JP2003124279A - 半導体装置のトレンチ深さ測定方法 - Google Patents
半導体装置のトレンチ深さ測定方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハを破損することなくトレンチ深さを直
接に測定する方法を提供する。 【解決手段】 最初に突出部ＰＰの先端部ＴＰが明確に
見えるように顕微鏡のレンズＬＺの焦点位置を調整し、
その状態での試料台ＳＴの垂直方向の位置Ａを確認して
おく。次に、レンズＬＺはそのままの位置を保ち、試料
台ＳＴをレンズＬＺ方向に徐々に移動させ、基台ＢＰの
表面ＳＦが明確に見える位置で移動を停止する。この状
態での試料台ＳＴの垂直方向の位置Ｂを確認し、垂直位
置Ｂと、垂直位置Ａと差から移動距離ＭＤ、すなわち突
出部ＰＰの高さを得る。ネガレプリカＮＲ中には標準粒
子ＳＰが拡散して不透明となっているので、レンズＬＺ
の合焦位置が、突出部ＰＰの先端部ＴＰであるか基台Ｂ
Ｐの表面ＳＦであるかの判別を付け易くなり、正確な移
動距離ＭＤを取得できる。
接に測定する方法を提供する。 【解決手段】 最初に突出部ＰＰの先端部ＴＰが明確に
見えるように顕微鏡のレンズＬＺの焦点位置を調整し、
その状態での試料台ＳＴの垂直方向の位置Ａを確認して
おく。次に、レンズＬＺはそのままの位置を保ち、試料
台ＳＴをレンズＬＺ方向に徐々に移動させ、基台ＢＰの
表面ＳＦが明確に見える位置で移動を停止する。この状
態での試料台ＳＴの垂直方向の位置Ｂを確認し、垂直位
置Ｂと、垂直位置Ａと差から移動距離ＭＤ、すなわち突
出部ＰＰの高さを得る。ネガレプリカＮＲ中には標準粒
子ＳＰが拡散して不透明となっているので、レンズＬＺ
の合焦位置が、突出部ＰＰの先端部ＴＰであるか基台Ｂ
Ｐの表面ＳＦであるかの判別を付け易くなり、正確な移
動距離ＭＤを取得できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置における
トレンチキャパシタや素子分離絶縁膜の形成に使用され
るトレンチの深さの測定方法に関する。
トレンチキャパシタや素子分離絶縁膜の形成に使用され
るトレンチの深さの測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現状の半導体装置において、例えば、素
子分離絶縁膜の形成に使用されるトレンチの寸法は、幅
は約０．３５μｍ、深さは約３．５μｍで、幅に対する
深さのアスペクト比は１０程度となっている。
子分離絶縁膜の形成に使用されるトレンチの寸法は、幅
は約０．３５μｍ、深さは約３．５μｍで、幅に対する
深さのアスペクト比は１０程度となっている。
【０００３】このように高いアスペクト比を有するトレ
ンチにおいては、紫外域のレーザーを用いたレーザー顕
微鏡を使用しても、トレンチ底部からの反射光が得られ
ず、トレンチの深さを測定することはできない。
ンチにおいては、紫外域のレーザーを用いたレーザー顕
微鏡を使用しても、トレンチ底部からの反射光が得られ
ず、トレンチの深さを測定することはできない。
【０００４】また、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いれ
ばトレンチを立体的に見ることはできるが、ＳＥＭでは
寸法を直接測定することはできず、試料を所定角度傾け
て写真を撮り、写真上で深さを採寸し、その値に傾斜角
度分の補正を行うことでトレンチ深さを算出するという
不正確な手法を採らざるを得なかった。
ばトレンチを立体的に見ることはできるが、ＳＥＭでは
寸法を直接測定することはできず、試料を所定角度傾け
て写真を撮り、写真上で深さを採寸し、その値に傾斜角
度分の補正を行うことでトレンチ深さを算出するという
不正確な手法を採らざるを得なかった。
【０００５】もちろん、試料をトレンチ部分で切断し、
その断面をＳＥＭで観察すれば、比較的正確にトレンチ
深さを測定できるが、試料、すなわちウェハは使い物に
ならなくなるので、この方法は実用的ではない。
その断面をＳＥＭで観察すれば、比較的正確にトレンチ
深さを測定できるが、試料、すなわちウェハは使い物に
ならなくなるので、この方法は実用的ではない。
【０００６】そこで、一般的には、ウェハ上の半導体装
置の形成領域以外の部分、例えば、ウェハ端縁部にモニ
タ用トレンチを設け、モニタ用トレンチの深さを針接触
式の形状測定装置で測定する手法が採られている。
置の形成領域以外の部分、例えば、ウェハ端縁部にモニ
タ用トレンチを設け、モニタ用トレンチの深さを針接触
式の形状測定装置で測定する手法が採られている。
【０００７】モニタ用トレンチは、幅を変えて幾種類か
設けられ、接触する針の大きさから、最大のもので１０
０μｍ程度に形成される。そして、各種幅のトレンチに
対して形状測定装置を用いて深さを測定し、トレンチ幅
に対するトレンチ深さの関係を取得し、トレンチ幅０．
３５μｍの場合のトレンチ深さを外挿的に取得するもの
である。
設けられ、接触する針の大きさから、最大のもので１０
０μｍ程度に形成される。そして、各種幅のトレンチに
対して形状測定装置を用いて深さを測定し、トレンチ幅
に対するトレンチ深さの関係を取得し、トレンチ幅０．
３５μｍの場合のトレンチ深さを外挿的に取得するもの
である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来にお
いては、トレンチ深さを間接的に測定しており、正確な
トレンチ深さを得ることができず、例えば、半導体装置
の製造プロセスに問題があり、所望のトレンチが形成さ
れていない場合でも、そのままの状態でプロセスが進行
して、最終的に不良製品が多数製造され、製品歩留まり
が低下するという問題があった。
いては、トレンチ深さを間接的に測定しており、正確な
トレンチ深さを得ることができず、例えば、半導体装置
の製造プロセスに問題があり、所望のトレンチが形成さ
れていない場合でも、そのままの状態でプロセスが進行
して、最終的に不良製品が多数製造され、製品歩留まり
