JP2003084718A - Liquid crystal display element - Google Patents

Liquid crystal display element

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JP2003084718A
JP2003084718A JP2001273818A JP2001273818A JP2003084718A JP 2003084718 A JP2003084718 A JP 2003084718A JP 2001273818 A JP2001273818 A JP 2001273818A JP 2001273818 A JP2001273818 A JP 2001273818A JP 2003084718 A JP2003084718 A JP 2003084718A
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JP
Japan
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thin film
liquid crystal
pixel
power supply
circuit
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Pending
Application number
JP2001273818A
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Japanese (ja)
Inventor
Hisao Fujiwara
久男 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the power consumption, to stabilize the display quality and to simplify the circuit structure. SOLUTION: A liquid crystal display element is provided with a liquid crystal display pixel PX in which a liquid crystal material is held between electrodes PE and CE, a dynamic memory circuit DM which includes a switching element Qsig and a capacitive element CM, an electrode drive circuit DV which applies pixel potentials corresponding to display signals held in the circuit DM to the electrode PE and a polarity control circuit PCV which periodically polarity reverses the pixel potentials with respect to the common potential of the electrode CE. The circuit DV includes complementary thin film transistors Q2 and Q4 whose one ends are respectively connected to the electrode PE and are respectively controlled by the potential between the terminals of the element CM. The circuit PC is constituted so that a condition, in which one end of the element CM and the other end of the transistor Q4 are electrically connected to a power supply terminal Gnd, and a condition, in which the other end of the element CM and the other end of the transistor Q2 are electrically connected, are alternatively set.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示画素の駆動極
性が周期的に反転される液晶表示素子に関し、特に表示
画素に供給される表示信号を保持するメモリ回路を備え
る液晶表示素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display element in which the drive polarity of display pixels is periodically inverted, and more particularly to a liquid crystal display element including a memory circuit that holds a display signal supplied to the display pixels.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置は薄型、小型、軽量という
特徴から携帯電話やPDA(PortableDigital Assistanc
e)のような携帯用端末機器の画像モニタとして広く利用
されている。こうした携帯用端末機器は一般に充電池を
電源として動作するため、電池の消耗率が利用可能時間
に大きく影響する。このような理由により、液晶表示装
置の低消費電力化が盛んに研究されている。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices are thin, small and lightweight, and are used in mobile phones and PDAs (Portable Digital Assistants).
It is widely used as an image monitor for portable terminal devices such as e). Since such portable terminal devices generally operate using a rechargeable battery as a power source, the consumption rate of the battery greatly affects the usable time. For these reasons, low power consumption of liquid crystal display devices has been actively studied.

【0003】最近では、スタティックメモリ技術が液晶
装置を低消費電力化するために用いられている。この用
途では、例えば表示信号の更新を必要としない静止画像
を表示する場合に、低消費電力モードが設定され、スタ
ティックメモリ回路が外部駆動回路から供給される表示
信号を保持して表示画素に印加する。これにより、外部
駆動回路の出力動作を停止させても画像表示を継続する
ことが可能になる。
Recently, static memory technology has been used to reduce the power consumption of liquid crystal devices. In this application, for example, when displaying a still image that does not require updating of the display signal, the low power consumption mode is set, and the static memory circuit holds the display signal supplied from the external drive circuit and applies it to the display pixel. To do. As a result, image display can be continued even if the output operation of the external drive circuit is stopped.

【0004】このスタティックメモリ技術を用いた従来
の液晶表示装置では、図7に示すようなスタティックメ
モリ回路MRが表示画面を構成する複数の表示画素PX
の各々に対して設けられる。表示画素PXは一対の画素
電極PEおよび対向電極CEとこれらの間に挟持される
液晶材料とを含み、表示信号は対向電極CEに設定され
るコモン電位Vcomに対して逆極性となるよう例えば1
フレーム毎に極性反転させて信号線Xに供給される。画
素電極PEはこの信号線X上の表示信号を選択的に出力
する画素スイッチQsigに接続される。対向電極CE
は、例えば画素電極PEに容量結合する補助容量線Cs
に接続され、この補助容量線Csの電位Vcsをコモン電
位Vcomに等しい値に設定する。画素電極PEおよび対
向電極CEは液晶材料を介して液晶容量LCを構成し、
画素電極PEおよび補助容量線Csは液晶材料を介さず
液晶容量に並列的な補助容量Csigを構成する。画素ス
イッチQsigは例えば薄膜トランジスタにより構成さ
れ、走査線Yからの走査信号によって駆動されたときに
信号線X上の表示信号を表示画素PXに印加する。この
とき、表示画素PXは対向電極CEと画素電極PE間の
電位差に対応する光透過率に設定される。補助容量Csi
gは液晶容量LCに比べて十分大きな容量値を有し、表
示画素PXに印加された表示信号により充放電される。
補助容量Csigがこの充放電により表示信号を保持する
と、この表示信号は画素スイッチQsigが非導通となっ
たときに補助容量Csigから画素電極PEに印加され
る。これにより、画素電極および対向電極間の電位差が
維持される。
In a conventional liquid crystal display device using this static memory technology, a plurality of display pixels PX whose display screen is constituted by a static memory circuit MR as shown in FIG.
Is provided for each of the. The display pixel PX includes a pair of pixel electrodes PE and a counter electrode CE and a liquid crystal material sandwiched therebetween, and the display signal has a polarity opposite to the common potential Vcom set in the counter electrode CE, for example, 1
The polarity is inverted for each frame and supplied to the signal line X. The pixel electrode PE is connected to the pixel switch Qsig which selectively outputs the display signal on the signal line X. Counter electrode CE
Is an auxiliary capacitance line Cs that is capacitively coupled to the pixel electrode PE, for example.
And the potential Vcs of the auxiliary capacitance line Cs is set to a value equal to the common potential Vcom. The pixel electrode PE and the counter electrode CE form a liquid crystal capacitor LC via a liquid crystal material,
The pixel electrode PE and the auxiliary capacitance line Cs form an auxiliary capacitance Csig parallel to the liquid crystal capacitance without interposing the liquid crystal material. The pixel switch Qsig is composed of, for example, a thin film transistor, and applies a display signal on the signal line X to the display pixel PX when driven by a scanning signal from the scanning line Y. At this time, the display pixel PX is set to the light transmittance corresponding to the potential difference between the counter electrode CE and the pixel electrode PE. Auxiliary capacity Csi
g has a capacitance value sufficiently larger than the liquid crystal capacitance LC and is charged and discharged by the display signal applied to the display pixel PX.
When the auxiliary capacitance Csig holds the display signal by this charging / discharging, this display signal is applied from the auxiliary capacitance Csig to the pixel electrode PE when the pixel switch Qsig becomes non-conductive. As a result, the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode is maintained.

