JP2003100593A - 微小間隙設定装置 - Google Patents
微小間隙設定装置Info
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- JP2003100593A JP2003100593A JP2001289994A JP2001289994A JP2003100593A JP 2003100593 A JP2003100593 A JP 2003100593A JP 2001289994 A JP2001289994 A JP 2001289994A JP 2001289994 A JP2001289994 A JP 2001289994A JP 2003100593 A JP2003100593 A JP 2003100593A
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクとワーク間の間隙を高精度に測定す
る。 【解決手段】 マスク（１４）上に形成された基準パタ
ーンの実像（１８）と、鏡面化されたワーク（１３）の
表面に写る当該基準パターンの虚像（１８´）とが、マ
スク（１４）に対して斜め方向に観察したときの光軸上
でのずれｄが焦点深度内に収まる開口数を有する検出光
学系を用いて、結像面（２４）上における実像（１８）
と虚像（１８´）との間隔Ｌを測定し、間隔Ｌからマス
ク（１４）とワーク（１３）の間隙を換算して求めるこ
とにより、マスク（１４）とワーク（１３）の間隙を調
整する。
る。 【解決手段】 マスク（１４）上に形成された基準パタ
ーンの実像（１８）と、鏡面化されたワーク（１３）の
表面に写る当該基準パターンの虚像（１８´）とが、マ
スク（１４）に対して斜め方向に観察したときの光軸上
でのずれｄが焦点深度内に収まる開口数を有する検出光
学系を用いて、結像面（２４）上における実像（１８）
と虚像（１８´）との間隔Ｌを測定し、間隔Ｌからマス
ク（１４）とワーク（１３）の間隙を換算して求めるこ
とにより、マスク（１４）とワーク（１３）の間隙を調
整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はミクロンオーダ微小
間隙測定技術に関し、特に、半導体集積回路製造におけ
るＸ線アライナー若しくはイオン注入装置、液晶表示装
置製造におけるプロキシミティ露光装置等のワークとマ
スク間の微小間隔を測定するための改良技術に関する。
間隙測定技術に関し、特に、半導体集積回路製造におけ
るＸ線アライナー若しくはイオン注入装置、液晶表示装
置製造におけるプロキシミティ露光装置等のワークとマ
スク間の微小間隔を測定するための改良技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路や液晶表示装置の製造工
程において、感光剤を塗布したウェハや大型ガラス基板
等のワークを露光する手法として、プロキシミティ露光
法（近接露光法）が知られている。プロキシミティ露光
法は、マスクとワークの間に数十ミクロンオーダの微小
間隙を設定した状態で保持し、照明光学系から射出され
た露光光をマスクに照射することで、マスク上のパター
ンをワークに転写する手法である。コンタクト露光法と
比べると、マスクとワークが接触しないため、感光剤の
剥がれによる不良の発生が少なく、マスクが汚染されに
くいといったメリットがある。
程において、感光剤を塗布したウェハや大型ガラス基板
等のワークを露光する手法として、プロキシミティ露光
法（近接露光法）が知られている。プロキシミティ露光
法は、マスクとワークの間に数十ミクロンオーダの微小
間隙を設定した状態で保持し、照明光学系から射出され
た露光光をマスクに照射することで、マスク上のパター
ンをワークに転写する手法である。コンタクト露光法と
比べると、マスクとワークが接触しないため、感光剤の
剥がれによる不良の発生が少なく、マスクが汚染されに
くいといったメリットがある。
【０００３】一般に、プロキシミティ露光法では、マス
クとワークの間の間隙が小さい程、解像度が向上するた
め、露光エリア全面にわたって微小間隔を設定し、維持
する必要がある。従来では、特開昭６２−９８６２１に
開示されているように、マスク上に形成された、隣接す
る２つの基準パターンのうち一方の基準パターンの実像
と、他方の基準パターンのワークに対する虚像とが同一
焦点平面内に存在するように基準パターンの間隔を設定
し、結像面上における両者の距離を測定することで、マ
スクとワークの間隙を換算していた。図６は同文献に開
示されている間隙測定の原理図である。同図において、
