JP2003089883A - 機能性素子及びその製造方法 - Google Patents
機能性素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2003089883A JP2003089883A JP2001282562A JP2001282562A JP2003089883A JP 2003089883 A JP2003089883 A JP 2003089883A JP 2001282562 A JP2001282562 A JP 2001282562A JP 2001282562 A JP2001282562 A JP 2001282562A JP 2003089883 A JP2003089883 A JP 2003089883A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal
- ceramic substrate
- substrate material
- functional element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
料に導電層をコーティングする場合、膜質、皮膜の密着
性、成膜速度、コーティングプロセスの簡便性、環境低
負荷等の要求特性を満足するコーティングプロセスが望
まれている。 【解決手段】セラミックス基板材料に金属粉末を室温大
気中、高速噴射することにより金属皮膜または金属化合
物皮膜をコーティングする。
Description
の表面に金属皮膜または金属化合物皮膜をコーティング
した機能性素子に関する。
ンデンサ、IC基板、LSI、着火素子、圧電フィル
タ、表面波デバイス、圧電トランス、圧電振動子、サー
ミスタ、ガス吸着形半導体、パワエレモジュール、ガス
センサー、熱電変換モジュールなどのデバイスに各種機
能性素子が用いられている。これらの機能性素子は薄い
平板上に導電層となる電極が設けられてモジュール化
し、システムに組み込まれる。この時、機能性素子の電
極はメタライジング、ペースト焼付け、はんだ接合等い
ろいろなコーティング手法により形成されている。これ
らの形成方法はシステム側の要求特性、コーティングプ
ロセス整合性、コスト等の兼ね合いで決定されている。
ス基板に素子が搭載されているLSIについて説明す
る。高速LSI素子を高密度に搭載し、素子の性能を引
き出す半導体実装基板において、近年その表面に形成す
る回路配線の微細化が進んでいる。実装基板上の回路配
線はライン&スペースで各10μm以下のものが求めら
れてきている。この要求を満足するためには薄膜メタラ
イズを用いた微細配線や電極を形成することが必要とな
っている。LSI素子の高集積化に伴い高熱を発する素
子の放熱対策も必要であり、セラミックスは熱に対して
安定であるため高発熱素子を実装する基板として適して
おり、特に高い絶縁性をもちながら金属並みの熱伝導性
を有するセラミックスが機能性素子の高密度実装基板と
して有望視されている。
ためには、素子同士の配線長さを短縮し、素子を裸のま
まで基板にはんだ接合する手法が効果的で、この接合方
法を採用した場合基板には素子材料であるシリコンに近
い熱膨張が要求されるため薄膜メタライズを施したセラ
ミックス基板が最適である。
ッター、真空蒸着、CVDを代表とする気相法によるも
のと、電解めっき、無電解めっき等のウエットコーティ
ングプロセスによるものが挙げられる。実装基板上のメ
タライズは次の例のように形成されている。まず、セラ
ミックスとの接合性のよい下地密着相をスパッターで形
成し、その上にめっきを施すためのシード層をスパッタ
ーで製膜する。次に、このシード層に端子を接続しめっ
き皮膜を成長させる。そして、保護層(金)を電解また
は無電解めっきで形成する。実装基板ではその上部に絶
縁薄膜層として形成する樹脂の熱処理及び表面部品のア
センブリを400℃程度で加熱する。
間の相互拡散、反応等を十分に留意する必要がある。例
えば、チタンは下地密着層として一般に利用されている
材料であるが、銅に1at%固溶すると抵抗値が約15
