JP2003101227A - 電子回路用部品およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線部と複数の端子とを有する電子回路用部
品の本体部の主表面から突出形成される端子接続部を介
して、電子回路用部品を端子接続させる際に、その接続
信頼性を向上させることが可能な電子回路用部品および
その製造方法を提供する。 【解決手段】 電子回路用部品１００における本体部１
０は、配線部１と複数の端子３とを有するとともに、該
端子３が本体接続部５と接続端子部４とからなるが、本
体接続部５を形成するための本体接続部用孔部７の形成
位置に、孔部６が形成されるようにダミーフィルム２０
を本体部１０の主表面に被覆させた後、金属粉末とセラ
ミックフィラーとを含む複合材料を、孔部６より埋め込
むとともに焼成することで、本体接続部５および接続端
子部３は一体形成され、かつ、接続端子部３は、その高
さが２０μｍ以上とされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【本発明の属する技術分野】本発明は、配線部と複数の
端子とを有する電子回路用部品およびその製造方法に関
し、特に電子回路用部品としての電子部品や配線基板に
おいて、実装時の端子接続が有利に適用される、電子回
路用部品およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子回路用部品としての配線基板
とＬＳＩ、ＩＣもしくはディスクリート部品等の電子部
品との接続は、各々配線基板および電子部品をなす本体
部の主表面より突出形成された接続端子部の間をハンダ
ボールもしくは異方性導電接着材などを介し圧着させる
フリップチップ接続が使用されている。このような、フ
リップチップ接続において、ハンダボールの接着性を向
上させるためのフラックスを、配線基板上に搭載される
電子部品と配線基板との隙間から外部に効果的に飛散除
去させる目的や、異方性導電接着材の流動性の低下およ
び、圧着接続させる際に異方性導電接着材が横方向に逃
げることによる圧着性の低下を抑制する目的などから、
配線基板および電子部品に形成される端子接続部の形成
高さを確保することが図られている。

【０００３】上記端子接続部の高さ確保の方法として
は、配線基板に貫通孔を形成した後、導電性ペーストを
埋め込むとともに、焼成形成されるビア導体の上端面
に、メッキ法により、さらにニッケルメッキ層を形成さ
せる方法（特開平１１−１１１７６６号）や、ボールボ
ンディング法を用いてボールと金線との２段階よりなる
本体部の主表面より突出した層を形成させる方法（特開
平１１−３１２７１１号）などが開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記端
子接続部の高さ確保のためのメッキ法では、高さ方向だ
けでなく横方向にもメッキが形成されるため、各々端子
接続部の間隔が狭くなり、電気的短絡が生じやすくな
る。他方、ボールボンディング法では、高さ方向側に凸
形状となるので、端子接続部の上面における上記フリッ
プ接続の際の接合面積が小さくなり、該接合面積を大き
くするためには、本体部の主表面に形成される端子接続
部の底面の面積を大きくする必要がある。しかし、該底
面の面積を大きくすることは、各々端子接続部の間隔が
狭くなることを意味するので、電気的短絡が生じやすく
なる。さらに、回路自体が高集積化となり、設計時に必
要とされる本体部における各々端子接続部の間隔が狭く
なる現状においては、上記方法による端子接続部の高さ
確保を困難とする問題があった。

【０００５】また、最近、携帯電話をはじめとする無線
通信には、電波資源拡大と伝送容量の高密度化を測るた
めに、マイクロ波帯からミリ波帯の高周波帯が積極的に
採用されている。このような高周波信号を取り扱う場
合、配線基板に搭載される電子部品と動作電源との配線
長が無視できなくなり、動作電源を電子部品に少しでも
近づける目的から、電子回路用部品としてのコンデンサ
を配線基板に内蔵させるなどの工夫が図られているが、
該コンデンサが有する端子接続部の高さを確保するため
に、上記したメッキ法やボールボンディング法を用いて
新たな層を付与させた場合、横方向への厚みのばらつき
などにより、導通抵抗のばらつき、もしくは、付与され
た層の接触面における導通抵抗の増大などの不具合があ
った。

