JP2003123213A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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Abstract
なう出力の急激な低下および読み滲みの問題を解決す
る。 【解決手段】 磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵
抗効果膜の両脇に非磁性導電層を設け、かつ該非磁性導
電層隣接して強磁性膜と反強磁性膜を積層して配置する
ことにより、隣接トラックからの読みにじみを防ぎ、か
つ再生トラック領域において高い再生感度を得ることが
できる。
Description
ッドに関し、特に、詳細には再生トラックの狭小化に伴
う出力の急激な低下を改善するための、再生感度の大き
な狭再生トラック幅を有する再生ヘッドを実現する技術
に関する。
公知例特開平3−125311号公報に示される如く、
磁区制御膜として磁気抵抗効果(MR)膜に隣接して永
久磁石膜を配置したAbutted Junction
型の磁気抵抗効果型ヘッドが実用化されている。また、
再生トラック幅の狭小化に対応して磁気抵抗効果膜とし
て感度の高いスピンバルブセンサ膜が採用されている
(公知例:特開平4−358310号公報)。図4に従
来の永久磁石層隣接型の磁気ヘッドの構造を示す。この
構造では、2つの磁気シールドS1とS2に挟まれて
巨大磁気抵抗効果(GMR)センサ膜40、永久磁石層
42及び電極膜44が存在する。GMRセンサ膜40の
端部に隣接して永久磁石層42が配置され、その直上に
電極膜44が配置されている。永久磁石層42と電極膜
44は、GMR膜に電流を流すための電極の役割を果た
しており、永久磁石層42はGMR膜40を構成する軟
磁性層48に磁界を与え単磁区化する磁区制御の役割を
果たす。
2に近い程大きいために、GMR膜の永久磁石層近傍の
微小領域は、磁界によって軟磁性層の磁化回転が抑制さ
れ、その結果センサ感度の低い領域が生じる。以下この
領域のことを「低感度領域」と称することとする。図中
にセンサの感度分布を示すが、山形の感度分布の両脇の
裾の領域が「低感度領域」46を表す。低感度領域は永
久磁石層端部から0.05〜0.1μm程度存在する。再
生トラック幅が、例えば1μm程度と大きい場合には、
再生トラック幅に占める低感度領域の割合は2割程度で
あり、あまり問題とならないが、再生トラック幅が狭小
化すると、低感度領域の再生トラックに占める割合が増
大し再生出力が急激に低下する。
た場合の再生出力の再生トラック幅依存性を示す。トラ
ック幅が減少するにつれて再生出力は、図中の点線で示
す比例関係よりも急激に減少しており、外挿すると実効
トラック幅0.15μmで出力が零となってしまう。
効トラック幅は0.2μm以下が必要であり、ハードデ
ィスクドライブを正常に駆動するためには再生出力とし
て1mV程度必要であるため、従来の永久磁石隣接型
(Abutted Junction型) GMRヘッド
では再生出力が小さ過ぎるために記録媒体に書き込まれ
た情報を再生することができなくなってしまうと言う問
題点がある。
下の問題は、永久磁石膜を磁区制御膜に用いるために生
じている。他の磁区制御方式として従来知られている例
は、MR膜に隣接して強磁性膜と反強磁性膜を積層した
構成を配置する Abutted Junction型
であり、特開平7−57223号公報に開示されてい
る。同様の構成は、特開平8−45032号公報、20
000−215418号公報、2000−215419
号公報、2000−331316号公報、2001−8
4521号公報にも開示されている。
強磁性膜と反強磁性膜を積層した構成を隣接させる構成
(以下このような構成を Abutted Junct
ion Exchange Bias(イクスチェンジ
バイアス)型 略してAJ−EXと称する。)を用いた
場合、磁区制御層を構成する強磁性膜が記録媒体からの
磁束を吸収し、侵入した磁束が強磁性膜を伝播してMR
センサ膜にまで侵入し出力を生じるという現象、即ち読
