JP2003228080A - Display pixel circuit and planar display device - Google Patents

Display pixel circuit and planar display device

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JP2003228080A
JP2003228080A JP2002024788A JP2002024788A JP2003228080A JP 2003228080 A JP2003228080 A JP 2003228080A JP 2002024788 A JP2002024788 A JP 2002024788A JP 2002024788 A JP2002024788 A JP 2002024788A JP 2003228080 A JP2003228080 A JP 2003228080A
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JP
Japan
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thin film
pixel
display pixel
display
film transistor
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Application number
JP2002024788A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasumasa Goto
康正 後藤
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0857Static memory circuit, e.g. flip-flop

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent defective pixels from occurring which flicker in the still picture display mode. <P>SOLUTION: The planar display device is provided with display pixels PX of a structure holding a light modulation layer between a pair of electrodes, pixel switches 11 for retrieving video signals, static memory parts 13 for holding the video signals applied to the display pixels PX from the pixel switches, and connection control parts 14 for controlling the electrical connections between the display pixels PX and the static memory parts 13. Especially, the static memory parts 13 have a larger current driving capacity than the connection control parts 14 so as to absorb transient currents flowing during a transitional state of the connection control parts 14. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は各表示画素が第1お
よび第2電極間に光変調層を挟持した構造を有する平面
表示装置に関し、特に表示画素毎に設けられるメモリ部
に保持された静止画用表示信号を周期的に極性反転して
この表示画素に印加する平面表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat display device in which each display pixel has a structure in which a light modulation layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode, and in particular, a static display held in a memory section provided for each display pixel. The present invention relates to a flat display device which periodically inverts the polarity of an image display signal and applies it to the display pixel.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば液晶表示装置は薄型、小型、軽量
という特徴から携帯電話やPDA(Portable Digital As
sistance)のような携帯用端末機器の画像モニタとして
広く利用されている。こうした携帯用端末機器は一般に
バッテリーを電源として動作するため、バッテリーの消
耗率が利用可能時間に大きく影響する。このような理由
により、液晶表示装置の低消費電力化が盛んに研究され
ている。
2. Description of the Related Art For example, a liquid crystal display device is characterized by being thin, small, and lightweight, and is used in a mobile phone or a PDA (Portable Digital As
It is widely used as an image monitor for portable terminal equipment such as a computer. Since such portable terminal devices generally operate using a battery as a power source, the consumption rate of the battery greatly affects the usable time. For these reasons, low power consumption of liquid crystal display devices has been actively studied.

【0003】従来、アクティブマトリクス型液晶表示装
置では、外部の駆動回路から供給される映像信号を取り
込んで表示画素に印加する画素スイッチとしてアモルフ
ァスシリコン薄膜トランジスタを用いることが一般的で
あったが、近年の薄膜形成技術の進歩によってアモルフ
ァスシリコンよりも高い移動度のポリシリコンからなる
ポリシリコン薄膜トランジスタを画素スイッチ並びに駆
動回路の構成要素として同一基板上に形成して高品位な
画像が得られるようになっている。このようにポリシリ
コン薄膜トランジスタを利用可能な状況では、さらにS
RAM(StaticRandom Access Memory)に代表されるメ
モリ技術が液晶表示装置の低消費電力化のためにも用い
られている。このSRAM技術では、複数のメモリ部が
ポリシリコン薄膜トランジスタを組み合わせにより構成
され、表示画面を構成する複数の表示画素に対してそれ
ぞれ設けられる。各メモリ部は接続制御部を介して対応
表示画素に電気的に接続され、画素スイッチにより取り
込まれて表示画素に印加された映像信号を保持しこの映
像信号に対応して表示画素を駆動する。従って、映像信
号の頻繁な更新を必要としない場合に駆動回路の出力動
作を断続的にして静止画表示を行うことが可能である。
Conventionally, in an active matrix type liquid crystal display device, it has been common to use an amorphous silicon thin film transistor as a pixel switch for taking in a video signal supplied from an external drive circuit and applying it to a display pixel. Advances in thin film formation technology have made it possible to obtain high-quality images by forming polysilicon thin film transistors made of polysilicon having a mobility higher than that of amorphous silicon on the same substrate as constituent elements of pixel switches and drive circuits. . In such a situation where the polysilicon thin film transistor can be used, the S
A memory technology represented by a RAM (Static Random Access Memory) is also used to reduce the power consumption of a liquid crystal display device. In this SRAM technology, a plurality of memory units are configured by combining polysilicon thin film transistors, and are provided for each of a plurality of display pixels forming a display screen. Each memory unit is electrically connected to the corresponding display pixel via the connection control unit, holds the video signal captured by the pixel switch and applied to the display pixel, and drives the display pixel corresponding to this video signal. Therefore, the output operation of the drive circuit can be intermittently performed to display a still image when the video signal does not need to be updated frequently.

【0004】ところで、液晶表示装置の分野では、一般
に複数の画素電極およびこれら画素電極に対向する単一
の共通電極間に光変調層として挟持された液晶層におい
て液晶材料の偏在化を防止するために複数の表示画素に
印加される映像信号電圧の極性を例えば垂直走査(フレ
ーム)期間単位で反転させるフレーム反転駆動が知られ
ている。 また、フリッカの発生を抑制するために、フレ
ーム反転駆動に加え、一又は複数行毎に表示画素に印加
される電圧の極性を反転させるHライン反転駆動、一又
は複数列毎に表示画素に印加される電圧の極性を反転さ
せるVライン反転駆動が知られている。さらにメモリ内
蔵型液晶表示装置にあっては、例えば通常表示モード時
はHライン反転駆動、静止画表示モード時には一層の低
消費電力化を達成するためフレーム反転駆動が採用され
ている。接続制御部は表示画素およびメモリ部間の電気
的な接続を制御するだけでなくこのような極性反転を制
御するためにも用いられる。
In the field of liquid crystal display devices, generally, in order to prevent uneven distribution of liquid crystal material in a liquid crystal layer sandwiched as a light modulation layer between a plurality of pixel electrodes and a single common electrode facing these pixel electrodes. In addition, frame inversion driving is known in which the polarities of video signal voltages applied to a plurality of display pixels are inverted, for example, in units of vertical scanning (frame) periods. In addition, in order to suppress the occurrence of flicker, in addition to frame inversion drive, H line inversion drive that inverts the polarity of the voltage applied to the display pixel every one or multiple rows, and application to the display pixel every one or multiple columns V line inversion drive is known in which the polarity of the applied voltage is inverted. Further, in the liquid crystal display device with a built-in memory, for example, the H line inversion drive is used in the normal display mode, and the frame inversion drive is adopted in the still image display mode in order to further reduce the power consumption. The connection control unit is used not only for controlling electrical connection between the display pixel and the memory unit but also for controlling such polarity inversion.