倍上昇するため配線層に使用する銅へのチタンの混入は
避けなければならない。さらに、層間反応と共に多層構
造で考慮すべき問題は各皮膜に作用する応力で、皮膜に
発生する応力は基板の反り、膜剥離等に密接に影響を及
ぼす。
となる電極が設けられてモジュール化し、システムに組
み込まれている。一般に、異種材料の接合性は不十分な
ためモジュールの仕様や要求特性に合わせていろいろな
接合方法が選定されている。しかしながら、膜質、皮膜
の密着性、成膜速度、コーティングプロセスの簡便性、
環境低負荷などの要求特性を全て満足するコーティング
プロセスは確立されていない。そのため、高品位な皮膜
が得られる新コーティングプロセスの開発が望まれてい
る。
イズの場合、回路設計によって差異はあるがセラミック
ス基板に接する最下部の金属皮膜は、基板との接触面積
が大きく、高い密着強度が必要である。また、上部に形
成される樹脂の絶縁多層膜の製膜ストレス、熱膨張等の
影響を直接受けるため高い密着強度が要求される。
で、緻密で、密着力に優れたコーティング皮膜が得られ
ると共に、当然のことながら極めて簡便かつ低コスト、
環境に優しいコーティングプロセスであるショットコー
ティングを適用した機能性素子及びその製造方法を提供
することを目的とする。
に記載の発明は、セラミックス基板材料に金属粉末を高
速噴射することにより金属皮膜または金属化合物皮膜を
コーティングさせるようにしたものである。
高温噴射初期には素材表面にエロージョンが生じるが、
エロージョンにより基材の新生面が得られたところに金
属粉末が塑性変形及び一部が溶融することによって密着
し,基材表面にコーティング皮膜が形成される。
て、セラミックス基板材料より融点の低い金属粉末を高
速噴射して金属皮膜または金属化合物皮膜をコーティン
グしたことを特徴とする。
て、セラミックス基板材料より硬度の低い金属の粉末を
高速噴射して金属皮膜または金属化合物皮膜をコーティ
ングしたことを特徴とする。
て、セラミックス基板材料よりヤング率の低い金属の粉
末を高速噴射して金属皮膜または金属化合物皮膜をコー
ティングしたことを特徴とする。
ラミックス基板材料に対する金属粉末材料を選定するこ
とにより、より高品位な膜質で、密着力の高いコーティ
ング皮膜が得られる。
イ素、ジルコニア、炭化ケイ素、窒化アルミ、ムライト
及びこれらの複合材料からなる群より選ばれた少なくと
も1種を含むセラミックス基板材料に、シリコン、チタ
ン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウム及びこれらの
合金からなる群より選ばれた少なくとも1種を含む金属
粉末を高速噴射して金属皮膜または金属化合物皮膜をコ
ーティングしたことを特徴とする。
イ素、ジルコニア、炭化ケイ素、窒化アルミ、ムライト
及びこれらの複合材料からなる群より選ばれた少なくと
も1種を含むセラミックス基板材料に、アルミニウム、
銅、銀、錫、亜鉛、マグネシウム及びこれらの合金から
なる群より選ばれた少なくとも1種を含む金属粉末を高
速噴射して金属皮膜または金属化合物皮膜をコーティン
グしたことを特徴とする。
ライト、チタニア、ステアタイト、窒化ホウ素、チタン
酸バリウム及びこれらの複合材料からなる群より選ばれ
た少なくとも1種を含むセラミックス基板材料に、アル
ミニウム、銅、銀、錫、亜鉛、マグネシウム及びこれら
の合金からなる群より選ばれた少なくとも1種を含む金
属粉末を高速噴射して金属皮膜または金属化合物皮膜を
コーティングしたことを特徴とする。
ラミックス基板材料と金属粉末材料との組合せを選定す
ることにより、より高品位な膜質で、密着力の高いコー
ティング皮膜が得られる。
て、金属粉末の粒径が0.5〜200μmであることを
特徴とする。請求項8記載の発明では、セラミックス基
板材料に対する金属皮膜あるいは金属化合物皮膜の粒径
を選定することにより、より高品位な膜質で、密着力の
高いコーティング皮膜が得られる。
て、セラミックス基板材料に金属粉末を高速噴射する
時、搬送ガスを含む雰囲気ガスと、基板材料の温度を制
