JP2003078385A

JP2003078385A - 弾性表面波装置

Info

Publication number: JP2003078385A
Application number: JP2001263112A
Authority: JP
Inventors: Koichi Maruta; 幸一丸田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-08-31
Filing date: 2001-08-31
Publication date: 2003-03-14
Anticipated expiration: 2021-08-31
Also published as: JP4726358B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】複数のＳＡＷフィルタ素子間の電磁気結合の
影響を有効に抑え、安定した特性が導出できる弾性表面
波装置を提供する。【解決手段】隣接するＳＡＷフィルタ素子１、２の入
力外部端子４１、４３間に１つのグランド外部端子４５
〜４８を配置する。また、隣接するＳＡＷフィルタ素子
１、２の出力外部端子４２、４４間に１つのグランド外
部端子４５〜４８を配置する。また、グランド外部端子
４５〜４８のうち、各ＳＡＷフィルタ素子１、２を分割
する位置に配置された互いに向かい合ったグランド外部
端子４５、４６を容器３外部で金属製蓋体７と電気的に
接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、デュプレクサや微
弱信号抽出用フィルタに用いられる複数のＳＡＷフィル
タ素子を１つの容器に収容して成る弾性表面波装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、弾性表面波素子で構成された弾性
表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタと称す）素子は
多くの通信分野で用いられ、高性能、小型、量産性等の
特徴を有することから携帯電話等の普及の一翼を担って
いる。

【０００３】例えば、デュプレクサは、１つの容器内に
受信用フィルタを構成するＳＡＷフィルタ素子と送信用
フィルタを構成するＳＡＷフィルタ素子とを配置してい
た。また、微弱信号抽出用フィルタは、前段ＳＡＷフィ
ルタ素子、増幅回路、後段ＳＡＷフィルタ素子とから成
り、上述の前段ＳＡＷフィルタ素子と後段ＳＡＷフィル
タ素子とを同一容器のキャビティー部内に配置してい
た。

【０００４】いずれの場合でも、複数のＳＡＷフィルタ
素子間での結合を抑えて、相互干渉を防止することが重
要となる。特に、微弱信号抽出フィルタでは、前段ＳＡ
Ｗフィルタ素子と後段ＳＡＷフィルタ素子の帯域の中心
周波数が略同一で、しかも、同時に２つのＳＡＷフィル
タ素子を駆動する必要があるため、両者の相互干渉を如
何に低減するかが重要となる。

【０００５】即ち、相互干渉が大きいと、前段ＳＡＷフ
ィルタ素子と後段ＳＡＷフィルタ素子とを外部配線によ
って従属接続した場合、２つのＳＡＷフィルタ素子の各
減衰量から期待できるトータル減衰量がそのまま得られ
ない場合が多い。これは、相互干渉によって２つのＳＡ
Ｗフィルタ素子のトータル減衰量が、前段ＳＡＷフィル
タ素子と後段ＳＡＷフィルタ素子のアイソレーションレ
ベルにより制約される為である。実際の機器では、２つ
のＳＡＷフィルタ素子間に増幅回路を挟んで使用される
ことが多いが、その場合も同様の問題が発生する。

【０００６】従来、上述のようなＳＡＷフィルタ素子の
相互の干渉を低減する方法としては、例えば、特開平１
１−２０５０７７号などに開示されている。

【０００７】同号公報の技術は、２つのＳＡＷフィルタ
素子を容器のキャビティー部内に収容し、前記容器の入
力パッド、出力パッド、グランドパッドとＳＡＷフィル
タ素子の入力電極、出力電極、グランド電極とを電気的
に接続して弾性表面波装置を構成したものである。特
に、前記容器のキャビティー部内に複数のグランドパッ
ドを設け、一方のＳＡＷフィルタ素子のグランド電極と
他方のＳＡＷフィルタ素子のグランド電極とを別のグラ
ンドパッドに接続することが開示されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の従来技
術では、ＳＡＷフィルタ素子の入出力電極、グランド電
極と入出力パッド、グランドパッドとの接続関係しか規
定されていない。本発明者が種々の実験を行ったとこ
ろ、一方のＳＡＷフィルタ素子に接続された入出力外部
端子と他方のＳＡＷフィルタ素子に接続された入出力外
部端子との相互干渉や、容器のキャビティー部を封止す
る金属製蓋体を介したそれぞれのＳＡＷフィルタ素子と
の間の相互干渉が発生することを知見した。

【０００９】従来の弾性表面波装置ＳＷを図１６、図１
７に示す。図１６は、従来の弾性表面波装置ＳＷにおけ
る金属製蓋体を省略した状態の外観図であり、図１７
は、図１６においてＳＡＷフィルタ素子を省略した状態
の外観図である。図中、１００は前段ＳＡＷフィルタ素
子、２００は後段ＳＡＷフィルタ素子、３００は凹状の
容器である。

