JP2003124412A - 半導体モジュールの製造方法 - Google Patents
半導体モジュールの製造方法Info
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Landscapes
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 鉛フリー半田を使用しても、リード線とサー
モモジュールの接続部が破壊されることなく製造でき
る。 【解決手段】 放熱側絶縁基板２と吸熱側絶縁基板３で
熱電素子１を挟持し第１半田材料で接合する第１工程
と、放熱側絶縁基板３にリード線１２を第２半田材料で
接続する第２工程と、放熱側絶縁基板３をパッケージ６
に第３半田材料で接合する第３工程と、吸熱側基板２に
半導体素子１０のチップキャリア９を第４半田材料で接
合する第４工程と、リード線１２をパッケージ６に設け
られた端子４に第２半田材料より８０℃以上低い融点の
第５半田材料で接合する第５工程が設けられ、各半田材
料は鉛フリーであり、第５工程を第１〜５工程の最終工
程で行うことを特徴とする半導体モジュールの製造方
法。
モモジュールの接続部が破壊されることなく製造でき
る。 【解決手段】 放熱側絶縁基板２と吸熱側絶縁基板３で
熱電素子１を挟持し第１半田材料で接合する第１工程
と、放熱側絶縁基板３にリード線１２を第２半田材料で
接続する第２工程と、放熱側絶縁基板３をパッケージ６
に第３半田材料で接合する第３工程と、吸熱側基板２に
半導体素子１０のチップキャリア９を第４半田材料で接
合する第４工程と、リード線１２をパッケージ６に設け
られた端子４に第２半田材料より８０℃以上低い融点の
第５半田材料で接合する第５工程が設けられ、各半田材
料は鉛フリーであり、第５工程を第１〜５工程の最終工
程で行うことを特徴とする半導体モジュールの製造方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体モジュールの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子は、自らの発熱により温度が
高くなると動作が不安定になり、最悪の場合は劣化する
恐れがある。例えば、レーザーダイオード（以下、ＬＤ
と称する。）は、温度の上昇により発振出力・効率の低
下や閾値電流の増加が生じ、同じ出力を維持するため
に、より大きな電流が必要となり、さらに温度の上昇を
助長し劣化を促進する問題があった。また、温度上昇に
より発信波長やスペクトル分布が変化するなどの問題点
もあった。ＬＤは光通信の光源として不可欠なものであ
る。光通信は同軸ケーブルに比べて大容量で高速な通信
が可能であり、通信時代の現代に重要な役割を果たして
おり、その安定な動作を保証することが求められてい
た。
高くなると動作が不安定になり、最悪の場合は劣化する
恐れがある。例えば、レーザーダイオード（以下、ＬＤ
と称する。）は、温度の上昇により発振出力・効率の低
下や閾値電流の増加が生じ、同じ出力を維持するため
に、より大きな電流が必要となり、さらに温度の上昇を
助長し劣化を促進する問題があった。また、温度上昇に
より発信波長やスペクトル分布が変化するなどの問題点
もあった。ＬＤは光通信の光源として不可欠なものであ
る。光通信は同軸ケーブルに比べて大容量で高速な通信
が可能であり、通信時代の現代に重要な役割を果たして
おり、その安定な動作を保証することが求められてい
た。
【０００３】そのために、従来技術として、「熱電半導
体とその応用」（発行所：日刊工業新聞社、発行日：昭
和６３年１２月２０日、６４〜６５頁）には、ＬＤを熱
電半導体で冷却しているＬＤモジュールが開示されてい
る。
体とその応用」（発行所：日刊工業新聞社、発行日：昭
和６３年１２月２０日、６４〜６５頁）には、ＬＤを熱
電半導体で冷却しているＬＤモジュールが開示されてい
る。
【０００４】図８は従来のＬＤモジュールの断面説明図
である。サーモモジュール４０は、熱電素子４１を放熱
側絶縁基板４２と吸熱側絶縁基板４３で挟持し、熱電素
子４１と放熱側絶縁基板４２および熱電素子４１と吸熱
側絶縁基板４３を半田層４５で接合して形成されてい
る。放熱側絶縁基板４２、吸熱側絶縁基板４３には図示
しない電極が設けられ、熱電素子４１は、良く知られて
いるようにＰ型半導体素子とＮ型半導体素子が交互に電
気的に接続されるように構成されている。放熱側絶縁基
板４２には一対のリード線５２の一端が半田部４８によ
り接続されている。サーモモジュール４０の放熱側絶縁
基板４２は、パッケージ４６に半田層４７により接合さ
れている。サーモモジュール４０の吸熱側絶縁基板４３
には、チップキャリア４９が半田層５１により接合され
ている。リード線５２の他端は、パッケージ４６に設け
られた端子４４に半田部５３により接続されている。
である。サーモモジュール４０は、熱電素子４１を放熱
側絶縁基板４２と吸熱側絶縁基板４３で挟持し、熱電素
子４１と放熱側絶縁基板４２および熱電素子４１と吸熱
側絶縁基板４３を半田層４５で接合して形成されてい
る。放熱側絶縁基板４２、吸熱側絶縁基板４３には図示
しない電極が設けられ、熱電素子４１は、良く知られて
いるようにＰ型半導体素子とＮ型半導体素子が交互に電
気的に接続されるように構成されている。放熱側絶縁基
板４２には一対のリード線５２の一端が半田部４８によ
り接続されている。サーモモジュール４０の放熱側絶縁
基板４２は、パッケージ４６に半田層４７により接合さ
れている。サーモモジュール４０の吸熱側絶縁基板４３
には、チップキャリア４９が半田層５１により接合され
ている。リード線５２の他端は、パッケージ４６に設け
られた端子４４に半田部５３により接続されている。
【０００５】チップキャリア４９上にはＬＤ５０が設け
られ、ＬＤ５０のレーザー光６０放射側にボールレンズ
ホルダ５４で保持されたボールレンズ５５が設けられて
いる。パッケージ４６のレーザー光６０放射側の端面側
には光ファイバホルダ５６で保持された光ファイバ５７
が設けられ、光ファイバ５７の光入射側の端部付近にロ
ッドレンズ５８が設けられている。
られ、ＬＤ５０のレーザー光６０放射側にボールレンズ
ホルダ５４で保持されたボールレンズ５５が設けられて
