JP2003242622A

JP2003242622A - 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置

Info

Publication number: JP2003242622A
Application number: JP2002040866A
Authority: JP
Inventors: Kenji Shimizu; 謙治清水; Akira Sakawaki; 彰坂脇; Masato Kokubu; 誠人國分; Norio Mochizuki; 寛夫望月; Hiroshi Sakai; 浩志酒井
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 2002-02-19
Filing date: 2002-02-19
Publication date: 2003-08-29

Abstract

(57)【要約】【課題】記録再生特性、熱ゆらき耐性を向上させ高密度
の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方
法、および磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性下地
膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化
容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、
保護膜とが設けられ、該配向制御膜がＮｉ−Ｘ１−Ｘ２
で表される合金であって、Ｎｉの含有率が２０〜８０ａ
ｔ％で、Ｘ１がＴａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉから選ば
れるいずれか１種または２種以上、Ｘ２がＢ、Ｃ、Ｐ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｔから選ばれるいずれか１種または２種
以上であることを特徴とする磁気記録媒体によって解決
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体、そ
の製造方法、およびこの磁気記録媒体を用いた磁気記録
再生装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録再生装置の１種であるハードデ
ィスク装置（ＨＤＤ）は、現在その記録密度が年率６０
％以上で増えており今後もその傾向は続くと言われてい
る。その為に高記録密度に適した磁気記録用ヘッドの開
発、磁気記録媒体の開発が進められている。

【０００３】現在、市販されている磁気記録再生装置に
搭載されている磁気記録媒体は、主に、磁性膜内の磁化
容易軸が基板に対して水平に配向した面内磁気記録媒体
である。ここで磁化容易軸とは、磁化の向き易い軸のこ
とであり、Ｃｏ基合金の場合、Ｃｏのｈｃｐ構造のｃ軸
のことである。

【０００４】このような面内磁気記録媒体では、高記録
密度化すると記録ビットの１ビットあたりの磁性層の体
積が小さくなりすぎ、熱揺らぎ効果により記録再生特性
が悪化する可能性がある。また、高記録密度化した際
に、記録ビット間の境界領域で発生する反磁界の影響に
より媒体ノイズが増加する傾向がある。

【０００５】これに対し、磁性膜内の磁化容易軸が主に
垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体は、高記録
密度化した際にも、記録ビット間の境界領域における反
磁界の影響が小さく、鮮明なビット境界が形成されるた
め、ノイズの増加が抑えられる。しかも、高記録密度化
に伴う記録ビット体積の減少が少なくてすむため、熱揺
らぎ効果にも強い。そこで、近年大きな注目を集めてお
り、垂直磁気記録に適した媒体の構造が提案されてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近年では、磁気記録媒
体の更なる高記録密度化が要望に対して、垂直磁性膜に
対する書きこみ能力に優れている単磁極ヘッドを用いる
ことが検討されている。そのようなヘッドに対応するた
めに、記録層である垂直磁性膜と基板との間に、裏打ち
層と称される軟磁性材料からなる層を設けることによ
り、単磁極ヘッドと磁気記録媒体との間の磁束の出入り
の効率を向上させた磁気記録媒体が提案されている。

【０００７】しかしながら、上記のように単に裏打ち層
を設けた磁気記録媒体を用いた場合では、記録再生時の
記録再生特性や、熱揺らぎ耐性、記録分解能において満
足できるものではなく、これら特性に優れる磁気記録媒
体が要望されていた。

【０００８】一般に垂直磁気記録媒体は、基板上に裏打
ち層（軟磁性下地膜）を設け、磁性層の磁化容易軸を基
板面に対して垂直に配向させる配向制御膜、Ｃｏ合金か
らなる垂直磁性膜および保護膜の順で構成されている。
この中で、磁気記録媒体の記録再生特性を改善するに
は、垂直磁性膜に対して、ノイズの低い磁性材料を使う
のは勿論であるが、層構造についても幾つかの改善手法
が提案されている。

【０００９】特許第２６６９５２９号公報には、非磁性
基板と六方晶系の磁性合金膜との間にＴｉ下地膜を設
け、Ｔｉ下地膜に他の元素を含有させることにより、Ｔ
ｉ合金下地膜と六方晶系の磁性合金膜との間の格子の整
合性を高め、六方晶系の磁性合金膜のｃ軸配向性を向上
させる方法が提案されている。しかしながら、Ｔｉ合金
下地を用いると、合金磁性膜中の磁気クラスター径が大
きくなり、その結果、媒体ノイズが大きくなり、更なる
高記録密度化は困難である。

【００１０】特開平８−１８０３６０号公報には、Ｃｏ
とＲｕからなる下地膜を非磁性基板とＣｏ合金垂直磁性
膜との間に用いることにより、Ｃｏ合金垂直磁性膜のｃ
軸配向性を向上させる方法が提案されている。しかしな
がら、ＣｏとＲｕからなる下地膜は結晶粒径が大きくな
り、その結果Ｃｏ合金磁性膜中の磁性粒子径が大きくな
り、媒体ノイズが大きくなり、更なる高密度化は困難で
ある。

【００１１】特開昭６３−２１１１１７号公報には、炭
素含有下地膜を基板とＣｏ合金垂直磁性膜との間に用い
ることが、提案されている。しかしながら、炭素含有下
地膜を用いると、炭素含有下地膜はアモルファス構造下
地膜であるために、垂直磁性膜のｃ軸配向性が悪化する
ため、その結果、熱揺らぎ耐性が悪化し、更なる高記録
密度化は困難である。

