JP2003091811A - 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録再生特性、熱揺らぎ特性に優れた磁気記
録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供
する。 【解決手段】 非磁性基板１上に、直上の膜の配向性を
制御する配向制御膜３と、磁化容易軸が基板に対し主に
垂直に配向した垂直磁性膜５と、保護膜６が設けられ、
配向制御膜３がＮｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＳ
ｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種また
は２種以上を含む非磁性材料からなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体、そ
の製造方法、およびこの磁気記録媒体を用いた磁気記録
再生装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在市販されている磁気記録媒体は、磁
性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し水平に配向した面
内磁気記録媒体がほとんどである。このような面内磁気
記録媒体では、高記録密度化するとビット体積が小さく
なりすぎ、熱揺らぎ効果により記録再生特性が悪化する
可能性がある。また、高記録密度化した際に、記録ビッ
ト境界での反磁界の影響により媒体ノイズが増加する。
これに対し、磁性膜内の磁化容易軸が主に垂直に配向し
た、いわゆる垂直磁気記録媒体は、高記録密度化した際
にもビット境界での反磁界の影響が小さく、境界が鮮明
な記録磁区が形成されるため低ノイズ化が可能であり、
しかも比較的ビット体積が大きくても高記録密度化が可
能であることから熱揺らぎ効果にも強く、近年大きな注
目を集めており、垂直磁気記録に適した媒体の構造が提
案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年では、磁気記録媒
体の更なる高記録密度化が要望されており、垂直磁性膜
に対する書き込み能力に優れる単磁極ヘッドを用いるた
めに、記録層である垂直磁性膜と基板との間に、裏打ち
層と称される軟磁性材料からなる層を設け、単磁極ヘッ
ドと、磁気記録媒体の間の磁束の出入りの効率を向上さ
せた磁気記録媒体が提案されている。しかしながら、上
記裏打ち層を設けた磁気記録媒体を用いた場合でも、記
録再生時の記録再生特性や、熱揺らぎ耐性、記録分解能
において満足できるものではなく、これらの特性に優れ
る磁気記録媒体が要望されていた。特許第２６６９５２
９号公報には、Ｔｉ下地膜に他の元素を含有させること
により、下地膜とＣｏ合金磁性膜との間の格子の整合性
を高め、Ｃｏ合金磁性膜のｃ軸配向性を向上させること
が提案されている。しかしながら、Ｔｉ合金下地膜を用
いると、Ｃｏ合金磁性膜中の磁気クラスター径が大きく
なり、その結果、媒体ノイズが大きくなり、更なる高記
録密度化は困難である。特開平８−１８０３６０号公報
には、ＣｏとＲｕからなる下地膜を用いることにより、
Ｃｏ合金磁性膜のｃ軸配向性を向上させることが提案さ
れている。しかしながら、ＣｏとＲｕからなる下地膜は
結晶粒径が大きくなり、その結果Ｃｏ合金磁性膜中の磁
性粒子径が大きくなり、媒体ノイズが大きくなり、更な
る高密度化は困難である。特開昭６３−２１１１１７号
公報には、炭素含有下地膜を用いることが提案されてい
る。しかしながら、炭素含有下地膜を用いると、この膜
がアモルファス構造であるために、垂直磁性膜のｃ軸配
向性が悪化するため、熱揺らぎ耐性が悪化し、更なる高
記録密度化は困難である。本発明は、上記事情に鑑みて
なされたもので、記録再生特性、熱揺らぎ耐性を向上さ
せ、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、そ
の製造方法、および磁気記録再生装置を提供することを
目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の磁気記
録媒体は、配向制御膜が、Ｎｉを３３〜８０ａｔ％含
み、かつＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのう
ち１種または２種以上を含む非磁性材料からなることを
特徴とする。配向制御膜は、ｈｃｐ構造を有することが
好ましい。配向制御膜は、ＮｉＴａ合金、ＮｉＮｂ合
金、ＮｉＴｉ合金、ＮｉＺｒ合金からなる群から選ばれ
た少なくとも１種からなるものとすることができる。垂
直磁性膜の垂直磁気異方性定数Ｋｕは、１×１０⁶ｅｒ
ｇ／ｃｃ以上とするのが好ましい。本発明の磁気記録媒
体は、垂直磁性膜が、ＣｏＣｒＰｔを主成分とする組成
を有し、かつＣｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％
以下、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２４ａｔ％以下で
あり、保磁力（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区
核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏ
ｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比
Ｍｒ／Ｍｓが０．９以上であることが好ましい。配向制
御膜の結晶粒径は、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であること
が好ましい。配向制御膜の厚さは、０．５ｎｍ以上２０
ｎｍ以下であることが好ましい。垂直磁性膜は、０．１
ａｔ％以上５ａｔ％以下のＢを含有し、Δθ５０が２〜
１０°の範囲であることが好ましい。非磁性基板と軟磁
性下地膜との間には、硬磁性材料からなる硬磁性膜を設
けることができる。

【０００５】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁
性基板上に、少なくとも、軟磁性材料からなる軟磁性下
地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁
化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜
と、保護膜とを設け、前記配向制御膜を、Ｎｉを３３〜
８０ａｔ％含み、かつＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎ
ｂ、Ｔａのうち１種または２種以上を含む非磁性材料か
らなるものとすることを特徴とする。

【０００６】本発明の磁気記録再生装置は、磁気ヘッド
が単磁極ヘッドであり、磁気記録媒体が、非磁性基板上
に、少なくとも、軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、
直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸
が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜
とが設けられ、配向制御膜がＮｉを３３〜８０ａｔ％含
み、かつＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのう
ち１種または２種以上を含む非磁性材料からなることを
特徴とする。