御することを特徴とする。請求項9の発明では、金属酸
化物や金属窒化物などの金属化合物が形成され、より高
品位な膜質で、密着力の高いコーティング皮膜が得られ
る。
いて、形成した金属皮膜及び金属化合物皮膜は気孔率1
0%以下であることを特徴とする。請求項11記載の発
明では、請求項1において、金属皮膜及び金属化合物皮
膜は平均表面粗さが10μmRa以下であることを特徴
とする。
は、セラミックス基板材料に対する金属皮膜あるいは金
属化合物皮膜の気孔率、平均表面粗さを選定することに
より、より高品位な膜質で、密着力の高いコーティング
皮膜が得られる。
明者らはショットコーティングという革新的なコーティ
ング技術を発明した。従来からショットピーニングとい
う固体粒子を基材表面に噴射して粗面化、硬化させる技
術が良く知られている。しかし、200μm以下の軟質
金属をセラミックス基材表面に高速噴射すると、初期に
基材表面にエロージョンが生じるものの、その後基材表
面にサブミクロンから数百μmの皮膜が形成されること
を明らかにした。この皮膜はエロージョンにより基材の
新生面が得られたところに金属粉末が塑性変形及び一部
が溶融することによって密着し,密着強度の高い皮膜が
得られる。またコーティングする金属粉末は加熱されて
いないため酸化など熱劣化の影響が小さく,気孔率の小
さな高品位な皮膜が得られる。
を高温で溶融して吹き付ける溶射法や、真空中で金属を
蒸発させるPVD法(物理気相蒸着法)、CVD法(化
学気相蒸着法)などが挙げられる。これに対してショッ
トコーティングは大気中において、常温常圧で基材表面
に金属粉末を高速噴射させることにより皮膜を形成させ
る技術である。このコーティングプロセスでは、緻密
で、密着力に優れた金属皮膜が得られると共に、当然の
ことながら極めて簡便かつ低コスト、環境に優しいコー
ティングプロセスが得るれる。
子に緻密で密着力の高い導電層を形成するコーティング
手法を提案し、その中でも基材材料とコーティング材料
の種類、コーティング条件等を限定することにより高品
位な膜質で、密着力の高い導電層を形成した機能性素子
を提供する。
1及び表1を参照して説明する。図1において、セラミ
ックス基板1であるφ30mmのジルコニア基板に粒径
0.5〜200μmのアルミニウム粉末を室温大気中、
200m/sの噴射速度で吹き付けるショットコーティ
ング法を用いてアルミニウムの皮膜2を約50μmの膜
厚でコーティングした(実施例1)。同様に、実施例1
と同じ基板に同じ材質のコーティング皮膜を大気溶射
法、蒸着法、無電解めっき法を用いてほぼ同等な膜厚を
形成し、比較例1〜3とした。
れた皮膜の膜質、基板と皮膜の密着性、成膜速度、コー
ティングプロセスの簡便性、コスト、耐環境性について
評価した結果を表1に示す。ショットコーティング法は
大気溶射法、蒸着法、無電解めっき法に比べて得られた
皮膜の膜質、基板と皮膜の密着性、成膜速度、コーティ
ングプロセスの簡便性、コスト、耐環境性の観点から優
れた特性を示すことがわかる。
く、厚膜のものまで形成可能であるが、皮膜中の気孔率
が高く、さらに含まれる酸化物の含有量も高いことが知
られている。また、コーティング効率が低く、コスト高
となってしまう。蒸着法は、高品位な膜質の皮膜が得ら
れるが、成膜速度が遅く、また真空チャンバ内でのバッ
ジ処理となるため簡便性、コストの面でマイナスとなっ
てしまう。無電解めっき法は特に環境負荷の面で問題と
なっている他、成膜速度も若干遅くなっている。
表2を参照して説明する。セラミックス基板1であるφ
30mmのジルコニア基板に粒径0.5〜200μmの
アルミニウム粉末を、室温大気中、30〜450m/s
の噴射速度で吹き付けるショットコーティング法を用い
てアルミニウムの皮膜2を約50μmの膜厚でコーティ
ングした(実施例1)。同様に、φ30mmのアルミナ
基板に粒径0.5〜200μmの銅粉末を、室温大気
中、30〜450m/sの噴射速度で吹き付けるショッ
トコーティング法を用いて銅皮膜を約50μmの膜厚で
コーティングした(実施例2)。同様に、φ30mmの