いる。パッケージ４６のレーザー光６０放射側の端面側
には光ファイバホルダ５６で保持された光ファイバ５７
が設けられ、光ファイバ５７の光入射側の端部付近にロ
ッドレンズ５８が設けられている。
【０００６】ＬＤ５０は、図示しないリード線を介して
ＬＤ５０用の端子に接続されており、それを介して電流
が供給されると、ＬＤ５０からレーザー光６０が放出さ
れる。レーザー光６０はボールレンズ５５、ロッドレン
ズ５８を介して光ファイバ５７に入射される。これによ
り光通信に利用される。端子４４、リード線５２を介し
て外部からサーモモジュール４０に電流が流れると、吸
熱側絶縁基板４３から放熱側絶縁基板４２に熱が移動
し、チップキャリア４９が冷却される。図示しない制御
部によりサーモモジュール４０に通電する電流を制御す
ることによりチップキャリア４９の温度を一定に制御す
る。これによりＬＤ５０の温度も一定となり、安定動作
が保証される。
ＬＤ５０用の端子に接続されており、それを介して電流
が供給されると、ＬＤ５０からレーザー光６０が放出さ
れる。レーザー光６０はボールレンズ５５、ロッドレン
ズ５８を介して光ファイバ５７に入射される。これによ
り光通信に利用される。端子４４、リード線５２を介し
て外部からサーモモジュール４０に電流が流れると、吸
熱側絶縁基板４３から放熱側絶縁基板４２に熱が移動
し、チップキャリア４９が冷却される。図示しない制御
部によりサーモモジュール４０に通電する電流を制御す
ることによりチップキャリア４９の温度を一定に制御す
る。これによりＬＤ５０の温度も一定となり、安定動作
が保証される。
【０００７】従来技術では、半田層４５および半田部４
８の半田材料としてＳｎ／Ｓｂ＝９５／５（重量比）
（融点約２３５℃）を使用し、半田層４７および半田部
５３の半田材料としてＳｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量
比）（融点約１８３℃）を使用し、半田層５１の半田材
料としてＳｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）（融点約１
３８℃）を使用していた。また製造工程としては、熱電
素子４１と放熱側絶縁基板４２および吸熱側絶縁基板４
３の接合をし、放熱側絶縁基板４２にリード線５２を接
続してサーモモジュール４０を製造していた。そこ後、
サーモモジュール４０をパッケージ４６に接合し、リー
ド線５２を端子４４を接続し、最後にＬＤ５０が設けら
れた状態のチップキャリア４９をサーモモジュール４０
に接合していた。
８の半田材料としてＳｎ／Ｓｂ＝９５／５（重量比）
（融点約２３５℃）を使用し、半田層４７および半田部
５３の半田材料としてＳｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量
比）（融点約１８３℃）を使用し、半田層５１の半田材
料としてＳｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）（融点約１
３８℃）を使用していた。また製造工程としては、熱電
素子４１と放熱側絶縁基板４２および吸熱側絶縁基板４
３の接合をし、放熱側絶縁基板４２にリード線５２を接
続してサーモモジュール４０を製造していた。そこ後、
サーモモジュール４０をパッケージ４６に接合し、リー
ド線５２を端子４４を接続し、最後にＬＤ５０が設けら
れた状態のチップキャリア４９をサーモモジュール４０
に接合していた。
【０００８】熱電素子４１と放熱側絶縁基板４２および
吸熱側絶縁基板４３の接合は、放熱側絶縁基板４２およ
び吸熱側絶縁基板４３の外側からヒータで加熱し半田層
４５の半田材料を溶融して行っていた。放熱側絶縁基板
４２へのリード線５２の接続は半田ゴテで半田部４８の
半田材料を溶融して行っていた。サーモモジュール４０
とパッケージ４６の接合は、パッケージ４６の下面から
ホットプレートで加熱して半田層４７を溶融しサーモモ
ジュール４０をスクラブして行っていた。この場合、半
田層４５、半田部４８も加熱されるが、半田層４５、半
田部４８の融点が半田層４７の融点より約５０℃高いの
で、半田層４５、半田部４８が溶融することはない。
吸熱側絶縁基板４３の接合は、放熱側絶縁基板４２およ
び吸熱側絶縁基板４３の外側からヒータで加熱し半田層
４５の半田材料を溶融して行っていた。放熱側絶縁基板
４２へのリード線５２の接続は半田ゴテで半田部４８の
半田材料を溶融して行っていた。サーモモジュール４０
とパッケージ４６の接合は、パッケージ４６の下面から
ホットプレートで加熱して半田層４７を溶融しサーモモ
ジュール４０をスクラブして行っていた。この場合、半
田層４５、半田部４８も加熱されるが、半田層４５、半
田部４８の融点が半田層４７の融点より約５０℃高いの
で、半田層４５、半田部４８が溶融することはない。
【０００９】リード線５２の端子４４への接続は、パッ
ケージ４６の下面からホットプレートで加熱して端子４
４を加熱しながら半田ゴテで半田部５３の半田材料を溶
融して行っていた。この場合は、ホットプレートの温度
は半田層４７が溶融しない温度に設定されている。ホッ
トプレートだけの加熱では半田部５３の半田材料は溶融
しないが、半田ゴテの加熱により溶融する。
ケージ４６の下面からホットプレートで加熱して端子４
４を加熱しながら半田ゴテで半田部５３の半田材料を溶
融して行っていた。この場合は、ホットプレートの温度
は半田層４７が溶融しない温度に設定されている。ホッ
トプレートだけの加熱では半田部５３の半田材料は溶融
しないが、半田ゴテの加熱により溶融する。
【００１０】チップキャリア４９とサーモモジュール４
０の接合は、パッケージ４６の下面からホットプレート
で加熱して半田層５１を溶融しチップキャリア４９をス
クラブして行っている。この場合、半田層５１はホット
プレートから最も遠方にあり、半田層４５、半田部４
８、半田層４７の温度が半田層５１の温度より高くな
る。しかし、半田層４５、半田部４８の融点は半田層５
１の融点より１００℃近く高く、半田層４７の融点は半
田層５１の融点より約５０℃高いので、半田層４５、半
田部４８、半田層４７が溶融することはない。このよう
に、従来技術では半田材料の融点差を利用して製造され
ていた。