【０００７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
第１の実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体
は、非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜
３と、中間膜４と、垂直磁性膜５と、保護膜６と、潤滑
膜７とが順次形成されて構成されている。非磁性基板１
としては、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材
料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミ
ック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの
非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。ガラス
基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあ
る。アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガ
ラス、アルミノケートガラス、アルミノシリケートガラ
スを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウ
ム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基
板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウ
ム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊
維強化物などが使用可能である。非磁性基板１として
は、上記金属基板や非金属基板の表面にメッキ法やスパ
ッタ法によりＮｉＰ膜が形成されたものを用いることも
できる。

【０００８】軟磁性下地膜２は、磁気ヘッドからの磁束
を基板垂直方向成分を大きくするためと、情報が記録さ
れる垂直磁性膜５の磁化を、より強固に基板１に垂直な
方向に固定するために設けられているものである。この
作用は特に、記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記録用
の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著となる。

【０００９】軟磁性下地膜２は、軟磁性材料からなるも
ので、この材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料
を用いることができる。この材料としては、ＦｅＣｏ系
合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合金
（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳ
ｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、
ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯ
など）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、Ｆ
ｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴ
ａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（ＦｅＭｇＯ
など）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、ＦｅＣ系
合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、
ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金などを
挙げることができる。またＦｅを６０ａｔ％以上含有す
るＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等
の微結晶構造を有する材料を用いてもよいし、微細な結
晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を
有する材料を用いてもよい。軟磁性下地膜２の材料とし
ては、上記のほか、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、かつ
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏのうち少なくとも１種を
含有し、アモルファス構造を有するＣｏ合金を用いるこ
とができる。この材料としては、ＣｏＺｒ系合金、Ｃｏ
ＺｒＮｂ系合金、ＣｏＺｒＴａ系合金、ＣｏＺｒＣｒ系
合金、ＣｏＺｒＭｏ系合金などを好適なものとして挙げ
ることができる。

【００１０】軟磁性下地膜２の保磁力Ｈｃは２００（Ｏ
ｅ）以下（好ましくは５０（Ｏｅ）以下）とするのが好
ましい。この保磁力Ｈｃが上記範囲を超えると、軟磁気
特性が不十分となり、再生波形がいわゆる矩形波でな
く、歪みをもった波形になるため好ましくない。軟磁性
下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓは、０．６Ｔ以上（好まし
くは１Ｔ以上）とするのが好ましい。このＢｓが上記範
囲未満であると、再生波形がいわゆる矩形波でなく、歪
みをもった波形になるため好ましくない。また、軟磁性
下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓと軟磁性下地膜２の膜厚ｔ
との積Ｂｓ・ｔは、４０Ｔ・ｎｍ以上（好ましくは６０
Ｔ・ｎｍ以上）であること好ましい。このＢｓ・ｔが上
記範囲未満であると、再生波形が歪みをもつようになっ
たり、ＯＷ特性（オーバーライト特性）が悪化するため
好ましくない。

【００１１】軟磁性下地膜２の表面（配向制御膜３側の
面）は、軟磁性下地膜２を構成する材料が部分的または
完全に酸化されていることが好ましい。これにより、軟
磁性下地膜２の表面の磁気的な揺らぎを抑えることがで
きるので、この磁気的な揺らぎに起因するノイズを低減
して、磁気記録媒体の記録再生特性を改善することがで
きる。また、軟磁性下地膜２上に形成される配向制御膜
３の結晶粒を微細化して、記録再生特性を改善すること
ができる。

【００１２】この軟磁性下地膜２の表面の酸化部分（酸
化層）は、例えば軟磁性下地膜２を形成した後、軟磁性
下地膜２の表面を、酸素を含む雰囲気に曝す方法や、軟
磁性下地膜２の表面に近い部分を成膜する際のプロセス
中に酸素を導入する方法により形成することができる。
具体的には、軟磁性下地膜２の表面を酸素含有雰囲気に
曝す場合には、酸素単体、または酸素をアルゴンや窒素
などで希釈したガス雰囲気中に０．３〜２０秒程度保持
しておけばよい。また、軟磁性下地膜２を大気に曝す方
法をとることもできる。特に酸素をアルゴンや窒素など
で希釈したガスを用いる場合には、軟磁性下地膜２表面
の酸化の度合いの調節が容易になるので、安定した製造
を行うことができる。また、軟磁性下地膜２の成膜用の
ガスに酸素を導入する場合には、例えば成膜法としてス
パッタ法を用いるならば、成膜時間の一部のみに、酸素
を導入したプロセスガスを用いてスパッタを行えばよ
い。このプロセスガスとしては、例えばアルゴンに酸素
を体積率で０．０５％〜５０％（好ましくは０．１〜２
０％）程度混合したガスが好適に用いられる。

【００１３】配向制御膜３は、直上に設けられた中間膜
４および垂直磁性膜５の配向性や粒径を制御するもの
で、Ｎｉを３３〜８０ａｔ％（好ましくは５０〜８０ａ
ｔ％）含み、かつＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、
Ｔａのうち１種または２種以上を含む非磁性材料からな
るものである。Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔ
ａのうち１種または２種以上の含有率は、２０ａｔ％以
上とするのが好ましい。Ｎｉの含有率が３３ａｔ％未満
となると、エラーレート改善効果がなくなるため好まし
くない。Ｎｉの含有率が８０ａｔ％を超えると、配向制
御膜３が磁性を持つようになり、媒体ノイズが増加する
ため好ましくない。