【０００６】本発明は、かかる問題を考慮してなされた
ものである。すなわち、本発明は、電子回路用部品の本
体部の主表面から突出形成される端子接続部を介して電
子回路用部品を端子接続させる際に、その接続信頼性を
向上させることが可能な電子回路用部品およびその製造
方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段および作用・効果】上記課
題を解決するための本発明の電子回路用部品は、セラミ
ックを主成分とする本体部と、金属粉末とセラミックフ
ィラーとの複合材料からなる複数の端子とを有し、前記
本体部と前記端子とが同時焼成により形成される電子回
路用部品において、前記本体部は、該本体部の内部もし
くは主表面に形成される配線部を備え、前記端子は、前
記本体部の内部に位置し前記配線部と接続される本体接
続部と、前記本体部より突出した接続端子部とを備え、
前記接続端子部の前記本体部の主表面からの高さが２０
μｍ以上であることを特徴とする。

【０００８】また、上記課題を解決するための本発明の
電子回路用部品の製造方法は、セラミックを主成分と
し、かつ配線部を有する本体部と、前記配線部と接続さ
れる複数の端子とからなる電子回路用部品において、複
数の孔部が形成されたダミーフィルムを前記本体部の主
表面に被覆した後、前記孔部に焼成後に前記端子となる
金属粉末とセラミックフィラーとの複合材料を埋入する
工程と、前記ダミーフィルムを除去し、前記本体部の主
表面からの高さが２０μｍ以上の前記端子を形成する工
程とを含むことを特徴とする。

【０００９】図５は電子回路用部品の一例を示すもの
で、図５（ｂ）に示すように電子回路用部品１００にお
ける本体部１０は、配線部１と複数の端子３を有すると
ともに、端子３が、本体接続部５と接続端子部４とから
なるが、従来、接続端子部４を金属粉末とセラミックフ
ィラーとを含む複合材料を埋め込み形にて焼成形成させ
る場合、その高さの上限は、１０〜１５μｍ程度であっ
た。そこで、接続端子部の高さを確保するために、上記
したメッキ法やボールボンディング法などを用いて新た
な層が付与されていた。しかし、本発明においては、金
属粉末とセラミックフィラーとを含む複合材料を埋入し
て形成される接続端子部５の本体部１０の主表面からの
高さ（以下、単に高さと言う）が、２０μｍ以上とされ
るので、メッキ法やボールボンディング法などを用いて
新たな層を付与した場合に発生する、接続端子部の上面
における接続面積の低下や、各々端子接続部の間隔が狭
くなるなどの不具合を抑制することができる。その結
果、電子回路用部品を接続端子部を介して端子接続させ
る際の接続信頼性を向上させることが可能となる。ま
た、電子回路用部品の一つであるコンデンサにおいて
も、該コンデンサが有する端子接続部の高さを２０μｍ
以上とすることによる、導通抵抗のばらつき、もしく
は、上記したメッキ法やボールボンディング法などを用
いて新たな層を付与した場合に発生する、該付与した層
における接触面での導通抵抗の増大を抑制することが可
能となる。なお、本明細書において、配線部もしくは端
子以外の本体部を形成する基体は、セラミック、ガラス
セラミック、有機物もしくはそれらの２種以上からなる
複合体より形成されているとともに、該本体部からなる
電子回路用部品とは、周知の配線基板および電子部品を
指す。

【００１０】図５（ａ）に示すように、本体部１０の主
表面に、複数の孔部６が形成されたダミーフィルム２０
を被覆した後、孔部６に金属粉末とセラミックフィラー
とを含む複合材料を埋入させ、複数の端子３を焼成形成
するとともに、ダミーフィルム２０を除去することで、
上記本発明における２０μｍ以上の高さを有する接続端
子部４を形成させることができる。