窒化ケイ素基板に粒径0.5〜200μmのチタン粉末
を室温大気中、30〜450m/sの噴射速度で吹き付
けるショットコーティング法を用いて、チタン皮膜を約
50μmの膜厚でコーティングした(実施例3)。同様
に、φ30mmの窒化アルミ基板に粒径0.5〜200
μmのシリコン粉末を、室温大気中、30〜450m/
sの噴射速度で吹き付けるショットコーティング法を用
いてシリコン皮膜を約50μmの膜厚でコーティングし
た(実施例4)。同様に、φ30mmのシリカ基板に粒
径0.5〜200μmの金粉末を、室温大気中、30〜
450m/sの噴射速度で吹き付けるショットコーティ
ング法を用いて金皮膜を約50μmの膜厚でコーティン
グした(実施例5)。同様に、φ30mmのチタニア基
板に粒径0.5〜200μmの銀粉末を、室温大気中、
30〜450m/sの噴射速度で吹き付けるショットコ
ーティング法を用いて銀皮膜を約50μmの膜厚でコー
ティングした(実施例6)。同様に、φ30mmの炭化
ケイ素基板に粒径0.5〜200μmのタングステン粉
末を、室温大気中、30〜450m/sの噴射速度で吹
き付けるショットコーティング法を用いてタングステン
皮膜を約50μmの膜厚でコーティングした(比較例
4)。同様に、φ30mmのコージェライト基板に粒径
0.5〜200μmのニッケル粉末を、室温大気中、3
0〜450m/sの噴射速度で吹き付けるショットコー
ティング法を用いてニッケル皮膜を約50μmの膜厚で
コーティングした(比較例5)。同様に、φ30mmの
ステアタイト基板に粒径0.5〜200μmのモリブデ
ン粉末を、室温大気中、30〜450m/sの噴射速度
で吹き付けるショットコーティング法を用いてモリブデ
ン皮膜を約50μmの膜厚でコーティングした(比較例
6)。
膜2の気孔率を水銀圧入法を用いて測定した。次に、基
板材料と皮膜の密着力を調べるためコーティング皮膜に
治具を取り付けて引張試験を行い引張強度を測定した。
表面粗さは、形成したコーティング皮膜2の表面の平均
表面粗さ(Ra)を測定した。金属酸化物の重量割合は
酸素量を燃焼法により求め、金属酸化物としての重量割
合を算出したものである。
膜2の気孔率、セラミックス基板1の材料と皮膜2の材
料の密着強度、皮膜表面の表面粗さ、皮膜中に含まれる
酸化物含有量を示す。セラミックス基板材料より融点、
硬度、ヤング率の低い金属の粉末を高速噴射した実施例
1〜6においては、皮膜中の気孔率が低く、密着強度も
バラツキなく安定して高い強度を示し、表面粗さも小さ
く、酸化物含有量も大幅に少ない皮膜が得られた。以上
のように、上記材料の組合せでは、セラミックス基板1
の材料上に、高品位な膜質で、優れた密着強度のコーテ
ィング皮膜2を形成することができる。
4及び表3〜表5までを参照して説明する。前記の第2
の実施の形態で記載した製造工程において、ショットコ
ーティングによりコーティング皮膜2をセラミックス基
板1の材料上に形成した。この時、異なる条件で形成さ
れたコーティング皮膜2を持つ複数種類の試験体を作製
した。この場合、具体的には(1)コーティング皮膜材
料の粉末粒径、(2)ショットコーティングプロセスに
おける粉末の噴射速度、(3)ショットコーティングプ
ロセスにおける基板材料の温度という複数の条件対象
に、複数の形成条件によって複数種類のコーティング被
膜を作製した。そして、これらの各条件対象毎に複数種
類のコーティングに対して得られた皮膜の膜厚及びバラ
ツキの測定を行った。
複数種類の形成条件と、その複数種類の形成条件によっ
て形成されたコーティング皮膜を持つ複数種類の試験体
の評価結果について説明する。
の実施の形態と同じ条件でショットコーティングした場
合の膜厚及び成膜状態を示したものである。ここで用い
た粉末の粒径は粉末をレーザー回折法により求めた50
%粒径とした。表3に示すようにφ30mmのアルミナ
基板に粒径10μmと150μmの銅粉末を、室温大気
中、30〜450m/sの噴射速度で、一定時間吹き付
けて銅皮膜をショットコーティングし、これを実施例2
とした。同様に、φ30mmのアルミナ基板に粒径0.