が低下するという問題があった。
【０００９】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、ウェハを破損せず、トレンチ深さ
を直接に測定する方法を提供することを目的とする。
めになされたもので、ウェハを破損せず、トレンチ深さ
を直接に測定する方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１記
載の半導体装置のトレンチ深さ測定方法は、半導体基板
の主面表面内に形成されたトレンチの深さを測定する方
法であって、酢酸セルロースのアセトン溶解液に、粒径
が前記トレンチの幅より小さく、前記粒径の大きさが揃
った標準粒子を混入した型取り溶液を準備する工程(ａ)
と、前記トレンチが形成された状態の前記半導体基板上
に前記型取り溶液を滴下し、乾燥固化して前記トレンチ
の形状に対応した形状の突出部と、前記半導体基板の前
記主面に対応する基台とを有するネガレプリカを形成す
る工程(ｂ)と、前記ネガレプリカを、前記半導体基板か
ら引き剥がす工程(ｃ)と、前記ネガレプリカの前記突出
部の高さを、顕微鏡のレンズと前記ネガレプリカとの相
対距離を変化させることで得られる前記顕微鏡の合焦位
置の高低差を利用して測定する工程(ｄ)とを備えてい
る。
載の半導体装置のトレンチ深さ測定方法は、半導体基板
の主面表面内に形成されたトレンチの深さを測定する方
法であって、酢酸セルロースのアセトン溶解液に、粒径
が前記トレンチの幅より小さく、前記粒径の大きさが揃
った標準粒子を混入した型取り溶液を準備する工程(ａ)
と、前記トレンチが形成された状態の前記半導体基板上
に前記型取り溶液を滴下し、乾燥固化して前記トレンチ
の形状に対応した形状の突出部と、前記半導体基板の前
記主面に対応する基台とを有するネガレプリカを形成す
る工程(ｂ)と、前記ネガレプリカを、前記半導体基板か
ら引き剥がす工程(ｃ)と、前記ネガレプリカの前記突出
部の高さを、顕微鏡のレンズと前記ネガレプリカとの相
対距離を変化させることで得られる前記顕微鏡の合焦位
置の高低差を利用して測定する工程(ｄ)とを備えてい
る。
【００１１】本発明に係る請求項２記載の半導体装置の
トレンチ深さ測定方法は、前記工程(ｄ)が、前記顕微鏡
の前記レンズに対して垂直な方向に微小ステップで移動
可能な試料台上に、前記突出部が前記レンズ側に向くよ
うに前記ネガレプリカを載置し、前記突出部の先端部で
の合焦位置における前記試料台の高さと、前記基台表面
での合焦位置における前記試料台の高さとの高低差を、
前記突出部の高さとして取得する工程を含んでいる。
トレンチ深さ測定方法は、前記工程(ｄ)が、前記顕微鏡
の前記レンズに対して垂直な方向に微小ステップで移動
可能な試料台上に、前記突出部が前記レンズ側に向くよ
うに前記ネガレプリカを載置し、前記突出部の先端部で
の合焦位置における前記試料台の高さと、前記基台表面
での合焦位置における前記試料台の高さとの高低差を、
前記突出部の高さとして取得する工程を含んでいる。
【００１２】本発明に係る請求項３記載の半導体装置の
トレンチ深さ測定方法は、前記工程(ａ)が、酢酸セルロ
ースの体積を１とし、体積比で２倍の量のアセトン溶液
を加えることで前記酢酸セルロースのアセトン溶解液を
調合する工程と、前記標準粒子として、純水中に分散す
るポリスチレン粒子を、前記酢酸セルロースのアセトン
溶解液に滴下混合する工程とを含んでいる。
トレンチ深さ測定方法は、前記工程(ａ)が、酢酸セルロ
ースの体積を１とし、体積比で２倍の量のアセトン溶液
を加えることで前記酢酸セルロースのアセトン溶解液を
調合する工程と、前記標準粒子として、純水中に分散す
るポリスチレン粒子を、前記酢酸セルロースのアセトン
溶解液に滴下混合する工程とを含んでいる。
【００１３】本発明に係る請求項４記載の半導体装置の
トレンチ深さ測定方法は、前記ポリスチレン粒子の粒径
が、２０ｎｍ〜１００ｎｍである。
トレンチ深さ測定方法は、前記ポリスチレン粒子の粒径
が、２０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００１４】本発明に係る請求項５記載の半導体装置の
トレンチ深さ測定方法は、前記工程(ｂ)が、前記型取り
溶液を滴下した前記半導体基板を、３０〜４０℃の温度
範囲で、１０分〜２０分間加熱する工程を含んでいる。
トレンチ深さ測定方法は、前記工程(ｂ)が、前記型取り
溶液を滴下した前記半導体基板を、３０〜４０℃の温度
範囲で、１０分〜２０分間加熱する工程を含んでいる。
【００１５】本発明に係る請求項６記載の半導体装置の
トレンチ深さ測定方法は、前記工程(ｃ)が、前記半導体
基板の前記主面上に付着した状態の前記ネガレプリカ上
に瞬間接着剤を滴下し、前記ネガレプリカとの接着のた
めの接着部材の平坦面を、前記瞬間接着剤に押し付け
て、前記接着部材を前記ネガレプリカに接着する工程
と、前記接着部材を前記半導体基板の前記主面に対して
垂直な方向に引き上げることで、前記ネガレプリカを前
記半導体基板から引き剥がす工程とを含んでいる。
トレンチ深さ測定方法は、前記工程(ｃ)が、前記半導体
基板の前記主面上に付着した状態の前記ネガレプリカ上
に瞬間接着剤を滴下し、前記ネガレプリカとの接着のた
めの接着部材の平坦面を、前記瞬間接着剤に押し付け
て、前記接着部材を前記ネガレプリカに接着する工程
と、前記接着部材を前記半導体基板の前記主面に対して
垂直な方向に引き上げることで、前記ネガレプリカを前
記半導体基板から引き剥がす工程とを含んでいる。
【００１６】本発明に係る請求項７記載の半導体装置の
トレンチ深さ測定方法は、前記工程(ｃ)が、前記半導体
基板の前記主面上に付着した状態の前記ネガレプリカ上
に、前記標準粒子を含まない前記酢酸セルロースのアセ
トン溶解液を滴下して乾燥固化し、前記ネガレプリカに
密着した接着補助層を形成する工程と、前記接着補助層
上に瞬間接着剤を滴下し、前記接着補助層との接着のた