【００１１】図５（ａ）における本体部１０は、本体部
１０の内部に位置する配線部１と接続させるための本体
接続部５を有するので、接続端子部用孔部としての孔部
６以外に、本体部１０に接続端子部４の高さ方向で見て
同じ位置に本体接続部用孔部７（以下、単に本体孔部７
と記す）が形成されている。この場合、本体孔部７を、
ドリル等を用いて穿孔しておき、本体孔部７の位置に合
わせ、孔部６が形成されるように公知の印刷法により、
本体部１０の主表面にダミーフィルム２０を被覆させる
方法、もしくは、孔部６と本体孔部７との位置精度を上
げるために、本体部１０の主表面にダミーフィルムを蒸
着や塗布する、またはシート状のものをはり合わせるこ
とにより被覆した後、孔部６および本体孔部７とを、ド
リルまたはパンチング機等を用いて同時に穿孔する方法
を用いることにより、金属粉末とセラミックフィラーと
の複合材料からなる、本体接続部５と接続端子部４とが
一体焼成される。

【００１２】また、図４（ａ）に示すような本体部１０
の主表面が配線部１にてなる電子回路用部品１００にお
いて、配線部１の形成面と反対側に接続端子部４を形成
させる場合、もしくは、図４（ｂ）に示すような本体部
１０の両面が配線部１にてなる電子回路用部品１００に
おける本体部１０の両面側に接続端子部４を形成させる
場合においても、ダミーフィルムを用いることにより、
本体部１０の主表面より２０μｍ以上の高さからなる接
続端子部４を形成することができる。

【００１３】さらに、図４（ｂ）においては、本体孔部
７を形成せず、本体接続部５を配線部１とし、ダミーフ
ィルムを用いて端子接続部４のみを形成する方法をとる
ことも可能である。この場合、端子３は端子接続部４の
みからなる。

【００１４】次に、図５の電子回路用部品１００を代表
させるが、接続端子部４および本体接続部５よりなる複
数の端子３を焼成形成する前、つまり、公知の印刷パタ
ーンによりパターン形成される配線部１とを含めた本体
部１０を焼成形成する前に、ダミーフィルム除去する方
法と、焼成形成時もしくは焼成後に除去する方法とを取
ることができる。両方法ともに、２０μｍ以上の高さか
らなる接続端子部４を形成することが可能であるが、本
体部１０の焼成形成前にダミーフィルム２０を除去する
場合、金属粉末とセラミックフィラーとの複合材料を孔
部６および本体孔部７に圧入埋め込みすることで、ダミ
ーフィルム２０の除去後も、孔部６に形成された形状
は、概ね維持されるが、孔部６の高さが高くなるにつ
れ、だれが生じることにより、焼成形成された接続端子
部４の上面の面積が低減するおそれがある。それに比べ
て、本体部１０の焼成形成時もしくは焼成後にダミーフ
ィルム２０を除去する場合は、孔部６に形成された形状
を維持できることができ、その結果、接続端子部４の高
さをより高くすることができるとともに上面の面積を確
保することができる。

【００１５】上記ダミーフィルムの材質としては、ＰＥ
Ｔ（ポリエチレンテレフタラート）、ＰＰＳ（ポリフェ
ニレンサルファイド）などの有機物、または、アルミ
ナ、ムライト、窒化アルミニウムなどのセラミック、も
しくは、有機物に有機物の粘度を上げるためのセラミッ
クを添加したものなどの材質を挙げることができる。

【００１６】また、ダミーフィルムの除去方法として、
上記した本体部の焼成形成前もしくは、焼成後において
は、ダミーフィルムが有機物より構成される場合、該有
機物が溶解する溶液にて簡便に除去することが可能であ
り、ダミーフィルムがセラミックもしくはセラミックを
含む有機物より構成される場合、サンドブラストもしく
は、高圧水洗により除去が可能である。他方、本体部を
焼成形成させるための焼成温度以下で脱脂することが可
能な有機物よりダミーフィルムを形成することで、本体
部の焼成時にダミーフィルムを除去することができる。
ただし、セラミックもしくは、セラミックを含有する有
機物よりダミーフィルムが形成される場合は、本体部を
焼成形成させるための焼成温度以下で、焼結しないセラ
ミックを選択する必要がある。