【0005】また、上述の極性反転のために必要とされ
る駆動電圧を低下させるためにコモン反転方式が採用さ
れることがある。このコモン反転方式において画素電極
および共通電極間の電位差の最大値を例えば5Vとして
極性反転する場合には、共通電極の電位を周期的に0V
および+5Vの一方から他方に設定し、これに同期して
映像信号電圧を0V〜+5Vの範囲でレベル反転させる
ことにより画素電極を駆動する。これに対して、共通電
極の電位を0Vに固定するような方式では、映像信号電
圧を−5〜+5Vの範囲でレベル反転させて画素電極を
駆動する必要がある。
In addition, the common inversion method may be adopted in order to reduce the drive voltage required for the above polarity inversion. In this common inversion method, when the maximum value of the potential difference between the pixel electrode and the common electrode is set to 5 V for polarity inversion, the potential of the common electrode is periodically set to 0 V.
And + 5V from one to the other, and in synchronization with this, the pixel signal is driven by inverting the level of the video signal voltage in the range of 0V to + 5V. On the other hand, in the method of fixing the potential of the common electrode to 0V, it is necessary to invert the level of the video signal voltage in the range of -5 to + 5V to drive the pixel electrode.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コモン
反転方式を上述のようなメモリ内蔵型液晶表示装置に採
用すると、表示画面全体を白表示にしたときに黒い滅点
となる欠陥画素が静止画表示モード時において発生する
ことが報告されている。
However, if the common inversion method is adopted in the above-described memory built-in type liquid crystal display device, a defective pixel which becomes a black defect point when the entire display screen is displayed in white is displayed as a still image. It has been reported to occur in mode.

【0007】本発明の目的は静止画表示モード時に滅点
となる欠陥画素の発生を防止して高い品質と信頼性を確
保できる表示画素回路および平面表示装置を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to provide a display pixel circuit and a flat panel display device capable of preventing generation of defective pixels which become a dark spot in the still image display mode and ensuring high quality and reliability.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、一対の
電極間に光変調層を挟持した構造の表示画素と、映像信
号を取り込む画素スイッチと、画素スイッチから表示画
素に印加される映像信号を保持するスタティックメモリ
部と、表示画素およびスタティックメモリ部間の電気的
な接続を制御する接続制御部とを備え、スタティックメ
モリ部は接続制御部の状態遷移中に一時的に流れる電流
を吸収するように接続制御部よりも大きい電流駆動能力
を有する表示画素回路が提供される。
According to the present invention, a display pixel having a structure in which a light modulation layer is sandwiched between a pair of electrodes, a pixel switch for capturing a video signal, and an image applied from the pixel switch to the display pixel. A static memory unit that holds signals and a connection control unit that controls the electrical connection between the display pixel and the static memory unit are provided. The static memory unit absorbs the current that temporarily flows during the state transition of the connection control unit. Thus, a display pixel circuit having a larger current drive capability than the connection controller is provided.

【0009】さらに本発明によれば、複数の上述した表
示画素回路が略マトリクス状に配置される平面表示装置
が提供される。
Further, according to the present invention, there is provided a flat display device in which a plurality of the above-mentioned display pixel circuits are arranged in a substantially matrix form.

【0010】これら表示画素回路および平面表示装置で
は、スタティックメモリ部が接続制御部の状態遷移中に
一時的に流れる電流を吸収するように接続制御部よりも
大きい電流駆動能力を有する。例えば表示画素の極性反
転に同期した接続制御部の状態遷移中にこの極性反転に
起因した電位変動で一時的に表示画素からスタティック
メモリ部に電流が流れ込んでも、スタティックメモリ部
がこの電流を吸収して保持状態にある映像信号の変化を
抑制する。この結果、静止画表示モード時に滅点となる
欠陥画素の発生が防止され、高い品質と信頼性を確保す
ることができる。
In these display pixel circuits and flat panel display devices, the static memory section has a larger current drive capacity than the connection control section so as to absorb the current that temporarily flows during the state transition of the connection control section. For example, even if a current temporarily flows from the display pixel to the static memory unit due to a potential change caused by the polarity reversal during the state transition of the connection control unit synchronized with the polarity reversal of the display pixel, the static memory unit absorbs the current. The change of the video signal in the holding state is suppressed. As a result, it is possible to prevent the generation of defective pixels, which become dark spots in the still image display mode, and to ensure high quality and reliability.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
平面表示装置について図面を参照して説明する。この平
面表示装置は動画および静止画を表示可能な通常表示モ
ードの他に、例えば低消費電力化のために静止画を表示
する静止画表示モードを持つ携帯端末機器の画像モニタ
として用いられる液晶表示装置である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A flat panel display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. This flat panel display is a liquid crystal display used as an image monitor of a mobile terminal device having a still image display mode for displaying a still image in order to reduce power consumption in addition to a normal display mode capable of displaying a moving image and a still image. It is a device.

【0012】図1はこの平面表示装置の概略的な回路構
成を示し、図2はこの平面表示装置の概略的な断面構造
を示し、図3は図1に示す表示画素周辺の等価回路を示
す。
FIG. 1 shows a schematic circuit configuration of the flat display device, FIG. 2 shows a schematic sectional structure of the flat display device, and FIG. 3 shows an equivalent circuit around the display pixel shown in FIG. .

