JP2003078385A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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Abstract
影響を有効に抑え、安定した特性が導出できる弾性表面
波装置を提供する。 【解決手段】 隣接するSAWフィルタ素子1、2の入
力外部端子41、43間に1つのグランド外部端子45
〜48を配置する。また、隣接するSAWフィルタ素子
1、2の出力外部端子42、44間に1つのグランド外
部端子45〜48を配置する。また、グランド外部端子
45〜48のうち、各SAWフィルタ素子1、2を分割
する位置に配置された互いに向かい合ったグランド外部
端子45、46を容器3外部で金属製蓋体7と電気的に
接続する。
Description
弱信号抽出用フィルタに用いられる複数のSAWフィル
タ素子を1つの容器に収容して成る弾性表面波装置に関
する。
表面波フィルタ(以下、SAWフィルタと称す)素子は
多くの通信分野で用いられ、高性能、小型、量産性等の
特徴を有することから携帯電話等の普及の一翼を担って
いる。
受信用フィルタを構成するSAWフィルタ素子と送信用
フィルタを構成するSAWフィルタ素子とを配置してい
た。また、微弱信号抽出用フィルタは、前段SAWフィ
ルタ素子、増幅回路、後段SAWフィルタ素子とから成
り、上述の前段SAWフィルタ素子と後段SAWフィル
タ素子とを同一容器のキャビティー部内に配置してい
た。
素子間での結合を抑えて、相互干渉を防止することが重
要となる。特に、微弱信号抽出フィルタでは、前段SA
Wフィルタ素子と後段SAWフィルタ素子の帯域の中心
周波数が略同一で、しかも、同時に2つのSAWフィル
タ素子を駆動する必要があるため、両者の相互干渉を如
何に低減するかが重要となる。
ィルタ素子と後段SAWフィルタ素子とを外部配線によ
って従属接続した場合、2つのSAWフィルタ素子の各
減衰量から期待できるトータル減衰量がそのまま得られ
ない場合が多い。これは、相互干渉によって2つのSA
Wフィルタ素子のトータル減衰量が、前段SAWフィル
タ素子と後段SAWフィルタ素子のアイソレーションレ
ベルにより制約される為である。実際の機器では、2つ
のSAWフィルタ素子間に増幅回路を挟んで使用される
ことが多いが、その場合も同様の問題が発生する。
相互の干渉を低減する方法としては、例えば、特開平1
1−205077号などに開示されている。
素子を容器のキャビティー部内に収容し、前記容器の入
力パッド、出力パッド、グランドパッドとSAWフィル
タ素子の入力電極、出力電極、グランド電極とを電気的
に接続して弾性表面波装置を構成したものである。特
に、前記容器のキャビティー部内に複数のグランドパッ
ドを設け、一方のSAWフィルタ素子のグランド電極と
他方のSAWフィルタ素子のグランド電極とを別のグラ
ンドパッドに接続することが開示されている。
術では、SAWフィルタ素子の入出力電極、グランド電
極と入出力パッド、グランドパッドとの接続関係しか規
定されていない。本発明者が種々の実験を行ったとこ
ろ、一方のSAWフィルタ素子に接続された入出力外部
端子と他方のSAWフィルタ素子に接続された入出力外
部端子との相互干渉や、容器のキャビティー部を封止す
る金属製蓋体を介したそれぞれのSAWフィルタ素子と
の間の相互干渉が発生することを知見した。
7に示す。図16は、従来の弾性表面波装置SWにおけ
る金属製蓋体を省略した状態の外観図であり、図17
は、図16においてSAWフィルタ素子を省略した状態
の外観図である。図中、100は前段SAWフィルタ素
子、200は後段SAWフィルタ素子、300は凹状の
容器である。
され前段SAWフィルタ素子100の入力電極105に
ボンディングワイヤを介して接続される入力パッド、1
36は容器300の段差部に形成され前段SAWフィル
タ素子100のグランド電極101にボンディングワイ
ヤを介して接続されるグランドパッド、137は容器3
00の段差部に形成され前段SAWフィルタ素子100
の出力電極104からボンディングワイヤを介して接続