【００１７】上記金属粉末およびセラミックフィラーを
含む複合材料における、金属粉末の材料として、Ａｕ、
Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇなどの貴金属元素、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗなどの遷移金属元素、Ｓｎなどの金
属元素等をあげることができ、一方、セラミックフィラ
ーの材料として、アルミナ、シリカ、ムライト、窒化ア
ルミニウム、ホウケイ酸ガラス、ＳｉＯ_２ガラスなどを
あげることができる。

【００１８】次に、本発明の電子回路用部品の接続端子
部において、本体部側に形成される領域面を底面とし、
本体部とは反対側に形成される領域面を上面としたと
き、該上面の底面に対する面積比率が、０．６以上であ
ることを特徴とする。

【００１９】上記したダミーフィルムを用いて形成され
る、２０μｍ以上の高さを有する接続端子部は、上記複
合材料を焼成する際のだれによって、図２に示すよう
に、接続端子部４の底面９に比べて上面８の面積は、多
少小さくなるが、上面８の底面９に対する面積比率を
０．６以上とすることができる。上記した従来の方法に
おいては、２０μｍ以上の高さを有する接続端子部を形
成し、かつ、上面８の面積を確保しようとする場合、各
々接続端子部４の最隣接距離ｔが短くなり電気的短絡が
発生する不具合があったが、本発明においては、該不具
合を抑制することができる。また、回路自体が高集積化
となり、設計時に必要とされる本体部１０における各々
端子接続部４の最隣接距離ｔが短くなる現状において
も、本発明では、端子接続部４の高さを２０μｍ以上と
し、かつ上面８の底面９に対する面積比率を０．６以上
とすることができるので、最隣接距離ｔを１００μｍ以
下とすることができる。さらに、底面９の面積が、１ｍ
ｍ^２以下においても、端子接続部４の高さを２０μｍ以
上とし、かつ上面８の底面９に対する面積比率を０．６
以上とすることができるので、最隣接距離ｔが短くなる
現状においても、電気的短絡を起こさず、対応すること
が可能となる。なお、上記した形状を有する端子接続部
４は、上述したダミーフィルムを用いた製造方法により
形成することができる。

【００２０】ここまでに述べてきた、各々電子回路用部
品は、端子接続部を介して、図３に示すようなフリップ
チップ接続にて端子接続される。図３（ａ）は、ハンダ
ボール５０にて圧着接続される場合、図３（ｂ）は、異
方性導電接着材としてのバインダ５２の中に分散形成さ
れる導電粒子５１にて圧着接続される場合を模式的に示
したものである。本発明の端子接続部４は２０μｍ以上
の高さを有し、かつ端子接続部４の上面の底面に対する
形成面積比率を０．６以上となるので、端子接続部４を
介して端子接続される各々電子回路用部品における本体
部１０の間の隙間を十分とることができる。その結果、
ハンダボール５０の接着性を向上させるためのフラック
スを、外部に効果的に飛散除去でき、または、異方性導
電接着材の流動性の低下および、圧着接続させる際に異
方性導電接着材が横方向に逃げることによる圧着性の低
下を抑制することができるとともに、端子接続部４の上
面における接着性を向上させることができる。さらに、
各々電子回路用部品を端子接続部４介して異方性導電接
着材の導電粒子５１にて圧着接続される場合、従来、端
子接続部４の高さを補うために、端子接続部４の上面に
形成される導電粒子５１の形成密度を大きく確保する必
要であったが、本発明の端子接続部４は２０μｍ以上の
高さを有するので、使用する導電粒子５１の量を低減す
ることができる。

