JP2003087664A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2003087664A JP2003087664A JP2001274843A JP2001274843A JP2003087664A JP 2003087664 A JP2003087664 A JP 2003087664A JP 2001274843 A JP2001274843 A JP 2001274843A JP 2001274843 A JP2001274843 A JP 2001274843A JP 2003087664 A JP2003087664 A JP 2003087664A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 101150103877 Selenom gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エリアセンサとカラム型Ａ／Ｄコンバータを
集積することができる半導体装置を提供する。 【解決手段】 受光量に応じたアナログ画像信号を出力
する複数のイメージセンサＳ１１〜Ｓｍｎを含むエリア
センサ２と、アナログ画像信号をラッチする信号ラッチ
部３と、整数値を順次インクリメントして出力するカウ
ンタ６、整数値に対して電位が折れ線状に上昇するスイ
ープ信号を出力するスイープ信号発生部７、アナログ画
像信号とスイープ信号とを比較し、スイープ信号が大き
い場合にハイレベルの信号を出力するコンパレータＣ１
〜Ｃｎ、コンパレータＣ１〜Ｃｎが出力する信号がハイ
レベルとなった時に整数値をラッチして出力するラッチ
Ｌ１〜Ｌｎを含むＡ／Ｄ変換部４と、Ａ／Ｄ変換部４が
出力するディジタル画像データをラッチして出力する信
号ラッチ部５とを具備する。
集積することができる半導体装置を提供する。 【解決手段】 受光量に応じたアナログ画像信号を出力
する複数のイメージセンサＳ１１〜Ｓｍｎを含むエリア
センサ２と、アナログ画像信号をラッチする信号ラッチ
部３と、整数値を順次インクリメントして出力するカウ
ンタ６、整数値に対して電位が折れ線状に上昇するスイ
ープ信号を出力するスイープ信号発生部７、アナログ画
像信号とスイープ信号とを比較し、スイープ信号が大き
い場合にハイレベルの信号を出力するコンパレータＣ１
〜Ｃｎ、コンパレータＣ１〜Ｃｎが出力する信号がハイ
レベルとなった時に整数値をラッチして出力するラッチ
Ｌ１〜Ｌｎを含むＡ／Ｄ変換部４と、Ａ／Ｄ変換部４が
出力するディジタル画像データをラッチして出力する信
号ラッチ部５とを具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像を撮像してデ
ィジタル画像データを出力する半導体装置に関する。
ィジタル画像データを出力する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、１００万画素以上のディジタルス
チルカメラ、ディジタルビデオカメラ等が用いられるよ
うになってきている。これらのディジタルスチルカメラ
等は、エリアセンサ及びＡ／Ｄコンバータを具備し、エ
リアセンサの出力信号（アナログ画像信号）をＡ／Ｄコ
ンバータによってディジタル変換することにより、ディ
ジタル画像データを得ている。また、近年のディジタル
スチルカメラ等においては、２０ＭＨｚ〜３０ＭＨｚ程
度のＡ／Ｄ変換速度が必要とされるため、Ａ／Ｄ変換を
高速に行うことができるパイプライン型Ａ／Ｄコンバー
タが用いられる場合も多い。図６は、このような従来の
ディジタル画像を撮像する回路（ディジタル画像撮像回
路）の例を示す図である。図６において、ディジタル画
像撮像回路４０は、マトリクス状に配置されたセンサを
有するエリアセンサ４１と、エリアセンサ４１内のセン
サが出力するアナログ画像信号をラッチする信号ラッチ
部４２と、信号ラッチ部４２が出力するアナログ画像信
号からノイズ成分を取り除くＣＤＳ回路４３と、ＣＤＳ
回路４３が出力するアナログ画像信号をディジタル画像
データにＡ／Ｄ変換するパイプライン型Ａ／Ｄコンバー
タ４４とを具備している。
チルカメラ、ディジタルビデオカメラ等が用いられるよ
うになってきている。これらのディジタルスチルカメラ
等は、エリアセンサ及びＡ／Ｄコンバータを具備し、エ
リアセンサの出力信号（アナログ画像信号）をＡ／Ｄコ
ンバータによってディジタル変換することにより、ディ
ジタル画像データを得ている。また、近年のディジタル
スチルカメラ等においては、２０ＭＨｚ〜３０ＭＨｚ程
度のＡ／Ｄ変換速度が必要とされるため、Ａ／Ｄ変換を
高速に行うことができるパイプライン型Ａ／Ｄコンバー
タが用いられる場合も多い。図６は、このような従来の
ディジタル画像を撮像する回路（ディジタル画像撮像回
路）の例を示す図である。図６において、ディジタル画
像撮像回路４０は、マトリクス状に配置されたセンサを
有するエリアセンサ４１と、エリアセンサ４１内のセン
サが出力するアナログ画像信号をラッチする信号ラッチ
部４２と、信号ラッチ部４２が出力するアナログ画像信
号からノイズ成分を取り除くＣＤＳ回路４３と、ＣＤＳ
回路４３が出力するアナログ画像信号をディジタル画像
データにＡ／Ｄ変換するパイプライン型Ａ／Ｄコンバー
タ４４とを具備している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図６に示すようなディ
ジタル画像撮像回路４０においては、一般に、ノイズが
少なく高画質の画像を撮像できるＣＣＤ（電荷結合素
子）伝送回路を有するイメージセンサが用いられてい
る。一方、Ａ／Ｄ変換には、動画像を撮像したり、高速
にディジタル画像データを取り出すために、パイプライ
ン型Ａ／Ｄコンバータが使われている。しかしながら、
パイプライン型Ａ／Ｄコンバータは、Ａ／Ｄ変換を高速
に行うため、回路が大規模であり、消費電力が大きいと
いう問題があった。また、ＣＣＤの半導体製造プロセス