符号２５はワーク、２６はマスクである。厚さ数μｍの
マスク２６には、マスクパターンのＸＹθ方向及び間隙
の位置合わせをするためのアライメントマークが形成さ
れている。図７にこのアライメントマークのうち間隙測
定用のマークの一例を示す。同図に示すように、このア
ライメントマーク３２は、１２０μｍ×４０μｍの面積
を有し、間隙測定用の２つの基準パターン２７−１，２
７−２が距離ｍを隔てて形成されている。これらの基準
パターン間のハッチングを付していない部分が透明で光
を透過する部分である。
クとワークの間の間隙が小さい程、解像度が向上するた
め、露光エリア全面にわたって微小間隔を設定し、維持
する必要がある。従来では、特開昭６２−９８６２１に
開示されているように、マスク上に形成された、隣接す
る２つの基準パターンのうち一方の基準パターンの実像
と、他方の基準パターンのワークに対する虚像とが同一
焦点平面内に存在するように基準パターンの間隔を設定
し、結像面上における両者の距離を測定することで、マ
スクとワークの間隙を換算していた。図６は同文献に開
示されている間隙測定の原理図である。同図において、
符号２５はワーク、２６はマスクである。厚さ数μｍの
マスク２６には、マスクパターンのＸＹθ方向及び間隙
の位置合わせをするためのアライメントマークが形成さ
れている。図７にこのアライメントマークのうち間隙測
定用のマークの一例を示す。同図に示すように、このア
ライメントマーク３２は、１２０μｍ×４０μｍの面積
を有し、間隙測定用の２つの基準パターン２７−１，２
７−２が距離ｍを隔てて形成されている。これらの基準
パターン間のハッチングを付していない部分が透明で光
を透過する部分である。
【０００４】図６において、ワーク２５の表面は鏡面化
されているため、ワーク２５に対する基準パターン２７
−１，２７−２の虚像がそれぞれ２７−１´，２７−２
´として観察される。このとき、実像２７−１と結像面
２９との距離Ｌ1と、虚像２７−２´と結像面２９との
距離Ｌ2とが等しくなるように、基準パターン２７−１
と２７−２の距離ｍを定めると、実像２７−１と虚像２
７−２´とが同一の焦点面２８に位置し、コントラスト
よく両者を検出することができる。ここで、マスク２６
に対する露光光の照射角度をθ、マスク２６とワーク２
５の間隙をｇ、結像面２９上の実像２７−１と虚像２７
−２´間の距離をＬ0とすると、下式より、ｇを求める
ことができる。 ｇ＝（Ｌ0−ｍ・ｃｏｓθ）／２ｓｉｎθ …（１）
されているため、ワーク２５に対する基準パターン２７
−１，２７−２の虚像がそれぞれ２７−１´，２７−２
´として観察される。このとき、実像２７−１と結像面
２９との距離Ｌ1と、虚像２７−２´と結像面２９との
距離Ｌ2とが等しくなるように、基準パターン２７−１
と２７−２の距離ｍを定めると、実像２７−１と虚像２
７−２´とが同一の焦点面２８に位置し、コントラスト
よく両者を検出することができる。ここで、マスク２６
に対する露光光の照射角度をθ、マスク２６とワーク２
５の間隙をｇ、結像面２９上の実像２７−１と虚像２７
−２´間の距離をＬ0とすると、下式より、ｇを求める
ことができる。 ｇ＝（Ｌ0−ｍ・ｃｏｓθ）／２ｓｉｎθ …（１）
【発明が解決しようとする課題】しかし、パターン距離
ｍ、照明角度θに誤差があると、これらのパラメータか
ら算出したｇの値に誤差が含まれてしまい、高精度な間
隙測定を実現することができない。特に、露光装置やイ
オン注入装置の場合には、ワーク２５への露光光の照
射、或いはイオン注入によりマスク２６が高温化し、パ
ターン距離ｍが変動するため、間隙測定の誤差要因とな
る。さらに、マスク２６とワーク２５の間隙測定のため
に２つの基準パターン２７−１，２７−２を設けると、
アライメントマーク３２の面積が大きくなり、半導体集
積回路の微細化の都合上、好ましくない。
ｍ、照明角度θに誤差があると、これらのパラメータか
ら算出したｇの値に誤差が含まれてしまい、高精度な間
隙測定を実現することができない。特に、露光装置やイ
オン注入装置の場合には、ワーク２５への露光光の照
射、或いはイオン注入によりマスク２６が高温化し、パ
ターン距離ｍが変動するため、間隙測定の誤差要因とな
る。さらに、マスク２６とワーク２５の間隙測定のため
に２つの基準パターン２７−１，２７−２を設けると、
アライメントマーク３２の面積が大きくなり、半導体集
積回路の微細化の都合上、好ましくない。
【０００５】そこで、本発明は上記の問題点を解決する
べく、マスクとワーク間の間隙を高精度に測定するとと