みにじみが大きくなり隣接トラックの影響受け再生時に
エラーを生じるという問題がある。
磁石隣接 (Abutted Junction) 型での
再生トラック狭小化に伴なう出力の急激な低下という問
題点、及び従来のAJ−EXにおける読みにじみの問題
を克服し、再生感度の大きな、読みにじみのない狭トラ
ック幅を有する再生ヘッドを実現することを目的とす
る。
に、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、基板と、基板上
に形成された第1の強磁性膜と、該第1の強磁性膜上に
形成された第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に形成さ
れた軟磁性層を含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効
果膜に信号検出電流を流す一対の電極と、磁気抵抗効果
膜および前記電極の上に形成された第2の絶縁膜と、該
第2の絶縁膜上に形成された第2の強磁性膜と、前記磁
気抵抗効果膜の両脇に前記電極と接して形成された第1
および第2の非磁性導電膜と、前記第1の絶縁膜と前記
電極の間に前記非磁性導電膜と接して積層された第3の
強磁性膜と第1の反強磁性膜、および、同じく前記第1
の絶縁膜と前記電極の間に前記非磁性導電膜と接して積
層された第4の強磁性膜と第2の反強磁性膜を有するよ
うにした。
抵抗効果膜近傍においてその一部分が前記電極と接し、
遠ざかった領域において軟磁性層を含まず薄膜化されて
形成された磁気抵抗効果膜上に形成された第1および第
2の非磁性導電膜と、前記第1の非磁性導電膜と前記電
極との間に積層された第3の強磁性膜と第1の反強磁性
膜、および、同じく前記第2の非磁性導電膜と前記電極
の間に積層された第4の強磁性膜と第2の反強磁性膜を
有するようにした。
脇に前記電極と接しかつ該磁気抵抗効果膜から離れた領
域では前記第一の絶縁膜上に形成された第1および第2
の非磁性導電膜と、前記第1の非磁性導電膜と前記電極
の間に積層された第3の強磁性膜と第1の反強磁性膜、
および、同じく前記第2の非磁性導電膜と前記電極の間
に積層された第4の強磁性膜と第2の反強磁性膜を有す
る磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜
の軟磁性膜と最も近接する位置での前記第3及び第4の
強磁性膜の、前記第1の強磁性膜と前記第1の絶縁膜と
の界面の法線方向の膜厚が、前記磁気抵抗効果膜を構成
する軟磁性膜の膜厚の5倍以上であるようにした。
の強磁性膜が、NiとFe合金、またはCoとFe合
金、またはCoとNiとFe合金、またはCo、Ni、
Feのうち少なくも1種を含む材料とこの材料にTi、
V、 Cr、 Zr、 Nb、 Mo、 Hf、 Ta、W、
Cu、 Ru、 Rh、Pd、 Os、 Ir、 Pt、A
uのうちの少なくとも1種を添加した材料からなるよう
にした。
eとMnの合金、又はIrとMnの合金、又はRhとM
nの合金、又はRhとRuとMnの合金、又はCrとM
nとPtの合金またはNiとMnの合金またはPtとM
nの合金からなるようにした。
の非磁性導電膜がTi、Ta、Zr、Hf、Nb、V、
Crのうちから選ばれる材料あるいはその合金、又は
NiとFeとCr合金、又はNiとCrの合金、又はR
u、Rh、Pd、Pt、Os、Irのうちから選ばれる
材料あるいはその合金であるようにした。
に説明する。
適用できるものであるが、情報記録及び取り出しシステ
ムのための読み出しヘッドとして特に有用なものであ
り、そこでは、情報は磁性媒体上の磁区の配列として記
録されることとなっている。磁性媒体としては、どの様
な種類のものでもよく、例えば、磁気テープ、一つまた
は複数のハードディスク、あるいは一つまたは複数のフ
ロッピー(登録商標)ディスク等がある。磁区は、通
常、トラックに添って配置され、トラックの構成として
は、円環状、渦巻き状、らせん状、もしくは不定長のも
のがある。
を図6示す。電子計算機1は、ネットワーク、キーボー
ド、スキャナー、もしくはこれら相当のものとの間に1