【0005】さらに、表示画素PXは極性制御回路PC
を介してスタティックメモリ回路MRに接続される。ス
タティックメモリ回路MRは走査線Yからの走査信号の
立ち上がりに伴って信号線Xから画素スイッチQsigを
介して表示画素PXに印加される表示信号を保持し、こ
の走査信号の立ち下がりに伴って自身で保持した表示信
号を表示画素PXに印加する。ここで、極性制御回路P
Cはスタティックメモリ回路MRから表示画素PXに印
加される表示信号が1フレーム毎にレベル反転されコモ
ン電位Vcomに対して逆極性となるように制御する。従
って、外部駆動回路の出力動作を停止させても、画素電
極および対向電極間の電位差が1フレーム毎に極性反転
されるため、液晶材料の偏在化による焼き付き現象を防
止できる。
Further, the display pixel PX has a polarity control circuit PC.
To the static memory circuit MR. The static memory circuit MR holds the display signal applied to the display pixel PX from the signal line X via the pixel switch Qsig in association with the rising of the scanning signal from the scanning line Y, and itself in accordance with the falling of this scanning signal. The display signal held in step 3 is applied to the display pixel PX. Here, the polarity control circuit P
C controls so that the display signal applied from the static memory circuit MR to the display pixel PX is level-inverted every frame and has a polarity opposite to the common potential Vcom. Therefore, even if the output operation of the external drive circuit is stopped, the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode is reversed in polarity every frame, so that the burn-in phenomenon due to uneven distribution of the liquid crystal material can be prevented.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】とろこで、上述の液晶
表示装置では、低消費電力モードにおいてスタティック
メモリ回路MRから表示画素PXに印加される表示信号
を極性反転する際に液晶容量LCおよび補助容量Csig
の充放電電流が一時的に一対の電源端子Vdd,Gnd
の一方からまたは他方へ流れ、これにより電源端子Vd
d,Gnd間の電圧を変動させる。この電源変動はスタ
ティックメモリ回路MRの動作を不安定にする。さら
に、この電源変動が大きい場合には、スタティックメモ
リ回路MRの保持内容が変化して表示画像の乱れを招
く。また、この液晶表示装置はスタティックメモリ回路
MRおよび極性制御回路PCを構成するために少なくと
も7個の能動素子、すなわち薄膜トランジスタQ1’〜
Q7’を必要とする。さらに、極性制御信号POL−
A,POL−Bの配線領域も必要となるため、効率的な
低消費電力化および表示画面の高精細化が制約されてい
る。
In the above-mentioned liquid crystal display device, when the polarity of the display signal applied from the static memory circuit MR to the display pixel PX is inverted in the low power consumption mode, the liquid crystal capacitance LC and the auxiliary device are used. Capacity Csig
Charge and discharge current of the pair of power supply terminals Vdd, Gnd
Flow from one side to the other, which causes the power supply terminal Vd
The voltage between d and Gnd is changed. This power supply fluctuation makes the operation of the static memory circuit MR unstable. Further, when the power supply fluctuation is large, the contents held in the static memory circuit MR are changed and the display image is disturbed. In addition, this liquid crystal display device has at least seven active elements, that is, thin film transistors Q1 ′ to
I need Q7 '. Furthermore, the polarity control signal POL-
Since the A and POL-B wiring areas are also required, efficient reduction of power consumption and high definition of the display screen are restricted.

【0007】本発明の目的は、上述のような問題を解消
し、低消費電力で表示品質を安定化する一方で回路構造
を簡素化できる液晶表示素子を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device which solves the above problems and stabilizes the display quality with low power consumption while simplifying the circuit structure.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、画素電
極及び対向電極との電位差で液晶材料を制御する液晶表
示画素と、外部から供給される表示信号をサンプリング
するスイッチ素子およびこのスイッチ素子でサンプリン
グされた表示信号を保持する容量素子を含むメモリ回路
と、前記メモリ回路に保持された表示信号に対応する画
素電位を前記画素電極に印加する電極駆動回路と、前記
対向電極に印加されるコモン電位に対して前記画素電位
を周期的に極性反転させる極性制御回路とを備え、前記
電極駆動回路は一端において前記画素電極に接続され前
記容量素子の一端および他端の電位によりそれぞれ制御
される相補的な第1および第2能動素子を含み、前記極
性制御回路は前記容量素子の一端および前記第2能動素
子の他端が第1電源端子に電気的に接続される状態およ
び前記容量素子の他端および前記第1能動素子の他端が
第1電源端子よりも高い電位に設定される第2電源端子
に電気的に接続される状態を交互に設定するように構成
される液晶表示素子が提供される。
According to the present invention, a liquid crystal display pixel for controlling a liquid crystal material by a potential difference between a pixel electrode and a counter electrode, a switch element for sampling a display signal supplied from the outside, and this switch element. A memory circuit including a capacitive element that holds a display signal sampled in step S1, an electrode drive circuit that applies a pixel potential corresponding to the display signal held in the memory circuit to the pixel electrode, and a counter electrode that is applied to the counter electrode. A polarity control circuit for periodically reversing the polarity of the pixel potential with respect to a common potential, and the electrode drive circuit is connected to the pixel electrode at one end and is controlled by the potentials at one end and the other end of the capacitive element, respectively. The polarity control circuit includes complementary first and second active elements, wherein one end of the capacitive element and the other end of the second active element have a first electric current. A state in which it is electrically connected to a terminal and a state in which the other end of the capacitive element and the other end of the first active element are electrically connected to a second power supply terminal set to a potential higher than that of the first power supply terminal. A liquid crystal display device is provided that is configured to be set alternately.

