JP2003124051A - 積層セラミックコンデンサー外部電極用ペースト組成物 - Google Patents
積層セラミックコンデンサー外部電極用ペースト組成物Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/22—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions containing two or more distinct frits having different compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定した電気特性と高い接着強度を有する積
層セラミックコンデンサー外部電極用ペースト組成物を
提供すること。 【解決手段】 銅粉末が５０〜９７重量部で、ガラスフ
リットが０．５〜１０重量部で、有機ビヒクルが２．５
〜４９．５重量部の組成で、上記ガラスフリットは、Ｂ
ａＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ、ＭｇＯまたはＮａＯ中の少なく
とも１種類を構成成分として含有するガラス組成物Ａと
Ｐ2Ｏ5を構成成分として含有するガラス組成物Ｂからな
る。
層セラミックコンデンサー外部電極用ペースト組成物を
提供すること。 【解決手段】 銅粉末が５０〜９７重量部で、ガラスフ
リットが０．５〜１０重量部で、有機ビヒクルが２．５
〜４９．５重量部の組成で、上記ガラスフリットは、Ｂ
ａＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ、ＭｇＯまたはＮａＯ中の少なく
とも１種類を構成成分として含有するガラス組成物Ａと
Ｐ2Ｏ5を構成成分として含有するガラス組成物Ｂからな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は安定した電気容量値
を示し、素体との接着性、特にＮｉメッキもしくはＳｎ
メッキ等のメッキ処理を施した後においても、高い接着
強度が得られる積層セラミックコンデンサー外部電極用
ペースト組成物に関するものである。
を示し、素体との接着性、特にＮｉメッキもしくはＳｎ
メッキ等のメッキ処理を施した後においても、高い接着
強度が得られる積層セラミックコンデンサー外部電極用
ペースト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサーとは、例え
ば、図１（ａ）に示すように、セラミックからなる誘電
体層１内に上下で隣接する内部電極２間に所定間隔を設
けて複数の内部電極２を積層したものからなる素体３
に、図１（ｂ）に示すように、外部電極４、４を接着し
た構成を有している。
ば、図１（ａ）に示すように、セラミックからなる誘電
体層１内に上下で隣接する内部電極２間に所定間隔を設
けて複数の内部電極２を積層したものからなる素体３
に、図１（ｂ）に示すように、外部電極４、４を接着し
た構成を有している。
【０００３】この積層セラミックコンデンサーの従来の
電極用ペースト組成物としては、例えば、内部電極にＰ
ｄを用い、外部電極にＡｇもしくはＡｇ−Ｐｄを用いた
ものが多いが、Ｐｄは高価であり、近年においては、内
部電極としてＮｉ、外部電極としてＣｕといった卑金属
を用いるものが多い。
電極用ペースト組成物としては、例えば、内部電極にＰ
ｄを用い、外部電極にＡｇもしくはＡｇ−Ｐｄを用いた
ものが多いが、Ｐｄは高価であり、近年においては、内
部電極としてＮｉ、外部電極としてＣｕといった卑金属
を用いるものが多い。
【０００４】かかる卑金属系のペースト組成物における
ガラス成分としては、例えば、特開平１１−３２９０７
３号公報に記載されているＺｎＯ・Ｂ2Ｏ3系ガラスや、
特開２００１−２８２０７号公報に記載されているＺｎ
Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2 系ガラスやＢａＯ・Ｂ2Ｏ3・Ｓ
ｉＯ2系ガラスが知られている。
ガラス成分としては、例えば、特開平１１−３２９０７
３号公報に記載されているＺｎＯ・Ｂ2Ｏ3系ガラスや、
特開２００１−２８２０７号公報に記載されているＺｎ
Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2 系ガラスやＢａＯ・Ｂ2Ｏ3・Ｓ
ｉＯ2系ガラスが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の積層セラミックコンデンサー外部電極用ペー
スト組成物においては、使用されているガラス成分の耐
酸性が低いので、セラミック素体上に導体ペースト組成
物を塗布して焼成後、その導体ペースト組成物上にメッ
キを施す場合に、メッキ液のような酸性溶液が導体内部
へ浸透し、導体ペースト組成物の素体への接着強度が低
下するという問題があり、安定した電気特性も得られな
かった。
うな従来の積層セラミックコンデンサー外部電極用ペー
スト組成物においては、使用されているガラス成分の耐
酸性が低いので、セラミック素体上に導体ペースト組成
物を塗布して焼成後、その導体ペースト組成物上にメッ
キを施す場合に、メッキ液のような酸性溶液が導体内部
へ浸透し、導体ペースト組成物の素体への接着強度が低
下するという問題があり、安定した電気特性も得られな
かった。
【０００６】本発明は従来の技術の有するこのような問
題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、安定
した電気特性と高い接着強度を有する積層セラミックコ
ンデンサー外部電極用ペースト組成物を提供することに
ある。
題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、安定
した電気特性と高い接着強度を有する積層セラミックコ
ンデンサー外部電極用ペースト組成物を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の要旨は、銅粉末が５０〜９７重量部で、ガラ
スフリットが０．５〜１０重量部で、有機ビヒクルが
２．５〜４９．５重量部であるペースト組成物であっ
て、上記ガラスフリットが、ＢａＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ、
ＭｇＯまたはＮａＯの中の少なくとも１種類を構成成分
として含有するガラス組成物ＡとＰ2Ｏ5を構成成分とし
て含有するガラス組成物Ｂからなることを特徴とする積
層セラミックコンデンサー外部電極用ペースト組成物に
ある。
に本発明の要旨は、銅粉末が５０〜９７重量部で、ガラ
スフリットが０．５〜１０重量部で、有機ビヒクルが
２．５〜４９．５重量部であるペースト組成物であっ
て、上記ガラスフリットが、ＢａＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ、
ＭｇＯまたはＮａＯの中の少なくとも１種類を構成成分
として含有するガラス組成物ＡとＰ2Ｏ5を構成成分とし
て含有するガラス組成物Ｂからなることを特徴とする積
層セラミックコンデンサー外部電極用ペースト組成物に
ある。
【０００８】一般的にガラスフリットは、塩基性酸化物
や硼酸のような弱酸では安定した混融組成物となってい
るが、そのような組成物は希硫酸を用いたメッキの前処
理工程や酸性溶液でのメッキ工程中に浸食されやすく、
メッキ液が導体ペースト組成物へ浸透して導体のセラミ
ック素体に対する接着強度が低下するという問題が起こ
る。
や硼酸のような弱酸では安定した混融組成物となってい
るが、そのような組成物は希硫酸を用いたメッキの前処
理工程や酸性溶液でのメッキ工程中に浸食されやすく、
メッキ液が導体ペースト組成物へ浸透して導体のセラミ
ック素体に対する接着強度が低下するという問題が起こ
る。
【０００９】そこで、本発明に従って、Ｐ2Ｏ5のような
強酸根を成分として含有するガラスフリットを使用する
と、素体に導体ペースト組成物を塗布して焼成する時に
ガラス組成物Ａとガラス組成物Ｂからなるガラスフリッ
トが混融し、降温後ガラス化した際にＰ2Ｏ5組成が他の
ガラス成分のネットワークに取り込まれることで耐酸性
が向上し、その導体ペースト組成物からなる外部電極上
にメッキを施す際にもメッキ液が導体中へ浸透しにくく
なる。
強酸根を成分として含有するガラスフリットを使用する