つ、もしくは複数のインターフェースをもつ入力装置2
を介して、入力情報を受け取る。計算機は、一つもしく
は複数の入力装置への接続に加え、一つもしくは複数の
出力装置に出力することが可能である。この出力装置と
しては、計算機とインターフェースを介して接続する、
ネットワーク、プリンタ、表示装置、あるいはモデム等
が考えられる。計算機1に関連する他の記録装置に加
え、計算機は周辺機器である磁気記録装置4へ情報を書
き込んだり、磁気記録装置から情報を読み込んだりす
る。
る。 (1)制御装置5:情報信号を書き込みヘッド7に出力
し、読み出しヘッド8から情報を入力し、更に、ヘッド
からのフィードバック信号を受け取るためのデータの入
出力部6を含む。 (2)ヘッド位置制御部9:ヘッド位置制御信号を出力
し、また、ヘッド位置検出信号を入力する。 (3)モーター制御部10:磁性媒体のヘッドに対する相
対的な運動に関する、速度、停止、開始等の操作を制御
し、本実施例の場合、一つあるいは複数のディスク型の
磁性媒体13をシャフト12によって回転させるモータ
11に、 回転制御信号を出力する。各々独立した書き
込みヘッド7と読み出しヘッド8とを有するトランスデ
ューサーは、ディスク13と幽かに接触するか、僅かの
間隙を保ってその上を浮上する様に、連結アーム14と
ボイスコイルモータ(VCM)15を用いて、通常、ディ
スクの半径方向に動く。
はあくまでも代表的なものである。図6示した装置の操
作は自明であるため、ここでその詳細については説明し
ない。本発明による改善点は、図中の読み出しヘッド8の
構造に関するものである。
7、及び MR読み出しヘッド8の従来例の縦断面図で
ある。ヘッドは、エアーベアリング表面(ABS)を形成
するためにラップ仕上げされ、ABSは、エアベアリン
グにより図6に示した磁性媒体13表面から間隔を維持
する。読み取りヘッドは、第1ギャップ層G1と第2ギ
ャップ層G2間に挟まれた磁気抵抗効果膜(又は MR
センサとも呼ぶ)40を有し、その第1、第2ギャップ
層G1、G2も第1シールド層S1と第2シールド層S
2間に挟まれている。
果膜40としてスピンバルブセンサが用いられている。
書き込みヘッドはコイル層Cと絶縁層I2を有し、それ
らは絶縁層I1とI3間に挟まれ、またその絶縁層I
1、I3も第一磁極片P1と第2磁極片P2に挟まれて
いる。第3ギャップG3は、その第1磁極片P1と第2
磁極片P2のABSに隣接した先端間に挟まれ、磁気ギ
ャップを形成する。
を通して導かれ、かつ磁束がエアベアリング表面で漏洩
する。この磁束は書き込み操作の間に磁性媒体上の周回
トラックを磁化する。
化された領域は磁束を読み出しヘッドの磁気抵抗効果膜
40に注入し、磁気抵抗効果膜40内部で抵抗変化をお
こす。この抵抗変化は磁気抵抗効果膜40を横切る電圧
変化を検出することにより検出される。
の磁気ディスクドライブ及び図3、図4に関する記載
は、本発明の内容説明をより明確にするために実施例に
先立って記述したものである。
本実施例では、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは図に示
すように基板100と、基板上に形成された第1の強磁
性膜S1と、該第1の強磁性膜上に形成された第1の絶
縁膜G1と、該第1の絶縁膜上に形成された軟磁性層4
01を含む磁気抵抗効果膜40と、前記磁気抵抗効果膜
に信号検出電流を流す一対の電極44a、44bと、磁
気抵抗効果膜および前記電極の上に形成された第2の絶
縁膜G2と、該第2の絶縁膜上に形成された第2の強磁
性膜S2と、前記磁気抵抗効果膜の両脇に前記電極と接
して形成された第1および第2の非磁性導電膜G3a、
G3bと、前記第1の絶縁膜と前記電極の間に前記非磁
性導電膜と接して積層された第3の強磁性膜S31aと
第1の反強磁性膜S32a、および、同じく前記第1の
絶縁膜と前記電極の間に前記非磁性導電膜と接して積層
された第4の強磁性膜S31bと第2の反強磁性膜S3
2bを有する。
2は磁気シールド、第1非磁性絶縁膜G1及び第2非磁
性絶縁膜G2は磁気ギャップとして機能する。本発明
は、これらに加えて、第3の強磁性膜S31a、第4の