【0009】この液晶表示素子では、第1電源端子の電
位および第2電源端子の電位が交互に画素電位の極性反
転に伴って表示画素PEに周期的に交互に印加され、液
晶容量LCへの印加極性反転が行われる。この動作は表
示信号のサンプリング周期とは独立に設定できるため、
表示信号が変化しないような場合には、周辺回路の動作
を停止させ低消費電力化が達成でき、更に表示信号のサ
ンプリング周期として一般的な1/60秒よりもこの動
作の周期を長くすることにより一層の低消費電力化を達
成することが可能でとなる。また、この液晶表示素子は
スタティックメモリ回路で生じるような電源変動を招か
ないだけでなく、このスタティックメモリ回路を設ける
場合のように多くの回路コンポーネントおよび制御信号
を必要としない。すなわち、表示品質を安定化する一方
で回路構造を簡素化できる。
In this liquid crystal display element, the potential of the first power supply terminal and the potential of the second power supply terminal are alternately and cyclically applied to the display pixel PE in accordance with the polarity reversal of the pixel potential, and the liquid crystal capacitance LC is supplied with the potential. The applied polarity is reversed. Since this operation can be set independently of the sampling cycle of the display signal,
When the display signal does not change, the operation of peripheral circuits can be stopped to achieve low power consumption, and the cycle of this operation should be set longer than the typical 1/60 second sampling cycle of the display signal. As a result, it is possible to further reduce power consumption. Further, this liquid crystal display element does not cause the power supply fluctuation that occurs in the static memory circuit, and does not require many circuit components and control signals as in the case where the static memory circuit is provided. That is, the display quality can be stabilized while the circuit structure can be simplified.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
液晶表示装置について添付図面を参照して説明する。こ
の液晶表示装置は動画を表示可能な通常モードの他に例
えば静止画を表示可能な低消費電力モードを持つ携帯端
末機器の画像モニタとして用いられる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. The liquid crystal display device is used as an image monitor of a mobile terminal device having a low power consumption mode capable of displaying a still image in addition to a normal mode capable of displaying a moving image.

【0011】図1はこの液晶表示装置の概略的な構造を
示し、図2はこの液晶表示装置の画素周辺回路を示す。
この液晶表示装置は液晶表示パネル1およびこの液晶表
示パネル1を制御する液晶コントローラ2を備える。液
晶表示パネル1は液晶層LQがアレイ基板ARおよび対
向基板CT間に保持される構造を有し、液晶コントロー
ラ2は液晶表示パネル1から独立した外部駆動回路基板
上に配置される。アレイ基板ARは、マトリクス状に配
置される複数の画素電極PE、複数の画素電極PEの行
に沿って形成される複数の走査線Y(Y1〜Ym)、複数
の画素電極PEの列に沿って形成される複数の信号線X
(X1〜Xn)、信号線X1〜Xnおよび走査線Y1〜Ymの
交差位置近傍にそれぞれ配置され各々対応走査線Yから
の走査信号に応答して対応信号線Xからの画素表示信号
Vpixをサンプリングするスイッチ素子を構成する複数
のNチャネル低温ポリシリコン薄膜トランジスタ(TF
T)Qsig、走査線Y1〜Ymを駆動する走査線駆動回路
3、並びに信号線X1〜Xnを駆動する信号線駆動回路4
を含む。対向基板CTは複数の画素電極PEに対向して
配置されコモン電位Vcomに設定される単一の対向電極
CEを含む。走査線駆動回路3および信号線駆動回路4
は薄膜トランジスタQsigと同様にアレイ基板AR上に
形成される複数の低温ポリシリコン薄膜トランジスタで
構成される。対向電極CEは外部から供給されるコモン
電位Vcomに設定される。
FIG. 1 shows a schematic structure of this liquid crystal display device, and FIG. 2 shows a pixel peripheral circuit of this liquid crystal display device.
The liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel 1 and a liquid crystal controller 2 that controls the liquid crystal display panel 1. The liquid crystal display panel 1 has a structure in which the liquid crystal layer LQ is held between the array substrate AR and the counter substrate CT, and the liquid crystal controller 2 is arranged on an external drive circuit substrate independent of the liquid crystal display panel 1. The array substrate AR includes a plurality of pixel electrodes PE arranged in a matrix, a plurality of scanning lines Y (Y1 to Ym) formed along rows of the plurality of pixel electrodes PE, and a column of the plurality of pixel electrodes PE. Signal lines X formed by
(X1 to Xn), the signal lines X1 to Xn, and the scanning lines Y1 to Ym, respectively. The pixel display signals Vpix from the corresponding signal lines X are sampled in response to the scanning signals from the corresponding scanning lines Y, respectively. N-channel low temperature polysilicon thin film transistor (TF)
T) Qsig, scanning line driving circuit 3 for driving scanning lines Y1 to Ym, and signal line driving circuit 4 for driving signal lines X1 to Xn
including. The counter substrate CT includes a single counter electrode CE which is arranged to face the plurality of pixel electrodes PE and is set to the common potential Vcom. Scan line drive circuit 3 and signal line drive circuit 4
Is composed of a plurality of low-temperature polysilicon thin film transistors formed on the array substrate AR similarly to the thin film transistor Qsig. The counter electrode CE is set to the common potential Vcom supplied from the outside.