される出力パッド、138は容器300の段差部に形成
され後段SAWフィルタ素子200の出力電極106に
ボンディングワイヤを介して接続される出力パッド、1
39は容器300の段差部に形成され後段SAWフィル
タ素子200のグランド電極102にボンディングワイ
ヤを介して接続されるグランドパッド、134は容器3
00の段差部に形成され前段SAWフィルタ素子200
の入力電極105にボンディングワイヤを介して接続さ
れる入力パッドである。500は容器300のキャビテ
ィー部317の実装面の略全面に形成したグランド導体
膜である。
面に形成され、不図示の金属製蓋体に接続される外部グ
ランド端子、141は前段SAWフィルタ素子100の
外部入力端子、142は容器300の外側面に形成され
た前段SAWフィルタ素子100の外部出力端子、同じ
く143は後段SAWフィルタ素子200の外部入力端
子、144は後段SAWフィルタ素子200の外部出力
端子である。
0はグランドパッド136、139に接続され、容器3
00の外側面に形成されたグランド外部端子147、1
48と導通されている。なお、複数のグランド外部端子
147、148を設けているのはグランド導体膜500
のグランドを強化するためである。
部入力端子141は入力パッド135に、外部出力端子
142は出力パッド137にそれぞれ接続されている。
また、後段SAWフィルタ素子200の外部入力端子1
43は入力パッド134に、外部出力端子144は出力
パッド138にそれぞれ接続されている。
AWフィルタ素子200に接続された入出力外部端子1
43、144との間の電磁気的な結合、あるいは、金属
製蓋体を形成した場合に金属製蓋体を介したSAW素子
間の電磁気的結合を防止することは出来ないものであ
る。
周面に形成した入出力外部端子間の電磁結合を防止する
構成についは特開平7−321594に開示されてい
る。
における帯域外の信号の減衰特性を向上させるものであ
り、従って、デュプレクサや微弱信号抽出用フィルタの
ように複数のSAWフィルタ素子を一つの容器に収容し
た場合の、互いのSAWフィルタの相互干渉を防止でき
る技術の開示は全くされていない。
ものであり、その目的は、デュプレクサや微弱信号抽出
用フィルタのように複数のSAWフィルタ素子を一つの
容器に収容した場合に、互いのSAWフィルタの相互干
渉を防止し、もって、安定したフィルタ特性が導出でき
る弾性表面波装置を提供するものである。
を有し、外周面に複数の入力外部端子、出力外部端子、
グランド外部端子を、前記キャビティー部内に、前記入
力外部端子、前記出力外部端子、前記グランド外部端子
に導通した複数の入力パッド、出力パッド、グランドパ
ッドを有する容器と、前記容器のキャビティー部内に併
設して収容されている複数のSAWフィルタ素子と、前
記容器のキャビティー部を封止する金属製蓋体とから成
り、前記各SAWフィルタ素子の入力電極は入力パッド
に、出力電極は出力パッドに、グランド電極はグランド
パッドに夫々接続されている弾性表面波装置であって、
前記グランド外部端子を挟んで、前記一のSAWフィル
タ素子に接続された入力外部端子と、該一のSAWフィ
ルタ素子に隣接する他のSAWフィルタ素子に接続され
た入力外部端子とが配設されていることを特徴とする弾
性表面波装置である。
記一のSAWフィルタ素子に接続された出力外部端子
と、前記他のSAWフィルタ素子に接続された出力外部
端子とが配設されていることを特徴とする弾性表面波装
置である。
分割する線上で、かつ前記容器の対向する外周面上に互
いに対向するように一対の前記グランド外部端子を配設
するとともに、該一対のグランド外部端子のそれぞれを
前記金属製蓋体に接続して成る弾性表面波装置である。
図面に基づいて説明する。尚、実施例は、微小信号抽出
用フィルタを用いて説明する。微小信号とは、例えば、
人工衛星などから地上に送信される信号などが例示され
る。
図1に示すように、アンテナ回路Aに接続され、且つ増
幅手段Pとともに用いらる。具体的には、アンテナ回路
Aに、特定周波数帯域を通過させ得る前段(フロントエ
ンド)SAWフィルタ素子(以下、単に前段SAWフィ
ルタ素子)1、この特定周波数の信号成分を抽出した信