めの接着部材の平坦面を、前記瞬間接着剤に押し付け
て、前記接着部材を前記接着補助層に接着する工程と、
前記接着部材を前記半導体基板の前記主面に対して垂直
な方向に引き上げることで、前記接着補助層とともに前
記ネガレプリカを前記半導体基板から引き剥がす工程と
を含んでいる。
トレンチ深さ測定方法は、前記工程(ｃ)が、前記半導体
基板の前記主面上に付着した状態の前記ネガレプリカ上
に、前記標準粒子を含まない前記酢酸セルロースのアセ
トン溶解液を滴下して乾燥固化し、前記ネガレプリカに
密着した接着補助層を形成する工程と、前記接着補助層
上に瞬間接着剤を滴下し、前記接着補助層との接着のた
めの接着部材の平坦面を、前記瞬間接着剤に押し付け
て、前記接着部材を前記接着補助層に接着する工程と、
前記接着部材を前記半導体基板の前記主面に対して垂直
な方向に引き上げることで、前記接着補助層とともに前
記ネガレプリカを前記半導体基板から引き剥がす工程と
を含んでいる。
【００１７】
【発明の実施の形態】＜Ａ．発明の特徴部＞本発明に係
る測定方法の特徴部を、素子分離絶縁膜用のトレンチを
例に採って、図１〜図３を用いて説明する。
る測定方法の特徴部を、素子分離絶縁膜用のトレンチを
例に採って、図１〜図３を用いて説明する。
【００１８】図１は、半導体基板ＳＢの主面表面内に素
子分離絶縁膜用のトレンチＴＲを形成した状態を示す断
面図である。トレンチＴＲは幅０．３５μｍ、深さ３．
５μｍを設定値として形成されている。
子分離絶縁膜用のトレンチＴＲを形成した状態を示す断
面図である。トレンチＴＲは幅０．３５μｍ、深さ３．
５μｍを設定値として形成されている。
【００１９】次に、図２に示す工程において、トレンチ
ＴＲの形成領域上に酢酸セルロースをアセトンに溶かし
た溶液に、粒子径標準粒子（Certified Particle Size
Standards）として市販されている粒子（以後、標準粒
子ＳＰと呼称）を混ぜた溶液（以後、型取り溶液と呼
称）ＳＬを滴下することで、トレンチＴＲを型取り溶液
ＳＬで埋め込むとともに、半導体基板ＳＢの主面上を型
取り溶液ＳＬの膜で覆う。
ＴＲの形成領域上に酢酸セルロースをアセトンに溶かし
た溶液に、粒子径標準粒子（Certified Particle Size
Standards）として市販されている粒子（以後、標準粒
子ＳＰと呼称）を混ぜた溶液（以後、型取り溶液と呼
称）ＳＬを滴下することで、トレンチＴＲを型取り溶液
ＳＬで埋め込むとともに、半導体基板ＳＢの主面上を型
取り溶液ＳＬの膜で覆う。
【００２０】ここで、型取り溶液ＳＬは、固体の酢酸セ
ルロースの体積を１とした場合、体積比で２倍の量のア
セトン溶液を加え、１時間程度放置することで酢酸セル
ロースを完全に溶解させ、さらに標準粒子ＳＰを混ぜて
得る。なお、酢酸セルロースをアセトンに溶かした溶液
は、攪拌すれば気泡を生じるが、放置することで気泡は
消失する。半導体基板ＳＢ上には気泡がない状態で滴下
する。
ルロースの体積を１とした場合、体積比で２倍の量のア
セトン溶液を加え、１時間程度放置することで酢酸セル
ロースを完全に溶解させ、さらに標準粒子ＳＰを混ぜて
得る。なお、酢酸セルロースをアセトンに溶かした溶液
は、攪拌すれば気泡を生じるが、放置することで気泡は
消失する。半導体基板ＳＢ上には気泡がない状態で滴下
する。
【００２１】標準粒子ＳＰとしては、例えば、Ｄｕｋｕ
Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製の
ポリスチレン粒子を用いれば良い。当該ポリスチレン粒
子は、２０ｎｍ〜９００ｎｍの範囲で、種々の大きさの
粒径のものを選択でき、純水中に分散した状態で提供さ
れる。本実施の形態においては、トレンチＴＲの幅が
０．３５μｍであるので、粒径２０ｎｍ〜１００ｎｍの
ポリスチレン粒子を用いれば、トレンチＴＲ内で目詰ま
りを起こすことを確実に防止でき、トレンチＴＲ内に均
一に分散させることができる。
Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製の
ポリスチレン粒子を用いれば良い。当該ポリスチレン粒
子は、２０ｎｍ〜９００ｎｍの範囲で、種々の大きさの
粒径のものを選択でき、純水中に分散した状態で提供さ
れる。本実施の形態においては、トレンチＴＲの幅が
０．３５μｍであるので、粒径２０ｎｍ〜１００ｎｍの
ポリスチレン粒子を用いれば、トレンチＴＲ内で目詰ま
りを起こすことを確実に防止でき、トレンチＴＲ内に均
一に分散させることができる。
【００２２】標準粒子ＳＰを型取り溶液ＳＬ中に混入さ
せるには、純水中に分散した状態の標準粒子ＳＰを型取
り溶液ＳＬ中に滴下すれば良い。滴下量に明確な限定は
ないが、標準粒子ＳＰを混入する目的が、透明な型取り
溶液ＳＬを濁らせて、不透明な状態にすることにあるの
で、標準粒子ＳＰが拡散した状態で、型取り溶液ＳＬが
不透明になるように、型取り溶液ＳＬの体積に応じて適
宜決定すれば良い。
せるには、純水中に分散した状態の標準粒子ＳＰを型取
り溶液ＳＬ中に滴下すれば良い。滴下量に明確な限定は
ないが、標準粒子ＳＰを混入する目的が、透明な型取り
溶液ＳＬを濁らせて、不透明な状態にすることにあるの
で、標準粒子ＳＰが拡散した状態で、型取り溶液ＳＬが
不透明になるように、型取り溶液ＳＬの体積に応じて適
宜決定すれば良い。
【００２３】なお、ポリスチレン粒子は白色をしてお
り、型取り溶液ＳＬは不透明白色となる。Ｄｕｋｕ社の
ポリスチレン粒子には、緑色、赤色、青色の蛍光色を有
するものもあるので、それらを使用しても良い。
り、型取り溶液ＳＬは不透明白色となる。Ｄｕｋｕ社の
ポリスチレン粒子には、緑色、赤色、青色の蛍光色を有
するものもあるので、それらを使用しても良い。
【００２４】図２においては標準粒子ＳＰが混入された
型取り溶液ＳＬが半導体基板ＳＢ上において乾燥固化し
た状態を示している。
型取り溶液ＳＬが半導体基板ＳＢ上において乾燥固化し
た状態を示している。