【0013】この平面表示装置は、液晶表示パネル1お
よびこの液晶表示パネル1を制御する液晶コントローラ
2を備える。液晶表示パネル1は、例えば液晶層LQが
光変調層としてアレイ基板ARおよび対向基板CT間に
保持される構造を有し、液晶コントローラ2は液晶表示
パネル1から独立した駆動回路基板上に配置される。
This flat display device comprises a liquid crystal display panel 1 and a liquid crystal controller 2 for controlling the liquid crystal display panel 1. The liquid crystal display panel 1 has a structure in which, for example, the liquid crystal layer LQ is held as a light modulation layer between the array substrate AR and the counter substrate CT, and the liquid crystal controller 2 is arranged on a drive circuit substrate independent of the liquid crystal display panel 1. It

【0014】アレイ基板ARは、ガラス基板上の表示領
域DSにおいてマトリクス状に配置される複数の画素電
極PE、複数の画素電極PEの行に沿って形成される複
数の走査線Y(Y1〜Ym)、複数の画素電極PEの列に
沿って形成される複数の信号線X(X1〜Xn)、信号線
X1〜Xnおよび走査線Y1〜Ymの交差位置にそれぞれ隣
接して配置され各々対応走査線Yからの走査信号に応答
して対応信号線Xからの映像信号Vpixを取り込み対応
画素電極PEに印加する画素スイッチ11、走査線Y1
〜Ymを駆動する走査線駆動回路3、並びに信号線X1〜
Xnを駆動する信号線駆動回路4を備える。各画素スイ
ッチ11は例えばLDD構造であってダブルゲート構造
のNチャネルポリシリコン薄膜トランジスタにより構成
される。ここでは、LDD長を片側2μmとしている。
走査線駆動回路3および信号線駆動回路4は、画素スイ
ッチ11の薄膜トランジスタと一緒にアレイ基板AR上
に形成される複数のポリシリコン薄膜トランジスタを組
み合わせて構成される。対向基板CTは複数の画素電極
PEに対向して配置される単一の共通電極CEおよび図
示しないカラーフィルタ等を含む。
The array substrate AR includes a plurality of pixel electrodes PE arranged in a matrix in the display area DS on the glass substrate, and a plurality of scanning lines Y (Y1 to Ym) formed along rows of the plurality of pixel electrodes PE. ), A plurality of signal lines X (X1 to Xn) formed along the columns of the plurality of pixel electrodes PE, the signal lines X1 to Xn, and the scanning lines Y1 to Ym, which are arranged adjacent to each other at respective intersecting positions, and each corresponding scan. In response to the scanning signal from the line Y, the pixel switch 11 that takes in the video signal Vpix from the corresponding signal line X and applies it to the corresponding pixel electrode PE, the scanning line Y1
~ Scanning line drive circuit 3 for driving Ym and signal line X1 ~
A signal line drive circuit 4 for driving Xn is provided. Each pixel switch 11 is composed of an N-channel polysilicon thin film transistor having an LDD structure and a double gate structure, for example. Here, the LDD length is 2 μm on each side.
The scanning line drive circuit 3 and the signal line drive circuit 4 are configured by combining a plurality of polysilicon thin film transistors formed on the array substrate AR together with the thin film transistors of the pixel switch 11. The counter substrate CT includes a single common electrode CE arranged to face the plurality of pixel electrodes PE, a color filter (not shown), and the like.

【0015】液晶コントローラ2は、例えば外部から供
給される映像信号および同期信号を受取り、通常表示モ
ードで画素映像信号Vpix、垂直走査制御信号YCTお
よび水平走査制御信号XCTを発生する。垂直走査制御
信号YCTは例えば垂直スタートパルス、垂直クロック
信号、出力イネーブル信号ENAB等を含み、走査線駆
動回路3に供給される。水平走査制御信号XCTは水平
スタートパルス、水平クロック信号、極性反転信号等を
含み、映像信号Vpixと共に信号線駆動回路4に供給さ
れる。
The liquid crystal controller 2 receives, for example, a video signal and a synchronizing signal supplied from the outside, and generates a pixel video signal Vpix, a vertical scanning control signal YCT and a horizontal scanning control signal XCT in the normal display mode. The vertical scanning control signal YCT includes, for example, a vertical start pulse, a vertical clock signal, an output enable signal ENAB, etc., and is supplied to the scanning line driving circuit 3. The horizontal scanning control signal XCT includes a horizontal start pulse, a horizontal clock signal, a polarity inversion signal, etc., and is supplied to the signal line drive circuit 4 together with the video signal Vpix.

【0016】走査線駆動回路3はシフトレジスタを含
み、画素スイッチ11を導通させる走査信号を1垂直走
査(フレーム)期間毎に走査線Y1〜Ymに順次供給する
よう垂直走査制御信号YCTによって制御される。シフ
トレジスタは1垂直走査期間毎に供給される垂直スター
トパルスを垂直クロック信号に同期してシフトさせるこ
とにより複数の走査線Y1〜Ymのうちの1本を選択し、
出力イネーブル信号ENABを参照して選択走査線に走
査信号を出力する。出力イネーブル信号ENABは垂直
走査(フレーム)期間のうちの有効走査期間において走
査信号の出力を許可するために高レベルに維持され、こ
の垂直走査期間から有効走査期間を除いた垂直ブランキ
ング期間で走査信号の出力を禁止するために低レベルに
維持される。
The scanning line driving circuit 3 includes a shift register and is controlled by the vertical scanning control signal YCT so as to sequentially supply the scanning signal for conducting the pixel switch 11 to the scanning lines Y1 to Ym every one vertical scanning (frame) period. It The shift register selects one of the plurality of scanning lines Y1 to Ym by shifting a vertical start pulse supplied every one vertical scanning period in synchronization with a vertical clock signal,
A scan signal is output to the selected scan line with reference to the output enable signal ENAB. The output enable signal ENAB is maintained at a high level in order to permit the output of the scanning signal in the effective scanning period of the vertical scanning (frame) period, and the scanning is performed in the vertical blanking period excluding the effective scanning period from the vertical scanning period. It is kept low to inhibit signal output.