とパイプライン型Ａ／Ｄコンバータの半導体製造プロセ
スが全く異なるため、ＣＣＤとパイプライン型Ａ／Ｄコ
ンバータを１つの半導体チップ上に形成することができ
ないという問題もあった。
ジタル画像撮像回路４０においては、一般に、ノイズが
少なく高画質の画像を撮像できるＣＣＤ（電荷結合素
子）伝送回路を有するイメージセンサが用いられてい
る。一方、Ａ／Ｄ変換には、動画像を撮像したり、高速
にディジタル画像データを取り出すために、パイプライ
ン型Ａ／Ｄコンバータが使われている。しかしながら、
パイプライン型Ａ／Ｄコンバータは、Ａ／Ｄ変換を高速
に行うため、回路が大規模であり、消費電力が大きいと
いう問題があった。また、ＣＣＤの半導体製造プロセス
とパイプライン型Ａ／Ｄコンバータの半導体製造プロセ
スが全く異なるため、ＣＣＤとパイプライン型Ａ／Ｄコ
ンバータを１つの半導体チップ上に形成することができ
ないという問題もあった。
【０００４】ところで、近年、ＣＭＯＳ型イメージセン
サの高画質化が進んで来ている。このＣＭＯＳ型イメー
ジセンサは、Ａ／Ｄコンバータのようなロジック回路と
同一の半導体チップ上に形成することが可能である（こ
こで、ＣＭＯＳ型イメージセンサとは、Ａ／Ｄコンバー
タやディジタル処理回路等を形成するＣＭＯＳ製造プロ
セスを用いて同一の半導体チップ上に形成可能なセンサ
全般の総称をいう）。ＣＭＯＳ型イメージセンサは、回
路が大規模で消費電力が大きいパイプライン型Ａ／Ｄコ
ンバータと同一の半導体チップ上に形成することも可能
であるが、低消費電力が実現可能なカラム型Ａ／Ｄコン
バータと同一の半導体チップ上に形成することも可能で
ある。図７は、カラム型Ａ／Ｄコンバータを用いた半導
体装置の例を示す図である。図７において、半導体装置
５０は、マトリクス状に配置されたＣＭＯＳ型イメージ
センサを有するエリアセンサ５１と、カラム型Ａ／Ｄコ
ンバータ５２とを具備する。
サの高画質化が進んで来ている。このＣＭＯＳ型イメー
ジセンサは、Ａ／Ｄコンバータのようなロジック回路と
同一の半導体チップ上に形成することが可能である（こ
こで、ＣＭＯＳ型イメージセンサとは、Ａ／Ｄコンバー
タやディジタル処理回路等を形成するＣＭＯＳ製造プロ
セスを用いて同一の半導体チップ上に形成可能なセンサ
全般の総称をいう）。ＣＭＯＳ型イメージセンサは、回
路が大規模で消費電力が大きいパイプライン型Ａ／Ｄコ
ンバータと同一の半導体チップ上に形成することも可能
であるが、低消費電力が実現可能なカラム型Ａ／Ｄコン
バータと同一の半導体チップ上に形成することも可能で
ある。図７は、カラム型Ａ／Ｄコンバータを用いた半導
体装置の例を示す図である。図７において、半導体装置
５０は、マトリクス状に配置されたＣＭＯＳ型イメージ
センサを有するエリアセンサ５１と、カラム型Ａ／Ｄコ
ンバータ５２とを具備する。
【０００５】図８は、カラム型Ａ／Ｄコンバータ５２の
内部構成を示す図である。図８において、カラム型Ａ／
Ｄコンバータ５２は、カウンタ５３と、スイープ信号発
生部５４と、コンパレータＣ１１〜Ｃ１ｎと、ラッチＬ
１１〜Ｌ１ｎとを含んでいる。カウンタ５３は、１０ビ
ット幅の符号無し整数値（０〜１０２３）を順次出力す
る。このようにカウンタ５３が１０ビット幅の整数値を
出力するのは、以下の理由による。すなわち、後に説明
するように、カウンタ５３が出力する整数値は、ラッチ
Ｌ１１〜Ｌ１ｎによってラッチされ、ディジタル画像デ
ータとして出力される。従って、ディジタル画像データ
のビット幅は、カウンタ５３が出力する整数値のビット
幅と同一となるが、ディジタル画像データは、８ビット
幅では実使用上は高画質画像データとして不十分であ
り、通常１０ビット幅程度を必要とするためである。
内部構成を示す図である。図８において、カラム型Ａ／
Ｄコンバータ５２は、カウンタ５３と、スイープ信号発
生部５４と、コンパレータＣ１１〜Ｃ１ｎと、ラッチＬ
１１〜Ｌ１ｎとを含んでいる。カウンタ５３は、１０ビ
ット幅の符号無し整数値（０〜１０２３）を順次出力す
る。このようにカウンタ５３が１０ビット幅の整数値を
出力するのは、以下の理由による。すなわち、後に説明
するように、カウンタ５３が出力する整数値は、ラッチ
Ｌ１１〜Ｌ１ｎによってラッチされ、ディジタル画像デ
ータとして出力される。従って、ディジタル画像データ
のビット幅は、カウンタ５３が出力する整数値のビット
幅と同一となるが、ディジタル画像データは、８ビット
幅では実使用上は高画質画像データとして不十分であ
り、通常１０ビット幅程度を必要とするためである。
【０００６】スイープ信号発生部５４は、カウンタ５３
が出力する整数値に応じたランプ状のスイープ信号を出
力する。図９は、カウンタ５３が出力する整数値とスイ
ープ信号発生部５４が出力するスイープ信号の電位との
関係（スイープ信号出力特性）を示す図である。図９に
おいて、横軸方向にはカウンタ５３が出力する整数値
が、縦軸方向にはスイープ信号発生部５４が出力するス
イープ信号の電位が示されている。図９に示すように、
スイープ信号発生部５４は、カウンタ５３が出力する整
数値に対してリニアに増加する電位を出力する。なお、
一般に、ＣＭＯＳ型イメージセンサの電源電圧は、３．
３Ｖであり、ＣＭＯＳ型イメージセンサが出力するアナ
ログ画像信号の振幅は、２Ｖ程度である。そのため、ス
イープ信号発生部５４は、ＣＭＯＳ型イメージセンサが
出力するアナログ画像信号の振幅に応じて、振幅が（Ｖ
Ｂ）Ｖ〜（ＶＢ＋２）Ｖの２Ｖのスイープ信号を出力す
る。
が出力する整数値に応じたランプ状のスイープ信号を出
力する。図９は、カウンタ５３が出力する整数値とスイ
ープ信号発生部５４が出力するスイープ信号の電位との
関係（スイープ信号出力特性）を示す図である。図９に
おいて、横軸方向にはカウンタ５３が出力する整数値
が、縦軸方向にはスイープ信号発生部５４が出力するス
イープ信号の電位が示されている。図９に示すように、
スイープ信号発生部５４は、カウンタ５３が出力する整