【００２５】次に、図３に示すように、乾燥固化した型
取り溶液ＳＬを半導体基板ＳＢから引き剥がし、トレン
チＴＲに対応する突出部ＰＰが上面側となるように光学
顕微鏡の試料台ＳＴ上に載置する。
取り溶液ＳＬを半導体基板ＳＢから引き剥がし、トレン
チＴＲに対応する突出部ＰＰが上面側となるように光学
顕微鏡の試料台ＳＴ上に載置する。
【００２６】なお、以後の説明においては、固化した型
取り溶液ＳＬをネガレプリカＮＲと呼称する。これは、
トレンチＴＲの反転した形状が突出部ＰＰとして得られ
るからである。
取り溶液ＳＬをネガレプリカＮＲと呼称する。これは、
トレンチＴＲの反転した形状が突出部ＰＰとして得られ
るからである。
【００２７】なお、ネガレプリカＮＲは、トレンチＴＲ
に対応する突出部ＰＰと、半導体基板ＳＢ上の膜に対応
する基台ＢＰとで構成されており、突出部ＰＰの先端部
ＴＰがトレンチＴＲの底面位置に相当し、基台ＢＰの表
面ＳＦが半導体基板ＳＢの主面位置に相当する。
に対応する突出部ＰＰと、半導体基板ＳＢ上の膜に対応
する基台ＢＰとで構成されており、突出部ＰＰの先端部
ＴＰがトレンチＴＲの底面位置に相当し、基台ＢＰの表
面ＳＦが半導体基板ＳＢの主面位置に相当する。
【００２８】ここで、ネガレプリカＮＲが載置される顕
微鏡の試料台ＳＴは、レンズ主面に対して垂直な方向に
０．０５μｍステップで移動可能なシステムを有してい
る。従って、例えば、最初に突出部ＰＰの先端部ＴＰが
明確に見えるように顕微鏡のレンズＬＺの焦点位置を調
整し、その状態での試料台ＳＴの垂直方向の位置（垂直
位置Ａと呼称）を確認しておく。次に、レンズＬＺはそ
のままの位置を保ち、試料台ＳＴをレンズＬＺ方向に徐
々に移動させ、基台ＢＰの表面ＳＦが明確に見える位置
で移動を停止する。この状態での試料台ＳＴの垂直方向
の位置（垂直位置Ｂと呼称）を確認し、垂直位置Ｂと、
先に確認した垂直位置Ａと差から移動距離ＭＤを求め
る。この移動距離ＭＤが突出部ＰＰの高さ、すなわちト
レンチＴＲの深さに相当する。なお、図３においては説
明の便宜上、レンズＬＺは２つ示されているが実際には
１つのレンズを使用する。
微鏡の試料台ＳＴは、レンズ主面に対して垂直な方向に
０．０５μｍステップで移動可能なシステムを有してい
る。従って、例えば、最初に突出部ＰＰの先端部ＴＰが
明確に見えるように顕微鏡のレンズＬＺの焦点位置を調
整し、その状態での試料台ＳＴの垂直方向の位置（垂直
位置Ａと呼称）を確認しておく。次に、レンズＬＺはそ
のままの位置を保ち、試料台ＳＴをレンズＬＺ方向に徐
々に移動させ、基台ＢＰの表面ＳＦが明確に見える位置
で移動を停止する。この状態での試料台ＳＴの垂直方向
の位置（垂直位置Ｂと呼称）を確認し、垂直位置Ｂと、
先に確認した垂直位置Ａと差から移動距離ＭＤを求め
る。この移動距離ＭＤが突出部ＰＰの高さ、すなわちト
レンチＴＲの深さに相当する。なお、図３においては説
明の便宜上、レンズＬＺは２つ示されているが実際には
１つのレンズを使用する。
【００２９】試料台ＳＴは電動アクチュエータ等で駆動
するので、位置情報はデジタル情報として表示され、垂
直位置Ａを０点位置としてセットしておけば、垂直位置
Ｂの情報として移動距離ＭＤを直接表示することも可能
である。
するので、位置情報はデジタル情報として表示され、垂
直位置Ａを０点位置としてセットしておけば、垂直位置
Ｂの情報として移動距離ＭＤを直接表示することも可能
である。
【００３０】なお、上記説明においては、試料台ＳＴ
が、レンズ主面に対して垂直な方向に微小移動可能とし
て説明したが、レンズが試料台の方向に微小移動可能な
システムを有していても良く、要するに試料台とレンズ
との相対距離を微小ステップで変えることができ、レン
ズあるいは試料台の移動距離を知得できるシステムを有
していれば良い。
が、レンズ主面に対して垂直な方向に微小移動可能とし
て説明したが、レンズが試料台の方向に微小移動可能な
システムを有していても良く、要するに試料台とレンズ
との相対距離を微小ステップで変えることができ、レン
ズあるいは試料台の移動距離を知得できるシステムを有
していれば良い。
【００３１】＜Ｂ．作用効果＞先に説明したように、型
取り溶液ＳＬは透明であり、そのままの状態ではネガレ
プリカＮＲも透明となる。透明なネガレプリカＮＲを光
学顕微鏡で観察した場合、焦点の合っている位置（合焦
位置）が突出部ＰＰの先端部ＴＰなのか、基台ＢＰの表
面ＳＦなのか判然とせず、正確な移動距離ＭＤを取得で
きないという状態が発生する。
取り溶液ＳＬは透明であり、そのままの状態ではネガレ
プリカＮＲも透明となる。透明なネガレプリカＮＲを光
学顕微鏡で観察した場合、焦点の合っている位置（合焦
位置）が突出部ＰＰの先端部ＴＰなのか、基台ＢＰの表
面ＳＦなのか判然とせず、正確な移動距離ＭＤを取得で
きないという状態が発生する。
【００３２】これは、光学顕微鏡の代わりにレーザー顕
微鏡を用いた場合でも同様である。すなわち、透明なネ
ガレプリカＮＲに入射したレーザー光は、ネガレプリカ
ＮＲ内部で散乱や反射が起こり、ネガレプリカＮＲ表面
の反射光だけでなく内部からの反射光が検出され、光信
号のノイズになってしまうので、正確な移動距離ＭＤを
取得できない。
微鏡を用いた場合でも同様である。すなわち、透明なネ
ガレプリカＮＲに入射したレーザー光は、ネガレプリカ
ＮＲ内部で散乱や反射が起こり、ネガレプリカＮＲ表面
の反射光だけでなく内部からの反射光が検出され、光信
号のノイズになってしまうので、正確な移動距離ＭＤを
取得できない。
【００３３】しかし、本実施の形態の測定方法によれ
ば、ネガレプリカＮＲ中には標準粒子ＳＰが拡散して不
透明となっているので、レンズＬＺの合焦位置が、突出
部ＰＰの先端部ＴＰであるか基台ＢＰの表面ＳＦである
かの判別を付け易くなり、正確な移動距離ＭＤを取得で
き、トレンチＴＲの深さを取得できる。
ば、ネガレプリカＮＲ中には標準粒子ＳＰが拡散して不
透明となっているので、レンズＬＺの合焦位置が、突出
部ＰＰの先端部ＴＰであるか基台ＢＰの表面ＳＦである