【0017】信号線駆動回路4はシフトレジスタおよび
サンプリング出力回路を有し、各走査線Yが走査信号に
より駆動される1水平走査期間(1H)において入力さ
れる映像信号を直並列変換してサンプリングしたアナロ
グ映像信号Vpixを信号線X1〜Xnにそれぞれ供給する
ように水平走査制御信号XCTによって制御される。
The signal line driving circuit 4 has a shift register and a sampling output circuit, and serial-parallel converts and samples a video signal input in one horizontal scanning period (1H) in which each scanning line Y is driven by the scanning signal. It is controlled by the horizontal scanning control signal XCT so that the analog video signal Vpix is supplied to the signal lines X1 to Xn.

【0018】尚、共通電極CEは、図3に示すようにコ
モン電位Vcomに設定される。コモン電位Vcomは通常表
示モードにおいて1水平走査期間(H)毎に0Vおよび
5Vの一方から他方にレベル反転され、静止画表示モー
ドにおいて1フレーム期間(F)毎に0Vおよび5Vの
一方から他方にレベル反転される。また、通常表示モー
ドにおいて、本実施形態のように1水平走査期間(H)
毎にコモン電位Vcomをレベル反転させる代わりに、例
えば2H毎、あるいは1フレーム期間(F)毎にコモン
電位Vcomをレベル反転させてもかまわない。
The common electrode CE is set to the common potential Vcom as shown in FIG. The common potential Vcom is level-reversed from one of 0V and 5V every horizontal scanning period (H) in the normal display mode, and from one of 0V and 5V every one frame period (F) in the still image display mode. The level is inverted. In the normal display mode, one horizontal scanning period (H) as in the present embodiment
Instead of inverting the level of the common potential Vcom every time, the level of the common potential Vcom may be inverted for example every 2H or every one frame period (F).

【0019】極性反転信号はこのコモン電位Vcomのレ
ベル反転に同期して信号線駆動回路4に供給される。そ
して、信号線駆動回路4は、通常表示モードにおいては
0Vから5Vの振幅を持つ映像信号Vpixをコモン電位
Vcomに対して逆極性となるように極性反転信号に応答
してレベル反転し出力し、静止画表示モードでは静止画
用に階調制限した映像信号を出力した後にその動作を停
止する。
The polarity inversion signal is supplied to the signal line drive circuit 4 in synchronization with the level inversion of the common potential Vcom. Then, in the normal display mode, the signal line driving circuit 4 inverts the level of the video signal Vpix having an amplitude of 0V to 5V in response to the polarity inversion signal so as to have a polarity opposite to the common potential Vcom, and outputs the signal. In the still image display mode, the operation is stopped after outputting the video signal whose gradation is limited for the still image.

【0020】この液晶表示パネル1の液晶層LQは、例
えば共通電極CEに設定される0Vのコモン電位Vcom
に対して5Vの映像信号Vpixを画素電極PEに印加す
ることにより黒表示を行うノーマリホワイトであり、上
述したように通常表示モードでは映像信号Vpixおよび
コモン電位Vcomの電位関係が1水平走査期間(H)毎に
交互に反転されるHコモン反転駆動が採用され、静止画
表示モードでは1フレーム毎に交互に反転されるフレー
ム反転駆動が採用されている。 表示画面は複数の表示画素PXにより構成される。各表
示画素PXは画素電極PEおよび共通電極CE、並びに
これらの間に挟持された液晶層LQの液晶材料を含む。
さらに、複数のスタティックメモリ部13および複数の
接続制御部14が複数の表示画素PXに対してそれぞれ
設けられる。図3に示すように、画素電極PEはこの信
号線X上の映像信号Vpixを選択的に取り込む画素スイ
ッチ11に接続され、さらに例えば共通電極CEのコモ
ン電位Vcomに設定される補助容量線に容量結合する。
画素電極PEおよび共通電極CEは液晶材料を介して液
晶容量を構成し、画素電極PEおよび補助容量線は液晶
材料を介することなく液晶容量に並列的な補助容量12
を構成する。
The liquid crystal layer LQ of the liquid crystal display panel 1 has a common potential Vcom of 0 V set on the common electrode CE, for example.
Is a normally white in which black is displayed by applying the video signal Vpix of 5 V to the pixel electrode PE, and as described above, in the normal display mode, the potential relationship between the video signal Vpix and the common potential Vcom is one horizontal scanning period. The H common inversion drive, which is alternately inverted every (H), is adopted, and the frame inversion drive, which is alternately inverted every frame in the still image display mode, is adopted. The display screen is composed of a plurality of display pixels PX. Each display pixel PX includes the pixel electrode PE, the common electrode CE, and the liquid crystal material of the liquid crystal layer LQ sandwiched therebetween.
Furthermore, a plurality of static memory units 13 and a plurality of connection control units 14 are provided for the plurality of display pixels PX, respectively. As shown in FIG. 3, the pixel electrode PE is connected to the pixel switch 11 that selectively takes in the video signal Vpix on the signal line X, and further, for example, a capacitance is connected to an auxiliary capacitance line set to the common potential Vcom of the common electrode CE. Join.
The pixel electrode PE and the common electrode CE form a liquid crystal capacitance via a liquid crystal material, and the pixel electrode PE and the auxiliary capacitance line are in parallel with the liquid crystal capacitance without the liquid crystal material.
Make up.

【0021】画素スイッチ11は走査線Yからの走査信
号によって駆動されたときに信号線X上の映像信号Vpi
xを表示画素PXに印加する。補助容量12は液晶容量
に比べて十分大きな容量値を有し、表示画素PXに印加
された映像信号Vpixにより充放電される。補助容量1
2がこの充放電により映像信号Vpixを保持すると、こ
の映像信号Vpixは画素スイッチ11が非導通となった
ときに液晶容量に保持された電位の変動を補償し、これ
により画素電極PEおよび共通電極CE間の電位差が維
持される。
When the pixel switch 11 is driven by the scanning signal from the scanning line Y, the video signal Vpi on the signal line X
x is applied to the display pixel PX. The auxiliary capacitance 12 has a capacitance value sufficiently larger than the liquid crystal capacitance, and is charged / discharged by the video signal Vpix applied to the display pixel PX. Auxiliary capacity 1
When 2 holds the video signal Vpix by this charging / discharging, this video signal Vpix compensates the fluctuation of the potential held in the liquid crystal capacitance when the pixel switch 11 becomes non-conducting, whereby the pixel electrode PE and the common electrode. The potential difference between CEs is maintained.