【0012】液晶コントローラ2は外部から供給される
デジタル映像信号および同期信号を受取り、従来と同様
に画素表示信号Vpix、垂直走査制御信号YCT、水平
走査制御信号XCT、および極性反転信号POLを発生
する。垂直走査制御信号YCTは例えば垂直スタートパ
ルスおよび垂直クロック信号等を含み、走査線駆動回路
3に供給される。水平走査制御信号XCTは水平スター
トパルス、水平クロック信号等を含み、表示信号Vpix
と共に信号線駆動回路4に供給される。極性反転信号P
OLはアレイ基板AR上に配置される複数の画素電極P
Eに対して発生され、例えば通常モードでは1フレーム
期間で極性反転され、低消費電力モードではより低消費
電力化を達成するために通常モードよりも長い所定期
間、例えば4フレーム期間毎にレベル反転される。コモ
ン電位Vcomはこの極性反転信号POLに同期して0V
および5Vの一方から他方にレベル反転される。これに
よりコモン電位Vcomが0V〜5Vの振幅を持つのに対
し、画素表示信号Vpixは0V〜3Vの振幅を持つ。
The liquid crystal controller 2 receives a digital video signal and a synchronizing signal supplied from the outside, and generates a pixel display signal Vpix, a vertical scanning control signal YCT, a horizontal scanning control signal XCT, and a polarity inversion signal POL as in the conventional case. . The vertical scanning control signal YCT includes, for example, a vertical start pulse and a vertical clock signal, and is supplied to the scanning line driving circuit 3. The horizontal scanning control signal XCT includes a horizontal start pulse, a horizontal clock signal, etc., and a display signal Vpix.
It is also supplied to the signal line drive circuit 4. Polarity inversion signal P
OL is a plurality of pixel electrodes P arranged on the array substrate AR.
Generated for E, for example, the polarity is inverted in one frame period in the normal mode, and the level is inverted in a predetermined period longer than that in the normal mode, for example, every four frame periods to achieve lower power consumption in the low power consumption mode. To be done. The common potential Vcom is 0V in synchronization with this polarity inversion signal POL.
And 5V level-inverted from one to the other. As a result, the common potential Vcom has an amplitude of 0V to 5V, while the pixel display signal Vpix has an amplitude of 0V to 3V.

【0013】走査線駆動回路3はシフトレジスタ回路を
含み、薄膜トランジスタQsigを導通させる走査信号を
1垂直走査(フレーム)期間毎に走査線Y1〜Ymに順次
供給するよう垂直走査制御信号YCTによって制御され
る。シフトレジスタ回路は1垂直走査期間毎に供給され
る垂直スタートパルスを垂直クロック信号に同期してシ
フトさせることにより複数の走査線Y1〜Ymのうちの1
本を選択して選択走査線に走査信号を出力する。
The scanning line driving circuit 3 includes a shift register circuit, and is controlled by the vertical scanning control signal YCT so as to sequentially supply a scanning signal for conducting the thin film transistor Qsig to the scanning lines Y1 to Ym every one vertical scanning (frame) period. It The shift register circuit shifts a vertical start pulse supplied every one vertical scanning period in synchronization with a vertical clock signal to thereby shift one of the plurality of scanning lines Y1 to Ym.
A book is selected and a scanning signal is output to the selected scanning line.

【0014】信号線駆動回路4はシフトレジスタ回路を
有し、各走査線Yが走査信号により駆動される1水平走
査期間(1H)において表示信号Vpixを信号線X1〜X
nにそれぞれ供給するように水平走査制御信号XCTに
よって制御される。シフトレジスタ回路は1水平走査期
間毎に供給される水平スタートパルスを水平クロック信
号に同期してシフトさせることにより複数の信号線X1
〜Xnの1本を選択し、選択信号線に対して表示信号V
pixを供給する。
The signal line driving circuit 4 has a shift register circuit, and the display signal Vpix is supplied to the signal lines X1 to X in one horizontal scanning period (1H) in which each scanning line Y is driven by the scanning signal.
It is controlled by the horizontal scanning control signal XCT so as to be supplied to each n. The shift register circuit shifts the horizontal start pulse supplied for each horizontal scanning period in synchronization with the horizontal clock signal to thereby output a plurality of signal lines X1.
To Xn and select the display signal V for the selection signal line.
supply pix.

【0015】この液晶表示装置では、液晶層LQが対向
電極CEに設定される0Vのコモン電位Vcomに対して
表示信号Vpixに依存する5Vの画素電位を画素電極P
Eに印加することにより黒表示を行うノーマリホワイト
であり、画素電極PEおよび対向電極CE間の電圧極性
が周期的に反転される反転駆動形式で駆動される。表示
画面DSは各々一対の画素電極PEおよび対向電極C
E、並びにこれら電極PE,CE間に挟持された液晶層
LQの液晶材料を含む複数の表示画素PXにより構成さ
れ、ダイナミックメモリ回路DMがこれら表示画素PX
の各々に対して設けられる。
In this liquid crystal display device, the liquid crystal layer LQ has a pixel potential of 5V depending on the display signal Vpix with respect to the common potential Vcom of 0V set on the counter electrode CE.
It is a normally white color that displays black by being applied to E, and is driven in an inversion drive system in which the voltage polarity between the pixel electrode PE and the counter electrode CE is periodically inverted. The display screen DS has a pair of pixel electrodes PE and counter electrodes C, respectively.
E, and a plurality of display pixels PX including the liquid crystal material of the liquid crystal layer LQ sandwiched between these electrodes PE and CE, and the dynamic memory circuit DM includes these display pixels PX.
Is provided for each of the.

【0016】図2に示すように、ダイナミックメモリ回
路DMはこの信号線X上の表示信号Vpixを画素スイッ
チとしてサンプリングする薄膜トランジスタQsigおよ
びこの薄膜トランジスタQsigによってサンプリングさ
れた表示信号Vsigを保持する容量素子CMにより構成
される。この容量素子CMは液晶材料を挟持する画素電
極PEおよび対向電極CE間の液晶容量LCの1/10
以下程度に設定される。各表示画素PXはこのダイナミ
ックメモリ回路DMに加えてPチャネル低温ポリシリコ
ン薄膜トランジスタQ1〜Q3およびNチャネル低温ポ
リシリコン薄膜トランジスタQ4〜Q6を有する。
As shown in FIG. 2, the dynamic memory circuit DM includes a thin film transistor Qsig for sampling the display signal Vpix on the signal line X as a pixel switch and a capacitive element CM for holding the display signal Vsig sampled by the thin film transistor Qsig. Composed. The capacitance element CM is 1/10 of the liquid crystal capacitance LC between the pixel electrode PE and the counter electrode CE which sandwich the liquid crystal material.
It is set below. Each display pixel PX has P-channel low temperature polysilicon thin film transistors Q1 to Q3 and N channel low temperature polysilicon thin film transistors Q4 to Q6 in addition to the dynamic memory circuit DM.