もに、ワークの微細加工に適した微小間隙設定技術を提
案することを課題とする。
べく、マスクとワーク間の間隙を高精度に測定するとと
もに、ワークの微細加工に適した微小間隙設定技術を提
案することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明ではマスク上に形成された基準パターンの実
像と、鏡面化されたワーク表面に写る当該基準パターン
の虚像とが、マスクに対して斜め方向に観察したときの
光軸上でのずれが焦点深度内に収まる開口数を有する検
出光学系を用いて、結像面上における前記実像と虚像と
の間隔を測定し、当該間隔からマスクとワークの間隙を
換算して求めることにより、マスクとワークの間隙を調
整する。これにより、マスクとワークの間隙を高精度に
測定することができるとともに、アライメントマークの
面積を小さくすることができる。
め、本発明ではマスク上に形成された基準パターンの実
像と、鏡面化されたワーク表面に写る当該基準パターン
の虚像とが、マスクに対して斜め方向に観察したときの
光軸上でのずれが焦点深度内に収まる開口数を有する検
出光学系を用いて、結像面上における前記実像と虚像と
の間隔を測定し、当該間隔からマスクとワークの間隙を
換算して求めることにより、マスクとワークの間隙を調
整する。これにより、マスクとワークの間隙を高精度に
測定することができるとともに、アライメントマークの
面積を小さくすることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、各図を参照して本実施形態
について説明する。
について説明する。
【０００８】図１は本実施形態のプロキシミティ露光装
置１０の構成図である。プロキシミティ露光装置１０
は、主に、ＸＹＺθテーブル１１、ワークチャック１
２、ワーク１３、マスク１４、マスクホルダ１５、マー
ク検出器１６、及び制御部１７を備えて構成されてい
る。同図において、マーク検出器１６は２つだけ示され
ているが、実際には３つ配置されている。ＸＹＺθテー
ブル１１はＸＹ方向のステップ送り、Ｚ方向の粗動、Ｘ
Ｙθ方向の微動、及びＺ方向の微動（チルト機構）のた
めの機構を備えている。尚、これらの全部或いは一部は
マスクホルダ側に設けるようにしてもよい。ワーク１３
は真空吸引によりワークチャック１２に吸着され、ＸＹ
Ｚθテーブル１１により、露光パターンが描画されたマ
スク１４との位置合わせがなされて、所定の間隙間隔に
保持される。マスク１４には図示しない照明光学系から
の照明光が照射されている。マーク検出器１６はマスク
１４上に形成されている基準パターンの実像とその虚像
を検出する。制御部１７はマーク検出器１６が検出した
実像と虚像との間隔からマスク１４とワーク１３の間隙
を求め、当該間隙が一定になるように、ＸＹＺθテーブ
ル１１のＺ方向のチルト機構を制御し、ワーク１３とマ
スク１４の相対的位置関係を微調整する。
置１０の構成図である。プロキシミティ露光装置１０
は、主に、ＸＹＺθテーブル１１、ワークチャック１
２、ワーク１３、マスク１４、マスクホルダ１５、マー
ク検出器１６、及び制御部１７を備えて構成されてい
る。同図において、マーク検出器１６は２つだけ示され
ているが、実際には３つ配置されている。ＸＹＺθテー
ブル１１はＸＹ方向のステップ送り、Ｚ方向の粗動、Ｘ
Ｙθ方向の微動、及びＺ方向の微動（チルト機構）のた
めの機構を備えている。尚、これらの全部或いは一部は
マスクホルダ側に設けるようにしてもよい。ワーク１３
は真空吸引によりワークチャック１２に吸着され、ＸＹ
Ｚθテーブル１１により、露光パターンが描画されたマ
スク１４との位置合わせがなされて、所定の間隙間隔に
保持される。マスク１４には図示しない照明光学系から
の照明光が照射されている。マーク検出器１６はマスク
１４上に形成されている基準パターンの実像とその虚像
を検出する。制御部１７はマーク検出器１６が検出した
実像と虚像との間隔からマスク１４とワーク１３の間隙
を求め、当該間隙が一定になるように、ＸＹＺθテーブ
ル１１のＺ方向のチルト機構を制御し、ワーク１３とマ
スク１４の相対的位置関係を微調整する。
【０００９】図２及び図４は本発明のワークとマスクと
の間隙検出の原理図である。マスク１４には図５に示す
ような、間隙測定用の基準パターン１８が形成されたア
ライメントマーク３１が形成されている。これに隣接し
てＸＹθ位置合わせ用のアライメントマークも設けてあ
るが、説明の便宜上省略する。図２において、光源１
９、レンズ２０から成る照明光学系３０から射出された
照明光は基準パターン１８によって遮光され、鏡面化さ