【００１２】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、記録再生特性、熱揺らぎ耐性を向上させ、高密度の
情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、
および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。１）上記課題を解決するための第１の発明は、非磁性基
板上に、少なくとも、軟磁性下地膜と、直上の膜の配向
性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主
に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、
該配向制御膜がＮｉ−Ｘ１−Ｘ２で表される合金であっ
て、Ｎｉの含有率が２０〜８０ａｔ％で、Ｘ１がＴａ、
Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれるいずれか１種また
は２種以上、Ｘ２がＢ、Ｃ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｔから
選ばれるいずれか１種または２種以上であることを特徴
とする磁気記録媒体である。２）上記課題を解決するための第２の発明は、非磁性基
板上に、少なくとも、軟磁性下地膜と、直上の膜の配向
性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主
に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、
該配向制御膜がＮｉ−Ｘ１−Ｘ２で表される合金であっ
て、Ｎｉの含有率が２０〜８０ａｔ％で、Ｘ１が４Ａ族
の元素、５Ａ族の元素から選ばれるいずれか１種または
２種以上、Ｘ２が３Ｂ族の元素、４Ｂ族の元素、Ｐｔか
らから選ばれるいずれか１種または２種以上であること
を特徴とする磁気記録媒体である。３）上記課題を解決するための第３の発明は、配向制御
膜が、ＮｉＴａＣ合金、ＮｉＮｂＣ合金、ＮｉＴａＰ合
金、ＮｉＴａＰｔ合金から選ばれるいずれか１種である
ことを特徴とする１）または２）に記載の磁気記録媒体
である。４）上記課題を解決するための第４の発明は、配向制御
膜が、ＮｉとＴａとＣを含む材料からなり、ｘＮｉ−ｙ
Ｔａ−ｚＣ（２０ａｔ％≦ｘ≦８０ａｔ％、１５ａｔ％
≦ｙ≦７５ａｔ％、０．５ａｔ％≦ｚ≦５０ａｔ％）で
表される組成であることを特徴とする１）乃至３）のい
ずれか１項に記載の磁気記録媒体である。５）上記課題を解決するための第５の発明は、配向制御
膜の厚さが、０．５ｎｍ〜３０ｎｍであることを特徴と
する１）乃至４）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体
である。６）上記課題を解決するための第６の発明は、垂直磁性
膜の△Ｈｃ／Ｈｃが０．３以下であることを特徴とする
１）乃至５）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体であ
る。７）上記課題を解決するための第７の発明は、垂直磁性
膜がＣｒの含有量が１４〜２４ａｔ％、Ｐｔの含有量が
１４〜２４ａｔ％であるＣｏＣｒＰｔを主成分とする組
成であり、磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）が３０００
（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏ
ｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽
和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．９以上であるこ
とを特徴とする１）乃至６）のいずれか１項に記載の磁
気記録媒体である。８）上記課題を解決するための第８の発明は、垂直磁性
膜が、その組成が０．１〜５ａｔ％のＢを含有し、垂直
磁性膜の△θ５０が２〜１０°の範囲であることを特徴
とする１）乃至７）のいずれか１項に記載の磁気記録媒
体である。９）上記課題を解決するための第９の発明は、軟磁性下
地膜の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と膜厚ｔ（ｎｍ）との積
Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が４０（Ｔ・ｎｍ）以上であるこ
とを特徴とする１）乃至８）のいずれか１項に記載の磁
気記録媒体である。１０）上記課題を解決するための第１０の発明は、配向
制御膜と垂直磁性膜との間に、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒ
Ｘ３合金、ＣｏＸ３合金（Ｘ３：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒ
ｕ，Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、
Ｎ、Ｂから選ばれるいずれか１種または２種以上。）か
ら選ばれるいずれか１種であり、Ｃｏの含有量は３０〜
７０ａｔ％である中間膜が形成されていることを特徴と
する１）乃至９）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体
である。１１）上記課題を解決するための第１１の発明は、中間
膜の厚さが２０ｎｍ以下であることを特徴とする１０）
に記載の磁気記録媒体である。１２）上記課題を解決するための第１２の発明は、非磁
性基板と軟磁性下地膜の間に硬磁性材料からなる永久磁
石膜が設けられていることを特徴とする１）乃至１１）
のいずれか１項に記載の磁気記録媒体である。１３）上記課題を解決するための第１３の発明は、非磁
性基板上に、少なくとも、軟磁性下地膜と、直上の膜の
配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対
し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とを順次形
成する磁気記録媒体の製造方法において、配向制御膜
を、Ｎｉ−Ｘ１−Ｘ２で表される合金であって、Ｎｉの
含有率が２０〜８０ａｔ％で、Ｘ１がＴａ、Ｎｂ、Ｈ
ｆ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれるいずれか１種または２種以
上、Ｘ２がＢ、Ｃ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｔから選ばれる
いずれか１種または２種以上であるターゲットを用いて
スパッター法にて形成することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法である。１４）上記課題を解決するための第１４の発明は、磁気
記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気
ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッ
ドが単磁極ヘッドであり、磁気記録媒体が、１）乃至１
２）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体であることを
特徴とする磁気記録再生装置である。である。

【００１４】以下、逆磁区核形成磁界について説明す
る。逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、図２に示すよう
に、ＶＳＭなどにより求めたＭＨ曲線において、磁化が
飽和した状態から外部磁界を減少させる過程で外部磁界
が０となる点ａ、ＭＨ曲線の磁化が０である点ＢでのＭ
Ｈ曲線の接線を延長した線と飽和磁化との交点を点ｃと
すると、Ｙ軸から点ｃまでの距離［Ｏｅ］で表すことが
できる。

【００１５】なお、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、点
ｃが外部磁界が負である領域にある場合に正の値をとり
（図２に示した状態。）、逆に、点ｃが外部磁界が正で
ある領域にある場合に負の値をとる（図３に示した状
態。）。

【００１６】図４をもとに、△Ｈｃ／Ｈｃについて説明
する。△Ｈｃは、ＭＨ曲線において、負の最大残留磁化
（−Ｍｓ）状態からのメジャー曲線のＭｓ／２における
磁界強度と負の保磁力（−Ｈｃ）状態からのマイナー曲
線のＭｓ／２における磁界強度との差である。△Ｈｃ／
Ｈｃは、上記△ＨｃとＨｃの比の値である。

【００１７】また、各膜の膜厚は、例えばＴＥＭ（透過
型電子顕微鏡）で観察することにより求めることができ
る。

【００１８】本明細書中で主成分とは、その成分の含有
率が５０ａｔ％を越えるものを意味する。

【００１９】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
第１の実施形態の一例を示すものである。ここに示され
ている磁気記録媒体は、非磁性基板１上に、軟磁性下地
膜２と、配向制御膜３と、中間膜４と、垂直磁性膜５
と、保護膜６と、潤滑膜７とが順次形成された構成とな
っている。

【００２０】非磁性基板１としては、アルミニウム、ア
ルミニウム合金等の金属材料からなる金属基板またはガ
ラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カ
ーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を挙げるこ
とができる。

【００２１】ガラス基板としては、アモルファスガラ
ス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては
汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス
を使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム
系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基板
としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウ
ム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊
維強化物などが使用可能である。

【００２２】非磁性基板１としては、上記金属基板、非
金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法を用いてＮｉＰ
膜、ＮｉＰ合金膜が形成されたものを用いることもでき
る。

【００２３】非磁性基板は、平均表面粗さＲａが２ｎｍ
（２０Å）以下、好ましくは１ｎｍ以下であるとことが
ヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点か
ら望ましい。

【００２４】また、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３
ｎｍ以下（より好ましくは０．２５［ｎｍ］以下。）で
あるものが、ヘッドを低浮上させた高記録密度の用途に
適している点から好ましい。非磁性基板のチャンファー
部の面取り部、側面部の少なくとも一方のいずれの表面
平均粗さＲａが１０ｎｍ以下（より好ましくは９．５ｎ
ｍ以下。）のものを用いることが磁気ヘッドの飛行安定
性にとって好ましい。微少うねり（Ｗａ）は、例えば、
表面粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社
製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして
測定することができる。

【００２５】軟磁性下地膜２は、磁気ヘッドから発生す
る磁束の基板に対する垂直方向成分を大きくするため
と、情報が記録される垂直磁性膜５の磁化の方向をより
強固に基板１と垂直な方向に固定するために設けられて
いるものである。この作用は特に記録再生用の磁気ヘッ
ドとして垂直記録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、よ
り顕著なものとなる。

【００２６】上記軟磁性下地膜２は、軟磁性材料からな
るもので、この材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む
材料を用いることができる。この材料としては、ＦｅＣ
ｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合
金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉ
Ｓｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳ
ｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡ
ｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴ
ｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、
ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（Ｆｅ
ＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、Ｆ
ｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系
合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金
などを挙げることができる。

【００２７】またＦｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡ
ｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶
構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリクス中に分散さ
れたグラニュラー構造を有する材料を用いてもよい。

【００２８】軟磁性下地膜２の材料としては、上記のほ
か、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有し、アモルフ
ァス構造を有するＣｏ合金を用いることができる。

【００２９】この材料としては、ＣｏＺｒ系合金、Ｃｏ
ＺｒＮｂ系合金、ＣｏＺｒＴａ系合金、ＣｏＺｒＣｒ系
合金、ＣｏＺｒＭｏ系合金などを好適なものとして挙げ
ることができる。

【００３０】軟磁性下地膜２の保磁力Ｈｃは１００（Ｏ
ｅ）以下（より好ましくは２０（Ｏｅ）以下）とするの
が好ましい。

【００３１】この保磁力Ｈｃが上記範囲を超えると、軟
磁気特性が不十分となり、記録再生時の再生信号波形が
いわゆる矩形波から歪みをもった波形になるため好まし
くない。

【００３２】軟磁性下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓは、
０．６Ｔ以上（より好ましくは１Ｔ以上）とするのが好
ましい。このＢｓが上記範囲未満であると、再生信号波
形がいわゆる矩形波から歪みをもった波形になるため好
ましくない。

【００３３】また、軟磁性下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓ
（Ｔ）と軟磁性下地膜２の膜厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・
ｔ（Ｔ・ｎｍ）が４０（Ｔ・ｎｍ）以上（より好ましく
は６０（Ｔ・ｎｍ）以上）であること好ましい。この範
囲であるとエラーレートがより良好になる。この範囲で
あると熱揺らぎ耐性がより良好になる。このＢｓ・ｔが
上記範囲未満であると、再生信号波形が歪みをもつよう
になったり、ＯＷ特性（オーバーライト特性）が悪化す
るため好ましくない。