【００１０】また、１３５は容器３００の段差部に形成
され前段ＳＡＷフィルタ素子１００の入力電極１０５に
ボンディングワイヤを介して接続される入力パッド、１
３６は容器３００の段差部に形成され前段ＳＡＷフィル
タ素子１００のグランド電極１０１にボンディングワイ
ヤを介して接続されるグランドパッド、１３７は容器３
００の段差部に形成され前段ＳＡＷフィルタ素子１００
の出力電極１０４からボンディングワイヤを介して接続
される出力パッド、１３８は容器３００の段差部に形成
され後段ＳＡＷフィルタ素子２００の出力電極１０６に
ボンディングワイヤを介して接続される出力パッド、１
３９は容器３００の段差部に形成され後段ＳＡＷフィル
タ素子２００のグランド電極１０２にボンディングワイ
ヤを介して接続されるグランドパッド、１３４は容器３
００の段差部に形成され前段ＳＡＷフィルタ素子２００
の入力電極１０５にボンディングワイヤを介して接続さ
れる入力パッドである。５００は容器３００のキャビテ
ィー部３１７の実装面の略全面に形成したグランド導体
膜である。

【００１１】更に、１４７、１４８は容器３００の外側
面に形成され、不図示の金属製蓋体に接続される外部グ
ランド端子、１４１は前段ＳＡＷフィルタ素子１００の
外部入力端子、１４２は容器３００の外側面に形成され
た前段ＳＡＷフィルタ素子１００の外部出力端子、同じ
く１４３は後段ＳＡＷフィルタ素子２００の外部入力端
子、１４４は後段ＳＡＷフィルタ素子２００の外部出力
端子である。

【００１２】図１７に示すように、グランド導体膜５０
０はグランドパッド１３６、１３９に接続され、容器３
００の外側面に形成されたグランド外部端子１４７、１
４８と導通されている。なお、複数のグランド外部端子
１４７、１４８を設けているのはグランド導体膜５００
のグランドを強化するためである。

【００１３】更に、前段ＳＡＷフィルタ素子１００の外
部入力端子１４１は入力パッド１３５に、外部出力端子
１４２は出力パッド１３７にそれぞれ接続されている。
また、後段ＳＡＷフィルタ素子２００の外部入力端子１
４３は入力パッド１３４に、外部出力端子１４４は出力
パッド１３８にそれぞれ接続されている。

【００１４】しかしながら、以上のような構成では、Ｓ
ＡＷフィルタ素子２００に接続された入出力外部端子１
４３、１４４との間の電磁気的な結合、あるいは、金属
製蓋体を形成した場合に金属製蓋体を介したＳＡＷ素子
間の電磁気的結合を防止することは出来ないものであ
る。

【００１５】一方、弾性表面波装置において、容器の外
周面に形成した入出力外部端子間の電磁結合を防止する
構成についは特開平７−３２１５９４に開示されてい
る。

【００１６】しかしながら、１つのＳＡＷフィルタ素子
における帯域外の信号の減衰特性を向上させるものであ
り、従って、デュプレクサや微弱信号抽出用フィルタの
ように複数のＳＡＷフィルタ素子を一つの容器に収容し
た場合の、互いのＳＡＷフィルタの相互干渉を防止でき
る技術の開示は全くされていない。

【００１７】本発明は、上述の課題に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、デュプレクサや微弱信号抽出
用フィルタのように複数のＳＡＷフィルタ素子を一つの
容器に収容した場合に、互いのＳＡＷフィルタの相互干
渉を防止し、もって、安定したフィルタ特性が導出でき
る弾性表面波装置を提供するものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、キャビティ部
を有し、外周面に複数の入力外部端子、出力外部端子、
グランド外部端子を、前記キャビティー部内に、前記入
力外部端子、前記出力外部端子、前記グランド外部端子
に導通した複数の入力パッド、出力パッド、グランドパ
ッドを有する容器と、前記容器のキャビティー部内に併
設して収容されている複数のＳＡＷフィルタ素子と、前
記容器のキャビティー部を封止する金属製蓋体とから成
り、前記各ＳＡＷフィルタ素子の入力電極は入力パッド
に、出力電極は出力パッドに、グランド電極はグランド
パッドに夫々接続されている弾性表面波装置であって、
前記グランド外部端子を挟んで、前記一のＳＡＷフィル
タ素子に接続された入力外部端子と、該一のＳＡＷフィ
ルタ素子に隣接する他のＳＡＷフィルタ素子に接続され
た入力外部端子とが配設されていることを特徴とする弾
性表面波装置である。

【００１９】また、前記グランド外部端子を挟んで、前
記一のＳＡＷフィルタ素子に接続された出力外部端子
と、前記他のＳＡＷフィルタ素子に接続された出力外部
端子とが配設されていることを特徴とする弾性表面波装
置である。

【００２０】更に、前記隣接するＳＡＷフィルタ素子を
分割する線上で、かつ前記容器の対向する外周面上に互
いに対向するように一対の前記グランド外部端子を配設
するとともに、該一対のグランド外部端子のそれぞれを
前記金属製蓋体に接続して成る弾性表面波装置である。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の弾性表面波装置を
図面に基づいて説明する。尚、実施例は、微小信号抽出
用フィルタを用いて説明する。微小信号とは、例えば、
人工衛星などから地上に送信される信号などが例示され
る。

【００２２】この微小信号抽出用フィルタは、例えば、
図１に示すように、アンテナ回路Aに接続され、且つ増
幅手段Ｐとともに用いらる。具体的には、アンテナ回路
Ａに、特定周波数帯域を通過させ得る前段（フロントエ
ンド）ＳＡＷフィルタ素子（以下、単に前段ＳＡＷフィ
ルタ素子）１、この特定周波数の信号成分を抽出した信
号を増幅する増幅手段Ｐ、増幅した信号を再度抽出処理
する後段（インターステージ）ＳＡＷフィルタ素子（以
下、単に後段ＳＡＷフィルタ素子）２を順次接続する。
これにより、微弱信号が増幅されて通常のスイッチ回路
や受信回路で処理できる程度のレベルの信号となり、し
かも、ノイズ成分が抑制された信号が得られることにな
る。