０の接合は、パッケージ４６の下面からホットプレート
で加熱して半田層５１を溶融しチップキャリア４９をス
クラブして行っている。この場合、半田層５１はホット
プレートから最も遠方にあり、半田層４５、半田部４
８、半田層４７の温度が半田層５１の温度より高くな
る。しかし、半田層４５、半田部４８の融点は半田層５
１の融点より１００℃近く高く、半田層４７の融点は半
田層５１の融点より約５０℃高いので、半田層４５、半
田部４８、半田層４７が溶融することはない。このよう
に、従来技術では半田材料の融点差を利用して製造され
ていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術は、半田層４７および半田部５３の半田材料としてＳ
ｎ−Ｐｂ系半田が使用されており、環境問題から鉛フリ
ー化が要望され、問題となっていた。Ｓｎ−Ｐｂ系半田
の代用としてＳｎ−Ａｇ系半田（融点約２２１℃）、Ｓ
ｎ−Ｚｎ系半田（融点約１９９℃）の使用が検討されて
いるが、いずれもＳｎ−Ｐｂ系半田と比較すると融点が
高く、半田部４８との融点差が小さいため、リード線５
２と端子４４の接続の際に、半田部４８が軟化したり溶
融したりしてリード線５２とサーモモジュール４０の接
続部が破壊されてしまう問題点があった。
術は、半田層４７および半田部５３の半田材料としてＳ
ｎ−Ｐｂ系半田が使用されており、環境問題から鉛フリ
ー化が要望され、問題となっていた。Ｓｎ−Ｐｂ系半田
の代用としてＳｎ−Ａｇ系半田（融点約２２１℃）、Ｓ
ｎ−Ｚｎ系半田（融点約１９９℃）の使用が検討されて
いるが、いずれもＳｎ−Ｐｂ系半田と比較すると融点が
高く、半田部４８との融点差が小さいため、リード線５
２と端子４４の接続の際に、半田部４８が軟化したり溶
融したりしてリード線５２とサーモモジュール４０の接
続部が破壊されてしまう問題点があった。
【００１２】本発明は上記課題を解決したもので、鉛フ
リー半田を使用しても、リード線とサーモモジュールの
接続部が破壊されることなく製造できる半導体モジュー
ルの製造方法を提供する。
リー半田を使用しても、リード線とサーモモジュールの
接続部が破壊されることなく製造できる半導体モジュー
ルの製造方法を提供する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記技術的課題を解決す
るために、本発明の請求項１において講じた技術的手段
（以下、第１の技術的手段と称する。）は、放熱側絶縁
基板と吸熱側絶縁基板で熱電素子を挟持し鉛フリーの第
１半田材料で接合する第１工程と、前記放熱側絶縁基板
にリード線を鉛フリーの第２半田材料で接続する第２工
程ロッドレンズ１８と、前記放熱側絶縁基板をパッケー
ジに鉛フリーの第３半田材料で接合する第３工程と、前
記吸熱側基板に半導体素子のチップキャリアを鉛フリー
の第４半田材料で接合する第４工程と、前記リード線を
前記パッケージに設けられた端子に第２半田材料より８
０℃以上低い融点の鉛フリーの第５半田材料で接合する
第５工程が設けられ、該第５工程を前記第１〜５工程の
最終工程で行うことを特徴とする半導体モジュールの製
造方法である。
るために、本発明の請求項１において講じた技術的手段
（以下、第１の技術的手段と称する。）は、放熱側絶縁
基板と吸熱側絶縁基板で熱電素子を挟持し鉛フリーの第
１半田材料で接合する第１工程と、前記放熱側絶縁基板
にリード線を鉛フリーの第２半田材料で接続する第２工
程ロッドレンズ１８と、前記放熱側絶縁基板をパッケー
ジに鉛フリーの第３半田材料で接合する第３工程と、前
記吸熱側基板に半導体素子のチップキャリアを鉛フリー
の第４半田材料で接合する第４工程と、前記リード線を
前記パッケージに設けられた端子に第２半田材料より８
０℃以上低い融点の鉛フリーの第５半田材料で接合する
第５工程が設けられ、該第５工程を前記第１〜５工程の
最終工程で行うことを特徴とする半導体モジュールの製
造方法である。
【００１４】上記第１の技術的手段による効果は、以下
のようである。
のようである。
【００１５】すなわち、第５半田材料は第２半田材料よ
り８０℃以上低い融点であり、かつリード線と端子の接
続を第１〜５工程の最後に行っているので、放熱側絶縁
基板とリード線の接続部にかかる熱が押さえられ、放熱
側絶縁基板とリード線の接続部が破壊されることなく製
造できる。
り８０℃以上低い融点であり、かつリード線と端子の接
続を第１〜５工程の最後に行っているので、放熱側絶縁
基板とリード線の接続部にかかる熱が押さえられ、放熱
側絶縁基板とリード線の接続部が破壊されることなく製
造できる。
【００１６】上記技術的課題を解決するために、本発明
の請求項２において講じた技術的手段（以下、第２の技
術的手段と称する。）は、前記第１半田材料および前記
第２半田材料の融点が２３０℃以上であり、前記第３半
田材料の融点が１９０〜２２５℃であり、前記第４半田
材料および前記第５半田材料の融点が１５０℃以下であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュールの
製造方法である。
の請求項２において講じた技術的手段（以下、第２の技
術的手段と称する。）は、前記第１半田材料および前記
第２半田材料の融点が２３０℃以上であり、前記第３半
田材料の融点が１９０〜２２５℃であり、前記第４半田
材料および前記第５半田材料の融点が１５０℃以下であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュールの
製造方法である。
【００１７】上記第２の技術的手段による効果は、以下
のようである。
のようである。
【００１８】すなわち、第５半田材料の融点が第３半田
材料より４０℃以上低く、かつ第２半田材料の融点が８
０℃以上低いので、放熱側絶縁基板とリード線の接続部
にかかる熱がより押さえられ、放熱側絶縁基板とリード
線の接続部が破壊されることなくより確実に製造でき
る。
材料より４０℃以上低く、かつ第２半田材料の融点が８
０℃以上低いので、放熱側絶縁基板とリード線の接続部
にかかる熱がより押さえられ、放熱側絶縁基板とリード
線の接続部が破壊されることなくより確実に製造でき
る。
【００１９】上記技術的課題を解決するために、本発明