1μmと300μmの銅粉末を、室温大気中、30〜4
50m/sの噴射速度で、一定時間吹き付けて銅皮膜を
ショットコーティングし、これを比較例7とした。
m)との関係を示すグラフであり、具体的にはショット
コーティングで基板材料に高速噴射するコーティング皮
膜材料の粉末粒径と、粉末粒径を変えたコーティング皮
膜の膜厚の測定結果を示している。図2から明らかなよ
うに、10μm及び150μmの粒径の金属粉末を高速
噴射するとバラツキの小さい膜厚の皮膜が容易に形成さ
れる。これに対して、200μmより大きな粒径の粉末
を用いると基板材料のエロージョン摩耗が大きくなり、
0.5μm未満の粉末では、高速噴射されたときの衝突
エネルギーが小さく、皮膜が形成されない領域が生じ
る。また、安定した膜厚の皮膜が得られにくい。
高速噴射したときの結果を示したが、その他の組合せを
用いた場合も同様な結果が見られた。以上のように、基
板材料に金属粉末を高速で吹き付けるショットコーティ
ングにおいて、金属粉末の粒径が0.5μm〜200μ
mの場合、高品位な膜質で、密着力の優れたコーティン
グ皮膜が簡便に低コストで形成することができる。
ける速度 図3は、ショットコーティングにおける金属粉末の噴射
速度と、コーティングの膜厚との関係を示すグラフであ
り、具体的にはショットコーティングにおける粉末の速
度を変えて作製したコーティング皮膜の膜厚の結果を示
している。表4に示すようにφ30mmの窒化アルミ基
板に粒径0.5〜200μmのシリコン粉末を、室温大
気中、100m/sと300m/sの噴射速度で、一定
時間吹き付けるショットコーティングを用いてシリコン
皮膜をコーティングした(実施例4)。同様に、φ30
mmの窒化アルミ基板に粒径0.5〜200μmのシリ
コン粉末を、室温大気中、10m/sと550m/sの
噴射速度で、一定時間吹き付けるショットコーティング
を用いてシリコン皮膜をコーティングした(比較例
8)。
それぞれ示している。図3に示す結果から明らかなよう
に、金属粉末の噴射速度が100m/s及び300m/
sの両方とも安定した膜質の皮膜形成されるのに対し、
450m/sを超える速度で皮膜を形成した場合基板材
料の表面がエロージョン摩耗を起こし所定膜厚の皮膜が
得られにくく、また、皮膜中の残留応力が高くなり剥離
が起こりやすくなる。これに対し、30m/s以下の速
度で皮膜を形成した場合、速度が遅すぎるため粉末が基
板材料に衝突したときのエネルギーが小さく、皮膜が形
成されていない領域が生じ、その部分では膜厚が不均一
となる。
で皮膜を形成した場合、所定膜厚の皮膜が得られやす
く、また、皮膜中の残留応力が低いため密着性の高い皮
膜が得られる。
材料の予熱条件 図4は、ショットコーティングプロセスにおける基板材
料の予熱の有無と、コーティングの膜厚との関係を示す
グラフであり、具体的にはショットコーティングにおけ
る基板材料の予熱温度を変えて作製したコーティング皮
膜の膜厚の結果を示している。
板を室温のままと200℃に加熱したものを準備して、
粒径0.5〜200μmの銀粉末を、大気中、30〜4
50m/sの噴射速度で一定時間吹き付けるショットコ
ーティング法を用いて銀皮膜をコーティングした(実施
例6)。同様に、φ30mmのチタニア基板を500℃
に加熱したものを準備して、粒径0.5〜200μmの
銀粉末を、大気中、30〜450m/sの噴射速度で一
定時間吹き付けるショットコーティング法を用いて銀皮
膜をコーティングした(比較例9)。
ついてそれぞれ示す。基板材料を加熱したものの方が厚
膜が短時間で形成され、また、皮膜中の残留応力が低い
ため密着性の高い皮膜が得られる。しかし、400℃以
上に加熱しても効果はほとんど同じであり、また、材料
によっては酸化や熱変質が見られる場合がある。
り皮膜を形成する際、基板材料を予熱した状態で金属粉
末を吹き付けると、さらに優れた皮膜が短時間で、効率
よく得ることができる。
照して説明する。
造工程において、ショットコーティングによりコーティ
ング皮膜を基板材料上に形成した。このとき、異なる条
件で形成されたコーティング皮膜を持つ複数種類の試験
体を作製した。この場合、具体的には、セラミックス基
板材料に金属粉末を高速噴射するとき、搬送ガスを含む
雰囲気ガスと、基板材料の温度を制御することによって
金属化合物皮膜を形成させた。具体的には(1)金属酸
化物の皮膜を形成させたもの、(2)金属窒化物の皮膜
を形成させたものについて複数の形成条件によって複数
種類のコーティングを作製した。そして、これらの各条
件対象毎に複数種類のコーティングに対して得られた皮
膜の構造をX線回折により評価した。以下に、各条件に
関して具体的に設定した複数種類の形成条件と、その複
数種類の形成条件によって形成されたコーティング皮膜
を持つ複数種類の試験体の評価結果について説明する。
のアルミニウム粉末を、室温大気中、30〜450m/
sの噴射速度で吹き付けてショットコーティングした
(実施例1)。同様にして、φ30mmのジルコニア基
板を800℃に加熱して、粒径0.5〜200μmのア
ルミニウム粉末を搬送ガスに窒素ガスを用いて30〜4
50m/sの噴射速度で吹き付けてショットコーティン
グした(実施例7)。