号を増幅する増幅手段P、増幅した信号を再度抽出処理
する後段(インターステージ)SAWフィルタ素子(以
下、単に後段SAWフィルタ素子)2を順次接続する。
これにより、微弱信号が増幅されて通常のスイッチ回路
や受信回路で処理できる程度のレベルの信号となり、し
かも、ノイズ成分が抑制された信号が得られることにな
る。
において、少なくとも増幅手段Pは、ICチップなどに
よって別部品で扱うことになる。そして、前段SAWフ
ィルタ素子と後段SAWフィルタ素子とを同一容器内に
収容して、1つの部品として取り扱う。
SAWフィルタ素子1と後段SAWフィルタ素子2とを
一体化した部品をいう。尚、SAWフィルタ素子とは、
それ自体がフィルタ機能を持つもので、個々で共振器の
機能を有して、これらを接続することでフィルタとなる
ものは含まれない。
図である。また、図3は金属製蓋体を省略した状態の平
面図であり、図7、図9は容器の断面構造を示し、図
6、図8は、容器の主要部分の平面図である。尚、図5
(a)、(b)は、本発明のSAWフィルタ素子の等価
回路を示す。
Wは、容器3と容器上面に被着封止された金属製蓋体7
とから構成されている。また、容器3外側の4つの端面
には、外部端子を形成するための平面から見た形が半円
形の溝部が、例えば8つ(一対の辺には夫々3つ、もう
一対の辺には1つ)形成されている。
器3の厚み方向に形成されており、この溝部内に外部端
子41〜48が形成されている。例えば、一対の対向し
あう端面の一方面には、前段SAWフィルタ素子用入力
パッドに導通する前段用入力外部端子41、後段SAW
フィルタ素子用グランドパッドに導通するグランド外部
端子45、後段SAWフィルタ素子用入力パッドに導通
した後段用入力外部端子43が形成されている。
は、前段SAWフィルタ素子用出力パッド(後述)に導
通する前段用出力外部端子42、前段SAWフィルタ素
子用グランドパッド(後述)に導通するグランド外部端
子46、後段SAWフィルタ素子用出力パッド(後述)
に導通した後段用出力外部端子44が形成されている。
段SAWフィルタ素子用グランドパッドに導通するグラ
ンド外部端子47が配置されている。また、もう一対の
端面の他方面には、後段SAWフィルタ素子用グランド
パッドに導通するグランド外部端子48が配置されてい
る。
ように、例えば2つのSAWフィルタ素子1、2が実装
される実装面3C及び両側面に段差部3a、3bを有す
るキャビティー部30が形成されている。そして、この
実装面3Cには、SAWフィルタ素子1、2が配置され
ている。また、キャビティー部30の段差部3aには、
図3の上側から、前段SAWフィルタ素子1の入力電極
(後述)と接続する入力パッド31、前段SAWフィル
タ素子1のグランド電極(後述)と接続するグランドパ
ッド35、後段SAWフィルタ素子2のグランド電極と
接続するグランドパッド36、後段SAWフィルタ素子
2の入力電極と接続する入力パッド33、後段SAWフ
ィルタ素子2のグランド電極と接続するグランドパッド
37が配置されている。
から、前段SAWフィルタ素子1のグランド電極と接続
するグランドパッド38、前段SAWフィルタ素子1の
出力電極と接続する出力パッド32、グランドパッド3
9、後段SAWフィルタ素子2のグランド電極と接続す
るグランドパッド40、後段SAWフィルタ素子2の出
力電極と接続する出力パッド34が配置されている。
3a、3bに囲まれたキャビティー部の実装面3Cに
は、2つのSAWフィルタ素子1、2が接合される領域
において、グランド導体膜51が形成されている(図1
1参照)。
cにあるグランド導体膜51上には、前段SAWフィル
タ素子1及び後段SAWフィルタ素子2が配置されてい
る。
示すようにタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水
晶基板などの圧電基板53、54の表面に、互いに噛み
合う1組の櫛型電極指からなるインターデジタル電極P
S、接続導体PPS、入力電極11、21、出力電極1
2、22、グランド電極13、14、23〜25、必要
に応じて反射器電極(図中、×の記号を指す)が形成さ