【0017】薄膜トランジスタQ1およびQ2は5Vの
電位に設定される電源端子Vddおよび画素電極PE間
において直列に接続され、薄膜トランジスタQ4および
Q5は0Vの電位に設定される電源端子Gndおよび画
素電極PE間において直列に接続される。薄膜トランジ
スタQ2およびQ4はそれぞれ容量素子CMのマイナス
端電位および容量素子CMのプラス端電位によりそれぞ
れ制御される。薄膜トランジスタQ3は電源端子Vdd
および容量素子CMのプラス端間に接続され、薄膜トラ
ンジスタQ6は電源端子Gndおよび容量素子CMのマ
イナス端間に接続される。薄膜トランジスタQ1,Q
3,Q5,およびQ6のゲートは極性反転信号POLを
受け取るように接続される。薄膜トランジスタQsigは
信号線Xおよび容量素子CMのプラス端間に接続され、
走査線Yの電位により制御される。薄膜トランジスタQ
2およびQ4はダイナミックメモリ回路DMに保持され
た表示信号Vpixに対応する画素電位を画素電極に印加
する電極駆動回路DVを構成し、薄膜トランジスタQ
1,Q3,Q5,およびQ6は対向電極CEに印加され
るコモン電位Vcomに対して画素電位を周期的に極性反
転させる極性制御回路PCを構成する。
The thin film transistors Q1 and Q2 are connected in series between the power supply terminal Vdd set to the potential of 5V and the pixel electrode PE, and the thin film transistors Q4 and Q5 are connected between the power supply terminal Gnd and the pixel electrode PE set to the potential of 0V. Connected in series. The thin film transistors Q2 and Q4 are controlled by the negative terminal potential of the capacitive element CM and the positive terminal potential of the capacitive element CM, respectively. The thin film transistor Q3 has a power supply terminal Vdd.
And the thin film transistor Q6 is connected between the power supply terminal Gnd and the negative end of the capacitive element CM. Thin film transistors Q1 and Q
The gates of 3, Q5, and Q6 are connected to receive the polarity inversion signal POL. The thin film transistor Qsig is connected between the signal line X and the positive end of the capacitive element CM,
It is controlled by the potential of the scanning line Y. Thin film transistor Q
2 and Q4 form an electrode drive circuit DV for applying a pixel potential corresponding to the display signal Vpix held in the dynamic memory circuit DM to the pixel electrode, and the thin film transistor Q
1, Q3, Q5, and Q6 form a polarity control circuit PC that periodically inverts the polarity of the pixel potential with respect to the common potential Vcom applied to the counter electrode CE.

【0018】薄膜トランジスタQsigが走査線Yからの
走査信号によって駆動されたときに導通すると、信号線
X上の表示信号Vpixが容量素子CMのプラス端に印加
され、容量素子CMを充放電する。走査信号の供給が1
水平走査期間後に停止すると、薄膜トランジスタQsig
が非導通となり、容量素子CMが充放電結果として得ら
れた電荷量を表示信号Vpixとして保持する。電極駆動
回路DVは容量素子CMに保持された表示信号Vpixに
対応する画素電位を画素電極PEに印加する。このと
き、表示画素PXは対向電極CEと画素電極PE間の電
位差に対応する光透過率に設定される。極性制御回路P
Cは極性反転信号POLに同期して対向電極CEのコモ
ン電位Vcomに対して逆極性となるように画素電位の極
性を反転させる。
When the thin film transistor Qsig becomes conductive when driven by the scanning signal from the scanning line Y, the display signal Vpix on the signal line X is applied to the plus end of the capacitive element CM to charge and discharge the capacitive element CM. 1 scan signal supply
When stopped after the horizontal scanning period, the thin film transistor Qsig
Becomes non-conducting, and the capacitive element CM holds the amount of charge obtained as a result of charging and discharging as the display signal Vpix. The electrode drive circuit DV applies a pixel potential corresponding to the display signal Vpix held in the capacitive element CM to the pixel electrode PE. At this time, the display pixel PX is set to the light transmittance corresponding to the potential difference between the counter electrode CE and the pixel electrode PE. Polarity control circuit P
C inverts the polarity of the pixel potential so as to have the opposite polarity to the common potential Vcom of the counter electrode CE in synchronization with the polarity inversion signal POL.

【0019】すなわち、画素電極PEおよび対向電極C
E間の電圧差を維持したまま極性を反転することにより
液晶材料の偏在化による焼き付き現象を防止する。
That is, the pixel electrode PE and the counter electrode C
By reversing the polarity while maintaining the voltage difference between E, the burn-in phenomenon due to uneven distribution of the liquid crystal material is prevented.

【0020】表示信号Vpixの更新を必要としない静止
画像を表示する場合には、液晶コントローラ2が通常モ
ードから低消費電力モードになり、走査信号の出力を停
止するよう走査線駆動回路3を制御すると共に、表示信
号Vpixの出力を停止するよう信号線駆動回路4を制御
する。極性反転信号POLについては、液晶材料の偏在
化による焼き付き現象を防止するために低消費電力モー
ドでも継続的に液晶コントローラ2から出力される。
When displaying a still image which does not require updating of the display signal Vpix, the liquid crystal controller 2 shifts from the normal mode to the low power consumption mode and controls the scanning line driving circuit 3 to stop the output of the scanning signal. At the same time, the signal line drive circuit 4 is controlled to stop the output of the display signal Vpix. The polarity inversion signal POL is continuously output from the liquid crystal controller 2 even in the low power consumption mode in order to prevent the burn-in phenomenon due to uneven distribution of the liquid crystal material.