【００２３】このような微小信号抽出用フィルタの構成
において、少なくとも増幅手段Ｐは、ＩＣチップなどに
よって別部品で扱うことになる。そして、前段ＳＡＷフ
ィルタ素子と後段ＳＡＷフィルタ素子とを同一容器内に
収容して、１つの部品として取り扱う。

【００２４】本発明の弾性表面波装置ＳＷは、この前段
ＳＡＷフィルタ素子１と後段ＳＡＷフィルタ素子２とを
一体化した部品をいう。尚、ＳＡＷフィルタ素子とは、
それ自体がフィルタ機能を持つもので、個々で共振器の
機能を有して、これらを接続することでフィルタとなる
ものは含まれない。

【００２５】図２は本発明の弾性表面波装置ＳＷの外観
図である。また、図３は金属製蓋体を省略した状態の平
面図であり、図７、図９は容器の断面構造を示し、図
6、図８は、容器の主要部分の平面図である。尚、図５
（ａ）、（ｂ）は、本発明のＳＡＷフィルタ素子の等価
回路を示す。

【００２６】図２において、本発明の弾性表面波装置Ｓ
Ｗは、容器３と容器上面に被着封止された金属製蓋体７
とから構成されている。また、容器３外側の４つの端面
には、外部端子を形成するための平面から見た形が半円
形の溝部が、例えば８つ（一対の辺には夫々３つ、もう
一対の辺には１つ）形成されている。

【００２７】この外部端子を形成する半円形の溝部は容
器３の厚み方向に形成されており、この溝部内に外部端
子４１〜４８が形成されている。例えば、一対の対向し
あう端面の一方面には、前段ＳＡＷフィルタ素子用入力
パッドに導通する前段用入力外部端子４１、後段ＳＡＷ
フィルタ素子用グランドパッドに導通するグランド外部
端子４５、後段ＳＡＷフィルタ素子用入力パッドに導通
した後段用入力外部端子４３が形成されている。

【００２８】また、一対の対向しあう端面の他方面に
は、前段ＳＡＷフィルタ素子用出力パッド（後述）に導
通する前段用出力外部端子４２、前段ＳＡＷフィルタ素
子用グランドパッド（後述）に導通するグランド外部端
子４６、後段ＳＡＷフィルタ素子用出力パッド（後述）
に導通した後段用出力外部端子４４が形成されている。

【００２９】さらに、もう一対の端面の一方面には、前
段ＳＡＷフィルタ素子用グランドパッドに導通するグラ
ンド外部端子４７が配置されている。また、もう一対の
端面の他方面には、後段ＳＡＷフィルタ素子用グランド
パッドに導通するグランド外部端子４８が配置されてい
る。

【００３０】このような容器３の上面には、図３に示す
ように、例えば２つのＳＡＷフィルタ素子１、２が実装
される実装面３Ｃ及び両側面に段差部３ａ、３ｂを有す
るキャビティー部３０が形成されている。そして、この
実装面３Ｃには、ＳＡＷフィルタ素子１、２が配置され
ている。また、キャビティー部３０の段差部３ａには、
図３の上側から、前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力電極
（後述）と接続する入力パッド３１、前段ＳＡＷフィル
タ素子１のグランド電極（後述）と接続するグランドパ
ッド３５、後段ＳＡＷフィルタ素子２のグランド電極と
接続するグランドパッド３６、後段ＳＡＷフィルタ素子
２の入力電極と接続する入力パッド３３、後段ＳＡＷフ
ィルタ素子２のグランド電極と接続するグランドパッド
３７が配置されている。

【００３１】また、他方の段差部３ｂには、図３の上側
から、前段ＳＡＷフィルタ素子１のグランド電極と接続
するグランドパッド３８、前段ＳＡＷフィルタ素子１の
出力電極と接続する出力パッド３２、グランドパッド３
９、後段ＳＡＷフィルタ素子２のグランド電極と接続す
るグランドパッド４０、後段ＳＡＷフィルタ素子２の出
力電極と接続する出力パッド３４が配置されている。

【００３２】また、キャビティー部３０で、この段差部
３ａ、３ｂに囲まれたキャビティー部の実装面３Ｃに
は、２つのＳＡＷフィルタ素子１、２が接合される領域
において、グランド導体膜５１が形成されている（図１
１参照）。

【００３３】即ち、図３でキャビティー部３の実装面３
ｃにあるグランド導体膜５１上には、前段ＳＡＷフィル
タ素子１及び後段ＳＡＷフィルタ素子２が配置されてい
る。

【００３４】このＳＡＷフィルタ素子１、２は、図４に
示すようにタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水
晶基板などの圧電基板５３、５４の表面に、互いに噛み
合う１組の櫛型電極指からなるインターデジタル電極Ｐ
Ｓ、接続導体ＰＰＳ、入力電極１１、２１、出力電極１
２、２２、グランド電極１３、１４、２３〜２５、必要
に応じて反射器電極（図中、×の記号を指す）が形成さ
れている。