と、素体に導体ペースト組成物を塗布して焼成する時に
ガラス組成物Ａとガラス組成物Ｂからなるガラスフリッ
トが混融し、降温後ガラス化した際にＰ2Ｏ5組成が他の
ガラス成分のネットワークに取り込まれることで耐酸性
が向上し、その導体ペースト組成物からなる外部電極上
にメッキを施す際にもメッキ液が導体中へ浸透しにくく
なる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のペースト組成物は、銅粉
末とガラスフリットと有機ビヒクルを含有し、各成分の
限定理由は下記の通りである。
末とガラスフリットと有機ビヒクルを含有し、各成分の
限定理由は下記の通りである。
【００１１】銅粉末が５０重量部未満では、内部電極と
の接続不良もしくは導電性不足が起こり、コンデンサー
としての所定の電気特性が得られないからであり、一
方、９７重量部超では、ペースト自体の粘度が高くな
り、塗布形状が悪化するからである。
の接続不良もしくは導電性不足が起こり、コンデンサー
としての所定の電気特性が得られないからであり、一
方、９７重量部超では、ペースト自体の粘度が高くな
り、塗布形状が悪化するからである。
【００１２】ガラスフリットが０．５重量部未満では、
焼成後の導体と素体との充分な接着強度を確保できず、
一方、１０重量部超では、ガラスフリットが多すぎて内
部電極との接続不良を招くからである。
焼成後の導体と素体との充分な接着強度を確保できず、
一方、１０重量部超では、ガラスフリットが多すぎて内
部電極との接続不良を招くからである。
【００１３】有機ビヒクルが２．５重量部未満では、粉
末に対する有機ビヒクル中の樹脂量が不足することに伴
ってチクソトロピー性が過度に上昇し、塗布形状不良を
招くからであり、一方、４９．５重量部超では、ペース
ト粘度の低下およびチクソトロピー性の低下に伴って塗
布時のペーストのダレが起こるからである。
末に対する有機ビヒクル中の樹脂量が不足することに伴
ってチクソトロピー性が過度に上昇し、塗布形状不良を
招くからであり、一方、４９．５重量部超では、ペース
ト粘度の低下およびチクソトロピー性の低下に伴って塗
布時のペーストのダレが起こるからである。
【００１４】ＢａＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ、ＭｇＯまたはＮ
ａＯの中の少なくとも１種類を構成成分として含有する
ガラス組成物ＡとＰ2Ｏ5を構成成分として含有するガラ
ス組成物Ｂの含有割合は、重量比でガラス組成物Ｂを１
とした場合に、ガラス組成物Ａは５０〜１であることが
好ましい。ガラス組成物Ａが５０超では、燐系ガラスに
よる耐酸性向上効果が見られなくなり、一方、ガラス組
成物Ａが１未満では、Ｎｉメッキが付きにくくなるから
である。
ａＯの中の少なくとも１種類を構成成分として含有する
ガラス組成物ＡとＰ2Ｏ5を構成成分として含有するガラ
ス組成物Ｂの含有割合は、重量比でガラス組成物Ｂを１
とした場合に、ガラス組成物Ａは５０〜１であることが
好ましい。ガラス組成物Ａが５０超では、燐系ガラスに
よる耐酸性向上効果が見られなくなり、一方、ガラス組
成物Ａが１未満では、Ｎｉメッキが付きにくくなるから
である。
【００１５】さらに、上記ペースト組成物に、Ｎｉもし
くはＮｉ化合物を０．１〜５．０重量％添加すれば、ガ
ラスフリットと誘電体層およびＮｉ内部電極との親和性
を向上させ、結果として銅外部電極と素体との接着強度
を向上させる効果があるので好ましい。０．１重量％未
満では、そのような効果は期待できず、５．０重量％超
では、銅ペーストの焼結を阻害し、内部電極との接続不
良もしくは導電性不足が起こり、コンデンサーとしての
所定の電気特性が得られず、また導体膜密度の低下に伴
ってメッキ時にメッキ液が導体内部へ浸透するからであ
る。
くはＮｉ化合物を０．１〜５．０重量％添加すれば、ガ
ラスフリットと誘電体層およびＮｉ内部電極との親和性
を向上させ、結果として銅外部電極と素体との接着強度
を向上させる効果があるので好ましい。０．１重量％未
満では、そのような効果は期待できず、５．０重量％超
では、銅ペーストの焼結を阻害し、内部電極との接続不
良もしくは導電性不足が起こり、コンデンサーとしての