【００３４】軟磁性下地膜２の表面（配向制御膜３側の
面）は、軟磁性下地膜２を構成する材料が部分的、ある
いは完全に酸化されていることが好ましい。例えば、軟
磁性下地膜２の表面（配向制御膜３側の面）およびその
近傍に、軟磁性下地膜２を構成する材料が部分的に酸化
されるか、もしくは前記材料の酸化物を形成して配され
ていることが好ましいこれにより、軟磁性下地膜２の表
面の磁気的な揺らぎを抑えることができるので、この磁
気的な揺らぎに起因するノイズを低減して、磁気記録媒
体の記録再生特性を改善することができる。

【００３５】また、これにより、軟磁性下地膜２上に形
成される配向制御膜３の結晶粒を微細化して、記録再生
特性を改善することができる。

【００３６】この軟磁性下地膜２の表面の酸化された部
分は、例えば軟磁性下地膜２を形成した後、酸素を含む
雰囲気に曝す方法や、軟磁性下地膜２の表面に近い部分
を成膜する際のプロセス中に酸素を導入する方法により
形成することができる。具体的には、軟磁性下地膜２の
表面を酸素に曝す場合には、酸素ガス単体、あるいは酸
素ガスをアルゴンや窒素などのガスで希釈したガス雰囲
気中に０．３〜２０秒程度保持しておけばよい。また、
大気中に曝すこともできる。特に酸素ガスをアルゴンや
窒素などのガスで希釈したガスを用いる場合には、軟磁
性下地膜２表面の酸化の度合いの調節が容易になるの
で、安定した製造を行うことができる。また、軟磁性下
地膜２の成膜用のガスに酸素を導入する場合には、例え
ば成膜法としてスパッタ法を用いるならば、成膜時間の
１部のみに酸素ガスを導入したプロセスガスを用いてス
パッタを行えばよい。このプロセスガスとしては、例え
ばアルゴンガスに酸素ガスを体積率で０．０５％〜５０
％（好ましくは０．１〜２０％）程度混合したガスが好
適に用いられる。

【００３７】配向制御膜３は、直上の膜の結晶特性や結
晶粒径を制御することにより、直上に設けられた中間膜
４および／または垂直磁性膜５の配向性を制御するもの
である。

【００３８】配向制御膜３に用いられる材料は、Ｎｉ−
Ｘ１−Ｘ２で表されＮｉの含有量が２０〜８０ａｔ％で
ある合金である。Ｎｉの含有量が８０ａｔ％を超えて含
まれると、配向制御膜３が磁性を持つようになり、その
結果、媒体ノイズが増加するため好ましくない。Ｎｉの
含有量が２０ａｔ％未満となると、エラーレート改善の
効果がなくなるため好ましくない。

【００３９】ここで、Ｘ１は周期律表における４Ａ族、
５Ａ族のいずれかの元素である。例えば、Ｘ１としては
Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、ＺｒまたはＴｉのうちから選ばれる
１種または２種以上を挙げることができる。これらを添
加することにより、配向制御膜３は垂直磁性膜の配向性
が向上するので、その結果、磁気記録媒体の記録再生特
性の改善および／または熱揺らぎ耐性の向上が可能とな
るので好ましい。

【００４０】ここで、Ｘ２は３Ｂ族、４Ｂ族のいずれか
の元素、およびＰｔである。例えば、Ｘ２としてはＢ、
Ｃ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｔのうちから選ばれる１種また
は２種以上の元素を挙げることができる。これらを添加
することにより、配向制御膜３は垂直磁性膜内の結晶粒
子が微細化するので、磁気記録媒体の記録再生特性が改
善するので好ましい。

【００４１】特に、配向制御膜がＮｉＴａＣ合金、Ｎｉ
ＮｂＣ合金、ＮｉＴａＰ合金、ＮｉＴａＰｔ合金のいず
れかであると磁性粒子（磁性結晶粒子ともいう。）がよ
り微細化されるので、ＮｉＴａ合金、ＮｉＮｂ合金を用
いる場合より改善効果は大きいので好ましい。

【００４２】さらに、配向制御膜がＮｉとＴａとＣを含
む材料からなり、ｘＮｉ−ｙＴａ−ｚＣ（２０ａｔ％≦
ｘ≦８０ａｔ％、１５ａｔ％≦ｙ≦７５ａｔ％、０．５
ａｔ％≦ｚ≦５０ａｔ％）で表される組成であると磁性
粒子がさらに微細化されるので、ＮｉＴａ合金を用いる
場合より改善効果は特に大きいので好ましい。

【００４３】Ｃの含有量がこの範囲であると、その上に
設けられた垂直磁性膜の磁化の垂直方向への配向性がよ
り良好になるとともに、磁性粒子が微細化されるので、
その結果、熱揺らぎ耐性および記録再生特性がより良好
になるので好ましい。Ｃの含有量が０．５ａｔ％以上で
あるのが、記録再生特性の改善への効果が十分となり好
ましい。

【００４４】Ｔａの含有量がこの範囲であると、ＮｉＴ
ａＣ上に設けられた中間膜の結晶性を悪化させることな
く結晶粒が微細化されるので、その結果、記録再生特性
がより良好になるので好ましい。Ｔａの含有量が１５ａ
ｔ％以上であるのが、ＮｉＴａＣ合金下地膜が微細化し
た結晶構造となり好ましい。

【００４５】ＮｉＮｂＣ合金においても、Ｃの含有量は
０．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下であることが好まし
い。

【００４６】ＮｉＴａＰ合金においては、Ｐの含有量は
０．５ａｔ％以上４０ａｔ％以下であることが好まし
い。Ｐの含有量が４０ａｔ％以下であると、その上に設
けられた垂直磁性膜の結晶粒が微細化されるので、その
結果、記録再生特性がより良好になるので好ましい。Ｐ
の含有量が０．５ａｔ％以上であるのが、記録再生特性
の改善への効果が十分となり好ましい。

【００４７】ＮｉＴａＰｔ合金においては、Ｐｔの含有
量は０．５ａｔ％以上３０ａｔ％以下であることが好ま
しい。Ｐｔの含有量が３０ａｔ％であると、その上に設
けられた垂直磁性膜の配向性が向上し、熱揺らぎ耐性が
良好になるので好ましい。Ｐｔの含有量が０．５ａｔ％
以上であるのが、熱揺らぎ耐性の改善への効果が十分と
なり好ましい。

【００４８】本実施形態の磁気記録媒体では、配向制御
膜３の厚さを０．５〜３０ｎｍ（より好ましくは１〜１
０ｎｍ。）とするのが好ましい。配向制御膜３の厚さが
上記の範囲であるとき、垂直磁性膜５の磁化の垂直方向
への配向性が特に良好になり、かつ記録時における磁気
ヘッドと軟磁性下地膜２との距離を小さくすることがで
きるので、その結果、再生信号の分解能を低下させるこ
とがないので記録再生特性を高めることができるからで
ある。

【００４９】この厚さが上記範囲未満であると、垂直磁
性膜５における磁化の垂直方向への配向性が低下し、記
録再生特性および熱揺らぎ耐性が劣化しやすくなる。

【００５０】また、この厚さが上記範囲を超えると、垂
直磁性膜５の垂直配向性が低下し、記録再生特性および
熱揺らぎ耐性が劣化する。また記録時における磁気ヘッ
ドと軟磁性下地膜２との距離が大きくなるため、その結
果、再生信号の分解能や再生出力の低下が起こるため好
ましくない。

