JP2003124505A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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- JP2003124505A JP2003124505A JP2001312203A JP2001312203A JP2003124505A JP 2003124505 A JP2003124505 A JP 2003124505A JP 2001312203 A JP2001312203 A JP 2001312203A JP 2001312203 A JP2001312203 A JP 2001312203A JP 2003124505 A JP2003124505 A JP 2003124505A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】特に緑色から黄色領域で発光する高出力でしか
も長寿命な発光ダイオードを提供すること。 【解決手段】ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の厚
さを有するＡｌＩｎＰ層４と、ド・ブロイ波長以下で分
子層の整数倍の厚さを有するＧａＩｎＰ層５を交互に積
層した多層膜により、擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層６を構成
する。隣接するＡｌＩｎＰ層４とＧａＩｎＰ層５の膜厚
は膜厚方向に不規則にする。
も長寿命な発光ダイオードを提供すること。 【解決手段】ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の厚
さを有するＡｌＩｎＰ層４と、ド・ブロイ波長以下で分
子層の整数倍の厚さを有するＧａＩｎＰ層５を交互に積
層した多層膜により、擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層６を構成
する。隣接するＡｌＩｎＰ層４とＧａＩｎＰ層５の膜厚
は膜厚方向に不規則にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光効率が高く長
寿命である発光ダイオードに関するものである。
寿命である発光ダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード（ＬＥＤ）は各種表示用
光源として広く用いられている。特に屋外ディスプレイ
や交通信号用光源としてのＬＥＤには、高出力で信頼性
が高く、しかも安価であることが求められている。この
中でも緑色から黄色といった、０．６μｍよりも波長の
短い領域では、従来高輝度化が困難な状況にあり、高輝
度ＬＥＤの開発が望まれている。
光源として広く用いられている。特に屋外ディスプレイ
や交通信号用光源としてのＬＥＤには、高出力で信頼性
が高く、しかも安価であることが求められている。この
中でも緑色から黄色といった、０．６μｍよりも波長の
短い領域では、従来高輝度化が困難な状況にあり、高輝
度ＬＥＤの開発が望まれている。
【０００３】ＬＥＤを高出力とするためには、(i) 活性
層の上部に位置するウインドウ層（電流拡散層）を厚膜
化する、(ii) 活性層を量子井戸構造とする、(iii) 電
流狭窄層を設置する等の手法が採られる。
層の上部に位置するウインドウ層（電流拡散層）を厚膜
化する、(ii) 活性層を量子井戸構造とする、(iii) 電
流狭窄層を設置する等の手法が採られる。
【０００４】ウインドウ層の材料としては、例えば特開
平３−１７１６７９号公報に開示されているようにＡｌ
ＧａＡｓが広く用いられているが、発光波長を短波長化
するに従い、ＡｌＧａＡｓ層での光吸収が無視できなく
なり、厚膜化するだけでは特に緑色から黄色領域で発光
する高効率ＬＥＤを製造できないという問題があった。
一方、米国特許第５００８７１８号明細書に開示されて
いるように、ウインドウ層の材料としＧａＰを用いる方
法があるが、基板との格子不整合が大きいため長寿命の
発光素子を製造することが困難であり、またＡｌＧａＩ
ｎＰ系材料とＧａＰのバンド不連続によって動作電圧が
高くなるという問題があった。
平３−１７１６７９号公報に開示されているようにＡｌ
ＧａＡｓが広く用いられているが、発光波長を短波長化
するに従い、ＡｌＧａＡｓ層での光吸収が無視できなく
なり、厚膜化するだけでは特に緑色から黄色領域で発光
する高効率ＬＥＤを製造できないという問題があった。
一方、米国特許第５００８７１８号明細書に開示されて
いるように、ウインドウ層の材料としＧａＰを用いる方
法があるが、基板との格子不整合が大きいため長寿命の
発光素子を製造することが困難であり、またＡｌＧａＩ
ｎＰ系材料とＧａＰのバンド不連続によって動作電圧が
高くなるという問題があった。
【０００５】次に、活性層を量子井戸構造とする場合
は、例えばジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジックス第３４巻Ｌ１４５８に開示されている
ように、低動作電流時の効率は改善されたものの、高動
作電流時にはダブルヘテロ構造と同程度の発光出力が得
られただけであった。
は、例えばジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジックス第３４巻Ｌ１４５８に開示されている
ように、低動作電流時の効率は改善されたものの、高動
作電流時にはダブルヘテロ構造と同程度の発光出力が得
られただけであった。
【０００６】更に、電流狭窄層を設置する場合は、少な
くとも２回の結晶成長を行う必要があるため、安価で製
造するのが難しいという問題がある。
くとも２回の結晶成長を行う必要があるため、安価で製
造するのが難しいという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
ＬＥＤにおいては、ウインドウ層を厚膜化した場合で
も、短波長化を進めると発光効率が著しく低下し、緑色
から黄色領域で強く発光させることができないという問
題があった。また活性層に多量子井戸構造を採用した場
合も、高動作電流時の発光効率が低いという問題点があ
った。さらに電流狭窄層を設ける手法の場合は、生産性
が低下するという問題を伴う。
ＬＥＤにおいては、ウインドウ層を厚膜化した場合で