【0022】さらに、各スタティックメモリ部13はP
チャネルポリシリコン薄膜トランジスタQ1,Q3,Q
5およびLDD構造のNチャネルポリシリコン薄膜トラ
ンジスタQ2,Q4を有し、画素スイッチ11から表示
画素PXに印加された映像信号Vpixを保持する。各接
続制御部14はLDD構造のNチャネルポリシリコン薄
膜トランジスタQ6およびQ7を有し、表示画素PXお
よびスタティックメモリ部13間の電気的な接続を制御
するだけでなくスタティックメモリ部13に保持された
映像信号の出力極性を制御する極性制御回路を兼ねる。
ここでは、LDD長を片側2μmとしている。薄膜トラ
ンジスタQ1,Q2は電源端子Vdd(=5V)および
電源端子Vss(=0V)間の電源電圧で動作する第1
相補型インバータINV1を構成し、薄膜トランジスタ
Q3,Q4は電源端子Vdd,Vss間の電源電圧で動
作する第2相補型インバータINV2を構成する。相補
型インバータINV2の出力端は相補型インバータIN
V1の入力端に接続される、これら相補型インバータI
NV1,INV2により縦列インバータ回路を構成す
る。相補型インバータINV1の出力端は薄膜トランジ
スタQ5を介して相補型インバータINV2の入力端に
接続される。ここで、薄膜トランジスタQ5は縦列イン
バータ回路の出力を縦列インバータ回路の入力として帰
還するループスイッチを構成する。この薄膜トランジス
タQ5は例えば走査線Yを介して制御され、画素スイッ
チ11が走査線Yからの走査信号の立ち上がりにより導
通するフレーム期間において導通せず、このフレームの
次のフレーム期間において導通する。これにより、少な
くとも画素スイッチ11が映像信号Vpixを取り込むま
で、薄膜トランジスタQ5は非導通状態に維持される。
Further, each static memory unit 13 has P
Channel polysilicon thin film transistors Q1, Q3, Q
5 and N-channel polysilicon thin film transistors Q2 and Q4 having an LDD structure, and holds the video signal Vpix applied from the pixel switch 11 to the display pixel PX. Each connection control unit 14 has LDD-structure N-channel polysilicon thin film transistors Q6 and Q7, and not only controls the electrical connection between the display pixel PX and the static memory unit 13, but also stores an image stored in the static memory unit 13. It also serves as a polarity control circuit that controls the output polarity of the signal.
Here, the LDD length is 2 μm on each side. The thin film transistors Q1 and Q2 operate at a power supply voltage between the power supply terminal Vdd (= 5V) and the power supply terminal Vss (= 0V).
The complementary inverter INV1 is formed, and the thin film transistors Q3 and Q4 form a second complementary inverter INV2 that operates at the power supply voltage between the power supply terminals Vdd and Vss. The output terminal of the complementary inverter INV2 is a complementary inverter IN
These complementary inverters I connected to the input terminal of V1
A column inverter circuit is composed of NV1 and INV2. The output terminal of the complementary inverter INV1 is connected to the input terminal of the complementary inverter INV2 via the thin film transistor Q5. Here, the thin film transistor Q5 constitutes a loop switch that feeds back the output of the cascade inverter circuit as the input of the cascade inverter circuit. The thin film transistor Q5 is controlled, for example, via the scanning line Y, and does not conduct in the frame period in which the pixel switch 11 conducts due to the rising of the scanning signal from the scanning line Y, but conducts in the frame period subsequent to this frame. As a result, the thin film transistor Q5 is maintained in a non-conductive state at least until the pixel switch 11 captures the video signal Vpix.

【0023】薄膜トランジスタQ6は図4に示すように
2つのゲート電極G1およびG2がポリシリコン半導体
薄膜SF上に絶縁して形成されるダブルゲート構造を有
し、薄膜トランジスタQ7も薄膜トランジスタQ6と同
様なダブルゲート構造を有する。これら薄膜トランジス
タQ6およびQ7は静止画表示モードにおいて例えば1
フレーム毎に交互に高レベルに設定される極性制御信号
POL1およびPOL2によりそれぞれ制御される。薄
膜トランジスタQ6は画素電極PEと相補型インバータ
INV2の入力端並びに薄膜トランジスタQ5を介して
相補型インバータINV1の出力端との間に接続され、
薄膜トランジスタQ7は画素電極PEと相補型インバー
タINV1の入力端並びに相補型インバータINV2の
出力端との間に接続される。
As shown in FIG. 4, the thin film transistor Q6 has a double gate structure in which two gate electrodes G1 and G2 are formed on the polysilicon semiconductor thin film SF in an insulating manner, and the thin film transistor Q7 also has the same double gate structure as the thin film transistor Q6. Have a structure. These thin film transistors Q6 and Q7 are, for example, 1 in the still image display mode.
It is controlled by polarity control signals POL1 and POL2 which are alternately set to a high level for each frame. The thin film transistor Q6 is connected between the pixel electrode PE and the input end of the complementary inverter INV2 and the output end of the complementary inverter INV1 via the thin film transistor Q5.
The thin film transistor Q7 is connected between the pixel electrode PE and the input end of the complementary inverter INV1 and the output end of the complementary inverter INV2.