【００３５】そして、このインターデジタル電極ＰＳに
より、１つの共振部を構成することになる。そして、こ
の共振部は直列共振部、並列共振部に分類され、接続導
体を介して、直列共振部と並列共振部とが互いに接続さ
れる。

【００３６】例えば、図４（ａ）の上部に示す前段ＳＡ
Ｗフィルタ素子１は、圧電基板５３上に３つの直列共振
部Ｓ１１〜Ｓ１３と４つの並列共振部Ｐ１１〜Ｐ１４と
が接続導体ＰＰＳによってラダー状に接続されている。
この等価回路図を図５（ａ）に示す。

【００３７】そして、このＳＡＷフィルタ素子１には、
１つの入力電極１１、１つの出力電極１２、２つのグラ
ンド電極１３、１４が被着形成されている。

【００３８】図４（ｂ）に示す後段ＳＡＷフィルタ素子
２は、圧電基板５４上に２つの直列共振部Ｓ２１〜Ｓ２
２と３つの並列共振部Ｐ２１〜Ｐ２３とが接続導体ＰＰ
Ｓによってラダー状に接続されている。この等価回路図
を図５（ｂ）に示す。

【００３９】そして、このＳＡＷフィルタ素子２には、
１つの入力電極２１、１つの出力電極２２、３つのグラ
ンド電極２３〜２５が被着形成されている。

【００４０】尚、前段ＳＡＷフィルタ素子１及び後段Ｓ
ＡＷフィルタ素子２は、夫々通過帯域での特性、及び選
択性を考慮して、接続段数が若干相違している。

【００４１】このようなＳＡＷフィルタ素子１、２は、
絶縁性接着材を介して、キャビティー部３０の実装面３
ｃのグランド導体膜５１に接合されている。

【００４２】また、前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力電
極１１は、図３の右側の段差部３ａに形成した入力パッ
ド３１にボンディングワイヤを介して接続され、出力電
極１２は、左側の段差部３ｂに形成した出力パッド３２
にボンディングワイヤを介して接続されている。また、
グランド電極１３は、段差部３ａのグランドパッド３５
にボンディングワイヤを介して接続され、グランド電極
１４は、段差部３ｂのグランドパッド３８にボンディン
グワイヤを介して接続されている。

【００４３】また、後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力電
極２１は、図３の右側の段差部３ａに形成された入力パ
ッド３３にボンディングワイヤを介して接続され、出力
電極２２は、段差部３ｂに形成した出力パッド３４にボ
ンディングワイヤを介して接続されている。また、グラ
ンド電極２３は、段差部３ａに形成したグランドパッド
３６にボンディングワイヤを介して接続され、グランド
電極２４は、段差部３ｂに形成したグランドパッド４０
にボンディングワイヤを介して接続され、グランド電極
２５は、段差部３ａに形成したグランドパッド３７にボ
ンディングワイヤを介して接続されている。

【００４４】このような容器３は、少なくとも３層のセ
ラミック層から構成されており、上述のように容器３の
一対の外側端面には、図６に示すように、容器３の外部
端子４１、４５、４３が厚み方向に形成されている。こ
の外部端子４１、４５、４３は、断面半円形状の溝部の
内部に、底面から所定位置まで導体が形成されている。
例えば、図６〜図９に示すように前段ＳＡＷフィルタ素
子１の入力電極１１（図４参照）と接続する入力外部端
子４１及び後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力電極２１
（図４参照）と接続する入力外部端子４３は、容器３の
底面から外側端面にかけて容器３の厚みの途中まで延び
ている。また、容器３外側端面の幅方向の略中央部分に
位置するグランド外部端子４５は、容器３の底面から外
側端面を通って容器３の厚み方向全域に延びて形成さ
れ、さらに、容器３の上面に形成したシールリング接合
用の導体膜６１に導通している。

【００４５】また、容器３のもう一方の外側端面は、側
面図を省略しているが、図６と同様、出力外部端子４
２、４４は、底面から容器の厚みの途中にまで延び、グ
ランド外部端子４６は、容器３の底面から容器の上面に
まで延び、さらに、容器３の上面に形成したシールリン
グ接合用の導体膜６１に導通している。

【００４６】尚、図７において、６１は、上述したよう
にシールリング接合用導体膜（グランド電位）であり、
６２はシールリングであり、７は、金属蓋体である。

【００４７】また、図８は、図６と直交する外側端面で
ある。この外側端面には、グランド外部端子４７のみが
形成されている。これに対向する容器３の端面には、グ
ランド外部端子４８のみが形成されている。このグラン
ド外部端子４７、４８は、容器３の底面から上面に延び
て形成されている。

【００４８】図7、図9に示す容器３は、最上面のセラミ
ック層３ｘは、キャビティー部３０（図3参照）の開口
を形成するためにリング状を成しており、その上面の全
面にわたり、コバール、４２アロイなどからなるシール
リング６２をロウ付により接合する導体膜６１が被着形
成されている。

【００４９】ここで、図7に示すように最上層のセラミ
ック層３ｘに形成された溝部３０ｘには、例えば入力外
部端子４１となる導体膜が被着されていない。これは、
他の入出力外部端子４２、４３、４４についても同様な
構造である。