【００１４】配向制御膜３は、ＮｉＴａ合金、ＮｉＮｂ
合金、ＮｉＴｉ合金、ＮｉＺｒ合金からなる群から選ば
れた少なくとも１種からなるものであることが好まし
い。ＮｉＴａ合金としては、ＮｉとＴａからなる合金
（ＮｉＴａ）を用いてもよいし、この合金を主成分と
し、他の元素を含むものを用いることもできる。ＮｉＮ
ｂ合金としては、ＮｉとＮｂからなる合金（ＮｉＮｂ）
を用いてもよいし、この合金を主成分とし、他の元素を
含むものを用いることもできる。ＮｉＴｉ合金として
は、ＮｉとＴｉからなる合金（ＮｉＴｉ）を用いてもよ
いし、この合金を主成分とし、他の元素を含むものを用
いることもできる。ＮｉＺｒ合金としては、ＮｉとＺｒ
からなる合金（ＮｉＺｒ）を用いてもよいし、この合金
を主成分とし、他の元素を含むものを用いることもでき
る。

【００１５】配向制御膜３は、ｈｃｐ構造を有すること
が好ましい。配向制御膜３をｈｃｐ構造を有するものと
することによって、垂直磁性膜５の配向性を向上させ、
記録再生特性および熱揺らぎ耐性を改善することができ
る。配向制御膜３がｈｃｐ構造を有するものであるかど
うかは、例えば電子線回折像を調べることによって判断
することができる。図２は、６０Ｎｉ−４０Ｔａ（６０
ａｔ％Ｎｉ−４０％Ｔａを意味する）からなる配向制御
膜３の電子回折像を示すものである。この図より、ｈｃ
ｐ−Ｎｉに対応する回折像が確認され、配向制御膜３が
ｈｃｐ構造を有することがわかる。

【００１６】配向制御膜３の厚さは、０．５ｎｍ以上２
０ｎｍ以下（好ましくは１〜１０ｎｍ）とするのが好ま
しい。配向制御膜３の厚さが０．５〜２０ｎｍ（好まし
くは１〜１０ｎｍ）の範囲であるときには、垂直磁性膜
５の垂直配向性が特に高くなり、かつ記録時における磁
気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離を小さくすることが
できるので、再生信号の分解能を低下させることなく記
録再生特性を高めることができる。この厚さが上記範囲
未満であると、垂直磁性膜５における垂直配向性が低下
し、記録再生特性および熱揺らぎ耐性が劣化する。ま
た、この厚さが上記範囲を超えると、垂直磁性膜５の垂
直配向性が低下し、記録再生特性および熱揺らぎ耐性が
劣化する。また記録時における磁気ヘッドと軟磁性下地
膜２との距離が大きくなるため、再生信号の分解能や再
生出力が低下するため好ましくない。

【００１７】配向制御膜３の表面形状は、垂直磁性膜
５、保護膜６の表面形状に影響を与えるため、磁気記録
媒体の表面凹凸を小さくして、記録再生時における磁気
ヘッド浮上高さを低くするには、配向制御膜３の表面平
均粗さＲａを２ｎｍ以下とするのが好ましい。表面平均
粗さＲａを２ｎｍ以下とすることによって、磁気記録媒
体の表面凹凸を小さくし、記録再生時における磁気ヘッ
ドの浮上高さを十分に低くし、記録密度を高めることが
できる。

【００１８】配向制御膜３は、酸素と窒素のうち少なく
ともいずれかを含有させることができる。酸素や窒素を
含有させるには、配向制御膜３を形成する際に、成膜ガ
ス（プロセスガス）に酸素または窒素を含有させる方法
をとることができる。例えば、成膜法としてスパッタ法
を用いるならば、成膜用ガスとして、アルゴンに酸素を
体積率で０．０５〜５０％（好ましくは０．１〜２０
％）程度混合したガス、アルゴンに窒素を体積率で０．
０１〜２０％（好ましくは０．０２〜１０％）程度混合
したガスが好適に用いられる。酸素、窒素を含有させる
ことによって、配向制御膜３の結晶粒を微細化すること
ができる。

【００１９】配向制御膜３の結晶粒径（平均粒径）は、
小さすぎれば垂直磁性膜５の配向性が低下し、大きすぎ
れば垂直磁性膜５における結晶粒子の粗大化を招くた
め、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。こ
の平均粒径は、例えば配向制御膜３の結晶粒子をＴＥＭ
（透過型電子顕微鏡）で観察し、観察像を画像処理する
ことにより求めることができる。

【００２０】中間膜４には、ｈｃｐ構造を有する材料を
用いるのが好ましい。中間膜４には、ＣｏＣｒ合金やＣ
ｏＣｒＸ₁合金やＣｏＸ₁合金（Ｘ₁：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚ
ｒ、Ｒｕ，Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓ
ｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうち１種または２種以上）を用い
るのが好適である。中間膜４のＣｏの含有率は３０〜７
０ａｔ％であることが好ましい。中間膜４の厚さは、垂
直磁性膜５における磁性粒子の粗大化による記録再生特
性の悪化や、磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離が大
きくなることによる記録分解能の低下を起こさないよう
にするために、２０ｎｍ以下（好ましくは１０ｎｍ以
下）とするのが好ましい。中間膜４を設けることによっ
て、垂直磁性膜５の垂直配向性を高め、垂直磁性膜５の
保磁力を高め、記録再生特性および熱揺らぎ耐性をさら
に向上させることができる。