【0024】スタティックメモリ部13は接続制御部1
4よりも大きな電流駆動能力を有するように構成され
る。接続制御部14では、Nチャネルポリシリコン薄膜
トランジスタQ6がチャネル幅W=3μmおよびチャネ
ル長L=3μm+3μm=6μmという寸法で図4の
(a)に示すように形成され、3μm/6μm=0.5
というW/L比を有する。これはNチャネルポリシリコ
ン薄膜トランジスタQ7についても同様である。スタテ
ィックメモリ部14の縦列インバータ回路では、Pチャ
ネルポリシリコン薄膜トランジスタQ3がチャネル幅W
=7μmおよびチャネル長L=3.5μmという寸法で
図4の(b)に示すように形成され、7μm/3.5μ
m=2というW/L比を有する。これはPチャネルポリ
シリコン薄膜トランジスタQ1およびNチャネル薄膜ト
ランジスタQ2,Q4についても同様である。また、ス
タティックメモリ部14のループスイッチでは、Pチャ
ネル薄膜トランジスタQ5がチャネル幅W=7.5μm
およびチャネル長L=3μmという寸法で図4の(c)
に示すように形成され、7.5μm/3μm=2.5と
いうW/L比を有する。ここで、薄膜トランジスタQ
6,Q7のW/L比をkとすれば、薄膜トランジスタQ
1〜Q4のW/L比は4kとなり、薄膜トランジスタQ
5のW/L比は5kとなる。実際には、薄膜トランジス
タQ3のW/L比が薄膜トランジスタQ6のW/L比の
4倍以上になり、薄膜トランジスタQ5のW/L比が薄
膜トランジスタQ6のW/L比の5倍以上で薄膜トラン
ジスタQ3のW/L比よりも大きくなるようにすること
が好ましい。
The static memory unit 13 is the connection control unit 1.
It is configured to have a current driving capacity greater than 4. In the connection control unit 14, an N-channel polysilicon thin film transistor Q6 is formed with a channel width W = 3 μm and a channel length L = 3 μm + 3 μm = 6 μm as shown in FIG. 4A, and 3 μm / 6 μm = 0.5.
Has a W / L ratio of The same applies to the N-channel polysilicon thin film transistor Q7. In the column inverter circuit of the static memory unit 14, the P channel polysilicon thin film transistor Q3 has a channel width W.
= 7 μm and channel length L = 3.5 μm, and formed as shown in FIG.
It has a W / L ratio of m = 2. The same applies to the P-channel polysilicon thin film transistor Q1 and the N-channel thin film transistors Q2 and Q4. Further, in the loop switch of the static memory unit 14, the P-channel thin film transistor Q5 has a channel width W = 7.5 μm.
And the channel length L = 3 μm in FIG.
And having a W / L ratio of 7.5 μm / 3 μm = 2.5. Here, the thin film transistor Q
If the W / L ratio of 6 and Q7 is k, the thin film transistor Q
The W / L ratio of 1 to Q4 is 4k, and the thin film transistor Q
The W / L ratio of 5 is 5k. In reality, the W / L ratio of the thin film transistor Q3 is four times or more the W / L ratio of the thin film transistor Q6, and the W / L ratio of the thin film transistor Q5 is five times or more the W / L ratio of the thin film transistor Q6. It is preferable to make it larger than the / L ratio.

【0025】次に上述の平面表示装置の動作を説明す
る。図5に示すように通常表示モードでは、液晶コント
ローラ2が極性制御信号POL1およびPOL2を低レ
ベルに維持する一方で、走査線駆動回路3が走査信号を
1フレーム期間毎に順次複数の走査線Y(Y1からY
m)に供給する。各走査線Yは走査信号により1水平走
査期間(1H)だけ高レベルに維持される。信号線駆動
回路4は各水平走査期間毎にレベル反転される1行分の
映像信号Vpixをそれぞれ複数の信号線X(X1〜X
n)に供給する。各表示画素PXの画素スイッチ11は
対応走査線Yからの走査信号により導通し、対応信号線
Xに供給された映像信号Vpixを取り込み画素電極PE
に印加する。画素スイッチ11が1水平走査期間後に非
導通となって、画素電極PEを電気的なフローティング
状態にすると、この映像信号Vpixは再び画素スイッチ
11が導通するまで液晶容量および補助容量12によっ
て保持される。この間、表示画素PXは共通電極CEと
画素電極PE間の電位差に対応する光透過率に設定され
る。
Next, the operation of the above flat panel display device will be described. As shown in FIG. 5, in the normal display mode, while the liquid crystal controller 2 maintains the polarity control signals POL1 and POL2 at a low level, the scanning line driving circuit 3 sequentially outputs the scanning signals to the plurality of scanning lines Y every one frame period. (Y1 to Y
m). Each scanning line Y is maintained at a high level for one horizontal scanning period (1H) by the scanning signal. The signal line drive circuit 4 outputs the video signal Vpix for one row whose level is inverted every horizontal scanning period to a plurality of signal lines X (X1 to X).
n). The pixel switch 11 of each display pixel PX is rendered conductive by the scanning signal from the corresponding scanning line Y, and captures the video signal Vpix supplied to the corresponding signal line X to take in the pixel electrode PE.
Apply to. When the pixel switch 11 becomes non-conductive after one horizontal scanning period and the pixel electrode PE is brought into an electrically floating state, the video signal Vpix is held by the liquid crystal capacitor and the auxiliary capacitor 12 until the pixel switch 11 becomes conductive again. . During this period, the display pixel PX is set to the light transmittance corresponding to the potential difference between the common electrode CE and the pixel electrode PE.

【0026】静止画表示モードに移行する場合には、極
性制御信号POL1が最初の1フレーム期間である静止
画書込期間で高レベルに、POL2が低レベルに維持さ
れ、静止画用の映像信号Vpixがこのフレーム期間にお
いて1水平走査期間毎に信号線Xに供給される。これに
続く静止画保持期間では、極性制御信号POL2および
POL1がスタティックメモリ部13の出力極性を反転
させるために1フレーム期間毎に交互に高レベルに設定
される。
When shifting to the still picture display mode, the polarity control signal POL1 is maintained at a high level and the POL2 is maintained at a low level in the still picture writing period which is the first one frame period, and the video signal for a still picture is maintained. Vpix is supplied to the signal line X every horizontal scanning period in this frame period. In the subsequent still image holding period, the polarity control signals POL2 and POL1 are alternately set to a high level every frame period in order to invert the output polarity of the static memory unit 13.