も、短波長化を進めると発光効率が著しく低下し、緑色
から黄色領域で強く発光させることができないという問
題があった。また活性層に多量子井戸構造を採用した場
合も、高動作電流時の発光効率が低いという問題点があ
った。さらに電流狭窄層を設ける手法の場合は、生産性
が低下するという問題を伴う。
【０００８】一方、例えばジャーナル・オブ・クリスタ
ル・グロウス第１１５巻４９０頁に開示されているよう
に、二元化合物半導体（ＧａＡｓ及びＡｌＡｓ）の超薄
膜の積層構造によって発光強度が大幅に増加することが
知られているが、ＧａＡｓ及びＡｌＡｓの多層構造では
赤色の発光を得ることができるものの、緑色から黄色領
域での発光を得ることはできなかった。
ル・グロウス第１１５巻４９０頁に開示されているよう
に、二元化合物半導体（ＧａＡｓ及びＡｌＡｓ）の超薄
膜の積層構造によって発光強度が大幅に増加することが
知られているが、ＧａＡｓ及びＡｌＡｓの多層構造では
赤色の発光を得ることができるものの、緑色から黄色領
域での発光を得ることはできなかった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記したような
従来の欠点を除去し、特に緑色から黄色領域で発光する
高出力でしかも長寿命な発光ダイオードを提供すること
にある。
従来の欠点を除去し、特に緑色から黄色領域で発光する
高出力でしかも長寿命な発光ダイオードを提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記欠点を解消
するためになされたものであり、特に緑色から黄色領域
で高発光効率を有し安価なＬＥＤを得ることを目的とし
ている。このため本発明では、例えば有機金属化合物気
相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ法）によって、す
べてのＬＥＤ構成層を形成し、活性層をＡｌＩｎＰとＧ
ａＩｎＰの超格子構造からなる擬ＡｌＧａＩｎＰ混晶と
することにより目的を達成させることとした。本発明は
具体的には次のように構成したものである。
するためになされたものであり、特に緑色から黄色領域
で高発光効率を有し安価なＬＥＤを得ることを目的とし
ている。このため本発明では、例えば有機金属化合物気
相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ法）によって、す
べてのＬＥＤ構成層を形成し、活性層をＡｌＩｎＰとＧ
ａＩｎＰの超格子構造からなる擬ＡｌＧａＩｎＰ混晶と
することにより目的を達成させることとした。本発明は
具体的には次のように構成したものである。
【００１１】請求項１の発明に係る発光ダイオードは、
ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の厚さを有するＡ
ｌＩｎＰ層と、ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の
厚さを有するＧａＩｎＰ層を交互に積層した多層膜を活
性層の一つとしたことを特徴とする。本発明によれば、
上記多層膜による超格子構造の採用により、特に緑色か
ら黄色領域で高発光効率を有し安価なＬＥＤを得ること
ができる。
ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の厚さを有するＡ
ｌＩｎＰ層と、ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の
厚さを有するＧａＩｎＰ層を交互に積層した多層膜を活
性層の一つとしたことを特徴とする。本発明によれば、
上記多層膜による超格子構造の採用により、特に緑色か
ら黄色領域で高発光効率を有し安価なＬＥＤを得ること
ができる。
【００１２】請求項２の発明は、請求項１記載の発光ダ
イオードにおいて、隣接するＡｌＩｎＰ層とＧａＩｎＰ
層の膜厚の比が、膜厚方向に対し一様でないことを特徴
とする。この特徴によれば、活性層は不規則超格子とな
り、層厚不規則による量子効果が人工的に導入され、隣
接するＡｌＩｎＰ層とＧａＩｎＰ層の膜厚の比が膜厚方
向に対し一様な場合に較べ、高い発光効率を得ることが
できる（図４参照）。
イオードにおいて、隣接するＡｌＩｎＰ層とＧａＩｎＰ
層の膜厚の比が、膜厚方向に対し一様でないことを特徴
とする。この特徴によれば、活性層は不規則超格子とな
り、層厚不規則による量子効果が人工的に導入され、隣
接するＡｌＩｎＰ層とＧａＩｎＰ層の膜厚の比が膜厚方
向に対し一様な場合に較べ、高い発光効率を得ることが
できる（図４参照）。
【００１３】請求項３の発明は、請求項１記載の発光ダ
イオードにおいて、前記活性層がＧａＡｓ基板又はＧｅ
基板上に配置されており、前記活性層を構成するＡｌＩ
ｎＰ層及びＧａＩｎＰ層の格子不整合度がＧａＡｓ基板
又はＧｅ基板に対し−０．１％以上＋０．１％以下であ
ることを特徴とする。この特徴によれば、より高い発光
強度の発光ダイオードを得ることができる。これは格子
整合度が−０．１％から＋０．１％の範囲を超えると、
急激に発光出力が低下するためである（図５参照）。
イオードにおいて、前記活性層がＧａＡｓ基板又はＧｅ
基板上に配置されており、前記活性層を構成するＡｌＩ
ｎＰ層及びＧａＩｎＰ層の格子不整合度がＧａＡｓ基板
又はＧｅ基板に対し−０．１％以上＋０．１％以下であ
ることを特徴とする。この特徴によれば、より高い発光
強度の発光ダイオードを得ることができる。これは格子
整合度が−０．１％から＋０．１％の範囲を超えると、
急激に発光出力が低下するためである（図５参照）。
【００１４】請求項４の発明は、請求項１、２又は３記
載の発光ダイオードにおいて、前記活性層を構成するす
べてのＡｌＩｎＰ層の合計膜厚Ａと、前記活性層を構成
するすべてのＧａＩｎＰ層の合計膜厚Ｂが、０．１＜Ａ
／（Ａ＋Ｂ）＜０．６の関係を満たすことを特徴とす
る。
載の発光ダイオードにおいて、前記活性層を構成するす
べてのＡｌＩｎＰ層の合計膜厚Ａと、前記活性層を構成
するすべてのＧａＩｎＰ層の合計膜厚Ｂが、０．１＜Ａ
／（Ａ＋Ｂ）＜０．６の関係を満たすことを特徴とす
る。
【００１５】この特徴において、Ａ／（Ａ＋Ｂ）は、通
常のＡｌＧａＩｎＰ混晶の組成と同等の物理量とみなす
ことができる。このときＧａＡｓ基板またはＧｅ基板と
の格子整合度が−０．１％以上、且つ＋０．１％以下の
ＡｌＧａＩｎＰ混晶のバンドギャップと発光波長との関