所定の電気特性が得られず、また導体膜密度の低下に伴
ってメッキ時にメッキ液が導体内部へ浸透するからであ
る。
【００１６】銅粉末は、電解法、還元法またはアトマイ
ズ法のいずれの方法で製造されたものでも使用できる。
銅粉末の平均粒径は、０．１〜１０μｍのものを使用で
きる。０．１μｍ未満では過焼結になりやすく、所定の
電気特性が発揮できないだけでなく、極めて酸化しやす
く、使用に耐えないからである。一方、平均粒径１０μ
ｍ超では、焼結後の導体膜の緻密性が低く、メッキ液の
浸透が抑えられないばかりでなく、内部電極との接触確
率が低下し、電気的な特性を悪化させるからである。こ
の点で、銅粉末の平均粒径は、０．５〜８．０μｍがよ
り好ましい。
ズ法のいずれの方法で製造されたものでも使用できる。
銅粉末の平均粒径は、０．１〜１０μｍのものを使用で
きる。０．１μｍ未満では過焼結になりやすく、所定の
電気特性が発揮できないだけでなく、極めて酸化しやす
く、使用に耐えないからである。一方、平均粒径１０μ
ｍ超では、焼結後の導体膜の緻密性が低く、メッキ液の
浸透が抑えられないばかりでなく、内部電極との接触確
率が低下し、電気的な特性を悪化させるからである。こ
の点で、銅粉末の平均粒径は、０．５〜８．０μｍがよ
り好ましい。
【００１７】ガラスフリットは焼成後の導体と素体との
接着性を確保するためのもので、ガラス組成物Ａとして
は、ＺｎＯ・ＰｂＯ・Ｂ2Ｏ3系、ＺｎＯ・Ｂ2Ｏ3系、Ｚ
ｎＯ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2 系、ＭｇＯ・Ｂ2Ｏ3 系、Ｍ
ｇＯ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2 系、ＭｇＯ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2
系、ＢａＯ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2系、ＢａＯ・ＺｎＯ・Ｂ 2
Ｏ3・ＳｉＯ2系、ＴｉＯ・ＢａＯ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ
2系、ＴｉＯ・ＺｎＯ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2系、ＮａＯ・Ｂ
2Ｏ3・ＳｉＯ2系またはＮａＯ・Ｂ2Ｏ3・ＺｎＯ系のガ
ラス組成物の１種類もしくは２種類以上を併用して使用
することができる。
接着性を確保するためのもので、ガラス組成物Ａとして
は、ＺｎＯ・ＰｂＯ・Ｂ2Ｏ3系、ＺｎＯ・Ｂ2Ｏ3系、Ｚ
ｎＯ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2 系、ＭｇＯ・Ｂ2Ｏ3 系、Ｍ
ｇＯ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2 系、ＭｇＯ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2
系、ＢａＯ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2系、ＢａＯ・ＺｎＯ・Ｂ 2
Ｏ3・ＳｉＯ2系、ＴｉＯ・ＢａＯ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ
2系、ＴｉＯ・ＺｎＯ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2系、ＮａＯ・Ｂ
2Ｏ3・ＳｉＯ2系またはＮａＯ・Ｂ2Ｏ3・ＺｎＯ系のガ
ラス組成物の１種類もしくは２種類以上を併用して使用
することができる。
【００１８】ガラス組成物Ｂとしては、ＺｎＯ・Ｐ2Ｏ5
系、Ｐ2Ｏ5・ＳｎＯ系またはＺｎＯ・Ｐ2Ｏ5・ＳｎＯ系
のガラス組成物の１種類もしくは２種類以上を併用して
使用することができる。
系、Ｐ2Ｏ5・ＳｎＯ系またはＺｎＯ・Ｐ2Ｏ5・ＳｎＯ系
のガラス組成物の１種類もしくは２種類以上を併用して
使用することができる。
【００１９】有機ビヒクルとしては、エチルセルロース
およびその誘導体、ヒドロキシプロピルセルロースおよ
びその誘導体、ブチラール樹脂またはアクリル樹脂等