の請求項３において講じた技術的手段（以下、第３の技
術的手段と称する。）は、前記第１半田材料および前記
第２半田材料がＳｎ−Ｓｂ系半田、前記第３半田材料が
Ｓｎ−Ｚｎ系半田であり、Ｓｎ−Ａｇ系半田の少なくと
も一方であり、前記第４半田材料および前記第５半田材
料がＳｎ−Ｂｉ系半田であることを特徴とする請求項１
〜２のいずれかに記載の半導体モジュールの製造方法で
ある。
の請求項３において講じた技術的手段（以下、第３の技
術的手段と称する。）は、前記第１半田材料および前記
第２半田材料がＳｎ−Ｓｂ系半田、前記第３半田材料が
Ｓｎ−Ｚｎ系半田であり、Ｓｎ−Ａｇ系半田の少なくと
も一方であり、前記第４半田材料および前記第５半田材
料がＳｎ−Ｂｉ系半田であることを特徴とする請求項１
〜２のいずれかに記載の半導体モジュールの製造方法で
ある。
【００２０】上記第３の技術的手段による効果は、以下
のようである。
のようである。
【００２１】すなわち、Ｓｎ−Ｓｂ系半田の融点が２３
０℃以上であり、Ｓｎ−Ｚｎ系半田の融点が１９０〜２
２５℃であり、Ｓｎ−Ｂｉ系半田の融点が１５０℃以下
であるので、放熱側絶縁基板とリード線の接続部が破壊
されることなく鉛フリーの半導体モジュールが製造でき
る。
０℃以上であり、Ｓｎ−Ｚｎ系半田の融点が１９０〜２
２５℃であり、Ｓｎ−Ｂｉ系半田の融点が１５０℃以下
であるので、放熱側絶縁基板とリード線の接続部が破壊
されることなく鉛フリーの半導体モジュールが製造でき
る。
【００２２】上記技術的課題を解決するために、本発明
の請求項４において講じた技術的手段（以下、第４の技
術的手段と称する。）は、前記第５半田材料の成分がＳ
ｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）であることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれかに記載の半導体モジュールの
製造方法である。
の請求項４において講じた技術的手段（以下、第４の技
術的手段と称する。）は、前記第５半田材料の成分がＳ
ｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）であることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれかに記載の半導体モジュールの
製造方法である。
【００２３】上記第４の技術的手段による効果は、以下
のようである。
のようである。
【００２４】すなわち、Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８の融点
が約１３８℃と低いため、放熱側絶縁基板とリード線の
接続部が破壊されることなく鉛フリーの半導体モジュー
ルが製造できる。
が約１３８℃と低いため、放熱側絶縁基板とリード線の
接続部が破壊されることなく鉛フリーの半導体モジュー
ルが製造できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について、
図面に基づいて説明する。図１は本発明の実施例のＬＤ
モジュールの断面説明図である。その構造は従来技術と
ほぼ同じである。ＬＤモジュールは、サーモモジュール
１００、ＬＤチップセット２００、パッケージ６などか
ら構成されている。
図面に基づいて説明する。図１は本発明の実施例のＬＤ
モジュールの断面説明図である。その構造は従来技術と
ほぼ同じである。ＬＤモジュールは、サーモモジュール
１００、ＬＤチップセット２００、パッケージ６などか
ら構成されている。
【００２６】サーモモジュール１００は、熱電素子１を
放熱側絶縁基板２と吸熱側絶縁基板３で挟持し、熱電素
子１と放熱側絶縁基板２および熱電素子１と吸熱側絶縁
基板３を半田層５で接合して形成されている。放熱側絶
縁基板２、吸熱側絶縁基板３には図示しない電極が設け
られ、熱電素子１は、良く知られているようにＰ型半導
体素子とＮ型半導体素子が交互に電気的に接続されるよ
うに構成されている。放熱側絶縁基板２には一対のリー
ド線１２の一端が半田部８により接続されている。
放熱側絶縁基板２と吸熱側絶縁基板３で挟持し、熱電素
子１と放熱側絶縁基板２および熱電素子１と吸熱側絶縁
基板３を半田層５で接合して形成されている。放熱側絶
縁基板２、吸熱側絶縁基板３には図示しない電極が設け
られ、熱電素子１は、良く知られているようにＰ型半導
体素子とＮ型半導体素子が交互に電気的に接続されるよ
うに構成されている。放熱側絶縁基板２には一対のリー
ド線１２の一端が半田部８により接続されている。
【００２７】ＬＤチップセット２００は、チップキャリ
ア９上にはＬＤ１０が設けられ、ＬＤ１０のレーザー光
２０放射側にボールレンズ１５を保持するボールレンズ
ホルダ１４が設けられている。パッケージ６は、サーモ
モジュール１００とＬＤチップセット２００を内包する
ケースで、光ファイバ１７を保持する光ファイバホルダ
１６がレーザー光２０放射側の端面側に設けられ、光フ
ァイバ１７の光入射側の端部付近にロッドレンズ１８が
設けられている。パッケージ６の一側面にはリード線１
２を接続する端子４が設けられている。また図示しない
ＬＤ１０のリード線を接続する端子も同じ側面に設けら
れている。これらの端子は、パッケージ６の外部の電気
線に連結できるようになっている。
ア９上にはＬＤ１０が設けられ、ＬＤ１０のレーザー光
２０放射側にボールレンズ１５を保持するボールレンズ
ホルダ１４が設けられている。パッケージ６は、サーモ
モジュール１００とＬＤチップセット２００を内包する
ケースで、光ファイバ１７を保持する光ファイバホルダ
１６がレーザー光２０放射側の端面側に設けられ、光フ
ァイバ１７の光入射側の端部付近にロッドレンズ１８が
設けられている。パッケージ６の一側面にはリード線１
２を接続する端子４が設けられている。また図示しない
ＬＤ１０のリード線を接続する端子も同じ側面に設けら
れている。これらの端子は、パッケージ６の外部の電気
線に連結できるようになっている。
【００２８】サーモモジュール１００の放熱側絶縁基板
２は、パッケージ６の底面に半田層７により接合されて
いる。サーモモジュール１００の吸熱側絶縁基板３に
は、ＬＤチップセット２００のチップキャリア９が半田