れている。
より、1つの共振部を構成することになる。そして、こ
の共振部は直列共振部、並列共振部に分類され、接続導
体を介して、直列共振部と並列共振部とが互いに接続さ
れる。
Wフィルタ素子1は、圧電基板53上に3つの直列共振
部S11〜S13と4つの並列共振部P11〜P14と
が接続導体PPSによってラダー状に接続されている。
この等価回路図を図5(a)に示す。
1つの入力電極11、1つの出力電極12、2つのグラ
ンド電極13、14が被着形成されている。
2は、圧電基板54上に2つの直列共振部S21〜S2
2と3つの並列共振部P21〜P23とが接続導体PP
Sによってラダー状に接続されている。この等価回路図
を図5(b)に示す。
1つの入力電極21、1つの出力電極22、3つのグラ
ンド電極23〜25が被着形成されている。
AWフィルタ素子2は、夫々通過帯域での特性、及び選
択性を考慮して、接続段数が若干相違している。
絶縁性接着材を介して、キャビティー部30の実装面3
cのグランド導体膜51に接合されている。
極11は、図3の右側の段差部3aに形成した入力パッ
ド31にボンディングワイヤを介して接続され、出力電
極12は、左側の段差部3bに形成した出力パッド32
にボンディングワイヤを介して接続されている。また、
グランド電極13は、段差部3aのグランドパッド35
にボンディングワイヤを介して接続され、グランド電極
14は、段差部3bのグランドパッド38にボンディン
グワイヤを介して接続されている。
極21は、図3の右側の段差部3aに形成された入力パ
ッド33にボンディングワイヤを介して接続され、出力
電極22は、段差部3bに形成した出力パッド34にボ
ンディングワイヤを介して接続されている。また、グラ
ンド電極23は、段差部3aに形成したグランドパッド
36にボンディングワイヤを介して接続され、グランド
電極24は、段差部3bに形成したグランドパッド40
にボンディングワイヤを介して接続され、グランド電極
25は、段差部3aに形成したグランドパッド37にボ
ンディングワイヤを介して接続されている。
ラミック層から構成されており、上述のように容器3の
一対の外側端面には、図6に示すように、容器3の外部
端子41、45、43が厚み方向に形成されている。こ
の外部端子41、45、43は、断面半円形状の溝部の
内部に、底面から所定位置まで導体が形成されている。
例えば、図6〜図9に示すように前段SAWフィルタ素
子1の入力電極11(図4参照)と接続する入力外部端
子41及び後段SAWフィルタ素子2の入力電極21
(図4参照)と接続する入力外部端子43は、容器3の
底面から外側端面にかけて容器3の厚みの途中まで延び
ている。また、容器3外側端面の幅方向の略中央部分に
位置するグランド外部端子45は、容器3の底面から外
側端面を通って容器3の厚み方向全域に延びて形成さ
れ、さらに、容器3の上面に形成したシールリング接合
用の導体膜61に導通している。
面図を省略しているが、図6と同様、出力外部端子4
2、44は、底面から容器の厚みの途中にまで延び、グ
ランド外部端子46は、容器3の底面から容器の上面に
まで延び、さらに、容器3の上面に形成したシールリン
グ接合用の導体膜61に導通している。
にシールリング接合用導体膜(グランド電位)であり、
62はシールリングであり、7は、金属蓋体である。
ある。この外側端面には、グランド外部端子47のみが
形成されている。これに対向する容器3の端面には、グ
ランド外部端子48のみが形成されている。このグラン
ド外部端子47、48は、容器3の底面から上面に延び
て形成されている。
ック層3xは、キャビティー部30(図3参照)の開口
を形成するためにリング状を成しており、その上面の全
面にわたり、コバール、42アロイなどからなるシール
リング62をロウ付により接合する導体膜61が被着形
成されている。
ック層3xに形成された溝部30xには、例えば入力外
部端子41となる導体膜が被着されていない。これは、
他の入出力外部端子42、43、44についても同様な
構造である。
子45、46については、3つのセラミック層3x〜3
zの厚みに跨がって導体膜が形成され、図8に示すよう