【0021】ここで、ダイナミックメモリ回路DM、電
極駆動回路DV、および極性制御回路PCの動作をさら
に詳細に説明する。ここでは、容量素子CMが薄膜トラ
ンジスタQsigによってサンプリングされた表示信号Vp
ixに対応する量の電荷を既に保持しているとする。
Now, the operations of the dynamic memory circuit DM, the electrode drive circuit DV, and the polarity control circuit PC will be described in more detail. Here, the display signal Vp in which the capacitive element CM is sampled by the thin film transistor Qsig is used.
It is assumed that an amount of electric charge corresponding to ix is already held.

【0022】図3は図2に示す画素周辺回路が極性反転
信号POLの立ち上がりに伴って設定される状態を示
す。極性反転信号POLが高レベルになると、極性制御
回路PCの薄膜トランジスタQ5,Q6が導通すると共
に極性制御回路PCの薄膜トランジスタQ1,Q3が非
導通となる。電極駆動回路DVの薄膜トランジスタQ2
は電極薄膜トランジスタQ6を介して容量素子CMのマ
イナス端に設定される電源端子Gndの電位によって導
通するが、薄膜トランジスタQ1が非導通であるため、
画素電極PEは電源端子Vddから電気的に切り離され
た状態に維持される。この間、電極駆動回路DVの薄膜
トランジスタQ4は表示信号Vsigによって充放電され
る容量素子CMのプラス端電位により制御される。
FIG. 3 shows a state in which the pixel peripheral circuit shown in FIG. 2 is set at the rising edge of the polarity inversion signal POL. When the polarity inversion signal POL becomes high level, the thin film transistors Q5 and Q6 of the polarity control circuit PC become conductive and the thin film transistors Q1 and Q3 of the polarity control circuit PC become non-conductive. Thin film transistor Q2 of electrode drive circuit DV
Is conductive by the potential of the power supply terminal Gnd set at the negative end of the capacitive element CM via the electrode thin film transistor Q6, but since the thin film transistor Q1 is non-conductive,
The pixel electrode PE is maintained in a state of being electrically separated from the power supply terminal Vdd. During this period, the thin film transistor Q4 of the electrode drive circuit DV is controlled by the positive end potential of the capacitive element CM charged and discharged by the display signal Vsig.

【0023】画素周辺回路はこのような状態において図
4に示す等価回路となる。薄膜トランジスタQ4は表示
信号Vsigが薄膜トランジスタQ4の閾値電圧(=約
1.5V)以上である場合に導通する。これにより、電
源端子Gndおよび対向電極CE間の電圧が表示画素P
Xに印加される。また、薄膜トランジスタQ4は表示信
号Vsigが薄膜トランジスタQ4の閾値電圧未満である
場合に非導通となる。この場合、電源端子Gndおよび
対向電極CE間の電圧はほとんど薄膜トランジスタQ4
に印加され、表示画素PXに印加されない。
The pixel peripheral circuit becomes the equivalent circuit shown in FIG. 4 in such a state. The thin film transistor Q4 becomes conductive when the display signal Vsig is equal to or higher than the threshold voltage (= about 1.5 V) of the thin film transistor Q4. Accordingly, the voltage between the power supply terminal Gnd and the counter electrode CE is changed to the display pixel P.
Applied to X. Further, the thin film transistor Q4 becomes non-conductive when the display signal Vsig is less than the threshold voltage of the thin film transistor Q4. In this case, the voltage between the power supply terminal Gnd and the counter electrode CE is almost equal to the thin film transistor Q4.
Is not applied to the display pixel PX.

【0024】図5は図2に示す画素周辺回路が極性反転
信号POLの下がりに伴って設定される状態を示す。極
性反転信号POLが低レベルになると、極性制御回路P
Cの薄膜トランジスタQ1,Q3が導通すると共に極性
制御回路PCの薄膜トランジスタQ5,Q6が非導通と
なる。電極駆動回路DVの薄膜トランジスタQ4は電極
薄膜トランジスタQ3を介して容量素子CMのプラス端
に設定される電源端子Vddの電位によって導通する
が、薄膜トランジスタQ5が非導通であるため、画素電
極PEは電源端子Gndから電気的に切り離された状態
に維持される。この間、電極駆動回路DVの薄膜トラン
ジスタQ2は表示信号Vsigによって充放電される容量
素子CMのマイナス端電位により制御される。
FIG. 5 shows a state in which the pixel peripheral circuit shown in FIG. 2 is set according to the fall of the polarity inversion signal POL. When the polarity inversion signal POL becomes low level, the polarity control circuit P
The thin film transistors Q1 and Q3 of C become conductive, and the thin film transistors Q5 and Q6 of the polarity control circuit PC become non-conductive. The thin film transistor Q4 of the electrode drive circuit DV is conductive by the potential of the power supply terminal Vdd set at the positive end of the capacitive element CM via the electrode thin film transistor Q3, but the thin film transistor Q5 is non-conductive, so that the pixel electrode PE is connected to the power supply terminal Gnd. It remains electrically isolated from the. During this period, the thin film transistor Q2 of the electrode drive circuit DV is controlled by the negative end potential of the capacitive element CM charged and discharged by the display signal Vsig.

【0025】画素周辺回路はこのような状態において図
6に示す等価回路となる。薄膜トランジスタQ2は表示
信号Vsigが薄膜トランジスタQ2の閾値電圧(=−
1.5V)よりも電圧の絶対値が大きい場合、つまり薄
膜トランジスタQ2のゲートに印加される電圧がVdd−
1.5V以下である場合に導通する。これにより、電源
端子Vddおよび対向電極CE間の電圧が表示画素PX
に印加される。また、薄膜トランジスタQ2は表示信号
Vsigの絶対値が薄膜トランジスタQ2の閾値電圧の絶
対値未満である場合に非導通となる。この場合、電源端
子Vddおよび対向電極CE間の電圧はほとんど薄膜ト
ランジスタQ2に印加され、表示画素PXに印加されな
い。
The pixel peripheral circuit becomes the equivalent circuit shown in FIG. 6 in such a state. In the thin film transistor Q2, the display signal Vsig indicates that the threshold voltage (= −−) of the thin film transistor Q2.
1.5V), the voltage applied to the gate of the thin film transistor Q2 is Vdd−.
It conducts when the voltage is 1.5 V or less. As a result, the voltage between the power supply terminal Vdd and the counter electrode CE is changed to the display pixel PX.
Applied to. Further, the thin film transistor Q2 becomes non-conductive when the absolute value of the display signal Vsig is less than the absolute value of the threshold voltage of the thin film transistor Q2. In this case, the voltage between the power supply terminal Vdd and the counter electrode CE is almost applied to the thin film transistor Q2 and is not applied to the display pixel PX.