係から、０．１＜Ａ／（Ａ＋Ｂ）＜０．６とすることに
よって、緑色から黄色領域で高効率で発光するＬＥＤに
適した活性層を形成することができる。
常のＡｌＧａＩｎＰ混晶の組成と同等の物理量とみなす
ことができる。このときＧａＡｓ基板またはＧｅ基板と
の格子整合度が−０．１％以上、且つ＋０．１％以下の
ＡｌＧａＩｎＰ混晶のバンドギャップと発光波長との関
係から、０．１＜Ａ／（Ａ＋Ｂ）＜０．６とすることに
よって、緑色から黄色領域で高効率で発光するＬＥＤに
適した活性層を形成することができる。
【００１６】請求項５の発明は、請求項１、２、３又は
４記載の発光ダイオードにおいて、前記活性層の上側及
び下側に、活性層の発光波長に対し透明な組成を有する
ＡｌＧａＩｎＰ層が配置されていることを特徴とする。
この特徴によれば、活性層の上側及び下側にＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層を有するダブルへテロ構造となるので、
光の取り出し効率が向上する。
４記載の発光ダイオードにおいて、前記活性層の上側及
び下側に、活性層の発光波長に対し透明な組成を有する
ＡｌＧａＩｎＰ層が配置されていることを特徴とする。
この特徴によれば、活性層の上側及び下側にＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層を有するダブルへテロ構造となるので、
光の取り出し効率が向上する。
【００１７】請求項６の発明は、請求項１、２、３、４
又は５記載の発光ダイオードにおいて、前記活性層が、
ＡｌＩｎＰ層とＧａＩｎＰ層を、２分子層を有するも
の、４分子層を有するもの、８分子層を有するものを、
ランダムに組み合わせ、所要対の厚さだけ積層して形成
した擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層から成ることを特徴とす
る。積層する所要対の厚さは、例えば単分子層換算で２
００対分の厚さであり、これにより特に緑色から黄色領
域で高発光効率を有する発光ダイオードを得ることがで
きる。
又は５記載の発光ダイオードにおいて、前記活性層が、
ＡｌＩｎＰ層とＧａＩｎＰ層を、２分子層を有するも
の、４分子層を有するもの、８分子層を有するものを、
ランダムに組み合わせ、所要対の厚さだけ積層して形成
した擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層から成ることを特徴とす
る。積層する所要対の厚さは、例えば単分子層換算で２
００対分の厚さであり、これにより特に緑色から黄色領
域で高発光効率を有する発光ダイオードを得ることがで
きる。
【００１８】請求項７の発明は、請求項１、２、３、４
又は５記載の発光ダイオードにおいて、前記活性層が数
分子層以下の超薄膜の多層膜から形成した擬ＡｌＧａＩ
ｎＰ活性層から成ることを特徴とする。このように活性
層を数分子層以下の超薄膜の多層膜にすることによって
基板やウインドウ層及び樹脂から受ける応力による劣化
が緩和され、長寿命化が達成される。
又は５記載の発光ダイオードにおいて、前記活性層が数
分子層以下の超薄膜の多層膜から形成した擬ＡｌＧａＩ
ｎＰ活性層から成ることを特徴とする。このように活性
層を数分子層以下の超薄膜の多層膜にすることによって
基板やウインドウ層及び樹脂から受ける応力による劣化
が緩和され、長寿命化が達成される。
【００１９】請求項８の発明は、請求項７記載の発光ダ
イオードにおいて、前記活性層が、２分子層の膜厚を有
するＡｌＩｎＰ層と、２分子層の膜厚を有するＧａＩｎ
Ｐ層を交互に所要対だけ積層して形成したことを特徴と
する。積層する所要対の厚さは、例えば２００対分であ
り、これにより特に緑色から黄色領域で高発光効率を有
するＬＥＤを得ることができる。
イオードにおいて、前記活性層が、２分子層の膜厚を有
するＡｌＩｎＰ層と、２分子層の膜厚を有するＧａＩｎ
Ｐ層を交互に所要対だけ積層して形成したことを特徴と
する。積層する所要対の厚さは、例えば２００対分であ
り、これにより特に緑色から黄色領域で高発光効率を有
するＬＥＤを得ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図１に示す実施の
形態に基づいて説明する。
形態に基づいて説明する。
【００２１】まず、基板１としては、発光領域との電気
的接触が得られ、ＬＥＤ構成層の結晶品質に悪影響を与
えない基板であれば特に制限はない。以下ＧａＡｓ基板
（ＧａＡｓ単結晶基板）を用いた例を掲げる。基板１の
面方位は、ドーピング効率の見地から基本的に（１０
０）から２°〜２０°程度傾斜させた面方位を用いる
が、特に制限はなく、その他の面方位を有する基板につ
いても使用可能である。
的接触が得られ、ＬＥＤ構成層の結晶品質に悪影響を与
えない基板であれば特に制限はない。以下ＧａＡｓ基板
（ＧａＡｓ単結晶基板）を用いた例を掲げる。基板１の
面方位は、ドーピング効率の見地から基本的に（１０
０）から２°〜２０°程度傾斜させた面方位を用いる
が、特に制限はなく、その他の面方位を有する基板につ
いても使用可能である。
【００２２】基板１の上には、基板からの結晶欠陥の影
響を排除するため、ＧａＡｓのバッファー層２を堆積さ
せる。厚さは、０．１〜１μｍとすることが一般的であ
り、ＧａＡｓ基板１と同一の導電性を有するようにドー
ピングを行う。さらに、発光層からの放射光を反射させ
るために、基板と同一の電気導電性（導電型）を有し、
基板と格子整合する結晶材料を用いた、分布ブラッグ反
射器を挿入してもよい。
響を排除するため、ＧａＡｓのバッファー層２を堆積さ
せる。厚さは、０．１〜１μｍとすることが一般的であ
り、ＧａＡｓ基板１と同一の導電性を有するようにドー
ピングを行う。さらに、発光層からの放射光を反射させ
るために、基板と同一の電気導電性（導電型）を有し、
基板と格子整合する結晶材料を用いた、分布ブラッグ反
射器を挿入してもよい。
【００２３】次に（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰからなる
第１のクラッド層（ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層）３
及び擬（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰからなる活性層（擬