を、有機溶剤（テルピネオール、ジヒドロテルピネオー
ル、エチルセルソルブ、ブチルセルソルブ、エチルカル
ビトール、ブチルカルビトールまたはそれらの酢酸エス
テル、ペンタンジオールアルキルエーテル、ジブチルフ
タレートやγ−ブチロラクトン、その他芳香族系、アル
コール、エステル系、ケトン系などの有機溶媒等）に
１．０〜５０．０重量％の濃度で溶解したものを使用で
きる。
およびその誘導体、ヒドロキシプロピルセルロースおよ
びその誘導体、ブチラール樹脂またはアクリル樹脂等
を、有機溶剤（テルピネオール、ジヒドロテルピネオー
ル、エチルセルソルブ、ブチルセルソルブ、エチルカル
ビトール、ブチルカルビトールまたはそれらの酢酸エス
テル、ペンタンジオールアルキルエーテル、ジブチルフ
タレートやγ−ブチロラクトン、その他芳香族系、アル
コール、エステル系、ケトン系などの有機溶媒等）に
１．０〜５０．０重量％の濃度で溶解したものを使用で
きる。
【００２０】ＮｉおよびＮｉ化合物としては、Ｎｉ金属
またはＮｉＯ、Ｎｉ2Ｂ、Ｎｉ2Ｐ、Ｎｉ2Ｓｉ、ＮｉＴ
ｉＯ3、ＮｉＭｏＯ4等の複合酸化物を使用できる。
またはＮｉＯ、Ｎｉ2Ｂ、Ｎｉ2Ｐ、Ｎｉ2Ｓｉ、ＮｉＴ
ｉＯ3、ＮｉＭｏＯ4等の複合酸化物を使用できる。
【００２１】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明するが、本発明
はかかる実施例に限定されるものではない。
はかかる実施例に限定されるものではない。
【００２２】以下の表１に示す組成（重量％）のペース
ト組成物を得、その導体ペースト組成物をＸ７Ｒ−１０
０ｎＦの１６０８素体にディップ法（コンデンサー端部
をペースト溜めに浸漬してペーストを塗布する方法）に
て塗布し、熱風乾燥機中で１２０℃で１０分間乾燥し
た。そして、この導体ペースト組成物を塗布した素体を
コンベア式連続焼成炉にて、酸素濃度１０ppm 以下の窒
素雰囲気下で、室温から８００℃まで２５分間かけて昇
温度し、ピーク温度８００℃にて１０分間焼成し、８０
０℃から室温まで２５分間かけて降温した。次に、その
素体の導体ペースト組成物上に以下の条件で電解Ｎｉメ
ッキを施した。
ト組成物を得、その導体ペースト組成物をＸ７Ｒ−１０
０ｎＦの１６０８素体にディップ法（コンデンサー端部
をペースト溜めに浸漬してペーストを塗布する方法）に
て塗布し、熱風乾燥機中で１２０℃で１０分間乾燥し
た。そして、この導体ペースト組成物を塗布した素体を
コンベア式連続焼成炉にて、酸素濃度１０ppm 以下の窒
素雰囲気下で、室温から８００℃まで２５分間かけて昇
温度し、ピーク温度８００℃にて１０分間焼成し、８０
０℃から室温まで２５分間かけて降温した。次に、その
素体の導体ペースト組成物上に以下の条件で電解Ｎｉメ
ッキを施した。
【００２３】なお、Ｘ７Ｒ−１００ｎＦの１６０８素体
とは、−２５℃〜１２５℃で静電容量のドリフトが±１
５％以下（Ｘ７Ｒ）で、静電容量が１００ｎＦ（ナノフ
ァラッド）で、断面寸法が１．６mm×０．８mm（１６０
８）の素体をいう。
とは、−２５℃〜１２５℃で静電容量のドリフトが±１
５％以下（Ｘ７Ｒ）で、静電容量が１００ｎＦ（ナノフ
ァラッド）で、断面寸法が１．６mm×０．８mm（１６０
８）の素体をいう。
【００２４】電解Ｎｉメッキ条件は、以下のとおりであ
る。 「前処理」 ８容積％硫酸水溶液（ｐＨ２．０以
下）に２分間浸漬した。 「メッキ浴」 高ｐＨワット浴（ｐＨ４．５〜６．
０、浴温４５〜７０℃、電流密度２〜１０Ａ／ｄｍ2） 「温度」 ５５℃ 「陰極電流密度」 ３．０Ａ／ｄｍ2 「メッキ時間」 ３０分間 「メッキ厚さ」 ５μｍ 表２には、実施例１〜６と比較例１〜４の電気的特性と
接着強度を測定した結果を示す。
る。 「前処理」 ８容積％硫酸水溶液（ｐＨ２．０以
下）に２分間浸漬した。 「メッキ浴」 高ｐＨワット浴（ｐＨ４．５〜６．
０、浴温４５〜７０℃、電流密度２〜１０Ａ／ｄｍ2） 「温度」 ５５℃ 「陰極電流密度」 ３．０Ａ／ｄｍ2 「メッキ時間」 ３０分間 「メッキ厚さ」 ５μｍ 表２には、実施例１〜６と比較例１〜４の電気的特性と
接着強度を測定した結果を示す。
【００２５】表１において、ガラス−Ａとは、ガラス組