【００２１】上述した本発明におけるダミーフィルムを
用いた製造方法では、接続端子部４の高さは、１２０μ
ｍまで製造可能であるが、接続端子部４の高さが高くな
ると、上記した各々電子回路用部品を圧着接続させる際
の接続端子部４の機械的強度が低下するので、接続端子
部４の高さは、８０μｍ以下にすることがよい。ただ
し、該機械的強度は、接続端子部４の底面の面積にもよ
るが、その底面の面積は、必要とされる各々接続端子部
４の最隣接距離ｔによるので、接続端子部４の底面の面
積の下限値は、各々接続端子部４の最隣接距離ｔの下限
値により適宜決められるものである。一例を挙げると、
現在、電子部品（電子回路用部品）としての半導体チッ
プの最も小さい最隣接距離ｔは、６０μｍ程度であり、
この値を、最隣接距離ｔの下限値とするならば、接続端
子部４の底面の面積の下限値を、０．００３ｍｍ^２とす
ることで、接続端子部４の間で電気的短絡を起こさず、
かつ上記圧着接続させる際の接続端子部４の機械的強度
を得ることが可能である。また、電子部品としてのコン
デンサにおいては、接続端子部４の底面の面積が最大１
ｍｍ^２程度必要とされる場合があり、その際の、接続端
子部４の間で電気的短絡を起こさない最隣接距離ｔは、
３００μｍ程度である。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる発明の一実
施形態を図面を用いて説明を行なう。図１は、本発明の
電子回路用部品としての配線基板の断面図を模式的に示
すものである。図１（ａ）では、配線基板（電子回路用
部品）１００の内部に、電子部品（電子回路用部品）と
してのコンデンサ、インダクタ及び抵抗器などの種々の
厚膜回路素子が作りこまれていないが、図１（ｂ）にお
いては、電子物品としてのコンデンサ（電子回路用部
品）１００が作り込まれている場合を示す。図１（ａ）
に示すように、配線部１と複数の端子３を有する配線基
板１００において、端子３は、本体部１０の内部に位置
する接続端子部４と本体接続部５とからなる。該端子３
は、金属粉末とセラミックフィラーとの複合材料を焼成
することにより、接続端子部４と本体接続部５とが一体
焼成形成され、かつ、接続端子部４の本体部１０からの
高さが２０μｍ以上よりなる。このように、接続端子部
４と本体接続部５とを一体焼成にて形成することで、従
来の方法で、接続端子部４の形成高さを２０μｍ以上に
した場合に比べ、各々接続端子部４の最隣接距離を長く
することが可能になり、その結果、電気的短絡が発生す
る不具合を抑制するとともに、電子配線物品の製品歩留
まりを向上させることができる。また、図１（ｂ）のよ
うに、配線基板１００の内部にコンデンサ１００を内蔵
する場合においては、コンデンサ１００の端子３を一体
焼成し接続端子部４の高さを２０μｍ以上とすること
で、配線基板１００にコンデンサ１００を内蔵する際の
設計自由度を高めるとともに、従来の方法で発生した、
接続端子部における導通抵抗のばらつき、もしくは、接
続端子部の高さを稼ぐためにメッキ法等にて付与された
層の接触面に発生する導通抵抗の増大を抑制することが
可能となる。