ミニウムであるのに対し、400℃以上に加熱したセラ
ミックス基板材料に窒素ガスを含む搬送ガスを用いて、
または窒素ガスを含む雰囲気中で高速噴射した実施例7
では金属窒化物である窒化アルミ皮膜が形成された。
のチタン粉末を、室温大気中、30〜450m/sの噴
射速度で吹き付けてショットコーティングした(実施例
3)。同様にして、φ30mmの窒化ケイ素基板を60
0℃に加熱して、粒径0.5〜200μmのチタン粉末
を、室温大気中、30〜450m/sの噴射速度で吹き
付けてショットコーティングした(実施例8)。
ンであるのに対し、400℃以上に加熱したセラミック
ス基板材料に空気または酸素ガスを含む搬送ガスを用い
て、または空気または酸素ガスを含む雰囲気中で高速噴
射した実施例8では、金属酸化物であるチタニア皮膜が
形成された。
末を高速噴射する時、搬送ガスを含む雰囲気ガスと、基
板材料の温度を制御することによって金属化合物皮膜が
形成できる。
クス基板材料に金属粉末を高速噴射することにより金属
皮膜または金属化合物皮膜をコーティングしするように
したので、緻密で、密着力に優れたコーティング皮膜が
得られると共に、当然のことながら極めて簡便かつ低コ
スト、環境に優しいコーティングプロセスであるショッ
トコーティングを適用した機能性セラミックス素子及び
その製造方法を得ることができる。
における速度と皮 膜の膜厚の関係を示すグラフ。
におけるコーティング皮膜材料の粉末粒径と皮膜の膜厚
の関係を示すグラフ。
ングプロセスにおける基板材料の予熱と皮膜の膜厚の関
係を示すグラフ。
Claims (12)
- 【請求項1】 セラミックス基板材料に金属粉末を高速
噴射することにより金属皮膜または金属化合物皮膜をコ
ーティングしたセラミックス基板を有する機能性素子。 - 【請求項2】 セラミックス基板材料より融点の低い金
属の粉末をセラミックス基板材料に高速噴射して金属皮
膜または金属化合物皮膜をコーティングした請求項1記
載の機能性素子。 - 【請求項3】 セラミックス基板材料より硬度の低い金
属の粉末をセラミックス基板材料に高速噴射して金属皮
膜または金属化合物皮膜をコーティングした請求項1記
載の機能性素子。 - 【請求項4】 セラミックス基板材料よりヤング率の低
い金属の粉末をセラミックス基板材料に高速噴射して金
属皮膜または金属化合物皮膜をコーティングした請求項
1記載の機能性素子。 - 【請求項5】 アルミナ、窒化ケイ素、ジルコニア、炭
化ケイ素、窒化アルミ、ムライト及びこれらの複合材料
からなる群より選ばれた少なくとも1種類を含むセラミ
ックス基板材料にシリコン、チタン、ニッケル、鉄、コ
バルト、パラジウム及びこれらの合金からなる群より選
ばれた少なくとも1種類を含む金属粉末を高速噴射して
金属皮膜または金属化合物皮膜をコーティングした請求
項1記載の機能性素子。 - 【請求項6】 アルミナ、窒化ケイ素、ジルコニア、炭
化ケイ素、窒化アルミ、ムライト及びこれらの複合材料
からなる群より選ばれた少なくとも1種類を含むセラミ
ックス基板材料にアルミニウム、銅、銀、錫、亜鉛、マ
グネシウム及びこれらの合金からなる群より選ばれた少
なくとも1種類を含む金属粉末を高速噴射して金属皮膜
または金属化合物皮膜をコーティングした請求項1記載
の機能性素子。 - 【請求項7】 シリカ、コージェライト、チタニア、ス
テアタイト、窒化ホウ素、チタン酸バリウム及びこれら
の複合材料からなる群より選ばれた少なくとも1種類を
含むセラミックス基板材料にアルミニウム、銅、銀、
錫、亜鉛、マグネシウム及びこれらの合金からなる群よ
り選ばれた少なくとも1種類を含む金属粉末を高速噴射
して金属皮膜または金属化合物皮膜をコーティングした
請求項1記載の機能性素子。 - 【請求項8】 金属粉末の粒径は0.5〜200μmで
あることを特徴とする請求項1記載の機能性素子。 - 【請求項9】 セラミックス基板材料に金属粉末を高速
噴射する時搬送ガスを含む雰囲気ガスと基板材料の温度
を制御することによって金属皮膜または金属化合物皮膜
をコーティングすることを特徴とする請求項1記載の機
能性素子。 - 【請求項10】 形成した金属皮膜及び金属化合物皮膜
は気孔率10%以下であることを特徴とする請求項1記
載の機能性素子。 - 【請求項11】 形成した金属皮膜及び金属化合物皮膜
は平均表面粗さが10μmRa以下であることを特徴と
する請求項1記載の機能性素子。 - 【請求項12】 セラミックス基板材料に金属粉末を高
速噴射することにより金属皮膜または金属化合物皮膜を
コーティングするようにした機能性素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001282562A JP4087090B2 (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 機能性素子の実装基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001282562A JP4087090B2 (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 機能性素子の実装基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003089883A true JP2003089883A (ja) | 2003-03-28 |