にグランド外部端子47、48についてはセラミック層
3xに形成された溝部31xには、導体膜が被着されて
いない。この理由は後述する。
上面図を図10に示す。セラミック層3yはキャビティ
ー部30内壁に段差部3a、3bを形成するため(図3
参照)、キャビティー部30の開口部寸法に比較して若
干小さい開口部を有するリング状となっている。そし
て、このセラミック層yの外周には、外部端子を形成す
る領域を確保するための容器3の外側端面に溝部が形成
される半円形の凹部(符号を省略している)が8つ形成
されている。夫々の凹部には、前段SAWフィルタ素子
側の入力外部端子41となる導体膜、グランド外部端子
45となる導体膜、後段SAWフィルタ素子側の入力外
部端子43となる導体膜、グランド外部端子48となる
導体膜、後段SAWフィルタ素子側の出力外部端子44
となる導体膜、グランド外部端子46となる導体膜、前
段SAWフィルタ素子側の出力外部端子42となる導体
膜、グランド外部端子47となる導体膜が形成されてい
る。
は、各SAWフィルタ素子の入力電極11、21と接続
する入力パッド31、33となる導体膜、出力電極1
2、22と接続する出力パッド32、34となる導体
膜、グランド電極13、14、23、24、25と接続
するグランドパッド35、36、37、38、39、4
0となる導体膜が形成されている。
と中間に位置するセラミック層3yの開口の差によって
発生する段差部3aにおいて、例えば、図3の右側とな
る段差部3aに相当する部分には、図10の上から、前
段SAWフィルタ素子1の入力電極と接続する入力パッ
ド31となる導体膜、前段SAWフィルタ素子1のグラ
ンド電極と接続するグランドパッド35となる導体膜、
後段SAWフィルタ素子2のグランド電極と接続するグ
ランドパッド36となる導体膜、後段SAWフィルタ素
子2の入力電極と接続する入力パッド33となる導体
膜、後段SAWフィルタ素子2のグランド電極と接続す
るグランドパッド37となる導体膜が形成されている。
そして、この5つのパッドのうち、前段SAWフィルタ
素子1の入力電極11に接続する入力パッド31となる
導体膜は、この辺の外方側に延出され、溝部内の入力外
部端子41となる導体膜に導通している。また、後段S
AWフィルタ素子2のグランド電極23に接続するグラ
ンドパッド36となる導体膜は、この辺の外方側に延出
され、溝部内のグランド外部端子45となる導体膜に導
通している。また、後段SAWフィルタ素子2の入力電
極21に接続する入力パッド33となる導体膜は、この
辺の外方側に延出され、そのまま溝部内の入力外部端子
43となる導体膜に導通している。また、後段SAWフ
ィルタ素子2のグランド電極25に接続するグランドパ
ッド37となる導体膜は、異なる辺に形成された溝部内
のグランド外部端子48となる導体膜に導通している。
ある前段SAWフィルタ素子のグランド電極13と接続
するグランドパッド35は、段差部3aの内側に導出さ
れ、その壁面に形成した半円形状凹部内に形成されてい
る導体膜に接続している。
する部分の各パッドにおいて、前段SAWフィルタ素子
1のグランド電極14に接続するグランドパッド38
は、異なる辺に形成された溝部内のグランド外部端子4
7となる導体膜に導通している。また、前段SAWフィ
ルタ素子1の出力電極12に接続する出力パッド32と
なる導体膜は、この辺の外方側に延出され、そのまま図
面の左辺の溝部内の出力外部端子42となる導体膜に導
通している。また、後段SAWフィルタ素子2の出力電
極22に接続する出力パッド34となる導体膜は、この
辺の外方側に延出され、そのまま図面の左辺の溝部内の
出力外部端子44となる導体膜に導通している。
左辺の溝部内グランド側外部端子46となる導体膜に導
通している。また、グランドパッド40は、段差部3b
の内側に導出され、その壁面に形成した半円形状溝部内
に形成している導体膜に接続している。
1に示す。セラミック層3zは平板形状となっており、
各セラミック層3x、3yと同様に外周に8つの凹部が
形成されている。そして、各凹部の内面には、それぞれ
外部端子となる導体膜が形成されている。
ャビティー部30の実装面となる領域には、グランド導