数値に対してリニアに増加する電位を出力する。なお、
一般に、ＣＭＯＳ型イメージセンサの電源電圧は、３．
３Ｖであり、ＣＭＯＳ型イメージセンサが出力するアナ
ログ画像信号の振幅は、２Ｖ程度である。そのため、ス
イープ信号発生部５４は、ＣＭＯＳ型イメージセンサが
出力するアナログ画像信号の振幅に応じて、振幅が（Ｖ
Ｂ）Ｖ〜（ＶＢ＋２）Ｖの２Ｖのスイープ信号を出力す
る。
【０００７】カラム型Ａ／Ｄコンバータを用いた場合に
は、図７に示すように、エリアセンサとカラム型Ａ／Ｄ
コンバータを１つの半導体装置に集積することが可能で
ある。しかしながら、カラム型Ａ／Ｄコンバータにおい
ては、ダイナミックレンジの確保が容易でないという問
題があった。また、カラム型Ａ／Ｄコンバータにおい
て、高精度のＡ／Ｄ変換を行うにはランプ状のスイープ
信号の周期を長くする必要があるため、Ａ／Ｄ変換に時
間がかかるという問題があった。
は、図７に示すように、エリアセンサとカラム型Ａ／Ｄ
コンバータを１つの半導体装置に集積することが可能で
ある。しかしながら、カラム型Ａ／Ｄコンバータにおい
ては、ダイナミックレンジの確保が容易でないという問
題があった。また、カラム型Ａ／Ｄコンバータにおい
て、高精度のＡ／Ｄ変換を行うにはランプ状のスイープ
信号の周期を長くする必要があるため、Ａ／Ｄ変換に時
間がかかるという問題があった。
【０００８】そこで、上記の点に鑑み、本発明は、エリ
アセンサとＡ／Ｄコンバータを同一の半導体チップ上に
形成することができ、消費電力を低減することができ、
簡単な回路でアナログ画像信号をディジタル画像データ
に変換することができ、ノイズ源を少なくすることがで
き、コストを削減することができ、高ダイナミックレン
ジを実現しながらディジタル画像データのビット幅を圧
縮することができる半導体装置を提供することを目的と
する。
アセンサとＡ／Ｄコンバータを同一の半導体チップ上に
形成することができ、消費電力を低減することができ、
簡単な回路でアナログ画像信号をディジタル画像データ
に変換することができ、ノイズ源を少なくすることがで
き、コストを削減することができ、高ダイナミックレン
ジを実現しながらディジタル画像データのビット幅を圧
縮することができる半導体装置を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明に係る半導体装置は、画像を撮像してディジ
タル画像データを出力する半導体装置であって、受光量
に応じたアナログ画像信号を出力する複数のイメージセ
ンサを含むエリアセンサと、第１の値から第２の値まで
の数値を出力する第１の回路と、数値が第１の値から第
２の値に向かうに従って電位が非線型に上昇する信号を
出力する第２の回路と、イメージセンサが出力するアナ
ログ画像信号と第２の回路が出力する信号とを比較して
比較信号を出力する第３の回路と、比較信号に従って数
値をディジタル画像データとして出力する第４の回路と
を含むＡ／Ｄ変換部とを具備する。
め、本発明に係る半導体装置は、画像を撮像してディジ
タル画像データを出力する半導体装置であって、受光量
に応じたアナログ画像信号を出力する複数のイメージセ
ンサを含むエリアセンサと、第１の値から第２の値まで
の数値を出力する第１の回路と、数値が第１の値から第
２の値に向かうに従って電位が非線型に上昇する信号を
出力する第２の回路と、イメージセンサが出力するアナ
ログ画像信号と第２の回路が出力する信号とを比較して
比較信号を出力する第３の回路と、比較信号に従って数
値をディジタル画像データとして出力する第４の回路と
を含むＡ／Ｄ変換部とを具備する。
【００１０】ここで、第２の手段が、数値が第１の値か
ら第２の値に向かうに従って電位が折れ線状に上昇する
信号を出力することとしてもよい。また、Ａ／Ｄ変換部
が、イメージセンサが出力するアナログ画像信号を線形
にＡ／Ｄ変換した場合におけるディジタル画像データよ
りもビット幅の狭いディジタル画像データを出力するこ
ととしてもよいし、８ビット幅のディジタル画像データ
を出力することとしてもよい。また、イメージセンサ
が、ＣＭＯＳイメージセンサであることとしてもよい。
さらに、イメージセンサが、マトリクス状に配置されて
いることとしてもよい。
ら第２の値に向かうに従って電位が折れ線状に上昇する
信号を出力することとしてもよい。また、Ａ／Ｄ変換部
が、イメージセンサが出力するアナログ画像信号を線形
にＡ／Ｄ変換した場合におけるディジタル画像データよ
りもビット幅の狭いディジタル画像データを出力するこ
ととしてもよいし、８ビット幅のディジタル画像データ
を出力することとしてもよい。また、イメージセンサ
が、ＣＭＯＳイメージセンサであることとしてもよい。
さらに、イメージセンサが、マトリクス状に配置されて
いることとしてもよい。
【００１１】本発明に係る半導体装置によれば、エリア
センサとＡ／Ｄコンバータを同一の半導体チップ上に形
成することができ、消費電力を低減することができ、簡
単な回路でアナログ画像信号をディジタル画像データに
変換することができ、ノイズ源を少なくすることがで
き、コストを削減することができ、高ダイナミックレン
ジを実現しながらディジタル画像データのビット幅を圧
縮することができる。
センサとＡ／Ｄコンバータを同一の半導体チップ上に形
成することができ、消費電力を低減することができ、簡
単な回路でアナログ画像信号をディジタル画像データに
変換することができ、ノイズ源を少なくすることがで
き、コストを削減することができ、高ダイナミックレン
ジを実現しながらディジタル画像データのビット幅を圧
縮することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態について説明する。なお、同一の構成要素には
同一の参照番号を付して、説明を省略する。図１は、本
発明の一実施形態に係る半導体装置の概要を示す図であ
る。図１において、半導体装置１は、アナログ画像信号
を出力するエリアセンサ２と、エリアセンサ２が出力す