【0026】容量素子CMが薄膜トランジスタQ2およ
びQ4の各々を導通し得る電荷量を保持していれば、コ
モン電位Vcomを基準とした電圧+(Vdd−Vcom)
および−(Vcom−gnd)が極性反転信号POLの反
転に伴って交互に表示画素PXに印加されることにな
る。
If the capacitive element CM holds the amount of electric charge capable of conducting each of the thin film transistors Q2 and Q4, the voltage + (Vdd-Vcom) with reference to the common potential Vcom.
And- (Vcom-gnd) are alternately applied to the display pixel PX with the inversion of the polarity inversion signal POL.

【0027】上述の実施形態の液晶表示装置では、電源
端子Gndの電位および電源端子Vddの電位が交互に
極性反転信号POLの反転に伴って容量素子CMの一端
および他端に印加され、表示信号Vpixのサンプリング
周期とは独立の周期に設定できるため、表示信号Vpix
が変化しないような場合にこの極性反転信号POLによ
る極性反転動作の周期を長くして消費電力を低減するこ
とが可能である。また、この液晶表示装置は図7に示す
スタティックメモリ回路MRで生じるような電源変動を
招かないだけでなく、このスタティックメモリ回路MR
を設ける場合に必要とされる7個の薄膜トランジスタQ
1’〜Q7’および2個の制御信号POL−A,POL
−Bを6個の薄膜トランジスタQ1〜Q6および1個の
制御信号POLに置き換えることができる。すなわち、
表示品質を安定化する一方で回路構造を簡素化できる。
さらに、容量素子CMへ書き込む信号はQ1〜Q6の薄
膜トランジスタが導通する電圧以上であれば良く、大振
幅を必要としないため、この表示信号Vpixの供給源と
なる信号線駆動回路4の電源電圧を低減することもでき
る。
In the liquid crystal display device according to the above-described embodiment, the potential of the power supply terminal Gnd and the potential of the power supply terminal Vdd are alternately applied to one end and the other end of the capacitive element CM according to the inversion of the polarity inversion signal POL, and the display signal is displayed. Since it can be set to a cycle independent of the sampling cycle of Vpix, the display signal Vpix
In such a case, the period of polarity inversion operation by the polarity inversion signal POL can be lengthened to reduce power consumption. Further, this liquid crystal display device not only causes the power supply fluctuation that occurs in the static memory circuit MR shown in FIG.
7 thin film transistors Q required when providing
1'-Q7 'and two control signals POL-A, POL
-B can be replaced with six thin film transistors Q1 to Q6 and one control signal POL. That is,
While stabilizing the display quality, the circuit structure can be simplified.
Further, the signal to be written to the capacitive element CM need only be a voltage at which the thin film transistors of Q1 to Q6 are conductive, and a large amplitude is not required. Therefore, the power supply voltage of the signal line drive circuit 4 which is the supply source of this display signal Vpix It can also be reduced.

【0028】ちなみに、図7に示す画素電極PEは補助
容量Csigにより直接的に駆動されるが、本実施形態の
画素電極PEは駆動回路DVにより駆動される。容量素
子CMはこの駆動回路DVの薄膜トランジスタQ2,Q
4に接続されるだけで画素電極PEを直接的に駆動しな
い。これら薄膜トランジスタQ2,Q4のゲート抵抗値
は表示画素PXの比抵抗の10〜100倍であるため、
容量素子CMに蓄積した電荷の保持期間もこれに比例し
て増大する。すなわち、ダイナミックメモリ回路DMの
書換え周期は容量素子CMの値を従来の補助容量Csig
程度にすることにより表示信号Vpixのサンプリング周
期として一般的な1/60秒よりも長い例えば1/6秒
以上にすることができる。
Incidentally, the pixel electrode PE shown in FIG. 7 is directly driven by the auxiliary capacitance Csig, but the pixel electrode PE of this embodiment is driven by the drive circuit DV. The capacitive element CM is the thin film transistor Q2, Q of this drive circuit DV.
However, the pixel electrode PE is not directly driven. Since the gate resistance values of these thin film transistors Q2 and Q4 are 10 to 100 times the specific resistance of the display pixel PX,
The retention period of the charge accumulated in the capacitive element CM also increases in proportion to this. That is, in the rewriting cycle of the dynamic memory circuit DM, the value of the capacitive element CM is set to the conventional auxiliary capacitance Csig.
By setting it to be approximately, the sampling period of the display signal Vpix can be set to 1/6 seconds or more, which is longer than the general 1/60 seconds.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、低消費電
力で表示品質を安定化する一方で回路構造を簡素化でき
る液晶表示素子を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a liquid crystal display element which can reduce the power consumption and stabilize the display quality while simplifying the circuit structure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の概略
的な構造を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic structure of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す液晶表示装置の画素周辺回路を示す
回路図である。
2 is a circuit diagram showing a pixel peripheral circuit of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図3】図2に示す画素周辺回路が極性反転信号の立ち
上がりに伴って設定される状態を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a state in which the pixel peripheral circuit shown in FIG. 2 is set with rising of a polarity inversion signal.

【図4】図3に示す状態に設定された画素周辺回路の等
価回路を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit of a pixel peripheral circuit set in the state shown in FIG.

【図5】図2に示す画素周辺回路が極性反転信号の立ち
下がりに伴って設定される状態を示す図である。
5 is a diagram showing a state in which the pixel peripheral circuit shown in FIG. 2 is set in association with a fall of a polarity inversion signal.

【図6】図5に示す状態に設定された画素周辺回路の等
価回路を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an equivalent circuit of a pixel peripheral circuit set in the state shown in FIG.