層１１により接合されている。リード線１２の他端は、
パッケージ６に設けられた端子４に半田部１３により接
続されている。
２は、パッケージ６の底面に半田層７により接合されて
いる。サーモモジュール１００の吸熱側絶縁基板３に
は、ＬＤチップセット２００のチップキャリア９が半田
層１１により接合されている。リード線１２の他端は、
パッケージ６に設けられた端子４に半田部１３により接
続されている。
【００２９】ＬＤ１０は、図示しないリード線を介して
ＬＤ１０用の端子に接続されており、それを介して電流
が供給されると、ＬＤ１０からレーザー光２０が放出さ
れる。レーザー光２０はボールレンズ１５、ロッドレン
ズ１８を介して光ファイバ１７に入射される。これによ
り光通信に利用される。端子４、リード線１２を介して
外部からサーモモジュール１００に電流が流れると、吸
熱側絶縁基板３から放熱側絶縁基板２に熱が移動し、チ
ップキャリア９が冷却される。図示しない制御部により
サーモモジュール１００に通電する電流を制御すること
によりチップキャリア９の温度を一定に制御する。これ
によりＬＤ１０の温度も一定となり、安定動作が保証さ
れる。
ＬＤ１０用の端子に接続されており、それを介して電流
が供給されると、ＬＤ１０からレーザー光２０が放出さ
れる。レーザー光２０はボールレンズ１５、ロッドレン
ズ１８を介して光ファイバ１７に入射される。これによ
り光通信に利用される。端子４、リード線１２を介して
外部からサーモモジュール１００に電流が流れると、吸
熱側絶縁基板３から放熱側絶縁基板２に熱が移動し、チ
ップキャリア９が冷却される。図示しない制御部により
サーモモジュール１００に通電する電流を制御すること
によりチップキャリア９の温度を一定に制御する。これ
によりＬＤ１０の温度も一定となり、安定動作が保証さ
れる。
【００３０】次にＬＤモジュールの製造方法について、
図２〜７に基づいて説明する。図２は熱電素子と放熱側
絶縁基板および熱電素子と吸熱側絶縁基板を接合する方
法を説明する説明図、図３は放熱側絶縁基板にリード線
を接続する方法を説明する説明図、図４はサーモモジュ
ールをパッケージに接合する方法を説明する説明図、図
５はＬＤチップセットをサーモモジュールに接合する方
法を説明する説明図、図６はリード線を端子に接続する
方法を説明する説明図、図７はパッケージを完成させた
状態の説明図である。
図２〜７に基づいて説明する。図２は熱電素子と放熱側
絶縁基板および熱電素子と吸熱側絶縁基板を接合する方
法を説明する説明図、図３は放熱側絶縁基板にリード線
を接続する方法を説明する説明図、図４はサーモモジュ
ールをパッケージに接合する方法を説明する説明図、図
５はＬＤチップセットをサーモモジュールに接合する方
法を説明する説明図、図６はリード線を端子に接続する
方法を説明する説明図、図７はパッケージを完成させた
状態の説明図である。
【００３１】放熱側絶縁基板２、吸熱側絶縁基板３のそ
れぞれに、電極位置に合わせて第１半田材料をスクリー
ン印刷で塗布する。第１半田材料には、Ｓｎ／Ｓｂ＝９
５／５（重量比）（固相線２３２℃、液相線２４０℃、
融点約２３５℃）を使用している。熱電素子１を第１半
田材料の位置すなわち電極の位置の所定位置に合わせて
放熱側絶縁基板２と吸熱側絶縁基板３の間に挟持し、放
熱側絶縁基板２と吸熱側絶縁基板３の外部からヒータ２
１、２２で加熱しながら所定時間挟持する。ヒータ２
１、２２の温度プロファイルはピークで２８０℃に設定
されており、第１半田材料が溶融する。ヒータ２１、２
２が冷却すると、第１半田材料が固化し半田層５が形成
され、熱電素子１と放熱側絶縁基板２および熱電素子１
と吸熱側絶縁基板３が接合される。（第１工程、図２） 次に、第２半田材料を使用してリード線１２を半田ゴテ
２３により接続する。第２半田材料には第１半田材料と
同じＳｎ／Ｓｂ＝９５／５（重量比）を使用している。
半田ゴテ２３の温度は約３００℃に設定されている。リ
ード線１２は、直径０．２〜０．３ｍｍ、長さ５０ｍｍ
のＳｎメッキ軟銅線を使用している。第２半田材料が固
化すると半田部８が形成される。こうしてサーモモジュ
ール１００が形成される。（第２工程、図３） この後、サーモモジュール１００の放熱側絶縁基板２の
外表面（パッケージ６に接合する側）に第３半田材料を
塗布し、またサーモモジュール１００の吸熱側絶縁基板
３の外表面（チップキャリア９に接合する側）に第４半
田材料を塗布する。
れぞれに、電極位置に合わせて第１半田材料をスクリー
ン印刷で塗布する。第１半田材料には、Ｓｎ／Ｓｂ＝９
５／５（重量比）（固相線２３２℃、液相線２４０℃、
融点約２３５℃）を使用している。熱電素子１を第１半
田材料の位置すなわち電極の位置の所定位置に合わせて
放熱側絶縁基板２と吸熱側絶縁基板３の間に挟持し、放
熱側絶縁基板２と吸熱側絶縁基板３の外部からヒータ２
１、２２で加熱しながら所定時間挟持する。ヒータ２
１、２２の温度プロファイルはピークで２８０℃に設定
されており、第１半田材料が溶融する。ヒータ２１、２
２が冷却すると、第１半田材料が固化し半田層５が形成
され、熱電素子１と放熱側絶縁基板２および熱電素子１
と吸熱側絶縁基板３が接合される。（第１工程、図２） 次に、第２半田材料を使用してリード線１２を半田ゴテ
２３により接続する。第２半田材料には第１半田材料と
同じＳｎ／Ｓｂ＝９５／５（重量比）を使用している。
半田ゴテ２３の温度は約３００℃に設定されている。リ
ード線１２は、直径０．２〜０．３ｍｍ、長さ５０ｍｍ
のＳｎメッキ軟銅線を使用している。第２半田材料が固
化すると半田部８が形成される。こうしてサーモモジュ
ール１００が形成される。（第２工程、図３） この後、サーモモジュール１００の放熱側絶縁基板２の
外表面（パッケージ６に接合する側）に第３半田材料を
塗布し、またサーモモジュール１００の吸熱側絶縁基板
３の外表面（チップキャリア９に接合する側）に第４半
田材料を塗布する。
【００３２】次に、上部の蓋部を取ったパッケージ６の
底面に第３半田材料を塗布する。このパッケージ６をホ
ットプレート２４上に置いて加熱する。サーモモジュー
ル１００の放熱側絶縁基板２側を下にしてパッケージ６
の底面に当接させる。ホットプレート２４の加熱により
第３半田材料が溶融し、その状態で適当な治具を用いて