強磁性膜S31bからなる第3の磁気シールド、更に、
第1の非磁性導電膜G3a及び第2の非磁性導電膜G3
bからなる磁気ギャップを設けることに特徴がある。磁
気抵抗効果膜40は、第1の磁気シールドS1と第2磁
気シールドS2に挟まれ絶縁体からなる第1のギャップ
層ABS及び第2のギャップ層G2内に設けられ、その
両脇に第1の非磁性導電膜 G3a及び第2の非磁性導
電膜 G3bが隣接する。更に第1の非磁性導電膜 G3
aの脇には第3の強磁性層S3aが隣接し、第2の非磁
性導電膜 G3bの脇には第4の強磁性膜S3bが隣接
する。ここで、磁気抵抗効果膜と第3及び第4の強磁性
膜の間に非磁性導電膜 G3a及びG3bを設けている理
由は、第3または第4の強磁性に侵入した記録媒体から
の磁束が磁気抵抗効果膜に伝播することで再生出力を生
じること、即ち隣接トラックからの読みにじみを生じる
ことを避けるためである。
S32aを積層し、この上に電極膜44aが形成され
る。第4の強磁性膜S31b上には反強磁性層S32b
を積層し、この上に電極膜44bが形成される。反強磁
性膜S32a及びS32bはそれぞれ、強磁性膜S31
aとS31bに交換結合磁界を与え、これらの強磁性膜
を磁区制御する。磁区制御された強磁性層S31aとS
31bは、更に静磁気結合により磁気抵抗効果膜を構成
する軟磁性膜を磁区制御する。
ンサ膜に対してトラック幅方向の磁気シールドの効果を
示す様に設計する。
に隣接配置する Abutted Junction型再
生ヘッドにおける再生出力低下の問題、及び、従来のA
J−EX型の読みにじみの問題を克服するために、本発
明では磁気抵抗効果膜の両脇に第3の強磁性膜及び第4
の強磁性膜をトラック幅方向の磁気シールドとして配置
し、第3の強磁性膜と磁気抵抗効果膜の間に第1の導電
性非磁性膜をギャップ膜として介在させ、第4の強磁性
膜と磁気抵抗効果膜の間に第2の導電性非磁性膜をギャ
ップ膜として介在させる。第3又は第4の強磁性膜と磁
気抵抗効果膜の間に導電性の非磁性導電膜を介在させる
理由は、一つに第3又は第4の強磁性膜に侵入した媒体
からの磁束が磁気抵抗降効果膜に侵入しない様に、第3
及び第4の強磁性膜と磁気抵抗効果膜の軟磁性膜の間に
直接的な磁気的結合を生じない様にするためである。導
電性の膜を介在させる理由は電極から磁気抵抗効果膜へ
電流を通じるための電流経路を確保するためである。
高感度で読み滲みのない再生ヘッドを実現することがで
きる。 図中にこのセンサのトラック幅方向の感度分布
を示すが、第3及び第4の強磁性膜はトラック幅方向の
磁気シールドの効果を有し、隣接トラックの読みにじみ
を防ぎ、矩形状のトラック幅方向の感度分布を与え、か
つ高感度の再生ヘッドが実現できる。
1の磁気シールド膜側から (1)下地層/100 PtMn/12 CoFe/8 Ru
/20 CoFe/21 Cu/10 CoFe30 NiF
e/10 Cu/20Ta(数値の単位は (Å))のボトム
型スピンバルブや (2)下地層/30 NiFe/10 CoFe/21 Cu
/20 CoFe/8 Ru/ 12 CoFe/100 Pt
Mn (数値の単位は(Å))のトップ型スピンバルブや (3)下地層/100 PtMn/15 CoFe/8 Ru
/20 CoFe/21 Cu/7 CoFe/17 NiFe
/7 CoFe/21 Cu/20 CoFe/8Ru/15
CoFe/100 PtMn/20 Ta(数値の単位は
(Å))のデュアル型スピンバルブ 等ここには代表的な構成を示しているが、膜厚や構成の
異なる他のスピンバルブ膜全般に関しても用いることが
できる。
構成する材料としては、NiとFe合金、またはCoと
Fe合金、またはCoとNiとFe合金、またはCo、
Ni、Feのうち少なくも1種を含む材料とこの材料に
Ti、V、 Cr、 Zr、Nb、 Mo、 Hf、 T
a、W、 Cu、 Ru、 Rh、Pd、 Os、 Ir、
Pt、Auのうちの少なくとも1種を添加した材料のい
ずれかを用いることが出来る。ここで添加元素を加える
メリットは第3及び第4の強磁性膜の磁気抵抗効果を低
減するためである。
する第1及び第2反強磁性膜材料としては、FeとMn