るアナログ画像信号をラッチする信号ラッチ部３と、信
号ラッチ部３が出力するアナログ画像信号をディジタル
画像データに変換するＡ／Ｄ変換部４と、Ａ／Ｄ変換部
４が出力するディジタル画像データをラッチして出力す
る信号ラッチ部５とを具備している。
施の形態について説明する。なお、同一の構成要素には
同一の参照番号を付して、説明を省略する。図１は、本
発明の一実施形態に係る半導体装置の概要を示す図であ
る。図１において、半導体装置１は、アナログ画像信号
を出力するエリアセンサ２と、エリアセンサ２が出力す
るアナログ画像信号をラッチする信号ラッチ部３と、信
号ラッチ部３が出力するアナログ画像信号をディジタル
画像データに変換するＡ／Ｄ変換部４と、Ａ／Ｄ変換部
４が出力するディジタル画像データをラッチして出力す
る信号ラッチ部５とを具備している。
【００１３】エリアセンサ２は、副走査線方向（コモン
方向）にｍ行、主走査線方向（セグメント方向）にｎ列
のマトリクス状に配置されたｍ×ｎ個のイメージセンサ
Ｓ１１〜Ｓｍｎを含んでいる。エリアセンサ２内のイメ
ージセンサＳ１１〜Ｓｍｎの各行には、選択信号ＳＥＬ
１〜ＳＥＬｍが順次入力され、選択信号が入力されたイ
メージセンサＳ１１〜Ｓｍｎは、受光量に応じたアナロ
グ画像信号を信号ラッチ部３に出力する。より詳細に
は、イメージセンサＳ１１〜Ｓｍｎは、受光可能な範囲
内の最小光量を受光した場合には（Ｖｂ）Ｖを出力し、
受光可能な範囲内の最大光量を受光した場合には（Ｖ
ｔ）Ｖを出力し、その間の光量を受光した場合には（Ｖ
ｂ）〜（Ｖｔ）Ｖの範囲で受光量に応じたリニアな電位
を出力する。なお、（Ｖｂ）Ｖと（Ｖｔ）Ｖの電位差は
０．６Ｖ〜０．８Ｖ程度である。
方向）にｍ行、主走査線方向（セグメント方向）にｎ列
のマトリクス状に配置されたｍ×ｎ個のイメージセンサ
Ｓ１１〜Ｓｍｎを含んでいる。エリアセンサ２内のイメ
ージセンサＳ１１〜Ｓｍｎの各行には、選択信号ＳＥＬ
１〜ＳＥＬｍが順次入力され、選択信号が入力されたイ
メージセンサＳ１１〜Ｓｍｎは、受光量に応じたアナロ
グ画像信号を信号ラッチ部３に出力する。より詳細に
は、イメージセンサＳ１１〜Ｓｍｎは、受光可能な範囲
内の最小光量を受光した場合には（Ｖｂ）Ｖを出力し、
受光可能な範囲内の最大光量を受光した場合には（Ｖ
ｔ）Ｖを出力し、その間の光量を受光した場合には（Ｖ
ｂ）〜（Ｖｔ）Ｖの範囲で受光量に応じたリニアな電位
を出力する。なお、（Ｖｂ）Ｖと（Ｖｔ）Ｖの電位差は
０．６Ｖ〜０．８Ｖ程度である。
【００１４】信号ラッチ部３は、エリアセンサ２から受
信したアナログ画像信号を所定の倍率で増幅し、振幅が
（ＶＢ）Ｖ〜（ＶＴ）Ｖのアナログ画像信号をＡ／Ｄ変
換部４に出力する。なお、（ＶＢ）Ｖと（ＶＴ）Ｖの電
位差は約２Ｖ程度である。
信したアナログ画像信号を所定の倍率で増幅し、振幅が
（ＶＢ）Ｖ〜（ＶＴ）Ｖのアナログ画像信号をＡ／Ｄ変
換部４に出力する。なお、（ＶＢ）Ｖと（ＶＴ）Ｖの電
位差は約２Ｖ程度である。
【００１５】図２は、Ａ／Ｄ変換部４の内部構成例を示
す図である。図２において、Ａ／Ｄ変換部４は、カウン
タ６と、スイープ信号発生部７と、コンパレータＣ１〜
Ｃｎと、ラッチＬ１〜Ｌｎとを含んでいる。カウンタ６
は、８ビット幅の符号無し整数値（０〜２５５）を順次
出力する。スイープ信号発生部７は、カウンタ６が出力
する整数値に応じて、（ＶＢ）Ｖとほぼ同じ電位の（Ｖ
ｒｅｆ）Ｖから（ＶＢ＋２）Ｖとほぼ同じ電位の（Ｖｒ
ｅｆ＋２）Ｖのスイープ信号を出力する。図３は、カウ
ンタ６が出力する整数値とスイープ信号発生部７が出力
するスイープ信号の電位との関係（スイープ信号出力特
性）を示す図である。図３において、横軸方向にはカウ
ンタ６が出力する整数値が、縦軸方向にはスイープ信号
発生部７が出力するスイープ信号の電位が示されてい
る。
す図である。図２において、Ａ／Ｄ変換部４は、カウン
タ６と、スイープ信号発生部７と、コンパレータＣ１〜
Ｃｎと、ラッチＬ１〜Ｌｎとを含んでいる。カウンタ６
は、８ビット幅の符号無し整数値（０〜２５５）を順次
出力する。スイープ信号発生部７は、カウンタ６が出力
する整数値に応じて、（ＶＢ）Ｖとほぼ同じ電位の（Ｖ
ｒｅｆ）Ｖから（ＶＢ＋２）Ｖとほぼ同じ電位の（Ｖｒ
ｅｆ＋２）Ｖのスイープ信号を出力する。図３は、カウ
ンタ６が出力する整数値とスイープ信号発生部７が出力
するスイープ信号の電位との関係（スイープ信号出力特
性）を示す図である。図３において、横軸方向にはカウ
ンタ６が出力する整数値が、縦軸方向にはスイープ信号
発生部７が出力するスイープ信号の電位が示されてい
る。
【００１６】図３に示すように、スイープ信号発生部７
は、カウンタ６が出力する整数値をｘとすると、０≦ｘ
≦１２７の場合には、 ｙ＝ｘ …（１） によってｙを算出し、さらに、このｙを用いて （出力電位）＝Ｖｒｅｆ＋２×ｙ／５１２ …（２） によって算出される電位を出力する。また、スイープ信
号発生部７は、１２８≦ｘ≦１９１の場合には、 ｙ＝２ｘ−１２８ …（３） によってｙを算出し、このｙを用いて（２）式によって
算出される電位を出力する。さらに、スイープ信号発生
部７は、１９２≦ｘ≦２５５の場合には、 ｙ＝４ｘ−５１２ …（４） によってｙを算出し、このｙを用いて（２）式によって
算出される電位を出力する。
は、カウンタ６が出力する整数値をｘとすると、０≦ｘ
≦１２７の場合には、 ｙ＝ｘ …（１） によってｙを算出し、さらに、このｙを用いて （出力電位）＝Ｖｒｅｆ＋２×ｙ／５１２ …（２） によって算出される電位を出力する。また、スイープ信
号発生部７は、１２８≦ｘ≦１９１の場合には、 ｙ＝２ｘ−１２８ …（３） によってｙを算出し、このｙを用いて（２）式によって
算出される電位を出力する。さらに、スイープ信号発生
部７は、１９２≦ｘ≦２５５の場合には、 ｙ＝４ｘ−５１２ …（４） によってｙを算出し、このｙを用いて（２）式によって
算出される電位を出力する。
【００１７】なお、図３に示すスイープ信号発生部７の