体膜51が形成されており、この上に前段SAWフィル
タ素子1と後段SAWフィルタ素子2が搭載される。
3aの図面上から2つ目のグランドパッド35と凹枠内
の導体膜を介して導通するように、その凹部の下部にま
で延出され(延出部51a参照)、凹部内の導体膜に接
続している。また、このグランド導体膜51は、図面
上、上辺に形成された凹部にまで延出され、グランド外
部端子47となる導体膜と導通している。さらに、図面
上、左辺中央に形成された凹部にまで延出され、グラン
ド外部端子46に導通している。
3bの図面上から4つ目のグランドパッド40と凹枠内
の導体膜を介して導通するように、その凹部の下部にま
で延出され(延出部51b参照)、凹枠内の導体膜に接
続されている。また、このグランド導体膜51は、図面
上、下辺に形成された凹部にまで延出され、グランド外
部端子48となる導体膜と導通している。
部にまで延出され、グランド外部端子45に導通してい
る。即ち、このグランド導体膜51は、例えば、容器3
の異なる辺に形成されたグランド外部端子45,46,
47、48に接続されている。これにより、異なる方向
からグランド電位に接地する。
に示す。セラミック層3zの底面には、各端子電極41
〜48と導通した平面状の端子電極41a〜48aが被
着形成されている。
できる形状の複数類、例えば3種類のセラミックグリー
ンシートを順次積層して形成される。即ち、最上層に位
置するセラミック層3x、中間層となるセラミック層3
y、最下層となるセラミック層3zとなるシートは、所
定位置に溝部となるスールホールを形成し、このシート
上またはスルーホールの内面に導電性ペーストを塗布す
る。尚、最上層に位置するセラミック層3x、中間層と
なるセラミック層3yとなるシートに関しては、キャビ
ティー部を形成する開口を有する。
層一体化し、焼成し、さらに、容器3の形状に分割また
は切断することによって得られる。尚、分割または切断
を焼成処理前に行っても構わない。ここで、各種導体膜
は、W(タングテステン)やMo(モリブデン)、A
g、Cuなどが例示できる。尚、これらの金属は、セラ
ミックの材料(焼成温度、焼成雰囲気が相違する)によ
って決定される。セラミック材料がアルミナであれば、
導体材料は、W(タングテステン)やMo(モリブデ
ン)が例示できる。セラミック材料がガラス−セラミッ
ク材料であれば、Ag、Cuなどが例示できる。
還元性雰囲気でおこなう。
0、外部端子41〜48は、その表面にNiメッキ、A
uメッキなどが塗着されている。これにより、パッド3
1〜40においては、ボンディングワイヤによる接合が
容易に行え、外部端子41〜48においては半田などと
の接合が容易となる。また、最上面に位置する導体膜6
1では、シールリングとのろう付け接合が容易且つ強固
に行える。
からなる容器3の表面に位置する導体膜61上には、シ
ールリング62がろう付けによって接合して容器3全体
が構成される。
たように、前段SAWフィルタ素子1及び後段SAWフ
ィルタ素子2が接着剤を介して、グランド導体膜51に
接合され、Auなどのワイヤボンディングを介して接続
れさる。
部30内に収容された前段SAWフィルタ素子1及び後
段SAWフィルタ素子2は、キャビティー部30の外部
の開口周囲に配置されたシールリング62上に金属製蓋
体7が載置され、金属蓋体7とシールリング62との接
合部分に、所定電流を通電して、シーム溶接を行う。
ールや42アロイなどの金属平板に、表面に応じて、実
装面側にAg層を形成している。実質的には、容器3の
外周面である側面に配置されたグランド外部端子45、
46を介してグランド電位に接地されることになる。
は、複数のグランド外部端子45〜48のうち、グラン
ド外部端子45、46が金属製蓋体7と電気的に接続さ
れている。このグランド外部端子45、46は各SAW
フィルタ素子1、2の間、即ち、2つのSAWフィルタ
素子1、2の間である分割位置に配置され、かつ、互い
に向かい合って形成されている。
Wフィルタ素子1の入力外部端子41と後段SAWフィ
ルタ素子2の入力外部端子43の間に配置しているた
め、入力外部端子41と出力外部端子43の電磁結合に