【図7】スタティックメモリ技術を用いた従来の液晶表
示装置の画素周辺回路を示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a pixel peripheral circuit of a conventional liquid crystal display device using a static memory technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

PX…液晶表示画素 Qsig…画素スイッチ用薄膜トランジスタ CM…容量素子 DM…ダイナミックメモリ回路 PC…極性制御回路 DV…電極駆動回路 PE…画素電極 CE…対向電極 Vdd,Gnd…電源端子 PX ... Liquid crystal display pixel Qsig ... Thin film transistor for pixel switch CM: Capacitive element DM: Dynamic memory circuit PC ... Polarity control circuit DV ... Electrode drive circuit PE ... Pixel electrode CE ... Counter electrode Vdd, Gnd ... Power supply terminal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 611 G09G 3/20 611A 621 621B 624 624B 631 631H Fターム(参考) 2H092 JB42 JB44 KA04 NA26 2H093 NA31 NB07 NC40 ND39 5C006 AC28 AF44 AF45 AF51 AF69 BB16 BC03 BC06 BC12 BC20 BF11 EB05 FA47 5C080 AA10 BB05 DD26 FF11 JJ02 JJ03 5C094 AA22 AA45 BA03 BA43 CA19 DB04 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09G 3/20 611 G09G 3/20 611A 621 621B 624 624B 631 631H F term (reference) 2H092 JB42 JB44 KA04 NA26 2H093 NA31 NB07 NC40 ND39 5C006 AC28 AF44 AF45 AF51 AF69 BB16 BC03 BC06 BC12 BC20 BF11 EB05 FA47 5C080 AA10 BB05 DD26 FF11 JJ02 JJ03 5C094 AA22 AA45 BA03 BA43 CA19 DB04

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 画素電極及び対向電極との電位差で液晶
材料を制御する液晶表示画素と、外部から供給される表
示信号をサンプリングするスイッチ素子およびこのスイ
ッチ素子でサンプリングされた表示信号を保持する容量
素子を含むメモリ回路と、前記メモリ回路に保持された
表示信号に対応する画素電位を前記画素電極に印加する
電極駆動回路と、前記対向電極に印加されるコモン電位
に対して前記画素電位を周期的に極性反転させる極性制
御回路とを備え、前記電極駆動回路は一端において前記
画素電極に接続され前記容量素子の一端および他端の電
位によりそれぞれ制御される相補的な第1および第2能
動素子を含み、前記極性制御回路は前記容量素子の一端
および前記第2能動素子の他端が第1電源端子に電気的
に接続される状態および前記容量素子の他端および前記
第1能動素子の他端が第1電源端子よりも高い電位に設
定される第2電源端子に電気的に接続される状態を交互
に設定するように構成されることを特徴とする液晶表示
素子。
1. A liquid crystal display pixel for controlling a liquid crystal material by a potential difference between a pixel electrode and a counter electrode, a switch element for sampling a display signal supplied from the outside, and a capacitor for holding a display signal sampled by the switch element. A memory circuit including an element, an electrode drive circuit for applying a pixel potential corresponding to a display signal held in the memory circuit to the pixel electrode, and a cycle of the pixel potential with respect to a common potential applied to the counter electrode. A polarity control circuit for selectively reversing the polarity, wherein the electrode driving circuit is connected to the pixel electrode at one end and is controlled by potentials at one end and the other end of the capacitive element, respectively, complementary first and second active elements The polarity control circuit includes a state in which one end of the capacitive element and the other end of the second active element are electrically connected to the first power supply terminal. And a state in which the other end of the capacitive element and the other end of the first active element are electrically connected to a second power supply terminal that is set to a potential higher than that of the first power supply terminal. A liquid crystal display element characterized by the following.
【請求項2】 前記第1および第2能動素子は一端にお
いて前記画素電極に接続されるPチャネルおよびNチャ
ネル薄膜トランジスタによりそれぞれ構成されることを
特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。
2. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the first and second active elements are respectively composed of P-channel and N-channel thin film transistors connected to the pixel electrode at one end.
【請求項3】 前記表示信号は前記第1および第2能動
素子の薄膜トランジスタの閾値電圧よりも大きく前記第
1および第2電源端子間の電源電圧よりも小さな振幅を
持つことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示素子。
3. The display signal has an amplitude larger than a threshold voltage of thin film transistors of the first and second active elements and smaller than a power supply voltage between the first and second power supply terminals. 2. The liquid crystal display element according to item 2.
【請求項4】 前記極性制御回路は前記第1電源端子お
よび前記容量素子の一端間に接続されるNチャネル薄膜
トランジスタ、前記第1電源端子および前記第2能動素
子のNチャネル薄膜トランジスタの他端間に接続される
Nチャネル薄膜トランジスタ、前記第2電源端子および
前記容量素子の他端間に接続されるPチャネル薄膜トラ
ンジスタ、並びに前記第2電源端子および前記第1能動
素子のPチャネル薄膜トランジスタの他端間に接続され
るPチャネル薄膜トランジスタを含むことを特徴とする
請求項3に記載の液晶表示素子。
4. The polarity control circuit includes an N-channel thin film transistor connected between the first power supply terminal and one end of the capacitive element, and between the first power supply terminal and the other end of the N-channel thin film transistor of the second active element. An N-channel thin film transistor connected, a P-channel thin film transistor connected between the second power supply terminal and the other end of the capacitive element, and a second power supply terminal connected between the other end of the P-channel thin film transistor of the first active element The liquid crystal display element according to claim 3, comprising a P-channel thin film transistor that is formed.
【請求項5】 前記スイッチ素子はポリシリコン薄膜ト
ランジスタで構成され、前記駆動回路および極性制御回
路の薄膜トランジスタは前記スイッチ素子と一緒に形成
されるポリシリコン薄膜トランジスタであることを特徴
とする請求項4に記載の液晶表示素子。
5. The switch element is composed of a polysilicon thin film transistor, and the thin film transistors of the drive circuit and the polarity control circuit are polysilicon thin film transistors formed together with the switch element. Liquid crystal display element.
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