スイープ信号出力特性は、光量の対数に比例して明るさ
を識別するという人間の視覚特性に鑑みたものである。
また、人間の目の感度の対数特性に合わせて、人間の目
が暗部での明るさの変化に敏感であることから暗部での
階調精度を維持し、人間の目が明部での明るさの変化に
鈍感であることから明部での階調精度を甘く記録すると
いう目的がある。
スイープ信号出力特性は、光量の対数に比例して明るさ
を識別するという人間の視覚特性に鑑みたものである。
また、人間の目の感度の対数特性に合わせて、人間の目
が暗部での明るさの変化に敏感であることから暗部での
階調精度を維持し、人間の目が明部での明るさの変化に
鈍感であることから明部での階調精度を甘く記録すると
いう目的がある。
【００１８】再び図２を参照すると、コンパレータＣ１
〜Ｃｎは、信号ラッチ部３が出力するアナログ画像信号
とスイープ信号発生部７が出力するスイープ信号を比較
し、アナログ画像信号がスイープ信号より大きい場合に
はローレベルの信号を出力し、アナログ画像信号がスイ
ープ信号より小さい場合にはハイレベルの信号を出力す
る。ラッチＬ１〜Ｌｎは、コンパレータＣ１〜Ｃｎの出
力信号がハイレベルとなった時に、カウンタ６が出力す
る整数値をラッチする。このラッチＬ１〜Ｌｎの出力
が、ディジタル画像データとなる。
〜Ｃｎは、信号ラッチ部３が出力するアナログ画像信号
とスイープ信号発生部７が出力するスイープ信号を比較
し、アナログ画像信号がスイープ信号より大きい場合に
はローレベルの信号を出力し、アナログ画像信号がスイ
ープ信号より小さい場合にはハイレベルの信号を出力す
る。ラッチＬ１〜Ｌｎは、コンパレータＣ１〜Ｃｎの出
力信号がハイレベルとなった時に、カウンタ６が出力す
る整数値をラッチする。このラッチＬ１〜Ｌｎの出力
が、ディジタル画像データとなる。
【００１９】このように、半導体装置１は、エリアセン
サ２内のイメージセンサＳ１１〜Ｓｍｎが出力するアナ
ログ画像信号を８ビットのディジタル画像データに変換
し出力することができる。
サ２内のイメージセンサＳ１１〜Ｓｍｎが出力するアナ
ログ画像信号を８ビットのディジタル画像データに変換
し出力することができる。
【００２０】以上説明したように、本実施形態に係る半
導体装置によれば、本来であれば９ビット幅とすべきデ
ィジタル画像データを８ビット幅のディジタル画像デー
タとすることができる。また、カラム型Ａ／Ｄコンバー
タにおいて問題となるスイープ時間を短くすることがで
きる。さらに、人間の視覚特性に合わせて高輝度の範囲
を圧縮した特性であるニー特性を実現することができ
る。また、エリアセンサとＡ／Ｄ変換部を１つの半導体
装置内に形成することにより、コストを削減することが
できる。
導体装置によれば、本来であれば９ビット幅とすべきデ
ィジタル画像データを８ビット幅のディジタル画像デー
タとすることができる。また、カラム型Ａ／Ｄコンバー
タにおいて問題となるスイープ時間を短くすることがで
きる。さらに、人間の視覚特性に合わせて高輝度の範囲
を圧縮した特性であるニー特性を実現することができ
る。また、エリアセンサとＡ／Ｄ変換部を１つの半導体
装置内に形成することにより、コストを削減することが
できる。
【００２１】また、従来用いられていたパイプライン型
Ａ／Ｄコンバータをカラム型Ａ／Ｄコンバータとするこ
とにより、回路が簡単で、低速でもＡ／Ｄ変換可能にな
る。一般に、動画像を表示させるためには１秒間に３０
枚の画像データを出力する必要があり、１画素当たりの
変換時間は、１／３０秒を総画素数で除した時間とな
る。しかし、カラム型Ａ／Ｄコンバータは、変換後のデ
ータを高速で出力する必要はあるが、変換はゆっくり行
うことができる。例えば、１／３０秒をライン数で除し
た時間でライン内の画素の変換が可能であれば良い。ま
た、カラム型Ａ／Ｄコンバータを用いることにより、消
費電力の削減、ノイズ混入の危険性の低下、Ａ／Ｄ変換
の精度の安定性を得ることができる。
Ａ／Ｄコンバータをカラム型Ａ／Ｄコンバータとするこ
とにより、回路が簡単で、低速でもＡ／Ｄ変換可能にな
る。一般に、動画像を表示させるためには１秒間に３０
枚の画像データを出力する必要があり、１画素当たりの
変換時間は、１／３０秒を総画素数で除した時間とな
る。しかし、カラム型Ａ／Ｄコンバータは、変換後のデ
ータを高速で出力する必要はあるが、変換はゆっくり行
うことができる。例えば、１／３０秒をライン数で除し
た時間でライン内の画素の変換が可能であれば良い。ま
た、カラム型Ａ／Ｄコンバータを用いることにより、消
費電力の削減、ノイズ混入の危険性の低下、Ａ／Ｄ変換
の精度の安定性を得ることができる。
【００２２】また、通常の画像では、画像の階調のダイ
ナミックレンジを確保するために、ディジタル画像デー
タのデータ幅は、１０ビット幅程度が必要である。さら
に、近年においては、１２ビット幅程度が必要である。
そのため、より精度の高いＡ／Ｄコンバータが必要であ
るが、精度が高く、安定しており、高速で動作でき、低
消費電力を実現することは、極めて難しい。カラム型Ａ
／Ｄコンバータは、これらを容易に実現することができ
る。また、本実施形態に係る半導体装置によれば、カラ
ム型Ａ／Ｄコンバータにおいて、精度確保のために時間
をかけてスイープする必要があるために問題となるスイ
ープ電位発生時間とダイナミックレンジ確保と出力デー
タのデータ量を解決することができる。すなわち、精度
が要求される低輝度範囲においては、高精度且つ低速に
スイープ電位を変化させ、精度が要求されない中間輝度
から高輝度範囲においては、高速にスイープ電位を変化
させることができる。
ナミックレンジを確保するために、ディジタル画像デー
タのデータ幅は、１０ビット幅程度が必要である。さら
に、近年においては、１２ビット幅程度が必要である。
そのため、より精度の高いＡ／Ｄコンバータが必要であ
るが、精度が高く、安定しており、高速で動作でき、低
消費電力を実現することは、極めて難しい。カラム型Ａ