より、前段SAWフィルタ素子1の入力外部端子41か
ら後段SAWフィルタ素子2の入力外部端子43へ信号
が漏れてしまうことにより発生するアイソレーションの
悪化を防ぐことが出来る。
フィルタ素子1の出力外部端子42と後段SAWフィル
タ素子2の出力外部端子44の間に配置しているため、
出力外部端子42と出力外部端子44の電磁結合によ
り、前段SAWフィルタ素子1の出力外部端子42から
後段SAWフィルタ素子2の出力外部端子44へ信号が
漏れてしまうことにより発生するアイソレーションの悪
化を防ぐことが出来る。
子1の入力外部端子と後段SAWフィルタ素子2の入力
外部端子とが、また前段SAWフィルタ素子1の出力外
部端子と後段SAWフィルタ素子2の出力外部端子と
が、それぞれ同一面上に配置されていたが、前段SAW
フィルタ素子1の入力外部端子と後段SAWフィルタ素
子2の出力外部端子とが、また前段SAWフィルタ素子
1の出力外部端子と後段SAWフィルタ素子2の入力外
部端子とがそれぞれ同一面上に配置されている場合は、
前段SAWフィルタ素子1の入力外部端子と後段SAW
フィルタ素子2の出力外部端子との間、及び、前段SA
Wフィルタ素子1の出力外部端子と後段SAWフィルタ
素子2の入力外部端子との間に、それぞれグランド外部
端子を配置すればよい。
タ素子1、2を分割する線上に位置するグランド外部端
子45及びグランド外部端子46を通じて接地している
ため、金属製蓋体7にグランドレベルの電位が二つのS
AW素子の間で分断して形成され、二つのSAWフィル
タ素子1、2間の金属製蓋体を介した電磁気的結合によ
り、前段SAWフィルタ素子1から後段SAWフィルタ
素子2へ信号が漏れてしまうことによって発生するアイ
ソレーションの悪化を防止する事が出来る。
に、前段SAWフィルタ素子1、後段SAWフィルタ素
子2とともに、1.57GHZ帯域の中心周波数となる
微小信号抽出用フィルタ装置に基づいて、アイソレーシ
ョン特性を実測した。
定回路を示す。尚、図示していないが、グランド外部端
子45〜48は全て接地されている。この場合のアイソ
レーション特性は前段SAWフィルタ素子1の入力外部
端子41に入力された信号に対する後段SAWフィルタ
素子2の出力外部端子44から出力される信号の減衰の
度合いであり、減衰量が大きいほどアイソレーションが
良いことになる。
は、図13に示すように通過帯域の低周波側の、例えば
1475MHzにおいて39dBの減衰量を確保できる
のに対して、図18に示すように、従来例では、147
5MHzにおいて32dB程度の減衰量しか確保できな
い。
端子45を前段SAWフィルタ素子1の入力外部端子4
1と後段SAWフィルタ素子2の入力外部端子43の間
に配置し、グランド外部端子46を前段SAWフィルタ
素子1の出力外部端子42と後段SAWフィルタ素子2
の出力外部端子44の間に配置したが、グランド外部端
子45、46は金属製蓋体7に非接続とし、グランド外
部端子47、48を金属製蓋体7に接続した場合は、1
475MHzにおいて35dB程度の減衰量しか確保で
きない。これは、入出力外部端子の間にグランド外部端
子を配置することで、入出力外部端子同士の電磁気的結
合によるアイソレーションの悪化は防止できるが、金属
製蓋体を二つのSAWフィルタ素子を分割する線上に位
置するグランド外部端子45及びグランド外部端子46
を通じて接地してないため、金属製蓋体の電位が二つの
SAWフィルタ素子1、2の間で分断されず、二つのS
AWフィルタ素子1、2間の金属製蓋体を介した電磁気
的結合により、前段SAWフィルタ素子から後段SAW
フィルタ素子へ信号が漏れてしまうことによって発生す
るアイソレーションの悪化を防止する事が出来ないから
である。
グランド端子45、46、47、48を金属製蓋体に接
続した場合は、1475MHzにおいて39dB程度の
減衰量になるが、他の周波数の全体で比較すると、全体
的には外部グランド端子45、46のみを金属製蓋体に
接続した場合よりも若干劣る特性になる。
ルタ素子1、2を容器3内のキャビティー部30に収容
した微小信号抽出用フィルタで説明したが、キャビティ
ー部30内に、3つ以上のSAWフィルタ素子を配置し