【００２１】垂直磁性膜５は、その磁化容易軸が基板に
対して主に垂直方向に向いた磁性膜であり、ＣｏＣｒＰ
ｔを主成分とする組成を有し、かつＣｒの含有率が１６
ａｔ％以上２４ａｔ％以下（好ましくは１８ａｔ％以上
２２ａｔ％以下）、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２４
ａｔ％以下（好ましくは１５ａｔ％以上２０ａｔ％以
下）であることが好ましい。Ｃｒの含有率が１６ａｔ％
未満であると、磁性粒子間の交換結合が大きくなり、そ
の結果、磁気クラスター径が大きくなり、ノイズが増大
するため好ましくない。また、Ｃｒの含有率が２４ａｔ
％を超えると、残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の
比Ｍｒ／Ｍｓ、および保磁力Ｈｃが低下するため好まし
くない。Ｐｔの含有率が１４ａｔ％未満であると、記録
再生特性の改善効果が不十分となるとともに、残留磁化
（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓが低下し熱
揺らぎ耐性が悪化するため好ましくない。また、Ｐｔの
含有率が２４ａｔ％を超えると、ノイズが増大するため
好ましくない。なお本明細書において、主成分とは、当
該成分を５０ａｔ％を超えて含むことを意味する。

【００２２】垂直磁性膜５は、上記Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔに
加え、Ｂを０．１ａｔ％以上、５ａｔ％以下含有するこ
とが好ましい。Ｂの使用により、磁気クラスターサイズ
を低減することができ、記録再生特性を改善することが
可能となる。垂直磁性膜５にＣｏＣｒＰｔ系合金を用い
る場合には、Ｂ以外にも任意の元素を添加することも可
能である。この元素としては、特に限定されるものでは
ないが、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕを
挙げることができる。

【００２３】垂直磁性膜５は、上記ＣｏＣｒＰｔ系材料
からなる１層構造とすることもできるし、上記ＣｏＣｒ
Ｐｔ系合金材料からなる層と、ＣｏＣｒＰｔ系合金材料
とは異なる材料からなる層とを含む２層以上の構造とす
ることもできる。また、Ｃｏ系合金（ＣｏＣｒ、Ｃｏ
Ｂ、Ｃｏ−ＳｉＯ₂等）層とＰｄ系合金（ＰｄＢ、Ｐｄ
−ＳｉＯ₂等）層を積層した構造や、ＴｂＦｅＣｏ等の
アモルファス材料層とＣｏＣｒＰｔ系合金材料層とを含
む複層構造とすることもできる。

【００２４】垂直磁性膜５の厚さは、３〜６０ｎｍ（好
ましくは５〜４０ｎｍ）とするのが好ましい。垂直磁性
膜５の厚さが上記範囲未満であると、十分な磁束が得ら
れず、再生出力が低下する。また、垂直磁性膜５の厚さ
が上記範囲を超えると、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗
大化が起き、記録再生特性が低下するため好ましくな
い。

【００２５】垂直磁性膜５の保磁力Ｈｃは、３０００
（Ｏｅ）以上とすることが好ましい。この保磁力が３０
００（Ｏｅ）未満の磁気記録媒体は、高記録密度化に不
適であり、また熱揺らぎ耐性にも劣るため好ましくな
い。

【００２６】垂直磁性膜５の残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁
化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓは、０．９以上であることが
好ましい。このＭｒ／Ｍｓが０．９未満の磁気記録媒体
は、熱揺らぎ耐性に劣るため好ましくない。

【００２７】垂直磁性膜５の逆磁区核形成磁界（−Ｈ
ｎ）は、０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下であるこ
とが好ましい。この逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０
（Ｏｅ）未満の磁気記録媒体は、熱揺らぎ耐性に劣るた
め好ましくない。

【００２８】以下、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）につい
て説明する。図３に示すように、ＭＨ曲線において、磁
化が飽和した状態から外部磁界を減少させる過程で外部
磁界が０となる点をａとし、磁化が０になった点をｂと
し、点ｂでのＭＨ曲線の接線と飽和磁化を示す直線との
交点をｃとすると、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、点
ａと点ｃとの距離（Ｏｅ）で表すことができる。なお、
逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、外部磁界が負となる領
域に点ｃがある場合に正の値をとり（図３を参照）、逆
に、外部磁界が正となる領域に点ｃがある場合に負の値
をとる（図４を参照）。

【００２９】垂直磁性膜５の垂直磁気異方性定数Ｋｕ
は、１×１０⁶ｅｒｇ／ｃｃ以上であることが好まし
い。以下、垂直磁気異方性定数Ｋｕの測定方法について
説明する。磁気トルク装置を用いて、試料に十分に大き
な磁場を加え、磁性膜の磁区を単一磁区とすると、磁性
膜内部に、磁化容易軸を磁場方向に一致させるための回
転力がはたらく。磁場が加えられている方向と磁化容易
軸方向との角度をφとすると、トルクＴは、Ｋｕ・ｃｏ
ｓ４φで表すことができる。このように、トルクはφの
周期関数となり、トルクを表す曲線をフーリエ解析する
ことによって、垂直磁気異方性定数Ｋｕを決定すること
ができる。

【００３０】この磁気記録媒体では、配向制御膜３がＮ
ｉを３３〜８０ａｔ％含み、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種または２種以上含む非磁性材
料からなるものとすることにより、優れたエラーレー
ト、熱揺らぎ耐性を得ることができる。この効果は、垂
直磁性膜５の垂直磁気異方性定数Ｋｕが１×１０⁶ｅｒ
ｇ／ｃｃ以上であるときに、特に優れたものとなる。

【００３１】表１は、配向制御膜３にＮｉＴａ、Ｔｉま
たはＣを用い、垂直磁気異方性定数Ｋｕを０．７×１０
⁶〜０．９×１０⁶ｅｒｇ／ｃｃとした場合（例１〜３）
と、１．５×１０⁶〜１．８×１０⁶ｅｒｇ／ｃｃとした
場合（例４〜６）の特性を示すものである。