ＡｌＧａＩｎＰ活性層）６を形成する。良質の結晶を育
成するために０≦ｘ≦１、０．４７≦ｙ≦０．５７と
し、ＧａＡｓ基板１と格子整合するようにｘ、ｙを選
ぶ。
第１のクラッド層（ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層）３
及び擬（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰからなる活性層（擬
ＡｌＧａＩｎＰ活性層）６を形成する。良質の結晶を育
成するために０≦ｘ≦１、０．４７≦ｙ≦０．５７と
し、ＧａＡｓ基板１と格子整合するようにｘ、ｙを選
ぶ。
【００２４】第１のクラッド層３は基板１と同一の電気
導電性を有するクラッド層として形成する。なお、分布
ブラッグ反射器を設けた場合は、その上に、基板と同一
の電気導電性を有する第１のクラッド層３を形成する。
第１のクラッド層３の組成は、キャリアの溢れ出しが発
光効率の低下をもたらさないよう、活性層６の実質的な
バンドギャップよりも大きい値となるように選ぶ。第１
のクラッド層３の膜厚は、活性層６からのキャリアがト
ンネリングしない程度の厚さを選ぶ。
導電性を有するクラッド層として形成する。なお、分布
ブラッグ反射器を設けた場合は、その上に、基板と同一
の電気導電性を有する第１のクラッド層３を形成する。
第１のクラッド層３の組成は、キャリアの溢れ出しが発
光効率の低下をもたらさないよう、活性層６の実質的な
バンドギャップよりも大きい値となるように選ぶ。第１
のクラッド層３の膜厚は、活性層６からのキャリアがト
ンネリングしない程度の厚さを選ぶ。
【００２５】第１のクラッド層（下部クラッド層）３を
形成したのち活性層６を形成する。すなわち、ド・ブロ
イ波長以下で分子層の整数倍の厚さを有するＡｌＩｎＰ
層４と、ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の厚さを
有するＧａＩｎＰ層５を交互に積層した多層膜を形成
し、この超格子を活性層６とする。ここで、活性層部分
のＡｌＩｎＰ層４とＧａＩｎＰ層５は、図２に示すよう
に、ａ分子層を有するもの、ｂ分子層を有するもの、ｃ
分子層を有するもの、…ｅ分子層を有するものが、ラン
ダムに組み合わせられ、単分子層換算で所望の対分の厚
さだけ積層して擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層６が形成され
る。
形成したのち活性層６を形成する。すなわち、ド・ブロ
イ波長以下で分子層の整数倍の厚さを有するＡｌＩｎＰ
層４と、ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の厚さを
有するＧａＩｎＰ層５を交互に積層した多層膜を形成
し、この超格子を活性層６とする。ここで、活性層部分
のＡｌＩｎＰ層４とＧａＩｎＰ層５は、図２に示すよう
に、ａ分子層を有するもの、ｂ分子層を有するもの、ｃ
分子層を有するもの、…ｅ分子層を有するものが、ラン
ダムに組み合わせられ、単分子層換算で所望の対分の厚
さだけ積層して擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層６が形成され
る。
【００２６】当該活性層６を構成するすべてのＡｌＩｎ
Ｐ層４の合計膜厚をＡとし、当該活性層を構成するすべ
てのＧａＩｎＰ層５の合計膜厚をＢとしたとき、Ａ／
（Ａ＋Ｂ）の比を適当に選ぶことにより、当該活性層６
の実質的なバンドギャップを定めることができる。当該
活性層６は微視的にはＡｌＩｎＰとＧａＩｎＰの多層構
造によって構成されているが、巨視的観点からはＡ／
（Ａ＋Ｂ）の比に応じた組成を有する擬ＡｌＧａＩｎＰ
混晶とみなすことができる。なおＡｌＩｎＰ層４及びＧ
ａＩｎＰ層５の膜厚がド・ブロイ波長を越える場合は量
子効果が薄れるため、擬ＡｌＧａＩｎＰ混晶とみなせな
くなる。また膜厚を分子層の整数倍とすることにより、
量子効果を強め発光効率を上昇させることができる。
Ｐ層４の合計膜厚をＡとし、当該活性層を構成するすべ
てのＧａＩｎＰ層５の合計膜厚をＢとしたとき、Ａ／
（Ａ＋Ｂ）の比を適当に選ぶことにより、当該活性層６
の実質的なバンドギャップを定めることができる。当該
活性層６は微視的にはＡｌＩｎＰとＧａＩｎＰの多層構
造によって構成されているが、巨視的観点からはＡ／
（Ａ＋Ｂ）の比に応じた組成を有する擬ＡｌＧａＩｎＰ
混晶とみなすことができる。なおＡｌＩｎＰ層４及びＧ
ａＩｎＰ層５の膜厚がド・ブロイ波長を越える場合は量
子効果が薄れるため、擬ＡｌＧａＩｎＰ混晶とみなせな
くなる。また膜厚を分子層の整数倍とすることにより、
量子効果を強め発光効率を上昇させることができる。
【００２７】図３に、Ａ／（Ａ＋Ｂ）とフォトリフレク
タンスによって測定されたバンドギャップ［ｅＶ］（室
温）の関係を示す。Ａ／（Ａ＋Ｂ）の比に応じた組成を
有する擬ＡｌＧａＩｎＰ混晶とみなすことができること
が分かる。
タンスによって測定されたバンドギャップ［ｅＶ］（室
温）の関係を示す。Ａ／（Ａ＋Ｂ）の比に応じた組成を
有する擬ＡｌＧａＩｎＰ混晶とみなすことができること
が分かる。
【００２８】また図４に、前記擬ＡｌＧａＩｎＰ混晶及
びこれと同一の組成を有するＡｌＧａＩｎＰ混晶につい
て、そのフォトルミネッセンス強度の比較を示す。横軸
は資料温度［Ｋ］、縦軸はフォトルミネッセンス強度
［ａ．ｕ．］であり、単位は例えば「１Ｅ−０２」で１
×１０-2を表す。黒三角印のドットによる曲線Ａが擬Ａ
ｌＧａＩｎＰ混晶（ランダム）の場合を、また黒四角印
のドットによる曲線Ｂが擬ＡｌＧａＩｎＰ混晶の場合
を、そして白四角印のドットによる曲線ＣがＡｌＧａＩ
ｎＰ混晶の場合を示す。図４から、擬ＡｌＧａＩｎＰ混
晶（曲線Ａ、Ｂ）の場合は、これと同一の組成を有する
ＡｌＧａＩｎＰ混晶（曲線Ｃ）の場合よりも、フォトル
ミネッセンス強度が高いことが分かる。特にＡ／（Ａ＋
Ｂ）を所定の値に保ったまま、隣接したＡｌＩｎＰとＧ
ａＩｎＰの膜厚比を膜厚方向に意図的にランダムにした
曲線Ａの場合、つまり擬ＡｌＧａＩｎＰ混晶（ランダ
ム）の場合は、非常に強い発光強度が得られた。
びこれと同一の組成を有するＡｌＧａＩｎＰ混晶につい
て、そのフォトルミネッセンス強度の比較を示す。横軸
は資料温度［Ｋ］、縦軸はフォトルミネッセンス強度
［ａ．ｕ．］であり、単位は例えば「１Ｅ−０２」で１
×１０-2を表す。黒三角印のドットによる曲線Ａが擬Ａ