サーモモジュール１００をスクラブし、その後、ホット
プレート２４からパッケージ６をおろして冷却する。第
３半田材料は冷却されて半田層７を形成する。（第３工
程、図４）第３半田材料としては、表１に示す半田を使
用し、それぞれ実施例１〜４とした。
底面に第３半田材料を塗布する。このパッケージ６をホ
ットプレート２４上に置いて加熱する。サーモモジュー
ル１００の放熱側絶縁基板２側を下にしてパッケージ６
の底面に当接させる。ホットプレート２４の加熱により
第３半田材料が溶融し、その状態で適当な治具を用いて
サーモモジュール１００をスクラブし、その後、ホット
プレート２４からパッケージ６をおろして冷却する。第
３半田材料は冷却されて半田層７を形成する。（第３工
程、図４）第３半田材料としては、表１に示す半田を使
用し、それぞれ実施例１〜４とした。
【００３３】
【表１】
続いて、ホットプレート２４上にパッケージ６を置い
て、サーモモジュール１００の吸熱側絶縁基板３の上
に、ＬＤチップセット２００をチップキャリア９が吸熱
側絶縁基板３側になるように当接させる。チップキャリ
ア９の当接面には第４半田材料が予め塗布されている。
ホットプレート２４の加熱により第４半田材料が溶融
し、その状態で適当な治具を用いてＬＤチップセット２
００をスクラブし、その後、ホットプレート２４からパ
ッケージ６をおろして冷却する。第４半田材料は冷却さ
れて半田層１１を形成する。（第４工程、図５）第４半
田材料としては、Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）
（融点約１３８℃）を使用した。
て、サーモモジュール１００の吸熱側絶縁基板３の上
に、ＬＤチップセット２００をチップキャリア９が吸熱
側絶縁基板３側になるように当接させる。チップキャリ
ア９の当接面には第４半田材料が予め塗布されている。
ホットプレート２４の加熱により第４半田材料が溶融
し、その状態で適当な治具を用いてＬＤチップセット２
００をスクラブし、その後、ホットプレート２４からパ
ッケージ６をおろして冷却する。第４半田材料は冷却さ
れて半田層１１を形成する。（第４工程、図５）第４半
田材料としては、Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）
（融点約１３８℃）を使用した。
【００３４】次に、ホットプレート２４上にパッケージ
６を置いて加熱しながら、リード線１２を第５半田材料
を用いて半田ゴテ２３で端子４に接続する。このときの
ホットプレート温度は１２０℃、半田ゴテ温度は１８０
℃に設定されている。第５半田材料しては、Ｓｎ／Ｂｉ
＝４２／５８（融点約１３８℃）を使用した。その後、
ホットプレート２４からパッケージ６をおろして冷却す
ると、第５半田材料が固化して半田部１３が形成され
る。（第５工程、図６） この段階で、サーモモジュール１００のリード線１２接
続部（半田部８付近）を観察し、破壊されていないかど
うか目視で観察した。各実施例について１０個のＬＤモ
ジュールを製造して観察した。そのうち、サーモモジュ
ール１００のリード線１２接続部が破壊されていた個数
をＮＧ数として表１に示した。実施例１〜４のいずれに
おいてもＮＧ数はゼロであった。
６を置いて加熱しながら、リード線１２を第５半田材料
を用いて半田ゴテ２３で端子４に接続する。このときの
ホットプレート温度は１２０℃、半田ゴテ温度は１８０
℃に設定されている。第５半田材料しては、Ｓｎ／Ｂｉ
＝４２／５８（融点約１３８℃）を使用した。その後、
ホットプレート２４からパッケージ６をおろして冷却す
ると、第５半田材料が固化して半田部１３が形成され
る。（第５工程、図６） この段階で、サーモモジュール１００のリード線１２接
続部（半田部８付近）を観察し、破壊されていないかど
うか目視で観察した。各実施例について１０個のＬＤモ
ジュールを製造して観察した。そのうち、サーモモジュ
ール１００のリード線１２接続部が破壊されていた個数
をＮＧ数として表１に示した。実施例１〜４のいずれに
おいてもＮＧ数はゼロであった。
【００３５】第５工程後、パッケージ６の蓋をするとＬ
Ｄモジュールが完成する。（図７）なお、ＬＤ１０のリ
ード線は第４工程後の適当な時期に該当する端子に接続
される。
Ｄモジュールが完成する。（図７）なお、ＬＤ１０のリ
ード線は第４工程後の適当な時期に該当する端子に接続
される。
【００３６】第５半田材料として、実施例のＳｎ／Ｂｉ
＝４２／５８の代わりに第３半田材料と同じ表２の材料
を使用して比較例１〜４とした。第５工程以外の製造方
法は実施例と同じである。比較例１〜４の第５工程にお
いては、ホットプレート２４による予備加熱温度、半田
ゴテ温度として表２の条件を使用して製造した。比較例
１〜４についても、それぞれ１０個製造し、サーモモジ
ュール１００のリード線１２接続部（半田部８付近）を
観察し、破壊されていないかどうか目視で観察した。そ
のうち、サーモモジュール１００のリード線１２接続部
が破壊されていた個数をＮＧ数として表２に示した。す
べての比較例でＮＧが生じた。しかも第３半田材料の融
点が高いほどＮＧが多くなっている。これは、第５工程
における加熱温度を高くせざるをえないため、半田部８
が軟化し、リード線１２から加わる応力などにより破壊
されたためと考えられる。
＝４２／５８の代わりに第３半田材料と同じ表２の材料
を使用して比較例１〜４とした。第５工程以外の製造方
法は実施例と同じである。比較例１〜４の第５工程にお
いては、ホットプレート２４による予備加熱温度、半田
ゴテ温度として表２の条件を使用して製造した。比較例
１〜４についても、それぞれ１０個製造し、サーモモジ
ュール１００のリード線１２接続部（半田部８付近）を
観察し、破壊されていないかどうか目視で観察した。そ
のうち、サーモモジュール１００のリード線１２接続部
が破壊されていた個数をＮＧ数として表２に示した。す
べての比較例でＮＧが生じた。しかも第３半田材料の融
点が高いほどＮＧが多くなっている。これは、第５工程
における加熱温度を高くせざるをえないため、半田部８
が軟化し、リード線１２から加わる応力などにより破壊
されたためと考えられる。
【００３７】
【表２】
実施例では、第５半田材料は第２半田材料より８０℃以