JP4087090B2 JP4087090B2 (ja) | 2008-05-14 |
Family
ID=19106195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001282562A Expired - Fee Related JP4087090B2 (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 機能性素子の実装基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4087090B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006165319A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Sii Micro Parts Ltd | 電気化学セル及びその製造方法 |
JP2006222221A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Sii Micro Parts Ltd | 電気化学セル |
JP2010267984A (ja) * | 2010-07-08 | 2010-11-25 | Seiko Instruments Inc | 電気化学セル及びその製造方法 |
JP4677050B1 (ja) * | 2010-07-20 | 2011-04-27 | スタータック株式会社 | 被膜形成方法及びその方法により形成される複合材 |
WO2013047330A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 日本発條株式会社 | 接合体 |
WO2018155564A1 (ja) * | 2017-02-24 | 2018-08-30 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | アルミニウム回路基板の製造方法 |
-
2001
- 2001-09-18 JP JP2001282562A patent/JP4087090B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4694826B2 (ja) * | 2004-12-08 | 2011-06-08 | セイコーインスツル株式会社 | 電気化学セル及びその製造方法 |
JP2006165319A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Sii Micro Parts Ltd | 電気化学セル及びその製造方法 |
JP2006222221A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Sii Micro Parts Ltd | 電気化学セル |
JP4694855B2 (ja) * | 2005-02-09 | 2011-06-08 | セイコーインスツル株式会社 | 電気化学セル及びその製造方法 |
JP2010267984A (ja) * | 2010-07-08 | 2010-11-25 | Seiko Instruments Inc | 電気化学セル及びその製造方法 |
JP2012025983A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Startack Kk | 被膜形成方法及びその方法により形成される複合材 |
JP4677050B1 (ja) * | 2010-07-20 | 2011-04-27 | スタータック株式会社 | 被膜形成方法及びその方法により形成される複合材 |
WO2013047330A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 日本発條株式会社 | 接合体 |
JP2013071873A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Nhk Spring Co Ltd | 接合体 |
WO2018155564A1 (ja) * | 2017-02-24 | 2018-08-30 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | アルミニウム回路基板の製造方法 |
CN110382738A (zh) * | 2017-02-24 | 2019-10-25 | 国立研究开发法人物质·材料研究机构 | 铝电路基板的制造方法 |
JPWO2018155564A1 (ja) * | 2017-02-24 | 2019-12-12 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | アルミニウム回路基板の製造方法 |