ｌＧａＩｎＰ混晶（ランダム）の場合を、また黒四角印
のドットによる曲線Ｂが擬ＡｌＧａＩｎＰ混晶の場合
を、そして白四角印のドットによる曲線ＣがＡｌＧａＩ
ｎＰ混晶の場合を示す。図４から、擬ＡｌＧａＩｎＰ混
晶（曲線Ａ、Ｂ）の場合は、これと同一の組成を有する
ＡｌＧａＩｎＰ混晶（曲線Ｃ）の場合よりも、フォトル
ミネッセンス強度が高いことが分かる。特にＡ／（Ａ＋
Ｂ）を所定の値に保ったまま、隣接したＡｌＩｎＰとＧ
ａＩｎＰの膜厚比を膜厚方向に意図的にランダムにした
曲線Ａの場合、つまり擬ＡｌＧａＩｎＰ混晶（ランダ
ム）の場合は、非常に強い発光強度が得られた。
【００２９】上記図４が示すように、前記擬ＡｌＧａＩ
ｎＰ混晶は同一の組成を有するＡｌＧａＩｎＰ混晶より
も発光効率が高いという特徴を有するため、ＬＥＤの活
性層として使用した場合は内部量子効率の高いＬＥＤを
形成することができる。なお個々のＡｌＩｎＰ、ＧａＩ
ｎＰの膜厚を分子層の非整数倍とした場合は、発光強度
は低下した。このためこれらの厚さはド・ブロイ波長以
下でしかも分子層の整数倍とすることが必要である。
ｎＰ混晶は同一の組成を有するＡｌＧａＩｎＰ混晶より
も発光効率が高いという特徴を有するため、ＬＥＤの活
性層として使用した場合は内部量子効率の高いＬＥＤを
形成することができる。なお個々のＡｌＩｎＰ、ＧａＩ
ｎＰの膜厚を分子層の非整数倍とした場合は、発光強度
は低下した。このためこれらの厚さはド・ブロイ波長以
下でしかも分子層の整数倍とすることが必要である。
【００３０】上記活性層は２つ以上としてもよく、その
場合は発光波長に対し透明なＡｌＧａＩｎＰ層を両者の
間に配置する。
場合は発光波長に対し透明なＡｌＧａＩｎＰ層を両者の
間に配置する。
【００３１】上記第１のクラッド層（ＡｌＧａＩｎＰ下
部クラッド層）３及び活性層６を形成後、基板１と異な
る導電性を有する（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰからなる
第２のクラッド層（ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層）７
を形成する。この上部クラッド層の組成、膜厚は、上記
下部クラッド層と同様な方法で決定する。
部クラッド層）３及び活性層６を形成後、基板１と異な
る導電性を有する（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰからなる
第２のクラッド層（ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層）７
を形成する。この上部クラッド層の組成、膜厚は、上記
下部クラッド層と同様な方法で決定する。
【００３２】次に、必要に応じて上部クラッド層上にウ
インドウ層８を形成する。ウインドウ層８は活性層（発
光層）６からの放射光に対し透明で、しかも上部クラッ
ド層よりも低抵抗な材料で形成する。ウインドウ層８上
には必要に応じコンタクト層を形成する。
インドウ層８を形成する。ウインドウ層８は活性層（発
光層）６からの放射光に対し透明で、しかも上部クラッ
ド層よりも低抵抗な材料で形成する。ウインドウ層８上
には必要に応じコンタクト層を形成する。
【００３３】以上のＬＥＤ構造は、１回の結晶成長で形
成することが可能であることから、安価に製造すること
が可能であり、擬ＡｌＧａＩｎＰ混晶を活性層６として
用いることによって、従来のダブルヘテロ構造からなる
ＬＥＤよりも内部量子効率を高くすることができる。
成することが可能であることから、安価に製造すること
が可能であり、擬ＡｌＧａＩｎＰ混晶を活性層６として
用いることによって、従来のダブルヘテロ構造からなる
ＬＥＤよりも内部量子効率を高くすることができる。
【００３４】このようにして形成されたＬＥＤエピタキ
シャルウェハの基板側と上部クラッド層側に、それぞれ
電極９、１０を形成し、ダイシングを経てＬＥＤチップ
を作製、実装する。
シャルウェハの基板側と上部クラッド層側に、それぞれ
電極９、１０を形成し、ダイシングを経てＬＥＤチップ
を作製、実装する。
【００３５】ここで最適な格子整合度について考察す
る。図５は、発光波長５８０ｎｍのＬＥＤにおける、格
子整合度と発光出力の関係を示す。ＧａＡｓ基板または
Ｇｅ基板との格子整合度が−０．１％から＋０．１％の
範囲を超えると、急激に発光出力が低下している。この
ため高効率のＬＥＤを得るためには、格子整合度を−
０．１％以上、且つ＋０．１％以下とする必要がある。
る。図５は、発光波長５８０ｎｍのＬＥＤにおける、格
子整合度と発光出力の関係を示す。ＧａＡｓ基板または
Ｇｅ基板との格子整合度が−０．１％から＋０．１％の
範囲を超えると、急激に発光出力が低下している。この
ため高効率のＬＥＤを得るためには、格子整合度を−
０．１％以上、且つ＋０．１％以下とする必要がある。
【００３６】また、最適なＡｌＩｎＰ及びＧａＩｎＰの
合計膜厚の比については、次のようになる。すなわち、
当該活性層６を構成するすべてのＡｌＩｎＰ層４の合計
膜厚をＡとし、当該活性層６を構成するすべてのＧａＩ
ｎＰ層５の合計膜厚をＢとしたとき、Ａ／（Ａ＋Ｂ）
は、通常のＡｌＧａＩｎＰ混晶の組成と同等の物理量と
みなすことができる。このときＧａＡｓ基板またはＧｅ
基板との格子整合度が−０．１％以上、且つ＋０．１％
以下のＡｌＧａＩｎＰ混晶のバンドギャップと発光波長
との関係から、０．１＜Ａ／（Ａ＋Ｂ）＜０．６とする
ことによって、緑色から黄色領域で高効率で発光するＬ
ＥＤに適した活性層を形成する範囲を定めることができ
る。
合計膜厚の比については、次のようになる。すなわち、
当該活性層６を構成するすべてのＡｌＩｎＰ層４の合計
膜厚をＡとし、当該活性層６を構成するすべてのＧａＩ
ｎＰ層５の合計膜厚をＢとしたとき、Ａ／（Ａ＋Ｂ）
は、通常のＡｌＧａＩｎＰ混晶の組成と同等の物理量と
みなすことができる。このときＧａＡｓ基板またはＧｅ
基板との格子整合度が−０．１％以上、且つ＋０．１％
以下のＡｌＧａＩｎＰ混晶のバンドギャップと発光波長
との関係から、０．１＜Ａ／（Ａ＋Ｂ）＜０．６とする
ことによって、緑色から黄色領域で高効率で発光するＬ
ＥＤに適した活性層を形成する範囲を定めることができ
る。
【００３７】
【実施例】［実施例１］図６に示すように、ＭＯＶＰＥ
法により、ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の厚さ