【００２３】上記した、２０μｍ以上の高さを有する接
続端子部の製造方法を以下に記す。図５（ａ）に示すよ
うに、ダミーフィルム２０を構成する材質を本体部１０
の主表面に、公知のフォトリソグラフィー等の印刷法に
より形成する、または、シート状のフィルムをはり合わ
せことにより形成するか、もしくは、本体部１０の主表
面にダミーフィルム２０を構成する材質を塗布後、乾燥
させて形成するかの方法により、本体部１０の主表面に
ダミーフィルム２０の形成を行なう。この際、予め、本
体部１０に、ドリルまたはパンチング機等を用いて穿孔
された本体孔部７の位置に合わせ、孔部６が形成される
ようにダミーフィルム２０を形成するか、本体孔部７と
孔部６との位置精度を高めるためにダミーフィルム２０
を本体部１０に被覆したの後、ドリル等を用いて穿孔を
行い、本体孔部７と孔部６とを同時形成するかにより、
複数の孔部６がダミーフィルム２０に形成される。ま
た、ダミーフィルム２０は、本体部１０の主表面を覆う
形にて形成されるが、孔部６を有するように、本体部１
０の主表面を部分的に覆う形にて形成することも可能で
ある。このように、ダミーフィルム２０を形成した後、
金属粉末とセラミックフィラーとの複合材料を本体孔部
７と孔部６とに埋入し、焼成することにより、図５
（ｂ）に示すような、本体接続部５と接続端子部４とが
一体焼成され、かつ接続端子部４の高さを２０μｍ以上
とすることができる。該高さは、ダミーフィルム２０の
高さにより調整することができるので、従来の方法より
簡便に接続端子部４の高さを２０μｍ以上とすることが
できる。

【００２４】また、ダミーフィルム２０は、上記焼成す
る前か、もしくは、焼成時または焼成後に除去される。
特に、作業効率の観点から言えば、焼成時に除去するの
が望ましく、ダミーフィルム２０を上記焼成するための
焼成温度以下で脱脂できる有機物より構成することで可
能となる。

【００２５】電子回路用部品１００が多層配線基板の場
合、配線部をなす配線層と誘電体層とが交互に積層され
本体部１０が形成されるが、焼成後に誘電体層を形成す
るグリーンシートをダミーフィルムとして兼用すること
も可能である。

【００２６】ここまでに、本発明における高さが２０μ
ｍ以上の接続端子部を有する電子回路用部品の形状およ
び製造方法について述べてきたが、本発明の電子回路用
部品としては、電子部品としての、ＬＳＩやＩＣ、ある
いはディスクリート部品等の半導体素子、またはアンテ
ナモジュール等の高周波用素子、コンデンサ、インダク
タ、抵抗器などの公知のものに適用可能であり、かつ、
配線基板としても、金属配線と誘電体層とが交互に積層
された多層配線基板、誘電体層のみからなる単層配線基
板、もしくは、コンデンサ、インダクタ、抵抗器などの
種々の厚膜回路素子が作りこまれた多層配線基板などの
公知のものに適用可能である。また、配線基板をなす本
体部において、電子部品が搭載される側とは反対側の面
がマザーボードなどの上に配置されるための端子接続部
を有する配線基板にたいしても、適用可能である。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の効果を確認するために行なっ
た実験結果について説明する。

【００２８】（実施例）上記した製造工程に従い、図６
（ａ）に示すように、本体部１０'の主表面を覆う形に
てダミーフィルムをはり合わせ、その後、本体接続部５
および接続端子部４とを形成するための穿孔を行い、金
属粉末とセラミックフィラーとの複合材料を埋入させる
とともに、焼成することで、本体接続部５と接続端子部
４とを一体焼成形成させた。ダミーフィルムは、ＰＥＴ
から、複合材料は、金属フィラーとしてのＡｇ、セラミ
ックフィラーとしてのホウケイ酸ガラスからなり、焼成
温度を８５０℃とした。本体部１０'は、Ａｇ−Ｐｔ−
ホウケイ酸ガラスからなるとともに、本実施例において
は、接続端子部４の形状を確認するための実験であるの
で、配線部を有さない形にて、本体部１０'は形成され
ている。また、通常用いられる、表面保護のためのＮｉ
およびＡｕによるメッキは施さずに形成されている。

【００２９】上記した形態および製造方法にて、穿孔さ
れる孔の面積を変え、さらにダミーフィルム２０の高さ
を変えることで、接続端子４の高さ、および底面９の面
積の違う接続端子部４の形成を行なった。

