78
℃に冷却し、同温度にてその溶液に1.56mol/L
のノルマル−ブチルリチウム−ノルマルヘキサン溶液2
4mlを滴下し、同温度で2時間撹拌した。同温度にて
THF25mlに溶解したホウ酸トリイソプルピルを滴
下し、−78℃にて2時間、室温に戻し終夜撹拌した。
その後反応器を氷水で冷却し、3N塩酸15mlを滴下
し、1時間室温にて撹拌した。ジエチルエーテルを加
え、有機層を分離し水層をジエチルエーテルにて抽出し
た。有機層を合わせ、飽和食塩水にて洗浄し無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下で留去し、14.
8gの3,3−ジフルオロ−5−(トランス−4−(ト
ランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシ
ル)−2,4−ベンゾジオキソリルホウ酸(j)を得
た。
(j)14.8gのTHF180ml溶液に酢酸21.
8gを加え、さらに氷水で冷却しながら30%過酸化水
素水41.0gを滴下し、50℃で3時間加熱撹拌し
た。氷水で冷却しながら飽和亜硫酸水素ナトリウム水溶
液100ml加えた。ジエチルエーテルを加え、有機層
を分離し、水層をジエチルエーテルで抽出した。有機層
を合わせ、飽和亜硫酸水素ナトリウム水溶液、飽和炭酸
水素ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。溶媒を減圧下で留去し、13.2gのトラ
ンス−2,2−ジフルオロ−4−ヒドロキシ−7−(ト
ランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキシル)−1,3−ベンゾジオキソール
(k)を得た。
gのメチルエチルケトン50ml溶液、炭酸カリウム
1.45g、ヨウ化カリウム0.05gを加え、撹拌し
ながらメチルエチルケトン20mlに溶解したヨウ化エ
チル1.64gを加え4時間加熱還流した後、室温に戻
し蒸留水を加え反応を停止した。ジエチルエーテルを加
え、有機層を分離し、水層をジエチルエーテルで抽出
し、有機層を合わせ、2N水酸化ナトリウム水溶液、蒸
留水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧下で留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製し、目的である2,2−ジフルオロ−4−エト
キシ−7−(トランス−4−(トランス−4−プロピル
シクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,3−ベンゾジ
オキソール1.87gを得た。この化合物は無色結晶で
あった。 C 60.3℃ I1 H−NMR(CDCl3)δ:6.80(d,1
H),6.61(d、1H)、4.15(q,2H),
2.60−2.54(m,1H),1.91−1.71
(m,8H),1.56−1.47(m、1H),1.
42(t,3H),1.34−1.27(m,2H),
1.16−0.96(m,10H),0.89−0.8
2(m、5H).
プチルオキシ)−7−(トランス−4−(トランス−4
−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,3
−ベンゾジオキソール(No.62の化合物)の合成。
ジメチルホルムアミド(DMF)55mlに溶解した前
記化合物(k)2.08gを加え、そこに60%水素化
ナトリウム0.27gを徐々に加え60℃で2時間加熱
撹拌した。DMF55mlに溶解した6−クロロヘキサ
ノール1.16gを加え、60℃で30時間加熱撹拌し
た。室温へ戻した後蒸留水を加え反応を止めた。酢酸エ
チルを加え、有機層を分離し、水層を酢酸エチルで抽出
し、有機層を合わせ、1N水酸化ナトリウム水溶液で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下
で留去し、2.0gの2,2−ジフルオロ−4−(6−
ヒドロキシヘキシルオキシ)−7−(トランス−4−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキ
シル)−1,3−ベンゾジオキソール(l)を得た。
した前記化合物(l)2.0gを入れ、さらにアクリル
酸0.33g、4−ジメチルアミノピリジン0.56g
を加え、室温にて1時間撹拌した。反応器を氷水で冷却
しながら塩化メチレン16mlに溶解した1−エチル−
3−(3−ジメチルアミノプロピル)−カルボジイミド
塩酸塩0.89gを加え、室温にて一晩撹拌した。蒸留
水を加え有機層を分離し、水層を塩化メチレンで抽出
し、有機層を合わせ、2N水酸化ナトリウム水溶液、3
N塩酸で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒
を減圧下で留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製し、目的である2,2−ジフルオロ−4−(6
−プロペノイルオキシヘプチルオキシ)−7−(トラン
ス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シ
クロヘキシル)−1,3−ベンゾジオキソール1.38
gを得た。この化合物は無色結晶であった。 C 46.7℃ I1 H−NMR(CDCl3)δ:6.80(d,1
H),6.61(d、1H),6.40(q,1H),
6.12(q,1H),5,82(q,1H),4.1
7(t,2H),4.08(t,2H),2.61−
2.55(m、1H),1.91−1.68(m,12
H),1.54−1.41(m,7H),1.33−
1.27(m,2H),1.16−0.95(m,8
H),0.89−0.82(m,5H).