【００５１】配向制御膜３の表面形状は、その上に形成
される垂直磁性膜５、保護膜６の表面形状に影響を与え
る。そのため、磁気記録媒体の表面凹凸を小さくして記
録再生時における磁気ヘッド浮上高さを低くすることが
求められている高記録密度に好適に用いるためには、配
向制御膜３の表面平均粗さＲａを２ｎｍ以下とするのが
好ましい。

【００５２】この表面平均粗さＲａを２ｎｍ以下とする
ことによって、磁気記録媒体の表面凹凸が小さくなるの
で、記録再生時における磁気ヘッド浮上高さを十分に低
くすることが可能になり、記録密度を高めることができ
る。

【００５３】配向制御膜３は、その上に設けられる垂直
磁性膜を微細化する目的で、成膜用のガスとして酸素や
窒素含んだプロセスガスを用いて成膜したものが好まし
い。例えば、スパッタ法を用いて形成されたものである
場合は、プロセスガスとして、アルゴンに酸素を体積率
で０．０５〜５０％（好ましくは０．１〜２０％。）程
度混合したガス、アルゴンに窒素を体積率で０．０１〜
２０％（好ましくは０．０２〜１０％。）程度混合した
ガスを用いて形成したものが好ましい。

【００５４】配向制御膜３と垂直磁性膜５との間に、中
間膜４を設けることができる。中間膜４にはｈｃｐ構造
を有する材料を用いるのが好ましい。中間膜４には、Ｃ
ｏＣｒ合金やＣｏＣｒＸ３合金やＣｏＸ３合金（Ｘ３：
Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｕ，Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍ
ｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｂから選ばれるいずれか１種
または２種以上。）を用いるのが好適である。

【００５５】中間膜４のＣｏの含有量は３０〜７０ａｔ
％であることが好ましい。

【００５６】中間膜４の厚さは、垂直磁性膜５における
磁性粒子の粗大化による記録再生特性の悪化や、磁気ヘ
ッドと軟磁性下地膜２との距離が大きくなることによる
記録分解能の低下を起こさないようにするために、２０
ｎｍ以下（より好ましくは１０ｎｍ以下。）とするのが
好ましい。

【００５７】中間膜４を設けることによって、垂直磁性
膜５の配向性を高めることができるので、垂直磁性膜５
の保磁力を高め、記録再生特性および熱揺らぎ耐性をさ
らに向上させることができる。

【００５８】垂直磁性膜５は、その磁化容易軸が基板に
対して主に垂直方向に向いたものであり、少なくとも１
層以上が、少なくともＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含んだ材料か
らなり、Ｃｒの含有量が１４〜２４ａｔ％（より好まし
くは１６〜２２ａｔ％。）、Ｐｔの含有量が１４〜２４
ａｔ％（より好ましくは１５〜２０ａｔ％。）であるこ
とが好ましい。磁化容易軸が基板に対して主に垂直方向
に向いたものとは垂直方向の保磁力Ｈｃ（Ｐ）と面内方
向の保磁力Ｈｃ（Ｌ）とが、Ｈｃ（Ｐ）＞Ｈｃ（Ｌ）の
関係を有している垂直磁性膜のことである。

【００５９】さらに、Ｂを０．１以上５ａｔ％以下添加
することが好ましい。これにより、磁性粒子間の交換結
合を低減することができ、記録再生特性を改善すること
が可能となる。

【００６０】Ｃｒの含有量が１４ａｔ％未満であると、
磁性粒子間の交換結合が大きくなり、その結果磁気クラ
スター径が大きくなり、ノイズが増大するため好ましく
ない。また、Ｃｒの含有量が２４ａｔ％を超えると、保
磁力および残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍ
ｒ／Ｍｓの値が小さくなるため好ましくない。

【００６１】Ｐｔの含有量が１４ａｔ％未満であると、
記録再生特性の改善効果が不十分であるとともに、残留
磁化（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓの値が
小さくなり、その結果熱揺らぎ耐性が悪化するため好ま
しくない。また、Ｐｔの含有量が２４ａｔ％を超える
と、ノイズが増大するため好ましくない。

【００６２】ＣｏＣｒＰｔ系合金においては、Ｂ以外に
も任意の元素を添加することも可能である。特に限定さ
れるものではないが、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｉｒ、
Ｃｕ、Ｒｕ、Ｎｄ、Ｚｒ、Ｗ、Ｎｄなどを挙げることが
できる。

【００６３】垂直磁性膜５に使われる磁性材料として
は、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、
ＣｏＣｒＰｔＴａＣｕ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系合
金、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＮｄ
系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＷ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭｏ
系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＲｕ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ
Ｗ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａＭｏ系合金、ＣｏＣｒＰｔ
ＴａＲｕ系合金、ＣｏＣｒＰｔＮｄ系合金、ＣｏＣｒＰ
ｔＷ系合金、ＣｏＣｒＰｔＭｏ系合金、ＣｏＣｒＰｔＲ
ｕ系合金、ＣｏＣｒＰｔＣｕ系合金から選ばれるのが特
に好ましい。

【００６４】垂直磁性膜５に使われる磁性材料として
Ｂ、Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種類以上の元素を含む材
料を使う場合、それらの合計含有量が０．５〜８ａｔ％
であることが好ましい。これら元素は、Ｃｒ偏析を促進
し、磁性粒子の磁気的な孤立化を促す作用を有している
が、０．５ａｔ％未満では添加したことによる効果が得
られず、８ａｔ％を超えて過剰に添加した場合、磁性粒
子内に残留し、磁性粒子の結晶配向性を乱してしまう。
そのため、保磁力および逆磁区核形成磁界を減少させて
しまうため好ましくない。

【００６５】垂直磁性膜５に使われる磁性材料としてＮ
ｄ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕから選ばれる１種類以上の元素を含
む材料を使う場合、それらの合計含有量が０．５〜１５
ａｔ％であることが好ましい。これら元素は、保磁力お
よび逆磁区核形成磁界を大きくする作用を有するが、
０．５ａｔ％未満では添加したことによる効果が得られ
ず、１５ａｔ％を超えて過剰に添加した場合、磁性粒子
内に残留し、磁気異方性定数（Ｋｕ）の低下を生じさせ
たり、磁性粒子の結晶配向性を乱してしまう。そのた
め、反対に保磁力および逆磁区核形成磁界を減少させて
しまうため好ましくない。

【００６６】また、このほかにも、垂直磁性膜には、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ
などから選ばれる少なくとも１種類以上の元素を添加し
た合金を用いることもできる。

【００６７】垂直磁性膜５は、ＣｏＣｒＰｔ系材料から
なる１層構造とすることもできるし、組成の異なる材料
からなる２層以上の構造とすることもできる。

【００６８】また、Ｃｏ系合金（ＣｏＣｒ、ＣｏＢ、Ｃ
ｏ−ＳｉＯ２等）とＰｄ系合金（ＰｄＢ、Ｐｄ−ＳｉＯ
２等）とを用いた多層構造やＣｏＴｂやＣｏＮｄ等のア
モルファス材料とＣｏＣｒＰｔ系材料とを用いた多層構
造とすることもできる。

【００６９】例えば、ＣｏＣｒＰｔ系材料を第１垂直磁
性膜として設け、その上に組成の異なるＣｏＣｒＰｔ系
材料を第２垂直磁性膜とすることができる。

【００７０】また、ＣｏＣｒＰｔ系材料を第１垂直磁性
膜として設け、その上にＣｏＮｄを第２垂直磁性膜とし
て設けることができる。

【００７１】垂直磁性膜の△θ５０が２〜１０°の範囲
であることが好ましい。この△θ５０は、２°未満であ
ると、磁性粒子間の交換結合が大きくなり、記録再生特
性が劣化するため好ましくない。△θ５０が１０°を超
えると、残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ
／Ｍｓが悪化し、熱揺らぎ耐性が悪化するため好ましく
ない。

【００７２】ここでいう△θ５０とは、当該膜の結晶面
の傾き分布を示すものであり、具体的には、膜表面にお
ける特定の配向面に関するロッキング曲線のピークの半
値幅をいう。△θ５０は、数値が小さいほど当該膜の結
晶配向性が高いということができる。以下、△θ５０を
測定する方法の一例を説明する。