【００３０】（比較例１）実施例におけるダミーフィル
ムを用いない以外は、同条件にて接続端子部４の形成を
行なった（図６（ｂ））。このように形成された、比較
例１および実施例の接続端子部４に対して、高さ、底面
９の面積、上面８の底面９に対する面積比率の計測を行
なった。その結果を表１に示す。

【００３１】

【表１】

【００３２】表１より、ダミーフィルムを用いない比較
例１では、端子接続部の底面の面積を１ｍｍ^２まで大き
くしても、その高さは、１５μｍが限界であることが分
かる。他方、ダミーフィルムを用いた実施例における接
続端子部の高さは、底面の面積が０．０４ｍｍ^２におい
ても、８０μｍであることが分かる。また、高さが８０
μｍにおいても、上面８の底面９に対する面積比率が
０．６であることが分かる。これら結果より、ダミーフ
ィルムを用いて、本体接続部と接続端子部とを一体焼成
形成させることで、接続端子部の高さを２０μｍ以上と
することができ、かつ、上面８の底面９に対する面積比
率が０．６以上、底面の面積が１ｍｍ^２以下の接続端子
部を形成できることが確認された。さらに、接続端子部
の高さに限れば、底面の面積が１ｍｍ^２とした場合、上
面８の底面９に対する面積比率が０．６と表１の実施例
より小さくなるが、高さを１２０μｍまで形成できるこ
とを確認した。また、実施例において、ダミーフィルム
は、本体接続部と接続端子部とを一体焼成する際に脱脂
され、除去されることを確認した。

【００３３】（比較例２および比較例３）比較例１に
て、接続端子部の高さが１５μｍのものに対して、Ｎｉ
を用いたメッキ法または、Ａｕを用いたボールボディン
グ法により、接続端子部の高さが２０μｍ以上となるよ
うに接続端子部の再形成を行なった。メッキ法のものを
比較例２、ボールボディング法のものを比較例３とし
て、比較例２および比較例３の接続端子部に対して、高
さ、底面の面積、上面の底面に対する面積比率の計測を
行い、比較例２のものに対してはさらに、底面のメッキ
による広がりの計測を行なった。その結果を表２に示
す。

【００３４】

【表２】

【００３５】表２より、比較例２および比較例３のもの
を、表１に示す実施例のように、底面の面積を０．０４
ｍｍ^２とし、その高さを８０μｍとすると、ボールボン
ディング法により形成された比較例３のものにおいて
は、上面の底面に対する面積比率は０．１となり、メッ
キ法により形成された比較例２のものにおいては、底面
のメッキによる広がりが１５５μｍにもなることがわか
る。また、比較例３のものは、高さが高くなるにつれ、
上面の底面に対する面積比率の著しい低下が起こり、他
方、比較例２ものは、高さが高くなるに従い、メッキに
よる広がりが著しく大きくなることが分かる。これら結
果より、従来のメッキ法もしくはボールディング法を用
いた場合、接続端子部の上面の面積を確保し、かつ各々
接続端子部の最隣接距離を確保するには、接続端子部の
形成高さを２０μｍ程度としなければならないことが確
認された。

【００３６】上記実施例および比較例より、ダミーフィ
ルムを用いた、本体接続部および端子接続部の一体焼成
による形成される本発明の端子接続部は、該端子接続部
を介して電子回路用部品を端子接続させる際の接続信頼
性の向上を可能にする。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における電子回路用部品の一実施形態を
示す概略断面図。