(No.1〜No.90)を合成することができる。な
お、実施例1〜3で得られた化合物(No.5,No.
24,No.62)についても再掲した。
〜13で示す。組成物の成分である化合物は、表1の取
り決めに従い左末端基、環構造、結合基および右末端基
の記号により表示した。化合物の含有量(%)は重量%
を意味する。使用例の特性データは、NI(ネマチック
相−等方性液体の相転移温度)、η(粘度:測定温度2
0℃)、25℃におけるΔn(屈折率異方性:測定温度
25℃)、Δε(誘電率異方性:測定温度25℃)およ
びVth(しきい値電圧:測定温度25℃)である。
したときのピッチは11.4μmであった。
したときのピッチは76.4μmであった。
加したときのピッチは62.3μmであった。
ε、大きな比抵抗および大きな電圧保持率を有し、他の
液晶化合物との相溶性に優れ、化学的に安定である。し
たがって、この化合物を成分とすることにより、しきい
値電圧の小さい組成物を実現できる。この組成物によっ
て大きな視野角度を有する液晶表示素子を提供できる。
Claims (18)
- 【請求項1】式(1)で表される液晶性化合物。 (式中、RaおよびRbは独立して炭素数1〜20のア
ルキルであり、このアルキルにおいて任意の−CH2−
は−O−、−S−、−CH=CH−、または−C≡C−
で置き換えられてもよいが、−O−と−O−とが隣接す
ることはなく、このアルキルにおいて任意の水素はハロ
ゲンで置き換えられてもよく;環A1、A2、A3および
A4の少なくとも1つは、式(2−1)または式(2−
2)で表される1,4−フェニレンであり、他の環はシ
クロヘキサン−1,4−ジイル、 シクロヘキセン−1,4−ジイル、ピリジン−2,5−
ジイル、ピリミジン−2,5−ジイル、ピリダジン−
3,6−ジイル、1,3−ジオキサン−2,5−ジイ
ル、または1,4−フェニレンであり、これらの環にお
いて任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよく;Z
1、Z2およびZ3は独立して単結合、−(CH2)2−、
−(CH2)4−、−COO−、−OCO−、−CH2O
−、−OCH2−、−CF2O−、−OCF2−、−CF
=CF−、−CH=CH−、または−C≡C−であり;
mおよびnは独立して0または1である。) - 【請求項2】mが0であり、nが0である請求項1に記
載の液晶性化合物。 - 【請求項3】mが1であり、nが0である請求項1に記
載の液晶性化合物。 - 【請求項4】mが1であり、nが1である請求項1に記
載の液晶性化合物。 - 【請求項5】RaおよびRbがアルキル、アルコキシま
たはアルケニルである請求項1〜4のいずれか1項に記
載の液晶性化合物。 - 【請求項6】Z1、Z2およびZ3が独立して単結合、−
(CH2)2−、−(CH2)4−、−CF2O−、または
−OCF2−である請求項5に記載の液晶性化合物。 - 【請求項7】Z1、Z2およびZ3の少なくとも1つが−
CF2O−である請求項6に記載の液晶性化合物。 - 【請求項8】請求項1〜7のいずれか1項に記載の液晶
性化合物を少なくとも1つ含有する液晶組成物。 - 【請求項9】第一成分として、請求項1〜7のいずれか
1項に記載の液晶性化合物を少なくとも1つ含有し、第
二成分として、式(3)、(4)および(5)で表され
る化合物群から選択される化合物を少なくとも1つ含有
する液晶組成物。 (式中、R1は炭素数1〜10のアルキルであり、この
アルキルにおいて隣接しない任意の−CH2−は−O−
または−CH=CH−で置き換えられてもよく、このア
ルキルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられても
よく;X1はフッ素、塩素、−OCF3、−OCF2H、−
CF3、−CF2H、−CFH2、−OCF2CF2H、また
は−OCF2CFHCF3であり;L1およびL2は独立し
て水素またはフッ素であり;Z4およびZ5は独立して−
(CH2)2−、−(CH2)4−、−COO−、−CF2O
−、−OCF2−、−CH=CH−、または単結合であ
り;環Aおよび環Bは独立してトランス−シクロヘキシ
サン−1,4−ジイル、トランス−1,3−ジオキサン
−2,5−ジイル、またはフッ素で置き換えられてもよ
い1,4−フェニレンであり;環Cはトランス−シクロ
ヘキサン−1,4−ジイルまたはフッ素で置き換えられ
てもよい1,4−フェニレンである。) - 【請求項10】第一成分として、請求項1〜7のいずれ
か1項に記載の液晶性化合物を少なくとも1つ含有し、
第二成分として、式(6)および(7)で表される化合
物群から選択される化合物を少なくとも1つ含有する液
晶組成物。 (式中、R2およびR3は独立して炭素数1〜10のアル
キルであり、このアルキルにおいて隣接しない任意の−
CH2−は、−O−または−CH=CH−で置き換えら
れてもよく、このアルキルにおいて任意の水素はフッ素
で置き換えられてもよく;X2は−CNまたは−C≡C
−CNであり;環Dはトランス−シクロヘキサン−1,
4−ジイル、1,4−フェニレン、トランス−1,3−
ジオキサン−2,5−ジイル、またはピリミジン−2,
5−ジイルであり;環Eはトランス−シクロヘキサン−
1,4−ジイル、水素をフッ素で置き換えられてもよい
1,4−フェニレン、またはピリミジン−2,5−ジイ
ルであり;環Fはトランス−シクロヘキサン−1,4−
ジイルまたは1,4−フェニレンであり;Z6は−(C
H2)2−、−COO−、−CF2O−、−OCF2−また