成物Ａのことであり、ガラス−Ｂとは、ガラス組成物Ｂ
のことである。
成物Ａのことであり、ガラス−Ｂとは、ガラス組成物Ｂ
のことである。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】表２において、Ｃｐ値（静電容量）は１０
０〜１３０が好ましい範囲であり、Ｔａｎδ（静電損
失）は３．０％以下が好ましい範囲であり、容量抜け
は、０／１００が好ましく、プル強度は、５．０Ｎ以上
が好ましい範囲である。容量抜けとは、静電容量が設計
仕様を満足しない不良品の数をいい、プル強度とは、作
製したコンデンサーの両端子電極に０．６mm径のＳｎメ
ッキ銅線を半田付けし、そのＳｎメッキ銅線を引張試験
したときの引張強度をいう。
０〜１３０が好ましい範囲であり、Ｔａｎδ（静電損
失）は３．０％以下が好ましい範囲であり、容量抜け
は、０／１００が好ましく、プル強度は、５．０Ｎ以上
が好ましい範囲である。容量抜けとは、静電容量が設計
仕様を満足しない不良品の数をいい、プル強度とは、作
製したコンデンサーの両端子電極に０．６mm径のＳｎメ
ッキ銅線を半田付けし、そのＳｎメッキ銅線を引張試験
したときの引張強度をいう。
【００２９】表２に明らかなように、実施例１〜６は、
Ｃｐ値、Ｔａｎδ、容量抜けおよびプル強度のすべてに
おいて良好な値を示している。
Ｃｐ値、Ｔａｎδ、容量抜けおよびプル強度のすべてに
おいて良好な値を示している。
【００３０】しかし、比較例１には、ガラス組成物Ｂが
添加されていないので、Ｃｐ値が低く、容量抜けがあ
り、プル強度が極めて低い。
添加されていないので、Ｃｐ値が低く、容量抜けがあ
り、プル強度が極めて低い。
【００３１】また、比較例２には、ガラス組成物Ａが添
加されていないので、Ｃｐ値が低くて、Ｔａｎδが高
く、容量抜けがあり、プル強度が極めて低い。
加されていないので、Ｃｐ値が低くて、Ｔａｎδが高
く、容量抜けがあり、プル強度が極めて低い。
【００３２】また、比較例３は、ガラス組成物Ａがガラ
ス組成物Ｂに対して、６０倍も多量に添加されているの
で、燐系ガラスによる耐酸性向上効果が見られず、Ｃｐ
値が低く、容量抜けがあり、プル強度が極めて低い。
ス組成物Ｂに対して、６０倍も多量に添加されているの
で、燐系ガラスによる耐酸性向上効果が見られず、Ｃｐ
値が低く、容量抜けがあり、プル強度が極めて低い。
【００３３】さらに、比較例４は、ガラス組成物Ａがガ
ラス組成物Ｂよりも少ないので、Ｃｐ値が低くて、Ｔａ
ｎδが高く、容量抜けがあり、プル強度が極めて低い。
ラス組成物Ｂよりも少ないので、Ｃｐ値が低くて、Ｔａ
ｎδが高く、容量抜けがあり、プル強度が極めて低い。
【００３４】
【発明の効果】本発明のペースト組成物は上記のとおり
構成されており、ガラスフリット中にＰ2Ｏ5を含むので
耐酸性が向上し、素体に導体ペースト組成物を塗布して
焼成後、導体上にメッキ処理を施す時に酸性メッキ溶液
が導体中に浸入することはなく、素体に対する導体の接
着強度が極めて高く、電気的特性に優れた積層セラミッ
クコンデンサーを提供することができる。
構成されており、ガラスフリット中にＰ2Ｏ5を含むので
耐酸性が向上し、素体に導体ペースト組成物を塗布して
焼成後、導体上にメッキ処理を施す時に酸性メッキ溶液
が導体中に浸入することはなく、素体に対する導体の接
着強度が極めて高く、電気的特性に優れた積層セラミッ
クコンデンサーを提供することができる。
【図１】図１（ａ）は積層セラミックコンデンサー用素
体の断面図、図１（ｂ）は積層セラミックコンデンサー
の断面図である。
体の断面図、図１（ｂ）は積層セラミックコンデンサー
の断面図である。
１…誘電体層
２…内部電極
３…素体
４…外部電極
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Ｆターム(参考） 4G062 AA09 BB01 BB05 BB09 DA02
DB01 DC02 DD02 DE02 DF01
EA01 EB02 EC01 ED01 EE01
EF01 EG02 FA01 FB02 FC01
FD01 FE02 FF01 FG01 FH01
FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10