【００５０】また、図９に示すように、グランド外部端
子４５、４６については、３つのセラミック層３ｘ〜３
zの厚みに跨がって導体膜が形成され、図８に示すよう
にグランド外部端子４７、４８についてはセラミック層
３ｘに形成された溝部３１ｘには、導体膜が被着されて
いない。この理由は後述する。

【００５１】また、中間に位置するセラミック層３ｙの
上面図を図１０に示す。セラミック層３ｙはキャビティ
ー部３０内壁に段差部３ａ、３ｂを形成するため（図3
参照）、キャビティー部３０の開口部寸法に比較して若
干小さい開口部を有するリング状となっている。そし
て、このセラミック層ｙの外周には、外部端子を形成す
る領域を確保するための容器３の外側端面に溝部が形成
される半円形の凹部（符号を省略している）が８つ形成
されている。夫々の凹部には、前段ＳＡＷフィルタ素子
側の入力外部端子４１となる導体膜、グランド外部端子
４５となる導体膜、後段ＳＡＷフィルタ素子側の入力外
部端子４３となる導体膜、グランド外部端子４８となる
導体膜、後段ＳＡＷフィルタ素子側の出力外部端子４４
となる導体膜、グランド外部端子４６となる導体膜、前
段ＳＡＷフィルタ素子側の出力外部端子４２となる導体
膜、グランド外部端子４７となる導体膜が形成されてい
る。

【００５２】また、このセラミック層３ｙの開口周囲に
は、各ＳＡＷフィルタ素子の入力電極１１、２１と接続
する入力パッド３１、３３となる導体膜、出力電極１
２、２２と接続する出力パッド３２、３４となる導体
膜、グランド電極１３、１４、２３、２４、２５と接続
するグランドパッド３５、３６、３７、３８、３９、４
０となる導体膜が形成されている。

【００５３】例えば、最上層のセラミック層３ｘの開口
と中間に位置するセラミック層３ｙの開口の差によって
発生する段差部３ａにおいて、例えば、図３の右側とな
る段差部３ａに相当する部分には、図１０の上から、前
段ＳＡＷフィルタ素子１の入力電極と接続する入力パッ
ド３１となる導体膜、前段ＳＡＷフィルタ素子１のグラ
ンド電極と接続するグランドパッド３５となる導体膜、
後段ＳＡＷフィルタ素子２のグランド電極と接続するグ
ランドパッド３６となる導体膜、後段ＳＡＷフィルタ素
子２の入力電極と接続する入力パッド３３となる導体
膜、後段ＳＡＷフィルタ素子２のグランド電極と接続す
るグランドパッド３７となる導体膜が形成されている。
そして、この５つのパッドのうち、前段ＳＡＷフィルタ
素子１の入力電極１１に接続する入力パッド３１となる
導体膜は、この辺の外方側に延出され、溝部内の入力外
部端子４１となる導体膜に導通している。また、後段Ｓ
ＡＷフィルタ素子２のグランド電極２３に接続するグラ
ンドパッド３６となる導体膜は、この辺の外方側に延出
され、溝部内のグランド外部端子４５となる導体膜に導
通している。また、後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力電
極２１に接続する入力パッド３３となる導体膜は、この
辺の外方側に延出され、そのまま溝部内の入力外部端子
４３となる導体膜に導通している。また、後段ＳＡＷフ
ィルタ素子２のグランド電極２５に接続するグランドパ
ッド３７となる導体膜は、異なる辺に形成された溝部内
のグランド外部端子４８となる導体膜に導通している。

【００５４】尚、段差部３ａの上から２つ目のパッドで
ある前段ＳＡＷフィルタ素子のグランド電極１３と接続
するグランドパッド３５は、段差部３ａの内側に導出さ
れ、その壁面に形成した半円形状凹部内に形成されてい
る導体膜に接続している。

【００５５】また、図面の左側となる段差部３ｂに相当
する部分の各パッドにおいて、前段ＳＡＷフィルタ素子
１のグランド電極１４に接続するグランドパッド３８
は、異なる辺に形成された溝部内のグランド外部端子４
７となる導体膜に導通している。また、前段ＳＡＷフィ
ルタ素子１の出力電極１２に接続する出力パッド３２と
なる導体膜は、この辺の外方側に延出され、そのまま図
面の左辺の溝部内の出力外部端子４２となる導体膜に導
通している。また、後段ＳＡＷフィルタ素子２の出力電
極２２に接続する出力パッド３４となる導体膜は、この
辺の外方側に延出され、そのまま図面の左辺の溝部内の
出力外部端子４４となる導体膜に導通している。

【００５６】尚、グランドパッド３９はそのまま図面の
左辺の溝部内グランド側外部端子４６となる導体膜に導
通している。また、グランドパッド４０は、段差部３ｂ
の内側に導出され、その壁面に形成した半円形状溝部内
に形成している導体膜に接続している。

【００５７】最下層のセラミック層３ｚの上面図を図１
１に示す。セラミック層３ｚは平板形状となっており、
各セラミック層３ｘ、３ｙと同様に外周に８つの凹部が
形成されている。そして、各凹部の内面には、それぞれ
外部端子となる導体膜が形成されている。

【００５８】また、このセラミック層３ｚの上面で、キ
ャビティー部３０の実装面となる領域には、グランド導
体膜５１が形成されており、この上に前段ＳＡＷフィル
タ素子１と後段ＳＡＷフィルタ素子２が搭載される。