は単結合であり;L3、L4およびL5は独立して水素ま
たはフッ素であり;b、cおよびdは独立して0または
1である。) - 【請求項11】第一成分として、請求項1〜7のいずれ
か1項に記載の液晶性化合物を少なくとも1つ含有し、
第二成分として、式(8)、(9)および(10)で表
される化合物群から選択される化合物を少なくとも1つ
含有する液晶組成物。 (式中、R4およびR5は独立して炭素数1〜10のアル
キルであり、このアルキルにおいて隣接しない任意の−
CH2−は、−O−または−CH=CH−で置き換えら
れてもよく、このアルキルにおいて任意の水素はフッ素
で置き換えられてもよく;環Gおよび環Iは独立してト
ランス−シクロヘキサン−1,4−ジイルまたは1,4
−フェニレンであり;L6およびL7は独立して水素また
はフッ素であるが、L6およびL7の少なくとも1つはフ
ッ素であり;Z7およびZ8は独立して−(CH2)2−、
−COO−または単結合である。) - 【請求項12】第一成分として、請求項1〜7のいずれ
か1項に記載の液晶性化合物を少なくとも1つ含有し、
第二成分として、請求項9に記載の式(3)、(4)お
よび(5)で表される化合物群から選択される化合物を
少なくとも1つ含有し、第三成分として、式(11)、
(12)および(13)で表される化合物群から選択さ
れる化合物を少なくとも1つ含有する液晶組成物。 (式中、R6およびR7は独立して炭素数1〜10のアル
キルであり、このアルキルにおいて隣接しない任意の−
CH2−は−O−または−CH=CH−で置き換えられ
てもよく、このアルキルにおいて任意の水素はフッ素で
置き換えられてもよく;環J、環Kおよび環Mは独立し
てトランス−シクロヘキサン−1,4−ジイル、ピリミ
ジン−2,5−ジイルまたはフッ素で置き換えられても
よい1,4−フェニレンであり;Z9およびZ10は独立
して−C≡C−、−COO−、−(CH2)2−、−CH
=CH−、または単結合である。) - 【請求項13】第一成分として、請求項1〜7のいずれ
か1項に記載の液晶性化合物を少なくとも1つ含有し、
第二成分として、請求項11に記載の式(8)、(9)
および(10)で表される化合物群から選択される化合
物を少なくとも1つ含有し、第三成分として、請求項1
2に記載の式(11)、(12)および(13)で表さ
れる化合物群から選択される化合物を少なくとも1つ含
有する液晶組成物。 - 【請求項14】式(1b−1−1)で表される化合物を
少なくとも1つ、式(8−1−1)で表される化合物を
少なくとも1つ、式(8−3−1)で表される化合物を
少なくとも1つ、式(9−1−1)で表される化合物を
少なくとも1つ、式(9−1−2)で表される化合物を
少なくとも1つ、式(11−1−1)で表される化合物
を少なくとも1つ、および式(11−5−1)で表され
る化合物を少なくとも1つ含有する液晶組成物。 (式中、Rc、Rd、R8、R9、およびR10は独立して
炭素数1〜10のアルキルであり、R11は炭素数1〜9
のアルキルである。) - 【請求項15】第一成分として、請求項1〜7のいずれ
か1項に記載の液晶性化合物を少なくとも1つ含有し、
第二成分として、請求項9に記載の式(3)、(4)お
よび(5)で表される化合物群から選択される化合物を
少なくとも1つ含有し、第三成分として、請求項11に
記載の式(8)、(9)および(10)で表される化合
物群から選択される化合物を少なくとも1つ含有する液
晶組成物。 - 【請求項16】第一成分として、請求項1〜7のいずれ
か1項に記載の液晶性化合物を少なくとも1つ含有し、
第二成分として、請求項9に記載の式(3)、(4)お
よび(5)で表される化合物群から選択される化合物を
少なくとも1つ含有し、第三成分として、請求項10に
記載の式(6)および(7)で表される化合物群から選
択される化合物を少なくとも1つ含有し、第四成分とし
て、請求項11に記載の式(8)、(9)および(1
0)で表される化合物群から選択される化合物を少なく
とも1つ含有する液晶組成物。 - 【請求項17】請求項8〜16のいずれか1項に記載の
液晶組成物に、さらに少なくとも1つの光学活性化合物
を添加した液晶組成物。 - 【請求項18】請求項8〜17のいずれか1項に記載の
液晶組成物を含有する液晶表示素子。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2005000832A1 (ja) * | 2003-06-25 | 2006-08-03 | 日産化学工業株式会社 | 1,4−ベンゾジオキサンスルホン酸化合物及び電子受容性物質としての利用 |
JP2006199941A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-08-03 | Chisso Corp | クロマン環を有する化合物を含有する液晶組成物 |
US7157124B2 (en) * | 2003-01-06 | 2007-01-02 | Chisso Petrochemical Corporation | Polymerizable compounds and their polymers |