れたワーク１３の表面に対して実像１８と対称となる位
置に、虚像１８´が観察される。マーク検出器１６は上
述の照明光学系３０、検出光学系２１、及びリニアセン
サ２２から構成され、実像１８及び虚像１８´を検出す
る。リニアセンサ２２はＣＣＤを線状に配置したもので
あり、出力信号は制御部１７に供給される。
の間隙検出の原理図である。マスク１４には図５に示す
ような、間隙測定用の基準パターン１８が形成されたア
ライメントマーク３１が形成されている。これに隣接し
てＸＹθ位置合わせ用のアライメントマークも設けてあ
るが、説明の便宜上省略する。図２において、光源１
９、レンズ２０から成る照明光学系３０から射出された
照明光は基準パターン１８によって遮光され、鏡面化さ
れたワーク１３の表面に対して実像１８と対称となる位
置に、虚像１８´が観察される。マーク検出器１６は上
述の照明光学系３０、検出光学系２１、及びリニアセン
サ２２から構成され、実像１８及び虚像１８´を検出す
る。リニアセンサ２２はＣＣＤを線状に配置したもので
あり、出力信号は制御部１７に供給される。
【００１０】図４に示すように、マスク１４に対する照
明光の照射角度をθ、マスク１４とワーク１３との間隙
をｇ、結像面２４上における実像１８と虚像１８´との
距離をＬとすると、下式よりｇを求めることができる。 ｇ＝Ｌ／２ｓｉｎθ …（２） 制御部１７はリニアセンサ２２からの出力信号によりＬ
の値を取得し、内蔵された演算処理部で（２）式よりｇ
を算出する。（２）式には（１）式に示すような、パタ
ーン距離ｍが含まれていないため、マスク製作誤差や、
イオン注入等に起因するマスク１４の加熱によるパター
ン距離ｍの変動により、マスク１４とワーク１３間の間
隙測定に誤差が生じることがない。但し、実像１８と虚
像１８´は同一焦点面に存在しないため、光軸方向にｄ
の焦点ずれが生じるが、検出光学系２１の焦点深度Ｚ
を、Ｚ≧ｄとすることにより、この焦点ずれを解消する
ことができる。一般に、レンズの焦点深度をＺ、開口数
をＮＡ、照明光の波長をλとすれば、下式が成立する。 Ｚ≦λ（（１／ＮＡ）2−１） …（３） ここで、照明光の波長を０．５〜０．６μｍ、ＮＡ＝
０．１〜０．１３とすると、（３）式より、Ｚ≦２９．
１〜５９．４μｍとなる。照明光の照射角度θを３０
°、基準パターンの実像１８と虚像１８´との間隔Ｌを
１３〜１７μｍとすれば、ｄ＝Ｌ／ｔａｎθより、ｄ＝
２２．５〜２９．４μｍとなる。検出光学系２１を構成
する対物レンズの開口数を適切な値に設定することによ
り、Ｚ≧ｄの条件を満たすことができ、実像１８と虚像
１８´の焦点ずれを許容することができる。また、上記
の条件下において、マーク検出器１６は１３〜１７μｍ
範囲の間隔を検出することができる。マーク検出器１６
は計３ヶ所配置されており、これらから得られる３ヶ所
の間隙ｇの値に基づき、制御部１７はＺ軸方向微動機構
（チルト機構）によりマスク１４とワーク１３との間隙
を所定の値に調整する。
明光の照射角度をθ、マスク１４とワーク１３との間隙
をｇ、結像面２４上における実像１８と虚像１８´との
距離をＬとすると、下式よりｇを求めることができる。 ｇ＝Ｌ／２ｓｉｎθ …（２） 制御部１７はリニアセンサ２２からの出力信号によりＬ
の値を取得し、内蔵された演算処理部で（２）式よりｇ
を算出する。（２）式には（１）式に示すような、パタ
ーン距離ｍが含まれていないため、マスク製作誤差や、
イオン注入等に起因するマスク１４の加熱によるパター
ン距離ｍの変動により、マスク１４とワーク１３間の間
隙測定に誤差が生じることがない。但し、実像１８と虚
像１８´は同一焦点面に存在しないため、光軸方向にｄ
の焦点ずれが生じるが、検出光学系２１の焦点深度Ｚ
を、Ｚ≧ｄとすることにより、この焦点ずれを解消する
ことができる。一般に、レンズの焦点深度をＺ、開口数
をＮＡ、照明光の波長をλとすれば、下式が成立する。 Ｚ≦λ（（１／ＮＡ）2−１） …（３） ここで、照明光の波長を０．５〜０．６μｍ、ＮＡ＝
０．１〜０．１３とすると、（３）式より、Ｚ≦２９．
１〜５９．４μｍとなる。照明光の照射角度θを３０
°、基準パターンの実像１８と虚像１８´との間隔Ｌを
１３〜１７μｍとすれば、ｄ＝Ｌ／ｔａｎθより、ｄ＝
２２．５〜２９．４μｍとなる。検出光学系２１を構成
する対物レンズの開口数を適切な値に設定することによ
り、Ｚ≧ｄの条件を満たすことができ、実像１８と虚像
１８´の焦点ずれを許容することができる。また、上記
の条件下において、マーク検出器１６は１３〜１７μｍ
範囲の間隔を検出することができる。マーク検出器１６