／Ｄコンバータは、これらを容易に実現することができ
る。また、本実施形態に係る半導体装置によれば、カラ
ム型Ａ／Ｄコンバータにおいて、精度確保のために時間
をかけてスイープする必要があるために問題となるスイ
ープ電位発生時間とダイナミックレンジ確保と出力デー
タのデータ量を解決することができる。すなわち、精度
が要求される低輝度範囲においては、高精度且つ低速に
スイープ電位を変化させ、精度が要求されない中間輝度
から高輝度範囲においては、高速にスイープ電位を変化
させることができる。
【００２３】なお、本実施形態においては、スイープ信
号発生部７が、折れ線状に電位が上昇するスイープ信号
を出力することとしているが、指数関数状、二次関数状
などの非線形に電位が上昇するスイープ信号を出力する
こととしてもよい。また、本実施形態においては、エリ
アセンサ２内のイメージセンサＳ１１〜Ｓｍｎがマトリ
クス状に配置されることとしているが、ハニカム状など
に配置されることとしてもよい。また、本実施形態にお
いて、イメージセンサＳ１１〜ＳｍｎをＣＭＯＳイメー
ジセンサとしてもよい。この場合には、ＣＭＯＳ製造プ
ロセスによって、半導体装置１を製造することができ
る。また、本実施形態においては、カウンタ６が、８ビ
ット幅の符号無し整数値（０〜２５５）を出力すること
としているが、従来の半導体装置５０と同様に１０ビッ
ト幅の符号無し整数値（０〜１０２３）を出力すること
としてもよい。この場合には、本来であれば１１ビット
幅とすべきディジタル画像データを１０ビット幅のディ
ジタル画像データとすることができる。
号発生部７が、折れ線状に電位が上昇するスイープ信号
を出力することとしているが、指数関数状、二次関数状
などの非線形に電位が上昇するスイープ信号を出力する
こととしてもよい。また、本実施形態においては、エリ
アセンサ２内のイメージセンサＳ１１〜Ｓｍｎがマトリ
クス状に配置されることとしているが、ハニカム状など
に配置されることとしてもよい。また、本実施形態にお
いて、イメージセンサＳ１１〜ＳｍｎをＣＭＯＳイメー
ジセンサとしてもよい。この場合には、ＣＭＯＳ製造プ
ロセスによって、半導体装置１を製造することができ
る。また、本実施形態においては、カウンタ６が、８ビ
ット幅の符号無し整数値（０〜２５５）を出力すること
としているが、従来の半導体装置５０と同様に１０ビッ
ト幅の符号無し整数値（０〜１０２３）を出力すること
としてもよい。この場合には、本来であれば１１ビット
幅とすべきディジタル画像データを１０ビット幅のディ
ジタル画像データとすることができる。
【００２４】また、本実施形態においては、Ａ／Ｄ変換
部４が、カウンタ６及びスイープ信号発生部７を具備す
ることとしているが、図４に示すように、カウンタ６及
びスイープ信号発生部８を具備することとしても良い。
図５は、スイープ信号発生部８のスイープ信号出力特性
を示す図である。図５において、横軸方向にはカウンタ
６が出力する整数値が、縦軸方向にはスイープ信号発生
部８が出力するスイープ信号の電位が示されている。
部４が、カウンタ６及びスイープ信号発生部７を具備す
ることとしているが、図４に示すように、カウンタ６及
びスイープ信号発生部８を具備することとしても良い。
図５は、スイープ信号発生部８のスイープ信号出力特性
を示す図である。図５において、横軸方向にはカウンタ
６が出力する整数値が、縦軸方向にはスイープ信号発生
部８が出力するスイープ信号の電位が示されている。
【００２５】図５に示すように、スイープ信号発生部８
は、カウンタ６が出力する整数値をｘとすると、０≦ｘ
≦１２７の場合には、（１）式によってｙを算出し、さ
らに、このｙを用いて （出力電位）＝Ｖｒｅｆ＋２×ｙ／１０２４ …（５） によって算出される電位を出力する。また、スイープ信
号発生部８は、１２８≦ｘ≦１９１の場合には、 ｙ＝２ｘ−１２８ …（６） によってｙを算出し、このｙを用いて（５）式によって
算出される電位を出力する。また、スイープ信号発生部
８は、１９２≦ｘ≦２２３の場合には、 ｙ＝８ｘ−１２８０ …（７） によってｙを算出し、このｙを用いて（５）式によって
算出される電位を出力する。さらに、スイープ信号発生
部８は、２２４≦ｘ≦２５５の場合には、 ｙ＝１６ｘ−３０７２ …（８） によってｙを算出し、このｙを用いて（５）式によって
算出される電位を出力する。
は、カウンタ６が出力する整数値をｘとすると、０≦ｘ
≦１２７の場合には、（１）式によってｙを算出し、さ
らに、このｙを用いて （出力電位）＝Ｖｒｅｆ＋２×ｙ／１０２４ …（５） によって算出される電位を出力する。また、スイープ信
号発生部８は、１２８≦ｘ≦１９１の場合には、 ｙ＝２ｘ−１２８ …（６） によってｙを算出し、このｙを用いて（５）式によって
算出される電位を出力する。また、スイープ信号発生部
８は、１９２≦ｘ≦２２３の場合には、 ｙ＝８ｘ−１２８０ …（７） によってｙを算出し、このｙを用いて（５）式によって
算出される電位を出力する。さらに、スイープ信号発生
部８は、２２４≦ｘ≦２５５の場合には、 ｙ＝１６ｘ−３０７２ …（８） によってｙを算出し、このｙを用いて（５）式によって
算出される電位を出力する。
【００２６】このように、カウンタ６及びスイープ信号
発生部８を具備することにより、本来であれば１０ビッ
ト幅とすべきディジタル画像データを８ビット幅のディ
ジタル画像データとすることができる。一般に、ＲＡＭ
等においては、８ビットを１バイトとしバイト単位でデ
ータを扱うように構成されているため、ディジタル画像
データを８ビットに圧縮することにより、周辺回路の設
計を容易にし、システム全体のコストを低下させること
ができる。しかも、本来１０ビット幅とすべきディジタ
ル画像データを８ビット幅のディジタル画像データとす
ることができるので、本実施形態に係る半導体装置１が
出力するディジタル画像データを記録するメモリの容量
を大幅に削減することができる。もちろん、画像処理エ