【図２】本発明における電子回路用部品が有する接続端
子部の形状を説明するための模式図。

【図３】本発明の電子回路用部品の接続方法を説明する
ための模式図。

【図４】本発明における電子回路用部品の一形態を示す
概略断面図。

【図５】本発明における電子回路用部品の一形態およぶ
その製造過程を説明するための模式図。

【図６】本発明の電子回路用部品に対する実施例および
比較例を説明するための模式図。

【符号の説明】

１ 配線部 ３ 端子 ４ 接続端子部 ５ 本体接続部 ６ 孔部 ７ 本体接続部用孔部 ８ 上面 ９ 底面 １０ 本体部 ２０ ダミーフィルム

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミックを主成分とする本体部と、金
   属粉末とセラミックフィラーとの複合材料からなる複数
   の端子とを有し、前記本体部と前記端子とが同時焼成に
   より形成される電子回路用部品において、 前記本体部は、該本体部の内部もしくは主表面に形成さ
   れる配線部を備え、 前記端子は、前記本体部の内部に位置し前記配線部と接
   続される本体接続部と、前記本体部より突出した接続端
   子部とを備え、 前記接続端子部の前記本体部の主表面からの高さが２０
   μｍ以上であることを特徴とする電子回路用部品。
2. 【請求項２】 前記接続端子部の前記本体部側に形成さ
   れる領域面を底面とし、前記本体部とは反対側に形成さ
   れる領域面を上面としたとき、前記上面の前記底面に対
   する面積比率が０．６以上であることを特徴とする請求
   項１記載の電子回路用部品。
3. 【請求項３】 前記接続端子部の前記底面における最隣
   接距離が３００μｍ以下であることを特徴とする請求項
   ２記載の電子回路用部品。
4. 【請求項４】 前記底面の面積は、１ｍｍ^２以下である
   ことを特徴とする請求項２または３記載の電子回路用部
   品。
5. 【請求項５】 前記請求項１ないし４のいずれか一項に
   記載の電子回路用部品の製造方法であって、 前記端子を構成する前記本体接続部を形成するための本
   体接続部形成用孔部を前記本体部に形成した後、 前記端子を構成する前記接続端子部を形成するための接
   続端子部形成用孔部を備えたダミーフィルムを前記本体
   部の主表面に被覆するダミーフィルム被覆工程と、 前記ダミーフィルム被覆工程後に前記本体接続部形成用
   孔部と前記接続端子部形成用孔部とに金属粉末とセラミ
   ックフィラーとの複合材料を埋入した後、同時焼成によ
   り前記端子と前記本体部とを形成する工程とを含むこと
   を特徴とする電子回路用部品の製造方法。
6. 【請求項６】 前記請求項１ないし４のいずれか一項に
   記載の電子回路用部品の製造方法であって、 前記本体部の主表面にダミーフィルムを被覆した後、前
   記端子を構成する前記本体接続部を形成するための本体
   接続部形成用孔部と、前記端子を構成する前記接続端子
   部を形成するための接続端子部形成用孔部とを前記本体
   部及び前記ダミーフィルムに同時形成する孔部形成工程
   と、 前記孔部形成工程後に、前記本体接続部形成用孔部と前
   記接続端子部形成用孔部とに、金属粉末とセラミックフ
   ィラーとの複合材料を埋入した後、同時焼成により前記
   端子と前記本体部とを形成する工程とを含むことを特徴
   とする電子回路用部品の製造方法。
7. 【請求項７】 前記ダミーフィルムは、前記端子と前記
   本体部とを同時焼成にて形成する焼成時に除去すること
   を特徴とする請求項５または６記載の電子回路用部品の
   製造方法。
8. 【請求項８】 前記ダミーフィルムを除去した後に、前
   記端子と前記本体部とを同時焼成にて形成することを特
   徴とする請求項５または６記載の電子回路用部品の製造
   方法。
9. 【請求項９】 セラミックを主成分とし、かつ配線部を
   有する本体部と、前記配線部と接続される端子とからな
   る電子回路用部品の製造方法であって、 複数の孔部が形成されたダミーフィルムを前記本体部の
   主表面に被覆した後、前記孔部に焼成後に前記端子とな
   る金属粉末とセラミックフィラーとの複合材料を埋入す
   る工程と、 前記ダミーフィルムを除去し、前記本体部の主表面から
   の高さが２０μｍ以上の前記端子を形成する工程とを含
   むことを特徴とする電子回路用部品の製造方法。