は計３ヶ所配置されており、これらから得られる３ヶ所
の間隙ｇの値に基づき、制御部１７はＺ軸方向微動機構
（チルト機構）によりマスク１４とワーク１３との間隙
を所定の値に調整する。
【００１１】図３はワークに対するマスクのアライメン
ト調整の説明図である。この例は、マスク１４上に形成
された１個あたり３０ｍｍ角の露光パターン２３に対応
するパターンを１枚のワーク（半導体ウェハ）１３上に
マトリクス状に複数形成するものであり、後工程を経て
各々３０ｍｍ角の半導体チップが複数製造されることに
なる。マスク１４にはワークに描画すべき露光パターン
２３の他に、ワークとの位置合わせ用のアライメントマ
ーク３１が露光パターン２３の周囲に３つ形成されてお
り、アライメント調整と間隙調整をすることがきる。ア
ライメントマーク３１には基準パターン１８が一つだけ
形成されているため、その面積を７０μｍ×４０μｍと
小さくすることができ（図５）、ワーク１３上に形成さ
れる各々のパターン同士の間隙に納めることが可能であ
る。
ト調整の説明図である。この例は、マスク１４上に形成
された１個あたり３０ｍｍ角の露光パターン２３に対応
するパターンを１枚のワーク（半導体ウェハ）１３上に
マトリクス状に複数形成するものであり、後工程を経て
各々３０ｍｍ角の半導体チップが複数製造されることに
なる。マスク１４にはワークに描画すべき露光パターン
２３の他に、ワークとの位置合わせ用のアライメントマ
ーク３１が露光パターン２３の周囲に３つ形成されてお
り、アライメント調整と間隙調整をすることがきる。ア
ライメントマーク３１には基準パターン１８が一つだけ
形成されているため、その面積を７０μｍ×４０μｍと
小さくすることができ（図５）、ワーク１３上に形成さ
れる各々のパターン同士の間隙に納めることが可能であ
る。
【００１２】このように、本実施形態によれば、マスク
１４上に形成された基準パターンの実像１８と、当該基
準パターンの虚像１８´の焦点ずれを補償する開口数を
有する検出光学系２１を設け、結像面２４上における当
該実像１８と虚像１８´との間隔を求めることにより、
（２）式を用いて、ワーク１３とマスク１４の間隙を高
精度に求めることができる。特に、アライメントマーク
３１には一つの基準パターン１８のみが形成されている
ため、従来のようにパターン距離ｍの誤差に起因するマ
スク１４とワーク１３の間隙測定の誤差を解消すること
ができる。また、従来と比較して、アライメントマーク
３１の面積を小さくすることができ、高集積化した半導
体集積回路の製造等に適している。
１４上に形成された基準パターンの実像１８と、当該基
準パターンの虚像１８´の焦点ずれを補償する開口数を
有する検出光学系２１を設け、結像面２４上における当
該実像１８と虚像１８´との間隔を求めることにより、
（２）式を用いて、ワーク１３とマスク１４の間隙を高
精度に求めることができる。特に、アライメントマーク
３１には一つの基準パターン１８のみが形成されている
ため、従来のようにパターン距離ｍの誤差に起因するマ
スク１４とワーク１３の間隙測定の誤差を解消すること
ができる。また、従来と比較して、アライメントマーク
３１の面積を小さくすることができ、高集積化した半導
体集積回路の製造等に適している。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、マスクとワークの間隙
を高精度に測定することができるとともに、アライメン
トマークの面積を小さくすることができる。
を高精度に測定することができるとともに、アライメン
トマークの面積を小さくすることができる。
【図１】本実施形態のプロキシミティ露光装置の構成図
である。
である。
【図２】本実施形態のマスクとワークとの間隙を測定す
る原理の説明図である。
る原理の説明図である。
【図３】本実施形態のマスクとワークのアライメント調
整の説明図である。
整の説明図である。
【図４】本実施形態のマスクとワークとの間隙を測定す
る原理の説明図である。
る原理の説明図である。
【図５】本実施形態のアライメントマークの説明図であ
る。
る。
【図６】従来のマスクとワークとの間隙を測定する原理
の説明図である。
の説明図である。
【図７】従来のアライメントマークの説明図である。
１０…プロキシミティ露光装置、１１…ＸＹＺθテーブ
ル、１２…ワークチャック、１３…ワーク、１４…マス
ク、１５…マスクホルダ、１６…マーク検出器、１７…
制御部、１８…基準パターン、１９…光源、２０…レン
ズ、２１…検出光学系、２２…リニアセンサ、２３…露
光パターン、２４…結像面