の合金、又はIrとMnの合金、又はRhとMnの合
金、又はRhとRuとMnの合金、又はCrとMnとP
tの合金またはNiとMnの合金またはPtとMnの合
金を用いることが出来る。隣接する反強磁性膜からの交
換結合磁界によって、第3及び第4の強磁性膜は磁区制
御される。
の非磁性導電膜材料としては、Ti、Ta、Zr、H
f、Nb、V、 Crのうちから選ばれる材料あるいは
その合金、又はNiとFeとCr合金、又はNiとCr
の合金、又はRu、Rh、Pd、Pt、Os、Irのう
ちから選ばれる材料あるいはその合金を用いることが出
来る。
のTa膜、Ta/Au/Ta積層膜等を用いることがで
きる。
度で読み滲みのない再生ヘッドを実現することができ
る。図中にこのセンサのトラック幅方向の感度分布を示
すが、第3及び第4の強磁性膜はトラック幅方向の磁気
シールドの効果を有し、隣接トラックの読みにじみを防
ぎ、矩形状のトラック幅方向の感度分布を与える。
実施例では、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは基板と、
基板上に形成された第1の強磁性膜と、該第1の強磁性
膜上に形成された第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に
形成された軟磁性層を含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気
抵抗効果膜に信号検出電流を流す一対の電極と、磁気抵
抗効果膜および前記電極の上に形成された第2の絶縁膜
と、該第2の絶縁膜上に形成された第2の強磁性膜と、
前記磁気抵抗効果膜の両脇に該磁気抵抗効果膜近傍にお
いてその一部分が前記電極と接し、遠ざかった領域にお
いて軟磁性層を含まず薄膜化されて形成された磁気抵抗
効果膜上に形成された第1および第2の非磁性導電膜
と、前記第1の非磁性導電膜と前記電極との間に積層さ
れた第3の強磁性膜と第1の反強磁性膜、および、同じ
く前記第2の非磁性導電膜と前記電極の間に積層された
第4の強磁性膜と第2の反強磁性膜を有する。
磁性導電膜G3a,G3b一部が強磁性層S3a及びS
3bの下に延びており、かつ、磁気抵抗効果膜40の一
部が薄膜化され軟磁性層を含まない層として前記非磁性
導電膜G3a,G3bの下に延びていることである。こ
の構造のメリットは磁気抵抗効果膜40とシールドとし
て機能する強磁性層S3a及びS3bの接触面積が大き
いために、シールドと磁気抵抗効果膜間で生じる接触抵
抗を低減できる点である。
強磁性膜を構成する材料、第3又は第4の強磁性膜に隣
接する反強磁性膜材料、前記第1の非磁性導電膜及び第
2の非磁性導電膜材料、および電極材料は実施例1の構
成、または材料を用いることが出来る。
トラックの読みにじみを防ぎ、矩形状のトラック幅方向
の感度分布を与え、かつ高感度の再生ヘッドが実現でき
る。
実施例では、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、基板
と、基板上に形成された第1の強磁性膜と、該第1の強
磁性膜上に形成された第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜
上に形成された軟磁性層を含む磁気抵抗効果膜と、前記
磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流す一対の電極と、磁
気抵抗効果膜および前記電極の上に形成された第2の絶
縁膜と、該第2の絶縁膜上に形成された第2の強磁性膜
と、前記磁気抵抗効果膜の両脇に前記電極と接しかつ該
磁気抵抗効果膜から離れた領域では前記第一の絶縁膜上
に形成された第1および第2の非磁性導電膜と、前記第
1の非磁性導電膜と前記電極の間に積層された第3の強
磁性膜と第1の反強磁性膜、および、同じく前記第2の
非磁性導電膜と前記電極の間に積層された第4の強磁性
膜と第2の反強磁性膜を有し、前記磁気抵抗効果膜の軟
磁性膜と最も近接する位置での前記第3及び第4の強磁
性膜の、前記第1の強磁性膜と前記第1の絶縁膜との界