ンジンは、このディジタル画像データを先に説明したＡ
／Ｄ変換に応じてリニアなディジタル画像データに補正
して処理を行うことは言うまでもない。また、以上に述
べてきたことを更に進めて、折れ線グラフを図５よりさ
らに細かくさせて明るいほど急激に上昇するカーブを作
成することにより、本来であれば、１２ビット幅とすべ
きディジタル画像データを８ビット幅のディジタル画像
データとすることもできる。この場合においても、画像
処理エンジン側で、このような折れ線グラフに応じてリ
ニアなディジタル画像データに逆変換して処理を行うこ
とにより、１２ビット精度による画像処理が可能であ
る。
発生部８を具備することにより、本来であれば１０ビッ
ト幅とすべきディジタル画像データを８ビット幅のディ
ジタル画像データとすることができる。一般に、ＲＡＭ
等においては、８ビットを１バイトとしバイト単位でデ
ータを扱うように構成されているため、ディジタル画像
データを８ビットに圧縮することにより、周辺回路の設
計を容易にし、システム全体のコストを低下させること
ができる。しかも、本来１０ビット幅とすべきディジタ
ル画像データを８ビット幅のディジタル画像データとす
ることができるので、本実施形態に係る半導体装置１が
出力するディジタル画像データを記録するメモリの容量
を大幅に削減することができる。もちろん、画像処理エ
ンジンは、このディジタル画像データを先に説明したＡ
／Ｄ変換に応じてリニアなディジタル画像データに補正
して処理を行うことは言うまでもない。また、以上に述
べてきたことを更に進めて、折れ線グラフを図５よりさ
らに細かくさせて明るいほど急激に上昇するカーブを作
成することにより、本来であれば、１２ビット幅とすべ
きディジタル画像データを８ビット幅のディジタル画像
データとすることもできる。この場合においても、画像
処理エンジン側で、このような折れ線グラフに応じてリ
ニアなディジタル画像データに逆変換して処理を行うこ
とにより、１２ビット精度による画像処理が可能であ
る。
【００２７】
【発明の効果】以上述べた様に、本発明に係る半導体装
置によれば、エリアセンサとＡ／Ｄコンバータを同一の
半導体チップ上に形成することができ、消費電力を低減
することができ、簡単な回路でアナログ画像信号をディ
ジタル画像データに変換することができ、ノイズ源を少
なくすることができ、コストを削減することができ、高
ダイナミックレンジを実現しながらディジタル画像デー
タのビット幅を圧縮することができる。
置によれば、エリアセンサとＡ／Ｄコンバータを同一の
半導体チップ上に形成することができ、消費電力を低減
することができ、簡単な回路でアナログ画像信号をディ
ジタル画像データに変換することができ、ノイズ源を少
なくすることができ、コストを削減することができ、高
ダイナミックレンジを実現しながらディジタル画像デー
タのビット幅を圧縮することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の概要を
示す図である。
示す図である。
【図２】図１のＡ／Ｄ変換部の内部構成例を示す図であ
る。
る。
【図３】図２のスイープ信号発生部のスイープ信号出力
特性を示す図である。
特性を示す図である。
【図４】図１のＡ／Ｄ変換部の他の内部構成例を示す図
である。
である。
【図５】図４のスイープ信号発生部のスイープ信号出力
特性を示す図である。
特性を示す図である。
【図６】従来のディジタル画像撮像回路を示す図であ
る。
る。
【図７】従来の半導体装置の概要を示す図である。
【図８】図７のカラム型Ａ／Ｄコンバータの内部構成を
示す図である。
示す図である。
【図９】図８のスイープ信号発生部のスイープ信号出力
特性を示す図である。
特性を示す図である。
１、５０ 半導体装置
２、４１、５１ エリアセンサ
３、５、４２ 信号ラッチ部
４ Ａ／Ｄ変換部
６ カウンタ
７、８ スイープ信号発生部
４３ ＣＤＳ回路
４４ パイプライン型Ａ／Ｄコンバータ
５２ カラム型Ａ／Ｄコンバータ
Ｓ１１、Ｓ１２、・・・ イメージセンサ
Ｃ１、Ｃ２、・・・、Ｃ１１、Ｃ１２、・・・ コンパ
レータ Ｌ１、Ｌ２、・・・、Ｌ１１、Ｌ１２、・・・ ラッチ
レータ Ｌ１、Ｌ２、・・・、Ｌ１１、Ｌ１２、・・・ ラッチ
Claims (6)
- 【請求項１】 画像を撮像してディジタル画像データを
出力する半導体装置であって、 受光量に応じたアナログ画像信号を出力する複数のイメ
ージセンサを含むエリアセンサと、 第１の値から第２の値までの数値を出力する第１の回路
と、前記数値が前記第１の値から前記第２の値に向かう
に従って電位が非線型に上昇する信号を出力する第２の
回路と、前記イメージセンサが出力するアナログ画像信
号と前記第２の回路が出力する信号とを比較して比較信
号を出力する第３の回路と、前記比較信号に従って前記
数値をディジタル画像データとして出力する第４の回路
とを含むＡ／Ｄ変換部と、を具備する半導体装置。 - 【請求項２】 前記第２の手段が、前記数値が第１の値
から第２の値に向かうに従って電位が折れ線状に上昇す
る信号を出力することを特徴とする請求項１記載の半導
体装置。 - 【請求項３】 前記Ａ／Ｄ変換部が、前記イメージセン
サが出力するアナログ画像信号を線形にＡ／Ｄ変換した
場合におけるディジタル画像データよりもビット幅の狭
いディジタル画像データを出力することを特徴とする請
求項１又は２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記Ａ／Ｄ変換部が、８ビット幅のディ
ジタル画像データを出力することを特徴とする請求項１
〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記イメージセンサが、ＣＭＯＳイメー
ジセンサであることを特徴とする請求項１〜４のいずれ
か１項に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記イメージセンサが、マトリクス状に
