JP2003100893A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 制御端子と、
   電源端子と、
   ＧＮＤ端子と、
   ＲＦ端子と、
   前記ＲＦ端子から入力されるＲＦ信号の入出力経路を切り替えるスイッチ部と、
   前記制御端子及び前記電源端子に接続され、前記スイッチ部を制御する制御部と、
   前記制御端子と前記ＲＦ端子との間、前記制御端子と前記ＧＮＤ端子との間、及び前記電源端子と前記ＧＮＤ端子との間にそれぞれ設けられた保護ダイオードと
   を具備することを特徴とする高周波スイッチ装置。
2. 制御端子と、
   電源端子と、
   ＲＦ端子と、
   同一列に整列配置された抵抗素子に接続されたゲートを有する複数のＦＥＴ、並びに前記抵抗素子が同一列に整列配置された領域上を通過し且つ前記ＲＦ信号が伝搬されるＲＦ信号用配線を含み、前記ＲＦ端子から入力されるＲＦ信号の入出力経路を切り替えるスイッチ部と、
   前記制御端子及び前記電源端子に接続され、前記スイッチ部を制御する制御部と
   を具備することを特徴とする高周波スイッチ装置。
3. 前記スイッチ部を制御する信号が出力される前記制御部の出力端子に接続される配線は、いかなるＲＦ信号用配線とも交差しないことを特徴とする請求項２記載の高周波スイッチ装置。
4. 前記スイッチ部を制御する信号が出力される前記制御部の出力端子と、ＧＮＤ端子との間に設けられた容量素子を更に備えることを特徴とする請求項１または２記載の高周波スイッチ装置。
5. 前記制御端子と前記ＲＦ端子との間、前記制御端子とＧＮＤ端子との間、及び前記電源端子とＧＮＤ端子との間にそれぞれ設けられた保護ダイオードを更に備えることを特徴とする請求項２記載の高周波スイッチ装置。
6. 前記制御端子に接続された、前記制御部の第１端子と、
   前記電源端子に接続された、前記制御部の第２端子と、
   ＧＮＤ端子に接続された、前記制御部の第３端子と、
   前記第１端子と前記制御端子との間、前記第２端子と前記電源端子との間、及び前記第３端子と前記ＧＮＤ端子との間に、それぞれ設けられた抵抗素子と
   を更に備えることを特徴とする請求項１または２記載の高周波スイッチ装置。
7. 前記制御部は、ＦＥＴを含むインバータ回路と、
   前記インバータ回路に含まれる前記ＦＥＴのゲートに印加されるゲート電圧の最大値が、ショットキー電圧を超えないように前記ゲート電圧をレベルシフトする、ＦＥＴを含むソースフォロワ回路と、
   前記ソースフォロワ回路の出力端子と、前記インバータ回路に含まれる前記ＦＥＴのゲート端子との間に設けられた抵抗素子と
   を備えることを特徴とする請求項１または２記載の高周波スイッチ装置。