を有するＡｌＩｎＰ層１０４と、ド・ブロイ波長以下で
分子層の整数倍を有するＧａＩｎＰ層１０５を交互に積
層した多層膜を活性層１０６とし、ＡｌＧａＡｓウイン
ドウ層１０８を有するＬＥＤを作製した。基板としては
ｎ型ＧａＡｓ基板（ＧａＡｓ単結晶基板）１０１を使用
し、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ原料としてはトリエチルガリウム
又はトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ト
リメチルインジウムを使用した。Ｐ原料としてはフォス
フィン（ＰＨ3）を使用した。Ａｓ原料としてはアルシ
ン（ＡｓＨ3）を使用した。
法により、ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の厚さ
を有するＡｌＩｎＰ層１０４と、ド・ブロイ波長以下で
分子層の整数倍を有するＧａＩｎＰ層１０５を交互に積
層した多層膜を活性層１０６とし、ＡｌＧａＡｓウイン
ドウ層１０８を有するＬＥＤを作製した。基板としては
ｎ型ＧａＡｓ基板（ＧａＡｓ単結晶基板）１０１を使用
し、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ原料としてはトリエチルガリウム
又はトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ト
リメチルインジウムを使用した。Ｐ原料としてはフォス
フィン（ＰＨ3）を使用した。Ａｓ原料としてはアルシ
ン（ＡｓＨ3）を使用した。
【００３８】まず、成長炉内にＧａＡｓ基板１０１を配
置し、基板温度７００℃においてｎ型の導電性を有し、
厚さ０．５４μｍのｎ−ＧａＡｓバッファー層１０２を
形成した。このときのＧａ及びＡｓ原料としてはトリメ
チルガリウム及びアルシンを用いた。
置し、基板温度７００℃においてｎ型の導電性を有し、
厚さ０．５４μｍのｎ−ＧａＡｓバッファー層１０２を
形成した。このときのＧａ及びＡｓ原料としてはトリメ
チルガリウム及びアルシンを用いた。
【００３９】次に基板温度は７００℃のままで、ｎ型の
導電性を有し厚さ１．０μｍのｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）
0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（下部クラッド層）１０３を形
成した後、２分子層の膜厚を有するＡｌＩｎＰ層１０４
と、２分子層の膜厚を有するＧａＩｎＰ層１０５を交互
に２００対形成し、擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０６とし
た。さらにｐ型の導電性を有し、厚さ１．０μｍのｐ−
（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0. 5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（上部クラ
ッド層）１０７を順次形成した。
導電性を有し厚さ１．０μｍのｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）
0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（下部クラッド層）１０３を形
成した後、２分子層の膜厚を有するＡｌＩｎＰ層１０４
と、２分子層の膜厚を有するＧａＩｎＰ層１０５を交互
に２００対形成し、擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０６とし
た。さらにｐ型の導電性を有し、厚さ１．０μｍのｐ−
（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0. 5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（上部クラ
ッド層）１０７を順次形成した。
【００４０】次に、基板温度を発光層形成温度の７００
℃よりも低い５００℃に設定し、ｐ−ＡｌＧａＡｓウイ
ンドウ層１０８を形成した。Ａｌ原料としてトリメチル
アルミニウムを、Ｇａ原料としてトリエチルガリウム又
はトリメチルガリウムを、Ａｓ原料としてはアルシンを
使用した。
℃よりも低い５００℃に設定し、ｐ−ＡｌＧａＡｓウイ
ンドウ層１０８を形成した。Ａｌ原料としてトリメチル
アルミニウムを、Ｇａ原料としてトリエチルガリウム又
はトリメチルガリウムを、Ａｓ原料としてはアルシンを
使用した。
【００４１】このようにして得られたＬＥＤエピタキシ
ャルウェハからＬＥＤチップを作製した。チップの大き
さは３００μｍ角で、エピタキシャルウェハで基板１０
１側にあたるチップ下面全体に、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ合金
からなる下部電極１０９を、またウインドウ層１０８側
にはＡｕ−Ｚｎ−Ｎｉ合金からなる直径１５０μｍの円
形の上部電極１１０を形成した。
ャルウェハからＬＥＤチップを作製した。チップの大き
さは３００μｍ角で、エピタキシャルウェハで基板１０
１側にあたるチップ下面全体に、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ合金
からなる下部電極１０９を、またウインドウ層１０８側
にはＡｕ−Ｚｎ−Ｎｉ合金からなる直径１５０μｍの円
形の上部電極１１０を形成した。
【００４２】このＬＥＤチップをステム上に組み、積分
球と直流電源によりＬＥＤの発光特性を調べた結果、２
０ｍＡ通電時の発光出力は９０［ａ．ｕ．（任意目
盛）］であった。一方、比較例として、上記擬ＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層１０６と巨視的に同じ組成を有する（Ａｌ
0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐを活性層とするＬＥＤを作製
したところ、この比較例のＬＥＤは、２０ｍＡ通電時の
発光出力が１５［ａ．ｕ．］にすぎず、ド・ブロイ波長
以下で分子層の整数倍の厚さを有するＡｌＩｎＰ層と、
ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の厚さを有するＧ