【００５９】また、グランド導体膜５１は、右側段差部
３ａの図面上から２つ目のグランドパッド３５と凹枠内
の導体膜を介して導通するように、その凹部の下部にま
で延出され（延出部５１ａ参照）、凹部内の導体膜に接
続している。また、このグランド導体膜５１は、図面
上、上辺に形成された凹部にまで延出され、グランド外
部端子４７となる導体膜と導通している。さらに、図面
上、左辺中央に形成された凹部にまで延出され、グラン
ド外部端子４６に導通している。

【００６０】また、このグランド導体膜５１は、段差段
３ｂの図面上から４つ目のグランドパッド４０と凹枠内
の導体膜を介して導通するように、その凹部の下部にま
で延出され（延出部５１ｂ参照）、凹枠内の導体膜に接
続されている。また、このグランド導体膜５１は、図面
上、下辺に形成された凹部にまで延出され、グランド外
部端子４８となる導体膜と導通している。

【００６１】さらに、図面上、右辺中央に形成された凹
部にまで延出され、グランド外部端子４５に導通してい
る。即ち、このグランド導体膜５１は、例えば、容器３
の異なる辺に形成されたグランド外部端子４５，４６，
４７、４８に接続されている。これにより、異なる方向
からグランド電位に接地する。

【００６２】また、セラミック層３ｚの底面図を図１２
に示す。セラミック層３ｚの底面には、各端子電極４１
〜４８と導通した平面状の端子電極４１ａ〜４８aが被
着形成されている。

【００６３】このような容器３は、複数の容器３が抽出
できる形状の複数類、例えば３種類のセラミックグリー
ンシートを順次積層して形成される。即ち、最上層に位
置するセラミック層３ｘ、中間層となるセラミック層３
ｙ、最下層となるセラミック層３ｚとなるシートは、所
定位置に溝部となるスールホールを形成し、このシート
上またはスルーホールの内面に導電性ペーストを塗布す
る。尚、最上層に位置するセラミック層３ｘ、中間層と
なるセラミック層３ｙとなるシートに関しては、キャビ
ティー部を形成する開口を有する。

【００６４】そして、このようなセラミックシートを積
層一体化し、焼成し、さらに、容器３の形状に分割また
は切断することによって得られる。尚、分割または切断
を焼成処理前に行っても構わない。ここで、各種導体膜
は、Ｗ（タングテステン）やＭｏ（モリブデン）、Ａ
ｇ、Ｃｕなどが例示できる。尚、これらの金属は、セラ
ミックの材料（焼成温度、焼成雰囲気が相違する）によ
って決定される。セラミック材料がアルミナであれば、
導体材料は、Ｗ（タングテステン）やＭｏ（モリブデ
ン）が例示できる。セラミック材料がガラス−セラミッ
ク材料であれば、Ａｇ、Ｃｕなどが例示できる。

【００６５】尚、Ｃｕを用いた場合には、焼成雰囲気は
還元性雰囲気でおこなう。

【００６６】また、容器３から露出するパッド３１〜４
０、外部端子４１〜４８は、その表面にＮｉメッキ、Ａ
ｕメッキなどが塗着されている。これにより、パッド３
１〜４０においては、ボンディングワイヤによる接合が
容易に行え、外部端子４１〜４８においては半田などと
の接合が容易となる。また、最上面に位置する導体膜６
１では、シールリングとのろう付け接合が容易且つ強固
に行える。

【００６７】このような３つのセラミック層３ｘ〜３ｚ
からなる容器３の表面に位置する導体膜６１上には、シ
ールリング６２がろう付けによって接合して容器３全体
が構成される。

【００６８】容器３のキャビティー部３０には、上述し
たように、前段ＳＡＷフィルタ素子１及び後段ＳＡＷフ
ィルタ素子２が接着剤を介して、グランド導体膜５１に
接合され、Ａｕなどのワイヤボンディングを介して接続
れさる。

【００６９】そして、このように容器３のキャビティー
部３０内に収容された前段ＳＡＷフィルタ素子１及び後
段ＳＡＷフィルタ素子２は、キャビティー部３０の外部
の開口周囲に配置されたシールリング６２上に金属製蓋
体７が載置され、金属蓋体７とシールリング６２との接
合部分に、所定電流を通電して、シーム溶接を行う。

【００７０】このように形成された金属蓋体７は、コバ
ールや４２アロイなどの金属平板に、表面に応じて、実
装面側にＡｇ層を形成している。実質的には、容器３の
外周面である側面に配置されたグランド外部端子４５、
４６を介してグランド電位に接地されることになる。

【００７１】以上のような構成の弾性表面波装置ＳＷで
は、複数のグランド外部端子４５〜４８のうち、グラン
ド外部端子４５、４６が金属製蓋体７と電気的に接続さ
れている。このグランド外部端子４５、４６は各ＳＡＷ
フィルタ素子１、２の間、即ち、２つのＳＡＷフィルタ
素子１、２の間である分割位置に配置され、かつ、互い
に向かい合って形成されている。

【００７２】ここで、グランド外部端子４５を前段ＳＡ
Ｗフィルタ素子１の入力外部端子４１と後段ＳＡＷフィ
ルタ素子２の入力外部端子４３の間に配置しているた
め、入力外部端子４１と出力外部端子４３の電磁結合に
より、前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力外部端子４１か
ら後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力外部端子４３へ信号
が漏れてしまうことにより発生するアイソレーションの
悪化を防ぐことが出来る。