【００７３】（１）ピーク位置決定図５に示すように、表面側に垂直磁性膜５が形成された
ディスクＤに、入射Ｘ線２１を照射し、回折Ｘ線２２を
回折Ｘ線検出器２３によって検出する。

【００７４】検出器２３の位置は、この検出器２３によ
って検出される回折Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対する角
度（入射Ｘ線２１の延長線２４に対する回折Ｘ線２２の
角度）が、入射Ｘ線２１のディスクＤ表面に対する入射
角θの２倍、すなわち２θとなるように設定する。入射
Ｘ線２１を照射する際には、ディスクＤの向きを変化さ
せることにより入射Ｘ線２１の入射角θを変化させると
ともに、これに連動させて、検出器２３の位置を、回折
Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対する角度が２θ（すなわち
入射Ｘ線２１の入射角θの２倍の角度）を維持するよう
に変化させつつ、回折Ｘ線２２の強度を検出器２３によ
り測定するθ−２θスキャン法を行う。

【００７５】これによって、θと回折Ｘ線２２の強度と
の関係を調べ、回折Ｘ線２２の強度が最大となるような
検出器２３の位置を決定する。この検出器位置における
回折Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対する角度２θを、２θ
ｐという。得られた角度２θｐより、膜表面において支
配的な結晶面を知ることができる。

【００７６】（２）ロッキング曲線の決定図６に示すように、検出器２３を、回折Ｘ線２２の角度
２θが２θｐとなった位置に固定した状態で、ディスク
Ｄの向きを変化させることにより入射Ｘ線２１の入射角
θを変化させ、入射角θと、検出器２３によって検出さ
れた回折Ｘ線２２の強度との関係を示すロッキング曲線
を作成する。検出器２３の位置を、回折Ｘ線２２の角度
２θが２θｐとなった位置に固定するため、ロッキング
曲線は、膜表面の結晶面のディスクＤ面に対する傾きの
分布を表すものとなる。図７は、ロッキング曲線の例を
示すものである。△θ５０とは、このロッキング曲線に
おいて当該配向面を示すピークの半値幅をいう。

【００７７】垂直磁性膜５の厚さは、７〜６０ｎｍ（よ
り好ましくは１０〜４０ｎｍ。）とするのが好ましい。
垂直磁性膜５の厚さが７ｎｍ以上であると、十分な磁束
が得らるので、再生時における出力が低くなることがな
く、出力波形がノイズ成分にうずもれてしまうことがな
いので、より高記録密度に適した磁気記録再生装置とし
て動作するので好ましい。また、垂直磁性膜５の厚さが
６０ｎｍ以下であると、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗
大化を抑えることができ、ノイズの増大といった記録再
生特性の劣化が生じるおそれがないため好ましい。

【００７８】垂直磁性膜５の保磁力は、３０００（Ｏ
ｅ）以上とすることが好ましい。保磁力が３０００（Ｏ
ｅ）未満であると、記録再生特性の一つである分解能に
おいて高記録密度に求められている充分な特性が得られ
ず、あるいは熱揺らぎ耐性が劣るため好ましくない。

【００７９】垂直磁性膜５の残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁
化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓが０．９以上であることが好
ましい。Ｍｒ／Ｍｓが０．９未満の磁気記録媒体は、熱
揺らぎ耐性が劣るため好ましくない。

【００８０】垂直磁性膜５の逆磁区核形成磁界（−Ｈ
ｎ）は、０以上２５００（Ｏｅ）以下（より好ましくは
１０００（Ｏｅ）以下。）であることが好ましい。逆磁
区核形成磁界（−Ｈｎ）が、０未満の磁気記録媒体は、
熱揺らぎ耐性に劣るため好ましくない。また、逆磁区核
形成磁界（−Ｈｎ）の上限は、２５００（Ｏｅ）とさ
れている。それ以上の逆磁区核形成磁界(−Ｈｎ)を得よ
うとすると、磁性粒子の磁気的な分離が不充分となり、
活性化磁気モーメント（ｖＩｓｂ）が増大し、結果とし
て記録再生時におけるノイズが増加するといったことが
ことおきやすくなるため好ましくない。

【００８１】垂直磁性膜５は、結晶粒子の平均粒径が５
〜１５ｎｍであることが好ましい。この平均粒径は、例
えば垂直磁性膜５の結晶粒子をＴＥＭ（透過型電子顕微
鏡）で観察し、観察像を画像処理することにより求める
ことができる。

【００８２】垂直磁性膜５の△Ｈｃ／Ｈｃは０．３以下
（より好ましくは０．２５以下。）であることが好まし
い。△Ｈｃ／Ｈｃが０．３以下であると、磁性粒子の粒
径のばらつきが小さくなるので、垂直磁性膜の垂直方向
保磁力の面内での分布がより均一となるので、記録再生
特性および熱揺らぎ耐性が悪化することを抑えることが
できるので好ましい。

【００８３】保護膜６は垂直磁性膜５の腐食を防ぐとと
もに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損
傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を使用できる。
例えばＣ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を含むものが使用可能で
ある。

【００８４】保護層６の厚さは、１〜１０ｎｍとするの
がヘッドと媒体の距離を小さくできるので高記録密度の
点から望ましい。

【００８５】潤滑膜７には従来公知の材料、例えばパー
フルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化
カルボン酸などを用いるのが好ましい。

【００８６】本形態の磁気記録媒体にあっては、配向制
御膜がＮｉ−Ｘ１−Ｘ２で表され、Ｎｉの含有率が２０
〜８０ａｔ％で、Ｘ１がＴａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ
から選ばれるいずれか１種または２種以上、Ｘ２がＢ、
Ｃ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｔから選ばれるいずれか１種ま
たは２種以上である合金からなる磁気記録媒体であるの
で、より高記録密度で使用した時の記録再生特性が向上
（例えば、ノイズの低減）しおよび／または熱揺らぎ耐
性が向上しているので、高密度の情報の記録再生が可能
な磁気記録媒体となる。

【００８７】熱揺らぎ耐性とは、熱揺らぎが起こりにく
い特性のことを意味する。熱揺らぎとは、記録ビットが
不安定となり記録したデータの熱消失が起こる現象をい
い、磁気記録媒体装置においては、記録したデータの再
生出力の経時的な減衰として現れる。

【００８８】図８は、本発明の磁気記録媒体の第２の実
施形態の一例を示すものである。非磁性基板１と軟磁性
下地膜２との間に、磁化容易軸が主に面内方向を向いた
永久磁石膜８を設けた例である。

【００８９】永久磁石膜８にはＣｏＳｍ合金や、ＣｏＣ
ｒＰｔＸ４合金（Ｘ４：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃ
ｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｂから選
ばれるいずれか１種または２種以上。）を用いるのが好
適である。

【００９０】永久磁石膜８は、保磁力Ｈｃが５００（Ｏ
ｅ）以上（好ましくは１０００（Ｏｅ）以上）であるこ
とが好ましい。

【００９１】永久磁石膜８の厚さは、１５０ｎｍ以下
（好ましくは７０ｎｍ以下）であることが好ましい。永
久磁石膜８の厚さが１５０ｎｍを超えると、配向制御膜
３の表面平均粗さＲａが大きくなるため好ましくない。

【００９２】永久磁石膜８は、軟磁性下地膜２と交換結
合しており、磁化方向が基板半径方向に向けられた構成
とするのが好ましい。

【００９３】永久磁石膜８を設けることにより、より効
果的に軟磁性下地膜２に時壁で囲まれた巨大な磁区が形
成されることを抑えることができるので、磁壁に起因す
るスパイクノイズの発生を防止して、記録再生時のエラ
ーレートをより良好にすることができる。