配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
か１項に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001274843A JP2003087664A (ja) | 2001-09-11 | 2001-09-11 | 半導体装置 |
| US10/241,807 US7123302B2 (en) | 2001-09-11 | 2002-09-11 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001274843A JP2003087664A (ja) | 2001-09-11 | 2001-09-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003087664A true JP2003087664A (ja) | 2003-03-20 |
Family
ID=19099813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001274843A Withdrawn JP2003087664A (ja) | 2001-09-11 | 2001-09-11 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7123302B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003087664A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2005348324A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Canon Inc | 撮像装置及び撮像システム |
| JP2005348325A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Canon Inc | 撮像装置及び撮像システム |
| JP2006014316A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Samsung Electronics Co Ltd | サブサンプリングされたアナログ信号を平均化する改善された固体撮像素子及びその駆動方法 |
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| JP2010068231A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Toshiba Corp | アナログ信号処理回路 |
| WO2010137244A1 (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
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| US8489769B2 (en) * | 2003-10-02 | 2013-07-16 | Accenture Global Services Limited | Intelligent collaborative expression in support of socialization of devices |
| US7599550B1 (en) * | 2003-11-21 | 2009-10-06 | Arecont Vision Llc | Method for accurate real-time compensation for changing illumination spectra in digital video cameras |
Family Cites Families (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH05110440A (ja) | 1991-10-16 | 1993-04-30 | Kenzo Watanabe | センサインタフエース回路 |
| JPH09238286A (ja) | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Toshiba Corp | デジタル光学センサ |
| US5801657A (en) * | 1997-02-05 | 1998-09-01 | Stanford University | Serial analog-to-digital converter using successive comparisons |
| US7623168B2 (en) * | 2000-07-13 | 2009-11-24 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus to extend the effective dynamic range of an image sensing device |
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-
2001
- 2001-09-11 JP JP2001274843A patent/JP2003087664A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-09-11 US US10/241,807 patent/US7123302B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030076430A1 (en) | 2003-04-24 |
| US7123302B2 (en) | 2006-10-17 |
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