【００７３】また、グランド外部端子４６を前段ＳＡＷ
フィルタ素子１の出力外部端子４２と後段ＳＡＷフィル
タ素子２の出力外部端子４４の間に配置しているため、
出力外部端子４２と出力外部端子４４の電磁結合によ
り、前段ＳＡＷフィルタ素子１の出力外部端子４２から
後段ＳＡＷフィルタ素子２の出力外部端子４４へ信号が
漏れてしまうことにより発生するアイソレーションの悪
化を防ぐことが出来る。

【００７４】尚、この実施例では前段ＳＡＷフィルタ素
子１の入力外部端子と後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力
外部端子とが、また前段ＳＡＷフィルタ素子１の出力外
部端子と後段ＳＡＷフィルタ素子２の出力外部端子と
が、それぞれ同一面上に配置されていたが、前段ＳＡＷ
フィルタ素子１の入力外部端子と後段ＳＡＷフィルタ素
子２の出力外部端子とが、また前段ＳＡＷフィルタ素子
１の出力外部端子と後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力外
部端子とがそれぞれ同一面上に配置されている場合は、
前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力外部端子と後段ＳＡＷ
フィルタ素子２の出力外部端子との間、及び、前段ＳＡ
Ｗフィルタ素子１の出力外部端子と後段ＳＡＷフィルタ
素子２の入力外部端子との間に、それぞれグランド外部
端子を配置すればよい。

【００７５】また、金属製蓋体７を二つのＳＡＷフィル
タ素子１、２を分割する線上に位置するグランド外部端
子４５及びグランド外部端子４６を通じて接地している
ため、金属製蓋体７にグランドレベルの電位が二つのＳ
ＡＷ素子の間で分断して形成され、二つのＳＡＷフィル
タ素子１、２間の金属製蓋体を介した電磁気的結合によ
り、前段ＳＡＷフィルタ素子１から後段ＳＡＷフィルタ
素子２へ信号が漏れてしまうことによって発生するアイ
ソレーションの悪化を防止する事が出来る。

【００７６】本発明者らは、この効果を確認するため
に、前段ＳＡＷフィルタ素子１、後段ＳＡＷフィルタ素
子２とともに、１．５７ＧＨＺ帯域の中心周波数となる
微小信号抽出用フィルタ装置に基づいて、アイソレーシ
ョン特性を実測した。

【００７７】図１９にアイソレーション特性測定時の測
定回路を示す。尚、図示していないが、グランド外部端
子４５〜４８は全て接地されている。この場合のアイソ
レーション特性は前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力外部
端子４１に入力された信号に対する後段ＳＡＷフィルタ
素子２の出力外部端子４４から出力される信号の減衰の
度合いであり、減衰量が大きいほどアイソレーションが
良いことになる。

【００７８】その結果、本発明の弾性表面波装置ＳＷで
は、図１３に示すように通過帯域の低周波側の、例えば
１４７５ＭＨｚにおいて３９ｄＢの減衰量を確保できる
のに対して、図１８に示すように、従来例では、１４７
５ＭＨｚにおいて３２ｄＢ程度の減衰量しか確保できな
い。

【００７９】また、図１４に示すように、グランド外部
端子４５を前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力外部端子４
１と後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力外部端子４３の間
に配置し、グランド外部端子４６を前段ＳＡＷフィルタ
素子１の出力外部端子４２と後段ＳＡＷフィルタ素子２
の出力外部端子４４の間に配置したが、グランド外部端
子４５、４６は金属製蓋体７に非接続とし、グランド外
部端子４７、４８を金属製蓋体７に接続した場合は、１
４７５ＭＨｚにおいて３５ｄＢ程度の減衰量しか確保で
きない。これは、入出力外部端子の間にグランド外部端
子を配置することで、入出力外部端子同士の電磁気的結
合によるアイソレーションの悪化は防止できるが、金属
製蓋体を二つのＳＡＷフィルタ素子を分割する線上に位
置するグランド外部端子４５及びグランド外部端子４６
を通じて接地してないため、金属製蓋体の電位が二つの
ＳＡＷフィルタ素子１、２の間で分断されず、二つのＳ
ＡＷフィルタ素子１、２間の金属製蓋体を介した電磁気
的結合により、前段ＳＡＷフィルタ素子から後段ＳＡＷ
フィルタ素子へ信号が漏れてしまうことによって発生す
るアイソレーションの悪化を防止する事が出来ないから
である。

【００８０】また、図１５に示すように、すべての外部
グランド端子４５、４６、４７、４８を金属製蓋体に接
続した場合は、１４７５ＭＨｚにおいて３９ｄＢ程度の
減衰量になるが、他の周波数の全体で比較すると、全体
的には外部グランド端子４５、４６のみを金属製蓋体に
接続した場合よりも若干劣る特性になる。

【００８１】尚、上述の実施例では、２つのＳＡＷフィ
ルタ素子１、２を容器３内のキャビティー部３０に収容
した微小信号抽出用フィルタで説明したが、キャビティ
ー部３０内に、３つ以上のＳＡＷフィルタ素子を配置し
ても構わない。