上低い融点であり、かつリード線１２と端子４の接続を
第１〜４工程の最後に行っているので、半田部８にかか
る熱が押さえられ、サーモモジュール１００のリード線
１２接続部が破壊されなかったと考えられる。なお、第
３半田材料の融点は第１半田材料の融点より低いため、
第３工程で第１半田材料が溶融し、サーモモジュール１
００が壊れることはない。第４半田材料の融点は、第１
半田材料、第３半田材料より低いため第４工程で第１半
田材料、第３半田材料が溶融しサーモモジュール１００
が壊れたり、パッケージ６から剥離することはない。こ
うして、鉛フリーのＬＤモジュールを製造可能にした。
上低い融点であり、かつリード線１２と端子４の接続を
第１〜４工程の最後に行っているので、半田部８にかか
る熱が押さえられ、サーモモジュール１００のリード線
１２接続部が破壊されなかったと考えられる。なお、第
３半田材料の融点は第１半田材料の融点より低いため、
第３工程で第１半田材料が溶融し、サーモモジュール１
００が壊れることはない。第４半田材料の融点は、第１
半田材料、第３半田材料より低いため第４工程で第１半
田材料、第３半田材料が溶融しサーモモジュール１００
が壊れたり、パッケージ６から剥離することはない。こ
うして、鉛フリーのＬＤモジュールを製造可能にした。
【００３８】実施例では、第１半田材料として融点２３
５℃のＳｎ／Ｓｂ＝９５／５（重量比）を使用したが、
融点が２３０℃以上あれば適用できる。たとえば、Ａｕ
／Ｓｎ＝８０／２０（重量比）（融点２８０℃）などが
ある。第３半田材料として表１の材料に限定されず、融
点が１９０〜２２５℃の材料なら適用できる。たとえ
ば、Ｓｎ／Ｚｎ／Ｂｉ＝８９．５／７．５／３．０（重
量比）（固相線１８９℃、液相線１９９℃）、Ｓｎ／Ａ
ｇ／Ｃｕ／Ｉｎ＝９５．３／３．０／０．７／１．０
（重量比）（固相線２１５℃、液相線２１７℃）、Ｓｎ
／Ａｇ／Ｃｕ／Ｓｂ＝９５．６５／３．３５／０．７／
０．３（重量比）（固相線２１８℃、液相線２２０℃）
などがある。また第４半田材料、第５半田材料としてＳ
ｎ／Ｂｉ＝４２／５８（融点約１３８℃）を使用した
が、第２半田材料より８０℃以上低い融点の材料なら適
用できる。たとえばＩｎ（融点１５６℃）、Ｉｎ／Ｓｎ
＝５０／５０（重量比）（融点１１８℃）、Ｉｎ／Ｓｎ
＝５２／４８（重量比）（融点１１８℃）、Ｉｎ／Ａｇ
＝９７／３（重量比）（融点１４３℃）などがある。第
５半田材料としては望ましくは融点が１５０℃以下であ
るとよい。すなわち、第５半田材料と第３半田材料の融
点差が４０℃以上あるとよい。
５℃のＳｎ／Ｓｂ＝９５／５（重量比）を使用したが、
融点が２３０℃以上あれば適用できる。たとえば、Ａｕ
／Ｓｎ＝８０／２０（重量比）（融点２８０℃）などが
ある。第３半田材料として表１の材料に限定されず、融
点が１９０〜２２５℃の材料なら適用できる。たとえ
ば、Ｓｎ／Ｚｎ／Ｂｉ＝８９．５／７．５／３．０（重
量比）（固相線１８９℃、液相線１９９℃）、Ｓｎ／Ａ
ｇ／Ｃｕ／Ｉｎ＝９５．３／３．０／０．７／１．０
（重量比）（固相線２１５℃、液相線２１７℃）、Ｓｎ
／Ａｇ／Ｃｕ／Ｓｂ＝９５．６５／３．３５／０．７／
０．３（重量比）（固相線２１８℃、液相線２２０℃）
などがある。また第４半田材料、第５半田材料としてＳ
ｎ／Ｂｉ＝４２／５８（融点約１３８℃）を使用した
が、第２半田材料より８０℃以上低い融点の材料なら適
用できる。たとえばＩｎ（融点１５６℃）、Ｉｎ／Ｓｎ
＝５０／５０（重量比）（融点１１８℃）、Ｉｎ／Ｓｎ
＝５２／４８（重量比）（融点１１８℃）、Ｉｎ／Ａｇ
＝９７／３（重量比）（融点１４３℃）などがある。第
５半田材料としては望ましくは融点が１５０℃以下であ
るとよい。すなわち、第５半田材料と第３半田材料の融
点差が４０℃以上あるとよい。
【００３９】なお、実施例はＬＤモジュールで説明した
が、サーモモジュールで冷却する半導体素子を使用した
半導体モジュールなら適用可能である。
が、サーモモジュールで冷却する半導体素子を使用した
半導体モジュールなら適用可能である。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明は、放熱側絶縁基
板と吸熱側絶縁基板で熱電素子を挟持し鉛フリーの第１
半田材料で接合する第１工程と、前記放熱側絶縁基板に
リード線を鉛フリーの第２半田材料で接続する第２工程
ロッドレンズ１８と、前記放熱側絶縁基板をパッケージ
に鉛フリーの第３半田材料で接合する第３工程と、前記
吸熱側基板に半導体素子のチップキャリアを鉛フリーの
第４半田材料で接合する第４工程と、前記リード線を前
記パッケージに設けられた端子に第２半田材料より８０
℃以上低い融点の鉛フリーの第５半田材料で接合する第
５工程が設けられ、該第５工程を前記第１〜５工程の最
終工程で行うことを特徴とする半導体モジュールの製造
方法であるので、鉛フリー半田を使用しても、リード線
とサーモモジュールの接続部が破壊されることなく製造
できる。
板と吸熱側絶縁基板で熱電素子を挟持し鉛フリーの第１
半田材料で接合する第１工程と、前記放熱側絶縁基板に
リード線を鉛フリーの第２半田材料で接続する第２工程
ロッドレンズ１８と、前記放熱側絶縁基板をパッケージ
に鉛フリーの第３半田材料で接合する第３工程と、前記
吸熱側基板に半導体素子のチップキャリアを鉛フリーの
第４半田材料で接合する第４工程と、前記リード線を前
記パッケージに設けられた端子に第２半田材料より８０
℃以上低い融点の鉛フリーの第５半田材料で接合する第
５工程が設けられ、該第５工程を前記第１〜５工程の最
終工程で行うことを特徴とする半導体モジュールの製造
方法であるので、鉛フリー半田を使用しても、リード線
とサーモモジュールの接続部が破壊されることなく製造
できる。
【図１】本発明の実施例のＬＤモジュールの断面説明
図。
図。
【図２】熱電素子と放熱側絶縁基板および熱電素子と吸
熱側絶縁基板を接合する方法を説明する説明図。
熱側絶縁基板を接合する方法を説明する説明図。
【図３】放熱側絶縁基板にリード線を接続する方法を説
明する説明図。
明する説明図。
【図４】サーモモジュールをパッケージに接合する方法
を説明する説明図。
を説明する説明図。
【図５】ＬＤチップセットをサーモモジュールに接合す
る方法を説明する説明図
る方法を説明する説明図
【図６】リード線を端子に接続する方法を説明する説明
図。
図。
【図７】パッケージを完成させた状態の説明図。
【図８】従来のＬＤモジュールの断面説明図。
１…熱電素子
２…放熱側絶縁基板
３…吸熱側絶縁基板
４…端子
５、７、１１…半田層
６…パッケージ
８、１３…半田部
９…チップキャリア
１０…ＬＤ（半導体素子）
１２…リード線
１００…サーモモジュール
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 35/08 Ｈ０１Ｌ 35/08
35/10 35/10
35/32 35/32 Ａ
35/34 35/34
Ｈ０１Ｓ 5/024 Ｈ０１Ｓ 5/024
Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BA33 BC31
5F073 AB27 AB28 EA28 FA06 FA25
Claims (4)
- 【請求項１】 放熱側絶縁基板と吸熱側絶縁基板で熱電
素子を挟持し鉛フリーの第１半田材料で接合する第１工
程と、前記放熱側絶縁基板にリード線を鉛フリーの第２
半田材料で接続する第２工程と、前記放熱側絶縁基板を
パッケージに鉛フリーの第３半田材料で接合する第３工
程と、前記吸熱側基板に半導体素子のチップキャリアを
鉛フリーの第４半田材料で接合する第４工程と、前記リ
ード線を前記パッケージに設けられた端子に第２半田材
料より８０℃以上低い融点の鉛フリーの第５半田材料で
接合する第５工程が設けられ、該第５工程を前記第１〜
５工程の最終工程で行うことを特徴とする半導体モジュ
ールの製造方法。 - 【請求項２】 前記第１半田材料および前記第２半田材
料の融点が２３０℃以上であり、前記第３半田材料の融
点が１９０〜２２５℃であり、前記第４半田材料および
前記第５半田材料の融点が１５０℃以下であることを特
徴とする請求項１記載の半導体モジュールの製造方法。 - 【請求項３】 前記第１半田材料および前記第２半田材
料がＳｎ−Ｓｂ系半田、前記第３半田材料がＳｎ−Ｚｎ
系半田であり、Ｓｎ−Ａｇ系半田の少なくとも一方であ
り、前記第４半田材料および前記第５半田材料がＳｎ−
Ｂｉ系半田であることを特徴とする請求項１〜２のいず
れかに記載の半導体モジュールの製造方法。 - 【請求項４】 前記第５半田材料の成分がＳｎ／Ｂｉ＝
４２／５８（重量比）であることを特徴とする請求項１
〜３のいずれかに記載の半導体モジュールの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2001315796A JP3636128B2 (ja) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | 半導体モジュールの製造方法 |
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| JP2001315796A JP3636128B2 (ja) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | 半導体モジュールの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124412A true JP2003124412A (ja) | 2003-04-25 |
| JP2003124412A5 JP2003124412A5 (ja) | 2005-03-17 |
| JP3636128B2 JP3636128B2 (ja) | 2005-04-06 |
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| JP2001315796A Expired - Fee Related JP3636128B2 (ja) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | 半導体モジュールの製造方法 |
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| JP (1) | JP3636128B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081734A1 (fr) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Module et procede optique d'assemblage de module optique |
| WO2005057605A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | シール材、およびシール材を用いた画像表示装置 |
-
2001
- 2001-10-12 JP JP2001315796A patent/JP3636128B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2003081734A1 (fr) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Module et procede optique d'assemblage de module optique |
| US6963676B2 (en) | 2002-03-27 | 2005-11-08 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module and method of assembling the optical module |
| WO2005057605A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | シール材、およびシール材を用いた画像表示装置 |
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| JP3636128B2 (ja) | 2005-04-06 |
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