【００９４】永久磁石膜８の配向を制御するために、非
磁性基板１と永久磁石膜８との間にＣｒ合金材料やＢ２
構造材料からなる膜を設けてもよい。

【００９５】上記の実施形態の磁気記録媒体の製造方法
の一例を説明する。以上の構成の磁気記録媒体を製造す
るには、非磁性基板１上にスパッタ法などにより、軟磁
性下地膜２を形成し、その後必要に応じてこの軟磁性下
地膜２の表面を酸化処理を施し、次いで配向制御膜３、
中間膜４、垂直磁性膜５をスパッタ法などにより形成
し、次いで保護膜６をＣＶＤ法、イオンビーム法、スパ
ッタ法などにより形成する。次いで、ディッピング法、
スピンコート法などにより潤滑膜７を形成する。

【００９６】なお、上記磁気記録媒体の製造方法におい
て、好ましくは基板１と軟磁性下地膜２との間に永久磁
石膜８を形成する工程を含ませることもできる。

【００９７】以下工程ごとに説明する。必要に応じて非
磁性基板を洗浄して、基板を成膜装置のチャンバ内に設
置する。必要に応じて基板は、例えばヒータより１００
〜４００℃に加熱される。非磁性基板１上に、軟磁性下
地膜２と、配向制御膜３と、中間膜４と、垂直磁性膜５
を各膜の材料と同じ組成の材料を原料とするスパッタタ
ーゲットを用いてＤＣ或いはＲＦマグネトロンスパッタ
法により形成する。膜を形成するためのスパッタの条件
は例えば次のようにする。形成に用いるチャンバ内は真
空度が１０^-5〜１０^-7Ｐａとなるまで排気する。チャン
バ内に基板を収容して、スパッタガスとして、たとえば
Ａｒガスを導入して放電させてスパッタ成膜をおこな
う。このとき、供給するパワーは０．２〜５ｋＷとし、
放電時間と供給するパワーを調節することによって、所
望の膜厚を得ることができる。

【００９８】軟磁性下地膜２を放電時間と供給するパワ
ーを調節することによって５０〜４００ｎｍの膜厚で形
成するのが好ましい。

【００９９】軟磁性下地膜２を形成する際には、軟磁性
材料からなるスパッタターゲットを用いるのが軟磁性下
地膜を容易に形成できるので好ましい。軟磁性材料とし
ては、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、
ＦｅＮｉ系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣ
ｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、
ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲ
ｕ、ＦｅＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、Ｆ
ｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（Ｆ
ｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合
金（ＦｅＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮな
ど）、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、
ＦｅＰ系合金、ＦｅＮＢ系合金、ＦｅＨｆ系合金、Ｆｅ
Ｂ系合金、Ｆｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、
ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮを挙げることがで
きる。さらに、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎ
Ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有
し、アモルファス構造を有している、ＣｏＺｒ系合金、
ＣｏＺｒＮＢ系合金、ＣｏＺｒＴａ系合金、ＣｏＺｒＣ
ｒ系合金、ＣｏＺｒＭｏ系合金を好適なものとして挙げ
ることができる。

【０１００】上記のターゲットは溶製法による合金ター
ゲットまたは焼結合金ターゲットである。

【０１０１】軟磁性下地膜２を形成した後に、その表面
を酸化する工程を含ませるのが好ましい。例えば軟磁性
下地膜２を形成した後、酸素を含む雰囲気に曝す方法
や、軟磁性下地膜２の表面に近い部分を成膜する際のプ
ロセス中に酸素を導入する方法を挙げることができる。

【０１０２】軟磁性下地膜２を形成後、配向制御膜を、
放電時間と供給するパワーを調節することによって０．
５〜３０ｎｍ（より好ましくは１〜１０ｎｍ）の膜厚で
形成する。

【０１０３】配向制御膜を形成する際には、配向制御膜
の材料からなるスパッタターゲットを用いるのが配向制
御膜を容易に形成できるので好ましい。配向制御膜の形
成に用いるスパッタ用ターゲットの材料は、Ｎｉ−Ｘ１
−Ｘ２で表される合金であって、Ｎｉの含有率が２０〜
８０ａｔ％で、Ｘ１がＴａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉか
ら選ばれるいずれか１種または２種以上、Ｘ２がＢ、
Ｃ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｔから選ばれるいずれか１種ま
たは２種以上である合金である。

【０１０４】配向制御膜の形成に用いるスパッタ用ター
ゲットの材料は、ＮｉＴａＣ合金、ＮｉＮｂＣ合金、Ｎ
ｉＴａＰ合金、ＮｉＴａＰｔ合金から選ばれるいずれか
１種であることが好ましい。

【０１０５】配向制御膜の形成に用いるスパッタ用ター
ゲットの材料は、ＮｉとＴａとＣを含む材料からなり、
ｘＮｉ−ｙＴａ−ｚＣ（２０ａｔ％≦ｘ≦８０ａｔ％、
１５ａｔ％≦ｙ≦７５ａｔ％、０．５ａｔ％≦ｚ≦５０
ａｔ％）で表される組成であることが好ましい。

【０１０６】配向制御膜３の成膜用のガスに、その上に
設けられる垂直磁性膜を微細化する目的で、酸素や窒素
を導入してもよい。例えば、成膜法としてスパッタ法を
用いるならば、プロセスガスとしては、アルゴンに酸素
を体積率で０．０５〜５０％（好ましくは０．１〜２０
％）程度混合したガス、アルゴンに窒素を体積率で０．
０１〜２０％（好ましくは０．０２〜１０％）程度混合
したガスが好適に用いられる。

【０１０７】配向制御膜を形成した後、垂直磁性膜５を
成膜する。垂直磁性膜を形成する際には、垂直磁性膜の
材料からなるスパッタターゲットを用いるのが垂直磁性
膜を容易に形成できるので好ましい。

【０１０８】スパッタターゲットの材料は、Ｃｒの含有
量が１４〜２４ａｔ％、Ｐｔの含有量が１４〜２４ａｔ
％であるＣｏＣｒＰｔを主成分とする組成とすることが
できる。

【０１０９】例えば、Ｃｏ２０Ｃｒ１６Ｐｔ４Ｂ（Ｃｒ
含有率２０ａｔ％、Ｐｔ含有率１６ａｔ％、Ｂ含有率４
ａｔ％）やＣｏ１８Ｃｒ２０Ｐｔ４Ｃｕ（Ｃｒ含有率１
８ａｔ％、Ｐｔ含有率２０ａｔ％、Ｃｕ含有率４ａｔ
％）、Ｃｏ１９Ｃｒ１２Ｐｔ６Ｔａ２Ｍｏ（Ｃｒ含有率
１９ａｔ％、Ｐｔ含有率１２ａｔ％、Ｔａ含有率６ａｔ
％、Ｍｏ含有率２ａｔ％）、Ｃｏ１８Ｃｒ２０Ｐｔ２Ｃ
ｕ２Ｒｕ（Ｃｒ含有率１８ａｔ％、Ｐｔ含有率２０ａｔ
％、Ｃｕ含有率２ａｔ％、Ｒｕ含有率２ａｔ％）の他、
ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、Ｃｏ
ＣｒＰｔＴａＣｕ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系合金、
ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＮｄ系合
金、ＣｏＣｒＰｔＢＷ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭｏ系合
金、ＣｏＣｒＰｔＢＲｕ系合金材料を挙げることができ
る。

【０１１０】軟磁性下地膜の配向制御膜と垂直磁性層と
の間に中間膜を設ける場合は、ＣｏＣｒ合金（Ｃｒの含
有量は２５〜４５ａｔ％）を原料としたスパッタターゲ
ットを用いるのが好ましい。ＣｏＣｒ合金としては、Ｃ
ｏＣｒ合金やＣｏＣｒＸ５合金やＣｏＸ５合金（Ｘ５：
Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｕ，ＮＢ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍ
ｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｂから選ばれるいずれ１種ま
たは２種以上。）を挙げることができる。このとき、垂
直磁性層にＢを含む場合には、軟磁性下地膜と垂直磁性
層との境界付近において、Ｂ濃度が１ａｔ％以上の領域
におけるＣｒ濃度が４０ａｔ％以下となるようなスパッ
タ条件で成膜するのが好ましい。