かの判別を付け易くなり、正確な移動距離ＭＤを取得で
き、トレンチＴＲの深さを取得できる。
【００３４】＜Ｃ．ネガレプリカの作製方法＞以下、図
４〜図９を用いてネガレプリカの作製方法について説明
する。まず、図４に示すように、半導体基板ＳＢ上に標
準粒子ＳＰを含んだ型取り溶液ＳＬを滴下し、当該半導
体基板ＳＢをヒーターＨＴ上に搭載する。型取り溶液Ｓ
Ｌはトレンチ内に浸入するとともに半導体基板ＳＢ上に
適宜広がる。
４〜図９を用いてネガレプリカの作製方法について説明
する。まず、図４に示すように、半導体基板ＳＢ上に標
準粒子ＳＰを含んだ型取り溶液ＳＬを滴下し、当該半導
体基板ＳＢをヒーターＨＴ上に搭載する。型取り溶液Ｓ
Ｌはトレンチ内に浸入するとともに半導体基板ＳＢ上に
適宜広がる。
【００３５】なお、ヒーターＨＴ上に半導体基板ＳＢを
搭載してから型取り溶液ＳＬを滴下しても良いが、その
場合は型取り溶液ＳＬの広がりを阻害しないようにヒー
ターＨＴが室温であることが望ましい。
搭載してから型取り溶液ＳＬを滴下しても良いが、その
場合は型取り溶液ＳＬの広がりを阻害しないようにヒー
ターＨＴが室温であることが望ましい。
【００３６】そして、ヒーターＨＴの温度を４０℃程度
（３０〜４０℃の温度範囲が実用的）に上げ、１０分〜
２０分の加熱を行うことで、半導体基板ＳＢ上に広がっ
た型取り溶液ＳＬが乾燥固化し、ネガレプリカＮＲが成
形される（図５）。
（３０〜４０℃の温度範囲が実用的）に上げ、１０分〜
２０分の加熱を行うことで、半導体基板ＳＢ上に広がっ
た型取り溶液ＳＬが乾燥固化し、ネガレプリカＮＲが成
形される（図５）。
【００３７】次に、図６に示す工程において、ネガレプ
リカＮＲ上に瞬間接着剤（α-シアノアクリレート接着
剤等の１〜３秒で接着する市販の接着剤を使用）ＢＤを
滴下する。そして、瞬間接着剤ＢＤを押し広げるように
接着部材ＪＧを瞬間接着剤ＢＤに押し付け、瞬間接着剤
ＢＤの乾燥を促すために接着部材ＪＧを回動させる。こ
の回動に要する時間は１分〜２分である。
リカＮＲ上に瞬間接着剤（α-シアノアクリレート接着
剤等の１〜３秒で接着する市販の接着剤を使用）ＢＤを
滴下する。そして、瞬間接着剤ＢＤを押し広げるように
接着部材ＪＧを瞬間接着剤ＢＤに押し付け、瞬間接着剤
ＢＤの乾燥を促すために接着部材ＪＧを回動させる。こ
の回動に要する時間は１分〜２分である。
【００３８】ここで、接着部材ＪＧの本体Ｊ１は円筒状
をなし、例えばアルミニウム等の金属で構成されてい
る。そして、本体Ｊ１の２つの平坦面のうち、一方の面
が瞬間接着剤ＢＤに押し付けられる。他方の面にはネジ
穴が設けられ、そこには接着部材ＪＧの取っ手Ｊ２がネ
ジ込まれている。取っ手Ｊ２にはボルト等を用いれば良
い。
をなし、例えばアルミニウム等の金属で構成されてい
る。そして、本体Ｊ１の２つの平坦面のうち、一方の面
が瞬間接着剤ＢＤに押し付けられる。他方の面にはネジ
穴が設けられ、そこには接着部材ＪＧの取っ手Ｊ２がネ
ジ込まれている。取っ手Ｊ２にはボルト等を用いれば良
い。
【００３９】接着部材ＪＧは接着後、５分間程度放置
し、その後、図８に示すように垂直方向に引っ張ること
で、接着部材ＪＧの平坦面にネガレプリカＮＲが付着し
た状態で半導体基板ＳＢ上から引き剥がされる（図
９）。ネガレプリカＮＲには、図３を用いて説明したよ
うにトレンチＴＲに対応する突出部ＰＰが形成されてい
ることは言うまでもない。
し、その後、図８に示すように垂直方向に引っ張ること
で、接着部材ＪＧの平坦面にネガレプリカＮＲが付着し
た状態で半導体基板ＳＢ上から引き剥がされる（図
９）。ネガレプリカＮＲには、図３を用いて説明したよ
うにトレンチＴＲに対応する突出部ＰＰが形成されてい
ることは言うまでもない。
【００４０】なお、接着部材ＪＧを光学顕微鏡の試料台
として用いるようにすれば、ネガレプリカＮＲを接着部
材ＪＧから剥がす作業が不要になる。
として用いるようにすれば、ネガレプリカＮＲを接着部
材ＪＧから剥がす作業が不要になる。
【００４１】このように、ネガレプリカＮＲを形成する
作業は単純であり、全作業に要する時間は３０分程度で
済むので、トレンチ深さの測定の時間短縮を行うことが
できる。
作業は単純であり、全作業に要する時間は３０分程度で
済むので、トレンチ深さの測定の時間短縮を行うことが
できる。
【００４２】また、半導体基板ＳＢ上に残ったネガレプ
リカＮＲや瞬間接着剤ＢＤは溶剤を使うことで容易に除
去でき、トレンチ深さを確認した半導体基板ＳＢに残り
の製造工程を施すことで、半導体装置を完成することが
できる。
リカＮＲや瞬間接着剤ＢＤは溶剤を使うことで容易に除
去でき、トレンチ深さを確認した半導体基板ＳＢに残り
の製造工程を施すことで、半導体装置を完成することが
できる。
【００４３】＜Ｄ．ネガレプリカの作製方法の変形例＞
以上説明したネガレプリカの作製方法では、標準粒子Ｓ
Ｐを含んだネガレプリカＮＲ上に瞬間接着剤ＢＤを滴下
する構成としたが、ポリスチレン粒子である標準粒子Ｓ
Ｐを含むことで瞬間接着剤ＢＤの接着効果が弱まる可能
性もある。そのような場合には、以下の手法を採用すれ
ば良い。
以上説明したネガレプリカの作製方法では、標準粒子Ｓ
Ｐを含んだネガレプリカＮＲ上に瞬間接着剤ＢＤを滴下
する構成としたが、ポリスチレン粒子である標準粒子Ｓ
Ｐを含むことで瞬間接着剤ＢＤの接着効果が弱まる可能
性もある。そのような場合には、以下の手法を採用すれ
ば良い。
【００４４】まず、図４および図５を用いて説明した工
程を経て、半導体基板ＳＢ上に標準粒子ＳＰを含んだネ
ガレプリカＮＲを形成する。次に、図１０に示すよう
に、ネガレプリカＮＲ上に、標準粒子ＳＰを含まない型
取り溶液ＳＬＸを滴下し、当該半導体基板ＳＢをヒータ
ーＨＴ上に搭載する。
程を経て、半導体基板ＳＢ上に標準粒子ＳＰを含んだネ
ガレプリカＮＲを形成する。次に、図１０に示すよう
に、ネガレプリカＮＲ上に、標準粒子ＳＰを含まない型
取り溶液ＳＬＸを滴下し、当該半導体基板ＳＢをヒータ