【００３２】

【表１】

【００３３】表１より、配向制御膜３にＴｉまたはＣを
用いた場合（例２、３、５、６）に比べ、配向制御膜３
にＮｉＴａを用いた場合（例１、４）には、記録再生特
性（エラーレート）および熱揺らぎ耐性が改善されたこ
とがわかる。この改善効果を、垂直磁性膜５のＫｕが小
さい媒体（例１〜３）と、Ｋｕが大きい媒体（例４〜
６）との間で比較すると、Ｋｕが大きい場合（例４）に
おいて、より大きな改善効果が得られたことがわかる。
このことから、配向制御膜３にＮｉＴａを用いた場合に
得られる磁気特性改善効果は、Ｋｕが大きい場合に、よ
り優れたものとなることがわかる。

【００３４】垂直磁性膜５のΔθ50は、２〜１０°であ
ることが好ましい。このΔθ50は、２°未満であると、
磁性粒子間の交換結合が大きくなり、記録再生特性が劣
化するため好ましくない。Δθ50が１０°を超えると、
残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓが
悪化し、熱揺らぎ耐性が悪化するため好ましくない。

【００３５】ここでいうΔθ50とは、当該膜の結晶面の
傾き分布を示すものであり、具体的には、膜表面におけ
る特定の配向面に関するロッキング曲線のピークの半値
幅をいう。Δθ50は、数値が小さいほど当該膜の結晶配
向性が高いということができる。

【００３６】以下、Δθ50を測定する方法の一例を説明
する。 （１）ピーク位置決定 図５に示すように、表面側に垂直磁性膜５が形成された
ディスクＤに、入射Ｘ線２１を照射し、回折Ｘ線２２を
回折Ｘ線検出器２３によって検出する。検出器２３の位
置は、この検出器２３によって検出される回折Ｘ線２２
の入射Ｘ線２１に対する角度（入射Ｘ線２１の延長線２
４に対する回折Ｘ線２２の角度）が、入射Ｘ線２１のデ
ィスクＤ表面に対する入射角θの２倍、すなわち２θと
なるように設定する。入射Ｘ線２１を照射する際には、
ディスクＤの向きを変化させることにより入射Ｘ線２１
の入射角θを変化させるとともに、これに連動させて、
検出器２３の位置を、回折Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対
する角度が２θ（すなわち入射Ｘ線２１の入射角θの２
倍の角度）を維持するように変化させつつ、回折Ｘ線２
２の強度を検出器２３により測定するθ−２θスキャン
法を行う。これによって、θと回折Ｘ線２２の強度との
関係を調べ、回折Ｘ線２２の強度が最大となるような検
出器２３の位置を決定する。この検出器位置における回
折Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対する角度２θを、２θｐ
という。得られた角度２θｐより、膜表面において支配
的な結晶面を知ることができる。

【００３７】（２）ロッキング曲線の決定 図６に示すように、検出器２３を、回折Ｘ線２２の角度
２θが２θｐとなった位置に固定した状態で、ディスク
Ｄの向きを変化させることにより入射Ｘ線２１の入射角
θを変化させ、入射角θと、検出器２３によって検出さ
れた回折Ｘ線２２の強度との関係を示すロッキング曲線
を作成する。検出器２３の位置を、回折Ｘ線２２の角度
２θが２θｐとなった位置に固定するため、ロッキング
曲線は、膜表面の結晶面のディスクＤ面に対する傾きの
分布を表すものとなる。図７は、ロッキング曲線の例を
示すものである。Δθ50とは、このロッキング曲線にお
いて当該配向面を示すピークの半値幅をいう。

【００３８】垂直磁性膜５は、結晶粒子の平均粒径が５
〜１５ｎｍであることが好ましい。この平均粒径は、例
えば垂直磁性膜５の結晶粒子をＴＥＭ（透過型電子顕微
鏡）で観察し、観察像を画像処理することにより求める
ことができる。

【００３９】保護膜６は垂直磁性膜５の腐食を防ぐとと
もに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損
傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を使用でき、例
えばＣ、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂を含むものが使用可能であ
る。保護膜６の厚さは、１〜１０ｎｍとするのが望まし
い。潤滑剤７には、パーフルオロポリエーテル、フッ素
化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いるのが好
ましい。

【００４０】上記構成の磁気記録媒体にあっては、配向
制御膜３がＮｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＳｃ、
Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種または２
種以上を含む非磁性材料からなるものであるので、保磁
力Ｈｃを高め、Ｍｒ／Ｍｓを向上させ、逆磁区核形成磁
界（−Ｈｎ）を増加させることができる。従って、優れ
た熱揺らぎ耐性を得ることができる。さらには、記録再
生特性を向上させることができる。なお、熱揺らぎと
は、記録ビットが不安定となり記録したデータの熱消失
が起こる現象をいい、磁気記録媒体装置においては、記
録したデータの再生出力の経時的な減衰として現れる。

【００４１】なお、本発明において、垂直磁性膜が複数
の層からなる複層構造を有するものである場合には、こ
れら層のうち少なくとも１つが、上記第１実施形態にお
ける垂直磁性膜５の構成を備えたものであればよい。

【００４２】図８は、本発明の磁気記録媒体の第２の実
施形態を示すもので、この磁気記録媒体では、非磁性基
板１と軟磁性下地膜２との間に、硬磁性材料からなる硬
磁性膜８が設けられている。硬磁性膜８にはＣｏＳｍ合
金や、ＣｏＣｒＰｔＸ₂合金（Ｘ₂：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎお
よびＢのうち１種または２種以上）を用いるのが好適で
ある。硬磁性膜８は、保磁力Ｈｃが５００（Ｏｅ）以上
（好ましくは１０００（Ｏｅ）以上）であることが好ま
しい。硬磁性膜８の厚さは、１５０ｎｍ以下（好ましく
は７０ｎｍ以下）であることが好ましい。硬磁性膜８の
厚さが１５０ｎｍを超えると、配向制御膜３の表面平均
粗さＲａが大きくなるため好ましくない。硬磁性膜８
は、軟磁性下地膜２と交換結合しており、磁化方向が基
板半径方向に向けられた構成とするのが好ましい。硬磁
性膜８を設けることにより、より効果的に軟磁性下地膜
２での巨大な磁区の形成を抑えることができるので、磁
壁によるスパイクノイズの発生を防止して、記録再生時
のエラーレートを十分に低くすることができる。硬磁性
膜８の配向性を高めるために、非磁性基板１と硬磁性膜
８との間にＣｒ合金材料やＢ２構造材料からなる下地膜
を形成してもよい。