ル、１２…ワークチャック、１３…ワーク、１４…マス
ク、１５…マスクホルダ、１６…マーク検出器、１７…
制御部、１８…基準パターン、１９…光源、２０…レン
ズ、２１…検出光学系、２２…リニアセンサ、２３…露
光パターン、２４…結像面
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2F065 AA22 AA24 BB27 CC20 DD03
FF01 HH12 JJ08 JJ25 LL04
LL30 PP12 QQ31 UU02 UU09
5F046 BA02 CC11 GA02 GA11 GA12
GA14
Claims (3)
- 【請求項１】 マスク上に形成された基準パターンの実
像と、鏡面化されたワーク表面に写る当該基準パターン
の虚像とが、マスクに対して斜め方向に観察したときの
光軸上でのずれが焦点深度内に収まる開口数を有する検
出光学系を用いて、結像面上における前記実像と虚像と
の間隔を測定し、当該間隔からマスクとワークの間隙を
換算して求めることにより、マスクとワークの間隙を調
整する、微小間隙設定方法。 - 【請求項２】 マスク上に形成された基準パターンの実
像と、鏡面化されたワーク表面に写る当該基準パターン
の虚像とが、マスクに対して斜め方向に観察したときの
光軸上でのずれが焦点深度内に収まる開口数を有する検
出光学系と、結像面上における前記実像と虚像との間隔
を測定し、当該間隔からマスクとワークの間隙を換算し
て求めることにより、マスクとワークの間隙を調整する
制御手段とを備えた、微小間隙設定装置。 - 【請求項３】 マスク上に形成された基準パターンの実
像と、鏡面化されたワーク表面に写る当該基準パターン
の虚像とが、マスクに対して斜め方向に観察したときの
光軸上でのずれをｄ、マスクへ照射される照明光の波長
をλ、開口数をＮＡ、焦点深度をＺとしたとき、ｄ≦Ｚ
≦λ（（１／ＮＡ）2−１）の条件を満たす、検出光学
系。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001289994A JP2003100593A (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | 微小間隙設定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001289994A JP2003100593A (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | 微小間隙設定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003100593A true JP2003100593A (ja) | 2003-04-04 |
Family
ID=19112397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001289994A Pending JP2003100593A (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | 微小間隙設定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003100593A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105066894A (zh) * | 2015-08-11 | 2015-11-18 | 苏州博众精工科技有限公司 | 一种间隙检测机构 |
| JP2017156354A (ja) * | 2017-05-19 | 2017-09-07 | エンジニアリングシステム株式会社 | 液体吐出ノズルの間隔検出方法および液体吐出装置 |
-
2001
- 2001-09-21 JP JP2001289994A patent/JP2003100593A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105066894A (zh) * | 2015-08-11 | 2015-11-18 | 苏州博众精工科技有限公司 | 一种间隙检测机构 |
| JP2017156354A (ja) * | 2017-05-19 | 2017-09-07 | エンジニアリングシステム株式会社 | 液体吐出ノズルの間隔検出方法および液体吐出装置 |
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