ーＨＴ上に搭載する。
【００４５】そして、ヒーターＨＴの温度を４０℃程度
（温度範囲３０〜４０℃）に上げ、１０分〜２０分の加
熱を行うことで、ネガレプリカＮＲ上に広がった型取り
溶液ＳＬＸが乾燥固化し、ネガレプリカＮＲＸが成形さ
れる。ネガレプリカＮＲとネガレプリカＮＲＸとは、標
準粒子ＳＰの有無を除けばその成分が同じであり、ネガ
レプリカＮＲＸはネガレプリカＮＲに密着する。なお、
ネガレプリカＮＲＸは型取りを目的としたものではな
く、接着部材ＪＧの接着力低下を防止するものであるの
で、接着補助層と呼称することもできる。
（温度範囲３０〜４０℃）に上げ、１０分〜２０分の加
熱を行うことで、ネガレプリカＮＲ上に広がった型取り
溶液ＳＬＸが乾燥固化し、ネガレプリカＮＲＸが成形さ
れる。ネガレプリカＮＲとネガレプリカＮＲＸとは、標
準粒子ＳＰの有無を除けばその成分が同じであり、ネガ
レプリカＮＲＸはネガレプリカＮＲに密着する。なお、
ネガレプリカＮＲＸは型取りを目的としたものではな
く、接着部材ＪＧの接着力低下を防止するものであるの
で、接着補助層と呼称することもできる。
【００４６】次に、図１２に示す工程において、ネガレ
プリカＮＲＸ上に瞬間接着剤ＢＤを滴下し、瞬間接着剤
ＢＤを押し広げるように接着部材ＪＧを瞬間接着剤ＢＤ
に押し付け、瞬間接着剤ＢＤの乾燥を促すために接着部
材ＪＧを回動させる。この回動に要する時間は１分〜２
分である。ネガレプリカＮＲＸは標準粒子ＳＰを含まな
いので、瞬間接着剤ＢＤの接着力が低下することがな
く、接着部材ＪＧとネガレプリカＮＲＸとを強力に接着
することができる。
プリカＮＲＸ上に瞬間接着剤ＢＤを滴下し、瞬間接着剤
ＢＤを押し広げるように接着部材ＪＧを瞬間接着剤ＢＤ
に押し付け、瞬間接着剤ＢＤの乾燥を促すために接着部
材ＪＧを回動させる。この回動に要する時間は１分〜２
分である。ネガレプリカＮＲＸは標準粒子ＳＰを含まな
いので、瞬間接着剤ＢＤの接着力が低下することがな
く、接着部材ＪＧとネガレプリカＮＲＸとを強力に接着
することができる。
【００４７】接着部材ＪＧは接着後、５分間程度放置
し、その後、図１２に示すように垂直方向に引っ張るこ
とで、接着部材ＪＧの平坦面にネガレプリカＮＲが付着
した状態で半導体基板ＳＢ上から引き剥がされる（図１
３）。なお、ネガレプリカＮＲと瞬間接着剤ＢＤとの間
にはネガレプリカＮＲＸが存在している。
し、その後、図１２に示すように垂直方向に引っ張るこ
とで、接着部材ＪＧの平坦面にネガレプリカＮＲが付着
した状態で半導体基板ＳＢ上から引き剥がされる（図１
３）。なお、ネガレプリカＮＲと瞬間接着剤ＢＤとの間
にはネガレプリカＮＲＸが存在している。
【００４８】このようにネガレプリカＮＲ上に標準粒子
ＳＰを含まないネガレプリカＮＲＸを形成し、ネガレプ
リカＮＲＸ上に瞬間接着剤ＢＤを滴下することで、瞬間
接着剤ＢＤの接着力が低下することを防止でき、ネガレ
プリカＮＲを半導体基板ＳＢから確実に引き剥がすこと
ができる。
ＳＰを含まないネガレプリカＮＲＸを形成し、ネガレプ
リカＮＲＸ上に瞬間接着剤ＢＤを滴下することで、瞬間
接着剤ＢＤの接着力が低下することを防止でき、ネガレ
プリカＮＲを半導体基板ＳＢから確実に引き剥がすこと
ができる。
【００４９】
【発明の効果】本発明に係る請求項１記載の半導体装置
のトレンチ深さ測定方法によれば、トレンチの形状に対
応した形状の突出部を有するネガレプリカに標準粒子が
混入されているので、ネガレプリカが不透明となる。従
って、顕微鏡のレンズの合焦位置の判別が容易になり、
顕微鏡の合焦位置の高低差を利用してネガレプリカの突
出部の高さを測定することが容易になり、トレンチの深
さを正確に取得できる。
のトレンチ深さ測定方法によれば、トレンチの形状に対
応した形状の突出部を有するネガレプリカに標準粒子が
混入されているので、ネガレプリカが不透明となる。従
って、顕微鏡のレンズの合焦位置の判別が容易になり、
顕微鏡の合焦位置の高低差を利用してネガレプリカの突
出部の高さを測定することが容易になり、トレンチの深
さを正確に取得できる。
【００５０】本発明に係る請求項２記載の半導体装置の
トレンチ深さ測定方法によれば、突出部の先端部での合
焦位置における試料台の高さと、基台表面での合焦位置
における試料台の高さとの高低差を、突出部の高さとし
て取得することができ、実用的なトレンチ深さの測定方
法を得ることができる。
トレンチ深さ測定方法によれば、突出部の先端部での合
焦位置における試料台の高さと、基台表面での合焦位置
における試料台の高さとの高低差を、突出部の高さとし
て取得することができ、実用的なトレンチ深さの測定方
法を得ることができる。
【００５１】本発明に係る請求項３記載の半導体装置の
トレンチ深さ測定方法によれば、実用的な型取り溶液を
得ることができる。
トレンチ深さ測定方法によれば、実用的な型取り溶液を
得ることができる。
【００５２】本発明に係る請求項４記載の半導体装置の
トレンチ深さ測定方法によれば、トレンチ幅が０．３μ
ｍ程度のトレンチの深さ測定にも対応可能な型取り溶液
を得ることができる。
トレンチ深さ測定方法によれば、トレンチ幅が０．３μ
ｍ程度のトレンチの深さ測定にも対応可能な型取り溶液
を得ることができる。
【００５３】本発明に係る請求項５記載の半導体装置の
トレンチ深さ測定方法によれば、ネガレプリカ作製の実
用的な条件を得ることができる。
トレンチ深さ測定方法によれば、ネガレプリカ作製の実
用的な条件を得ることができる。
【００５４】本発明に係る請求項６記載の半導体装置の
トレンチ深さ測定方法によれば、簡便な作業でネガレプ
リカを半導体基板から引き剥がすことができる。
トレンチ深さ測定方法によれば、簡便な作業でネガレプ
リカを半導体基板から引き剥がすことができる。
【００５５】本発明に係る請求項７記載の半導体装置の
トレンチ深さ測定方法によれば、ネガレプリカ上に標準
粒子を含まない接着補助層を密着して形成し、接着補助
層に接着部材を接着するので、瞬間接着剤の接着力が低