【0027】極性制御信号POL1が上述のように静止
画表示モードの静止画書込期間に相当する第1フレーム
期間において高レベルに維持されると、2値の静止画情
報に対応する映像信号Vpixが画素スイッチ11を介し
て画素電極PEに印加されると共に、薄膜トランジスタ
Q6を介してスタティックメモリ部13に供給される。
静止画保持期間で例えば極性制御信号POL1が低レベ
ル、POL2が高レベルになると、この映像信号Vpix
は相補型インバータINV2によってレベル反転され出
力映像信号として薄膜トランジスタQ7を介して画素電
極PEに印加される。ここで、静止画表示モードの静止
画書込期間の動作について補足する。通常表示モードの
最後のフレーム期間において、第1行目から第4行目ま
での表示画素PXの画素電位VP1,VP2,VP3,
VP4がライン反転駆動で同じ明るさとなるようにそれ
ぞれ5V,0V,5V,0Vに設定されていて、さらに
静止画用の映像信号Vpixが例えば第4走査線Y4が駆動
される水平走査期間だけ5Vに設定され、それ以外で0
Vに設定されると仮定する。この場合、画素電位VP1
は静止画書込期間において5Vから0Vに遷移し、画素
電位VP2は静止画書込期間において0Vのまま遷移し
ない。他方、画素電位VP3は5Vから0Vに遷移し、
画素電位VP4は0Vから5Vに遷移する。
When the polarity control signal POL1 is maintained at the high level in the first frame period corresponding to the still image writing period in the still image display mode as described above, the video signal Vpix corresponding to binary still image information. Is applied to the pixel electrode PE via the pixel switch 11 and is also supplied to the static memory unit 13 via the thin film transistor Q6.
For example, when the polarity control signal POL1 is low level and POL2 is high level during the still image holding period, this video signal Vpix
Is inverted in level by the complementary inverter INV2 and applied as an output video signal to the pixel electrode PE via the thin film transistor Q7. Here, the operation during the still image writing period in the still image display mode will be supplemented. In the last frame period of the normal display mode, the pixel potentials VP1, VP2, VP3 of the display pixels PX from the first row to the fourth row.
VP4 is set to 5V, 0V, 5V, and 0V so as to have the same brightness in the line inversion drive, and the video signal Vpix for still images is, for example, 5V only during the horizontal scanning period when the fourth scanning line Y4 is driven. Set to 0 otherwise
Suppose it is set to V. In this case, the pixel potential VP1
Changes from 5V to 0V in the still image writing period, and the pixel potential VP2 does not change from 0V in the still image writing period. On the other hand, the pixel potential VP3 transits from 5V to 0V,
The pixel potential VP4 transitions from 0V to 5V.

【0028】上述した実施形態の平面表示装置では、ス
タティックメモリ部13が接続制御部14の状態遷移中
に一時的に流れる電流を吸収するように接続制御部14
よりも大きい電流駆動能力を有する。従って、例えば表
示画素の極性反転に同期した接続制御部14の状態遷移
中にこの極性反転に起因した電位変動で一時的に表示画
素PXからスタティックメモリ部13に電流が流れ込ん
でも、スタティックメモリ部13がこの電流を吸収して
保持状態にある映像信号Vpixの変化を抑制する。この
結果、静止画表示モード時に滅点となる欠陥画素の発生
が防止され、高い品質と信頼性を確保することができ
る。
In the flat panel display device of the above-described embodiment, the connection control unit 14 is arranged so that the static memory unit 13 absorbs the current that temporarily flows during the state transition of the connection control unit 14.
It has a larger current drive capability. Therefore, for example, during the state transition of the connection control unit 14 synchronized with the polarity reversal of the display pixel, even if a current temporarily flows from the display pixel PX to the static memory unit 13 due to a potential change due to the polarity reversal, the static memory unit 13 Absorbs this current and suppresses the change of the video signal Vpix in the holding state. As a result, it is possible to prevent the generation of defective pixels, which become dark spots in the still image display mode, and to ensure high quality and reliability.

【0029】尚、本発明は上述の実施形態に限定され
ず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能であ
る。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be variously modified without departing from the gist thereof.

【0030】図6は図3に示す回路構成の変形例を示
す。上述の実施形態では、Pチャネルポリシリコン薄膜
トランジスタQ5がループスイッチとして用いられる。
しかし、このループスイッチをPチャネルポリシリコン
薄膜トランジスタに変更し、例えば液晶コントローラ2
の信号発生部から発生される制御信号REVにより薄膜
トランジスタQ5を独立に制御してもよい。
FIG. 6 shows a modification of the circuit configuration shown in FIG. In the above-described embodiment, the P-channel polysilicon thin film transistor Q5 is used as the loop switch.
However, the loop switch is changed to a P-channel polysilicon thin film transistor, and for example, the liquid crystal controller 2
The thin film transistor Q5 may be independently controlled by the control signal REV generated from the signal generation unit.

【0031】さらに、上述の実施形態では平面表示装置
が液晶表示装置である場合について説明したが、本発明
はこの他にも有機EL表示装置等にも適用可能である。
Furthermore, in the above-described embodiment, the case where the flat display device is a liquid crystal display device has been described, but the present invention is also applicable to an organic EL display device and the like.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、静止画表
示モード時に滅点となる欠陥画素の発生を防止して高い
品質と信頼性を確保できる表示画素回路および平面表示
装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, there is provided a display pixel circuit and a flat display device capable of preventing generation of a defective pixel which becomes a dark spot in the still image display mode and ensuring high quality and reliability. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る平面表示装置の概略
的な回路構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic circuit configuration of a flat panel display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す平面表示装置の概略的な断面構造を
示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a schematic cross-sectional structure of the flat panel display device shown in FIG.

【図3】図1に示す表示画素周辺の等価回路を示す図で
ある。
FIG. 3 is a diagram showing an equivalent circuit around the display pixel shown in FIG.

【図4】図3に示す接続制御部およびスタティックメモ
リ部の薄膜トランジスタの寸法を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing dimensions of the thin film transistors of the connection control unit and the static memory unit shown in FIG.

【図5】図1に示す平面表示装置の動作波形を示す図で
ある。
5 is a diagram showing operation waveforms of the flat panel display device shown in FIG.

【図6】図3に示す回路構成の変形例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a modified example of the circuit configuration shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

X…信号線 Y…走査線 PX…液晶表示画素 11…画素スイッチ 12…補助容量 13…スタティックメモリ部 14…接続制御部 PE…画素電極 AR…アレイ基板 CT…対向基板 CE…共通電極 LQ…液晶層 Q1〜Q7…ポリシリコン薄膜トランジスタ X: Signal line Y: scanning line PX ... Liquid crystal display pixel 11 ... Pixel switch 12 ... auxiliary capacity 13 ... Static memory section 14 ... Connection control unit PE ... Pixel electrode AR ... array substrate CT ... Counter substrate CE ... Common electrode LQ ... Liquid crystal layer Q1 to Q7 ... Polysilicon thin film transistor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 680 G09G 3/20 680G 3/36 3/36 H01L 29/786 H01L 29/78 618C 614 617N Fターム(参考) 2H092 JA09 JA10 JB42 KA04 NA13 2H093 NA31 NC18 NC22 NC29 NC34 NC40 NC41 NC62 ND16 5C006 AA01 AA02 AC27 AC28 AF42 AF44 AF45 AF51 AF53 AF61 AF69 AF71 AF73 BB16 BC03 BC06 BC12 BC20 EB05 FA22 FA47 5C080 AA10 BB05 DD05 DD09 DD28 EE17 EE28 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 5F110 AA07 AA30 BB02 BB04 BB07 EE24 EE28 GG02 GG13 GG23 GG28 GG29 HM15 NN72 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (51) Int.Cl. 7 Identification Code FI Theme Coat (Reference) G09G 3/20 680 G09G 3/20 680G 3/36 3/36 H01L 29/786 H01L 29/78 618C 614 617N F-term (reference) 2H092 JA09 JA10 JB42 KA04 NA13 2H093 NA31 NC18 NC22 NC29 NC34 NC40 NC41 NC62 ND16 5C006 AA01 AA02 AC27 AC28 AF42 AF44 AF45 AF51 AF53 AF61 AF69 AF71 AF73 BB16 BC03 BC06 BC12 BC20 EB05 A05A17 FA10 FA10 FA10A10 EE28 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 5F110 AA07 AA30 BB02 BB04 BB07 EE24 EE28 GG02 GG13 GG23 GG28 GG29 HM15 NN72

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の電極間に光変調層を挟持した構造
の表示画素と、映像信号を取り込む画素スイッチと、前
記画素スイッチから前記表示画素に印加される映像信号
を保持するスタティックメモリ部と、前記表示画素およ
び前記スタティックメモリ部間の電気的な接続を制御す
る接続制御部とを備え、前記スタティックメモリ部は前
記接続制御部の状態遷移中に流れる電流を吸収するよう
に前記接続制御部よりも大きい電流駆動能力を有するこ
とを特徴とする表示画素回路。
1. A display pixel having a structure in which a light modulation layer is sandwiched between a pair of electrodes, a pixel switch for taking in a video signal, and a static memory section for holding a video signal applied from the pixel switch to the display pixel. A connection control unit that controls electrical connection between the display pixel and the static memory unit, wherein the static memory unit absorbs a current flowing during a state transition of the connection control unit. A display pixel circuit having a larger current driving capability than that of the display pixel circuit.
【請求項2】 前記スタティックメモリ部は第1および
第2相補型インバータを縦列接続した縦列インバータ回
路並びに前記縦列インバータ回路の出力を前記前記縦列
インバータ回路の入力として帰還するループスイッチを
含むことを特徴とする請求項1に記載の表示画素回路。
2. The static memory unit includes a cascade inverter circuit in which first and second complementary inverters are connected in cascade, and a loop switch for feeding back an output of the cascade inverter circuit as an input of the cascade inverter circuit. The display pixel circuit according to claim 1.
【請求項3】 前記接続制御部は前記前記第1相補型イ
ンバータの出力および第2相補型インバータの出力を所
定周期で交互に前記表示画素に印加する一対のNチャネ
ルポリシリコン薄膜トランジスタを含み、前記縦列イン
バータ回路は前記接続制御部のNチャネルポリシリコン
薄膜トランジスタのチャネル幅Wとチャネル長LとのW
/L比の4倍以上であるW/L比のPチャネルポリシリ
コン薄膜トランジスタを含み、前記ループスイッチは前
記接続制御部のNチャネルポリシリコン薄膜トランジス
タのW/L比の5倍以上であって前記縦列インバータ回
路のPチャネルポリシリコン薄膜トランジスタのW/L
比よりも大きなW/L比のPチャネルポリシリコン薄膜
トランジスタを含むことを特徴とする請求項2に記載の
表示画素回路。
3. The connection control unit includes a pair of N-channel polysilicon thin film transistors that alternately apply the output of the first complementary inverter and the output of the second complementary inverter to the display pixel in a predetermined cycle. The cascaded inverter circuit has a channel width W and a channel length L of the N-channel polysilicon thin film transistor of the connection controller.
The L / P ratio is 4 times or more, and the loop switch is 5 times or more the W / L ratio of the N channel polysilicon thin film transistor of the connection controller. Inverter circuit P-channel polysilicon thin film transistor W / L
The display pixel circuit according to claim 2, comprising a P-channel polysilicon thin film transistor having a W / L ratio larger than the ratio.
【請求項4】 前記接続制御部のNチャネルポリシリコ
ン薄膜トランジスタはダブルゲート構造を有することを
特徴とする請求項3に記載の表示画素回路。
4. The display pixel circuit according to claim 3, wherein the N-channel polysilicon thin film transistor of the connection controller has a double gate structure.
【請求項5】 複数の前記表示画素回路が略マトリクス
状に配置されたことを特徴とする請求項1に記載の平面
表示装置。
5. The flat display device according to claim 1, wherein the plurality of display pixel circuits are arranged in a substantially matrix form.
【請求項6】 各表示画素回路の画素スイッチ部に映像
信号を出力してこの画素スイッチ部を制御するように複
数のポリシリコン薄膜トランジスタを組み合わせて構成
される駆動回路をさらに備えることを特徴とする請求項
5に記載の平面表示装置。
6. A driving circuit configured by combining a plurality of polysilicon thin film transistors so as to output a video signal to the pixel switch section of each display pixel circuit and control the pixel switch section. The flat panel display device according to claim 5.
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