US8568839B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-10-29 | Fujifilm Corporation | Liquid crystal composition and retardation film |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4747254B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2011-08-17 | Jnc株式会社 | 液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07149742A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-06-13 | Rhone Poulenc Agriculture Ltd | 除草剤 |
WO1997036847A1 (fr) * | 1996-04-02 | 1997-10-09 | Chisso Corporation | Composes de cristaux liquides, compositions de cristaux liquides contenant ces composes et dispositifs d'affichage a cristaux liquides fabriques au moyen de ces compositions |
JPH10204016A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-08-04 | Chisso Corp | ポリハロアルキルエーテル誘導体とそれらを含む液晶組成物及び液晶表示素子 |
JP2001114722A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-24 | Chisso Corp | 分岐メチル基を有する液晶性化合物、液晶組成物及び液晶表示素子 |
-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002096782A patent/JP4144237B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07149742A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-06-13 | Rhone Poulenc Agriculture Ltd | 除草剤 |
WO1997036847A1 (fr) * | 1996-04-02 | 1997-10-09 | Chisso Corporation | Composes de cristaux liquides, compositions de cristaux liquides contenant ces composes et dispositifs d'affichage a cristaux liquides fabriques au moyen de ces compositions |
JPH10204016A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-08-04 | Chisso Corp | ポリハロアルキルエーテル誘導体とそれらを含む液晶組成物及び液晶表示素子 |
JP2001114722A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-24 | Chisso Corp | 分岐メチル基を有する液晶性化合物、液晶組成物及び液晶表示素子 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
MSAYIB, K., ET AL., J. MATER. CHEM., vol. 11(11), JPN6008024922, pages 2784 - 2789, ISSN: 0001048832 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7157124B2 (en) * | 2003-01-06 | 2007-01-02 | Chisso Petrochemical Corporation | Polymerizable compounds and their polymers |
JPWO2005000832A1 (ja) * | 2003-06-25 | 2006-08-03 | 日産化学工業株式会社 | 1,4−ベンゾジオキサンスルホン酸化合物及び電子受容性物質としての利用 |
JP4596165B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2010-12-08 | 日産化学工業株式会社 | 1,4−ベンゾジオキサンスルホン酸化合物及び電子受容性物質としての利用 |
JP2006199941A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-08-03 | Chisso Corp | クロマン環を有する化合物を含有する液晶組成物 |
US8568839B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-10-29 | Fujifilm Corporation | Liquid crystal composition and retardation film |
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Publication number | Publication date |
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