GB01 GC01 GD01 GE01 HH01
HH03 HH05 HH07 HH09 HH11
HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01
JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01
KK03 KK05 KK07 KK10 MM05
NN24 NN32
5E001 AB03 AE02 AH01 AJ01
Claims (3)
- 【請求項１】 銅粉末が５０〜９７重量部で、ガラスフ
リットが０．５〜１０重量部で、有機ビヒクルが２．５
〜４９．５重量部であるペースト組成物であって、上記
ガラスフリットが、ＢａＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ、ＭｇＯま
たはＮａＯの中の少なくとも１種類を構成成分として含
有するガラス組成物ＡとＰ2Ｏ5を構成成分として含有す
るガラス組成物Ｂからなることを特徴とする積層セラミ
ックコンデンサー外部電極用ペースト組成物。 - 【請求項２】 ガラス組成物Ａとガラス組成物Ｂの含有
割合は、重量比でガラス組成物Ｂを１とした場合に、ガ
ラス組成物Ａは５０〜１であることを特徴とする請求項
１記載の積層セラミックコンデンサー外部電極用ペース
ト組成物。 - 【請求項３】 請求項１記載のペースト組成物に、さら
にＮｉもしくはＮｉ化合物を０．１〜５．０重量％添加
してなる積層セラミックコンデンサー外部電極用ペース
ト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001313834A JP2003124051A (ja) | 2001-10-11 | 2001-10-11 | 積層セラミックコンデンサー外部電極用ペースト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001313834A JP2003124051A (ja) | 2001-10-11 | 2001-10-11 | 積層セラミックコンデンサー外部電極用ペースト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124051A true JP2003124051A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19132242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001313834A Pending JP2003124051A (ja) | 2001-10-11 | 2001-10-11 | 積層セラミックコンデンサー外部電極用ペースト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124051A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1784367A2 (en) * | 2004-06-09 | 2007-05-16 | Ferro Corporation | Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes |
| WO2008035727A1 (fr) * | 2006-09-22 | 2008-03-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Condensateur en céramique stratifiée |
| JP2012156171A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
-
2001
- 2001-10-11 JP JP2001313834A patent/JP2003124051A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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