【００４３】図９は、本発明の磁気記録媒体の第３の実
施形態を示すもので、この磁気記録媒体では、垂直磁性
膜５と保護膜６との間に軟磁性材料からなる磁化安定膜
９が設けられている。磁化安定膜９の材料としては、Ｆ
ｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ
系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、Ｆｅ
ＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌ
Ｓｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、Ｆｅ
ＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴ
ｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、
ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（Ｆｅ
ＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、Ｆ
ｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系
合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金
などを挙げることができる。またＦｅを６０ａｔ％以上
含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺ
ｒＮ等の微結晶構造、または微細な結晶粒子がマトリク
ス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用い
てもよい。磁化安定膜９の材料としては、上記のほか、
Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有し、アモルファ
ス構造を有するＣｏ合金を用いることができる。この材
料としては、ＣｏＺｒ系合金、ＣｏＺｒＮｂ系合金、Ｃ
ｏＺｒＴａ系合金、ＣｏＺｒＣｒ系合金、ＣｏＺｒＭｏ
系合金などを好適なものとして挙げることができる。

【００４４】磁化安定膜９の保磁力Ｈｃは２００（Ｏ
ｅ）以下（好ましくは５０（Ｏｅ）以下）とするのが好
ましい。磁化安定膜９の飽和磁束密度Ｂｓは、０．４Ｔ
以上（好ましくは１Ｔ以上）とするのが好ましい。ま
た、磁化安定膜９の飽和磁束密度Ｂｓと膜厚ｔとの積Ｂ
ｓ・ｔが７．２Ｔ・ｎｍ以下であること好ましい。この
Ｂｓ・ｔが上記範囲を超えると、再生出力が低下するた
め好ましくない。

【００４５】垂直磁性膜５と保護膜６との間に軟磁性膜
からなる磁化安定膜９を設けることにより、熱揺らぎ耐
性の向上、再生出力の増加を図ることができる。これ
は、垂直磁性膜５の表面に存在する磁化の揺らぎを、こ
の磁化安定化膜９が安定化することにより、漏れ磁束が
揺らぎの影響を受けなくなり、再生出力が増加するため
であると考えられる。また、この磁化安定膜９が設けら
れていることにより、垂直磁性膜５の基板に対し垂直な
方向の磁化と、軟磁性下地膜２および磁化安定膜９の面
内方向の磁化が、閉回路を形成する。この作用により、
垂直磁性膜４の磁化がより強固に固定されるので、優れ
た熱揺らぎ耐性が得られると考えられる。

【００４６】上記構成の磁気記録媒体を製造するには、
基板１上に、軟磁性下地膜２、配向制御膜３、中間膜
４、垂直磁性膜５を順次、スパッタ法、真空蒸着、イオ
ンプレーティングなどにより形成する。軟磁性下地膜２
の表面には、必要に応じて酸化処理を施すこともでき
る。配向制御膜３を形成する際には、Ｎｉを３３〜８０
ａｔ％含み、かつＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、
Ｔａのうち１種または２種以上を含む非磁性材料を用い
る。配向制御膜３は、酸素と窒素のうち少なくともいず
れかを含有させることができる。酸素や窒素を含有させ
るには、配向制御膜３を形成する際に、成膜ガス（プロ
セスガス）に酸素または窒素を含有させる方法をとるこ
とができる。

【００４７】垂直磁性膜５を形成する際には、垂直磁気
異方性定数Ｋｕが１×１０⁶ｅｒｇ／ｃｃ以上となるよ
うに材料や成膜条件を選択するのが好ましい。垂直磁性
膜５を形成する際には、Δθ50が、２〜１０°となるよ
うに材料や成膜条件を選択するのが好ましい。次いで保
護膜６を、好ましくはプラズマＣＶＤ法、イオンビーム
法、スパッタ法などにより形成する。潤滑剤７を形成す
るには、ディッピング法、スピンコート法などの従来公
知の方法を採用することができる。図８に示す磁気記録
媒体を製造するには、基板１と軟磁性下地膜２との間
に、スパッタ法などにより硬磁性膜８を形成する。図９
に示す磁気記録媒体を製造するには、垂直磁性膜５と保
護膜６との間にスパッタ法などにより磁化安定膜９を形
成する。

【００４８】図１０は、上記磁気記録媒体を用いた磁気
記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記
録再生装置は、上記実施形態の磁気記録媒体１０と、磁
気記録媒体１０を回転駆動させる媒体駆動部１１と、磁
気記録媒体１０に情報を記録再生する磁気ヘッド１２
と、ヘッド駆動部１３と、記録再生信号処理系１４とを
備えている。記録再生信号処理系１４は、入力されたデ
ータを処理して記録信号を磁気ヘッド１２に送ったり、
磁気ヘッド１２からの再生信号を処理してデータを出力
することができるようになっている。磁気ヘッド１２と
しては、垂直記録用の単磁極ヘッドを例示することがで
きる。図１０（ｂ）に示すように、この単磁極ヘッドと
しては、主磁極１２ａと、補助磁極１２ｂと、これらを
連結する連結部１２ｃに設けられたコイル１２ｄとを有
する構成のものを好適に用いることができる。