面の法線方向の膜厚が、前記磁気抵抗効果膜を構成する
軟磁性膜の膜厚の5倍以上であるようにした。
強磁性膜を構成する材料、第3又は第4の強磁性膜に隣
接する反強磁性膜材料、前記第1の非磁性導電膜及び第
2の非磁性導電膜材料および電極材料は、実施例1の構
成、または材料を用いることが出来る。
トラックの読みにじみを防ぎ、矩形状のトラック幅方向
の感度分布を与え、かつ高感度の再生ヘッドが実現でき
る。
1(または第2)の非磁性導電膜G3a(又はG3b)が
強磁性膜S3a(又はS3b)の下にまで延びている点で
ある。この構造の場合、第1の非磁性導電膜G3a(ま
たは第2の非磁性導電膜G3b)と第3の強磁性膜S3
a(または第4の強磁性膜S3b)を積層膜として同時に
形成することができる。
トラック方向の磁気シールドとして機能させるために、
前記第3の強磁性膜及び第4の強磁性膜は、ある程度大
きな量とする必要がある。ここで必要な量は、磁気抵抗
効果膜を構成する軟磁性膜に最も近くなる位置で、第3
及び第4の強磁性膜が前記軟磁性膜の5倍以上の膜厚を
有することである。ここで、第3または第4の強磁性膜
の膜厚とは、第一の強磁性膜と第一のギャップとの界面
の法線方向に測定した寸法のことである。
抗効果膜の両脇に非磁性導電層を設け、かつ該非磁性導
電層隣接して強磁性膜と反強磁性膜を積層して配置する
ことにより、隣接トラックからの読みにじみを防ぎ、か
つ再生トラック領域において高い再生感度を得ることが
できる。
視図である。
視図である。
nction)再生ヘッドの浮上面から見た斜視図であ
る。
nction)再生ヘッドの再生出力のトラック幅依存
性を示すグラフである。
図である。
視図である。
第1の絶縁膜、G2…第2の絶縁膜、40…磁気抵抗効
果膜、48、401…軟磁性膜、44、 44a、 44b
…電極膜、S3a…第3の磁気シールド、S31a…第
3の強磁性膜、S3b…第4の磁気シールド、S31b…
第4の強磁性膜、S32a、S32b…反強磁性膜、42
… 永久磁石層、46…低感度領域、100…基板。
Claims (6)
- 【請求項1】基板と、基板上に形成された第1の強磁性
膜と、該第1の強磁性膜上に形成された第1の絶縁膜
と、該第1の絶縁膜上に形成された軟磁性層を含む磁気
抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流
す一対の電極と、磁気抵抗効果膜および前記電極の上に
形成された第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜上に形成さ
れた第2の強磁性膜と、前記磁気抵抗効果膜の両脇に前
記電極と接して形成された第1および第2の非磁性導電
膜と、前記第1の絶縁膜と前記電極の間に前記非磁性導
電膜と接して積層された第3の強磁性膜と第1の反強磁
性膜、および、同じく前記第1の絶縁膜と前記電極の間
に前記非磁性導電膜と接して積層された第4の強磁性膜
と第2の反強磁性膜を有する磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項2】基板と、基板上に形成された第1の強磁性
膜と、該第1の強磁性膜上に形成された第1の絶縁膜
と、該第1の絶縁膜上に形成された軟磁性層を含む磁気
抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流
す一対の電極と、磁気抵抗効果膜および前記電極の上に
形成された第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜上に形成さ
れた第2の強磁性膜と、前記磁気抵抗効果膜の両脇に該
磁気抵抗効果膜近傍においてその一部分が前記電極と接
し、遠ざかった領域において軟磁性層を含まず薄膜化さ
れて形成された磁気抵抗効果膜上に形成された第1およ
び第2の非磁性導電膜と、前記第1の非磁性導電膜と前
記電極との間に積層された第3の強磁性膜と第1の反強
磁性膜、および、同じく前記第2の非磁性導電膜と前記
電極の間に積層された第4の強磁性膜と第2の反強磁性