【０１１１】垂直磁性層を形成した後、公知の方法、例
えばスパッタ法、プラズマＣＶＤ法またはそれらの組み
合わせを用いて保護膜、たとえばカーボンを主成分とす
る保護膜を形成する。

【０１１２】さらに、保護膜上には必要に応じパーフル
オロポリエーテルのフッ素系潤滑剤をディップ法、スピ
ンコート法などを用いて塗布し潤滑膜を形成する。

【０１１３】本発明に従って製造した磁気記録媒体は、
配向制御膜がＮｉ−Ｘ１−Ｘ２で表される合金であっ
て、Ｎｉの含有率が２０〜８０ａｔ％で、Ｘ１がＴａ、
Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれるいずれか１種また
は２種以上、Ｘ２がＢ、Ｃ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｔから
選ばれるいずれか１種または２種以上である磁気記録媒
体であるので、より高記録密度で使用した時の記録再生
特性が向上（例えば、ノイズの低減）しおよび／または
熱減磁耐性が向上しているので、高密度の情報の記録再
生が可能な磁気記録媒体となる。

【０１１４】図９は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記
録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録
再生装置は、磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０を
回転駆動させる媒体駆動部１１と、磁気記録媒体１０に
情報を記録再生する磁気ヘッド１２と、ヘッド駆動部１
３と、記録再生信号処理系１４とを備えている。記録再
生信号処理系１４は、入力されたデータを処理して記録
信号を磁気ヘッド１２に送ったり、磁気ヘッド１２から
の再生信号を処理してデータを出力することができるよ
うになっている。

【０１１５】磁気ヘッド１２としては、垂直記録用の単
磁極ヘッドを例示することができる。図９（ｂ）に示す
ように、この単磁極ヘッドとしては、種磁極１２ａと、
補助磁極１２ｂと、これら連結部１２ｃに設けられたコ
イル１２ｄとを有する構成のものを好適に用いることが
できる。

【０１１６】上記磁気記録再生装置によれば、上記磁気
記録媒体９を用いるので、熱揺らぎ耐性および／または
記録再生特性を高めることができる。従って、本発明の
磁気記録再生装置によれば、熱揺らぎによるデータ消失
などのトラブルを未然に防ぐとともに、高記録密度化を
図ることができる。

【０１１７】

【実施例】以下、実施例を示して本発明の作用効果を明
確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定される
ものではない。（実施例１）洗浄済みのガラス基板（オハラ社製、外直
径２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容し
て、到達真空度１×１０^-5Ｐａとなるまで成膜チャンバ
内を排気した後、このガラス基板上に８９Ｃｏ−４Ｚｒ
−７Ｎｂ（Ｃｏ含有量８９ａｔ％、Ｚｒ含有量４ａｔ
％、Ｎｂ含有量７ａｔ％）のターゲットを用いて１００
℃以下の基板温度で２００ｎｍの軟磁性下地膜２をスパ
ッタ法により成膜した。この膜の飽和磁束密度Ｂｓ
（Ｔ）と膜厚ｔ（ｎｍ）の積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が２
４０（Ｔ・ｎｍ）であることを振動式磁気特性測定装置
（ＶＳＭ）で確認した。

【０１１８】次いで、基板を２４０℃に加熱して、上記
軟磁性下地膜上に、６０Ｎｉ−３５Ｔａ−５Ｃターゲッ
トを用いて１０ｎｍの配向制御膜３を形成し、６５Ｃｏ
−３０Ｃｒ−５Ｂ（Ｃｏ含有量６５ａｔ％、Ｃｒ含有量
３０ａｔ％、Ｂ含有量５ａｔ％）ターゲットを用いて５
ｎｍの中間膜４、６４Ｃｏ−１７Ｃｒ−１７Ｐｔ−２Ｂ
（Ｃｏ含有量６４ａｔ％、Ｃｒ含有量１７ａｔ％、Ｐｔ
含有量１７ａｔ％、Ｂ含有量２ａｔ）ターゲットを用い
て２０ｎｍの垂直磁性膜５を順次形成した。なお、上記
スパッタリング工程においては、成膜用のプロセスガス
としてアルゴンを用い、圧力０．５Ｐａにて成膜した。

【０１１９】次いで、ＣＶＤ法により５ｎｍの保護膜６
を形成した。次いで、ディッピング法によりパーフルオ
ロポリエーテルからなる潤滑膜７を形成し、磁気記録媒
体を得た。この内容を表１に示す。

【０１２０】（比較例１〜５）配向制御膜３の成膜にお
いて、６５Ｎｉ−３５Ｔａターゲット（比較例１）、６
０Ｒｕ−４０Ｃｏターゲット（比較例２）、Ｃターゲッ
ト（比較例３）、１０Ｎｉ−７０Ｔａ−２０Ｃターゲッ
ト（比較例４）、８５Ｎｉ−１０Ｔａ−５Ｃターゲット
（比較例５）を用いた以外は、実施例１に準じて磁気記
録媒体を作製した。この内容を表１に示す。

【０１２１】（実施例２〜１７）表１に示したように配
向制御膜３の組成と厚さを変えた以外は、実施例１に準
じて磁気記録媒体を作製した。これら実施例および比較
例の磁気記録媒体について、記録再生特性を評価した。
記録再生特性の評価は、米国ＧＵＺＩＫ社製リードライ
トアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ
１７０１ＭＰを用いて測定した。記録再生特性の評価に
は、書き込みをシングルポール磁極、再生部にＧＭＲ素
子を用いたヘッドを用いて、記録周波数条件を記録密度
５２０ｋＦＣＩとして測定した。

【０１２２】熱揺らぎ特性（熱揺らぎ耐性、熱減磁）の
評価は、７０℃の条件下で記録密度５０ｋＦＣＩにて書
き込みをおこなった後、書き込み後１秒後の再生出力に
対する出力の減衰率を（Ｓｏ−Ｓ）×１００／（Ｓｏ×
３）に基づいて算出した。この式において、Ｓｏは磁気
記録媒体に書き込み後１秒経過時の再生出力を示し、Ｓ
は１０００秒後の再生出力を示す。これらの評価結果を
表１に示す。

【０１２３】

【表１】

【０１２４】表１より、配向制御膜３がｘＮｉ−Ｘ１−
Ｘ２（２０ａｔ％≦ｘ≦８０ａｔ％。Ｘ１＝Ｔａ、Ｎ
ｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれたいずれか１種または
２種以上。Ｘ２＝Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｔから選
ばれたいずれか１種または２種以上。）からなる合金で
ある実施例は優れた記録再生特性を示した。

【０１２５】表１より、配向制御膜３がｘＮｉ−Ｘ１−
Ｘ２（２０ａｔ％≦ｘ≦８０ａｔ％。Ｘ１＝４Ａ族の元
素、５Ａ族の元素から選ばれたいずれか１種または２種
以上。Ｘ２＝３Ｂ族の元素、４Ｂ族の元素、Ｐｔから選
ばれたいずれか１種または２種以上。）からなる合金で
ある実施例は優れた記録再生特性を示した。

【０１２６】配向制御膜３がＮｉＴａＣ合金、ＮｉＮｂ
Ｃ合金、ＮｉＴａＰ合金、ＮｉＴａＰｔ合金から選ばれ
たいずれかの合金である実施例はより優れた記録再生特
性を示した。

【０１２７】配向制御膜３がｘＮｉ−ｙＴａ−ｚＣ（２
０ａｔ％≦ｘ≦８０ａｔ％、１５ａｔ％≦ｙ≦７５ａｔ
％、０．５ａｔ％≦ｚ≦３０ａｔ％。）からなる合金で
ある実施例はより優れた記録再生特性を示した。

