JP2003092303A - Icカード用モジュール、icカード及びその製造方法 - Google Patents

Icカード用モジュール、icカード及びその製造方法

Info

Publication number
JP2003092303A
JP2003092303A JP2001285484A JP2001285484A JP2003092303A JP 2003092303 A JP2003092303 A JP 2003092303A JP 2001285484 A JP2001285484 A JP 2001285484A JP 2001285484 A JP2001285484 A JP 2001285484A JP 2003092303 A JP2003092303 A JP 2003092303A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
card
reinforcing plate
manufacturing
module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001285484A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Sato
英晃 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
NEC Tokin Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Tokin Corp filed Critical NEC Tokin Corp
Priority to JP2001285484A priority Critical patent/JP2003092303A/ja
Publication of JP2003092303A publication Critical patent/JP2003092303A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ICチップの強度を補強した構造を持つIC
カード用モジュールを得る。 【解決手段】 ICカードを構成する部分であるICカ
ード用モジュールであって、ICチップ5の裏面に補強
板3を貼り付けたICカード用モジュールとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ICカード、その
構成の一部であるICカード用モジュール及びその製造
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のICカードモジュールは、プリン
ト基板にICチップをマウントしボンディング線にてプ
リント基板上へ接続するCOB法(Chip On Boad法)
を用いたものであった。この際、ICカード用ICチッ
プは、裏面研削及びエッチングによって薄型化された
後、ダイシングを行い、個片化するのが一般的であっ
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ICカードは、薄型化
傾向にあるが、使用環境が拡大するに従い、使用環境に
よるICチップ部への圧力、例えば、財布に入れズボン
の後ろポケット等に入れた際に生じる曲げなど、一般電
子部品に比べ、過酷な使用環境にある。従来の方法でチ
ップを薄型化すると、曲げの外力によってICチップが
破壊してしまうことが強く懸念される。
【0004】従って、本発明は、ICチップに加えれら
れる圧力に対する破壊等の問題を解決したICカード用
モジュール、ICカード及びその製造方法を提供するこ
とである。
【0005】
【課題を解決するための手段】ICカードを薄型化する
には、まずICチップを薄くしなければならない。しか
し、ICチップを薄くしていくと、圧力に対して弱くな
ることがわかっている。ICチップに補強板を付けるこ
とで、圧力に対する強度が向上することが実験で得られ
た。これにより、チップ自体を薄くし、補強板の厚みを
その分厚くすれば、同じ厚さで、より高強度のモジュー
ルが得られる。また、補強板を貼り付けた後、切断する
作業をウエハ毎行うことで、簡単に個片を得ることがで
きる。
【0006】本発明によれば、補強板をウエハごと加工
するため簡単に個片化でき、ICチップの強度を補強し
た構造を持つICモジュールを提供することができる。
また、補強されたICチップを用いたICカードを提供
することができる。
【0007】 即ち、本発明は、ICカードを構成
する部分であるICカード用モジュールであって、IC
チップの裏面に金属の補強板を貼り付けたICカード用
モジュールである。
【0008】また、本発明は、前記補強板を金属とする
ICカード用モジュールである。
【0009】 また、本発明は、前記補強板を樹脂と
するICカード用モジュールである。
【0010】また、本発明は、ICカード用モジュール
を用いたICカードである。
【0011】 また、本発明は、ICチップを形成した
ウエハを薄型加工後、補強板を貼り付け、その後そのま
まダイシングを行い、個片化するICカード用モジュー
ルの製造方法である。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態によるICカ
ード用モジュール、ICカード及びその製造方法につい
て、以下説明する。
【0013】図1は、本発明の実施の形態によるICカ
ード用モジュールの断面図である。図1のICチップ用
モジュールは、プリント基板1の上に、補強板3にて補
強されたICチップが、ダイボンド材2にて貼りあわさ
れ、全体を封止樹脂4にて封止した構成である。
【0014】ここで、補強板3は、その材質を、金属あ
るいは樹脂とする。補強板が金属の場合は、ステンレス
材などが使用される。また補強板が樹脂の場合は、ガラ
スエポキシ樹脂などが使用される。
【0015】図2は、本発明の実施の形態による補強板
付きICチップを形成したウエハの加工方法の説明図で
ある。ICチップウエハ9は、研削及びエッチングによ
って薄型加工された裏面に補強板11を貼り付けた後、
保護テープ10を貼ったリング8に裏面を下にして貼り
付け、そのままダイシングを行い個片化する。個片化さ
れた補強板の付いたICチップは、ダイボンド材にてプ
リント基板にマウントされる。マウント後、端子を金線
で繋ぎ、封止樹脂で樹脂成型する。
【0016】本発明では、ICチップ裏面に、補強板が
あるため、ICチップに加えられる圧力に対して強度の
向上が得られた。このことで、今までよりチップ自体を
薄く加工し、その分補強板の厚みを厚くすることで、同
じ薄さで、より高強度が得られるようになった。また、
補強板のついた状態で取り扱いができるため、チップ自
体の加工やダイシング等の取り扱いが容易になり、チッ
プをさらに薄く加工することができるようになった。こ
の発明は、ICカードの用途に限定されず、一般的なモ
ジュール構造にも応用できる効果がある。
【0017】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、ICチップの強度を補強した構造を持つICカード
用モジュール、ICカード及びその製造方法を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態によるICカード用モジュ
ールの断面図。
【図2】本発明の実施の形態による補強板付きICチッ
プを形成したウエハ加工方法の説明図。
【符号の説明】
1 プリント基板 2 ダイボンド材 3、11 補強板 4 封止樹脂 5 ICチップ 6 金線 7 ICカード用モジュール 8 リング 9 ICチップウエハ 10 保護テープ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ICカードを構成する部分であるICカ
    ード用モジュールにおいて、ICチップの裏面に補強板
    を貼り付けたことを特徴とするICカード用モジュー
    ル。
  2. 【請求項2】 前記補強板が金属であることを特徴とす
    る請求項1記載のICカード用モジュール。
  3. 【請求項3】 前記補強板が樹脂であることを特徴とす
    る請求項1記載のICカード用モジュール。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載のI
    Cカード用モジュールを用いたことを特徴とするICカ
    ード。
  5. 【請求項5】 ICカード用モジュールの製造方法にお
    いて、ICチップを形成したウエハを薄型加工後、補強
    板を貼り付け、その後、ダイシングを行い、個片化する
    ことを特徴とするICカード用モジュールの製造方法。
JP2001285484A 2001-09-19 2001-09-19 Icカード用モジュール、icカード及びその製造方法 Pending JP2003092303A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001285484A JP2003092303A (ja) 2001-09-19 2001-09-19 Icカード用モジュール、icカード及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001285484A JP2003092303A (ja) 2001-09-19 2001-09-19 Icカード用モジュール、icカード及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003092303A true JP2003092303A (ja) 2003-03-28