JP6999117B2 (ja) | 2017-02-24 | 2022-01-18 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | アルミニウム回路基板の製造方法 |
CN110382738B (zh) * | 2017-02-24 | 2022-04-08 | 国立研究开发法人物质·材料研究机构 | 铝电路基板的制造方法 |
US11570901B2 (en) | 2017-02-24 | 2023-01-31 | National Institute For Materials Science | Method for manufacturing aluminum circuit board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4087090B2 (ja) | 2008-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8315036B2 (en) | Ceramic electronic component and method for manufacturing the same | |
US20060063024A1 (en) | Metallized substrate | |
EP0061010B1 (en) | Process for forming refractory metal layers on ceramic substrates | |
US20110045209A1 (en) | Continuous or discrete metallization layer on a ceramic substrate | |
JPH0684546B2 (ja) | 電子部品 | |
RU2687598C1 (ru) | Способ металлизации керамики под пайку | |
JP4087090B2 (ja) | 機能性素子の実装基板 | |
US4876119A (en) | Method of coating a nitride ceramic member | |
JP3937952B2 (ja) | 放熱回路基板とその作製方法 | |
JPH0679989B2 (ja) | 窒化アルミニウム上の銅電極形成法 | |
WO2023032748A1 (ja) | 放熱回路基板、放熱部材、及び放熱回路基板の製造方法 | |
JPH07507973A (ja) | 窒化アルミニウムの薄膜金属化及びロウ付け | |
JP7339538B2 (ja) | 金属セラミックス積層体 | |
US20070069174A1 (en) | Composite and susceptor for semiconductor manufacturing device and power module with the same | |
JP2001270790A (ja) | セラミックス基板及びメタライジング基板の製造方法 | |
WO2020012924A1 (ja) | 成膜方法 | |
KR102606192B1 (ko) | 구리 접합 질화물 기판용 구리 접합층 니켈 합금 조성물 | |
JP2563809B2 (ja) | 半導体用窒化アルミニウム基板 | |
US6914330B2 (en) | Heat sink formed of diamond-containing composite material with a multilayer coating | |
JP2002164425A (ja) | ウエハ支持部材 | |
JPS6314877B2 (ja) | ||
JP2005244005A (ja) | 回路基板の製造方法および回路基板 | |
JPH1065294A (ja) | セラミックス配線基板およびその製造方法 | |
JP2000154081A (ja) | セラミックス部品およびその製造方法 | |
JPS59184586A (ja) | 半導体素子搭載用回路基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20040803 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20050720 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050818 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050720 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060904 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071113 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080220 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140228 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |