JP2003082102A - オルガノオキシ基またはヒドロキシル基を有するシロキサンの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 ケイ素−水素結合を有する鎖状シロキサ
ンまたは環状シロキサンと、ヒドロキシル基を有する化
合物とを、触媒量のカルボニル配位子含有ルテニウム錯
体の存在下に反応させることを特徴とするオルガノオキ
シ基またはヒドロキシル基を有するシロキサンの製造方
法。 【効果】 本発明によれば、ケイ素上にオルガノオキシ
基またはヒドロキシル基を有するシロキサン類を、副反
応を抑制しながら高収率で簡便に製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、反応性有機ケイ素
化合物として、変性シリコーンとして、あるいはその原
料として用いることができ、工業的に有用な化合物であ
るオルガノオキシ基またはヒドロキシル基を有する、鎖
状あるいは環状シロキサンの製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術および発明が解決しようとする課題】ケイ
素原子に結合したアルコキシ基やアリーロキシ基などの
オルガノオキシ基を有する有機ケイ素化合物は、その加
水分解性を利用してシランカップリング剤や表面処理剤
として、あるいは加水分解・脱水縮合反応によるオリゴ
マーやポリマーの合成原料として広範に利用されてい
る。特にシリコーンポリマーにアルコキシ基を導入した
反応性のシリコーン類は、室温硬化型（ＲＴＶ）シリコ
ーンゴムや剥離紙用シリコーンをはじめ、各種変性シリ
コーンの原料として用いられている有用な材料である。 【０００３】一方、ケイ素原子に結合したヒドロキシル
基を有する有機ケイ素化合物は、ケイ素原子に結合した
アルコキシ基を有する有機ケイ素化合物よりもさらに反
応性が高い。そのためＲＴＶシリコーンゴムや剥離紙用
シリコーンに加えて、繊維用の撥水処理剤にも用いられ
ている。 【０００４】アルコキシ基をケイ素原子上に導入する方
法としては、ケイ素−ハロゲン結合を有する有機ケイ素
化合物を前駆体として、これにアルコールを反応させる
のが最も一般的である。ここで、多くの場合、シロキサ
ン類は、ジクロロジメチルシラン等のアルキルクロロシ
ランを加水分解させた後、脱水縮合させて製造されるも
のである。従って、ケイ素−塩素結合を分子内の特定の
位置に有するシロキサン類を、アルキルクロロシランの
部分加水分解によって高収率で高選択的に得ることは本
質的に困難な場合が多く、ゆえにそれを原料としたアル
コキシシロキサンの製造は非効率的である。 【０００５】また、アルキルクロロシランの代わりに、
ジメトキシジメチルシラン等のアルキルアルコキシシラ
ン類を原料として、酸性またはアルカリ性条件下で加水
分解および縮合を行わせる方法も一般的である。この方
法でアルコキシ基やヒドロキシル基を含有するシロキサ
ンを製造することは可能であるが、生成物は種々のシロ
キサンの混合物であり、シロキサンの分子量やアルコキ
シ基、ヒドロキシル基の位置などを精密に制御すること
は不可能であった。さらに、加水分解性や原料調達の容
易さから、アルコキシ基の種類はメトキシ基やエトキシ
基に限られるという問題もあった。 【０００６】ケイ素上にアルコキシ基を導入する別法と
して、ケイ素−水素結合を持つケイ素化合物とアルコー
ルを用い、金属アルコキシド等を触媒として脱水素アル
コキシ化する方法が挙げられる。原料となるケイ素−水
素結合を持つシロキサン類は、メチルジクロロシラン等
のケイ素−水素結合を持つアルキルクロロシランの加水
分解・縮合や、それらと他のアルキルクロロシランの共
加水分解・縮合によって得ることができる。しかし、ナ
トリウムメトキシドに代表される金属アルコキシドを触
媒としてアルコキシ化を行う場合、反応が遅く、触媒が
多量に必要である。さらに副反応としてシロキサンの不
均化が起こり、収率よく目的物を得ることはできなかっ
た。 【０００７】また、トリアルキルシランのアルコキシ化
触媒として、活性炭担持パラジウムを用いる方法が報告
されている（Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，
１９８９年６２巻２１１１−２１１３ページ）。この方
法では多量の触媒が必要である上に、反応終了後、ろ過
した触媒は発火する危険性があり、工業的なプロセスに
は不向きである。触媒には白金等の遷移金属化合物を用
いることもできるが、これもまた活性が低い。 【０００８】さらに、ルイス酸であるトリス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボランを触媒として、ヒドロシラン類
とアルコールとを脱水素縮合反応させる方法が報告され
ている（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９９年６４巻４８
８７−４８９２ページ）。しかし、この方法では、シロ
キサン結合はルイス酸によって開裂し、不均化反応が起
こるため、シロキサンのアルコキシ化には適用できな
い。 【０００９】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ
１９９４年３５巻８４１３−８４１４ページ、および
特開平７−８２２７６号公報には、フッ化テトラブチル
アンモニウムを触媒として用いるアルコールとトリアル
キルシランの脱水素反応が報告されている。この方法で
は室温で種々の官能基の存在下に反応が進行する利点が
ある。しかしながら、反応基質としてトリアルキルシラ
ンの代わりにシロキサンを用いると、不均化反応が進行
するため目的物は収率よく得られない。 【００１０】ロジウム錯体（ＲｈＣｌ（ＰＰｈ₃）₃）を
触媒とする、ポリメチルヒドロシロキサンとアルコール
あるいは置換フェノール類との反応例も報告されており
（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ １９９９
年４０巻４１２３−４１２６ページおよびＯｒｇａｎｏ
ｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２００１年２０巻２７２５−２７
２９ページ）、これらは不均化や再分配反応がないとさ
れている。しかし、この方法では触媒コストが高く、工
業的に実施するには問題があった。 【００１１】酸やアルカリに敏感なヒドロキシル基をケ
イ素上に導入するのはさらに困難である。一般に、平衡
化反応を用いてヒドロキシル基を有するポリシロキサン
が製造されている。つまり、ジクロロジメチルシランに
適当な条件で水を加えると、両末端にヒドロキシル基を
持つ鎖状のシロキサンが得られる。しかし、平衡化法で
は単一の化合物としてこれを得ることはできず、また、
より複雑な構造のヒドロキシル基含有シロキサンを得る
ことは平衡化法では困難である。対応するクロロシロキ
サンやアルコキシシロキサンの加水分解による方法は、
上述したように原料を調製することが難しいため、不可
能であった。 【００１２】アルコキシ化と同様にケイ素−水素結合を
有するシロキサンを用いて、亜鉛やスズ系の触媒による
水との反応によりヒドロキシル基を導入する方法もあ
る。しかし、比較的多量の触媒添加と高温での反応が必
要であり、そのためケイ素上のヒドロキシル基の間で脱
水縮合が起こる問題があった。 【００１３】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、アルコキシ基、アリーロキシ基などのオルガノオキ
シ基やヒドロキシル基を有する鎖状あるいは環状シロキ
サンを、副反応を抑制しながら高収率で簡便に製造する
方法を提供することを目的とする。 【００１４】 【課題を解決するための手段および発明の実施の形態】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、下記一般式（１）で示されるケイ素−水素結合を
有する鎖状シロキサンまたは下記一般式（２）で示され
るケイ素−水素結合を有する環状シロキサンと、下記一
般式（３）で表されるヒドロキシル基を有する化合物と
を、触媒量のカルボニル配位子含有ルテニウム錯体の存
在下に反応させることにより、下記一般式（４）または
（５）で表されるオルガノオキシ基またはヒドロキシル
基を有するシロキサンが、高収率で、かつ簡便に得られ
ることを見出し、本発明をなすに至った。 【００１５】従って、本発明は、下記一般式（１）で示
されるケイ素−水素結合を有する鎖状シロキサンまたは
下記一般式（２）で示されるケイ素−水素結合を有する
環状シロキサンと、下記一般式（３）で表されるヒドロ
キシル基を有する化合物とを、触媒量のカルボニル配位
子含有ルテニウム錯体の存在下に反応させることを特徴
とする、下記一般式（４）または（５）で表されるオル
ガノオキシ基またはヒドロキシル基を有するシロキサン
の製造方法を提供する。 【００１６】 【化５】 【００１７】［式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁶，Ｒ⁷および
Ｒ⁸は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ炭素数
１〜１０のアルキル基、炭素数７〜１０のアラルキル
基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数３〜１０のシ
クロアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素
数７〜１０のアラルキロキシ基、炭素数６〜１０のアリ
ーロキシ基、炭素数３〜１０のシクロアルキロキシ基、
トリメチルシロキシ基、または水素原子より独立に選ば
れる置換基を表す。Ｒ⁴は炭素数１〜１０のアルキル
基、炭素数７〜１０のアラルキル基、炭素数６〜１０の
アリール基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、また
は下記一般式（６）で表される置換シリル基から選択さ
れる置換基を表す。 【００１８】 【化６】 【００１９】（ただし、Ｒ⁹〜Ｒ¹¹は、同一でも異なっ
ていてもよく、それぞれ炭素数１〜１０のアルキル基、
炭素数７〜１０のアラルキル基、炭素数６〜１０のアリ
ール基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数１
〜１０のアルコキシ基、炭素数７〜１０のアラルキロキ
シ基、炭素数６〜１０のアリーロキシ基、炭素数３〜１
０のシクロアルキロキシ基、または水素原子より独立に
選ばれる置換基を表す。）Ｒ⁵は炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数７〜１０のアラルキル基、炭素数６〜１
０のアリール基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、
炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数７〜１０のアラ
ルキロキシ基、炭素数６〜１０のアリーロキシ基、炭素
数３〜１０のシクロアルキロキシ基、水素原子、または
下記一般式（７）で表される置換シリロキシ基から選択
される置換基を表す。 【００２０】 【化７】 【００２１】（ただし、Ｒ¹²〜Ｒ¹⁴は、同一でも異なっ
ていてもよく、それぞれ炭素数１〜１０のアルキル基、
炭素数７〜１０のアラルキル基、炭素数６〜１０のアリ
ール基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数１
〜１０のアルコキシ基、炭素数７〜１０のアラルキロキ
シ基、炭素数６〜１０のアリーロキシ基、炭素数３〜１
０のシクロアルキロキシ基、または水素原子より独立に
選ばれる置換基を表す。）Ｒは、炭素数１〜２０の脂肪
族不飽和結合を含まない炭化水素基、または水素原子を
表す。Ｒ’は、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数７
〜１０のアラルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、
炭素数３〜１０のシクロアルキル基、または下記一般式
（８）で表される置換シリル基を表す。 【００２２】 【化８】 【００２３】（ただし、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、上記式
（６）で定義したものと同じであり、Ａは上記式（６）
のＲ¹¹と同じ置換基、またはＲＯ−（Ｒは炭素数１〜２
０の脂肪族不飽和結合を含まない炭化水素基、または水
素原子を表す）で表されるアルコキシ基、アリーロキシ
基もしくはヒドロキシル基を表す。）ｍ，ｘは０または
１以上の整数、ｎ，ｙは１以上の整数を表し、ｘとｙの
和は３以上である。］ 【００２４】以下、本発明について、さらに詳しく説明
する。本発明のオルガノオキシ基またはヒドロキシル基
を有するシロキサンの製造方法は、下記一般式（１）で
示されるケイ素−水素結合を有する鎖状シロキサン、ま
たは下記一般式（２）で示されるケイ素−水素結合を有
する環状シロキサンと、下記一般式（３）で表されるヒ
ドロキシル基を有する化合物とを、触媒量のカルボニル
配位子含有ルテニウム錯体の存在下に反応させることに
より、下記一般式（４）または（５）で表されるオルガ
ノオキシ基またはヒドロキシル基を有するシロキサンが
得られるものである。 【００２５】 【化９】【００２６】上記一般式（１），（２），（４）および
（５）において、Ｒ¹〜Ｒ³およびＲ ⁶〜Ｒ⁸は、同一でも
異なっていてもよく、それぞれ炭素数１〜１０のアルキ
ル基、炭素数７〜１０のアラルキル基、炭素数６〜１０
のアリール基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭
素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数７〜１０のアラル
キロキシ基、炭素数６〜１０のアリーロキシ基、炭素数
３〜１０のシクロアルキロキシ基、トリメチルシロキシ
基、または水素原子より独立に選ばれる置換基を表す。 【００２７】これら置換基Ｒ¹〜Ｒ³およびＲ⁶〜Ｒ⁸の具
体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ノニル基、デシル基、イソブチル基、２−メチルブ
チル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、イソヘキシ
ル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、２−ペンチル基、３−ペンチル基、１，１−
ジメチルプロピル基、テキシル基、シクロプロピル基、
シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘ
キシル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メ
チルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４−ジメ
チルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５
−ジメチルフェニル基、メシチル基、１−ナフチル基、
２−ナフチル基、ベンジル基、α−フェネチル基、β−
フェネチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基、ペンチロキシ基、ヘキシロキシ基、ヘ
プチロキシ基、オクチロキシ基、ノニロキシ基、デシロ
キシ基、イソブチロキシ基、２−メチルブトキシ基、イ
ソペンチロキシ基、ネオペンチロキシ基、イソヘキシロ
キシ基、２−プロポキシ基、２−ブトキシ基、３−ブト
キシ基、２−ペンチロキシ基、３−ペンチロキシ基、
１，１−ジメチルプロポキシ基、テキシロキシ基、シク
ロプロピロキシ基、シクロブチロキシ基、シクロペンチ
ロキシ基、シクロヘキシロキシ基、シクロヘプチロキシ
基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシロキシ基、フェ
ノキシ基、２−メチルフェノキシ基、３−メチルフェノ
キシ基、４−メチルフェノキシ基、２，４−ジメチルフ
ェノキシ基、３，４−ジメチルフェノキシ基、３，５−
ジメチルフェノキシ基、メシチロキシ基、１−ナフチロ
キシ基、２−ナフチロキシ基、ベンジロキシ基、α−フ
ェネチロキシ基、β−フェネチロキシ基、トリメチルシ
ロキシ基等が挙げられる。 【００２８】上記一般式（１）において、Ｒ⁴は炭素数
１〜１０のアルキル基、炭素数７〜１０のアラルキル
基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数３〜１０のシ
クロアルキル基、または下記一般式（６）で表される置
換シリル基から選択される置換基を表す。 【００２９】 【化１０】 【００３０】（ただし、Ｒ⁹〜Ｒ¹¹は、同一でも異なっ
ていてもよく、それぞれ炭素数１〜１０のアルキル基、
炭素数７〜１０のアラルキル基、炭素数６〜１０のアリ
ール基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数１
〜１０のアルコキシ基、炭素数７〜１０のアラルキロキ
シ基、炭素数６〜１０のアリーロキシ基、炭素数３〜１
０のシクロアルキロキシ基、または水素原子より独立に
選ばれる置換基を表す。） 【００３１】式（１）におけるＲ⁴の具体例としては、
Ｒ¹〜Ｒ³およびＲ⁶〜Ｒ⁸の具体例として挙げたもののほ
か、エチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル
基、ブチルジメチルシリル基、ｓｅｃ−ブチルジメチル
シリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、イソブ
チルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘ
キシルジメチルシリル基、テキシルジメチルシリル基、
ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル
基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル
基、ベンジルジメチルシリル基、α−フェネチルジメチ
ルシリル基、β−フェネチルジメチルシリル基、フェニ
ルジメチルシリル基、４−メチルフェニルジメチルシリ
ル基、３−メチルフェニルジメチルシリル基、２−メチ
ルフェニルジメチルシリル基、ナフチルジメチルシリル
基、シクロプロピルジメチルシリル基、シクロブチルジ
メチルシリル基、シクロペンチルジメチルシリル基、シ
クロヘキシルジメチルシリル基、シクロヘプチルジメチ
ルシリル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルジメ
チルシリル基、ジエチルメチルシリル基、メチルジフェ
ニルシリル基、ジメチルシリル基、ジエチルシリル基、
ジプロピルシリル基、ジイソプロピルシリル基、ジブチ
ルシリル基、ジ−ｓｅｃ−ブチルシリル基、ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルシリル基、ジイソブチルシリル基、ジフェニ
ルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル
基、トリイソブチルシリル基、トリイソプロピルシリル
基、トリフェニルシリル基、トリヘキシルシリル基、ト
リオクチルシリル基、テキシルジイソプロピルシリル
基、オクチルジイソプロピルシリル基、オクチルジイソ
ブチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル
基、エトキシジメチルシリル基、プロポキシジメチルシ
リル基、２−プロポキシジメチルシリル基、ブトキシジ
メチルシリル基、ｓｅｃ−ブトキシジメチルシリル基、
ｔｅｒｔ−ブトキシジメチルシリル基、イソブチロキシ
ジメチルシリル基、ペンチロキシジメチルシリル基、ヘ
キシロキシジメチルシリル基、フェノキシジメチルシリ
ル基、４−メチルフェノキシジメチルシリル基、３−メ
チルフェノキシジメチルシリル基、２−メチルフェノキ
シジメチルシリル基、ヘプチロキシジメチルシリル基、
オクチロキシジメチルシリル基、ノニロキシジメチルシ
リル基、デシロキシジメチルシリル基、ベンジロキシジ
メチルシリル基、ナフチロキシジメチルシリル基、シク
ロプロピロキシジメチルシリル基、シクロブチロキシジ
メチルシリル基、シクロペンチロキシジメチルシリル
基、シクロヘキシロキシジメチルシリル基、シクロヘプ
チロキシジメチルシリル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシク
ロヘキシロキシジメチルシリル基等が挙げられる。 【００３２】上記一般式（１）および（４）において、
Ｒ⁵は炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数７〜１０の
アラルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数３
〜１０のシクロアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキ
シ基、炭素数７〜１０のアラルキロキシ基、炭素数６〜
１０のアリーロキシ基、炭素数３〜１０のシクロアルキ
ロキシ基、水素原子、または下記一般式（７）で表され
る置換シロキシ基から選択される置換基を表す。 【００３３】 【化１１】 【００３４】（ただし、Ｒ¹²〜Ｒ¹⁴は、同一でも異なっ
ていてもよく、それぞれ炭素数１〜１０のアルキル基、
炭素数７〜１０のアラルキル基、炭素数６〜１０のアリ
ール基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数１
〜１０のアルコキシ基、炭素数７〜１０のアラルキロキ
シ基、炭素数６〜１０のアリーロキシ基、炭素数３〜１
０のシクロアルキロキシ基、または水素原子より独立に
選ばれる置換基を表す。） 【００３５】式（１）および（４）におけるＲ⁵の具体
例としては、Ｒ¹〜Ｒ³およびＲ⁶〜Ｒ ⁸の具体例として挙
げたもののほか、エチルジメチルシロキシ基、プロピル
ジメチルシロキシ基、ブチルジメチルシロキシ基、ｓｅ
ｃ−ブチルジメチルシロキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシロキシ基、イソブチルジメチルシロキシ基、ペン
チルジメチルシロキシ基、ヘキシルジメチルシロキシ
基、テキシルジメチルシロキシ基、ヘプチルジメチルシ
ロキシ基、オクチルジメチルシロキシ基、ノニルジメチ
ルシロキシ基、デシルジメチルシロキシ基、ベンジルジ
メチルシロキシ基、α−フェネチルジメチルシロキシ
基、β−フェネチルジメチルシロキシ基、フェニルジメ
チルシロキシ基、４−メチルフェニルジメチルシロキシ
基、３−メチルフェニルジメチルシロキシ基、２−メチ
ルフェニルジメチルシロキシ基、ナフチルジメチルシロ
キシ基、シクロプロピルジメチルシロキシ基、シクロブ
チルジメチルシロキシ基、シクロペンチルジメチルシロ
キシ基、シクロヘキシルジメチルシロキシ基、シクロヘ
プチルジメチルシロキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシク
ロヘキシルジメチルシロキシ基、ジエチルメチルシロキ
シ基、メチルジフェニルシロキシ基、ジメチルシロキシ
基、ジエチルシロキシ基、ジプロピルシロキシ基、ジイ
ソプロピルシロキシ基、ジブチルシロキシ基、ジ−ｓｅ
ｃ−ブチルシロキシ基、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシロキシ
基、ジイソブチルシロキシ基、ジフェニルシロキシ基、
トリエチルシロキシ基、トリプロピルシロキシ基、トリ
イソブチルシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基、
トリフェニルシロキシ基、トリヘキシルシロキシ基、ト
リオクチルシロキシ基、テキシルジイソプロピルシロキ
シ基、オクチルジイソプロピルシロキシ基、オクチルジ
イソブチルシロキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシ
ロキシ基、エトキシジメチルシロキシ基、プロポキシジ
メチルシロキシ基、２−プロポキシジメチルシロキシ
基、ブトキシジメチルシロキシ基、ｓｅｃ−ブトキシジ
メチルシロキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシジメチルシロキ
シ基、イソブチロキシジメチルシロキシ基、ペンチロキ
シジメチルシロキシ基、ヘキシロキシジメチルシロキシ
基、ヘプチロキシジメチルシロキシ基、オクチロキシジ
メチルシロキシ基、ノニロキシジメチルシロキシ基、デ
シロキシジメチルシロキシ基、ベンジロキシジメチルシ
ロキシ基、α−フェネチロキシジメチルシロキシ基、β
−フェネチロキシジメチルシロキシ基、フェノキシジメ
チルシロキシ基、４−メチルフェノキシジメチルシロキ
シ基、３−メチルフェノキシジメチルシロキシ基、２−
メチルフェノキシジメチルシロキシ基、ナフチロキシジ
メチルシロキシ基、シクロプロピロキシジメチルシロキ
シ基、シクロブチロキシジメチルシロキシ基、シクロペ
ンチロキシジメチルシロキシ基、シクロヘキシロキシジ
メチルシロキシ基、シクロヘプチロキシジメチルシロキ
シ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシロキシジメチ
ルシロキシ基等が挙げられる。 【００３６】また、上記式（３）〜（５）において、Ｒ
は、炭素数１〜２０の脂肪族不飽和結合を含まない炭化
水素基、または水素原子を表し、脂肪族不飽和結合を含
まない炭化水素基として具体的には、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、
テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘ
プタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコ
シル基、２−ブチル基、２−ペンチル基、２−ヘキシル
基、２−ヘプチル基、２−オクチル基、２−エチルヘキ
シル基、２−ノニル基、２−デシル基、２−ウンデシル
基、２−ドデシル基、２−テトラデシル基、２−ヘキサ
デシル基、イソブチル基、２−メチルブチル基、イソペ
ンチル基、イソヘキシル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、２−ペンチル基、３−
ペンチル基、１，１−ジメチルプロピル基、テキシル
基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、１−メチルシクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘ
キシル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メ
チルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４−ジメ
チルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５
−ジメチルフェニル基、メシチル基、１−ナフチル基、
２−ナフチル基、ベンジル基、α−フェネチル基、β−
フェネチル基等が挙げられる。 【００３７】上記式（４）において、Ｒ’は、炭素数１
〜１０のアルキル基、炭素数７〜１０のアラルキル基、
炭素数６〜１０のアリール基、炭素数３〜１０のシクロ
アルキル基、または下記一般式（８）で表される置換シ
リル基を表す。 【００３８】 【化１２】 【００３９】（ただし、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、上記式
（６）で定義したものと同じであり、Ａは上記式（６）
のＲ¹¹と同じ置換基またはＲＯ−（Ｒは炭素数１〜２０
の脂肪族不飽和結合を含まない炭化水素基、または水素
原子を表す）で表されるアルコキシ基、アリーロキシ基
もしくはヒドロキシル基を表す。） 【００４０】式（１）、（２）、（４）及び（５）にお
いて、ｍおよびｘは、０または１以上の整数、好ましく
は０または１〜５０の整数であり、ｎおよびｙは１以上
の整数、好ましくは１〜５０の整数である。またｘとｙ
の和は３以上であり、好ましくは３〜１０である。 【００４１】本発明の製造方法において、上記一般式
（１）あるいは（２）で表されるシロキサンと、水やア
ルコールといった上記一般式（３）で表されるヒドロキ
シル基を有する化合物とを反応させる際のモル比は、特
に限定されるものではなく、任意であるが、式（１）あ
るいは（２）で表されるシロキサンが有するケイ素−水
素結合のモル数に対して１当量以上、好ましくは１．５
〜３当量の式（３）で表される化合物を用いて反応を行
うことが望ましい。また、本発明においては、式（３）
で表される化合物を反応溶媒として用いることもでき
る。 【００４２】本反応は無溶媒で行うことができ、これは
単位容積あたりの目的物収量を最大にできるため、また
基質濃度を高めて反応速度を向上させるために好まし
い。また、上述のごとく、式（３）のヒドロキシル基含
有化合物を過剰に用いて溶媒とすることもできる。さら
に、反応基質の相溶性が低い場合には、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン等
のエーテル系溶媒や、ヘキサン、イソオクタン、トルエ
ン等の炭化水素系溶媒等を用いて反応を行うことが好ま
しい。これら溶媒の使用量は任意であるが、好ましくは
式（１）または式（２）で表されるシロキサンに対して
体積比で１〜５倍量である。 【００４３】本発明の製造方法において、式（１）また
は（２）で示されるケイ素−水素結合を有するシロキサ
ンと、式（３）で示されるヒドロキシル基を有する化合
物との反応は、触媒量のカルボニル配位子含有ルテニウ
ム錯体の存在下に行うものである。 【００４４】ここで、カルボニル配位子を有するルテニ
ウム錯体としては、ルテニウムカルボニル、ジクロロト
リカルボニルルテニウムダイマー、ジクロロジカルボニ
ルビス（トリフェニルフォスフィン）ルテニウム等が挙
げられ、触媒コストの観点から、これらの中でもルテニ
ウムカルボニルの使用が最も好ましい。ルテニウムカル
ボニル錯体としては、ルテニウムペンタカルボニル、ジ
ルテニウムノナカルボニル、トリルテニウムドデカカル
ボニル等が知られているが、中でも空気中で安定であ
り、取り扱いの容易なトリルテニウムドデカカルボニル
の使用が好ましい。 【００４５】カルボニル配位子含有ルテニウム錯体の添
加量は、反応基質中のケイ素−水素結合のモル数に対し
てルテニウム原子換算で、通常１×１０^-4〜１０モル
％、好ましくは５×１０^-3〜１モル％である。 【００４６】本発明の製造方法において、基質の添加順
序は任意であり、式（１）または式（２）で表されるシ
ロキサン、およびルテニウム錯体を反応器に仕込み、式
（３）で表される化合物をフィードする方法、ルテニウ
ム錯体と式（３）で表される化合物を反応器に仕込み、
式（１）または式（２）で表されるシロキサンをフィー
ドする方法等様々な形態での実施が可能である。反応温
度は、通常０〜１５０℃の範囲で行われるが、低温では
反応進行が遅くなり、高温では触媒の失活が速くなるの
で２０〜１２０℃がより好ましい。 【００４７】上記方法により得られた式（４）および式
（５）で表されるシロキサンは、反応混合物から蒸留に
よって単離することができる。沸点が高くて蒸留ができ
ない場合、もしくは生成物の熱安定性が低い場合には、
残存する原料や溶媒を減圧留去する、あるいは活性炭や
シリカゲル、アルミナ、フロリジルなどを用いてルテニ
ウム化合物を吸着またはろ過除去する等の方法で精製す
ることができる。 【００４８】 【実施例】以下、実施例および比較例を示し、本発明を
具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限され
るものではない。 【００４９】［実施例１］シクロヘキシロキシペンタメ
チルジシロキサンの合成 滴下ロート、還流冷却器、温度計、撹拌機を備えた２０
０ｍＬ四つ口フラスコを窒素置換した。フラスコ内にシ
クロヘキサノール１０．０ｇ（０．１０ｍｏｌ）および
トリルテニウムドデカカルボニル（Ｒｕ₃（ＣＯ）₁₂、
Ｓｔｒｅｍ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）２．１ｍｇ（３．
３μｍｏｌ）を仕込み、８０℃で１時間加熱撹拌した。
得られた黄色の溶液に、滴下ロートからペンタメチルジ
シロキサン１４．８ｇ（０．１０ｍｏｌ）を１時間２０
分かけて滴下した。滴下に伴い、内温は最高１０１℃ま
で上昇し、発泡がみられた。滴下終了後、８４℃で１時
間、９４〜９９℃で３時間加熱撹拌を続けたところ、ペ
ンタメチルジシロキサンが消失したことがガスクロマト
グラフィー（ＧＣ）により確認された。反応混合物を室
温に冷却し、減圧蒸留した。沸点が７２〜７４℃／０．
９ｋＰａである無色透明の留分２１．９ｇが得られ、質
量（ＭＳ）分析および核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトル
によりシクロヘキシロキシペンタメチルジシロキサンで
あることが確認された。単離収率は８８．７％であっ
た。¹ ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＨＣｌ₃標準）：δ（ｐｐ
ｍ）３．７１−３．６２（１Ｈ，ｍ），１．８２−１．
７９（２Ｈ，ｍ），１．７５−１．６８（２Ｈ，ｍ），
１．５４−１．４９（１Ｈ，ｍ），１．３６−１．１０
（５Ｈ，ｍ），０．０９（９Ｈ，ｓ），０．０６（６
Ｈ，ｓ）¹³ Ｃ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＤＣｌ₃標準）：δ
（ｐｐｍ）７０．６，３５．９，２５．５，２４．４，
１．８，−０．２²⁹ Ｓｉ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＴＭＳ内部標準）：
δ（ｐｐｍ）７．２，−１４．３ ＥＩ−ＭＳ：ｍ／ｚ２４６（Ｍ⁺），２３１，２０３，
１４９，１４７，１３３ 【００５０】［実施例２］ヒドロキシペンタメチルジシ
ロキサンの合成 滴下ロート、還流冷却器（−１５℃ブライン冷媒）、温
度計、撹拌機を備えた２００ｍＬ四つ口フラスコを窒素
置換した。フラスコ内にイオン交換水３．６ｇ（０．２
０ｍｏｌ）、トリルテニウムドデカカルボニル（Ｒｕ₃
（ＣＯ）₁₂、Ｓｔｒｅｍ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）２．
１ｍｇ（３．３μｍｏｌ）およびジエチルエーテル２０
ｍＬを仕込み、還流下１時間加熱撹拌した。得られた二
層の溶液を撹拌しながら、滴下ロートからペンタメチル
ジシロキサン１４．８ｇ（０．１０ｍｏｌ）を還流下３
時間かけて滴下した。滴下に伴い、内温は３３℃から４
３℃まで上昇した。滴下終了後、還流下で６時間加熱撹
拌を続けたところ、ペンタメチルジシロキサンの反応率
は９２％であることがガスクロマトグラフィー（ＧＣ）
により確認された。トリルテニウムドデカカルボニル
１．１ｍｇ（１．７μｍｏｌ）を加えてさらに６時間加
熱還流下に反応を続けると、反応率は９９％以上に達し
た。反応混合物を室温に冷却し、減圧蒸留した。沸点が
５２〜５４℃／２．４ｋＰａである無色透明の留分１
４．２ｇが得られ、質量（ＭＳ）分析および核磁気共鳴
（ＮＭＲ）スペクトルによりヒドロキシペンタメチルジ
シロキサンであることが確認された。単離収率は８６．
４％であった。¹ ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＨＣｌ₃標準）：δ（ｐｐ
ｍ）２．７０（１Ｈ，ｓ），０．１０（６Ｈ，ｓ），
０．０９（９Ｈ，ｓ）¹³ Ｃ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＤＣｌ₃標準）：δ
（ｐｐｍ）１．８，０．４²⁹ Ｓｉ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＴＭＳ内部標準）：
δ（ｐｐｍ）８．２，−１０．５ ＥＩ−ＭＳ：ｍ／ｚ１４９（［Ｍ−Ｍｅ］⁺），７５ 【００５１】［実施例３］３−プロポキシ−１，１，
１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサンの合
成 滴下ロート、還流冷却器、温度計、撹拌機を備えた２０
０ｍＬ四つ口フラスコを窒素置換した。フラスコ内に１
−プロパノール１２．０ｇ（０．２０ｍｏｌ）およびト
リルテニウムドデカカルボニル（Ｒｕ₃（ＣＯ）₁₂、Ｓ
ｔｒｅｍ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）２１．３ｍｇ（３３
μｍｏｌ）を仕込み、８０℃で１時間加熱撹拌した。得
られた赤オレンジ色の溶液を撹拌しながら、滴下ロート
から１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシ
ロキサン２２．３ｇ（０．１０ｍｏｌ）を８２〜８８℃
で３時間かけて滴下した。滴下に伴い、発熱と発泡が観
察された。滴下終了後、１，１，１，３，５，５，５−
ヘプタメチルトリシロキサンの反応率は１００％である
ことがガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により確認され
た。反応混合物を室温に冷却し、減圧蒸留した。沸点が
７８℃／２．０ｋＰａである無色透明の留分２５．３ｇ
が得られ、質量（ＭＳ）分析および核磁気共鳴（ＮＭ
Ｒ）スペクトルにより３−プロポキシ−１，１，１，
３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサンであるこ
とが確認された。単離収率は９０．２％であった。¹ ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＨＣｌ₃標準）：δ（ｐｐ
ｍ）３．６０（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），１．６１
−１．４９（２Ｈ，ｍ），０．８９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝
７．４Ｈｚ），０．１１（１８Ｈ，ｓ），０．０３（３
Ｈ，ｓ）¹³ Ｃ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＤＣｌ₃標準）：δ
（ｐｐｍ）６３．８，２５．６，１０．３，１．６，−
３．７²⁹ Ｓｉ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＴＭＳ内部標準）：
δ（ｐｐｍ）８．１，−５７．１ ＥＩ−ＭＳ：ｍ／ｚ２６５（［Ｍ−Ｍｅ］⁺），２２
３，２２１，２０７，１９１，７３，４３ 【００５２】［実施例４］プロポキシトリス（トリメチ
ルシロキシ）シランの合成 滴下ロート、還流冷却器、温度計、撹拌機を備えた２０
０ｍＬ四つ口フラスコを窒素置換した。フラスコ内に１
−プロパノール６．０ｇ（０．１０ｍｏｌ）およびトリ
ルテニウムドデカカルボニル（Ｒｕ₃（ＣＯ）₁₂、Ｓｔ
ｒｅｍ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）１０．７ｍｇ（１．７
μｍｏｌ）を仕込み、８０℃で１時間加熱撹拌した。得
られたオレンジ色の溶液を撹拌しながら、滴下ロートか
らトリス（トリメチルシロキシ）シラン１４．８ｇ
（０．０５ｍｏｌ）を８１〜９３℃で２時間かけて滴下
した。滴下終了後、トリス（トリメチルシロキシ）シラ
ンの反応率は３．０％であることがガスクロマトグラフ
ィー（ＧＣ）により確認された。９９〜１００℃で２時
間加熱撹拌を続けると、反応率は１３％となった。トリ
ルテニウムドデカカルボニル１０．７ｍｇを加えて９８
〜１０４℃で１４時間反応を続けたところ、反応率は９
９％以上となった。反応混合物を室温に冷却し、減圧蒸
留した。沸点が８８〜８９℃／１．２ｋＰａである無色
透明の留分１５．５ｇが得られ、質量（ＭＳ）分析およ
び核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルによりプロポキシト
リス（トリメチルシロキシ）シランであることが確認さ
れた。単離収率は９１．８％であった。¹ ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＨＣｌ₃標準）：δ（ｐｐ
ｍ）３．６０（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），１．６１
−１．４９（２Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝
７．４Ｈｚ），０．１１（２７Ｈ，ｓ）¹³ Ｃ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＤＣｌ₃標準）：δ
（ｐｐｍ）６４．６，２５．５，１０．３，１．５²⁹ Ｓｉ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＴＭＳ内部標準）：
δ（ｐｐｍ）９．２，−９８．４ ＥＩ−ＭＳ：ｍ／ｚ３３９（［Ｍ−Ｍｅ］⁺），２８
１，７３，４３ 【００５３】［実施例５］ｔｅｒｔ−アミロキシペンタ
メチルジシロキサンの合成 滴下ロート、還流冷却器、温度計、撹拌機を備えた２０
０ｍＬ四つ口フラスコを窒素置換した。フラスコ内にｔ
ｅｒｔ−アミルアルコール９．７ｇ（０．１１ｍｏｌ）
およびトリルテニウムドデカカルボニル（Ｒｕ₃（Ｃ
Ｏ）₁₂、Ｓｔｒｅｍ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）２１．３
ｍｇ（３３μｍｏｌ）を仕込み、１００℃で１時間加熱
撹拌した。得られた赤オレンジ色の溶液に、滴下ロート
からペンタメチルジシロキサン１４．８ｇ（０．１０ｍ
ｏｌ）を９７〜１０３℃で２時間かけて滴下した。滴下
終了後、１００℃で１時間加熱撹拌を続けたところ、ペ
ンタメチルジシロキサンが消失した。反応混合物を室温
に冷却し、減圧蒸留した。沸点が８１〜８３℃／６．７
ｋＰａである無色透明の留分１９．８ｇが得られ、質量
（ＭＳ）分析および核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルに
よりｔｅｒｔ−アミロキシペンタメチルジシロキサンで
あることが確認された。単離収率は８４．４％であっ
た。¹ ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＨＣｌ₃標準）：δ（ｐｐ
ｍ）１．４９（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），１．２２
（６Ｈ，ｓ），０．８８（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈ
ｚ），０．０９（９Ｈ，ｓ），０．０５（６Ｈ，ｓ）¹³ Ｃ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＤＣｌ₃標準）：δ
（ｐｐｍ）７４．５，３７．１，２９．１，８．７，
２．０，１．８²⁹ Ｓｉ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＴＭＳ内部標準）：
δ（ｐｐｍ）６．４，−２０．０ ＥＩ−ＭＳ：ｍ／ｚ２１９（［Ｍ−Ｍｅ］⁺），２３
４，２０５，１４９，１４７，１３３，７３，４３ 【００５４】［実施例６］１，３−ジプロポキシ−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサンの合成 滴下ロート、還流冷却器、温度計、撹拌機を備えた２０
０ｍＬ四つ口フラスコを窒素置換した。フラスコ内に１
−プロパノール１８．０ｇ（０．３０ｍｏｌ）およびト
リルテニウムドデカカルボニル（Ｒｕ₃（ＣＯ）₁₂、Ｓ
ｔｒｅｍ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）１０．７ｍｇ（１７
μｍｏｌ）を仕込み、８０℃で１時間加熱撹拌した。得
られたオレンジ色の溶液を撹拌しながら、滴下ロートか
ら１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１３．４
ｇ（０．１０ｍｏｌ）を８１〜８８℃で１．５時間かけ
て滴下した。滴下終了後、８３℃で０．５時間加熱撹拌
を続けたところ、反応は完結した。反応混合物のＧＣ分
析（ＴＣＤ）によれば、全反応生成物にしめる目的物
１，３−ジプロポキシ−１，１，３，３−テトラメチル
ジシロキサンの割合は７７．２％であった。反応混合物
を室温に冷却し、減圧蒸留した。沸点が８４．５〜８６
℃／２．１ｋＰａである無色透明の留分１５．３ｇが得
られ、質量（ＭＳ）分析および核磁気共鳴（ＮＭＲ）ス
ペクトルにより１，３−ジプロポキシ−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサンであることが確認された。
単離収率は６１．１％であった。¹ ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＨＣｌ₃標準）：δ（ｐｐ
ｍ）３．６０（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），１．６１
−１．４９（４Ｈ，ｍ），０．８８（６Ｈ，ｔ，Ｊ＝
７．４Ｈｚ），０．０９（１２Ｈ，ｓ）¹³ Ｃ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＤＣｌ₃標準）：δ
（ｐｐｍ）６３．９，２５．７，１０．２，１．６，−
１．１²⁹ Ｓｉ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＴＭＳ内部標準）：
δ（ｐｐｍ）−１２．７ ＥＩ−ＭＳ：ｍ／ｚ２３５（［Ｍ−Ｍｅ］⁺），１９
１，１５１，１３３ 【００５５】［比較例１］１，３−ジプロポキシ−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサンの合成（フッ化
テトラブチルアンモニウム触媒） 滴下ロート、還流冷却器、温度計、撹拌機を備えた２０
０ｍＬ四つ口フラスコを窒素置換した。フラスコ内に１
−プロパノール９．０ｇ（０．１５ｍｏｌ）、フッ化テ
トラブチルアンモニウムの１．０ｍｏｌ／ＬＴＨＦ溶液
１ｍＬ（１ｍｍｏｌ）およびＮ−メチルピロリドン２５
ｍＬを仕込み、撹拌しながら、滴下ロートから１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン６．７ｇ（０．０５
ｍｏｌ）を室温で１時間かけて滴下した。発熱と発泡が
観察され、内温が３６℃に達したところで水浴で冷却し
た。滴下終了後、０．５時間水冷下で撹拌を続けたとこ
ろ、反応は完結した。反応混合物のＧＣ分析（ＴＣＤ）
によれば、全反応生成物にしめる目的物１，３−ジプロ
ポキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンの
割合は２８．８％であった。主生成物はジメチルジプロ
ポキシシラン（２９．４％）であった。 【００５６】［比較例２］１，３−ジプロポキシ−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサンの合成（ナトリ
ウムメトキシド触媒） 滴下ロート、還流冷却器、温度計、撹拌機を備えた１０
０ｍＬ四つ口フラスコを窒素置換した。フラスコ内に１
−プロパノール９．０ｇ（０．１５ｍｏｌ）およびナト
リウムメトキシド２７ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）を仕込
み、室温で１時間撹拌した。得られた無色透明溶液を撹
拌しながら、滴下ロートから１，１，３，３−テトラメ
チルジシロキサン６．７ｇ（０．０５ｍｏｌ）を室温で
１時間かけて滴下した。発熱と発泡が観察され、内温が
４０℃に達したところで水浴で冷却した。滴下終了後、
１３時間水冷下で撹拌を続けたところ、反応は完結し
た。反応混合物のＧＣ分析（ＴＣＤ）によれば、全反応
生成物にしめる目的物１，３−ジプロポキシ−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサンの割合は２３．４％
であった。主生成物はジメチルジプロポキシシラン（４
１．１％）であった。 【００５７】［実施例７］１，３−ジフェノキシ−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサンの合成 滴下ロート、還流冷却器（−１５℃ブライン冷媒）、温
度計、撹拌機を備えた２００ｍＬ四つ口フラスコを窒素
置換した。フラスコ内にフェノール２８．２ｇ（０．３
０ｍｏｌ）およびトリルテニウムドデカカルボニル（Ｒ
ｕ₃（ＣＯ）₁₂、Ｓｔｒｅｍ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）
１０．７ｍｇ（１７μｍｏｌ）を仕込み、８０℃で１時
間加熱撹拌した。得られた黄オレンジ色の溶液を撹拌し
ながら、滴下ロートから１，１，３，３−テトラメチル
ジシロキサン１３．４ｇ（０．１０ｍｏｌ）を８０〜９
１℃で１．５時間かけて滴下した。滴下終了後、７６〜
８１℃で０．５時間加熱撹拌を続けたところ、反応は完
結した。反応混合物を室温に冷却し、減圧蒸留した。沸
点が１１４〜１１５℃／０．１ｋＰａである無色透明の
留分２２．４ｇが得られ、質量（ＭＳ）分析および核磁
気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルにより１，３−ジフェノキ
シ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンである
ことが確認された。単離収率は７０．３％であった。¹ ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＨＣｌ₃標準）:δ（ｐｐｍ）
７．２４（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，７．５Ｈ
ｚ），６．９９（２Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１．２
Ｈｚ），６．９０（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１．
２Ｈｚ），０．２６（１２Ｈ，ｓ）¹³ Ｃ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＣＤＣｌ₃標準）：δ
（ｐｐｍ）１５４．３，１２９．４，１２１．７，１２
０．０，−０．５７²⁹ Ｓｉ｛¹Ｈ｝ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ＴＭＳ内部標準）：
δ（ｐｐｍ）−１２．６ ＥＩ−ＭＳ：ｍ／ｚ３１８（［Ｍ］⁺），３０３，２２
５，２０９ 【００５８】 【発明の効果】本発明によれば、加水分解性基を持つ反
応性有機ケイ素化合物として、あるいは変性シリコーン
ポリマー等として工業的に有用な、ケイ素上にオルガノ
オキシ基またはヒドロキシル基を有するシロキサン類
を、副反応を抑制しながら高収率で簡便に製造できる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 下記一般式（１）で示されるケイ素−水
   素結合を有する鎖状シロキサンまたは下記一般式（２）
   で示されるケイ素−水素結合を有する環状シロキサン
   と、下記一般式（３）で表されるヒドロキシル基を有す
   る化合物とを、触媒量のカルボニル配位子含有ルテニウ
   ム錯体の存在下に反応させることを特徴とする、下記一
   般式（４）または（５）で表されるオルガノオキシ基ま
   たはヒドロキシル基を有するシロキサンの製造方法。 【化１】 ［式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁶，Ｒ⁷およびＲ⁸は、同一で
   も異なっていてもよく、それぞれ炭素数１〜１０のアル
   キル基、炭素数７〜１０のアラルキル基、炭素数６〜１
   ０のアリール基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、
   炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数７〜１０のアラ
   ルキロキシ基、炭素数６〜１０のアリーロキシ基、炭素
   数３〜１０のシクロアルキロキシ基、トリメチルシロキ
   シ基、または水素原子より独立に選ばれる置換基を表
   す。Ｒ⁴は炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数７〜１
   ０のアラルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素
   数３〜１０のシクロアルキル基、または下記一般式
   （６）で表される置換シリル基から選択される置換基を
   表す。 【化２】 （ただし、Ｒ⁹〜Ｒ¹¹は、同一でも異なっていてもよ
   く、それぞれ炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数７〜
   １０のアラルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭
   素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数１〜１０のア
   ルコキシ基、炭素数７〜１０のアラルキロキシ基、炭素
   数６〜１０のアリーロキシ基、炭素数３〜１０のシクロ
   アルキロキシ基、または水素原子より独立に選ばれる置
   換基を表す。）Ｒ⁵は炭素数１〜１０のアルキル基、炭
   素数７〜１０のアラルキル基、炭素数６〜１０のアリー
   ル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数１〜
   １０のアルコキシ基、炭素数７〜１０のアラルキロキシ
   基、炭素数６〜１０のアリーロキシ基、炭素数３〜１０
   のシクロアルキロキシ基、水素原子、または下記一般式
   （７）で表される置換シリロキシ基から選択される置換
   基を表す。 【化３】 （ただし、Ｒ¹²〜Ｒ¹⁴は、同一でも異なっていてもよ
   く、それぞれ炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数７〜
   １０のアラルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭
   素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数１〜１０のア
   ルコキシ基、炭素数７〜１０のアラルキロキシ基、炭素
   数６〜１０のアリーロキシ基、炭素数３〜１０のシクロ
   アルキロキシ基、または水素原子より独立に選ばれる置
   換基を表す。）Ｒは、炭素数１〜２０の脂肪族不飽和結
   合を含まない炭化水素基、または水素原子を表す。Ｒ’
   は、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数７〜１０のア
   ラルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数３〜
   １０のシクロアルキル基、または下記一般式（８）で表
   される置換シリル基を表す。 【化４】 （ただし、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、上記式（６）で定義した
   ものと同じであり、Ａは上記式（６）のＲ¹¹と同じ置換
   基、またはＲＯ−（Ｒは炭素数１〜２０の脂肪族不飽和
   結合を含まない炭化水素基、または水素原子を表す）で
   表されるアルコキシ基、アリーロキシ基もしくはヒドロ
   キシル基を表す。）ｍ，ｘは０または１以上の整数、
   ｎ，ｙは１以上の整数を表し、ｘとｙの和は３以上であ
   る。］