【００８２】また、２つのＳＡＷフィルタ素子１、２を
同一基板上に形成しても構わない。

【００８３】例えば、３つのＳＡＷフィルタ素子を収容
した場合には、それぞれの入出力外部端子の間にグラン
ド外部端子を配置し、かつ、それぞれのＳＡＷフィルタ
素子を分割する位置に配置された互いに向かい合った外
部グランド端子を金属製蓋体と接続すればよい。

【００８４】また、上述の実施例では、微小信号抽出用
フィルタを例にして説明したが、１つの容器に２つ以上
のＳＡＷフィルタ素子を収容した全ての弾性表面波装置
にも広く適用できる。

【００８５】

【発明の効果】本発明では、２つのＳＡＷフィルタ素子
間の相互干渉が少なくアイソレーションの良い弾性表面
波装置が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の弾性表面波装置の実装形態を示す等価
回路図である。

【図２】本発明の弾性表面波装置の外観斜視図である。

【図３】本発明の弾性表面波装置において、金属製蓋体
を省略した状態を示した概略図である。

【図４】本発明の弾性表面波装置に用いるＳＡＷフィル
タ素子上の電極配置を示した平面図である。

【図５】（ａ）は本発明の前段ＳＡＷフィルタ素子の等
価回路図であり、（ｂ）は、後段ＳＡＷフィルタ素子の
等価回路図である。

【図６】本発明の弾性表面波装置における容器の一方面
側の側面図である。

【図７】本発明の弾性表面波装置における入出力外部端
子部分の断面図である。

【図８】本発明の弾性表面波装置における容器の他方の
端面側の側面図である。

【図９】本発明の弾性表面波装置における２つのＳＡＷ
フィルタ素子を分割する位置に配置され向かい合うグラ
ンド外部端子のうちの１つに関する断面図である。

【図１０】本発明の弾性表面波装置の容器を構成する中
間に位置するセラミック層の上面図である。

【図１１】本発明の弾性表面波装置の容器を構成する最
下層に位置するセラミック層の上面図である。

【図１２】本発明の弾性表面波装置の容器を構成する最
下層に位置するセラミック層の下面図である。

【図１３】本発明の弾性表面波装置におけるアイソレー
ション特性図である。

【図１４】比較例として、本発明の弾性表面波装置に於
いて、グランド外部端子４５、４６を金属製蓋体７に非
接続とし、グランド外部端子４７、４８を金属製蓋体７
に接続したときのアイソレーション特性図である。

【図１５】比較例として、本発明の弾性表面波装置に於
いて、グランド外部端子４５，４６、４７、４８を全て
金属製蓋体７に接続したときのアイソレーション特性図
である。

【図１６】従来の弾性表面波装置において、金属製蓋体
を省略した状態を示した外観斜視図である。

【図１７】図１６において、ＳＡＷフィルタ素子を省略
した状態の外観斜視図である。

【図１８】従来の弾性表面波装置におけるアイソレーシ
ョン特性図である。

【図１９】アイソレーション特性の測定回路図である。

【符号の説明】

１・・前段ＳＡＷフィルタ素子２・・後段ＳＡＷフィルタ素子３・・容器３０・・キャビティー部４１・・前段ＳＡＷフィルタ素子用の入力外部端子４２・・前段ＳＡＷフィルタ素子用の出力外部端子４３・・後段ＳＡＷフィルタ素子用の入力外部端子４４・・後段ＳＡＷフィルタ素子用の出力外部端子４５、４６、４７、４８・・グランド外部端子３１・・前段ＳＡＷフィルタ素子用の入力パッド３２・・前段ＳＡＷフィルタ素子用の出力パッド３５、３８、３９・・前段ＳＡＷフィルタ素子用入力グ
ランドパッド３３・・後段ＳＡＷフィルタ素子用の入力パッド３４・・後段ＳＡＷフィルタ素子用の出力パッド３６、３７、４０・・後段ＳＡＷフィルタ素子用グラン
ドパッド５１・・グランド導体膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】キャビティ部を有し、外周面に複数の入
力外部端子、出力外部端子、グランド外部端子を、前記
キャビティー部内に、前記入力外部端子、前記出力外部
端子、前記グランド外部端子に導通した複数の入力パッ
ド、出力パッド、グランドパッドを有する容器と、前記容器のキャビティー部内に併設して収容されている
複数のＳＡＷフィルタ素子と、前記容器のキャビティー部を封止する金属製蓋体とから
成り、前記各ＳＡＷフィルタ素子の入力電極は入力パッドに、
出力電極は出力パッドに、グランド電極はグランドパッ
ドに夫々接続されている弾性表面波装置であって、前記グランド外部端子を挟んで、前記一のＳＡＷフィル
タ素子に接続された入力外部端子と、該一のＳＡＷフィ
ルタ素子に隣接する他のＳＡＷフィルタ素子に接続され
た入力外部端子とが配設されていることを特徴とする弾
性表面波装置。
【請求項２】前記グランド外部端子を挟んで、前記一の
ＳＡＷフィルタ素子に接続された出力外部端子と、前記
他のＳＡＷフィルタ素子に接続された出力外部端子とが
配設されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表
面波装置。
【請求項３】前記隣接するＳＡＷフィルタ素子を分割
する線上で、かつ前記容器の対向する外周面上に互いに
対向するように一対の前記グランド外部端子を配設する
とともに、該一対のグランド外部端子のそれぞれを前記
金属製蓋体に接続して成ることを特徴とする請求項１又
は２記載の弾性表面波装置。