ても構わない。
同一基板上に形成しても構わない。
した場合には、それぞれの入出力外部端子の間にグラン
ド外部端子を配置し、かつ、それぞれのSAWフィルタ
素子を分割する位置に配置された互いに向かい合った外
部グランド端子を金属製蓋体と接続すればよい。
フィルタを例にして説明したが、1つの容器に2つ以上
のSAWフィルタ素子を収容した全ての弾性表面波装置
にも広く適用できる。
間の相互干渉が少なくアイソレーションの良い弾性表面
波装置が実現できる。
回路図である。
を省略した状態を示した概略図である。
タ素子上の電極配置を示した平面図である。
価回路図であり、(b)は、後段SAWフィルタ素子の
等価回路図である。
側の側面図である。
子部分の断面図である。
端面側の側面図である。
フィルタ素子を分割する位置に配置され向かい合うグラ
ンド外部端子のうちの1つに関する断面図である。
間に位置するセラミック層の上面図である。
下層に位置するセラミック層の上面図である。
下層に位置するセラミック層の下面図である。
ション特性図である。
いて、グランド外部端子45、46を金属製蓋体7に非
接続とし、グランド外部端子47、48を金属製蓋体7
に接続したときのアイソレーション特性図である。
いて、グランド外部端子45,46、47、48を全て
金属製蓋体7に接続したときのアイソレーション特性図
である。
を省略した状態を示した外観斜視図である。
した状態の外観斜視図である。
ョン特性図である。
ランドパッド 33・・後段SAWフィルタ素子用の入力パッド 34・・後段SAWフィルタ素子用の出力パッド 36、37、40・・後段SAWフィルタ素子用グラン
ドパッド 51・・グランド導体膜
Claims (3)
- 【請求項1】 キャビティ部を有し、外周面に複数の入
力外部端子、出力外部端子、グランド外部端子を、前記
キャビティー部内に、前記入力外部端子、前記出力外部
端子、前記グランド外部端子に導通した複数の入力パッ
ド、出力パッド、グランドパッドを有する容器と、 前記容器のキャビティー部内に併設して収容されている
複数のSAWフィルタ素子と、 前記容器のキャビティー部を封止する金属製蓋体とから
成り、 前記各SAWフィルタ素子の入力電極は入力パッドに、
出力電極は出力パッドに、グランド電極はグランドパッ
ドに夫々接続されている弾性表面波装置であって、 前記グランド外部端子を挟んで、前記一のSAWフィル
タ素子に接続された入力外部端子と、該一のSAWフィ
ルタ素子に隣接する他のSAWフィルタ素子に接続され
た入力外部端子とが配設されていることを特徴とする弾
性表面波装置。 - 【請求項2】前記グランド外部端子を挟んで、前記一の
SAWフィルタ素子に接続された出力外部端子と、前記
他のSAWフィルタ素子に接続された出力外部端子とが
配設されていることを特徴とする請求項1記載の弾性表
面波装置。 - 【請求項3】 前記隣接するSAWフィルタ素子を分割
する線上で、かつ前記容器の対向する外周面上に互いに
対向するように一対の前記グランド外部端子を配設する
とともに、該一対のグランド外部端子のそれぞれを前記
金属製蓋体に接続して成ることを特徴とする請求項1又
は2記載の弾性表面波装置。
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JP2007312201A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Kyocera Corp | 基板実装型弾性表面波装置及びその製造方法並びに通信装置 |
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JP2001189639A (ja) * | 1998-12-29 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001263112A patent/JP4726358B2/ja not_active Expired - Fee Related
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