下することを防止でき、ネガレプリカを半導体基板から
確実に引き剥がすことができる。
トレンチ深さ測定方法によれば、ネガレプリカ上に標準
粒子を含まない接着補助層を密着して形成し、接着補助
層に接着部材を接着するので、瞬間接着剤の接着力が低
下することを防止でき、ネガレプリカを半導体基板から
確実に引き剥がすことができる。
【図１】 本発明に係る半導体装置のトレンチ深さ測定
方法の特徴部を説明する工程図である。
方法の特徴部を説明する工程図である。
【図２】 本発明に係る半導体装置のトレンチ深さ測定
方法の特徴部を説明する工程図である。
方法の特徴部を説明する工程図である。
【図３】 本発明に係る半導体装置のトレンチ深さ測定
方法の特徴部を説明する工程図である。
方法の特徴部を説明する工程図である。
【図４】 ネガレプリカの作製方法を説明する工程図で
ある。
ある。
【図５】 ネガレプリカの作製方法を説明する工程図で
ある。
ある。
【図６】 ネガレプリカの作製方法を説明する工程図で
ある。
ある。
【図７】 ネガレプリカの作製方法を説明する工程図で
ある。
ある。
【図８】 ネガレプリカの作製方法を説明する工程図で
ある。
ある。
【図９】 ネガレプリカの作製方法を説明する工程図で
ある。
ある。
【図１０】 ネガレプリカの作製方法の変形例を説明す
る工程図である。
る工程図である。
【図１１】 ネガレプリカの作製方法の変形例を説明す
る工程図である。
る工程図である。
【図１２】 ネガレプリカの作製方法の変形例を説明す
る工程図である。
る工程図である。
【図１３】 ネガレプリカの作製方法の変形例を説明す
る工程図である。
る工程図である。
ＴＲ トレンチ、ＳＰ 標準粒子、ＳＬ 型取り溶液、
ＮＲ ネガレプリカ、ＰＰ 突出部、ＴＰ 先端部、Ｌ
Ｚ レンズ、ＳＴ 試料台、ＢＤ 瞬間接着剤、ＪＧ
接着部材。
ＮＲ ネガレプリカ、ＰＰ 突出部、ＴＰ 先端部、Ｌ
Ｚ レンズ、ＳＴ 試料台、ＢＤ 瞬間接着剤、ＪＧ
接着部材。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2F065 AA25 BB18 CC19 DD16 FF10
JJ03 JJ09 PP02 PP24
4M106 AA01 BA10 CA48 DH60
5F032 AA35 AA54 CA14 CA17
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板の主面表面内に形成されたト
レンチの深さを測定する方法であって、 (ａ)酢酸セルロースのアセトン溶解液に、粒径が前記ト
レンチの幅より小さく、前記粒径の大きさが揃った標準
粒子を混入した型取り溶液を準備する工程と、 (ｂ)前記トレンチが形成された状態の前記半導体基板上
に前記型取り溶液を滴下し、乾燥固化して前記トレンチ
の形状に対応した形状の突出部と、前記半導体基板の前
記主面に対応する基台とを有するネガレプリカを形成す
る工程と、 (ｃ)前記ネガレプリカを、前記半導体基板から引き剥が
す工程と、 (ｄ)前記ネガレプリカの前記突出部の高さを、顕微鏡の
レンズと前記ネガレプリカとの相対距離を変化させるこ
とで得られる前記顕微鏡の合焦位置の高低差を利用して
測定する工程とを備える、半導体装置のトレンチ深さ測
定方法。 - 【請求項２】 前記工程(ｄ)は、 前記顕微鏡の前記レンズに対して垂直な方向に微小ステ
ップで移動可能な試料台上に、前記突出部が前記レンズ
側に向くように前記ネガレプリカを載置し、前記突出部
の先端部での合焦位置における前記試料台の高さと、前
記基台表面での合焦位置における前記試料台の高さとの
高低差を、前記突出部の高さとして取得する工程を含
む、請求項１記載の半導体装置のトレンチ深さ測定方
法。 - 【請求項３】 前記工程(ａ)は、 酢酸セルロースの体積を１とし、体積比で２倍の量のア
セトン溶液を加えることで前記酢酸セルロースのアセト
ン溶解液を調合する工程と、 前記標準粒子として、純水中に分散するポリスチレン粒
子を、前記酢酸セルロースのアセトン溶解液に滴下混合
する工程とを含む、請求項１記載の半導体装置のトレン
チ深さ測定方法。 - 【請求項４】 前記ポリスチレン粒子の粒径は、２０ｎ
ｍ〜１００ｎｍである、請求項３記載の半導体装置のト
レンチ深さ測定方法。 - 【請求項５】 前記工程(ｂ)は、 前記型取り溶液を滴下した前記半導体基板を、３０〜４
０℃の温度範囲で、１０分〜２０分間加熱する工程を含
む、請求項１記載の半導体装置のトレンチ深さ測定方
法。 - 【請求項６】 前記工程(ｃ)は、 前記半導体基板の前記主面上に付着した状態の前記ネガ
レプリカ上に瞬間接着剤を滴下し、前記ネガレプリカと
の接着のための接着部材の平坦面を、前記瞬間接着剤に
押し付けて、前記接着部材を前記ネガレプリカに接着す
る工程と、 前記接着部材を前記半導体基板の前記主面に対して垂直
な方向に引き上げることで、前記ネガレプリカを前記半
導体基板から引き剥がす工程とを含む、請求項１記載の
半導体装置のトレンチ深さ測定方法。 - 【請求項７】 前記工程(ｃ)は、 前記半導体基板の前記主面上に付着した状態の前記ネガ
レプリカ上に、前記標準粒子を含まない前記酢酸セルロ
ースのアセトン溶解液を滴下して乾燥固化し、前記ネガ
レプリカに密着した接着補助層を形成する工程と、 前記接着補助層上に瞬間接着剤を滴下し、前記接着補助
層との接着のための接着部材の平坦面を、前記瞬間接着
剤に押し付けて、前記接着部材を前記接着補助層に接着
する工程と、 前記接着部材を前記半導体基板の前記主面に対して垂直
な方向に引き上げることで、前記接着補助層とともに前
記ネガレプリカを前記半導体基板から引き剥がす工程と
を含む、請求項１記載の半導体装置のトレンチ深さ測定
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001317926A JP2003124279A (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 半導体装置のトレンチ深さ測定方法 |