【０１２８】（実施例１８〜２３）垂直磁性膜５を表２
に示すとおりとした以外は、実施例１に準じて磁気記録
媒体を作製した。これらの実施例および比較例の磁気記
録媒体について、記録再生特性を評価した。評価結果を
表２に示す。

【０１２９】

【表２】

【０１３０】表２より、Ｃｒの含有量が１４〜２６ａｔ
％、Ｐｔの含有量が１４〜２４ａｔ％である磁気記録媒
体は、優れた磁気特性を示すことが分かる。保磁力（Ｈ
ｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈ
ｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化
（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．８
５以上である実施例は優れた磁気特性を示すことが分か
る。

【０１３１】（実施例２４〜３０）軟磁性下地膜２の組
成を表３に示すとおりとした以外は、実施例１に準じて
磁気記録媒体を作製した。これらの実施例の磁気記録媒
体について、記録再生特性を評価した。評価結果を表３
に示す。

【０１３２】

【表３】

【０１３３】表３より、軟磁性下地膜２を設けることに
より、優れた記録再生特性を得ることができたことが分
かる。

【０１３４】（実施例３１〜３７）中間膜４の材料およ
びその厚さを表４に示すとおりとした以外は、実施例１
に準じて磁気記録媒体を作製した。これらの実施例の磁
気記録媒体について、記録再生特性を評価した。評価結
果を表４に示す。

【０１３５】

【表４】

【０１３６】表４より、優れた記録再生特性が得られた
ことが分かる。

【０１３７】（実施例３８〜４０）非磁性基板１と軟磁
性下地膜２との間に永久磁石膜８を表５に示すとおり設
けた以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製し
た。これらの実施例の磁気記録媒体について、記録再生
特性を評価した。評価結果を表５に示す。

【０１３８】

【表５】

【０１３９】表５より、永久磁石膜８を設けたものは、
記録再生特性を悪化させることなく、軟磁性下地膜２の
磁壁起因のスパイク状ノイズの発生を抑えることができ
た。

【０１４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体にあっては、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性下
地膜と直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化
容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、
保護膜が設けられ、前記配向制御膜がＮｉ−Ｘ１−Ｘ２
で表される合金であって、Ｎｉの含有率が２０〜８０ａ
ｔ％で、Ｘ１がＴａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉから選ば
れるいずれか１種または２種以上、Ｘ２がＢ、Ｃ、Ｐ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｔから選ばれるいずれか１種または２種
以上であるので、記録再生特性が向上しおよび／または
熱揺らぎ耐性が向上するので、高記録密度に適した磁気
記録媒体となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態の一例
を示す１部断面図である。

【図２】逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）の一例を示すグラ
フである。

【図３】逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）の他の例を示すグ
ラフである。

【図４】△Ｈｃ／Ｈｃの一例を示すグラフである。

【図５】△θ５０の測定方法を説明する説明図である。

【図６】△θ５０の測定方法を説明する説明図である。

【図７】ロッキング曲線の一例を示すグラフである。

【図８】本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態の一例
を示す１部断面図である。

【図９】本発明の磁気記録再生装置の１例を示す概略図
であり、（ａ）は全体構成を示し、（ｂ）は磁気ヘッド
を示す。

【符号の説明】

１：非磁性基板、２：軟磁性下地膜、３：配向制御膜、
４：中間膜、５：垂直磁性膜、６：保護膜、７：潤滑
膜、８：永久磁石膜、１０：磁気記録媒体、１１：媒体
駆動部、１２：磁気ヘッド、１２ａ：主磁極、１２ｂ：
補助磁極、１２ｃ：連結部、１２ｄ：コイル、１３：ヘ
ッド駆動部、１４：記録再生信号処理系

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｆ 10/16 Ｈ０１Ｆ 10/16 10/28 10/28 10/30 10/30 41/18 41/18 (72)発明者國分誠人千葉県市原市八幡海岸通り５番の１昭和電工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者望月寛夫千葉県市原市八幡海岸通り５番の１昭和電工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者酒井浩志千葉県市原市八幡海岸通り５番の１昭和電工エイチ・ディー株式会社内Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB06 BB07 CA01 CA03 CA05 CA06 DA03 DA08 FA09 5D112 AA03 AA04 AA05 AA24 BB01 BB06 BD03 FA04 5E049 AA01 AA04 AA09 AC05 BA08 CB01 DB02 DB12 GC01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性下地
膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化
容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、
保護膜とが設けられ、該配向制御膜がＮｉ−Ｘ１−Ｘ２
で表される合金であって、Ｎｉの含有率が２０〜８０ａ
ｔ％で、Ｘ１がＴａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉから選ば
れるいずれか１種または２種以上、Ｘ２がＢ、Ｃ、Ｐ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｔから選ばれるいずれか１種または２種
以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性下地
膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化
容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、
保護膜とが設けられ、該配向制御膜がＮｉ−Ｘ１−Ｘ２
で表される合金であって、Ｎｉの含有率が２０〜８０ａ
ｔ％で、Ｘ１が４Ａ族の元素、５Ａ族の元素から選ばれ
るいずれか１種または２種以上、Ｘ２が３Ｂ族の元素、
４Ｂ族の元素、Ｐｔからから選ばれるいずれか１種また
は２種以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】配向制御膜が、ＮｉＴａＣ合金、ＮｉＮｂ
Ｃ合金、ＮｉＴａＰ合金、ＮｉＴａＰｔ合金から選ばれ
るいずれか１種であることを特徴とする請求項１または
２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】配向制御膜が、ＮｉとＴａとＣを含む材料
からなり、ｘＮｉ−ｙＴａ−ｚＣ（２０ａｔ％≦ｘ≦８
０ａｔ％、１５ａｔ％≦ｙ≦７５ａｔ％、０．５ａｔ％
≦ｚ≦５０ａｔ％）で表される組成であることを特徴と
する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気記録媒
体。
【請求項５】配向制御膜の厚さが、０．５ｎｍ〜３０ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１
項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】垂直磁性膜の△Ｈｃ／Ｈｃが０．３以下で
あることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に
記載の磁気記録媒体。
【請求項７】垂直磁性膜がＣｒの含有量が１４〜２４ａ
ｔ％、Ｐｔの含有量が１４〜２４ａｔ％であるＣｏＣｒ
Ｐｔを主成分とする組成であり、磁気記録媒体の保磁力
（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界
（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残
留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが
０．９以上であることを特徴とする請求項１乃至６のい
ずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】垂直磁性膜が、その組成が０．１〜５ａｔ
％のＢを含有し、垂直磁性膜の△θ５０が２〜１０°の
範囲であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか
１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】軟磁性下地膜の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と
膜厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が４０（Ｔ
・ｎｍ）以上であることを特徴とする請求項１乃至８の
いずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】配向制御膜と垂直磁性膜との間に、Ｃｏ
Ｃｒ合金、ＣｏＣｒＸ３合金、ＣｏＸ３合金（Ｘ３：Ｐ
ｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｕ，Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍ
ｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｂから選ばれるいずれか１種
または２種以上。）から選ばれるいずれか１種であり、
Ｃｏの含有量は３０〜７０ａｔ％である中間膜が形成さ
れていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１
項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】中間膜の厚さが２０ｎｍ以下であること
を特徴とする請求項１０に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】非磁性基板と軟磁性下地膜の間に硬磁性
材料からなる永久磁石膜が設けられていることを特徴と
する請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の磁気記録
媒体。
【請求項１３】非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性下
地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁
化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜
と、保護膜とを順次形成する磁気記録媒体の製造方法に
おいて、配向制御膜を、Ｎｉ−Ｘ１−Ｘ２で表される合
金であって、Ｎｉの含有率が２０〜８０ａｔ％で、Ｘ１
がＴａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれるいずれか
１種または２種以上、Ｘ２がＢ、Ｃ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｐｔから選ばれるいずれか１種または２種以上であるタ
ーゲットを用いてスパッター法にて形成することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報
を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置
であって、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気記録
媒体が、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の磁気
記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。