ａＩｎＰを交互に積層した多層膜を活性層とするＬＥＤ
の出力の１／６程度としかならなかった。
球と直流電源によりＬＥＤの発光特性を調べた結果、２
０ｍＡ通電時の発光出力は９０［ａ．ｕ．（任意目
盛）］であった。一方、比較例として、上記擬ＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層１０６と巨視的に同じ組成を有する（Ａｌ
0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐを活性層とするＬＥＤを作製
したところ、この比較例のＬＥＤは、２０ｍＡ通電時の
発光出力が１５［ａ．ｕ．］にすぎず、ド・ブロイ波長
以下で分子層の整数倍の厚さを有するＡｌＩｎＰ層と、
ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の厚さを有するＧ
ａＩｎＰを交互に積層した多層膜を活性層とするＬＥＤ
の出力の１／６程度としかならなかった。
【００４３】さらに上記ＬＥＤを樹脂モールドし高温高
湿加速試験（温度８５℃、湿度９０％、電流値５０ｍ
Ａ）を行ったところ、擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０６を
有するＬＥＤの１０００時間通電後の出力低下は５％以
下であったのに対し、擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０６と
巨視的に同じ組成を有する（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0
.5Ｐを活性層とするＬＥＤ（比較例）の１０００時間通
電後の出力低下は１２％であった。このように活性層を
数分子層以下の超薄膜の多層膜にすることによって基板
やウインドウ層及び樹脂から受ける応力による劣化が緩
和され、長寿命化が達成された。
湿加速試験（温度８５℃、湿度９０％、電流値５０ｍ
Ａ）を行ったところ、擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０６を
有するＬＥＤの１０００時間通電後の出力低下は５％以
下であったのに対し、擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０６と
巨視的に同じ組成を有する（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0
.5Ｐを活性層とするＬＥＤ（比較例）の１０００時間通
電後の出力低下は１２％であった。このように活性層を
数分子層以下の超薄膜の多層膜にすることによって基板
やウインドウ層及び樹脂から受ける応力による劣化が緩
和され、長寿命化が達成された。
【００４４】［実施例２］これは実施例１のＬＥＤにお
ける活性層１０６部分の構成を変えたものである。すな
わち、この実施例２における活性層２０６の部分は、Ａ
ｌＩｎＰ層２０４とＧａＩｎＰ層２０５を、２分子層を
有するもの、４分子層を有するもの、８分子層を有する
ものを、ランダムに組み合わせ、単分子層換算で２００
対分の厚さだけ積層して擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層２０６
とした。この実施例２のＬＥＤの出力は、実施例１と同
様の測定条件において１２０［ａ．ｕ．］であり、擬Ａ
ｌＧａＩｎＰ活性層２０６と巨視的に同じ組成を有する
（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0 .5Ｐを活性層として作製し
たＬＥＤ（比較例）と比較し、８倍の発光出力を得た。
また高温高湿加速試験の結果は実施例１と同様であっ
た。
ける活性層１０６部分の構成を変えたものである。すな
わち、この実施例２における活性層２０６の部分は、Ａ
ｌＩｎＰ層２０４とＧａＩｎＰ層２０５を、２分子層を
有するもの、４分子層を有するもの、８分子層を有する
ものを、ランダムに組み合わせ、単分子層換算で２００
対分の厚さだけ積層して擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層２０６
とした。この実施例２のＬＥＤの出力は、実施例１と同
様の測定条件において１２０［ａ．ｕ．］であり、擬Ａ
ｌＧａＩｎＰ活性層２０６と巨視的に同じ組成を有する
（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0 .5Ｐを活性層として作製し
たＬＥＤ（比較例）と比較し、８倍の発光出力を得た。
また高温高湿加速試験の結果は実施例１と同様であっ
た。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の発光ダイオ
ードによれば、ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の
厚さを有するＡｌＩｎＰ層と、ド・ブロイ波長以下で分
子層の整数倍の厚さを有するＧａＩｎＰ層を交互に積層
した多層膜を活性層の一つとする構成としたので、緑色
から黄色領域で発光し、従来のダブルヘテロ構造のＬＥ
Ｄよりも高出力で、しかも長寿命の発光ダイオードを、
安価、且つ容易に製造することができる。
ードによれば、ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の
厚さを有するＡｌＩｎＰ層と、ド・ブロイ波長以下で分
子層の整数倍の厚さを有するＧａＩｎＰ層を交互に積層
した多層膜を活性層の一つとする構成としたので、緑色
から黄色領域で発光し、従来のダブルヘテロ構造のＬＥ
Ｄよりも高出力で、しかも長寿命の発光ダイオードを、
安価、且つ容易に製造することができる。
【００４６】また本発明によれば、特に隣接するＡｌＩ
ｎＰ層とＧａＩｎＰ層の膜厚の比が、膜厚方向に対し一
様でない構成とすることにより、より高出力の発光ダイ
オードを得ることができる。
ｎＰ層とＧａＩｎＰ層の膜厚の比が、膜厚方向に対し一
様でない構成とすることにより、より高出力の発光ダイ
オードを得ることができる。
【図１】本発明の発光ダイオードを示す断面図である。
【図２】本発明の発光ダイオードにおける擬ＡｌＧａＩ
ｎＰ活性層の構造を示す概略図である。
ｎＰ活性層の構造を示す概略図である。
【図３】ＡｌＩｎＰ層の合計膜厚ＡとＧａＩｎＰ層の合