| TW091107049A TW542900B (en) | 2001-10-16 | 2002-04-09 | Method of measuring trench depth of semiconductor device |
| US10/119,838 US6500683B1 (en) | 2001-10-16 | 2002-04-11 | Method of measuring trench depth of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001317926A JP2003124279A (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 半導体装置のトレンチ深さ測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124279A true JP2003124279A (ja) | 2003-04-25 |
| JP2003124279A5 JP2003124279A5 (ja) | 2005-06-30 |
Family
ID=19135722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001317926A Pending JP2003124279A (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 半導体装置のトレンチ深さ測定方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6500683B1 (ja) |
| JP (1) | JP2003124279A (ja) |
| TW (1) | TW542900B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP5374651B2 (ja) | 2010-03-12 | 2013-12-25 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | 半導体試験システム |
| JP6422388B2 (ja) * | 2015-04-09 | 2018-11-14 | 株式会社ディスコ | 切削溝の形成方法 |
| US11965731B2 (en) * | 2020-11-03 | 2024-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Package structure and measurement method for the package structure |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63228010A (ja) | 1987-03-17 | 1988-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板中の溝深さ測定方法 |
| JPH02276904A (ja) | 1989-04-18 | 1990-11-13 | Toshiba Corp | 深さ測定方法 |
| JPH11123102A (ja) | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Ballerian Shoes Kk | 靴のインソール構造 |
| US6388756B1 (en) * | 1999-09-15 | 2002-05-14 | United Microelectronics Corp. | Optical method of measuring trench depth |
| US6157078A (en) * | 1999-09-23 | 2000-12-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reduced variation in interconnect resistance using run-to-run control of chemical-mechanical polishing during semiconductor fabrication |
| US6486675B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-11-26 | Infineon Technologies Ag | In-situ method for measuring the endpoint of a resist recess etch process |
| US6677766B2 (en) * | 2000-11-10 | 2004-01-13 | Texas Instruments Incorporated | Shallow trench isolation step height detection method |
-
2001
- 2001-10-16 JP JP2001317926A patent/JP2003124279A/ja active Pending
-
2002
- 2002-04-09 TW TW091107049A patent/TW542900B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-04-11 US US10/119,838 patent/US6500683B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6500683B1 (en) | 2002-12-31 |
| TW542900B (en) | 2003-07-21 |
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