Family

ID=19108627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001285484A Pending JP2003092303A (ja) 2001-09-19 2001-09-19 Icカード用モジュール、icカード及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003092303A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005081310A1 (ja) * 2004-02-23 2005-09-01 Takeshi Hori Icモジュール、icモジュールを含む基板、icモジュールを含む基板の製造方法
KR20190016459A (ko) 2017-08-08 2019-02-18 가부시기가이샤 디스코 금속이 노출된 기판의 가공 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005081310A1 (ja) * 2004-02-23 2005-09-01 Takeshi Hori Icモジュール、icモジュールを含む基板、icモジュールを含む基板の製造方法
KR20190016459A (ko) 2017-08-08 2019-02-18 가부시기가이샤 디스코 금속이 노출된 기판의 가공 방법
US10535563B2 (en) 2017-08-08 2020-01-14 Disco Corporation Processing method for substrate having metal exposed

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20020048906A1 (en) Semiconductor device, method of manufacturing the device and mehtod of mounting the device
JP3553457B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2001127088A (ja) 半導体装置
JP2002076040A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2003133499A (ja) リードフレーム及びその製造方法並びに該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法
US7342296B2 (en) Wafer street buffer layer
WO2007069456A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004327903A (ja) 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
JP2003092303A (ja) Icカード用モジュール、icカード及びその製造方法
JP2001060591A (ja) 半導体装置の製造方法
US20020180011A1 (en) Lead frame, semiconductor device using the same and method of producing the semiconductor device
JPH0729927A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JP2007027924A (ja) 圧電デバイスおよびリードフレーム
JP2002208571A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
KR20030017677A (ko) 휘어진 다이를 사용하는 반도체 패키지
JP3303825B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2007081232A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001313362A (ja) 半導体装置
JPH11260972A (ja) 薄型半導体装置
JP4043720B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JPH02127092A (ja) Icカードモジユール
JP2003188332A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2003099744A (ja) Icモジュール及びicカード
JP2002134641A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置の実装方法
JP2000242745A (ja) 非接触データキャリア及び非接触データキャリアの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040217