膜を有する磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項3】基板と、基板上に形成された第1の強磁性
膜と、該第1の強磁性膜上に形成された第1の絶縁膜
と、該第1の絶縁膜上に形成された軟磁性層を含む磁気
抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流
す一対の電極と、磁気抵抗効果膜および前記電極の上に
形成された第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜上に形成さ
れた第2の強磁性膜と、前記磁気抵抗効果膜の両脇に前
記電極と接しかつ該磁気抵抗効果膜から離れた領域では
前記第一の絶縁膜上に形成された第1および第2の非磁
性導電膜と、前記第1の非磁性導電膜と前記電極の間に
積層された第3の強磁性膜と第1の反強磁性膜、およ
び、同じく前記第2の非磁性導電膜と前記電極の間に積
層された第4の強磁性膜と第2の反強磁性膜を有する磁
気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜の軟
磁性膜と最も近接する位置での前記第3及び第4の強磁
性膜の、前記第1の強磁性膜と前記第1の絶縁膜との界
面の法線方向の膜厚が、前記磁気抵抗効果膜を構成する
軟磁性膜の膜厚の5倍以上であることを特徴とする磁気
抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項4】前記第3の強磁性膜及び第4の強磁性膜
が、NiとFe合金、またはCoとFe合金、またはC
oとNiとFe合金、またはCo、Ni、Feのうち少
なくも1種を含む材料とこの材料にTi、V、 Cr、
Zr、 Nb、 Mo、 Hf、Ta、W、 Cu、 R
u、 Rh、Pd、 Os、 Ir、 Pt、Auのうちの
少なくとも1種を添加した材料からなることを特徴とす
る請求項1乃至請求項3のいずれかにに記載の磁気抵抗
効果型ヘッド。 - 【請求項5】前記第1及び第2反強磁性膜が、FeとM
nの合金、又はIrとMnの合金、又はRhとMnの合
金、又はRhとRuとMnの合金、又はCrとMnとP
tの合金またはNiとMnの合金またはPtとMnの合
金からなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のい
ずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項6】前記第1の非磁性導電膜及び第2の非磁性
導電膜がTi、Ta、Zr、Hf、Nb、V、 Crの
うちから選ばれる材料あるいはその合金、又はNiとF
eとCr合金、又はNiとCrの合金、又はRu、R
h、Pd、Pt、Os、Irのうちから選ばれる材料あ
るいはその合金であることを特徴とする請求項1乃至請
求項3のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001320248A JP2003123213A (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001320248A JP2003123213A (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003123213A true JP2003123213A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19137666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001320248A Pending JP2003123213A (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003123213A (ja) |
-
2001
- 2001-10-18 JP JP2001320248A patent/JP2003123213A/ja active Pending
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