【００４９】上記磁気記録再生装置によれば、上記磁気
記録媒体１０を用いるので、熱揺らぎ耐性および記録再
生特性を高めることができる。従って、データ消失など
のトラブルを未然に防ぐとともに、高記録密度化を図る
ことができる。

【００５０】

【実施例】以下、実施例を示して本発明の作用効果を明
確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定される
ものではない。 （実施例１）洗浄済みのガラス基板１（オハラ社製、外
形２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容し
て、到達真空度１×１０^-5Ｐａとなるまで成膜チャンバ
内を排気した後、このガラス基板１上に８９Ｃｏ−４Ｚ
ｒ−７Ｎｂ（Ｃｏ含有率８９ａｔ％、Ｚｒ含有率４ａｔ
％、Ｎｂ含有率７ａｔ％）のターゲットを用いて１００
℃以下の基板温度で厚さ１００ｎｍの軟磁性下地膜２を
スパッタリングにより成膜した。この膜の飽和磁束密度
Ｂｓ（Ｔ）と膜厚ｔ（ｎｍ）の積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）
が１１０（Ｔ・ｎｍ）であることを振動式磁気特性測定
装置（ＶＳＭ）で確認した。次いで、基板を２００℃に
加熱して、上記軟磁性下地膜２上に、６０Ｎｉ−４０Ｔ
ａターゲットを用いて厚さ８ｎｍの配向制御膜３を形成
し、６５Ｃｏ−３０Ｃｒ−５Ｂターゲットを用いて厚さ
５ｎｍの中間膜４を形成し、６１Ｃｏ−２０Ｃｒ−１７
Ｐｔ−２Ｂターゲットを用いて厚さ２５ｎｍの垂直磁性
膜５を形成した。なお、上記スパッタリング工程におい
ては、成膜用のプロセスガスとしてアルゴンを用い、圧
力０．５Ｐａにて成膜した。次いで、ＣＶＤ法により厚
さ５ｎｍの保護膜６を形成した。次いで、ディッピング
法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜７を
形成し、磁気記録媒体を得た（表２を参照）。配向制御
膜３の結晶構造を確認するため、基板１上に軟磁性下地
膜２（８９Ｃｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂ）を形成し、その上に
６０Ｎｉ−４０Ｔａからなる厚さ８ｎｍの配向制御膜３
を形成し、この配向制御膜３の電子回折像を調べたとこ
ろ、配向制御膜３の結晶はｈｃｐ構造となったことがわ
かった。

【００５１】（実施例２〜１３）配向制御膜３の組成ま
たは厚さを変えた以外は、実施例１に準じて磁気記録媒
体を作製した。（表２参照）

【００５２】（比較例１〜３）Ｔｉ、６０Ｒｕ−４０Ｃ
ｏ、またはＣからなるターゲットを用いて配向制御膜３
を形成すること以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体
を作製した（表２を参照）。

【００５３】（比較例４、５）８５Ｎｉ−１５Ｔａまた
は２５Ｎｉ−７５Ｔａからなるターゲットを用いて配向
制御膜３を形成すること以外は、実施例１に準じて磁気
記録媒体を作製した（表２を参照）。

【００５４】これら実施例および比較例の磁気記録媒体
について、記録再生特性および静磁気特性を評価した。
この評価は、ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲ
ＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを
用いて行った。記録再生特性の評価には、書込部に単磁
極を用い、再生部にＧＭＲ素子を用いた磁気ヘッドを用
いて、記録周波数５２０ｋＦＣＩにて測定した。熱揺ら
ぎ特性の評価については、７０℃の条件下で記録周波数
５０ｋＦＣＩにて書き込みをおこなった後の再生出力の
減衰率を（Ｓｏ−Ｓ）×１００／（Ｓｏ×３）に基づい
て算出した。この式において、Ｓｏは磁気記録媒体に書
き込み後１秒経過時の再生出力を示し、Ｓは１０００秒
後の再生出力を示す。また、垂直磁性膜５のｃ軸分散度
を、ロッキングカーブから算出した。最大強度の半価幅
（Δθ50）で示す。これらの試験結果を表２に示す。

【００５５】

【表２】

【００５６】表２より、配向制御膜３に、Ｎｉを３３〜
８０ａｔ％含み、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、
Ｔａのうち１種または２種以上を２０ａｔ％以上含む非
磁性材料を用いた実施例では、比較例に比べ、優れた記
録再生特性を示すことが分かる。

【００５７】（実施例１４〜２２）垂直磁性膜５を表３
に示すとおりとする以外は、実施例１に準じて磁気記録
媒体を作製した。（表３参照） これらの実施例および比較例の磁気記録媒体についての
評価試験の結果を表３に示す。

【００５８】

【表３】

【００５９】表３より、Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上
２４ａｔ％以下、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２４ａ
ｔ％以下である磁気記録媒体は、Ｃｒ含有率またはＰｔ
含有率が上記範囲を外れる実施例に比べ、優れた磁気特
性を示すことが分かる。また、保磁力（Ｈｃ）が３００
０（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏ
ｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、Ｍｒ／Ｍｓが０．９以
上である実施例は、比較例４、５に比べ優れた磁気特性
を示すことが分かる。

【００６０】（実施例２３〜２９）軟磁性下地膜２の組
成を表４に示すとおりとする以外は、実施例１に準じて
磁気記録媒体を作製した。（表４参照） これらの実施例の磁気記録媒体についての評価試験の結
果を表４に示す。