計膜厚ＢについてのＡ／（Ａ＋Ｂ）の値とフォトリフレ
クタンスによって測定されたバンドギャップの関係を示
す図である。
計膜厚ＢについてのＡ／（Ａ＋Ｂ）の値とフォトリフレ
クタンスによって測定されたバンドギャップの関係を示
す図である。
【図４】ＡｌＧａＩｎＰ混晶と同一の組成を有するＡｌ
ＧａＩｎＰ混晶のフォトルミネッセンス強度の比較を示
す図である。
ＧａＩｎＰ混晶のフォトルミネッセンス強度の比較を示
す図である。
【図５】発光ダイオードにおける、格子整合度と発光出
力の関係を示す図である。
力の関係を示す図である。
【図６】本発明の発光ダイオードの実施例１を示す図で
ある。
ある。
【図７】本発明の発光ダイオードの実施例２を示す図で
ある。
ある。
１ 基板（ＧａＡｓ基板）
２ ＧａＡｓバッファー層
３ 第１のクラッド層（ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド
層） ４ ＡｌＩｎＰ層 ５ ＧａＩｎＰ層 ６ 活性層（擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層） ７ 第２のクラッド層（ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド
層） ８ ウインドウ層
層） ４ ＡｌＩｎＰ層 ５ ＧａＩｎＰ層 ６ 活性層（擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層） ７ 第２のクラッド層（ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド
層） ８ ウインドウ層
Claims (8)
- 【請求項１】ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の厚
さを有するＡｌＩｎＰ層と、ド・ブロイ波長以下で分子
層の整数倍の厚さを有するＧａＩｎＰ層を交互に積層し
た多層膜を活性層の一つとしたことを特徴とする発光ダ
イオード。 - 【請求項２】請求項１記載の発光ダイオードにおいて、
隣接するＡｌＩｎＰ層とＧａＩｎＰ層の膜厚の比が、膜
厚方向に対し一様でないことを特徴とする発光ダイオー
ド。 - 【請求項３】請求項１記載の発光ダイオードにおいて、
前記活性層がＧａＡｓ基板又はＧｅ基板上に配置されて
おり、前記活性層を構成するＡｌＩｎＰ層及びＧａＩｎ
Ｐ層の格子不整合度がＧａＡｓ基板又はＧｅ基板に対し
−０．１％以上＋０．１％以下であることを特徴とする
発光ダイオード。 - 【請求項４】請求項１、２又は３記載の発光ダイオード
において、前記活性層を構成するすべてのＡｌＩｎＰ層
の合計膜厚Ａと、前記活性層を構成するすべてのＧａＩ
ｎＰ層の合計膜厚Ｂが、０．１＜Ａ／（Ａ＋Ｂ）＜０．
６の関係を満たすことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項５】請求項１、２、３又は４記載の発光ダイオ
ードにおいて、前記活性層の上側及び下側に、活性層の
発光波長に対し透明な組成を有するＡｌＧａＩｎＰ層が
配置されていることを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項６】請求項１、２、３、４又は５記載の発光ダ
イオードにおいて、前記活性層が、ＡｌＩｎＰ層とＧａ
ＩｎＰ層を、２分子層を有するもの、４分子層を有する
もの、８分子層を有するものを、ランダムに組み合わ
せ、所要対の厚さだけ積層して形成した擬ＡｌＧａＩｎ
Ｐ活性層から成ることを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項７】請求項１、２、３、４又は５記載の発光ダ
イオードにおいて、前記活性層が数分子層以下の超薄膜
の多層膜から形成した擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層から成る
ことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項８】請求項７記載の発光ダイオードにおいて、
前記活性層が、２分子層の膜厚を有するＡｌＩｎＰ層
と、２分子層の膜厚を有するＧａＩｎＰ層を交互に所要
対だけ積層して形成した擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層から成
ることを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001312203A JP2003124505A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001312203A JP2003124505A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124505A true JP2003124505A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19130899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001312203A Withdrawn JP2003124505A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124505A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102380306B1 (ko) * | 2021-01-14 | 2022-03-30 | (재)한국나노기술원 | 나노 스케일 박막 구조의 구현 방법 |
-
2001
- 2001-10-10 JP JP2001312203A patent/JP2003124505A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102380306B1 (ko) * | 2021-01-14 | 2022-03-30 | (재)한국나노기술원 | 나노 스케일 박막 구조의 구현 방법 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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