【００６１】

【表４】

【００６２】表４より、いずれの実施例においても、優
れた記録再生特性を得ることができたことが分かる。

【００６３】（実施例３０〜３２）軟磁性下地膜２の表
面を酸素含有ガス（純酸素（１００％Ｏ₂）、５０％Ｏ₂
−５０％Ａｒ、または大気）に曝すことによって、軟磁
性下地膜２に酸化処理を施すこと以外は実施例１に準じ
て磁気記録媒体を作製した。（表５参照） これらの実施例の磁気記録媒体についての評価試験の結
果を表５に示す。

【００６４】

【表５】

【００６５】表５より、軟磁性下地膜２の酸化によっ
て、優れた記録再生特性が得られたことが分かる。

【００６６】（実施例３３〜３９）中間膜４の材料およ
びその厚さを表６に示すとおりとする以外は、実施例１
に準じて磁気記録媒体を作製した。（表６参照） これらの実施例の磁気記録媒体についての評価試験の結
果を表６に示す。

【００６７】

【表６】

【００６８】表６より、いずれの実施例においても、優
れた記録再生特性が得られたことが分かる。

【００６９】（実施例４０〜４２）非磁性基板１と軟磁
性下地膜２との間に、９４Ｃｒ−６Ｍｏからなる下地膜
（厚さ２０ｎｍ）を設け、その上に、表７に示す硬磁性
膜８を設けた以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を
作製した。（表７参照） これらの実施例の磁気記録媒体についての評価試験の結
果を表７に示す。

【００７０】

【表７】

【００７１】表７より、記録再生特性を悪化させること
なく、軟磁性下地膜２における磁壁に起因するスパイク
状ノイズを抑えることができたことがわかる。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体にあっては、非磁性基板上に、直上の膜の配向性を
制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂
直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、前記
配向制御膜がＮｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＳｃ、
Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種または２
種以上を含む非磁性材料からなるものであるので、記録
再生特性および熱揺らぎ耐性を向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態を
示す一部断面図である。

【図２】 配向制御膜の電子回折像である。

【図３】 ＭＨ曲線の一例を示すグラフである。

【図４】 ＭＨ曲線の他の例を示すグラフである。

【図５】 Δθ50の測定方法を説明する説明図であ
る。

【図６】 Δθ50の測定方法を説明する説明図であ
る。

【図７】 ロッキング曲線の一例を示すグラフであ
る。

【図８】 本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を
示す一部断面図である。

【図９】 本発明の磁気記録媒体の第３の実施形態を
示す一部断面図である。

【図１０】 本発明の磁気記録再生装置の一例を示す
概略図であり、（ａ）は全体構成を示し、（ｂ）は磁気
ヘッドを示す。

【符号の説明】

１…非磁性基板、２…軟磁性下地膜、３…配向制御膜、
４…中間膜、５…垂直磁性膜、６…保護膜、７…潤滑
膜、８…硬磁性膜、９…磁化安定膜、１０…磁気記録媒
体、１１…媒体駆動部、１２…磁気ヘッド、１２ａ…主
磁極、１２ｂ…補助磁極、１２ｃ…連結部、１２ｄ…コ
イル、１３…ヘッド駆動部、１４…記録再生信号処理系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂脇 彰 千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者 楊 輝 千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者 望月 寛夫 千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者 酒井 浩志 千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者 彦坂 和志 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 (72)発明者 及川 壮一 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 Ｆターム(参考） 5D006 BB02 BB06 BB07 BB08 DA08 EA03 FA04 FA09

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性
   材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御
   する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に
   配向した垂直磁性膜と、保護膜が設けられ、 前記配向制御膜が、Ｎｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつ
   Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種ま
   たは２種以上を含む非磁性材料からなることを特徴とす
   る磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 配向制御膜がｈｃｐ構造を有すること
   を特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 配向制御膜が、ＮｉＴａ合金、ＮｉＮ
   ｂ合金、ＮｉＴｉ合金、ＮｉＺｒ合金からなる群から選
   ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする請求項
   １または２記載の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 垂直磁性膜の垂直磁気異方性定数Ｋｕ
   が、１×１０⁶ｅｒｇ／ｃｃ以上であることを特徴とす
   る請求項１〜３のうちいずれか１項記載の磁気記録媒
   体。
5. 【請求項５】 垂直磁性膜が、ＣｏＣｒＰｔを主成分
   とする組成を有し、かつＣｒの含有率が１６ａｔ％以上
   ２４ａｔ％以下、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２４ａ
   ｔ％以下であり、 保磁力（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成
   磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以
   下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／
   Ｍｓが０．９以上であることを特徴とする請求項１〜４
   のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 配向制御膜の結晶粒径が、２ｎｍ以上
   ２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のう
   ちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 配向制御膜の厚さが、０．５ｎｍ以上
   ２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のう
   ちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 垂直磁性膜が、０．１ａｔ％以上５ａ
   ｔ％以下のＢを含有し、Δθ５０が２〜１０°の範囲で
   あることを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか１項
   記載の磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 非磁性基板と軟磁性下地膜との間に、
   硬磁性材料からなる硬磁性膜が設けられていることを特
   徴とする請求項１〜８のうちいずれか１項記載の磁気記
   録媒体。
10. 【請求項１０】 非磁性基板上に、少なくとも、軟磁
    性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制
    御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直
    に配向した垂直磁性膜と、保護膜とを設け、前記配向制
    御膜を、Ｎｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＳｃ、Ｙ、
    Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種または２種以
    上を含む非磁性材料からなるものとすることを特徴とす
    る磁気記録媒体の製造方法。
11. 【請求項１１】 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に
    情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生
    装置であって、 磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、 磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性
    材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御
    する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に
    配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、 前記配向制御膜がＮｉを３３〜８０ａｔ％含み、かつＳ
    ｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種また
    は２種以上を含む非磁性材料からなることを特徴とする
    磁気記録再生装置。